KR20040094967A - 웨이퍼 에지 검사 장치 - Google Patents

웨이퍼 에지 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040094967A
KR20040094967A KR1020030028542A KR20030028542A KR20040094967A KR 20040094967 A KR20040094967 A KR 20040094967A KR 1020030028542 A KR1020030028542 A KR 1020030028542A KR 20030028542 A KR20030028542 A KR 20030028542A KR 20040094967 A KR20040094967 A KR 20040094967A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chuck
light
edge
driving unit
Prior art date
Application number
KR1020030028542A
Other languages
English (en)
Inventor
김희덕
Original Assignee
지에스인더스트리(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 지에스인더스트리(주) filed Critical 지에스인더스트리(주)
Priority to KR1020030028542A priority Critical patent/KR20040094967A/ko
Publication of KR20040094967A publication Critical patent/KR20040094967A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9503—Wafer edge inspection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

광 센서를 이용하여 웨이퍼 에지 부위의 깨짐과 같은 결함을 검출하기 위한 장치가 개시되어 있다. 웨이퍼는 척에 의해 파지되며, 광 센서의 발광부는 웨이퍼의 에지 부위로 광을 조사한다. 제1구동 유닛은 발광부로부터 조사된 광이 웨이퍼의 플랫 존 부위를 스캔하도록 척을 직선 운동시키며, 제2구동 유닛은 상기 조사된 광이 웨이퍼의 원주 부위를 스캔하도록 척을 회전 운동시킨다. 제3구동 유닛은 상기 조사된 광이 웨이퍼 에지 부위의 전면, 측면 및 후면을 스캔할 수 있도록 척을 틸팅시킨다. 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사된 광은 광 센서의 수광부에 의해 검출되며, 상기 반사된 광의 검출 여부에 의해 웨이퍼의 에지 부위 결함이 검출된다.

Description

웨이퍼 에지 검사 장치{Apparatus for inspecting the edge of a wafer}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 결함을 검사하기 위한 장치이다. 보다 상세하게는, 반도체 웨이퍼의 에지 부위에서 발생하는 칩핑(chipping) 현상과 같은 결함을 검출하기 위한 장치이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 트랜지스터 및 커패시터와 같은 전기 소자들과 이들을 전기적으로 연결하는 금속 배선들을 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 각각의 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각종 정보 통신 장치에 장착할 수 있도록 하는 패키징 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
최근, 반도체 장치의 집적도 향상과 웨이퍼의 대구경화에 따라 웨이퍼의 결함 원인이 더욱 다양해지고 있으며, 상기 결함의 원인 규명을 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 커지고 있다.
상기 검사 공정은 웨이퍼 표면의 결함 또는 불순물을 검사하는 공정으로 광학 현미경 또는 전자 현미경이 사용된다. 광학 현미경은 웨이퍼의 표면으로 광을 조사하기 위한 광원과, 웨이퍼의 표면을 고배율로 확대하기 위한 렌즈와 확대된 웨이퍼의 표면 이미지를 이미지 데이터로 변환하기 위한 CCD(charge coupled device) 메모리를 갖는 CCD 카메라를 포함한다. 전자 현미경에는 주사 전자 현미경(scanning electron microscope ; SEM)과 투과 전자 현미경(transmission electron microscope ; TEM) 등이 있다.
상기 웨이퍼의 결함 중에서 웨이퍼 에지 부위에서 발생하는 칩핑 현상은 후속 공정에서 웨이퍼가 완전히 파손되는 심각한 문제를 발생시킨다. 상기 칩핑 현상은 웨이퍼의 에지 부위가 깨지는 현상을 말하며, 이에 따라 발생하는 파티클은 반도체 장치의 제조 공정에서 웨이퍼를 오염시키는 원인으로 작용한다. 또한, 칩핑 현상은 후속 공정을 진행하는 동안 점차 진행하여 종국에는 웨이퍼의 완전 파손으로 이어진다. 상기와 같이 웨이퍼가 완전히 파손되는 경우, 공정을 수행하기 위한 장치에 심각한 오염을 초래하며, 제조 공정의 생산성을 크게 저하시킨다.
최근, 상기와 같은 웨이퍼의 에지 부위에서 발생하는 결함을 검출하기 위한웨이퍼 에지 결함 검사 장치에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 일 예로써, 일반적인 광학 현미경 또는 CCD 카메라를 이용한 웨이퍼 에지 검사 장치가 개발되어 사용되고 있다. 상기 웨이퍼 에지 검사 장치는 광학 현미경 또는 CCD 카메라를 이용하여 웨이퍼 에지 부위에 대한 이미지를 획득하고, 이미지 분석 프로그램 또는 작업자의 육안 검사에 의해 결함을 검출한다. 그러나, 이미지 분석 프로그램에 의한 결함 검출은 신뢰도가 낮다는 단점이 있으며, 작업자 육안 검사의 경우 작업자의 숙련도에 따라 신뢰도가 좌우되며 검사에 소요되는 시간이 길다는 단점이 있다. 따라서, 검사 결과의 신뢰도 향상 및 검사 시간의 단축에 대한 연구가 시급하게 요구되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼 에지 부위의 결함 검사에 있어서 검사 결과의 신뢰도를 향상시키고, 검사 시간을 단축시킬 수 있는 웨이퍼 에지 검사 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3a 및 도 3b는 웨이퍼 에지 부위의 결함 검사 공정을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 웨이퍼 에지 부위의 결함 검사 공정을 설명하기 위한 개략적인 측면도들이다.
도 5a 내지 5e는 웨이퍼의 틸팅 각도에 대한 웨이퍼 에지 부위 검사 공정을 설명하기 위한 개략적인 정면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 웨이퍼 에지 검사 장치 102 : 하우징
110 : 척 120 : 제1광 센서
122 : 수평 암 124 : 제2광 센서
126 : 제3광 센서 140 : 제1구동 유닛
146 : 수평 지지대 148 : 수직 지지대
150 : 제2구동 유닛 160 : 제3구동 유닛
170 : 제4구동 유닛 180 : 중앙 처리 유닛
190 : 디스플레이 W : 웨이퍼
We : 웨이퍼 에지 부위 We1 : 플랫 존 부위
We2 : 원주 부위
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼를 지지하기 위한 척과, 상기 척에 지지된 웨이퍼의 에지 부위와 인접하여 배치되고, 상기 에지 부위로 광을 조사하기 위한 발광부와, 상기 에지 부위로부터 반사된 광을 검출하기 위한 수광부를 포함하는 광 센서와, 상기 척과 연결되며, 상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 에지 부위를 스캔하도록 상기 웨이퍼를 핸들링하기 위한 핸들링 유닛과, 상기 반사된 광의 검출 여부에 따라 상기 웨이퍼의 에지 결함을 판단하며, 상기 결함이 검출된 위치를 산출하기 위한 중앙 처리 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 검사 장치를 제공한다.
일 예로써, 상기 핸들링 유닛은, 상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 플랫 존 부위를 스캔하도록 상기 척을 직선 운동시키기 위한 제1구동 유닛과, 상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 원주 부위를 스캔하도록 상기 척을 회전시키기 위한 제2구동 유닛과, 상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 에지 부위의 전면, 측면 및 후면에 조사되도록 상기 척을 틸팅시키기 위한 제3구동 유닛을 포함한다.
상기 제1구동 유닛은 상기 척을 지지하기 위한 수직 지지대와, 상기 수직 지지대로부터 연장되는 수평 지지대를 포함하며, 상기 제2구동 유닛은 상기 수평 지지대의 하부면에 결합되어 상기 수평 지지대를 관통하여 상기 척과 연결되고, 상기 제3구동 유닛은 상기 수직 지지대의 일측면에 결합되어 상기 수직 지지대를 관통하여 상기 수평 지지대와 연결된다.
상기 수평 지지대 상에는 상기 척에 지지된 웨이퍼의 플랫 존 부위와 원주 부위의 교차점을 찾기 위한 제2광 센서가 설치되며, 상기 핸들링 유닛은 하우징의 바닥 패널 상에 설치되고, 상기 광 센서는 상기 하우징의 상측 패널과 연결된다.
상기 광 센서의 발광부로부터 조사된 광은 상기 웨이퍼의 에지 부위로부터 반사되어 수광부에 의해 검출된다. 상기 웨이퍼의 에지 부위에 칩핑 결함이 없는 경우 상기 반사된 광은 정상적으로 수광부에 의해 검출되며, 칩핑 결함이 존재하는 경우 발광부로부터 조사된 광은 결함 부위에서 산란되어 정상적으로 수광부에 의해검출되지 않는다. 따라서, 웨이퍼 에지 부위의 결함 발생 여부는 웨이퍼의 회전 및 이동과 함께 실시간으로 검출되며, 이로 인해 웨이퍼 에지 부위의 결함 검사의 신뢰도가 향상되며, 검사 시간이 단축된다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 에지 검사 장치의 동작을 설명하기 위한 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지 검사 장치(100)는 웨이퍼(W) 에지 부위(We)에 광을 조사하고, 상기 웨이퍼(W) 에지 부위(We)로부터 반사되는 광의 검출 여부에 따라 웨이퍼(W) 에지 부위(We)의 결함 여부를 판단한다.
웨이퍼(W)는 척(110) 상에 지지되며, 척(110)을 통해 제공되는 진공압에 의해 척(110) 상에 고정된다. 상세히 도시되지는 않았으나, 척(100)의 상부면에는 상기 진공압이 제공되는 진공 채널이 형성되어 있다. 척(110) 상에 지지된 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)의 결함을 검사하기 위한 제1광 센서(120)는 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)와 인접하여 배치되어 있다. 도시된 바와 같이, 상기 제1광 센서(120)는 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)의 상부에 바람직하게 배치될 수 있으며, 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)로 광을 조사하기 위한 발광부(120a)와 상기 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)로부터 반사된 광을 검출하기 위한 수광부(120b)를 포함한다.
핸들링 유닛(130)은 제1광 센서(120)의 발광부(120a)로부터 조사된 광이 척(110) 상에 지지된 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)를 스캔하도록 웨이퍼(W)를 핸들링한다. 상기 핸들링 유닛(130)은 제1, 제2 및 제3구동 유닛(140, 150, 160)을 포함한다.
제1구동 유닛(140)은 상기 발광부(120a)로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼(W)의 플랫 존 부위(We1)를 스캔하도록 상기 척(110)을 직선 운동시키며, 상기 제2구동 유닛(150)은 상기 발광부(120a)로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼(W)의 원주 부위(We2)를 스캔하도록 상기 척(110)을 회전시키고, 상기 제3구동 유닛(160)은 상기 발광부(120a)로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)의 전면, 측면 및 후면에 조사되도록 상기 척(110)을 틸팅시킨다.
도시된 바와 같이, 상기 제1구동 유닛(140)은 제1회전력을 제공하기 위한 스텝 모터(142)와 상기 제1회전력을 직선 구동력으로 변환시키기 위한 볼 스크루 타입의 동력 전달 유닛(144)을 포함한다. 상기 동력 전달 유닛(144)은 볼 스크루와 볼 블록 및 리니어 가이드를 포함한다. 상기와 같은 동력 전달 유닛(144)의 구성은 다양하게 공지되어 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 그러나, 직선 구동력을 제공하기 위한 다양한 방식의 구동 장치(예를 들면, 유, 공압 실린더)가 제1구동 유닛으로 채용될 수 있다.
제2구동 유닛(150) 및 제3구동 유닛(160)으로는 회전각 제어가 가능한 스텝 모터가 사용될 수 있으며, 회전 속도 및 회전각 조절을 위한 감속기가 더 설치될 수도 있다.
제1구동 유닛(140)은 상기 척(110)을 지지하기 위한 수직 지지대(146)와 상기 수직 지지대(146)로부터 연장되는 수평 지지대(148)를 더 포함하며, 상기 제2구동 유닛(150)은 상기 수평 지지대(148)의 일측 단부 하부면에 결합되어 상기 수평 지지대(148)를 관통하여 상기 척(110)과 연결되고, 상기 제3구동 유닛(160)은 상기 수직 지지대(146)의 일측면에 결합되어 상기 수직 지지대(146)를 관통하여 상기 수평 지지대(148)와 연결된다.
또한, 상기 웨이퍼 에지 검사 장치(100)는 상기 제1구동 유닛(140)을 지지하며, 상기 제1구동 유닛(140)의 구동 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1구동 유닛(140)을 이동시켜 상기 척(110) 상에 지지된 웨이퍼(W)와 상기 제1광 센서(120) 사이의 상대적인 위치를 조절하기 위한 제4구동 유닛(170)을 더 포함한다. 도시된 바에 의하면, 제1구동 유닛(140)은 y축 방향으로 척(110)을 이동시키며, 제4구동 유닛(170)은 x축 방향으로 척(110)을 이동시킨다. 이때, 제4구동 유닛(170)은 제1구동 유닛(140)의 구성과 유사한 구성을 갖는다.
한편, 상기와 같은 웨이퍼 에지 검사 장치(100)의 구성 요소들을 장착하기 위한 하우징(102)이 더 구비되며, 상기 제4구동 유닛(170)은 상기 하우징(102)의 바닥 패널(104) 상에 설치되고, 상기 제1광 센서(120)는 상기 하우징(102)의 상측 패널(106)과 연결된다. 제1광 센서(120)는 상기 하우징(102)의 상측 패널(106)로부터 수평 방향으로 연장된 수평 암(122)의 단부에서 하방으로 설치된다.
도시된 바에 의하면, 하우징(102)은 전체적으로 사각 블록 형상을 가지며, 상기 구성 요소들을 설치하기 위한 내부 공간을 가지며, 전방 부위가 개방되어 있다. 수평 암(122)은 하우징(102)의 상측 패널(106)로부터 전방을 향하여 수평 연장되며, 수평 암(122)의 단부에는 제1광 센서(120)가 하방으로 설치되어 있다. 즉, 수평 암(122)은 도시된 y축 방향으로 연장되며, 제1광 센서(120)의 하부에는 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)가 배치된다.
수직 지지대(146)는 제1구동 유닛(140)의 볼 블록 상에 설치되며, 볼 블록으로부터 수직 상방으로 연장되어 있다. 수평 지지대(148)는 수직 지지대(146)로부터 수평 방향으로 연장되어 있으며, 수평 지지대(148)의 연장된 단부에 척(110)과 제2구동 유닛(150)이 연결되어 있다. 이때, 수평 지지대(148)는 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)가 제1광 센서(120)와 인접한 지점을 기준으로 틸팅되도록 도시된 y축 방향에 대하여 사선 방향으로 연장되며, 제3구동 유닛(160)은 수직 지지대(146)를 관통하여 수평 지지대(148)와 연결되어 있다.
한편 수평 지지대(148) 상에는 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 플랫 존 부위(We1)와 원주 부위(We2)의 교차점을 찾기 위한 제2광 센서(124)가 설치되어 있고, 척(110) 상에는 웨이퍼(W)의 안착 여부를 판단하기 위한 제3광 센서(126)가 설치되어 있다.
중앙 처리 유닛(180)은 제1광 센서(120)와 연결되며, 수광부(120b)에서의 광 검출 여부에 따라 웨이퍼(W) 에지 부위(We)의 결함을 검출한다. 즉, 웨이퍼(W)의 에지 부위(We)가 정상인 경우, 발광부(120a)로부터 조사된 광은 웨이퍼(W) 에지 부위(We)로부터 반사되어 수광부(120b)에서 검출되지만, 웨이퍼(W) 에지 부위(We)에 깨짐이 발생한 경우 발광부(120a)로부터 조사된 광은 깨진 부위에서 산란되어 수광부(120b)는 정상적인 반사광을 검출할 수 없다. 따라서, 수광부(120b)의 반사광 검출 여부가 웨이퍼(W) 에지 부위(We)의 깨짐 여부와 일치한다.
또한, 중앙 처리 유닛(180)은 제2 및 제3광 센서(124, 126)와 연결되며, 제1 내지 제4구동 유닛(140, 150, 160, 170)과 연결되며, 구동 유닛들의 구동 속도 및 순서 등을 각각 제어한다. 구체적으로, 웨이퍼(W)가 척(110) 상에 안착되면, 제3광 센서(126)는 웨이퍼(W)의 안착 여부를 감지하고, 웨이퍼 안착 신호를 중앙 처리 유닛(180)으로 전송한다. 이어서, 중앙 처리 유닛(180)은 제2구동 유닛(150)을 동작시켜 웨이퍼(W)의 플랫 존 부위(We1)와 원주 부위(We2)의 교차점을 검출한다. 즉, 제2구동 유닛(150)은 웨이퍼(W)를 저속으로 회전시키고, 제2광 센서(124)는 상기 교차점을 검출한다. 이때, 검출된 교차점은 웨이퍼(W) 에지 부위(We)의 검사 공정의 시작 위치가 된다.
한편, 중앙 처리 유닛(180)은 제1광 센서(120)에 의해 결함이 검출된 경우 제1 내지 제4구동 유닛(140, 150, 160, 170)의 구동 위치로부터 검출된 결함의 위치를 산출한다. 즉, 제1 내지 제4구동 유닛(140, 150, 160, 170)으로부터 전송된 구동 위치로부터 결함과 대응하는 위치를 산출할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제4구동 유닛(140, 170)에서 모터의 회전각에 따른 직선 이동 거리와, 제2 및 제3구동 유닛(150, 160)의 회전각으로부터 웨이퍼(W)의 결함 위치를 산출할 수 있다.
또한, 수광부(120b)로부터 검출된 반사광의 세기 및 반사광 미검출 시간과 같은 정보로부터 결함의 크기를 산출할 수 있다.
상기와 같이 산출된 결함의 크기 및 결함의 위치와 같은 데이터는 디스플레이(190)를 통해 작업자에 의해 확인 가능하며, 별도의 저장 매체에 저장되어 분석 자료 또는 후속 공정에서의 기초 자료로 사용될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 웨이퍼 에지 부위의 결함 검사 공정을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이고, 도 4a 및 도 4b는 웨이퍼 에지 부위의 결함 검사 공정을 설명하기 위한 개략적인 측면도들이다.
도 3a 내지 도 4b를 참조하면, 교차점이 검출된 상태에서 제1광 센서(120)는 상기 교차점 상부에 배치된다. 이때, 제3구동 유닛(160)에 의한 웨이퍼(W)의 틸팅 각도는 0°이다. 제1구동 유닛(140)은 상기와 같은 상태로부터 발광부(120a)로부터 조사된 광이 웨이퍼(W)의 플랫 존 부위(We1)를 스캔하도록 척(110)을 직선 운동시킨다.
플랫 존 부위(We1)에 대한 결함 검사가 종료되면, 제2구동 유닛(150)은 발광부(120a)로부터 조사된 광이 웨이퍼(W)의 원주 부위(We2)를 스캔하도록 척(110)을 회전 운동시킨다.
도 5a 내지 5e는 웨이퍼의 틸팅 각도에 대한 웨이퍼 에지 부위 검사 공정을 설명하기 위한 개략적인 정면도들이다.
도 5a 내지 도 5e를 참조하면, 웨이퍼(W)는 제3구동 유닛(160)에 의해 틸팅되며, 웨이퍼(W)의 틸팅 각도에 따라 발광부(120a)로부터 조사된 광이 도달되는 위치가 변화된다. 즉, 웨이퍼(W)의 틸팅에 의해 상기 조사된 광은 실질적으로 웨이퍼(W)의 에지 부위(We) 전체를 스캔할 수 있다.
도시된 바에 의하면, 웨이퍼(W)의 틸팅 각도가 각각 0°, 45°, 90°, 135°및 180°일 때의 상태가 도시되어 있으나, 웨이퍼(W)의 틸팅 각도는 검사 공정의 조건에 따라 자유롭게 변화될 수 있다.
한편, 각각의 틸팅 각도에서의 웨이퍼 검사 공정은 도 3a 내지 도 4b를 참조하여 설명한 내용과 동일하게 진행된다.
상술한 바와 같은 웨이퍼 에지 검사 공정은 육안으로 확인하기 어려운 결함까지도 검출할 수 있다. 이는 발광부(120a)로부터 조사된 광의 스폿 사이즈(spot size)의 크기를 조절함으로써 가능하며, 웨이퍼(W)의 깨진 부위의 크기가 스폿 사이즈보다 작은 경우 반사광의 세기가 변화되므로 상기와 같은 변화로부터 웨이퍼(W)의 깨진 정도를 산출할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 발광부로부터 조사된 광은 제1 및 제3구동 유닛의 동작에 의해 웨이퍼 에지 부위를 전체적으로 스캔하며, 상기 웨이퍼 에지 부위로부터 반사된 광의 검출 여부 또는 세기에 따라 웨이퍼 에지 부위의 깨짐과 같은 결함이 검출된다. 따라서, 웨이퍼 에지 부위의 검사 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 검사의 신뢰도를 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 에지 부위의 결함을 정확하게 검출함으로써, 후속 공정에서 발생할 수 있는 웨이퍼의 완전 파손 및 파손에 의한 오염을 사전에 방지할 수 있으므로, 반도체 장치의 성능 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 웨이퍼를 지지하기 위한 척;
    상기 척에 지지된 웨이퍼의 에지 부위와 인접하여 배치되고, 상기 에지 부위로 광을 조사하기 위한 발광부와, 상기 에지 부위로부터 반사된 광을 검출하기 위한 수광부를 포함하는 광 센서;
    상기 척과 연결되며, 상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 에지 부위를 스캔하도록 상기 웨이퍼를 핸들링하기 위한 핸들링 유닛; 및
    상기 반사된 광의 검출 여부에 따라 상기 웨이퍼의 에지 결함을 판단하며, 상기 결함이 검출된 위치를 산출하기 위한 중앙 처리 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 핸들링 유닛은,
    상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 플랫 존 부위를 스캔하도록 상기 척을 직선 운동시키기 위한 제1구동 유닛;
    상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 원주 부위를 스캔하도록 상기 척을 회전시키기 위한 제2구동 유닛; 및
    상기 발광부로부터 조사된 광이 상기 웨이퍼의 에지 부위의 전면, 측면 및 후면에 조사되도록 상기 척을 틸팅시키기 위한 제3구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1구동 유닛은 상기 척을 지지하기 위한 수직 지지대와, 상기 수직 지지대로부터 연장되는 수평 지지대를 더 포함하며,
    상기 제2구동 유닛은 상기 수평 지지대의 하부면에 결합되어 상기 수평 지지대를 관통하여 상기 척과 연결되고,
    상기 제3구동 유닛은 상기 수직 지지대의 일측면에 결합되어 상기 수직 지지대를 관통하여 상기 수평 지지대와 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 검사 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1구동 유닛을 지지하며, 상기 제1구동 유닛의 구동 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1구동 유닛을 이동시켜 상기 척 상에 지지된 웨이퍼와 상기 광 센서 사이의 상대적인 위치를 조절하기 위한 제4구동 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 검사 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 수평 지지대 상에 설치되며, 상기 척에 지지된 웨이퍼의 플랫 존 부위와 원주 부위의 교차점을 찾기 위한 제2광 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지 검사 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 핸들링 유닛과 광 센서를 장착하기 위한 하우징을 더 포함하며, 상기 핸들링 유닛은 상기 하우징의 바닥 상에 설치되고, 상기 광 센서는상기 하우징의 상측 부위에 설치되는 것을 특징으로 웨이퍼 에지 검사 장치.
KR1020030028542A 2003-05-06 2003-05-06 웨이퍼 에지 검사 장치 KR20040094967A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030028542A KR20040094967A (ko) 2003-05-06 2003-05-06 웨이퍼 에지 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030028542A KR20040094967A (ko) 2003-05-06 2003-05-06 웨이퍼 에지 검사 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040094967A true KR20040094967A (ko) 2004-11-12

Family

ID=37374215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030028542A KR20040094967A (ko) 2003-05-06 2003-05-06 웨이퍼 에지 검사 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040094967A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625322B1 (ko) * 2005-08-18 2006-09-15 세메스 주식회사 스피너 시스템 및 그의 인터락 제어 방법
KR100781451B1 (ko) * 2006-08-30 2007-12-03 동부일렉트로닉스 주식회사 센서를 이용한 웨이퍼 칩핑 검출장치
KR100833904B1 (ko) * 2006-11-06 2008-06-03 (주)스마트비전텍 웨이퍼의 결함 탐지방법 및 장치
DE102007047935A1 (de) 2007-03-19 2008-09-25 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer
KR101004294B1 (ko) * 2007-08-28 2011-01-03 가부시키가이샤 야마다케 에지 센서 및 결함검사장치
KR101246747B1 (ko) * 2011-04-29 2013-03-26 웅진에너지 주식회사 잉곳 검사 장치 및 이를 이용한 잉곳 검사 방법
WO2019198869A1 (ko) * 2018-04-13 2019-10-17 (주)넥서스원 웨이퍼의 에지 영역 검사장치 및 검사방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100625322B1 (ko) * 2005-08-18 2006-09-15 세메스 주식회사 스피너 시스템 및 그의 인터락 제어 방법
KR100781451B1 (ko) * 2006-08-30 2007-12-03 동부일렉트로닉스 주식회사 센서를 이용한 웨이퍼 칩핑 검출장치
KR100833904B1 (ko) * 2006-11-06 2008-06-03 (주)스마트비전텍 웨이퍼의 결함 탐지방법 및 장치
DE102007047935A1 (de) 2007-03-19 2008-09-25 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer
KR101004294B1 (ko) * 2007-08-28 2011-01-03 가부시키가이샤 야마다케 에지 센서 및 결함검사장치
KR101246747B1 (ko) * 2011-04-29 2013-03-26 웅진에너지 주식회사 잉곳 검사 장치 및 이를 이용한 잉곳 검사 방법
WO2019198869A1 (ko) * 2018-04-13 2019-10-17 (주)넥서스원 웨이퍼의 에지 영역 검사장치 및 검사방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100492158B1 (ko) 웨이퍼 검사 장치
KR100516405B1 (ko) 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치
KR101570618B1 (ko) 변위 검출 장치, 기판 처리 장치, 변위 검출 방법 및 기판 처리 방법
US6432800B2 (en) Inspection of defects on the circumference of semiconductor wafers
KR100296668B1 (ko) 웨이퍼검사장비및이를이용한웨이퍼검사방법
US7289661B2 (en) Apparatus and method for inspecting a substrate
US6768542B2 (en) Defect inspecting device for substrate to be processed and method of manufacturing semiconductor device
JP2002313863A (ja) 半導体ウェーハ検査用顕微鏡装置
US20100026996A1 (en) Surface inspection method and surface inspection apparatus
KR100976604B1 (ko) 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역검사방법 및 웨이퍼 정렬방법
JP2007225480A (ja) 表面検査装置
KR20040094967A (ko) 웨이퍼 에지 검사 장치
JP4876744B2 (ja) 検査装置
JP2017531787A (ja) エッジプロファイルに追従する軌跡を伴うウェハエッジ検査
JP2016025293A (ja) 基板保持検査方法および基板処理装置
US7113274B2 (en) Method and apparatus for inspecting a substrate
JP2009052966A (ja) 基板検査装置
JP2008021884A (ja) 検査装置
CN116031125A (zh) 一种离子植入机及晶圆固定板的角度确定方法
US20110248006A1 (en) APPARATUS AND METHOD of MANUFACTURING SPECIMEN
JP6493136B2 (ja) ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置
JP2018160691A (ja) 基板保持検査方法および基板処理装置
KR20190134275A (ko) 웨이퍼의 에지 영역 검사 시스템 및 검사 방법
KR100688022B1 (ko) 웨이퍼 검사장치
JP2005055265A (ja) Ｘ線分析装置、ｘ線分析方法、及び表面検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application