DE102007047935A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer Download PDF

Info

Publication number
DE102007047935A1
DE102007047935A1 DE102007047935A DE102007047935A DE102007047935A1 DE 102007047935 A1 DE102007047935 A1 DE 102007047935A1 DE 102007047935 A DE102007047935 A DE 102007047935A DE 102007047935 A DE102007047935 A DE 102007047935A DE 102007047935 A1 DE102007047935 A1 DE 102007047935A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
module
illumination
detector
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007047935A
Other languages
English (en)
Inventor
Lambert Danner
Michael Heiden
Wolfgang Dr. Vollrath
Alexander Dr. Büttner
Christof Krampe-Zadler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Tencor MIE GmbH
Original Assignee
Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vistec Semiconductor Systems GmbH filed Critical Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority to PCT/EP2008/051339 priority Critical patent/WO2008113638A2/de
Publication of DE102007047935A1 publication Critical patent/DE102007047935A1/de
Priority to US12/494,858 priority patent/US20090279080A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • G01N21/9503Wafer edge inspection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8822Dark field detection
    • G01N2021/8825Separate detection of dark field and bright field

Abstract

Es sind eine Vorrichtung, ein Verfahren und die Verwendung für die Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers (6) offenbart. Mindestens eine Beleuchtungseinrichtung (41) beleuchtet den Randbereich (6a) des Wafers (6). Mindestens eine optische Einheit (40) ist vorgesehen, die in Abhängigkeit von der Lage des Defekts (88) gegenüber einer Oberseite (30) des Waferrandes (6a) oder einer Unterseite (31) des Waferrandes (6a) oder einer Stirnseite (32) des Waferrandes (6a) zur Aufnahme eines Bildes des Defekts positionierbar ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers. Dabei umfasst die Vorrichtung zur visuellen Bewertung von Defekten am Randbereich des Wafers mindestens eine Beleuchtungseinrichtung, die den Randbereich des Wafers beleuchtet. Ferner ist ein Detektor vorgesehen, der ein Bild des Randbereichs des Wafers mit einer definierten Bildfeldgröße aufnimmt.
  • Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers.
  • Des Weiteren betrifft die Erfindung die Verwendung der Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers in einer Inspektionseinrichtung für Wafer. Die Inspektionseinrichtung besteht aus mehreren Arbeitsstationen, die mindestens aus einer Einheit zur Mikroinspektion, einer Transporteinrichtung und einer Alignmenteinrichtung bestehen. Ferner ist mindestens ein Display vorgesehen, auf dem einem Benutzer die aufgenommenen Bilder der Defekte darstellbar sind.
  • Die japanische Patentanmeldung JP 2006/294969 A offenbart ein Inspektionsmittel für Wafer, welches Bilder vom umlaufenden Rand des Wafers aufnimmt. Bevorzugter Weise wird der Rand des Wafers dahingehend inspiziert, ob Abnormitäten vorliegen. Die Inspektionseinrichtung für den Wafer umfasst eine Trageeinrichtung, die den Wafer in einer horizontalen Ebene hält. Ferner ist eine Kamera vorgesehen, die einen umlaufenden Rand des Wafers abbildet. Die Kamera kann dabei auf einer kreisbogenförmigen Bahn um die Waferkante herumgeführt werden. Während der Bewegung der Kamera werden Bilder der umgreifenden Kante des Wafers aufgenommen.
  • Die koreanische Patentanmeldung KR 102004094967 A offenbart eine Vorrichtung zum inspizieren der Waferkante, die ferner dazu geeignet ist, die Zeit für den Inspektionsvorgang zu reduzieren. Eine Vielzahl von optischen Sensoren ist in der Nähe eines Kantenabschnitts des Wafers vorgesehen. Jeder optische Sensor umfasst eine Licht emittierende Einheit zur Beleuchtung der Kante des Wafers. Ferner umfasst jeder Sensor einen Empfangsabschnitt, der zum Empfang des von der Waferkante reflektierten Lichts ausgebildet ist. Die hier vorgeschlagene Vorrichtung ist jedoch nicht zur Aufnahme einzelner Bilder von ausgewählten Defekten geeignet. Sie dient lediglich dazu, Defekte auf dem Rand des Wafers zu finden.
  • Das U.S.-Patent 7,161,669 umfasst eine erste Antriebseinrichtung und eine zweite Antriebseinrichtung, die einen Aufnahmekopf horizontal über der Oberfläche eines Wafers bewegen. Damit werden Daten über verschiedene charakteristische Elemente auf der Oberfläche des Wafers geschaffen. Die zweite Antriebseinrichtung umfasst einen Motor, der die Aufnahmeeinrichtung um die Kante des Wafers herum bewegt, so dass die Unterseite des Wafers aufgenommen werden kann. Dieser Vorrichtung ist es ebenfalls nicht möglich, einzelne Positionen von Defekten am Rand des Wafers anzufahren und Bilder von diesen Defekten aufzunehmen.
  • Die japanische Patentanmeldung 2006/64975 offenbart ein Mikroskop mit dem es möglich ist, eine Vielzahl von Oberflächen an einer Kante einer dünnen Platte zu untersuchen. Das Mikroskop weist drei bildgebende optische Systeme auf. Die von den unterschiedlichen optischen Systemen erzeugten Bilder werden zusammengeführt und einem CCD zugeführt.
  • Die U.S.-Patentanmeldung 2005/0060104 umfasst eine Vorrichtung zur Inspektion der Kante des Wafers, welches eine Review-Einheit umfasst, die Bilder des Halbleiterwafers aufnimmt. Dabei werden u. a. Punkte von Interesse in der Nähe der Kante des Wafers angefahren und dort automatisch Bilder aufgenommen. Die aufgenommenen Bilder werden in einer Datenbank abgelegt, die mit einem Computer für eine detaillierte Defektanalyse suchbar sind. Das Dokument offenbart jedoch nicht, ob die Kamera beweglich angeordnet ist, um somit Bilder je nach Wunsch oder Bedarf von der Oberseite des Waferrandes vom Waferrand selbst und/oder von der Unterseite des Waferrandes aufzunehmen.
  • Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung ist es, eine Vorrichtung zu schaffen, mit dem eine zuverlässige Inspektion von Defekten am Rand des Wafers möglich ist. Dabei soll die Vorrichtung die Defekte auf der Oberseite des Waferrandes, an der Waferkante und auf der Unterseite des Waferrandes begutachten können.
  • Die vorstehende Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1.
  • Ferner ist es Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung, ein Verfahren zur zuverlässigen Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers zu schaffen, mit dem sowohl die Defekte auf der Oberseite des Waferrandes, an der Kante des Waferrandes und an der Unterseite des Waferrandes begutachtet werden können.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren, das die Merkmale des Anspruchs 15 umfasst.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Verwendung einer Vorrichtung zur zuverlässigen Bewertung von Defekten am Randbereich eines Wafers in einer Inspektionseinrichtung für Wafer zu ermöglichen.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch eine Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, die die Merkmale des Anspruchs 20 umfasst.
  • Es ist von Vorteil, dass die Vorrichtung für die Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers einsetzbar ist. Es ist mindestens eine Beleuchtungseinrichtung vorgesehen, die den Randbereich des Wafers beleuchtet. Ein Detektor nimmt ein Bild des Randbereichs des Wafers mit einer definierten Bildfeldgröße auf. Mindestens eine optische Einheit ist vorgesehen, die in Abhängigkeit von der Lage des Defekts gegenüber einer Oberseite des Waferrandbereichs oder einer Unterseite des Waferrandbereichs oder einer Stirnseite des Waferrandrereichs zur Aufnahme eines Bildes des Defekts positionierbar ist.
  • Mit der mindestens einen Beleuchtungseinrichtung ist eine Vielzahl von Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden realisierbar. Die Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden sind die Hellfeldbeleuchtung, die Dunkelfeldbeleuchtung, der Interferenzkontrast und der differenzielle Interferenzkontrast.
  • Jede der optischen Einheiten ist als ein um eine Achse schwenkbares Modul ausgebildet, das mindestens ein Objektiv zur Beleuchtung und Abbildung des Defekts, die mindestens eine Beleuchtungseinrichtung und den Detektor und eine Fokuseinrichtung umfasst.
  • Die mindestens eine optische Einheit besteht aus einem ersten schwenkbaren Modul, das mindestens ein Objektiv und eine Spiegelanordnung um fasst. Über ein Gelenk ist das erste schwenkbare Modul mit einem ortsfesten zweiten Modul verbunden, das mindestens eine Optik zur Beleuchtung und Abbildung des Defekts, die Beleuchtungseinrichtung, den Detektor und eine Fokuseinrichtung umfasst.
  • Die optische Einheit besteht aus einem ersten schwenkbaren Modul, das eine Spiegelanordnung umfasst, die über ein Gelenk mit einem ortsfesten zweiten Modul verbunden ist, das die Beleuchtungseinrichtung, den Detektor und eine Fokuseinrichtung umfasst.
  • Im Detektionsstrahlengang der optischen Einheit ist vor dem Detektor ein Vergrößerungswechsler vorgesehen. Ebenso ist im Detektionsstrahlengang nach dem Vergrößerungswechsler und vor dem Detektor eine Pupille angeordnet.
  • Im ortsfesten zweiten Modul ist nach dem Gelenk eine variable Aperturblende angeordnet.
  • Ferner ist mindestens eine zum Objektiv zusätzliche Linse im schwenkbaren zweiten Modul vorgesehen.
  • Die optische Einheit kann auch mindestens zwei Objektive und eine Spiegelanordnung umfassen. Wobei die Objektive und die Spiegelanordnung in einem schwenkbaren ersten Modul angeordnet sind. Das schwenkbare erste Modul ist, wie bereits oben erwähnt, über ein Gelenk mit einem ortsfesten zweiten Modul verbunden. Das zweite, ortsfeste Modul umfasst mindestens die Beleuchtungseinrichtung, den Detektor und eine Fokuseinrichtung.
  • Die mindestens zwei Objektive können dabei auf einem drehbaren Revolver angeordnet sein. Ebenso ist es möglich, dass die mindestens zwei Objektive auf einem Schieber angeordnet sind.
  • Der Detektor ist ein bildgebender Detektor, wie zum Beispiel ein CCD-Chip oder ein CMOS.
  • Bei dem Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich wird an Hand von abgespeicherten Positionsdaten der Wafer derart positioniert, dass sich die Defekte zur Inspektion im Bildfeld mindestens einer optischen Einheit befinden. Die mindestens eine optische Einheit ist zur Bildaufnahme mit einem Detektor in Abhängigkeit von der Lage des Defekts gegenüber der Oberseite des Waferrandbereichs oder der Unterseite des Waferrandbereichs oder der Stirnseite des Waferrandbereichs positionier bar. Die aufgenommenen Bilder können dem Benutzer auf einem Display dargestellt werden. Ebenso ist es denkbar, dass die Bilder für eine spätere Weiterverarbeitung gespeichert werden.
  • Ferner findet die erfindungsgemäße Vorrichtung bei der Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers in einer Inspektionseinrichtung für Wafer Verwendung. Die Inspektionseinrichtung umfasst mehrere Einrichtungen zur Inspektion eines Wafers. Ebenso ist mindestens ein Display vorgesehen, auf dem einem Benutzer aufgenommene Bilder der Defekte dargestellt werden. Mindestens eine Einrichtung zur Inspektion von Defekten am Randbereich des Wafers ist vorgesehen, die derart ausgestaltet ist, dass die Einrichtung mindestens eine optische Einheit umfasst, die in Abhängigkeit von der Lage des Defekts gegenüber der Oberseite des Waferrandes oder der Unterseite des Waferrandes oder der Stirnseite des Waferrandes zur Aufnahme eines Bildes des Defekts positionierbar ist.
  • Die Inspektionseinrichtung besteht aus mehreren Arbeitsstationen und mindestens einem Substratzuführungsmodul. Die mehreren Arbeitsstationen sind derart aufgebaut, dass jeweils unterschiedliche Untersuchungen am Wafer durchzuführen sind und um eine Zentraleinheit herum gruppiert sind, wobei die Module derart ausgestaltet sind, dass sie beliebig gegeneinander austauschbar sind.
  • Im Folgenden sollen die Ausführungsbeispiele der Erfindung sowie die Vorteile anhand der beigefügten Figuren näher erläutert werden.
  • 1 zeigt eine perspektivische Darstellung einer Arbeitsstation zur Inspektion der Oberfläche von Wafern.
  • 2 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer Inspektionseinrichtung für Wafer, die aus einem Substratzuführmodul und mindestens drei Arbeitsstationen besteht.
  • 3 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung, wobei ein Objektiv, bzw. eine optische Einheit in Abhängigkeit von der Lage des Defekts am Waferrand derart geschwenkt werden kann, das ein Bild des Defekts aufgenommen werden kann.
  • 4 zeigt schematisch die Stellung der optischen Achse der optischen Einheit in Bezug auf den Randbereich des Wafers.
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung einer optischen Einheit zur Aufnahme eines Bildes eines Defekts auf der Oberseite, Unterseite oder Stirnseite des Waferrandes.
  • 6 zeigt eine schematische Darstellung der optischen Einrichtung zur Aufnahme eines Bildes eines Defekts am Waferrand, wobei die Einrichtung aus einem beweglichem Modul und einem ortsfesten Modul aufgebaut ist.
  • 7 zeigt eine andere Ausführungsform des Aufbaus der optischen Einrichtung aus einem beweglichen Modul und einem ortsfesten Modul.
  • 8 zeigt eine weitere Ausführungsform der optischen Einrichtung zur Aufnahme eines Bildes am Waferrand, die aus einem ortsfesten Modul und einem beweglichen, bzw. schwenkbaren Modul aufgebaut ist.
  • 9 zeigt eine weitere Ausführungsform der optischen Einrichtung zur Aufnahme eines Bildes eines Defekts am Waferrand, die aus einem ortsfestem Modul und einem um eine Drehachse schwenkbarem Modul besteht.
  • 10 zeigt eine weitere Ausführungsform der optischen Einrichtung zur Aufnahme eines Bildes vom Waferrand, bei dem das schwenkbare erste Modul mindestens zwei Objektive zur Bildaufnahme vorgesehen hat.
  • 11 zeigt eine weitere Ausführungsform der optischen Einrichtung, bei der zwei Objektive im schwenkbaren ersten Modul der Vorrichtung zur Aufnahme eines Bildes von Defekten am Waferrand, vorgesehen sind.
  • 12 zeigt eine weitere Ausführungsform der optischen Einrichtung zur Aufnahme eines Bildes eines Defekts vom Waferrand, bei dem im schwenkbaren ersten Modul ein Objektiv mit einer einzigen Vergrößerung vorgesehen ist und die weitere Vergrößerungsmöglichkeit im ortsfesten zweiten Modul angeordnet ist.
  • 13 zeigt eine schematische Ansicht eines Wafers, bei dem mehrere Defekte symbolisch am Rand des Wafers eingezeichnet sind.
  • In den unterschiedlichen Figuren werden für gleiche Elemente gleiche Bezugszeichen verwendet. Dies soll nicht als Beschränkung der Erfindung aufgefasst werden.
  • 1 zeigt in beispielhafter Weise eine perspektivische Ansicht einer Inspektionseinrichtung 3 für Wafer, bei der die erfindungsgemäße Vorrichtung Verwendung findet. Die Inspektionseinrichtung 3 umfasst ein Substratzuführungsmodul 1 und mindestens eine Arbeitsstation (hier nicht dargestellt; siehe 2). Ferner ist die Inspektionseinrichtung 3 mit einem Bildschirm 7 versehen, mit dessen Hilfe der Benutzer seine über die Bedieneingabe 6 vorgenommenen Eingaben kontrollieren kann. Ebenso werden dem Benutzer auf dem Bildschirm 7 die von der Arbeitsstation oder den Arbeitsstationen aufgenommenen Bilder von den Defekten auf dem Waferrand oder auf der Oberfläche des Wafers selbst visuell dargestellt. Ferner kann das Substrat direkt mit einem Mikroskop über einen Mikroskopeinblick 8 beobachtet und betrachtet werden. Das Substratzuführungsmodul 1 besitzt an der Vorderseite mehrere Beladezugänge (Load Ports) 2a, 2b, über die der Inspektionseinrichtung 3 Wafer zugeführt werden können.
  • 2 zeigt in schematischer Weise einen prinzipiellen Aufbau einer Inspektionseinrichtung 3, die intern mehrere Arbeitsstationen 9, 10, 12 aufweist. Hier sind spezielle Arbeitsstationen 9, 10, 12 dargestellt, es ist für einen Fachmann selbstverständlich, dass jegliche Art von Arbeitsstationen zu einer Inspektionseinrichtung 3 zusammengestellt werden können. Das Substratzuführmodul 1 ist in dieser Ausführungsform derart gegenüber der Inspektionseinrichtung 3 orientiert, dass es mit den Substraten von seiner Vorderseite 2 her über ein oder mehrere Beladezugänge (Load Ports) 2a, 2b beladen werden kann. Normalerweise sind zwei Beladezugänge 2a, 2b vorgesehen. Dabei werden offen gestaltete oder geschlossene Kassetten 4 verwendet, die manuell durch den Benutzer oder durch Automatisierung, z. B. mittels eines Roboters (nicht dargestellt) in die Beladezugänge 2a, 2b eingeführt werden. Die Kassetten 4 sind mit Wafern 6 gefüllt oder sie können auch leer sein, je nach vorgesehenem Arbeitsablauf. Beispielsweise können alle Kassetten 4 gefüllt sein und es werden Wafer 6 zuerst der einen Kassette entnommen, in die Inspektionseinrichtung 3 eingeführt und da nach dortiger Behandlung und Kontrolle wieder zurück in dieselbe Kassette 4 gebracht. Im Inneren des Substratzuführungsmoduls 1 ist ein Transportroboter 5 vorgesehen, der die Wafer 6 in die Inspektionseinrichtung 3 überführt. Die Anordnung des Substratzuführungsmoduls in 2 zeigt lediglich eine von mehreren Ausgestaltungsmöglichkeiten.
  • Die Inspektionseinrichtung 3 umfasst, wie bereits erwähnt, mehrere Arbeitsstationen 9, 10, 12. An den Arbeitsstationen 9, 10 und 12 werden an den Wafern 6 entsprechende Untersuchungen, Kontrollen und Inspektionen ausgeführt. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind in der Inspektionseinrichtung drei Arbeitsstationen, eine erste, eine zweite und eine dritte Arbeitsstation 9, 10, 12 vorgesehen. Zentral zwi schen den Arbeitsstationen 9, 10 und 12 ist ein Wechsler 14 für die Wafer 6 angeordnet. Der Wechsler 14 besitzt drei Arme 14a, 14b und 14c, mit denen gleichzeitig die einzelnen Arbeitsstationen 9, 10 und 12 mit den Wafern 6 versorgt werden können. Die erste Arbeitsstation 9 dient zur Übernahme aus dem Substratzuführungsmodul, bzw. zur Übergabe an das Substratzuführungsmodul 1. Die zweite Arbeitsstation 10 dient zum Ausrichten (Alignment), zur Bestimmung der Positionierung, bzw. zur visuellen Inspektion der Wafer 6. Zum Ausrichten der Wafer 6 ist der zweiten Arbeitsstation 10 eine Messeinrichtung 15 zugeordnet, die z. B. auf dem Wafer 6 aufgebrachte Marker detektiert und Kodierungen der Wafer 6 bestimmt. Ferner ermittelt die Messeinrichtung 15 die Abweichung von der positionsgenauen Ablage des Wafers 6 in der zweiten Arbeitsstation 10. Die so ermittelten Daten werden an eine zentrale Verarbeitungseinheit (nicht dargstellt) weitergeleitet. Die dritte Arbeitsstation 12 ist für die Mikroinspektion der Wafer 6 ausgebildet. Die dritte Arbeitsstation 12 besitzt einen X/Y-Tisch 17, der den Wafer 6 einem Mikroskop 16 zur Mikroinspektion zuführt. Das Mikroskop 16 ist in der hier offenbarten Ausführungsform mit einem Okular 20 versehen, das einem Benutzer die Möglichkeit bietet, eine visuelle Mikroinspektion der zu untersuchenden Wafer durchzuführen. Die Vorrichtung 40 zur visuellen Inspektion von Defekten auf der Oberseite, der Unterseite und/oder der Stirnseite des Wafers 6 ist der zweiten Arbeitsstation 10 zugeordnet. Die möglichen Ausgestaltungen der Vorrichtung zur Inspektion des Wafers 6 werden in den nachfolgenden 3 bis 11 näher erläutert. Eine Inspektionseinrichtung 3 kann dabei auch vollkommen modular aufgebaut sein. So könnte z. B. eine Zentraleinheit vorgesehen sein, um die sich alle Inspektionseinrichtungen, bzw. Inspektionselemente herum gruppieren. In jedem der vorgesehenen Inspektionselemente kann dabei eine andere Untersuchung am Wafer ausgeführt werden. Ebenfalls ist es denkbar, dass mehrere Untersuchungsmethoden an einem Inspektionselement durchgeführt werden. Die einzelnen Inspektionselemente sind dabei derart ausgebildet, dass sie jederzeit in ihrer Position an der Zentraleinheit ausgetauscht werden können. Die Vorrichtung und das Verfahren zur visuellen Bewertung von Defekten am Rand des Wafers kann dabei einem einzelnen Element zur Waferinspektion implementiert sein. Ebenfalls kann die Vorrichtung und das Verfahren auch zusätzlich zu einer anderen Verfahrens-, bzw. Inspektionsvorrichtung in einem Modul zusätzlich implementiert werden. Die Vorrichtung 40 zur Inspektion von Defekten auf der Oberseite 30, Unterseite 31 oder Stirnseite 32 des Waferrandes 6a kann der zweiten Arbeitsstation 10 zugeordnet sein. Es ist für einen Fachmann selbstverständlich, dass der zweiten Arbeitsstation 10 nicht nur eine Vorrichtung 40 zur Inspektion von Defekten auf der Oberseite 30, Unterseite 31 oder Stirnseite 32 des Waferrandes 6a zugeordnet ist, sondern mehrere.
  • 3 zeigt den schematischen Aufbau der Vorrichtung zur visuellen Bewertung von Defekten auf der Oberseite 30 des Waferrandes 6a, auf der Unterseite 31 des Waferrandes 6a und auf der Stirnseite 32 des Waferrandes 6a. Zur visuellen Inspektion der Defekte am Waferrand 6a muss gegenüber dem Waferrand 6a (Oberseite 30, Unterseite 31 oder Stirnseite 32) zumindest ein Mikroskopobjektiv 33 positioniert werden. Die Positionierung des Mikroskopobjektivs 33 erfolgt um eine senkrecht zur Zeichenebene angeordnete Drehachse 34.
  • Das Mikroskopobjektiv 33 besitzt eine optische Achse 33c (siehe 3 und 4) und ist in Bezug auf die Oberseite 30, die Unterseite 31 oder die Stirnseite 32 des Waferrandes 6a derart zu positionieren, dass die optische Achse 33c des Mikroskopobjektivs 33 senkrecht auf der jeweiligen Messposition bzw. Bildaufnahmeposition steht. Wie in 3 und 4 angedeutet, wird das Messobjektiv gemäß dem Doppelpfeil 37 um den Waferrand 6a geschwenkt und so in die erforderliche Position zur Bildaufnahme gebracht.
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung einer Ausführungsform der Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Rand 6a eines Wafers 6. Das Ergebnis der Bildaufnahme durch die Vorrichtung dient auch zur visuellen Bewertung der Defekte am Waferrand 6a. Die Vorrichtung ist eine optische Einheit 40, die zu einem Modul zusammengefasst ist, das von einem Gehäuse 40a umgeben ist. Die optische Einheit 40 ist dabei um die Drehachse 34 schwenkbar, so dass die optische Einheit 40 zur visuellen Inspektion der Defekte am Randbereich 6a des Wafers 6 einmal in eine Position geschwenkt werden kann, in der sie im Wesentlichen der Oberseite 30 des Waferrandes 6a gegenüberliegt. Die Positionierung der optischen Einheit 40 erfolgt im Wesentlichen so wie in 4 dargestellt. Ebenfalls kann die optische Einheit 40 in eine Position geschwenkt werden, in der die optische Einheit 40 der Unterseite 31 des Waferrands 6a gegenüberliegt. Auf alle Fälle wird die optischen Einheit 40 immer derart geschwenkt, dass die optische Achse 33c des gerade verwendeten Objektivs 33 auf dem Bereich senkrecht steht, der am Waferrand 6a aufgenommen werden soll. Es gibt also, wie aus 4 ersichtlich ist eine Vielzahl von Positionen für die Bildaufnahme. Obwohl in der Beschreibung im Wesentlichen drei Positionen beschrieben sind, soll dies nicht als Beschränkung der Erfindung aufgefasst werden. In einer dritten Position (wie in 5 gezeigt) liegt die optische Einheit 40 zur visuellen Begutachtung von Defek ten am Waferrand 6a (bzw. Randbereich des Wafers) direkt im Wesentlichen der Stirnseite 32 des Wafers 6 gegenüber. Die optische Einheit 40 umfasst dabei mindestens ein Objektiv 33, mit dem die Defekte mit einem definierten Bildfeld (nicht dargestellt) aufgenommen werden können. Ferner umfasst die optische Einheit 40 einen Detektor 44, der als CCD-Chip ausgebildet ist. Der Detektor 44 ist im Detektionsstrahlengang 48 angeordnet. Mit einem Strahlteiler 50 wird der Detektionsstrahlengang 50 und der Beleuchtungsstrahlengang 49 zusammengeführt. Im Beleuchtungsstrahlengang 49 ist die Beleuchtungseinrichtung 41 vorgesehen. Ebenso kann über einen Strahlteiler 45 das Licht 51 von einer Fokussiereinrichtung 42 mit dem Beleuchtungs-, bzw. Detektionsstrahlengang eingekoppelt werden. Im Detektionsstrahlengang 48 kann vor dem Detektor 44 ferner noch eine Linse, bzw. Optik 43 vorgesehen sein.
  • 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zur Aufnahme von Bildern von Defekten am Randbereich 6a eines Wafers 6. Die optische Einheit 40 ist dabei in ein erstes schwenkbares Modul 100 und ein starres, zweites Modul 110 unterteilt. Das schwenkbare erste Modul 100 und das starre zweite Modul 110 sind über ein Gelenk 105 miteinander verbunden. Das schwenkbare erste Modul 100 ist um die Drehachse 34 herum schwenkbar, so dass je nach Bedarf das schwenkbare erste Modul 100 Defekte auf der Oberseite 30 des Waferrandes 6a, auf der Unterseite 31 des Waferrandes 6a oder an der Stirnseite 32 des Waferrandes 6a detektieren kann. Das schwenkbare erste Modul 100 besitzt mehrere Spiegel 101, die das von der Waferoberfläche ausgehende Licht zu einem Objektiv 33 leiten, das im starren zweiten Modul 110 vorgesehen ist. Das Objektiv 33 ist dabei unmittelbar hinter dem Gelenk 105 angeordnet. Im starren zweiten Modul 110 ist die Fokuseinrichtung 42, eine Linse 43, eine Beleuchtungseinrichtung 41 und der Detektor 44, der als CCD-Chip ausgebildet ist, angeordnet. Ebenso sind zur Umleitung des Beleuchtungslichts und des Lichts für die Fokuseinrichtung 42 mehrere Spiegel, bzw. Strahlteiler 45, 50 im starren zweiten Modul 110 angeordnet.
  • 7 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der die optische Einheit 40 in ein drehbares erstes Modul 100 und ein starres zweites Modul 110 aufgeteilt ist. Wie bereits in 6 beschrieben, ist das bewegliche, bzw. schwenkbare Modul 100 mit dem starren Modul 110 über ein Gelenk 105 verbunden. Es ist von Vorteil, wenn im starren Modul Elemente vorgesehen sind, die schwer sind. Dies hat den Vorteil, dass somit mit dem schwenkbaren Modul 100 keine großen Massen bewegt werden müssen, was die Positionierung und das Alignment des schwenkbaren Moduls 100 erheblich erleichtert. Das starre zweite Modul 110 kann auch als Sensormodul be zeichnet werden. Im schwenkbaren Modul 110 ist ein Objektiv 33 angeordnet, das unmittelbar dem Rand des Wafers 6 gegenüberliegend positioniert werden kann. Das vom Objektiv 33 gesammelte Licht wird über mehrere Spiegel 101 zu dem Gelenk, bzw. zu der Drehachse 34 umgelenkt. Über das Gelenk 105 tritt das Licht in das starre Modul 110 ein und wird dort entsprechend am Detektor 44 aufgezeichnet.
  • In 8 ist eine Ausführungsform der Vorrichtung zur visuellen Bewertung von Defekten am Rand des Wafers dargestellt, die ähnlich der in 7 dargestellten Ausführungsform ist. Der Unterschied besteht darin, dass im starren ersten Modul 110 der optischen Einheit 40 unmittelbar vor dem CCD-Chip 44 ein Vergrößerungswechsler 102 vorgesehen ist. Der Vergrößerungswechsler 102 umfasst dabei mehrere Tubuslinsen mit einer Vergrößerung von 0,5-fach bis 2,5-fach, die in den Detektionsstrahlengang 48 vor den Detektor 44 eingebracht werden können.
  • 9 zeigt eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zur Bewertung von Defekten auf der Oberseite 30, der Unterseite 31 und der Stirnseite 32 des Waferrandes 6a, die mit der Ausgestaltung aus 8 vergleichbar ist. Die Ausführungsform in 9 unterscheidet sich von der Ausführungsform in 8 dadurch, dass im schwenkbaren ersten Modul 100 der optischen Einheit 40 mindestens ein Afokalsystem 103 vorgesehen ist. Hinzu kommt, dass im starren zweiten Modul 110 eine variable Aperturblende 104 unmittelbar nach dem Gelenk 105 vorgesehen ist.
  • 10 beschreibt eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Rand des Wafers 6. Im schwenkbaren Modul 100 ist ein Revolver 120 vorgesehen, der um eine Drehachse 34a drehbar ist. Die Drehachse 34a ist parallel zu der Drehachse 34 ausgerichtet, um die das gesamte schwenkbare erste Modul 100 drehbar, bzw. schwenkbar ist. Mit der Drehachse 34a können unterschiedliche Objektive 33a, 33b mit unterschiedlicher Vergrößerung gegenüber dem Waferrand 6a positioniert werden, um damit Bilder von den Defekten mit einer gewünschten Vergrößerung aufzunehmen. Die am Revolver 120 vorgesehenen Objektive 33a, 33b unterscheiden sich in ihrer Vergrößerung. Mittels eines Spiegelsystems 115 wird das vom jeweiligen Objektiv aufgenommene Licht in das starre zweite Modul 110 geführt. Das Licht gelangt über das Gelenk 105 in das starre zweite Modul 110.
  • Das in 11 dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt eine weitere Ausführungsform des in 10 dargestellten Ausführungsbeispiels. Hier ist der Revolver 120 durch einen Schieber 130 ersetzt. Der Schieber 130 trägt mindestens zwei Objektive 33a, 33b, die sich hinsichtlich ihrer Vergrößerung unterscheiden.
  • 12 zeigt eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung zur Bewertung von Defekten am Rand 6a eines Wafers 6, bei dem im schwenkbaren Modul 100 ein Objektiv vorgesehen ist, das eine feste Vergrößerung aufweist. Im starren Modul ist vor dem CCD-Chip 44 ein Vergrößerungswechsler 140 vorgesehen. Zwischen dem Vergrößerungswechsler 140 und dem CCD-Chip ist eine Aperturblende 150 angeordnet.
  • Mit der Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Rand eines Wafers soll eine Auflösung von 0,5 μm erzielt werden. Dabei soll eine numerische Apertur von >= 0,53 erreicht werden. Eine Schärfentiefe von <= 4,5 μm ist erforderlich, so dass die Vorrichtung ebenfalls ein Fokussystem 42, bzw. ein Autofokussystem enthält. Die Detektion wird mit einer Kamera durchgeführt, die einen CCD-Chip umfasst, der eine Pixelgröße von ungefähr 5 μm besitzt, so dass die Abbildung von einer 0,5 μm großen Struktur ca. 5 Pixel erfordert, was ungefähr eine 50-fache Vergrößerung ergibt. Wie in einigen Ausführungsbeispielen dargestellt, ist es möglich, eine schaltbare Vergrößerung im Bereich von 10-fach bis 50-fach vorzusehen. Die Realisierung dieser Auflösung ist durch ein festes Objektiv mit 20-facher Vergrößerung und schaltbaren Tubuslinsen von einer Vergrößerung 0,5-fach bis 2,5-fach möglich. Eine weitere Realisierung ist mit wechselbaren Objektiven, die eine Vergrößerung von 10-fach bis 50-fach aufweisen und einer festen Tubuslinse möglich. Bei einem Objektiv mit 50-facher Vergrößerung reduziert sich der Sehfelddurchmesser auf ungefähr 110 μm.
  • Wie bereits bei der Beschreibung der einzelnen Figuren dargelegt, besteht die Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Waferrand 6a in einer Ausführungsform aus einem schwenkbaren Modul 100 und einem starren Modul 110. Der Wafer 6 wird so gedreht, dass durch die Vorrichtung ein Bild des Defekts aufgenommen werden kann. Die Koordinaten des zu untersuchenden Defekts auf der Oberseite 30, der Unterseite 31 und der Stirnseite 32 des Waferrandes 6a können z. B. aus einer Arbeitsstation zur Inspektion des Waferrandes 6a stammen, die in der Inspektionseinrichtung angeordnet ist. Ferner ist es denkbar, dass die Koordinaten für einen zu untersuchenden Defekt aus einer Datenbank an die Dreheinrichtung für den Wafer übergeben werden, dass dieser entsprechend gedreht wird, damit der Defekt durch die Vorrichtung aufgenommen und bewertet werden kann. Anhand der Koordinaten des Defekts wird der Wafer so lange gedreht, bis der Defekt in der Schwenkebene der optischen Achse des Objektivs liegt. Gleichzeitig wird das Objektiv um die Wafertangente an die Defekt stelle, bzw. Position des Defekts geschwenkt, bis die optische Achse der Vorrichtung auf dem Defekt zielt. Schließlich folgt eine Feinpositionierung und eine Fokussierung, damit der Defekt effektiv durch die Vorrichtung abgebildet werden kann. Die Feinpositionierung und Fokussierung kann durch Verstellen des Wafertisches in X-/Y-/Z-Richtung erfolgen. Gegebenenfalls kann diese Verstellung auch mit einer Objektivfokussierung kombiniert werden.
  • 13 zeigt eine Draufsicht auf die Oberseite 30 eines Wafers 6. Der Wafer 6 besitzt einen Randbereich 90, auf dem mehrere Defekte 88 vorhanden sein können. Der Wafer 6 besitzt ebenfalls eine Stirnseite 32, die wie bereits vorstehend erwähnt, durch Schwenken der Vorrichtung 40 um eine Drehachse, aufgenommen wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2006/294969 A [0004]
    • - KR 102004094967 A [0005]
    • - US 7161669 [0006]
    • - JP 2006/64975 [0007]

Claims (26)

  1. Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers (6), mit mindestens einer Beleuchtungseinrichtung, die den Randbereich des Wafers beleuchtet, mit einem Detektor, der ein Bild des Randbereichs des Wafers (6) mit einer definierten Bildfeldgröße aufnimmt, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine optische Einheit (40) vorgesehen ist, die in Abhängigkeit von der Lage des Defekts (88) gegenüber einer Oberseite (30) des Waferrandes (6a) oder einer Unterseite (31) des Waferrandes (6a) oder einer Stirnseite (32) des Waferrandes (6a) zur Aufnahme eines Bildes des Defekts positionierbar ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Beleuchtungseinrichtung (41) derart gestaltbar ist, dass eine Vielzahl von Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden realisierbar sind.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden die Hellfeldbeleuchtung, die Dunkelfeldbeleuchtung, der Interferenzkontrast und der differenzielle Interferenzkontrast ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede der optischen Einheiten (40) als ein um eine Achse schwenkbares Modul ausgebildet ist, das mindestens ein Objektiv (33) zur Beleuchtung und Abbildung des Defekts, die mindestens eine Beleuchtungseinrichtung (41) und den Detektor (44) und eine Fokuseinrichtung (42) umfasst.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine optische Einheit (40) aus einem ersten, schwenkbaren Modul (100) besteht, das mindestens ein Objektiv (33) und eine Spiegelanordnung (101) umfasst, das über ein Gelenk (105) mit einem ortsfesten zweiten Modul (110) verbunden ist, das mindestens eine Optik (43) zur Beleuchtung und Abbildung des Defekts, die Beleuchtungseinrichtung (41), den Detektor (44) und eine Fokuseinrichtung (42) umfasst.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Einheit (40) aus einem ersten, schwenkbaren Modul (100) besteht, das eine Spiegelanordnung (101) umfasst, die über ein Gelenk (105) mit einem ortsfesten zweiten Modul (110) verbunden ist, das die Beleuchtungseinrichtung (41), den Detektor (44) und eine Fokuseinrichtung (42) umfasst.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass im Detektionsstrahlengang (48) vor dem Detektor (44) ein Vergrößerungswechsler (102) vorgesehen ist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass im Detektionsstrahlengang (48) vor dem Detektor (44) der Vergrößerungswechsler (102) vor dem Detektor (44) eine Pupille (150) besitzt.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass im ortsfesten zweiten Modul (110) nach dem Gelenk (105) eine variable Aperturblende (104) angeordnet ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine zum Objektiv (33) zusätzliche Linse (103) in dem schwenkbaren ersten Modul (100) vorgesehen ist.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Einheit (40) mindestens zwei Objektive (33a, 33b) und eine Spiegelanordnung (115) umfasst, die in einem schwenkbaren ersten Modul (100) angeordnet sind und wobei das schwenkbare erste Modul (100) über ein Gelenk (105) mit einem ortsfesten zweiten Modul (110) verbunden ist, das mindestens die Beleuchtungseinrichtung (41), den Detektor (42) und eine Fokuseinrichtung (42) umfasst.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Objektive (33a, 33b) auf einem drehbaren Revolver (120) angeordnet sind.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Objektive (33a, 33b) auf einem Schieber (130) angeordnet sind.
  14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Detektor (44) ein bildgebender Detektor, wie zum Beispiel ein CCD-Chip oder ein CMOS ist.
  15. Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers (6) gekennzeichnet durch die folgenden Schritte, dass an Hand von abgespeicherten Positionsdaten der Wafer derart positioniert wird, dass sich die Defekte zur Inspektion im Bildfeld mindestens einer optischen Einheit (40) befinden, dass die mindestens eine optische Einheit (40) zur Bildaufnahme mit einem Detektor (44) in Abhängigkeit von der Lage des Defekts gegenüber der Oberseite (30) des Waferrandrereichs oder der Unterseite (31) des Waferrandrereichs oder der Stirnseite (32) des Waferrandrereichs positioniert wird, und dass die aufgenommenen Bilder dem Benutzer auf einem Display dargestellt werden oder für eine spätere Weiterverarbeitung gespeichert werden.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Beleuchtungseinrichtung (41) vorgesehen ist, wobei die mindestens eine Beleuchtungseinrichtung (41) derart ausgestaltet ist, dass eine Vielzahl von Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden realisiert werden können.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden die Hellfeldbeleuchtung, die Dunkelfeldbeleuchtung, der Interferenzkontrast und der differenzielle Interferenzkontrast ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Einheit (40) aus einem schwenkbaren ersten Modul (100) und einem ortsfesten zweiten Modul (110) besteht, wobei das schwenkbare erste Modul je nach Bedarf um eine Achse (34) gedreht wird, und wobei im ortsfesten Modul mindestens eine Beleuchtungseinrichtung (41), der Detektor (44) und eine Fokuseinrichtung (42) vorgesehen werden.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass im Detektionsstrahlengang (48) des ortsfesten zweiten Moduls (110) vor dem Detektor (44) ein Vergrößerungswechsler (102) vorgesehen wird, mit dem je nach Auswahl die gewünschte Vergrößerung eingestellt werden kann.
  20. Verwendung mindestens einer Vorrichtung zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers in einer Inspektionseinrichtung für Wafer, wobei die Inspektionseinrichtung mehrere Einrichtungen zur Inspektion eines Wafers umfasst, dass mindestens ein Display vorgesehen ist, auf dem einem Benutzer aufgenommene Bilder der Defekte darstellbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Einrichtung zur Inspektion von Defekten am Randbereich des Wafers vorgesehen ist, die derart ausgestaltet ist, dass die Einrichtung mindestens eine optische Einheit umfasst, die in Abhängigkeit von der Lage des Defekts gegenüber der Oberseite des Waferrandes oder der Unterseite des Waferrandes oder der Stirnseite des Waferrandes zur Aufnahme eines Bildes des Defekts positionierbar ist.
  21. Verwendung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine optische Einheit mindestens eine Beleuchtungseinrichtung umfasst, die derart gestaltbar ist, dass eine Vielzahl von Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden realisierbar sind.
  22. Verwendung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsarten und/oder Kontrastmethoden die Hellfeldbeleuchtung, die Dunkelfeldbeleuchtung, der Interferenzkontrast und der differenzielle Interferenzkontrast ist.
  23. Verwendung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass jede der optischen Einheiten als ein um eine Achse schwenkbares Modul ausgebildet ist, das mindestens ein Objektiv zur Beleuchtung und Abbildung des Defekts, die mindestens eine Beleuchtungseinrichtung und den Detektor und eine Fokuseinrichtung umfasst.
  24. Verwendung nach einem der Ansprüche 20 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Einheit aus einem schwenkbaren ersten Modul und einem ortsfesten zweiten Modul besteht, wobei das schwenkbare erste Modul je nach Bedarf um eine Achse gedreht wird, und wobei im ortsfesten Modul mindestens eine Beleuchtungseinrichtung, der Detektor und eine Fokuseinrichtung vorgesehen werden.
  25. Verwendung nach einem der Ansprüche 20 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Inspektion aus mehreren Arbeitsstationen und mindestens einen Substrat-Zuführungsmodul aufgebaut ist.
  26. Verwendung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Arbeitsstationen derart aufgebaut sind, dass sie jeweils unterschiedliche Untersuchungen am Wafer durchführen, und um eine Zentraleinheit herum gruppiert sind, wobei die einzelnen Arbeitsstationen derart ausgestaltet sind, dass sie beliebig gegeneinander austauschbar sind.
DE102007047935A 2007-03-19 2007-12-21 Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer Withdrawn DE102007047935A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2008/051339 WO2008113638A2 (de) 2007-03-19 2008-02-04 Vorrichtung und verfahren zur inspektion von defekten am randbereich eines wafers und verwendung der vorrichtung in einer inspektionseinrichtung für wafer
US12/494,858 US20090279080A1 (en) 2007-03-19 2009-06-30 Device and method for the inspection of defects on the edge region of a wafer

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US89570007P 2007-03-19 2007-03-19
DE102007013655 2007-03-19
US60/895,700 2007-03-19
DE102007013655.4 2007-03-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007047935A1 true DE102007047935A1 (de) 2008-09-25

Family

ID=39713285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007047935A Withdrawn DE102007047935A1 (de) 2007-03-19 2007-12-21 Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090279080A1 (de)
DE (1) DE102007047935A1 (de)
WO (1) WO2008113638A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3201611A4 (de) * 2014-09-30 2018-07-04 Kla-Tencor Corporation Waferrandprüfung mit dem randprofil folgenden trajektorie

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007024525B4 (de) * 2007-03-19 2009-05-28 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bewertung von Defekten am Randbereich eines Wafers
US20110317003A1 (en) * 2010-06-02 2011-12-29 Porat Roy Method and system for edge inspection using a tilted illumination
US9726615B2 (en) 2014-07-22 2017-08-08 Kla-Tencor Corporation System and method for simultaneous dark field and phase contrast inspection
US10620052B2 (en) * 2015-08-10 2020-04-14 United States Gypsum Company System and method for manufacturing cementitious boards with on-line void detection

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040094967A (ko) 2003-05-06 2004-11-12 지에스인더스트리(주) 웨이퍼 에지 검사 장치
JP2006064975A (ja) 2004-08-26 2006-03-09 Olympus Corp 顕微鏡および薄板エッジ検査装置
JP2006294969A (ja) 2005-04-13 2006-10-26 Reitetsukusu:Kk ウエハ検査装置及びウエハの検査方法
US7161669B2 (en) 2005-05-06 2007-01-09 Kla- Tencor Technologies Corporation Wafer edge inspection

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200308B2 (ja) * 1994-11-04 2001-08-20 株式会社神戸製鋼所 円板周縁面検査装置
KR100492158B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
DE10352936A1 (de) * 2003-05-19 2004-12-30 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co Kg Verfahren und Vorrichtung zur optischen Qualitätsprüfung von Objekten mit vorzugsweise kreisförmig umlaufendem Rand
WO2004104566A1 (de) * 2003-05-19 2004-12-02 Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur optischen qualitätsprüfung von objekten mit vor­zugsweise kreisförmig umlaufendem rand
KR101060428B1 (ko) * 2003-07-14 2011-08-29 어거스트 테크놀로지 코포레이션 반도체와 같은 기판을 위한 에지부 검사 방법
US7013222B2 (en) * 2003-09-12 2006-03-14 Lsi Logic Corporation Wafer edge inspection data gathering
WO2006118152A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Olympus Corporation 外観検査装置及び外観検査方法並びに外観検査装置に装着可能な周縁部検査ユニット
JP2007240264A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Olympus Corp 観察装置及び端面欠陥検査装置
US7486878B2 (en) * 2006-09-29 2009-02-03 Lam Research Corporation Offset correction methods and arrangement for positioning and inspecting substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040094967A (ko) 2003-05-06 2004-11-12 지에스인더스트리(주) 웨이퍼 에지 검사 장치
JP2006064975A (ja) 2004-08-26 2006-03-09 Olympus Corp 顕微鏡および薄板エッジ検査装置
JP2006294969A (ja) 2005-04-13 2006-10-26 Reitetsukusu:Kk ウエハ検査装置及びウエハの検査方法
US7161669B2 (en) 2005-05-06 2007-01-09 Kla- Tencor Technologies Corporation Wafer edge inspection

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3201611A4 (de) * 2014-09-30 2018-07-04 Kla-Tencor Corporation Waferrandprüfung mit dem randprofil folgenden trajektorie

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008113638A2 (de) 2008-09-25
US20090279080A1 (en) 2009-11-12
WO2008113638A3 (de) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004029212B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von Mikrostrukturen im IR
DE102007010225B4 (de) Verfahren zur Aufnahme von hochauflösenden Bildern von Defekten auf der Oberseite des Waferrandes
DE102005061834B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum optischen Prüfen einer Oberfläche
EP2920577B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur mikroskopie einer vielzahl von proben
DE102007024525A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bewertung von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer
DE19739250C2 (de) Optische Erfassung von Freiformflächen
DE102009044151A1 (de) Vorrichtung zur optischen Waferinspektion
DE10209844B4 (de) Inverses Mikroskopsystem
DE102016011497A1 (de) Optische Untersuchungseinrichtung und optisches Untersuchungsverfahren mit sichtbarem und infrarotem Licht für Halbleiterbauteile
DE102007047935A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer
DE102017214189A1 (de) Verfahren zum Betrieb einer Mikroskopieranordnung und Mikroskopieranordnung mit einem ersten Mikroskop und mindestens einem weiteren Mikroskop
DE102017115963A1 (de) Eindruckhärteprüfgerät
WO2018234582A2 (de) Mikroskopsystem mit lichtblattmikroskopischer funktionseinheit
EP2454583A1 (de) Inspektionssystem
DE102008028869A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines scheibenförmigen Gegenstandes
DE10323139A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Hochauflösenden Fehlerfinden und Klassifizieren
DE102013211286A1 (de) Verfahren zur Vermessung eines Werkstücks mit einem optischen Sensor
WO2002033348A1 (de) Optische vermessung eines objektes mit koordinatenmessgerät, kamera und beleuchtungsquellen
EP1373961B1 (de) Mikroskopobjektivanordnung
DE102007002711A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche
DE10321091A1 (de) Mikroskop und Mikroskopierverfahren zur Erzeugung von Überlagerungsbildern
EP1211542B1 (de) Anordnung zur visuellen und quantitativen 3-D-Untersuchung von Proben
DE10303459A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kontrollieren des Randes eines scheibenförmigen Gegenstandes
DE3842144A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur pruefung von optischen systemen
DE10058100A1 (de) Verfahren und eine Anordnung zur Abtastung mikroskopischer Objekte mit einer Scaneinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20120703