KR101060428B1 - 반도체와 같은 기판을 위한 에지부 검사 방법 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 표면 상의 결함을 탐지(도10의 302 단계)하기 위한 에지 검사 방법(도 10)은 웨이퍼 주연부를 포착하는 일 세트의 디지털 화상을 요구하는 단계를 포함한다. 상기 주연부 주위의 웨이퍼 에지가 결정된다. 각각의 디지털 화상은 복수개의 수평 밴드로 구획(도10의 306 단계)된다. 웨이퍼 주연부 주위에 인접한 에지 군집(도10의 314 단계)은 에지 화소 저장소로 결합된다. 에지 화소 저장소는 결함을 확인하기 위해 에지 군집 분석(도10의 316 단계)을 통해 분석된다. 에지 화소 저장소는 결함을 결정하기 위해 오점 분석(도10의 318 단계)을 통해서도 분석된다.
웨이퍼 에지, 디지털 화상, 화소 저장소, 군집 분석, 오점 분석

Description

반도체와 같은 기판을 위한 에지부 검사 방법{Edge Inspection Methods for Substrates, Such As Semiconductor}
본 발명은 미세 전자 기판과 같은 반도체 웨이퍼 또는 그와 유사한 기판의 에지부를 검사하는 검사 시스템에 관한 것이다.
지난 수 십년 동안, 반도체는 유용성 및 대중성에서 기하급수적으로 성장하였다. 반도체는 컴퓨터 또는 전자 시스템 발전을 도입하여 산업화된 사회에 영향을 끼치며, 통상적으로 과거에 어렵고 비용 및 시간 소모적이었던 많은 기계적 공정을 단순하고 신속한 전자 시스템 공정으로 개발하였다. 반도체 분야의 이러한 급속한 발전은 컴퓨터 및 전자 시스템에 대한 기업 및 개인의 끊임 없는 요구에 의해 촉진되었다. 따라서, 더 빠르고 향상된 컴퓨터 및 전자 시스템에 대한 필요가 존재한다. 이러한 필요를 만족시키기 위해, 반도체는 조립 라인, 실험실의 시험 장비, 개인용 컴퓨터, 또는 가정용 전자 제품 및 장난감 등 어느 곳에서나 품질 및 효율성이 요구된다.
반도체 생산자는 생상 공정의 품질, 속도, 및 효율 뿐만 아니라, 최종 생산 제품의 품질, 속도, 및 효율에서도 많은 개선을 이루었다. 그러나, 더 신속하고, 더 신뢰성 있으며, 더 높은 작업 수행성을 가지는 반도체에 대한 수요가 여전히 존재한다. 이러한 수요에 조력하기 위해, 양산성을 높이도록 더 나은 검사가 필요하 다. 반도체 웨이퍼에서 통상적으로 간과되었던 영역은 에지부이다. 상기 에지부의 검사는 결함에 대한 더 나은 정보로 이어져서, 공정 제어를 개선하고 웨이퍼 양산성을 개선할 것으로 생각된다.
과거에 반도체 웨이퍼의 에지부를 검사하기 위한 시도가 이루어질 때, 통상적으로 조작자의 육안을 이용하여 수동적으로 수행되었다. 사람에 의한 검사에 있어서, 반복, 훈련, 및 포착율은 변동하게 된다. 근래에, 에지부 검사는 최근 구조에서 양산성 문제를 유발하는, 얇은 필름의 박리, 웨이퍼의 조각 및 균열, 저항 제거율 측정, 및 입자 탐지를 위해 중요하다는 것이 발견되었다. 또한, 웨이퍼의 에지는 공정 상태의 주요한 지시계이고, 웨이퍼 에지의 외관 변화를 모니터함으로써, 더 긴밀한 공정 제어가 구현될 수 있다.
제안된 한 해결책은 웨이퍼의 수직 에지부에서 직접 관찰하는 레이저/아날로그 탐지기 기술이다. 상기 해결책은 입자 및 조각 분리물을 탐지하는 데 제한적인 장점을 제공하고, 화상 공정을 수행하지 않기 때문에 결함 분류에 제한적이다. 따라서, 에지부 검사의 개선이 여전히 요구된다.
웨이퍼 표면 상의 결함을 탐지하기 위한 에지부 검사 방법은 웨이퍼의 주연부를 포착하는 일 세트의 디지털 화상을 획득한다. 주연부 주위에서 웨이퍼의 에지가 결정된다. 각각의 디지털 화상은 복수개의 수평 밴드로 구획된다. 에지 근방에서 웨이퍼 주연부 주위의 군집(cluster)은 에지 화소 저장소에 결합된다. 에지 화소 저장소는 결함을 확인하기 위해 에지 군집 분석(cluster analysis)을 통해 분석된다. 에지 화소 저장소는 결함을 결정하기 위해 오점 분석(blob analysis)을 통해서도 분석된다.
본 출원인이 본 발명의 원리를 담도록 의도한 최상의 형태를 나타내는, 본 발명의 양호한 실시예는 후속하는 상세한 설명에 제시되어 있고, 도면에 도시되어 있으며, 첨부된 청구범위에 구체적이고 명백하게 지적되고 제시되어 있다.
도1은 에지부 검사 시스템의 일 실시예를 나타내는 개략적 도면이다.
도2는 도1에 나타난 에지부 검사 시스템에서 지시된 부분을 보다 상세하게 나타내는 개략적 도면이다.
도3은 에지부 검사 시스템의 또 다른 실시예를 나타내는 개략적 도면이다.
도4는 에지부 검사 시스템의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도5는 에지부 검사 시스템의 일 실시예를 나타내는 비스듬한 사시도이다.
도6은 에지부 검사 시스템의 일 실시예를 나타내는 전방 사시도이다.
도7은 에지부 상부 센서의 일 실시예를 나타내는 측면도이다.
도8은 에지부 수직 센서의 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도9는 반도체 웨이퍼의 에지부를 검사하는 방법의 일 실시예를 나타내는 흐름도이다.
도10은 반도체 웨이퍼의 수직 에지부를 검사하는 방법의 일 실시예를 나타내는 흐름도이다.
도11은 반도체 수직 에지부 탐지를 나타내는 부분 측면도이다.
도12a 및 도12b는 웨이퍼의 수직 에지부를 나타내는 부분 측면도이다.
도13은 다양한 웨이퍼의 수직 에지부 밴드의 강도를 나타내는 도면이다.
도14a 내지 도14c는 웨이퍼의 수직 에지부의 측방향 밴드 강도를 나타내는 그래프이다.
도면 전반에 걸쳐, 유사한 도면 번호는 유사한 부분을 지칭한다.
본 발명의 수직 에지부 검사 방법은 임의의 많은 에지부 검사 시스템에서 사용될 수 있다. 본 발명은 웨이퍼의 수직 에지부 표면을 따라 결함을 탐지하는 방법이다. 통상적으로, 본 발명의 웨이퍼의 수직 에지부에서 결함을 찾는 방법은 다음과 같은 단계, 즉, (1) 웨이퍼 에지부를 탐지하는 단계, (2) 화상을 표준화하는 단계, (3) 수평 밴드로 구획하는 단계, (4) 측방향 조명를 보정하는 단계, (5) 활성 참조 화상을 생성하는 단계, (6) 화상 에지부를 분석하는 단계, (7) 에지부 화소 저장소를 군집화하는 단계, (8) 에지부 군집을 분석하는 단계, (9) 다른 화상에서 오점을 분석하는 단계, (10) 통계적 조작 단계를 포함한다.
도1은 에지부 검사 시스템(100)의 일 실시예를 나타내는 개략적 도면이다. 에지부 검사 시스템(100)은 에지부 상부 센서(102), 에지부 수직 센서(104), 제어기(106), 베이스(108), 및 스테이지(110)를 포함한다. 에지부 상부 센서(102)는 카메라(112)를 포함하고, 에지부 수직 센서(104)는 카메라(114)를 포함한다. 스테이지(110)는 모터(116), 인코더(118), 지지판(120)을 포함한다. 모터(116)는 인코더(118) 및 지지판(120)에 결합되어서 지지판(120)을 회전시킨다. 인코더(118)는 모터(116)의 위치를 제어하는 계산을 제공한다. 지지판(120)은 웨이퍼(122)의 에지부(124)를 검사하기 위해 웨이퍼(122)를 지지한다. 제어기(106)는 통신 링크(126)를 통해 에지부 상부 센서(102)에 연결되고, 통신 링크(128)를 통해 에지부 수직 센서(104)에 연결되며, 통신 링크(132)를 통해 스테이징(130)에 연결된다. 제어기(106)는 웨이퍼(122)의 에지부(124)를 검사하기 위해 에지부 상부 센서(102), 에지부 수직 센서(104), 스테이징(130)을 제어한다.
도2는 도1에 도시된 에지부 검사 시스템(100)에서 지시된 부분을 보다 상세하게 나타내는 개략적 도면이다. 도2는 에지부 상부 센서(102), 에지부 수직 센서(104), 및 웨이퍼(122)의 에지부(124)를 도시한다. 웨이퍼(122)의 에지부(124)는 에지부 비드 제거(EBR) 라인(142)을 가지는 저항층(140), 에지부 배제 영역(144), 웨이퍼 에지부 빗면(146), 웨이퍼 하부(148)를 포함한다. 웨이퍼 에지부 빗면(146)은 상부 빗면(150), 웨이퍼의 수직 에지부(152), 하부 빗면(154)을 포함한다. 에지부 상부 센서(102)는 156으로 나타난 바와 같은 관찰 범위를 가진다. 에지부 수직 센서(104)은 158로 나타난 바와 같은 관찰 범위를 가진다. 에지부 검사 시스템(100)은 저항층(140), 에지부 배제 영역(144), 상부 빗면(150), 웨이퍼의 수직 에지부(152), 하부 빗면(154)을 포함하는 웨이퍼(122)의 에지부(124)를 따라 검사 및/또는 측정한다.
도3은 에지부 검사 시스템(160)의 다른 실시예를 도시하는 개략적 도면이다. 에지부 검사 시스템(160)은 에지부 상부 센서(102), 에지부 수직 센서(104), 제어기(106), 스테이징(130), 베이스(108)에 추가하여, 하부 에지부 센서(162), 카메라 (163), 통신 링크(164)를 포함한다.
본 실시예에서는, 웨이퍼(122)의 상부 및 하부 에지부가 모두 검사된다. 에지부 검사 시스템(160)은 에지부 검사 시스템(160)이 에지부 하부 센서(162), 카메라(163), 통신 링크(164)를 통해 웨이퍼(106)의 에지부(124)의 상부(도2) 및 하부를 모두 검사한다는 점을 제외하고, 에지부 검사 시스템(100)(도1)과 사실상 동일한 방식으로 에지부 검사를 수행한다.
도4 내지 도6은 에지부 검사 시스템(100)의 일 실시예의 다양한 도면을 도시한다. 도4는 에지부 검사 시스템(100)의 평면도를 도시하고, 도5는 비스듬한 사시도를 도시하며, 도6은 전방 사시도를 도시한다. 도7은 에지부 상부 센서(102)의 일 실시예의 측면도를 도시하고, 도8은 에지부 수직 센서(104)의 일 실시예의 사시도를 도시한다.
에지부 상부 센서(102)는 검사 센서이고, 도7에 도시된 바와 같이, 에지부 상부 카메라(112), 빔 스플릿터(166), 광학기(168), 명시야 광 또는 스트로브(170), 암시야 광 또는 스트로브(172), 백라이트(174), 서보 모터 및 초점 스테이지(명료함을 위해 도시되지 않음)을 포함한다. 에지부 상부 카메라(112)는 일 실시예에서 다른 파라미터가 사용될 수도 있지만, 다음과 같은 제원, 즉, 10 × 5 mm 관찰 범위(FOV), 5㎛ 해상도, 명시야 및 암시야 모드 모두에서 360° 연속 커버리지를 가지는 칼라 카메라이다.
에지부 수직 센서(104)는 검사 센서이고, 도8에 도시된 바와 같이, 에지부 수직 카메라(114), 스트로브(176A, 176B)와 같은 일 이상의 스트로브, 거울(177A, 177B)을 포함한다. 에지부 수직 카메라(114)는 일 실시예에서 웨이퍼(122)의 얇은 프로파일을 관찰하도록 위치된다. 카메라(114)는 일 실시예에서 다른 파라미터가 사용될 수도 있지만, 다음과 같은 제원, 즉, 4 × 2 mm 관찰 범위(FOV), 4㎛ 해상도, 혼합 모드 조명에서 360° 연속 커버리지를 가지는 단일 칩 칼라 카메라이다. 일 실시예에서, 일 이상의 스트로브(176A, 176B)는 혼합 모드 조명을 제공하도록 웨이퍼 에지부 빗면(146)에 입사하는 한편, 동시에 확산기(178)에 입사한다.
본 발명의 에지부 검사 시스템(100)은 일 실시예에서 반도체 웨이퍼와 같은 기판의 에지부를 검사하기 위해 사용된다. 예컨대, 에지부 검사 시스템(100)은 웨이퍼(122)의 에지부(124)를 검사할 수 있다. 에지부 검사 시스템(100)은 스트로브 광(176A, 176B)과 같은 스트로브 광을 에지부 수직 카메라(114)에 대응하도록 하고, 명시야 광(170) 및 암시야 광(172)(도7)을 에지부 상부 카메라(112)에 대응하도록 하는 상태로, 카메라(112, 114)와 같은 다중 카메라를 사용하는 유일한 시스템이다. 에지부 상부 카메라(112)와 에지부 수직 카메라(114)는 웨이퍼(122)의 에지부(124)의 상부와 웨이퍼의 에지부의 빗면(146)을 모두에 있어서 기판 또는 웨이퍼(122)의 주연부 주위의 화상 데이터를 획득하는 데 사용된다. 일 실시예에서, 에지부 수직 카메라(114)와 에지부 상부 카메라(112)는 각각 4㎛ 및 5㎛ 의 해상도를 가지고, 결함을 탐지할 수 있도록 특수 광 확산기를 가진다. 이러한 확산기(178)는 도4에서 에지부 수직 카메라(114)에 부착되어 도시되어 있다.
일 실시예에서, 에지부 검사 시스템(100)은 처리 및 분석을 위해 웨이퍼(122)의 주연부 100%에 대한 화상 데이터를 수집 또는 포착한다. 또한, 본 발명의 일 형태에 따르면, 화상은 보다 나은 결함 분류를 위해 채색된다. 또한, 스트로브(176A, 176B)는 에지부 수직 카메라(114)에 대해 더 깊은 관찰 깊이를 부여하여, 웨이퍼 에지부 빗면(146)에 초점을 맞출 필요 없이 웨이퍼 에지 빗면(146)을 손쉽게 검토할 수 있도록 한다. 또한, 에지부 상부 카메라(112)는 웨이퍼(122) 주위에서 2개의 데이터 통로를 포착한다. 제1 통로는 명시야 데이터인 한편, 제2 통로는 암시야 데이터이다. 이것은 저항 제거율 측정을 위해 EBR 라인(142)을 보다 신뢰성 있게 탐지하고, 표면 입자들 또는 매설된 입자들과 같은 입자 및 다른 오염물을 더 양호하게 탐지하고 분류하도록 한다. 일 실시예에서, 단일 웨이퍼로부터의 모든 데이터는 약 10초 이내에 수집되고 약 30초 이내에 처리된다.
에지부 상부 센서(102)의 작동에 있어서, 웨이퍼(122)는 모터(116)에 의해 회전된다. 일 실시예에서, 웨이퍼(122)는 모든 데이터의 수집을 보장하도록 약간의 오버랩을 제공하기 위해, 2회전 이상, 또는 보다 양호하게는 2.1 회전과 같이 완전한 2회전보다 조금 더 회전된다. 제1 회전시에, 명시야 스트로브(170) 및 백라이트(174)가 조명되고 화상이 웨이퍼(122)의 주연부 주위에 모인다. 상기 화상은 알고리즘이 결함, 웨이퍼 중심, 웨이퍼 에지, EBR 라인, 및 노치를 찾도록 상기 화상을 처리하는 제어기(106)로 보내진다. 웨이퍼(122)의 에지부 데이터는 에지부 수직 카메라(114)를 초점 맞춘 상태로 유지하도록 에지부 수직 카메라(114)의 운동 제어 시스템(명료함을 위해 도시되지 않음)으로 공급되는 한편, 에지부 수직 카메라(114)는 웨이퍼(122)의 에지부(124)를 검사한다. 제2 회전시에, 암시야 화상은 대응하는 백라이트 화상과 동일한 웨이퍼(122) 상의 위치에서 수집된다.
제1 회전시에 에지부 상부 카메라(112)에 의해 획득된 웨이퍼 에지부 데이터는 센서(104)를 초점 스테이지(182) 상에 이동시키도록 서보 모터(180)를 제어하여 에지부 수직 카메라(114)를 초점 맞추는 데 사용된다. 일 실시예에서, 확산기(178)와 작은 개구(184)를 구비한 두 개의 스트로브(176A, 176B)는 에지부 수직 카메라(114)에 대해 0.5 mm의 관찰 깊이를 가능하게 한다. 제2 회전시에, 수직 에지부 화상은 웨이퍼(122)의 주연부 100% 로부터 수집된다. 화상은 알고리즘이 결함을 찾도록 상기 화상을 처리하는 제어기(106)로 보내진다. 또한, 일 실시예에서, 에지부 수직 카메라(114)는 칼라 카메라이므로, 얇은 필름 변동, 입자, 박리, 잔류 저항, 슬러리 링 등과 같은 결함의 더 나은 포착 능력을 가능하게 한다.
에지부 검사 시스템(100)은 작동시에 웨이퍼(122)가 상부에 장착되는 지지판(120)을 가지는 스테이징(130)을 포함한다. 일 실시예에서, 스테이징(130)은 모터(116)와 인코더(118)를 포함하는 연속식 회전 스테이지이다. 일 실시예에서, 인코더(118)는 1회전 당 130만 회수인 인코더이다. 본 발명의 일 형태에서, 스테이지(130)는 지지판(120) 상의 정위치에 웨이퍼(122)를 유지하기 위해 진공부를 포함한다.
일 실시예에서, 에지 검사 시스템(100)은 일체화된 측정 모듈(IMM)을 위해 반도체 장비 및 재료(SEMI) 표준 3377C 초안으로 고안된 일체화된 측정 모듈로서 패키지된다. 상기 실시예에서, 에지 검사 시스템(100)은 300 mm BOLTS 계면과 같은 계면을 사용하여 장착포트에 부착된다. 일 실시예에서, 에지 검사 시스템(100)은 단일 로봇 및 제어기 주위에 군집되어서 취급 비용 및 검사 데이터 유동 비용을 절감하는 다중 검사 모듈의 일부이다. 또한, 이러한 신규한 다중 검사 모듈 접근은 일 이상의 동일한 형태의 모듈이 군집체에 부착되어 처리량 또는 추가량의 신뢰성을 개선할 수 있도록 한다.
전반적으로, 에지 검사 시스템(100)은 입자, 조각, 균열, 박리, 구리 과다, 저항 입자, 매설 입자 등과 같은 웨이퍼(122) 에지부(124)에 따르는 결함 및 변동을 탐지한다. 이러한 형태의 결함을 탐지하는 것은 재가공, 불연속 공정, 또는 공정 향상을 가능하게 하여서 더 나은 양산성을 성취하도록 한다. 일 실시예에서, 에지 검사 시스템(100)은 매우 신속(일 실시예에서 시간당 100 웨이퍼 이상)하여서, 형태 요소들이 작고, 저비용, 강건성 및 (특히, 칼라 화상에서) 오프라인 리뷰가 가능하다.
보다 상세하게는, 에지 검사 시스템(100)은 화상 처리 공정을 이용하여 EBR 및 웨이퍼 에지(EEW) 측정 모두 또는 그 중 어느 하나, 조각 및/또는 균열 검사, 오염 및/또는 입자 검사, 및 박리 검사를 포함하는 다양한 공정을 수행한다. EBR 및/또는 EEW 측정 단계는 웨이퍼(122)의 웨이퍼의 수직 에지부(152)로부터 저항층(140)의 EBR 라인(142)까지를 측정하기 위해 화상을 분석하는 단계를 포함한다. 조각 및/또는 균열 검사 단계는 웨이퍼의 수직 에지부(152), 상부 빗면(150), 및 하부 빗면(154)을 따르는 조각 또는 균열에 대한 화상을 분석하는 단계를 포함한다. 오염 및/또는 입자 검사 단계는 웨이퍼 에지부 빗면(146) 상에서나 웨이퍼(122)의 에지부 배제 영역(144) 내에서 발견되는 이상형(anomaly)에 대한 화상을 분석하는 단계를 포함한다. 박리 검사 단계는 웨이퍼의 수직 에지부(152), 상부 빗면(150), 및 하부 빗면(154)을 따라 층 분리 증거에 대한 화상을 분석하는 단계를 포함한다.
성능에 관하여, 웨이퍼의 형태 및 조건과 같은 많은 외부 요소들이 속도 및 정확성과 같은 성능 레벨에 영향을 준다. 그러나, 일 실시예에서, 에지 검사 시스템(100)은 다음과 같은 EBR 및/또는 EEW 측정 성능 특성, 즉, 완전히 360°를 포함하고 360°에 이르도록 연속 측정(이것보다 작은량이 선택될 수 있다)하면, 1° 증가, 50㎛ 정확성, 및 10 ㎛ 반복성의 성능 특성을 가진다. 조각 및 균열에 대해, 100 ㎛ 이상의 정확성이 제공된다. 오염 및 입자에 대해, 5 ㎛의 해상도 및 완전한 커버리지의 상부 에지부 및 수직 에지부가 제공된다. 전반적인 성능에 관하여, 본 발명의 일 형태에 따르면, 에지 검사 시스템(100)은 에지부 상부 센서(102) 및 에지부 수직 센서(104)를 이용하여 완전한 검사 당 약 20초, 웨이퍼 처리를 위해 약 12초, 시간당 약 120 개 이상의 웨이퍼(WPH)를, 완전 칼라 결함 화상 및 검사 당 다중 해상도를 수행할 수 있다.
도9는 반도체 웨이퍼(106)의 에지부(107)(도2)의 결함을 검사하는 방법(200)의 일 실시예를 나타내는 흐름도이다. 202 블록에서, 웨이퍼(106)는 스테이지(110) 상에 장착되고 지지판(108) 및 진공부에 의해 정위치에 유지된다. 204 블록에서, 제어기(118)는 센서(102)용 명시야 조명을 켠다. 206 블록에서, 제어기(118)는 모터(112)를 이용하여 스테이지(110) 상에서 웨이퍼(106)를 회전시키기 시작한다. 208 블록에서, 에지부 상부 센서(102)는 웨이퍼(106)의 상부 에지부(107)의 화상을 획득한다. 210 블록에서, 제어기(118)는 웨이퍼(106)의 제1 회전이 완 료되었는지 결정한다. 웨이퍼(106)의 제1 회전이 완료되지 않았다면, 제어는 206 블록으로 복귀하여, 웨이퍼(106)는 계속 회전하고 에지부 상부 카메라(102)를 이용하여 화상이 계속해서 획득된다. 웨이퍼(106)의 제1 회전이 완료되었다면, 212 블록에서, 웨이퍼(106)의 상부 에지부(107)의 화상은 제어기(118)에 의해 분석되고, 에지부 수직 센서(104)의 위치를 제어하여 에지부 수직 카메라(113)를 초점 맞춤 유지하도록 이용된다.
214 블록에서, 제어기(118)는 센서(102)용 명시야 조명을 끈다. 216 블록에서, 제어기(118)는 센서(102)용 암시야 조명을 켠다. 218 블록에서, 제어기(228)는 웨이퍼(106)를 회전시킨다. 220 블록에서, 에지부 상부 카메라(111)는 웨이퍼(106)의 상부 에지부(107)의 화상을 획득한다. 222 블록에서, 상기 상부 에지부 화상의 획득과 동시에, 에지부 수직 카메라(113)는 웨이퍼 에지부 빗면(129)의 화상을 획득한다. 224 블록에서, 제어기(118)는 웨이퍼(106)의 제2 회전이 완료되었는지 결정한다. 웨이퍼(106)의 제2 회전이 완료되지 않았다면, 제어는 218 블록으로 복귀하여, 웨이퍼(106)는 계속 회전하고 에지부 수직 카메라(104)를 이용하여 화상이 계속해서 획득된다. 웨이퍼(106)의 제2 회전이 완료되었다면, 226 블록에서, 웨이퍼(106)의 상부 에지부(107) 및 웨이퍼 에지부 빗면(129)의 화상은 임의의 결함의 위치를 찾아내도록 분석된다. 228 블록에서, 웨이퍼(106)는 스테이지(110)로부터 해제되고, 검사 공정을 완료한다.
도10은 웨이퍼(122)의 웨이퍼의 수직 에지부(152)와 같은, 반도체 웨이퍼의 수직 에지부를 검사하는 방법의 일 실시예를 나타내는 흐름도이다. 본 발명의 수 직 에지부 검사 방법은 도1 내지 도8을 참조하여 설명된 많은 에지부 검사 시스템(100) 중 임의의 시스템 상에서 사용될 수 있다. 통상적으로, 도10에 도시된 방법(300)은 웨이퍼의 수직 에지부(152)를 검사하고 현대 공장에서 양산성 문제에 영향을 줄 수 있는 박막의 박리, 웨이퍼의 조각 및 균열, 저항 제거율 측정, 및 입자 탐지로 인한 결함을 확인한다. 방법(300)은 다음과 같은 단계들, 즉, 웨이퍼 에지부 탐지 (302 단계), 화상 표준화 (304 단계), 수평 밴드로 구획 (306 단계), 측방향 조명 보정 (308 단계), 활성 참조 화상 생성 (310 단계), 화상 에지부 분석 (312 단계), 에지부 화소 저장소 군집화 (314 단계), 에지부 군집 분석 (316 단계), 다른 화상에서 오점 분석 (318 단계), 통계적 조작 (320 단계)을 포함한다. 일 실시예에서, 본 방법은 녹색 채널을 사용하여 모든 필수적인 화상 공정 단계를 수행한다. 적색 및 청색 채널은 모든 결함 영역에 대해서만 결정되어서, 칼라 결함 분석을 획득한다. 또 다른 실시예에서, 적색 및 청색 채널 공정은 모든 필수적인 화상 공정 단계에 포함될 수도 있다.
302 단계에서, 웨이퍼 에지부(124) 탐지가 이루어지고 도11에 보다 상세히 도시되어 있다. 도11에는 웨이퍼의 수직 에지부(402), 개략적 에지 탐지부(404A, 404B), 정밀 에지 탐지부(406A, 406B), 적어도 사각형 맞춤 라인(408A, 408B)을 포함한다. 영점을 지나는 에지 탐지기는 웨이퍼의 상하 측부를 전방 공정 영역으로 위치시키는 데 사용되며, 3 단계의 공정을 포함한다. 제1 단계로서, 상하 웨이퍼 측부의 개략적 탐지부(404A, 404B)가 화상 생성 개략적 탐지부의 중앙에 중심이 맞춰진다. 제2 단계로서, 정밀 에지 탐지부(406A, 406B) 샘플이 선행하는 개략적 탐 지부에서 가늠된 웨이퍼의 상하 측부를 따라 투사한다. 제3 단계로서, 적어도 사각형 맞춤 라인(408A, 408B)이 정밀 탐지 동안에 생성된 에지 샘플 위치를 사용하여 웨이퍼의 상하 측부에 대해 변수 대표값을 계산하는 데 사용된다.
인간 또는 로봇의 실수로 인해, 시험 화상의 원래 웨이퍼가 통상적으로 도12a에 도시된 바와 같이 경사진다. 이것은 후속하는 화상 공정을 위한 전방 화소 접근을 복잡하게 한다. 이러한 문제점을 경감하고 그에 따라 공정 시간을 감소하기 위해, 304 단계에서, 웨이퍼의 경사를 보정하기 위해 (302 단계로부터) 상하 측부에 대해 적어도 사각형 맞춤 라인(408A, 408B)을 이용하여 도12b에 도시된 바와 같이 새로운 표준화된 씬 화상(normalized scene image)이 생성된다. 상기 표준화된 화상은 그 화상이 검사 시스템(100)의 수평축에 평행하도록 정렬된다. 웨이퍼 에지의 높이는 식 (h1 + h2) / 2 에 의해 결정된다. 또한, 웨이퍼 이상형(410)은 표준화 공정 중에 변경되지 않는다. 웨이퍼의 수직 에지부 관찰면 바로 위 또는 아래에서 이상형을 찾기 위해, 표준화된 씬 화상은 도12b에 도시된 바와 같이 웨이퍼 전방 영역에 인접하여 소정의 후방 영역 밴드를 포함할 수 있다. 남은 공정 단계는 원래 시험 화상이 아닌 표준화된 씬 화상에 적용된다.
306 단계에서, 표준화된 씬 화상은 도13에 도시된 바와 같이 균일한 (또는 거의 균일한) 그림자인 수평 밴드로 구획된다. 이러한 구획은 씬 화상 내의 각각의 스캔 라인 상에서 평균 화소 강도의 수직 투사부 내의 매우 큰 강도의 변화를 탐지하여 성취된다.
전방 영역 바로 상부 및 하부에 있는 2개의 후방 밴드 뿐만 아니라 전방 영역 내부 영역도 분석된다. 일 실시예에서, 각각의 밴드는 최소 밴드 두께보다 얇지 않아야 한다. 도13에 도시된 바와 같은 일 실시예에서, 상부 및 하부 후방 밴드는 모두 소정의 유사한 밴드 두께를 가진다. 그러나, 전방 수평 밴드는 평균 에지 강도 이상인 전방 로컬 에지 최대치들 내의 각각의 스캔 라인의 수평 투사부에서 (캐니형(canny-type) 에지 필터링) 후의 로컬 에지 최대치들에 해당하는 Y 위치에서의 영역을 쪼개서 구획된다.
각각의 수평 밴드는 최대 Y 위치, 경미한 변동 보정, 및 높은 강도 에러 임계치을 가진다. 높은 강도 에러 임계치는 공정 영역에 대해 강도가 다른 화상을 생성하는 도중에 계산된다. 임계치는 낮은 절대 강도 에러를 가지는 잔류 화소로부터 최고 강도 에러 화소의 상위 소정 백분율(일 실시예에서, 상위 1 퍼센트)을 분리하는 절대 강도 에러 값이다.
웨이퍼 에지부 표면의 곡율과 시스템에 존재하는 광학 기계 장비로 인해, 좌측으로부터 우측까지 화상을 가로질러 균일하게 조명하기가 어렵다. 많은 경우에, 이것은 종종 큰 강도 변동으로 결과된다. 상기 강도 변동은 실제 결함을 나타내는 강도 변동과 균일하지 않은 조명 변화를 나타내는 강도 변동 사이를 구별하기가 쉽지 않기 때문에, 검사 성능을 저하시킬 수 있다. 308 단계에서, 측방향 조명 보정이 이루어지고 화상을 가로지르는 바람직하지 못한 조명 변화의 효과는 각각의 구획된 수평 밴드에 대해 근본적인 로컬 측방향 조명 에러를 감산하여 감소될 수 있다. 도14a, 도14b, 도14c에 도시된 바와 같이, 로컬 밴드의 측방향 강도 변동(도 14c)는 보정전 로컬 밴드 측방향 강도 변동(도14a)과 글로벌 측방향 강도 변동(도14b)을 결합하여 결정된다.
보다 구체적으로, 수평 밴드에 대한 로컬 측방향 조명 에러는 2개의 단계로 결정된다. 먼저, 각각의 수평 밴드에 대해 로컬 컬럼 강도 에러 벡터가 결정된다. 상기 로컬 컬럼 강도 에러 벡터는 특정 수평 밴드에서의 각각의 컬럼에 대한 평균 에러를 포함한다. 다시 말해, 로컬 에러 벡터는 각각의 컬럼의 평균 강도와 전체 수평 밴드의 전반적인 평균 강도 사이의 차이를 포함한다. 또한, 글로벌 컬럼 에러 벡터는 모든 로컬 컬럼 에러 벡터들에 의해 생성된다. 둘째, 각각의 수평 밴드에 대한 로컬 컬럼 에러 벡터는 글로벌 컬럼 에러 벡터의 일반적 경향을 따르는 한편 그것의 로컬 컬럼 변동의 대부분을 보유하도록 보정된다. 이러한 단계는 조명 에러에 의해 유발된 강도 변동으로부터 실제 결함에 의해 유발된 강도 변동을 분리하기 위해 필요하다.
310 단계에서, 도13에 도시된 수직 투사 강도와 도14c에 도시된 로컬 밴드 측방향 강도 변동은 결합되어서 활성 참조 화상 또는 결함 없는 웨이퍼 화상의 모델을 생성한다. 후속하는 공정 또는 방법에서, 이러한 모델은 오점 분석(318 단계)을 사용하여 웨이퍼 에지의 결함을 찾는데 이용된다.
필오프(peel-off)로 인한 결함과 같이 많은 웨이퍼 제조 결함의 경우에 있어서, 결함은 인접하여 있는 적절히 제조된 웨이퍼 섹션과 대비하여 구별되는 오점이 아니다. 대신에, 제조 결함은 그 결함 영역 및 결함의 직경 주위의 급격한 강도 변동의 작은 영역을 제외하고는 표면 강도와 잘 섞이는 강도를 가질 수 있다. 312 단계에서, 화상 에지부 분석이 수행된다. 각각의 수평 밴드에 대한 에지부 화소 또는 고주파 형태는 다수의 이웃한 화소와 비교하여 각각의 화소에 대한 로컬 강도 변동을 결정하여 향상된다. 비교적 작은 에지 화소 군집을 제거하고 수직 방향에서 수평 밴드들 사이의 내재적인 강도 변동을 없애기 위해 경험칙이 활용된다.
에지부 화소들은 통상적으로 작은 개별 군집들로 나타난다. 314 단계에서, 에지부 화소 저장소 군집은 시스템이 에지부 군집 그룹을 단일 결함 영역에 연합할 수 있도록 이웃한 에지부 군집들을 결합시키고 연결하는 단계를 포함한다. 각각의 수평 밴드는 저장소로 불리는 50 퍼센트 겹치는 수개의 수직 컬럼으로 분할된다. 상기 저장소 내의 모든 화소들은 단일 존재로 생각된다. 인접한 겹치는 저장소들은 에지부 화소들을 공유한다.
2가지 기술, 즉, 에지 군집 분석 및 오점 분석이 웨이퍼 상의 결함을 확인하는 데 사용된다. 316 단계에서, 일 실시예에서, 상기 에지 군집 분석은 120 %의 평균 에지부 화소 카운트보다 큰 바와 같이 현저히 높은 에지부 화소 카운트를 가지는 연속 세트의 비워지지 않은 저장소를 위해 에지 군집 저장소를 스캔한다. 일 실시예에서, 120 % 및 150 %의 평균 에지부 화소 카운트 사이의 에지부 화소 카운트를 가지는 연속 세트의 비워지지 않은 저장소를 위해 에지 군집 저장소를 스캔한다. 발견되었다면, 단일의 표면 변동 결함은 연속 세트의 현저한 비워지지 않은 에지부 화소 저장소의 인접한 사각형 영역으로 연합된다.
318 단계에서, 일 실시예에서, 오점 분석은 180%의 평균 화소 에러보다 큰 바와 같이 높은 화소 에러를 가지는 오점을 탐지하기 위해, 표준화된 씬 화상과 활 성 모델 참조 화상 사이의 차이 화상에 적용된다. 일 실시예에서, 오점 분석은 180 % 및 200 %의 평균 화소 에러 사이의 화소 에러를 가지는 오점을 탐지하기 위해, 표준화된 씬 화상과 활성 모델 참조 화상 사이의 차이 화상에 적용된다. 화소를 결함으로 분류할 최소 에러 임계값을 결정하기 위해, 간단한 자동 임계값 기술이 사용된다. 또한, 오점 분석은 각각의 에러 화소 오점과 대비되는 에지부 화소 카운트 및 직경을 점검한다. 이것은 앞서 논의한 바와 같이 조명 변동에 의해 유발된 과잉치사를 감소시키는 데 도움이 된다.
잠재적인 웨이퍼 결함을 찾기 위해 각각의 화상 프레임에 적용된 화상 공정 기술에 부가하여, 320 단계에서 웨이퍼에 대해 포착된 모든 화상 프레임을 가로질러 웨이퍼 에지를 따르는 수평 밴드에 대한 결함과 화상 형성 특성의 통계적 모델이 결정되고 구성된다. 예컨대, 화상 내에서 미세 해상도의 수평 밴드 영역의 조도 및 강도 측정이 유지된다. 웨이퍼에 대한 모든 화상 프레임의 검사 후에, 미세 밴드 통계 데이터가 역동적으로 결합되어서 각각의 화상 프레임에 대해 구획된 수평 밴드의 결함 및 화상 특성과 비교된다. 특정 결함이 모든 화상 프레임에서 지속되는 수평 밴드들에 대한 화상 특성의 결과라면, 상기 결함은 잠재적인 과잉치사로서 제거될 수 있다. 잠재적인 과잉치사의 일예는 모든 화상 프레임에 대해 지속적으로 높은 조도 측정을 사용하여 일 세트의 수평 밴드 내에서 발견되는 표면 변동 결함을 포함한다. 표면 변동 결함은 이러한 결함이 필연적으로 연마되지 않은 웨이퍼 영역의 내재적 특성이기 때문에 제거될 것이다. 마찬가지로, 통계적 데이터는 잠재적인 이탈의 확인하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 화상 프레임의 일 세트의 수평 밴드는 다른 화상 프레임에서의 유사 영역보다 더 밝거나 더 어두울 수도 있다. 이러한 수평 밴드는 필연적으로 하나의 화상 프레임보다 더 넓은 큰 필오프 영역이기 때문에 결함으로서 표시될 것이다.
수직 에지부 탐지 방법(300)과 함께 에지부 검사 시스템(100)은 웨이퍼의 수직 에지부를 그에 따른 결함을 확인하도록 검사한다. 제조 공정 중의 품질 제어는 매우 높아진다.
따라서, 본 기술 분야의 숙련자에 의해 이해될 수 있고 전술한 바와 같은 본 발명은 단순화되고, 상기 열거된 모든 목적을 달성하고, 종래 장치, 시스템, 및 공정에서 조우되는 어려움을 제거하며, 본 기술 분야의 문제점을 해결하고 새로운 결과를 얻을 수 있는, 효과적이고 안전하며 저렴하고 효율적인 장치, 시스템, 및 공정을 제공한다.
전술한 설명에서, 임의의 용어는 간단함, 명료함, 및 이해를 위해 사용되었지만, 이러한 용어들은 설명적인 목적을 위해 사용되었고 넓게 해석되도록 의도되었기 때문에, 종래 기술의 요구 조건을 넘어 불필요한 한정을 의미하는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 설명 및 묘사는 예시적인 것이고, 본 발명의 범주는 나타내고 설명되어진 정확한 세부 사항들에 한정되지 않는다.
본 발명의 특징, 발견, 및 원리를 지금까지 설명하였으므로, 본 발명이 구성되고 사용된 방법, 구성의 특징, 장점, 얻어진 새롭고 유용한 결과, 즉, 새롭고 유용한 구조, 장치, 요소, 배치, 부품 및 조합체들은 첨부된 청구항에서 제시된다.

Claims (10)

  1. 웨이퍼의 수직 에지부 표면 상의 결함을 탐지하기 위한 에지부 검사 방법이며,
    웨이퍼의 주연부를 포착하는 일 세트의 디지털 화상을 획득하는 단계와,
    웨이퍼의 주연부 주위에서 웨이퍼의 에지부를 결정하는 단계와,
    상기 각각의 디지털 화상을 복수개의 수평 밴드들로 구획하는 단계와,
    웨이퍼의 주연부 주위에서 인접한 에지부 군집들을 에지부 화소 저장소에 결합시키는 단계와,
    결함을 확인하기 위해 에지부 군집 분석을 통해 에지 화소 저장소를 분석하는 단계와,
    결함을 확인하기 위해 오점 분석을 통해 에지 화소 저장소를 분석하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 복수개의 구획된 수평 밴드 각각에 대해 결함의 통계적 모델을 구성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 웨이퍼의 수직 에지부 표면 상의 결함을 탐지하기 위한 에지부 검사 방법이며,
    웨이퍼의 주연부를 포착하는 일 세트의 디지털 화상을 획득하는 단계와,
    웨이퍼의 주연부 주위에서 웨이퍼의 에지부를 결정하는 단계와,
    상기 각각의 디지털 화상을 복수개의 수평 밴드들로 구획하는 단계와,
    웨이퍼의 주연부 주위에서 인접한 에지부 군집들을 에지부 화소 저장소에 결합시키는 단계와,
    결함을 확인하기 위해 에지부 군집 분석을 통해 에지 화소 저장소를 분석하는 단계를 포함하는 방법.
  4. 웨이퍼의 수직 에지부 표면 상의 결함을 탐지하기 위한 에지부 검사 방법이며,
    웨이퍼의 주연부를 포착하는 일 세트의 디지털 화상을 획득하는 단계와,
    웨이퍼의 주연부 주위에서 웨이퍼의 에지부를 결정하는 단계와,
    상기 각각의 디지털 화상을 복수개의 수평 밴드들로 구획하는 단계와,
    웨이퍼의 주연부 주위에서 인접한 에지부 군집들을 에지부 화소 저장소에 결합시키는 단계와,
    결함을 확인하기 위해 오점 분석을 통해 에지 화소 저장소를 분석하는 단계를 포함하는 방법.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294969A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Reitetsukusu:Kk ウエハ検査装置及びウエハの検査方法
JP5085953B2 (ja) * 2006-02-24 2012-11-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査装置
JP4827127B2 (ja) * 2006-03-24 2011-11-30 株式会社トプコン 検査装置
WO2007120491A2 (en) * 2006-04-03 2007-10-25 Rudolph Technologies, Inc. Wafer bevel inspection mechanism
JP5245212B2 (ja) * 2006-05-09 2013-07-24 株式会社ニコン 端部検査装置
WO2007129691A1 (ja) * 2006-05-09 2007-11-15 Nikon Corporation 端部検査装置
JP2007303853A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
US7616804B2 (en) * 2006-07-11 2009-11-10 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection and metrology
US7486878B2 (en) * 2006-09-29 2009-02-03 Lam Research Corporation Offset correction methods and arrangement for positioning and inspecting substrates
JP4886549B2 (ja) * 2007-02-26 2012-02-29 株式会社東芝 位置検出装置および位置検出方法
DE102007047935A1 (de) * 2007-03-19 2008-09-25 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion von Defekten am Randbereich eines Wafers und Verwendung der Vorrichtung in einer Inspektionseinrichtung für Wafer
US8488867B2 (en) 2007-10-23 2013-07-16 Shibaura Mechatronics Corporation Inspection device for disk-shaped substrate
JP5183146B2 (ja) * 2007-10-23 2013-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 円盤状基板の検査装置
JP5183147B2 (ja) * 2007-10-23 2013-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 円盤状基板の検査装置
ES2426763T3 (es) 2008-12-23 2013-10-25 Luvata Espoo Oy Un conjunto metálico que constituye un precursor para un superconductor y un procedimiento adecuado para la producción de un superconductor
DE102010026351B4 (de) * 2010-07-07 2012-04-26 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung einer Halbleiterscheibe
US20130162806A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Mitutoyo Corporation Enhanced edge focus tool
DE102012101301B4 (de) * 2012-02-17 2014-11-06 Kocos Automation Gmbh Vorrichtung zur berührungslosen Kantenprofilbestimmung an einem dünnen scheibenförmigen Objekt

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464705A (en) 1981-05-07 1984-08-07 Horowitz Ross M Dual light source and fiber optic bundle illuminator
US4823494A (en) 1987-12-17 1989-04-25 Waterman Phillip S Combination tip-up and hole cover

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5547537A (en) * 1992-05-20 1996-08-20 Kulicke & Soffa, Investments, Inc. Ceramic carrier transport for die attach equipment
JPH0694643A (ja) * 1992-09-17 1994-04-08 Kawasaki Steel Corp 表面欠陥検出方法
US5408537A (en) * 1993-11-22 1995-04-18 At&T Corp. Mounted connector pin test using image processing
WO1996039619A1 (en) * 1995-06-06 1996-12-12 Kla Instruments Corporation Optical inspection of a specimen using multi-channel responses from the specimen
US5859698A (en) * 1997-05-07 1999-01-12 Nikon Corporation Method and apparatus for macro defect detection using scattered light
US6324298B1 (en) * 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
JP2000114329A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Yuhi Denshi Kk 基板端部の研削面の検査方法とその装置
KR100361962B1 (ko) * 2000-02-03 2002-11-23 (주) 셀라이트 웨이퍼 테두리 결함 검사장치 및 검사방법
JP2001221749A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Hitachi Ltd 観察装置及び観察方法
JP3629244B2 (ja) * 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4464705A (en) 1981-05-07 1984-08-07 Horowitz Ross M Dual light source and fiber optic bundle illuminator
US4823494A (en) 1987-12-17 1989-04-25 Waterman Phillip S Combination tip-up and hole cover

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