TWI457685B - 用以定位及檢驗基底之補償校正方法及配置 - Google Patents

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Description

用以定位及檢驗基底之補償校正方法及配置
本發明係有關用以定位及檢驗基底之補償校正方法及配置。
電漿處理之進步促成半導體產業的成長。一般而言，可從自單一處理的基底切割之晶粒產生複數個半導體裝置。欲處理基底，可將基底放置在電漿處理室內的基底夾盤頂端上。基底在基底夾盤上的定位可決定處理基底的哪個部分以形成裝置。
有許多將基底對準基底底盤中央的方法。在一範例中，可將感測器置於處理模組中以決定基底相對於基底夾盤之定位。在另一範例中，可採用如引導機械手臂的對準設備以將基底與基底夾盤對準。雖然可以某準確度來執行與硬體中央之對準(如基底夾盤的中央)，與硬體中央之對準並不總是等於與處理中央的對準。
如此所述，硬體中央係指如基底夾盤之硬體的中央。同樣如此所述，處理中央係指電漿處理的焦點中央。理想上，在自焦點中央的任何給定徑向距離，處理結果(如蝕刻率)維持相同。例如，在自處理中央100 mm的距離，則可預期若跟隨具有自此焦點處理中央100 mm的半徑之圓，蝕刻率維持實質上固定。由於室組態的特殊性，處理中央並非總與硬體中央相同。因此，僅單單依據對硬體中央的對準可能導致基底處理期間之不對準。隨著製造商不斷致力於改善產率，持續努力在電漿處理期間更準確地將基底置於處理中央上以最小化基底不對準所造成的裝置缺陷。
在一實施例中，本發明有關於一種計算處理室中的夾盤之處理中央的方法。該方法包含產生一組處理前測量資料點，包括在基底處理之前測量具有薄膜於其上之基底的厚度。該測量發生在一組方位以及自該基底之幾何中央的一組距離。該方法亦包含產生一組處理後測量資料點，包括在該基底處理之後測量該基底的厚度。該測量至少發生在該組方位以及自該基底之該幾何中央的該組距離。該方法亦進一步包含比較該組處理前測量資料點及該組處理後測量資料點以計算一組蝕刻深度數字。該方法又包含針對該組方位產生一組蝕刻輪廓。該方法又進一步包含從該組蝕刻輪廓外推一組半徑。該組半徑與第一蝕刻深度關聯。該方法再包含產生偏離中央圖，其為該組半徑對該組方位之圖形表示。此外，該方法包含藉由將曲線擬合方程式應用至該偏離中央圖以計算該處理中央。
在另一實施例中，本發明有關於一種包含具有電腦可讀取碼於其中的程式儲存媒體之製品。該電腦可讀取碼組態成計算處理室中的夾盤之處理中央。該製品包含電腦可讀取碼，用於產生一組處理前測量資料點，包括在基底處理之前測量具有薄膜於其上之基底的厚度。該測量發生在一組方位以及自該基底之幾何中央的一組距離。該製品亦包含電腦可讀取碼，用於產生一組處理後測量資料點，包括在該基底處理之後測量該基底的厚度。該測量至少發生在該組方位以及自該基底之該幾何中央的該組距離。該製品進一步包含電腦可讀取碼，用於比較該組處理前測量資料點及該組處理後測量資料點以計算一組蝕刻深度數字。該製品又包含電腦可讀取碼，用於針對該組方位產生一組蝕刻輪廓。該製品亦進一步包含電腦可讀取碼，用於從該組蝕刻輪廓外推一組半徑。該組半徑與第一蝕刻深度關聯。該製品又進一步包含藉由利用斜角檢驗模組來捕捉經處理之基底的邊緣之影像。該製品再包含電腦可讀取碼，用於產生偏離中央圖，其為該組半徑對該組方位之圖形表示。此外，該製品包含電腦可讀取碼，用於藉由將曲線擬合方程式應用至該偏離中央圖以計算該處理中央。
在又另一實施例中，本發明有關於一種計算處理室中的夾盤之處理中央的電腦實施方法。該方法包含產生一組處理前測量資料點，包括在基底處理之前測量具有薄膜於其上之基底的厚度。該測量發生在一組方位以及自該基底之幾何中央的一組距離。該方法亦包含產生一組處理後測量資料點，包括在該基底處理之後測量該基底的厚度。該測量至少發生在該組方位以及自該基底之該幾何中央的該組距離。該方法進一步包含比較該組處理前測量資料點及該組處理後測量資料點以計算一組蝕刻深度數字。該方法亦又包含針對該組方位產生一組蝕刻輪廓。該方法又進一步包含從該組蝕刻輪廓外推一組半徑。該組半徑與第一蝕刻深度關聯。該方法再包含產生偏離中央圖，其為該組半徑對該組方位之圖形表示。此外，該方法包含藉由將曲線擬合方程式應用至該偏離中央圖以計算該處理中央。
將參照附圖中所示之本發明的數個實施例詳細說明本發明。在下列說明中，提出各種特定細節以提供本發明之詳盡的理解。然而，很明顯地，可在沒有這些特定細節之一些或全部的情況下實施本發明。在其他的例子中，並未詳細描述熟知的程序步驟及/或結構以不非必要地混淆本發明。
此後描述各種的實施例，包含方法與技術。應注意到本發明亦可涵蓋包含電腦可讀取媒體之製品，電腦可讀取媒體上儲存有用於執行具發明性之技術的實施例之電腦可讀取指令。電腦可讀取媒體可包含，例如，半導體、磁性、光磁性、光學性或其他形式的電腦可讀取媒體以供儲存電腦可讀取碼。此外，本發明亦可涵蓋用於實施本發明之實施例的裝置。此種裝置可包含專用及/或可編程電路，以進行與本發明之實施例有關的工作。此種裝置的範例包含一般目的電腦及/或適當編程之專用運算裝置，並且可包含電腦/運算裝置及專用/可編程電路的組合，其可執行與本發明之實施例有關的各種工作。
在下列揭露中，描述蝕刻為可用核心技術來加以改善之應用。然而，應注意到，在此揭露之核心技術可應用至任何其他類型之處理(例如沈積)。此外，此技術可應用於其中處理為(一致及/或非一致的)同中心性的任何應用。
根據本發明之實施例，提供一種計算處理室的基底夾盤之圓形固定蝕刻率方法。在本發明的實施例中，可從對於在處理期間幾何置中於夾盤上的測試基底所進行的蝕刻率測量推斷出基底偏移(亦即從夾盤硬體中央至夾盤處理中央的偏移)。根據計算出的基底偏移，可以夾盤處理中央之座標編程傳送模組內的機械手臂以幫助後續基底在夾盤的處理中央上置中，藉此以改良的一致性進行處理。
一般而言，可利用機械手臂來放置基底於基底夾盤的硬體中央。然而，如前述，因給定工具的特殊性，硬體中央與處理中央並非總是相同。若基底可更精確地置中在處理中央，則可改善處理一致性，因而可在接近基底邊緣處獲得令人滿意的處理結果，並可使用更多基底來產生裝置之晶粒。在先前技術中，使用硬體中央之對準方法可能為開放回路對準，其通常不允許偏移信號的反饋。不如先前技術，本發明之實施例提供藉由從對於在處理期間幾何置中於夾盤的硬體中央上的基底所進行的一組測量來外推出資料以判斷處理中央的方法。在一實施例中，可在處理之前收集基底之一組處理前測量資料點。在一實施例中，可在處理之後收集相同基底上之測量位置的一組處理後測量資料點。
藉由計算各資料點之處理前與後之測量間的差異，可判斷出已移除之薄膜層的量。換言之，可從一組處理前與後的測量來計算蝕刻深度。雖然該組處理前測量資料點在計算基底厚度時為非必要，藉由包含處理前與處理後的測量兩者可計算出各資料點之更精確的蝕刻深度。作為獲得處理前測量資料點的一替代例，可從例如原始基底製造商提供的規格資料假設測量前厚度。
請考量例如計算蝕刻率來判斷基底偏移之情況。在一實施例中，可藉由將蝕刻深度除以基底處理時間來計算各資料點的蝕刻率。在此文件中，使用蝕刻率討論各種實施例。然而，本發明不限於蝕刻率並可以蝕刻深度加以利用。
在一實施例中，處理前與後的測量亦可包含個資料點的半徑(在此界定為沿著連接資料點位置與基底之幾何中央的線測量之距離)。在一實施例中，資料點1與基底的中央相距148.2毫米。由於已經計算出各資料點的蝕刻率，可將各資料點的半徑(R)值與各資料率關聯。此外，亦可判斷各資料點的方位。針對在此所用的術語，方位係指自參考半徑線的角度偏移。因此，資料點之特徵在於下列的一或更多：其處理前的蝕刻深度、其處理後的蝕刻深度、其計算出的蝕刻率、其自基底幾何中央的半徑距離及其方位。
在一實施例，可判斷各方位(θ)的蝕刻輪廓。如此所述，方位(θ)係指在基底上從固定的參考半徑線之從0度到360度的角度。方位的範例包含，但不限於，0度、45度、90度、180度、270度及類似者。
此外，在一實施例中，可判斷各蝕刻率的一或更多實質上同心圓。在一範例中，針對每分鐘1000埃的蝕刻率，在基底上可判斷具有每分鐘1000埃的蝕刻率之複數個資料率。這些資料點形成環繞基底的處理中央之實質上同心的圓形。注意到若基底已置中於基盤的處理中央上，亦即若在處理期間基底的幾何中央與夾盤的處理中央重疊，則各種蝕刻率的同心圓傾向於環繞基底的幾何中央。然而，由於在此時尚不知基底的處理中央，並且測試基底置中於自動機的幾何中央上，則各蝕刻率的同心圓之中央會自基底的幾何中央偏移。本發明之實施例利用此事實來計算夾盤處理中央與自動機中央間的偏移。
在一實施例中，在基底上給定蝕刻率之各實質上同心的圓形亦可圖形式表現成實質上正弦的曲線。換言之，針對給定蝕刻率，在半徑線上具有那個給定蝕刻率的位置與基底的幾何中央間的距離當環繞基底的幾何中央旋轉360度時會正弦曲線式地變化。與給定蝕刻率匹配的給定位置之在偏離中央圖上的各點代表特定方位(θ)自基底的幾何中央的徑向距離(E)。
在一實施例中，可針對各蝕刻率產生偏離中央圖。藉由知道至少一偏離中央圖可接著計算出基底偏移。從偏離中央圖，可利用曲線擬合方程式(如來自傅立葉變換的傅立葉級數方程式、最小平方擬合等等)來算術地計算出處理中央與硬體(亦即幾何中央)之間的偏移。一旦判斷出基底偏移，可以處理室的基底夾盤之處理中央的新座標編程真空傳送模組的機械手臂。
可參照於後之圖與討論更佳了解本發明之特徵與優點。第l圖顯示，在一實施例中，從其中可判斷處理中央的典型基底處理系統的概觀之方塊圖。電漿處理系統100可包含複數個基底保持位置，其使基底在從大氣傳送模組102移動至真空傳送模組104至一或更多處理模組(106、108、110及112)並最終回到電漿處理系統100期間受到處理。
請考慮其中例如處理基底的情況。在處理前，可測量基底114上各個位置之基底的厚度。可藉由度量衡工具116測量基底114，其可包含折射薄膜層。在測量基底114厚度時，可收集在各個測量位置之複數個資料點。在一實施例中，可收集在各個測量位置的兩或更多個資料點。在另一實施例中，可取得在基底114的不同位置之約100－200資料點。
一旦完成處理前的測量，基底114可放置於前開式晶圓盒(FOUP)118中。在大氣傳送模組1o2內的機械手臂120可將基底114移動至對準器122。在對準器112，基底114可恰當地置中於夾盤的幾何中央(測試基底亦為如此，因尚未確定處理中央)。一旦置中，機械手臂120可移動基底114至氣閘模組(AL 124與AL 126)。氣閘模組能夠匹配大氣傳送模組102與真空傳送模組104之間的環境，使基底可在兩受壓環境之間移動而不被破壞。
從氣閘模組，如AL 124，基底114可藉由真空傳送模組104內的機械手臂128移動到處理模組之一(106、108、110及112)中。一旦處理了基底114(如蝕刻)，機械手臂128可將基底114從真空傳送模組104經過大氣傳送模組102移動至FOUP 118。
從FOUP 118，可將基底114移動至度量衡工具116以作測量。在測量處理後之基底114的厚度時，可在基底處理後再度測量處理前曾經測量之相同資料點的一些或全部。在一範例中，若在處理前測量期間在120個位置收集120個資料點，則在處理後測量期間可再度收集至少相同的120個位置之資料。
第2A圖，在一實施例中，顯示處理前與後的基底。基底202可具有薄膜層204。薄膜層204d可例如為折射材料，允許度量衡工具測量基底的厚度。在處理前，度量衡工具可從基底202底部測量到薄膜層204(亦即距離208)。
除非原始基底中有實質的缺陷，基底202上各資料點的處理前測量傾向於頗為相似。在一範例中，基底的厚度在資料點1幾乎為基底在資料點2的相同厚度，其中之微小厚度差異可能起因於原始基底製造期間產生的些微變化性。在處理前，基底傾向於實質上平坦，並且薄膜層傾向於實質上均勻分佈在基底表面上。
在一實施例中，若假設在基底上之薄膜層的厚度為均勻分佈，則可略過處理前測量。由於在增加薄膜層之前與之後基底中存在有潛在的厚度差異，處理前測量在一實施例中可允許技術將基底的不同位置上之基底厚度差異納入考量。
在處理後，可自基底114蝕刻掉一部分的薄膜層204。薄膜層204現顯示成經蝕刻之薄膜層206。處理的結果為，薄膜層的厚度現隨著基底上的不同位置而變化。例如，參考符號210代表基底上給定位置之基底202的新厚度。處理後的測量，其可在基底處理後執行，可測量在各種位置之基底的新厚度。
第2B圖顯示，在一實施例中，圖繪可測量之不同資料點的簡圖。基底圖250顯示在不同方位(如0度、45度、90度等等)的複數個資料點。在處理前與後測量中，可收集相同基底位置的厚度資料。在一實施例中，可手動執行資料點收集。在另一實施例中，可辨別並利用掃描圖案來執行處理前與後之測量。
在一實施例中，可從處理前與後的測量計算出蝕刻深度。如此所述，蝕刻深度一詞係指層鋪基底已被蝕刻的部分。換言之，蝕刻深度為給定基底位置之處理前測量資料與處理後測量資料之間的差異。
在一實施例中，蝕刻深度可藉由將基底之處理時間長度除以蝕刻深度而表示成蝕刻率。在一範例中，基底位置可具有約0.5毫米之處理前的測量。一旦處理了基底，在相同位置的基底厚度現為0.375毫米。給定蝕刻深度為處理前與處理後測量之差，在給定位置之蝕刻深度(如0度的方位，115 mm的半徑)為0.125毫米。若基底處理時間為2分鐘，則該位置的蝕刻率為每分鐘0.0625埃。一旦判斷出蝕刻率，基底上的各資料點可與一蝕刻率關聯。
在一實施例中，除了測量基底厚度，度量衡工具亦可測量所收集之各資料點從基底幾何中央的半徑距離。第2C圖顯示，在一實施例中，各資料點的半徑測量。在一範例中，基底圖260顯示資料點270與272。與資料點270關聯的為半徑278並且與資料點272關聯的為半徑276。針對可收集的各資料點，可測量自基底幾何中央(其與幾何置中於夾盤基底上之測試基底的硬體中央重疊)的半徑距離。
可由半徑及自參考半徑線的方位來指明夾盤上的特定資料點之位置。第3圖顯示，在一實施例中，圖繪一方位的蝕刻輪廓的簡圖。可從第2B及2C圖中看見，一方位可具有隨著自基底的幾何中央的距離變化的複數個蝕刻率。圖示300顯示複數個蝕刻率(η)對60度方位之複數個半徑(R)。在一實施例中，針對各方位(如0度、45度、90度等等)，可繪製一蝕刻輪廓(如蝕刻率輪廓等等)。
一旦建立了各個方位角度的各個蝕刻輪廓，可判斷各蝕刻率的實質上同心的圓形。在一實施例中，可執行線性內插或三次樣條函數(cubic splin)來判斷具有給定蝕刻率之資料點的半徑。在一範例中，在60度方位之每分鐘1000埃的蝕刻率具有145毫米的半徑(見第3圖)。可從第3圖看見在不同方位之相同的蝕刻率可具有不同的半徑。針對各方位，可判斷每分鐘1000埃之相同蝕刻率的半徑測量。
第4圖顯示，在一實施例中，固定蝕刻率的實質上同心的圓形之簡圖。基底圖400顯示基底402及同心圓404。在一實施例中，針對各蝕刻率，可利用可從複數個蝕刻輪廓(見第3圖)外推而來的複數個半徑(如R1 406及R2 408)來產生實質上同心的圓形404。
第5圖顯示，在一實施例中，充分偏離中央的固定蝕刻率圓形之半徑位置對方位角方向的圖。圖示500顯示，針對固定蝕刻率(如每分鐘1000埃)，複數個半徑(E)，其代表具有此蝕刻率的基底位置及基底幾何中央間的距離，對複數個方位(θ)。注意到若基底的幾何中央與基底的處理中央重疊，偏離中央圖(如第5圖所示者)實質上會為平的。
針對各蝕刻率，可繪製與第5圖類似的偏離中央圖。在一實施例中，偏離中央圖可具有實質上正弦曲線的形狀。在一實施例中，可從至少一偏離中央圖計算出處理中央。
一旦繪製了偏離中央圖，可利用曲線擬合方程式(如來自傅立葉變換的傅立葉級數方程式、最小平方擬合等等)來判斷方程式1的參數。
En (θ,γ,R)＝Eavg ＋△c cos(θ－φ1 )＋△c2 cos(2 θ－φ2 ) [方程式1]
第6圖顯示，在一實施例中，描述計算基底夾盤之處理中央的步驟之簡單流程圖。
在第一步驟602，提供基底。在一實施例中，基底可為薄膜層(如折射薄膜層)。
在下一步驟604，在處理前測量基底。在一實施例中，測量在複數個資料點之具有薄膜層之基底的厚度。取代手動測量資料點，可利用掃描圖案來收集資料點。
在下一步驟606，當基底幾何置中於夾盤的幾何中央上時在電漿處理室中處理基底。在一實施例中，不需完全處理基底。在一範例中，僅需處理基底一段足以移除部分薄膜層的時間長度。
一旦從電漿處理室移除基底，在下一步驟608，測量基底。在一實施例中，用來收集處理前的測量之相同的掃描圖案可用來收集處理後的測量。
在下一步驟610，可處理資料點並可演算式判斷處理中央。第7圖顯示，在一實施例中，判斷處理中央的演算法。
在下一步驟702，計算個資料點的蝕刻深度。欲計算蝕刻深度，可從處理後的測量減掉資料點之測量位置的處理前之測量。
在下一步驟704，計算各資料位置的蝕刻率。欲計算蝕刻率，可將資料點的蝕刻深度處以基底處理時間。
在下一步驟706，可產生各方位的蝕刻輪廓(如蝕刻率輪廓等等)。在一範例中，可繪製在特定方位之各資料點的蝕刻率以產生蝕刻輪廓。
在下一步驟708，藉由曲線擬合蝕刻輪廓，可判斷具有給定蝕刻率之各方位的位置(E)。
在下一步驟710，可針對各蝕刻率繪製偏離中央圖。在一範例中，可從蝕刻輪廓外推在特定方位之蝕刻率的半徑。一旦真對蝕刻輪廓外推出固定蝕刻率之半徑，可產生實質上正弦曲線型的偏離中央圖。
在下一步驟712，可利用曲線擬合方程式(如來自傳立葉變換的傅立葉級數方程式、最小平方擬合等等)判斷出基底偏移的參數。注意到若基底的幾何中央與基底的處理中央重疊，偏離中央圖(如第5圖所示者)實質上會為平的。數學方法的曲線擬合及各種技術為熟悉該項技藝者已知者。
參照回第6圖，一旦判斷了參數，在最後步驟612，可將參數教導給傳送模組中的機械手臂(如大氣傳送模組、真空傳送模組等等)。因而，機械手臂現具有正確的座標來補償後續基底夾盤上的基底，使得在處理期間基底可置中在夾盤的處理中央上。
應理解到雖在此之方程式1及圖示係依照本發明之特定範例實施例，可以各種根據圓形固定蝕刻率方法等效的方式實行本發明。只要可從幾何置中的測試基底獲得程序結果測量來幫忙產生一或更多固定的蝕刻率同心圓，可應用各種數學技術來判斷(複數個)同心圓之中央與夾盤的幾何中央(其與在處理期間幾何置中於夾盤上的測試基底之基底幾何中央重疊)間的偏移。一旦判斷出偏移，可將偏移資訊提供給工具，以允許後續基底置中於夾盤的處理中央上(相對於夾盤的幾何中央)。
可從本發明的實施例理解到，圓形固定蝕刻率方法提供判斷處理室的基底夾盤之處理中央的演算法。藉由辨別基底夾盤的處理中央，此方法本質上校正可能發生的不對準，因而降低在基底處理期間可能發生的不一致性的比例。此外，藉由利用目前的度量衡工具來收集處理前與後的測量，此方法無須購買額外的昂貴工具，因為大多數晶圓廠中通常會有度量衡工具。另外，此方法藉由移除基底差異而允許在蝕刻期間有更精確地特徵化室之性能。
在先前技術中使用者所面對的另一個問題為瑕疵偵測。可從一基底產生複數個半導體裝置。為了確保裝置的品質，在整個處理過程中週期性測量基底。
一般而言，瑕疵偵測為基底處理的不可缺之一部分。如在此所述，瑕疵偵測係指辨別基底及/或基底製程中的缺陷之程序。瑕疵偵測的範例可包含，但不限於，辨別不對準，辨別基底上的缺陷、辨別基底製程中的缺陷及辨別薄膜間隙。
在先前技術中有各種執行瑕疵偵測的方法。在一範例中，可利用光學度量衡工具來製造基底的影像，其可允許辨別基底上的缺陷。第8圖顯示由先前技術光學度量衡工具測量之基底的方塊圖。考量其中例如已經處理基底802的情況。欲執行瑕疵偵測，可利用光學度量衡工具804。在捕捉影像期間，光學度量衡工具804取決於從表面反射的光以捕捉基底802之令人滿意的影像。
在一範例中，在點806與808，光學度量衡工具804可取得基底之令人滿意的影像，因為光傾向於不會從平坦表面朝多個方向反彈。然而，由於光從非平坦(如彎曲或有角度)的表面朝多個方向反彈，光學度量衡工具804較難捕捉沿著基底邊緣之基底的影像(點810)。
欲捕捉基底邊緣的影像，可利用電子顯微鏡術。然而，電子顯微鏡術為用於捕捉基底影像的一種昂貴的技術，會需要昂貴的工具以及高度專業技術來達成。
首先，電子顯微鏡術要求在真空中檢視基底，因電子顯微鏡術傾向於受到其他電子裝置影響的敏感儀器。另外，由於取樣大小限制，電子顯微鏡術通常要求將基底分解成較小的部分。因而，電子顯微鏡術在基底處理期間通常不會作為製造流程中(inline)的度量衡工具。雖然電子顯微鏡術可能夠大到足以針對整個基底，擁有的代價卻非常昂貴。另外，電子顯微鏡術通常需要特別的準備，這可能會影響基底的構成。
在先前技術中，通常會遠離基底邊緣地執行基底處理。因此，光學度量衡工具無法捕捉沿著基底邊緣的令人滿意之影像並不會造成問題。然而，因為無法控制沿著基底邊緣的處理而犧牲基底上珍貴的可用面積。在最近幾年，新的工具已聚焦於沿著基底邊緣的處理。然而，先前技術的度量衡工具及方法不足以提供能使此種工具執行瑕疵偵測的影像種類。
根據本發明之實施例，提供用於捕捉在基底邊緣之清楚且銳利的影像的斜面檢驗模組(BIM)。在本發明的一實施例中，BIM可包含硬體，其可產生有助於捕捉基底之斜面邊緣的令人滿意之影像的環境。本發明之實施例亦包含操縱影像以執行涵蓋基底邊緣之處裡面積的瑕疵偵測。
考量其中例如沿著邊緣或接近邊緣處理基底的情況。藉由沿著基底的邊緣處理，可最大化基底的可用面積。然而，只有在沒有實質缺陷的情況下達成處理才會發生最大化。在先前技術中，由於很難實施瑕疵偵測，因此通常會犧牲掉基底的邊緣附近之面積。
本發明之實施例提供斜面檢驗模組(BIM)以捕捉在先前技術中難以捕捉的影像(如沿著基底的邊緣)。在本發明的一態樣中，在此之發明人發現到欲產生此一環境，BIM的各種構件需具有在不同視野與角度捕捉影像的彈性。在一實施例中，實施諸如攝影機、光學機殼、攝影機座等等之硬體，使其具有可調整位置能力，因此提供定位硬體的彈性。在另一範例中，在此之發明人發現不足夠的照明會阻礙清楚且銳利的影像之捕捉。在一實施例中，BIM提供額外的照明(如背光)，因此提供背景與基底間之對比。
在一實施例中，BIM為可附接至電漿處理系統之獨立工具。藉由將BIM附接至電漿處理系統，可將BIM利用為基底處理期間製造流程中的度量衡工具。
可參照附圖與隨後之討論更佳了解本發明之特徵與優點。第9圖顯示，在一實施例中，具有斜面檢驗模組(BIM)之電漿處理系統的概觀之方塊圖。在此文件中，使用電漿處理系統討論各種的實施例。然而，本發明不限於電漿處理系統並且可用於任何想檢視斜面邊緣的任何處理系統。
電漿處理系統900可包含複數個基底保持位置，其使基底在從大氣傳送模組902移動至真空傳送模組904至一或更多處理模組(906、908、910及912)並最終回到電漿處理系統900期間受到處理。
基底914可放置於前開式晶圓盒(FOUP)918中。在大氣傳送模組902內的機械手臂920可將基底914移動至對準器922。在對準器912，可恰當地置中基底914。一旦置中，機械手臂920可移動基底914至BIM 916。在一實施例中，BIM 916可包含對準器。若對準器係包含為BIM的一部分，則不需要對準器922。
在BIM中，取得基底914的處理前影像。一旦完成BIM 916的取得，機械手臂920可將基底914移動至氣閘模組之一(AL 924與AL 926)。氣閘模組能夠匹配大氣傳送模組902與真空傳送模組904之間的環境，使基底914在兩受壓環境間移動而不被破壞。
可藉由真空傳送模組904內的機械手臂928從氣閘模組，如AL 924，將基底914移動到處理模組之一(906、908、910及912)中。在處理期間，可週期性地分析基底914。在一範例中，在處理模組906中完成處理後，機械手臂928可將基底914從處理模組906經過真空傳送模組904經過AL 924至機械手臂920。機械手臂920可將基底914移動至BIM 916以執行製造流程中的檢驗。一旦完成檢驗，可將基底移回到處理模組之一中以繼續處理。由於BIM 916可連接至電漿處理系統，可在整個處理期間週期性地執行製造流程中的度量衡，使操作人員可執行基底914的分析。
在一實施例中，BIM 916可不連接至電漿處理系統。雖BIM 916仍能提供如同連接時之相同的支援，需執行額外的步驟。藉由使BIM 916連接至電漿處理系統900，可執行製造流程中的度量衡而無須手動干涉。
第10圖顯示，在一實施例中，BIM的系統圖。BIM 1000可具有機殼1002，其使BIM 1000能直接安裝至大氣傳送模組。在一實施例中，藉由直接連接至大氣傳送模組，BIM 1000可允許在基底處理期間發生製造流程中的度量衡。
BIM 1000可具有襟檔式開口(fly opening)1004，可從此開口放置基底於基底夾盤1006上。BIM 1000亦可包含凹口及晶圓邊緣感測器1008，其能夠辨別基底及基底凹口。凹口及晶圓邊緣感測器1008可與第9圖之對準器類似地作用。若凹口及晶圓邊緣感測器1008包含在BIM 1000中，則對準器可為非必要的模組。
BIM 1000亦可包含真空感測器及開關1010，期可辨別基底何時放置在基底夾盤1006上方。在一範例中，當真空感測器及開關1010處於「開」位置時，則基底穩固地附接至基底夾盤1006並且機械手臂不被允許移除基底。當真空感測器及開關1010處於「關」位置，則機械手臂能從BIM 1000移除基底。
BIM 1000亦可包含介面卡1012，其為輸入/輸出板。介面卡1012可作為BIM 1000所利用之電子裝置的控制器。BIM 1000亦可包含電腦1014，其可連接至介面卡1012。
BIM 1000亦可包含攝影機1016及光學機殼1018，其允許影像的取得。光學機殼1018可從攝影機1016延伸出來。攝影機1016及光學機殼1018係安裝在攝影機座1020上。BIM 1000亦可包含背光1022，其提供照明給背景。
第11圖顯示，在一實施例中，在攝影機座上之攝影機及光學機殼的放大之系統圖。BIM 1100可包含自攝影機1104延伸光學機殼1102。攝影機1104可附接至攝影機座1106。
在一實施例中，攝影機座1106可在如箭頭1116所示之方向中伸縮。藉由調整攝影機座1106，可校正攝影機1104與光學機殼1102的位置以將基底的大小及/或欲分析之基底面積的大小納入考量。在一範例中，當基底的大小從200毫米變到300毫米時，可能須調整攝影機座1106。
在一實施例中，攝影機1104可在由箭頭1112所示的垂直方向中移動，使攝影機1104能捕捉不同角度的影像。在另一實施例中，攝影機1104可在由箭頭1114所示的橫向方向中移動，以進一步針對基底的大小及/或欲分析之基底面積的大小來調整攝影機1104。在又一實施例中，攝影機1104可如箭頭1110所示般旋轉，使攝影機1104捕捉基底的不同視野(如上面、下面、側面)。在一範例中，可調整攝影機1104以捕捉基底的上視圖。在另一範例中，可調整攝影機1104以捕捉基底的斜面邊緣(如側視)之直接視圖。
在一實施例中，亦可調整光學機殼1102。在一範例中，可如箭頭1108所示般旋轉光學機殼1102，使光學機殼以不同角度提供照明。
由於可調整攝影機1104、光學機殼1102及攝影機座110，BIM 1000具有在不同角度、範圍及位置捕捉影像的彈性。因此，可精控所捕捉之影像的種類。如前述，BIM的硬體實施成具有可調整的部件，因此提供硬體定位上的彈性。
第12圖顯示，在一實施例中，BIM的剖面圖。考量其中取得基底影響的情況。BIM 1200可包含放置在基底夾盤1204上方的基底1202。基底夾盤1204可連接至旋轉馬達1206，其使基底1202得以旋轉。旋轉的能力得允許基底夾盤1204將基底1202移動至位置，以供攝影機1208在不同基底1202的位置捕捉基底1202的影像。
BIM 1200亦可包含攝影機座1210。附接至攝影機座1210者可包含攝影機1208及光學機殼1212。光學機殼1212可包含透鏡1214、透鏡1216、分束器1218。
可由燈1222提供照明。在一實施例中，燈1222可為發光二極體(LED)。在一實施例中，燈1222可為三波長LED。藉由具有複數個波長，可隨薄膜厚度、輪廓及/或指數的改變而改變照明。在一範例中，欲捕捉具有較高指數的薄膜影像，可利用較短波長的LED。燈1222可從外面經由分束器1218流進光學機殼1212，分束器1218可將燈1222引導向下至透鏡1214。
欲增加基底邊緣與背景間的對比，提供背光1224。由於基底具有可能為圓形的斜面邊緣，光會從基底反彈，而無法捕捉到良好的影像。在先前技術中，並未提供背光，導致基底邊緣無法清楚界定出來。在一實施例中，BIM 1200可包含背光1224，其有助於加強基底1202的邊緣。藉由增添背光1224，可提供基底邊緣與背景間之對比。換言之，可打亮基底1202的邊緣，使攝影機1208及光學機殼1212得以捕捉基底1202邊緣的影像，其清楚地區分出基底邊緣與背景。
在一實施例中，可改變透鏡1214的視野以增加或減少攝影機1208所照到的面積。此外，可改變透鏡1214放大率。在一範例中，較短波長的LED會需要較高放大率以產生清楚的影像。
第10、11及12圖顯示BIM的不同視圖。可見到BIM的實施例提供有助於提供瑕疵偵測用之清楚及銳利的影像之環境。在一範例中，BIM包含可調整、移動及/或旋轉之組件，因此可定位攝影機、光學機殼及基底以捕捉清楚的影像。此外，可提供額外的照明，因而可取得顯示基底邊緣與背景間的對比之影像。
藉由BIM，可產生較清楚與較銳利的影像，允許基底邊緣之瑕疵偵測。接下來的數個圖顯示BIM所捕捉的影像可用於執行瑕疵偵測。
在一實施例中，由於BIM所產生之影像很清楚，因此可偵測到沿著基底邊緣的缺陷。第13圖為，在一實施例中，由BIM所捕捉之影像的範例，其顯示沿著基底邊緣產生的電弧作用(arcing)。影像1300顯示凹痕1302、1304、1306、1308、1310及1312，其為處理期間發生之電弧作用的範例。在先前技術中，利用光學度量衡工具來捕捉遠離基底邊緣所發生的電弧作用的影像。然而，先前技術光學度量衡工具一般不具有沿著基底邊緣捕捉清楚影像的能力。為了辨別可能在基底處理期間沿著邊緣所發生的缺陷，例如電弧作用，可利用BIM捕捉基底邊緣的銳利影像。
第14圖顯示，在一實施例中，BIM所產生可用來辨別不對準之影像的一範例。影像1400顯示基底邊緣的區域之影像。線1402代表基底邊緣。線1404代表基底平坦的最後一處。線1406代表完全移除薄膜層之處。弧線1408代表在處理期間可能發生的複數個干涉條紋(如1410、1412)。每一條干涉條紋代表從基底邊緣到固定蝕刻率之處的距離。
若從線1406到現1402的距離在不同方位(θ)實質上相同，則基底實質上置中於處理室中並且不對準很小或實質上為零。然而，若從基底邊緣的距離(從線1402到線1406)在不同方位(θ)並不相同，則有不對準。藉由繪製自基底邊緣的複數個距離對方位(θ)，可產生偏離中央圖。若需要額外的偏離中央圖，則可將線1406替換成干涉條紋之一。在一範例中，可產生從線1402至干涉條紋1412之自基底邊緣的複數個距離的偏離中央圖。
第15圖顯示，在一實施例中，自基底邊緣的複數個距離(E)對複數個方位(θ)。可見到第15圖與第5圖類似。主要差異在於在第15圖中距離係從基底邊緣而非基底中央。針對每一條干涉條紋，可繪製一個偏離中央圖。在一實施例中，偏離中央圖具有實質上正弦曲線的形狀。在一實施例中，可從至少一偏離中央圖計算處理中央。
一旦繪製了偏離中央圖，可利用曲線擬合方程式(如來自傅立葉變換的傅立葉級數方程式、最小平方擬合等等)來判斷方程式2的參數。
En (θ)＝Eavg ＋△c cos(θ－φ1 )＋△c2 cos(2 θ－φ2 ) [方程式2]
第16圖為，在一實施例中，描述用於利用BIM所捕捉的影向來計算基底夾盤之處理中央的步驟之簡單流程圖。
在第一步驟1602，提供基底。在一實施例中，基底可為薄膜層(如折射薄膜層)。
在下一步驟1604，可在電漿處理室中處理在基底邊緣的區域。在一範例中，可處理之區域不包含自基底邊緣超過3毫米的基底區。
一旦從電漿處理室移除基底，在下一步驟1606，BIM捕捉基底受處理之區域的複數個影像。
在下一步驟1608，可在不同方位測量干涉條紋自基底邊緣的的複數個距離。
在下一步驟1610，可繪製自基底邊緣之複數個距離對方位(θ)的偏離中央圖。可針對每一條干涉條紋繪製偏離中央圖，雖可僅由一個偏離中央圖判斷出基底偏移。
在下一步驟1612，可利用曲線擬合方程式(如來自傅立葉變換的傅立葉級數方程式、最小平方擬合等等)判斷出基底偏移的參數。熟悉該項技藝者熟知曲線擬合方程式。因此不提供進一步的討論。一旦判斷出上述方程式2的參數，在最後步驟1614，將參數教導給傳送模組(如真空傳送模組、大氣傳送模組等等)內的機械手臂。因而，機械手臂現具有正確的座標來補償後續基底夾盤上的基底，使得在處理期間可引導基底至基底夾盤的處理中央。
第17圖顯示，在一實施例中，用於操縱由BIM所捕捉之影像以執行瑕疵偵測的影像處理流程圖。
在第一步驟1702，BIM可捕捉基底的影像。在一實施例中，影像可為彩色的。
在下一步驟1704，將影像上傳至電腦系統上並且產生影像的數位檔。
在下一步驟1706，將影像轉換成灰階影像，其通常為8位元影像。
在下一步驟1708，執行平滑與肯尼(canny)技術。平滑與肯尼(canny)技術係指一種過濾技術，可從影像移除雜訊並加強影像邊緣。
在下一步驟1710，執行臨限值技術。臨限值技術係指將8位元影像轉換成1位元影像。換言之，現只看得到影像的邊緣。參見第18圖，其為BIM所捕捉之顯示臨限值之影像的一範例。區域1802代表處理前基底的影像。區域1802代表執行臨限值技術後基底的影像。可從影像中見到，已經消除除了干涉條紋邊緣外之所有的薄膜厚度及斜面邊緣。在一實施例中，可執行額外的過濾以移除影像中存在之額外的雜訊，直到僅剩下斜面邊緣及第一干涉條紋。
在下一步驟1712，擷取線並且計算間隔以判斷自基底邊緣的距離。如此所述，間隔係指基底邊緣與第一干涉條紋間的距離。針對不同的方位可重覆步驟1702至1712。在一實施例中，可針對至少四個不同的方位擷取間隔資料。
在下一步驟1714，可繪製複數個間隔對方位的偏離中央圖，其可為正弦曲線。
在下一步驟1716，可利用曲線擬合方程式(如來自傅立葉變換的傅立葉級數方程式、最小平方擬合等等)判斷出基底偏移的參數。
在最後步驟1718，將經調整之處理中央的參數教導給傳送模組(如真空傳送模組、大氣傳送模組等等)內的機械手臂。
第19圖顯示，在一實施例中，BIM捕捉之具有干涉條紋的基底之影像的一範例。線1902代表基底邊緣。從線1904至線1906，薄膜層在處理期間被清除。弧線1908代表在處理期間發生之複數個干涉條紋。如此所述，干涉條紋係指反射光之振幅的最大或最小。可利用下列之方程式3來計算兩接續之干涉條紋間的厚度。
△t＝λ/2n [方程式3]
可計算出兩接續之干涉條紋間的厚度上的改變，因為波長與指數為已知的變量。波長與用來捕捉的影像之BIM中的LED之波長關聯。薄膜的指數為已知者並且取決於塗敷至基底的薄膜類型。在一範例中，波長為500奈米並且指數為2.5。此範例之厚度改變為100奈米。換言之，干涉條紋之間的厚度(1910)各為100奈米。
針對各干涉條紋，可計算出自基底邊緣的距離。在一範例中，干涉條紋1914的基底的邊緣之距離(1912)約為1875毫米。因此，弧線1908代表在特定方位之基底的厚度輪廓。
在一實施例中，可將厚度輪廓轉換成蝕刻深度輪廓。因為已知道薄膜層的厚度，可將原始薄膜厚度減掉厚度改變(△t)來判斷蝕刻深度。針對各厚度改變，可計算出一蝕刻深度。一旦辨別蝕刻深度，可利用上述具發明性的圓形固定蝕刻方法來判斷基底偏移並且最終處理室之基底夾盤的處理中央。
可從本發明之實施例理解到，BIM提供製造流程中之檢驗工具，能夠捕捉基底斜面邊緣之清楚與銳利的影像而不會犧牲基底。藉由清楚與銳利的影像，可沿著斜面邊緣執行瑕疵偵測，允許辨別並解決基底中之不對準及缺陷。此外，由於能夠執行瑕疵偵測，可較加控制沿著基底邊緣發生之處理。另外，藉由將基底從方程式中移除，可更準確地特徵化室的性能。
雖已藉由數個較佳實施例描述本發明，可有落入本發明之範疇內的替換，變更與等效者。並且，僅為方便而提供發明名稱，發明內容及發明摘要，並且不應用來解釋在此之申請專利範圍的範疇。並應注意到有許多實施本發明之方法及裝置的替代方式。雖在此提供各種的範例，這些範例僅為例示性且非本發明之限制。此外，在此申請書中，一組「n」個物件係指該組中之零或更多物件。因此，隨後所附之申請專利範圍應解釋為包含所有此種落入本發明之真實精神與範疇內的替換、變更與等效者。
100．．．電漿處理系統
102．．．大氣傳送模組
104．．．真空傳送模組
106、108、110、112．．．處理模組
114．．．基底
116．．．度量衡工具
118．．．前開式晶圓盒(FOUP)
120、128．．．機械手臂
122．．．對準器
124、126．．．氣閘模組
202．．．基底
204．．．薄膜層
206．．．經蝕刻之薄膜層
208．．．距離
250、260．．．基底圖
270、272．．．資料點
276、278．．．半徑
300．．．圖示
400．．．基底圖
402．．．基底
404．．．同心圓
500．．．圖示
802．．．基底
804．．．光學度量衡工具
806、808、810．．．點
900．．．電漿處理系統
902．．．大氣傳送模組
904．．．真空傳送模組
906、908、910、912．．．處理模組
914．．．基底
916．．．斜面檢驗模組
918．．．前開式晶圓盒(FOUP)
920、928．．．機械手臂
922．．．對準器
924、926．．．氣閘模組
1000．．．斜面檢驗模組
1002．．．機殼
1004．．．襟檔式開口
1006．．．基底夾盤
1008．．．凹口及晶圓邊緣感測器
1010．．．真空感測器及開關
1012．．．介面卡
1014．．．電腦
1016、1104．．．攝影機
1018、1102．．．光學機殼
1020、1106．．．攝影機座
1022．．．背光
1108、1110、1112、1114、1116．．．箭頭
1200．．．斜面檢驗模組
1202．．．基底
1204．．．基底夾盤
1206．．．旋轉馬達
1208．．．攝影機
1210．．．攝影機座
1212．．．光學機殼
1214、1216．．．透鏡
1218．．．分束器
1222．．．燈
1224．．．背光
1300、1400．．．影像
1302、1304、1306、1308、1310、1312．．．凹痕
1402、1404、1406．．．線
1408．．．弧線
1410、1412．．．干涉條紋
1802、1804．．．區域
1902、1904、1906．．．線
1908．．．弧線
1910．．．厚度
1912．．．距離
1914．．．干涉條紋
藉由附圖例示性而非限制性圖解本發明，圖中類似的參考符號係指類似的元件，圖中：第1圖顯示，在一實施例中，典型基底處理系統的概觀之方塊圖。
第2A圖顯示，在一實施例中，處理前與後的基底。
第2B圖顯示，在一實施例中，圖繪可取得之不同資料點的簡圖。可在不同角度與自基底中央不同的距離取得資料點。
第2C圖顯示，在一實施例中，各資料點的半徑測量。
第3圖顯示，在一實施例中，圖繪一方位的蝕刻輪廓的簡圖。
第4圖顯示，在一實施例中，固定蝕刻率的實質上同心的圓形之簡圖。
第5圖顯示，在一實施例中，充分偏離中央的固定蝕刻率圓形之半徑位置對方位角方向的圖。
第6圖顯示，在一實施例中，描述計算基底夾盤之處理中央的步驟之簡單流程圖。
第7圖顯示，在一實施例中，判斷處理中央的演算法。
第8圖顯示，在一實施例中，由光學度量衡工具測量之基底的方塊圖。
第9圖顯示，在一實施例中，具有斜面檢驗模組(BIM)之電漿處理系統的概觀之方塊圖。
第10圖顯示，在一實施例中，BIM的系統圖。
第11圖顯示，在一實施例中，在攝影機座上之攝影機及光學機殼的放大系統圖。
第12圖顯示，在一實施例中，BIM的剖面圖。
第13圖為，在一實施例中，由BIM所捕捉之影像的範例，其顯示沿著基底邊緣產生的電弧作用(arcing)。
第14圖顯示，在一實施例中，BIM所產生可用來辨別不對準之影像的一範例。
第15圖顯示，在一實施例中，描述自中央對固定蝕刻率的方位的簡圖。
第16圖為，在一實施例中，描述用於利用BIM所捕捉的影向來計算基底夾盤之處理中央的步驟之簡單流程圖。
第17圖顯示，在一實施例中，用於操縱由BIM所捕捉之影像以執行瑕疵偵測的影像處理流程圖。
第18圖顯示，在一實施例中，BIM所捕捉之顯示臨限值之影像的一範例。
第19圖顯示，在一實施例中，BIM所捕捉之具有干涉條紋的基底之影像的一範例。

Claims (30)

  1. 一種用於捕捉基底影像之斜面檢驗模組，包含：基底夾盤，用於支撐該基底；旋轉馬達，該基底夾盤附接至該旋轉馬達，該旋轉馬達組態成旋轉該基底夾盤，藉此允許該基底旋轉；攝影機；光學機殼，該光學機殼附接至該攝影機，該光學機殼組態成旋轉，使光可導向該基底；攝影機座，該攝影機安裝於該攝影機座上，該攝影機座組態成使該攝影機在180度平面上旋轉，允許該攝影機捕捉該些影像，該些影像包括該基底之上視圖、底視圖及側視圖的至少一者；以及背光配置，該背光配置組態成提供照明給該基底，藉此使該攝影機捕捉該些影像，該些影像顯示該基底與背景間的對比。
  2. 如申請專利範圍第1項之斜面檢驗模組，進一步包括機殼，該機殼使該斜面檢驗模組得以附接至電漿處理系統。
  3. 如申請專利範圍第1項之斜面檢驗模組，進一步包括凹口及晶圓邊緣感測器，該凹口及晶圓邊緣感測器組態成辨別該基底及基底凹口。
  4. 如申請專利範圍第1項之斜面檢驗模組，進一步包括真空感測器及開關，該真空感測器及開關組態成在檢驗該基底時防止該基底被擷取。
  5. 如申請專利範圍第1項之斜面檢驗模組，其中該攝影機座組態成可作調整，藉此使該攝影機座調整成將該基底的尺寸納入考量。
  6. 如申請專利範圍第1項之斜面檢驗模組，其中該攝影機組態成可在垂直方向、橫移方向及旋轉方向的至少一者中作調整，藉此使該攝影機可調整成捕捉該些影像，該些影像包括該基底之該上視圖、該底視圖及該側視圖的該至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1項之斜面檢驗模組，其中由該攝影機捕捉的該些影像將該基底的邊緣與該背景作區分。
  8. 如申請專利範圍第7項之斜面檢驗模組，其中外推來自該些影像之一組測量資料以辨別該基底中的缺陷。
  9. 如申請專利範圍第7項之斜面檢驗模組，其中利用從該些影像外推之一組測量資料來產生薄膜厚度輪廓。
  10. 如申請專利範圍第7項之斜面檢驗模組，其中利用從該些影像外推之一組測量資料來辨別不對準。
  11. 如申請專利範圍第10項之斜面檢驗模組，其中藉由下列步驟而利用該組測量資料來辨別處理室之夾盤的處理中央：測量干涉條紋從該基底的該些邊緣之一組距離，該組距離在一組方位測量；產生偏離中央圖，該偏離中央圖為該組距離相關於該組方位之圖形表示；以及將曲線擬合方程式應用至該偏離中央圖以計算該處理中央。
  12. 一種計算處理室中的夾盤之處理中央的方法，包含：藉由利用斜面檢驗模組來捕捉經處理之基底的邊緣之影像；測量干涉條紋從該基底的該些邊緣之一組距離，該組距離在一組方位測量；產生偏離中央圖，該偏離中央圖為該組距離對該組方位之圖 形表示；以及藉由將曲線擬合方程式應用至該偏離中央圖以計算該處理中央。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該偏離中央圖為一組偏離中央圖之一，該組偏離中央圖係針對一組干涉條紋而產生。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該偏離中央圖為正弦曲線。
  15. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該曲線擬合方程式為來自傅立葉變換之傅立葉級數方程式。
  16. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該曲線擬合方程式為正弦曲線方程式上的最小平方擬合。
  17. 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包括教導該處理系統之機械手臂該處理中央的座標。
  18. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該經處理之基底包括折射薄膜層。
  19. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該斜面檢驗模組組態成包括附接至攝影機座之攝影機，該攝影機座組態成使該攝影機在180度平面上旋轉，允許該攝影機捕捉該經處理之基底的該些影像，光學機殼，該光學機殼附接至該攝影機，該光學機殼組態成旋轉，藉此使光可導向該經處理之基底；附接至旋轉馬達之基底夾盤，藉此使該經處理的基底旋轉，使該攝影機捕捉該經處理之基底的該些邊緣之該些影像；以及 背光配置，該背光配置組態成提供照明給該基底，藉此使該攝影機捕捉該些影像，該些影像顯示該基底與背景間的對比。
  20. 一種決定處理室中之夾盤的處理中央之影像處理方法，包含：藉由利用斜面檢驗模組來捕捉經處理之基底的影像；過濾該些影像以從該些影像移除雜訊並且加強該經處理之基底的邊緣；測量干涉條紋從該基底的該些邊緣之一組間隔，該組間隔在一組方位測量；產生偏離中央圖，該偏離中央圖為該組間隔對該組方位之圖形表示；以及藉由將曲線擬合方程式應用至該偏離中央圖以計算該處理中央。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該過濾包括將該些影像轉換成灰階影像。
  22. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該過濾包括平滑與肯尼(canny)技術。
  23. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該過濾包括臨限值技術。
  24. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該偏離中央圖為正弦曲線。
  25. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該曲線擬合方程式為來自傅立葉變換之傅立葉級數方程式。
  26. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該曲線擬合方程式為正弦曲線方程式上的最小平方擬合。
  27. 如申請專利範圍第20項之方法，進一步包括教導該處理系統之機械手臂該處理中央的座標。
  28. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該經處理之基底包括折射薄膜層。
  29. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該偏離中央圖為一組偏離中央圖之一，該組偏離中央圖係針對一組干涉條紋而產生。
  30. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該斜面檢驗模組組態成包括附接至攝影機座之攝影機，該攝影機座組態成使該攝影機在180度平面上旋轉，允許該攝影機捕捉該經處理之基底的該些影像，光學機殼，該光學機殼附接至該攝影機，該光學機殼組態成旋轉，藉此使光可導向該經處理之基底；附接至旋轉馬達之基底夾盤，藉此使該經處理的基底旋轉，使該攝影機捕捉該經處理之基底的該些邊緣之該些影像；以及背光配置，該背光配置組態成提供照明給該攝影機，藉此使該攝影機捕捉該些影像，該些影像顯示該基底與背景間的對比。
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