JPH0211781A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH0211781A JPH0211781A JP15916488A JP15916488A JPH0211781A JP H0211781 A JPH0211781 A JP H0211781A JP 15916488 A JP15916488 A JP 15916488A JP 15916488 A JP15916488 A JP 15916488A JP H0211781 A JPH0211781 A JP H0211781A
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- etching
- sample
- etched
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Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に係り、特にプラズマ
を利用して試料をエツチング処理するのに好適なドライ
エツチング装置に関するものである。
を利用して試料をエツチング処理するのに好適なドライ
エツチング装置に関するものである。
従来のｇｔ置は、例えば、特開昭４６−３１０５号公報
に記載のように補助電極と高さ可変の保護環とを組合せ
て使用することにより陰極縁部におけるイオンの集束作
用を抑制することができ、均一なスパツタリングが行え
ることが示されている。
に記載のように補助電極と高さ可変の保護環とを組合せ
て使用することにより陰極縁部におけるイオンの集束作
用を抑制することができ、均一なスパツタリングが行え
ることが示されている。
しかし、複数層の連続均一処理については配慮されてい
なかった。
なかった。
このような従来技術では複数層にわたる連続均一処理に
ついては配慮がなされていない。例えばＭを主体とする
配線膜のエツチングを行う場合ではＭエツチングと下地
膜である例えば８ｉ酸化膜ではそれぞれ違ったエツチン
グ形態（一般にＭ配線膜は化学反応主体のエツチングで
ありＳ１酸化膜はイオン主体のエツチングと考えられて
いる。）でエツチングが進行するため同一条件ではかな
らずしも両者のエツチングが均一に処理がなされない。
ついては配慮がなされていない。例えばＭを主体とする
配線膜のエツチングを行う場合ではＭエツチングと下地
膜である例えば８ｉ酸化膜ではそれぞれ違ったエツチン
グ形態（一般にＭ配線膜は化学反応主体のエツチングで
ありＳ１酸化膜はイオン主体のエツチングと考えられて
いる。）でエツチングが進行するため同一条件ではかな
らずしも両者のエツチングが均一に処理がなされない。
このため配線幅や下地残膜量のばらつきによる製品歩留
りの低下が問題となっていた。
りの低下が問題となっていた。
本発明の目的は複数層にわたる連続均一処理を達成し製
品歩留を向上させる二とができるエツチング装置を提供
することにある。
品歩留を向上させる二とができるエツチング装置を提供
することにある。
上記目的は、あらかじめ設定された被エツチング物に最
適なリング高さとなるようにエツチング処理中にリング
高さを制御可能とすることにより達成される。
適なリング高さとなるようにエツチング処理中にリング
高さを制御可能とすることにより達成される。
リング高さを設定するための手段としては被エツチング
物に最適なリング高さテ′−夕を内蔵した制御装置（例
えばマイクロコンピュータ）と変位発生装置（例えばパ
ルスモータと変位変換部材）を用いることができる。
物に最適なリング高さテ′−夕を内蔵した制御装置（例
えばマイクロコンピュータ）と変位発生装置（例えばパ
ルスモータと変位変換部材）を用いることができる。
制御装置としてマイクロコンピュータ、変位発生装置と
してパルスモータと変位変換部材を用いた場合では、例
えば発光検出器により被エツチング物のエツチング終了
を検出して終了信号をマイクロコンピュータへ送る。マ
イクロコンピュータはエツチング終了信号に基づき、あ
らかじめ設定されている次層の被エツチング物に最適な
値となるようパルスモータに信号を送る。パルスモータ
は指令信号により所定菫回転し、変位変換部材は回転運
動を上下運動に変換してリング筒さを移動し、リングは
設定高さに制御される。
してパルスモータと変位変換部材を用いた場合では、例
えば発光検出器により被エツチング物のエツチング終了
を検出して終了信号をマイクロコンピュータへ送る。マ
イクロコンピュータはエツチング終了信号に基づき、あ
らかじめ設定されている次層の被エツチング物に最適な
値となるようパルスモータに信号を送る。パルスモータ
は指令信号により所定菫回転し、変位変換部材は回転運
動を上下運動に変換してリング筒さを移動し、リングは
設定高さに制御される。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。第１図はエツチング装置の構成を示すもので、真空
室内ｌに放電用ガス２を導入し放電用ガス２にマグネト
ロン３で発生したマイクロ波と磁場コイル４で発生した
磁界とを作用させ、プラズマ５を発生し、プラズマ５中
のラジカルおよびイオンを利用して試料６の表面をエツ
チングする。試料載置電極７には高周波電源８が接続さ
れ試料載置電極に負のバイアス電圧を発生する。
る。第１図はエツチング装置の構成を示すもので、真空
室内ｌに放電用ガス２を導入し放電用ガス２にマグネト
ロン３で発生したマイクロ波と磁場コイル４で発生した
磁界とを作用させ、プラズマ５を発生し、プラズマ５中
のラジカルおよびイオンを利用して試料６の表面をエツ
チングする。試料載置電極７には高周波電源８が接続さ
れ試料載置電極に負のバイアス電圧を発生する。
このため試料６はイオンエネルギの作用によりエツチン
グ終了が制御可能となっている。なお、真空室内ｌのガ
ス圧力は真空排気装置９により排気口１０よりガス排気
され、所定の値に保持される。
グ終了が制御可能となっている。なお、真空室内ｌのガ
ス圧力は真空排気装置９により排気口１０よりガス排気
され、所定の値に保持される。
エツチング処理中を補正するリング１１の高さはパルス
モータ１３を用いて、変位変換部材１２を介して制御さ
れる。
モータ１３を用いて、変位変換部材１２を介して制御さ
れる。
第２図はエツチング処理時の信号制御系を示すもので被
エツチング物の終点を検出する発光検出器１４、エツチ
ング装置全体を制御する制御用コンピュータ１５、およ
び均一性を補正するリング１１の高さを制御するための
パルスモータ１３により構成される。
エツチング物の終点を検出する発光検出器１４、エツチ
ング装置全体を制御する制御用コンピュータ１５、およ
び均一性を補正するリング１１の高さを制御するための
パルスモータ１３により構成される。
均一なエツチング処理は第１図、第２図により示した構
成のエツチング装置を用いることにより達成される。
成のエツチング装置を用いることにより達成される。
以下、Ｍ膜を主体とし、下地に８１酸化膜が形成されて
いる場合のエツチング処理について説明する。Ｍ膜エツ
チング時には、ＭＩＭエツチングの均一性が良好となる
ようあらかじめ設定された値にリング高さが制御されＭ
膜のエツチング処理が行われる。Ｍ膜エツチング中は発
光検出器１４によりＭの発光がモニターされる。Ｍ膜の
エツチング終点検出信号は発光検出器１４よりエツチン
グ装置全体を制御する制御用コンピュータ１５に送られ
る。
いる場合のエツチング処理について説明する。Ｍ膜エツ
チング時には、ＭＩＭエツチングの均一性が良好となる
ようあらかじめ設定された値にリング高さが制御されＭ
膜のエツチング処理が行われる。Ｍ膜エツチング中は発
光検出器１４によりＭの発光がモニターされる。Ｍ膜の
エツチング終点検出信号は発光検出器１４よりエツチン
グ装置全体を制御する制御用コンピュータ１５に送られ
る。
制御用コンピュータ１５はＭ膜の下地膜であるＳｉ酸化
膜を均一にエツチング処理可能なリング高さとするため
にパルスモータ１３に信号を送る。パルスモータ１３は
制御用コンピュータ１５からの指令に基づき変位変換部
材ｎを介してリング１工を所定の高さとするよう制御さ
れる。
膜を均一にエツチング処理可能なリング高さとするため
にパルスモータ１３に信号を送る。パルスモータ１３は
制御用コンピュータ１５からの指令に基づき変位変換部
材ｎを介してリング１工を所定の高さとするよう制御さ
れる。
本実施例によれば上記構成、作用により複数層のエツチ
ング処理においても各エツチング層に最適な均一エツチ
ング処理を達成できるため、加工精度の向上が可能であ
り、さらにエツチング速度のバラツキが小さいため、オ
ーバーエツチング時間が短縮でき、素子へのダメージの
低減、生産性の向上ができる効果がある。
ング処理においても各エツチング層に最適な均一エツチ
ング処理を達成できるため、加工精度の向上が可能であ
り、さらにエツチング速度のバラツキが小さいため、オ
ーバーエツチング時間が短縮でき、素子へのダメージの
低減、生産性の向上ができる効果がある。
上記実施例ではＭ膜を主体としたエツチング処理につい
て示したがエツチング層はこれに限定されるものではな
く、各エツチング層に最適なエツチング条件をあらかじ
め制御用コンピュータにデータ設定することにより複数
種で複数層のエツチング処理でも同様に均一連続エツチ
ングが可能である。また、各エツチング層のエツチング
終了の検出手段としては、上記実施例での発光分光法を
利用したものに限定されず、電極電圧変化を利用したも
のや光干渉法を利用するものや真空室内圧力変化を利用
したもの等が適用できる。更に、工ッチング装置として
は、上記実施例での有磁場マイクロ波エツチング装置に
限らず、無磁場マイクロ波工ブチング装置やその他のプ
ラズマエツチング装置にも有効利用できる。
て示したがエツチング層はこれに限定されるものではな
く、各エツチング層に最適なエツチング条件をあらかじ
め制御用コンピュータにデータ設定することにより複数
種で複数層のエツチング処理でも同様に均一連続エツチ
ングが可能である。また、各エツチング層のエツチング
終了の検出手段としては、上記実施例での発光分光法を
利用したものに限定されず、電極電圧変化を利用したも
のや光干渉法を利用するものや真空室内圧力変化を利用
したもの等が適用できる。更に、工ッチング装置として
は、上記実施例での有磁場マイクロ波エツチング装置に
限らず、無磁場マイクロ波工ブチング装置やその他のプ
ラズマエツチング装置にも有効利用できる。
本発明によれば複数の被エツチング層を連続して試料全
面を均一にエツチング加工でき、加工精度の向上が可能
であり、さらにエツチング速度のばらつきが）Ｊｓさい
ため、オーバーエツチング時間が短縮でき、素子へのダ
メージの低減、生産性の向上ができる効果がある。
面を均一にエツチング加工でき、加工精度の向上が可能
であり、さらにエツチング速度のばらつきが）Ｊｓさい
ため、オーバーエツチング時間が短縮でき、素子へのダ
メージの低減、生産性の向上ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のドライエツチング装置の縦
断面図、第２図は同じ（信号制御系を示す信号制御系椹
成図である。
断面図、第２図は同じ（信号制御系を示す信号制御系椹
成図である。
Claims (1)
- １、真空室内に放電用ガスを導入し、該放電用ガスをプ
ラズマ化し、該プラズマを利用して試料の表面をエッチ
ングする装置において、前記試料のエッチング処理状況
に基づき作動するリング高さ制御手段を設けたことを特
徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15916488A JPH0211781A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15916488A JPH0211781A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0211781A true JPH0211781A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15687672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15916488A Pending JPH0211781A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0211781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213658A (en) * | 1990-10-26 | 1993-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing method |
| US5246532A (en) * | 1990-10-26 | 1993-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US7025858B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-04-11 | Chung-Yen Chou | Apparatus for supporting wafer in semiconductor process |
| US7252738B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP15916488A patent/JPH0211781A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213658A (en) * | 1990-10-26 | 1993-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing method |
| US5246532A (en) * | 1990-10-26 | 1993-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US6916401B2 (en) | 2000-07-13 | 2005-07-12 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US7025858B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-04-11 | Chung-Yen Chou | Apparatus for supporting wafer in semiconductor process |
| US7252738B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
| US7867356B2 (en) | 2002-09-20 | 2011-01-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
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