JP2503893B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造等にお
けるドライエッチング装置に関する。
けるドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマエッチング，反応性イオンエッ
チング，マグネトロンエッチングその他のドライエッチ
ングプロセスにおいては、半導体ウェハー（以下、ウェ
ハーという）面内のエッチング均一性の維持と向上が品
質上要求されており、ウェハー面内均一性向上のため
に、磁界と電界とを制御する方法が従来より考えられて
きている。
チング，マグネトロンエッチングその他のドライエッチ
ングプロセスにおいては、半導体ウェハー（以下、ウェ
ハーという）面内のエッチング均一性の維持と向上が品
質上要求されており、ウェハー面内均一性向上のため
に、磁界と電界とを制御する方法が従来より考えられて
きている。
【０００３】図８（ａ）に示すプラズマ処理装置は、マ
グネトロン２３から導波管２２を通してマイクロ波が供
給される空胴共振器２１と、空胴共振器２１に隣接して
気密状態に設けられるとともに、空胴共振器２１よりマ
イクロ波がスリット板２５を介して室内に放射されるプ
ラズマ室２４とからなり、プラズマ室２４にはガス供給
手段２６とガス排気手段２７とが設けられ、かつスリッ
ト板２５に対向して電極２８が設けられた構造のもので
ある（特開昭６３−２３５３７号）。
グネトロン２３から導波管２２を通してマイクロ波が供
給される空胴共振器２１と、空胴共振器２１に隣接して
気密状態に設けられるとともに、空胴共振器２１よりマ
イクロ波がスリット板２５を介して室内に放射されるプ
ラズマ室２４とからなり、プラズマ室２４にはガス供給
手段２６とガス排気手段２７とが設けられ、かつスリッ
ト板２５に対向して電極２８が設けられた構造のもので
ある（特開昭６３−２３５３７号）。
【０００４】図８（ｂ）〜（ｄ）に示すように、スリッ
ト板２５には種々の形状をしたスリット２５ａが設けら
れており、スリット板２５と電極２８との組合せによ
り、磁界を制御し、ウェハー面内の均一性を向上させて
いた。
ト板２５には種々の形状をしたスリット２５ａが設けら
れており、スリット板２５と電極２８との組合せによ
り、磁界を制御し、ウェハー面内の均一性を向上させて
いた。
【０００５】図９（ａ）に示すプラズマ処理装置は、電
界を与える電極３０と３１の対をエッチングチャンバー
３２内に有し、磁界を付与する磁石要素３３をエッチン
グチャンバー３２の電極３１に隣接して有しており、磁
界要素３３をプラズマ処理中に自転及び公転させて、電
界の制御を行ない、ウェハー面内の均一性を向上させて
いた（特開昭６１−２０８２２３号）。
界を与える電極３０と３１の対をエッチングチャンバー
３２内に有し、磁界を付与する磁石要素３３をエッチン
グチャンバー３２の電極３１に隣接して有しており、磁
界要素３３をプラズマ処理中に自転及び公転させて、電
界の制御を行ない、ウェハー面内の均一性を向上させて
いた（特開昭６１−２０８２２３号）。
【０００６】図１０に示すプラズマエッチ反応器は、エ
ッチングチャンバー４０を取り囲んだコイル４１〜４４
の磁力を制御することにより、ウェハー面内均一性を向
上させていた（特開昭６３−２８３０２４号）。
ッチングチャンバー４０を取り囲んだコイル４１〜４４
の磁力を制御することにより、ウェハー面内均一性を向
上させていた（特開昭６３−２８３０２４号）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したドライエッチ
ング装置のウェハー面内均一性向上のために、磁界，電
界を制御する従来の方法は容易でなく、工数を要する。
このため、複数のエッチング条件それぞれに対して均一
性を向上させたり、エッチングチャンバーや電源、他の
経時変化に対して均一性を維持するのには、適していな
い。また磁界，電界を制御するための機構を余計に要す
る。
ング装置のウェハー面内均一性向上のために、磁界，電
界を制御する従来の方法は容易でなく、工数を要する。
このため、複数のエッチング条件それぞれに対して均一
性を向上させたり、エッチングチャンバーや電源、他の
経時変化に対して均一性を維持するのには、適していな
い。また磁界，電界を制御するための機構を余計に要す
る。
【０００８】本発明の目的は、磁界，電界を制御するの
に代えて、下部電極上でのウェハーの位置を調整するこ
とにより、面内均一性を向上させ、制御が容易で機構の
簡単なドライエッチング装置を提供することにある。
に代えて、下部電極上でのウェハーの位置を調整するこ
とにより、面内均一性を向上させ、制御が容易で機構の
簡単なドライエッチング装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るドライエッチング装置は、上部電極と
下部電極の対と、検出手段と、ウェハー搬送手段とを有
し、電極の対に高周波電源を印加し、エッチングチャン
バー内に収容された半導体ウェハーをプラズマによりエ
ッチング処理するドライエッチング装置であって、対を
なす上部電極と下部電極とは、エッチングチャンバー内
に上下に向き合わせに配設されたものであり、半導体ウ
ェハーは、下部電極の上面に支持するものであり、検出
手段は、電極間に生じたエッチング用プラズマのエネル
ギー分布を下部電極面内で検出し、その検出信号をウェ
ハー搬送手段に出力するものであり、ウェハー搬送手段
は、検出手段より出力された検出信号に基づいて、下部
電極面内におけるエッチング用プラズマエネルギーの最
大値を示す位置を算出し、その位置に半導体ウェハーの
中心位置を合致させて該半導体ウェハーを下部電極に搬
入するものである。
め、本発明に係るドライエッチング装置は、上部電極と
下部電極の対と、検出手段と、ウェハー搬送手段とを有
し、電極の対に高周波電源を印加し、エッチングチャン
バー内に収容された半導体ウェハーをプラズマによりエ
ッチング処理するドライエッチング装置であって、対を
なす上部電極と下部電極とは、エッチングチャンバー内
に上下に向き合わせに配設されたものであり、半導体ウ
ェハーは、下部電極の上面に支持するものであり、検出
手段は、電極間に生じたエッチング用プラズマのエネル
ギー分布を下部電極面内で検出し、その検出信号をウェ
ハー搬送手段に出力するものであり、ウェハー搬送手段
は、検出手段より出力された検出信号に基づいて、下部
電極面内におけるエッチング用プラズマエネルギーの最
大値を示す位置を算出し、その位置に半導体ウェハーの
中心位置を合致させて該半導体ウェハーを下部電極に搬
入するものである。
【００１０】また、検出手段は、膜厚測定器を有し、膜
厚測定器による測定値に基づいて、下部電極上でのエッ
チング済ウェハーのエッチング量の最大点と最小点とを
求め、その値を等高線で表わした下部電極面内でのウェ
ハーのエッチングレートの分布を作成し、そのエッチン
グレートの分布より下部電極面内でのエッチング用プラ
ズマのエネルギー分布を検出するものであり、膜厚測定
器は、下部電極上でエッチング処理された半導体ウェハ
ーのエッチング量を測定し、ウェハー面の各部でのエッ
チング量を出力するものである。
厚測定器による測定値に基づいて、下部電極上でのエッ
チング済ウェハーのエッチング量の最大点と最小点とを
求め、その値を等高線で表わした下部電極面内でのウェ
ハーのエッチングレートの分布を作成し、そのエッチン
グレートの分布より下部電極面内でのエッチング用プラ
ズマのエネルギー分布を検出するものであり、膜厚測定
器は、下部電極上でエッチング処理された半導体ウェハ
ーのエッチング量を測定し、ウェハー面の各部でのエッ
チング量を出力するものである。
【００１１】また、検出手段は、プラズマ採光部を有
し、プラズマ採光部で異なる２方向から採光したプラズ
マ光量に基づいて下部電極面内でのプラズマ発光強度分
布を算出し、そのプラズマ発光強度分布より下部電極面
内でのエッチング用プラズマのエネルギー分布を検出す
るものであり、プラズマ採光部は、下部電極面の周囲の
異なる２方向に配置して設けられ、下部電極面上でのプ
ラズマ光を異なる２方向から独立に採光して電気信号と
して出力するものである。
し、プラズマ採光部で異なる２方向から採光したプラズ
マ光量に基づいて下部電極面内でのプラズマ発光強度分
布を算出し、そのプラズマ発光強度分布より下部電極面
内でのエッチング用プラズマのエネルギー分布を検出す
るものであり、プラズマ採光部は、下部電極面の周囲の
異なる２方向に配置して設けられ、下部電極面上でのプ
ラズマ光を異なる２方向から独立に採光して電気信号と
して出力するものである。
【００１２】
【作用】対をなす上部電極と下部電極のうち、半導体ウ
ェハーを支持する下部電極面でのエッチング用プラズマ
のエネルギー分布を検出し、下部電極面上でのプラズマ
エネルギーの最大値を示す位置を算出し、その位置に半
導体ウェハーの中心位置を合致させて半導体ウェハーを
下部電極面上に載置する。これにより、経時変化した場
合でも、ウェハー面内でのエッチングの均一性を維持す
る。
ェハーを支持する下部電極面でのエッチング用プラズマ
のエネルギー分布を検出し、下部電極面上でのプラズマ
エネルギーの最大値を示す位置を算出し、その位置に半
導体ウェハーの中心位置を合致させて半導体ウェハーを
下部電極面上に載置する。これにより、経時変化した場
合でも、ウェハー面内でのエッチングの均一性を維持す
る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１４】（実施例１）図１において、本発明に係る
ドライエッチング装置は、エッチングチャンバー１とロ
ードロックチャンバー２とを有している。
ドライエッチング装置は、エッチングチャンバー１とロ
ードロックチャンバー２とを有している。
【００１５】エッチングチャンバー１は、対をなす平板
状の上部電極８と下部電極９とを有しており、上部電極
８と下部電極９とは図３に示すように、エッチングチャ
ンバー１内に互いに上下に向き合わせて平行に配設され
ている。上部電極８と下部電極９には、高周波電源が印
加され、電極８，９間に生ずるプラズマにより、下部電
極面上のウェハー３をエッチング処理するようになって
いる。エッチングチャンバーに関するその他の構成は、
従来のものと同じである。
状の上部電極８と下部電極９とを有しており、上部電極
８と下部電極９とは図３に示すように、エッチングチャ
ンバー１内に互いに上下に向き合わせて平行に配設され
ている。上部電極８と下部電極９には、高周波電源が印
加され、電極８，９間に生ずるプラズマにより、下部電
極面上のウェハー３をエッチング処理するようになって
いる。エッチングチャンバーに関するその他の構成は、
従来のものと同じである。
【００１６】ロードロックチャンバー２は、ウェハー搬
送手段としての搬送用ロボット１０と検出手段１１とを
有している。検出手段１１は膜厚測定器を有している。
膜厚測定器は、下部電極上でエッチング処理されたウェ
ハー４のエッチング量を測定し、ウェハー面の各部での
エッチング量を出力するものであり、検出手段１１は、
膜厚測定器による測定値に基づいて、下部電極９上での
エッチング済ウェハーのエッチング量の最大値と最小点
とを求め、その値を図２に示すような等高線５Ｃで表わ
した下部電極面内でのウェハーのエッチングレートの分
布を作成し、そのエッチングレートの分布より下部電極
面内でのエッチング用プラズマのエネルギー分布を検出
するようになっている。
送手段としての搬送用ロボット１０と検出手段１１とを
有している。検出手段１１は膜厚測定器を有している。
膜厚測定器は、下部電極上でエッチング処理されたウェ
ハー４のエッチング量を測定し、ウェハー面の各部での
エッチング量を出力するものであり、検出手段１１は、
膜厚測定器による測定値に基づいて、下部電極９上での
エッチング済ウェハーのエッチング量の最大値と最小点
とを求め、その値を図２に示すような等高線５Ｃで表わ
した下部電極面内でのウェハーのエッチングレートの分
布を作成し、そのエッチングレートの分布より下部電極
面内でのエッチング用プラズマのエネルギー分布を検出
するようになっている。
【００１７】搬送用ロボット１０は、検出手段１１より
出力された検出信号に基づいて下部電極面内におけるエ
ッチング用プラズマエネルギーの最大値を示す位置を算
出し、その位置にウェハー３の中心位置を合致させてウ
ェハー３を下部電極９の上面に搬入するようになってい
る。
出力された検出信号に基づいて下部電極面内におけるエ
ッチング用プラズマエネルギーの最大値を示す位置を算
出し、その位置にウェハー３の中心位置を合致させてウ
ェハー３を下部電極９の上面に搬入するようになってい
る。
【００１８】図３は、本発明によるエッチングチャンバ
ー１内の下部電極９上の任意の位置に、搬送用ロボット
１０を用いてウェハー３を置く手順を示している。下部
電極９上の座標（ｘ，ｙ）を事前に搬送用ロボット１０
に入力しておくことにより、その（ｘ，ｙ）の位置にウ
ェハーの中心が来るように設定しておく。
ー１内の下部電極９上の任意の位置に、搬送用ロボット
１０を用いてウェハー３を置く手順を示している。下部
電極９上の座標（ｘ，ｙ）を事前に搬送用ロボット１０
に入力しておくことにより、その（ｘ，ｙ）の位置にウ
ェハーの中心が来るように設定しておく。
【００１９】図２（ａ）は、図１（ａ）に示した位置で
エッチングされたウェハー４のエッチング量を膜厚測定
器により測定し、その測定結果を等高線５Ｃで表示した
ものであり、このエッチングレートの分布によりエッチ
ング量の最大点５Ａと最小点５Ｂとが求められる。図２
（ａ）の場合、エッチング量の等高線５Ｃは、ほぼ同心
円を描いているので、エッチング量の最大点５Ａがウェ
ハー４の中心に来るように下部電極面上でのウェハーの
位置を図１（ａ）から図１（ｂ）のように左上に移動す
ることにより、均一性の向上が期待できる。
エッチングされたウェハー４のエッチング量を膜厚測定
器により測定し、その測定結果を等高線５Ｃで表示した
ものであり、このエッチングレートの分布によりエッチ
ング量の最大点５Ａと最小点５Ｂとが求められる。図２
（ａ）の場合、エッチング量の等高線５Ｃは、ほぼ同心
円を描いているので、エッチング量の最大点５Ａがウェ
ハー４の中心に来るように下部電極面上でのウェハーの
位置を図１（ａ）から図１（ｂ）のように左上に移動す
ることにより、均一性の向上が期待できる。
【００２０】図２（ｂ）は、図１（ｂ）によりエッチン
グされたウェハー４のエッチング量を膜厚測定器により
測定し、その測定結果を等高線５Ｃで表示したものであ
る。エッチング量の最大点５Ａがウェハーの中心に合致
しており、面内均一性も図２（ａ）と比較して向上して
いる。図２（ａ）において、ウェハー内の等高線の数が
５本であるのに対し、図２（ｂ）では４本であり、図２
（ｂ）の方がエッチング量の最大値と最小値の差が少な
いことが分かる。
グされたウェハー４のエッチング量を膜厚測定器により
測定し、その測定結果を等高線５Ｃで表示したものであ
る。エッチング量の最大点５Ａがウェハーの中心に合致
しており、面内均一性も図２（ａ）と比較して向上して
いる。図２（ａ）において、ウェハー内の等高線の数が
５本であるのに対し、図２（ｂ）では４本であり、図２
（ｂ）の方がエッチング量の最大値と最小値の差が少な
いことが分かる。
【００２１】したがって、下部電極面内でのプラズマの
エネルギー分布を検出し、その検出信号に基づいて、下
部電極上でのウェハーの中心位置を、プラズマのエネル
ギーの最大値を示す位置に合致させて下部電極９上にセ
ットすれば、ウェハー面内でのエッチングの均一性を維
持することができる。
エネルギー分布を検出し、その検出信号に基づいて、下
部電極上でのウェハーの中心位置を、プラズマのエネル
ギーの最大値を示す位置に合致させて下部電極９上にセ
ットすれば、ウェハー面内でのエッチングの均一性を維
持することができる。
【００２２】そこで、本発明では、検出手段１１を用い
て、エッチング済のウェハー上でのエッチング量を膜厚
測定器により測定し、その測定値に基づいてエッチング
量の最大値と最小値とを求め、その値を図２に示すよう
な等高線５Ｃで表わすエッチングレートの分布を作成
し、このエッチングレートの分布より下部電極面内での
エッチング用プラズマのエネルギー分布を検出する。
て、エッチング済のウェハー上でのエッチング量を膜厚
測定器により測定し、その測定値に基づいてエッチング
量の最大値と最小値とを求め、その値を図２に示すよう
な等高線５Ｃで表わすエッチングレートの分布を作成
し、このエッチングレートの分布より下部電極面内での
エッチング用プラズマのエネルギー分布を検出する。
【００２３】搬送用ロボット１０は、検出手段１１より
出力された検出信号に基づいて下部電極面内におけるエ
ッチング用プラズマエネルギーの最大値を示す位置を算
出し、その座標位置データ（ｘ，ｙ）を記憶する。そし
て、搬送用ロボット１０は図３（ｂ）に示すようにウェ
ハー３を爪１０ａで挟持し、これをロードロックチャン
バー２からエッチングチャンバー１内に搬入し、記憶し
ていた座標位置データ（ｘ，ｙ）に基づいて、ウェハー
３を下部電極９上の座標（ｘ，ｙ）の位置まで搬入し
（（ｂ），（ｄ））、ウェハー３の中心を下部電極９上
の座標（ｘ，ｙ）に合致させて下部電極９上にセットす
る（（ｅ），（ｆ））。
出力された検出信号に基づいて下部電極面内におけるエ
ッチング用プラズマエネルギーの最大値を示す位置を算
出し、その座標位置データ（ｘ，ｙ）を記憶する。そし
て、搬送用ロボット１０は図３（ｂ）に示すようにウェ
ハー３を爪１０ａで挟持し、これをロードロックチャン
バー２からエッチングチャンバー１内に搬入し、記憶し
ていた座標位置データ（ｘ，ｙ）に基づいて、ウェハー
３を下部電極９上の座標（ｘ，ｙ）の位置まで搬入し
（（ｂ），（ｄ））、ウェハー３の中心を下部電極９上
の座標（ｘ，ｙ）に合致させて下部電極９上にセットす
る（（ｅ），（ｆ））。
【００２４】その後、エッチングチャンバー１内を気密
にして上部電極８と下部電極９とに高周波電源を印加
し、反応ガスをプラズマ化し、下部電極９上のウェハー
をエッチング処理する。
にして上部電極８と下部電極９とに高周波電源を印加
し、反応ガスをプラズマ化し、下部電極９上のウェハー
をエッチング処理する。
【００２５】（実施例２）次に本発明の実施例２につい
て図面を参照して説明する。実施例１においては、ウェ
ハー面内のエッチング量を測定した上でウェハー位置を
変更しているが、これに対し実施例２においては、同被
エッチング物，同エッチング条件の場合、エッチングパ
ワーとほぼ比例するエッチングチャンバー内下部電極上
のプラズマ発光強度の分布を測定し、下部電極上の最適
な位置にウェハーを載置するようにしたものである。本
実施例の検出手段１１は、下部電極上のプラズマ発光強
度分布を測定するものであり、プラズマ光採出部とＣＰ
Ｕ１２ｃとを有している。プラズマ光採出部はプラズマ
光採光器１２ａとＣＣＤ１２ｂとを有している。
て図面を参照して説明する。実施例１においては、ウェ
ハー面内のエッチング量を測定した上でウェハー位置を
変更しているが、これに対し実施例２においては、同被
エッチング物，同エッチング条件の場合、エッチングパ
ワーとほぼ比例するエッチングチャンバー内下部電極上
のプラズマ発光強度の分布を測定し、下部電極上の最適
な位置にウェハーを載置するようにしたものである。本
実施例の検出手段１１は、下部電極上のプラズマ発光強
度分布を測定するものであり、プラズマ光採出部とＣＰ
Ｕ１２ｃとを有している。プラズマ光採出部はプラズマ
光採光器１２ａとＣＣＤ１２ｂとを有している。
【００２６】図４に示すように透視可能なエッチングチ
ャンバー１の外部には、一方向のみの光を採光する複数
個のプラズマ光採光器１２ａが下部電極９とほぼ同じ高
さ位置で設けられ、下部電極９の異なる２方向の辺に沿
って一列に配設されている。プラズマ光採光器１２ａは
図５に示すように前面に採光口１３を有し、その後面に
スリット１４Ａ，１４Ｂを二段に有し、各採光器には光
信号を電気信号に変換するＣＣＤ１２ｂが図７のように
接続されている。１５は反射防止材，１６はグラスファ
イバー，１７はグラスファイバーのカバーである。
ャンバー１の外部には、一方向のみの光を採光する複数
個のプラズマ光採光器１２ａが下部電極９とほぼ同じ高
さ位置で設けられ、下部電極９の異なる２方向の辺に沿
って一列に配設されている。プラズマ光採光器１２ａは
図５に示すように前面に採光口１３を有し、その後面に
スリット１４Ａ，１４Ｂを二段に有し、各採光器には光
信号を電気信号に変換するＣＣＤ１２ｂが図７のように
接続されている。１５は反射防止材，１６はグラスファ
イバー，１７はグラスファイバーのカバーである。
【００２７】各採光器１２ａは、下部電極９の２辺に沿
って一列に配列され、採光器１２ａで採光された２方向
からのプラズマ発光強度分布を元に、図７のＣＰＵ１２
ｃで下部電極面内のプラズマ発光強度分布を算出する。
図６は、ＣＰＵ１２ｃで演算処理されたものであり、エ
ッチングチャンバー１内の下部電極面内でのプラズマ発
光強度を等高線１９ｃで表示したものである。
って一列に配列され、採光器１２ａで採光された２方向
からのプラズマ発光強度分布を元に、図７のＣＰＵ１２
ｃで下部電極面内のプラズマ発光強度分布を算出する。
図６は、ＣＰＵ１２ｃで演算処理されたものであり、エ
ッチングチャンバー１内の下部電極面内でのプラズマ発
光強度を等高線１９ｃで表示したものである。
【００２８】エッチングレート面内均一性を向上させる
ため、ウェハー面内を横切る等高線の数が最小になるよ
うな下部電極上の位置をＣＰＵ１２ｃで演算し、その演
算結果に基づいて搬送用ロボット１０は、その位置にウ
ェハーを置く。例えば、図６のウェハー位置２０Ａ，２
０Ｂ，２０Ｃにおいては、２０Ａが等高線５本，２０Ｂ
が４本，２０Ｃが２本となり、２０Ｃの位置が最も等高
線の数が少ないので、ウェハー面内中のプラズマ発光強
度差が最も少なく、エッチング面内均一性が良いと推測
される。よって２０Ｃの位置にウェハーを置く。実施例
２の場合、ウェハーのエッチング量を測定せずに面内均
一性を向上させることができ、しかも下部電極上全ての
ウェハー位置の良否を判断できるので、最適位置を求め
る上で有利である。
ため、ウェハー面内を横切る等高線の数が最小になるよ
うな下部電極上の位置をＣＰＵ１２ｃで演算し、その演
算結果に基づいて搬送用ロボット１０は、その位置にウ
ェハーを置く。例えば、図６のウェハー位置２０Ａ，２
０Ｂ，２０Ｃにおいては、２０Ａが等高線５本，２０Ｂ
が４本，２０Ｃが２本となり、２０Ｃの位置が最も等高
線の数が少ないので、ウェハー面内中のプラズマ発光強
度差が最も少なく、エッチング面内均一性が良いと推測
される。よって２０Ｃの位置にウェハーを置く。実施例
２の場合、ウェハーのエッチング量を測定せずに面内均
一性を向上させることができ、しかも下部電極上全ての
ウェハー位置の良否を判断できるので、最適位置を求め
る上で有利である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、容易な制御
方法で複数のエッチング条件の各々に対してウェハー面
内均一性を数％向上させることができる。またエッチン
グチャンバー，ＲＦ電源などの経時変化により均一性が
劣化するような場合に対しても、均一性を維持、又は数
％向上させることができる。
方法で複数のエッチング条件の各々に対してウェハー面
内均一性を数％向上させることができる。またエッチン
グチャンバー，ＲＦ電源などの経時変化により均一性が
劣化するような場合に対しても、均一性を維持、又は数
％向上させることができる。
【図１】本発明の実施例１を示す構成図である。
【図２】エッチング済ウェハーのエッチング量を等高線
で示した図である。
で示した図である。
【図３】本発明の実施例において、プラズマ用エネルギ
ーの最大値を示す位置にウェハーの中心位置を合致させ
て、ウェハーを下部電極上に搬入する状態を示す工程図
である。
ーの最大値を示す位置にウェハーの中心位置を合致させ
て、ウェハーを下部電極上に搬入する状態を示す工程図
である。
【図４】本発明の実施例２を示す構成図である。
【図５】本発明の実施例２に用いたプラズマ採光器を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】実施例２においてプラズマのエネルギー分布を
プラズマ発光強度分布に基づいて割出して表わした図で
ある。
プラズマ発光強度分布に基づいて割出して表わした図で
ある。
【図７】本発明の実施例２の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図８】（ａ）は従来例を示す断面図、（ｂ）〜（ｄ）
はスリット板を示す図である。
はスリット板を示す図である。
【図９】（ａ）は従来例を示す断面図、（ｂ）は磁石要
素を示す図である。
素を示す図である。
【図１０】従来例を示す一部断面した斜視図である。
１ エッチングチャンバー ２ ロードロックチャンバー ３ ウェハー ４ エッチング済ウェハー ８ 上部電極 ９ 下部電極 １０ 搬送用ロボット １１ 検出手段
Claims (3)
- 【請求項１】 上部電極と下部電極の対と、検出手段
と、ウェハー搬送手段とを有し、電極の対に高周波電源
を印加し、エッチングチャンバー内に収容された半導体
ウェハーをプラズマによりエッチング処理するドライエ
ッチング装置であって、 対をなす上部電極と下部電極とは、エッチングチャンバ
ー内に上下に向き合わせに配設されたものであり、 半導体ウェハーは、下部電極の上面に支持するものであ
り、 検出手段は、電極間に生じたエッチング用プラズマのエ
ネルギー分布を下部電極面内で検出し、その検出信号を
ウェハー搬送手段に出力するものであり、 ウェハー搬送手段は、検出手段より出力された検出信号
に基づいて、下部電極面内におけるエッチング用プラズ
マエネルギーの最大値を示す位置を算出し、その位置に
半導体ウェハーの中心位置を合致させて該半導体ウェハ
ーを下部電極に搬入するものであることを特徴とするド
ライエッチング装置。 - 【請求項２】 検出手段は、膜厚測定器を有し、膜厚測
定器による測定値に基づいて、下部電極上でのエッチン
グ済ウェハーのエッチング量の最大点と最小点とを求
め、その値を等高線で表わした下部電極面内でのウェハ
ーのエッチングレートの分布を作成し、そのエッチング
レートの分布より下部電極面内でのエッチング用プラズ
マのエネルギー分布を検出するものであり、 膜厚測定器は、下部電極上でエッチング処理された半導
体ウェハーのエッチング量を測定し、ウェハー面の各部
でのエッチング量を出力するものであることを特徴とす
る請求項１に記載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】 検出手段は、プラズマ採光部を有し、プ
ラズマ採光部で異なる２方向から採光したプラズマ光量
に基づいて下部電極面内でのプラズマ発光強度分布を算
出し、そのプラズマ発光強度分布より下部電極面内での
エッチング用プラズマのエネルギー分布を検出するもの
であり、 プラズマ採光部は、下部電極面の周囲の異なる２方向に
配置して設けられ、下部電極面上でのプラズマ光を異な
る２方向から独立に採光して電気信号として出力するも
のであることを特徴とする請求項１に記載のドライエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17185593A JP2503893B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17185593A JP2503893B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729887A JPH0729887A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2503893B2 true JP2503893B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=15931036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17185593A Expired - Lifetime JP2503893B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503893B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7486878B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-02-03 | Lam Research Corporation | Offset correction methods and arrangement for positioning and inspecting substrates |
| US7479236B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-01-20 | Lam Research Corporation | Offset correction techniques for positioning substrates |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP17185593A patent/JP2503893B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729887A (ja) | 1995-01-31 |
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