JP2013534312A - ウェハのソーマークの三次元検査のための装置および方法 - Google Patents

ウェハのソーマークの三次元検査のための装置および方法 Download PDF

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Abstract

ウェハ(4)の少なくとも1つの表面(3)の上のソーマーク(2)の三次元検査のための装置(1)および方法が開示される。少なくとも1台のカメラ(6)が、ウェハ(4)の表面(3)全体の画像を捕捉するために必要とされる。少なくとも1台のラインプロジェクタ(8)が、中心ビーム軸(9)の回りに集中する光の束(5)を提供する。ラインプロジェクタ(8)は、中心ビーム軸(9)がウェハ(4)の平面(P)に関して鋭角(a)となるように配置される。ラインシフタ(12)は、各ラインプロジェクタ(8)とウェハ(4)の表面(3)との間の光の束(5)の中に位置決めされる。フレームグラバ(14)および画像プロセッサ(16)は、画像捕捉、およびウェハ(4)のオモテ面(3F)および/または裏面(3B)上の線(22)パターン(20)の位置を同期させ、調整するために使用される。

Description

(関連出願の相互参照)
本願は、2010年7月30日に出願された米国仮特許出願第61/368,543号に対する優先権を主張し、該出願は参照することにより本明細書に組み込まれる。
本発明は、ウェハの少なくとも1つの表面上のソーマーク(研削痕)の三次元検査のための装置に関する。
本発明は、ウェハの少なくとも1つの表面上でソーマークを決定するための方法にも関する。
シリコンウェハは、光電池(光ボルタ電池:photovoltaic cell)を製造するために使用される。各シリコンウェハは、特殊鋸を用いてインゴットから切り出される。ウェハの表面は、多様な欠陥がないか検査される必要がある。1つのタイプの欠陥は、シリコンインゴットからウェハを鋸で切断するプロセスによって生じる。鋸溝またはソーマークは、ウェハの通常は平坦な表面からの局所的な細長い三次元の逸脱(departure)のことである。各ソーマークは、鋸の摺動方向で、かつ太陽電池ウェハの表面で太陽電池ウェハに平行に引き伸ばされ、形成される。円筒形をしたインゴットの場合、ソーマークは、鋸が操作されるのと同じ方向に走る。立方体のインゴットの場合、ソーマークはウェハの1つの端縁にほぼ平行である。ソーマークの長さは、数センチメートルとウェハの全幅との間で変わることがある。さらに、ソーマークの幅および深さも変わることがある。太陽電池ウェハのソーマークの形およびステータスが、その太陽電池ウェハの品質に影響を与える。
JP2010−181328A号は、太陽電池ウェハの表面のソーマークの形成状態を検査する太陽電池ウェハ用試験装置を開示している。審査の対象である太陽電池ウェハは、表面に形成されるソーマークの長手方向に平行な方向でコンベヤによって運ばれる。試験装置には、フラッドライト、カメラ、およびコンピュータが備えられる。フラッドライト(投光照明)は、表面に対して斜めの方向に配置され、太陽電池ウェハの表面に対する細区分(サブディビジョン:sub-division)を照明するために適応される。照明の方向は、ソーマークの長手方向を垂直に横切る。フラッドライトは、たとえばハロゲンランプ、蛍光灯等である。拡散プレートは、太陽電池ウェハを明るくさせるための光を拡散するために使用される。カメラは太陽電池ウェハの表面の写真のデータを生成する。カメラの結像方向(光学軸方向)は、太陽電池ウェハの表面に斜めの方向であってよい。
JP2008−134196Aは、太陽電池ウェハの表面の写真が、太陽電池ウェハに存在する結晶粒界に従って光および暗黒の中にばらつきを有する技術を開示している。太陽電池ウェハの表面の写真では、ソーマークの画像の輝度は相対的に低い。したがって、ソーマークの画像は、欠陥の候補として正確に識別できない。
JP2005−345290A号は、高い輝度の所定数のピクセルを区分写真から抽出する技術を開示している。多くの場合、問題は、ソーマークの画像を、欠陥の候補として太陽電池ウェハの表面の写真から正確に抽出できない点である。したがって、一度にソーマークの1つの画像を区別する、ピクセルを中心とする所定の領域をセットアップすることは困難である。
JP2000−046743Aは、ある特定の方向の凹部および突出部が、特定の方向から平行に形成されるウェハに検査光を適用する。複数のLEDが半円形に配置され、照明方向は照明制御装置によって制御される。照明制御装置は、ターンテーブル上のウェハの初期状態で照明方向を設定し、ターンテーブルのエンコーダからの回転角度信号に基づいて角度のための照明方向を連続的に調整する。カメラは、ターンテーブルが特定の角度で停止すると、毎回ウェハの端縁部分の画像を捕捉する。画像処理装置はカメラから画像を捕捉し、画像処理によって欠陥を検出する。
独特許出願DE 10 2009 010 837 A1は、太陽電池を製造するために活用されるウェハ上の鋸引き溝(鋸溝)の存在を検査するための方法を開示している。方法は、レーザ光源によってウェハ上に光の線を投射すること、および運搬装置上でウェハを運搬することを含む。ウェハは、ウェハの連続運搬中に検査され、ウェハは、鋸引き溝が輸送方向に直角に位置合わせされるように運搬装置上に配置される。部分的な領域の画像が表面カメラを使用して記録されるように、ウェハの部分的な領域が調べられる。
先行技術の方法は欠点を示している。手動方法は低速であり、すべての太陽電池ウェハを検査しない。その結果、欠陥(ソーマーク)の検出は不十分である。さらに、多くの先行技術の方法は、あまり正確ではなく、あまり繰り返すことができない。
先行技術の方法のいくつかは、太陽電池ウェハの一部分だけを検査する。一方で、鋸溝またはソーマークがウェハのどこにでも存在することがある。特に、鋸溝の最も深い部分がウェハ上のどこかにあることもある。その結果、先行技術の方法は、溝を完全に見逃す、またはその深さを過小評価することがある。この結果、また欠陥の検出は不十分となる。
一方向だけで太陽電池ウェハを検査するいくつかの先行技術の方法がある。しかし、ウェハは移動するベルト上にあり、結果的にベルトの運搬方向に垂直な溝を検出し、測定できる。十分な検出を提供するために、これらの方法は、オペレータが、従前の鋸引きプロセスが発生した方向を知っていることを必要とする。すべてのウェハは、移動するベルトの上に同じ配向で置かれる必要がある。その結果、検査プロセスは低速となり、間違いがより起こりやすくなり、あまり柔軟ではなくなる。
本発明の目的は、鋸溝およびソーマークに関してウェハの表(オモテ)面および/または裏面の全体の自動的で高速かつ信頼性が高い三次元検査を提供する装置を作成することである。
この目的は、
視野を画定し、ウェハの平面を撮像するように配置される少なくとも1台のカメラであって、視野が、ウェハの表面の少なくとも一部が捕捉されるように設計される、少なくとも1台のカメラと、
中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する少なくとも1台のラインプロジェクタであって、少なくとも1台のラインプロジェクタが、中心ビーム軸がウェハの平面に対して鋭角に配置されるように配置され、少なくとも1台のラインプロジェクタが少なくとも1つの光源からの光を提供され、ウェハのオモテ面および/または裏面に複数の線のパターンを投射し、それによってウェハのオモテ面または裏面の表面の少なくとも一部をカバーするように適応される、少なくとも1台のラインプロジェクタと、
ラインプロジェクタとウェハの表面との間の光の束の中に位置決めされる少なくとも1台のラインシフタと、
フレームグラバ(1フレームの画像を取得する部材)および画像プロセッサであって、ウェハのオモテ面または裏面の画像捕捉が、ウェハのオモテ面および/または裏面の線のパターンの位置と協調してフレームグラバによって同期される、フレームグラバおよび画像プロセッサと、
を含む、ウェハの少なくとも1つの表面上のソーマークの三次元検査のための装置によって達成される。
鋸溝およびソーマークに関してウェハのオモテ面および/または裏面の全体の自動的で高速かつ信頼性が高い三次元検査を提供する方法を作り出すことが、本発明の追加の目的である。
上記目的は、
少なくとも1台のラインプロジェクタを提供するステップと、
ウェハの少なくとも1つの表面の上に第1の配向の線の第1のパターンを投射するステップと、
ウェハの表面の複数の第1の画像の第1のセットを捕捉するステップであって、複数の線の第1のパターンの画像のそれぞれについて、前記複数の線が、複数の線の第1のパターンの配向に垂直に、明確な距離シフトされている、捕捉するステップと、
ウェハの表面上に第2の配向の線の第2のパターンを投射するステップと、
ウェハの表面の複数の第2の画像の第2のセットを捕捉するステップであって、複数の線の第2のパターンの画像のそれぞれについて、前記複数の線が、複数の線の第2のパターンの配向に垂直に、明確な距離シフトされている、捕捉するステップと、
前記第1の画像のセットから結合された第1の画像を生成し、前記第2の画像のセットから結合された第2の画像を生成し、それによって結合された第1の画像から複数の第1の画像の改善されたセット、および結合された第2の画像から複数の第2の画像の改善されたセットを計算するステップと、
第1の画像の改善されたセットの内の少なくとも1つにおいて、および第2の画像の改善されたセットの内の少なくとも1つにおいて溝を検出するステップと、
第1の画像の改善されたセットまたは第2の画像の改善されたセットの内の少なくとも1つの画像内で検出された溝の深さを測定するステップと、
第1の画像の改善されたセットの画像、および第2の画像の改善されたセットの画像を横断する溝の深さを平均するステップと、
ウェハの表面上の検出された溝の深さおよび場所および配向を文書化するステップと、
を含む、ウェハの少なくとも1つの表面でソーマークまたは鋸溝を決定するための方法によって達成される。
線の第2のパターンが第2の配向でウェハの表面上に投射される場合、ウェハの表面の第2の画像の第2のセットが捕捉され、線の第2のパターンの画像ごとに、線が、線の第2のパターンの第2の配向に垂直に、明確な距離シフトされる。線の第1のパターンは、線の第2のパターンと同一であってよい。唯一の相違点は、線の第1のパターンが、線の第2のパターンに平行ではない点である。
本発明の装置の一実施形態では、1台のカメラが提供される。カメラは視野を画定し、ウェハの平面に垂直に配置される。カメラの視野は、ウェハの表面全体が、またはウェハの表面の少なくとも一部が捕捉されるように設計される。ウェハの表面上の鋸溝の配向が既知である場合、1台のラインプロジェクタで十分である。単一のラインプロジェクタだけが使用される場合、鋸溝が、ウェハの表面上に投射される線のパターンに平行ではないように、定められた配向でウェハを装填する装填装置が必要とされる。ラインプロジェクタは、ウェハの表面上に、中心ビーム軸の回りに集中する光の束を投射する。ラインプロジェクタは、中心ビーム軸がウェハの平面に関して鋭角に配置されるように配置される。光源は、ラインプロジェクタに光を提供する。ラインプロジェクタは、ウェハのオモテ面または裏面を、線のパターンで照明し、それによってウェハのオモテ面または裏面の完全な表面をカバーするように適応される。ラインシフタは、ラインプロジェクタとウェハの表面との間の光の束の中に位置決めされる。フレームグラバおよび画像プロセッサは同調して、ウェハのオモテ面または裏面の画像捕捉を同期させ、フレームグラバは、ウェハのオモテ面または裏面の線のパターンの位置を調整する。
本発明の装置の別の実施形態では、第1のラインプロジェクタおよび第2のラインプロジェクタが提供される。第1のラインプロジェクタは、中心ビーム軸がウェハの平面に関して鋭角に配置されるように配置される。さらに、第1のラインプロジェクタは、ウェハのオモテ面または裏面の上に第1の配向で複数の線のパターンを投射し、それによってウェハのオモテ面または裏面の完全な表面をカバーするように適応される。第2のラインプロジェクタは、中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する。さらに、第2のラインプロジェクタは、中心ビーム軸がウェハの平面に関して鋭角に配置されるように配置される。第2のラインプロジェクタは、光源からい光を提供され、ウェハのオモテ面または裏面の上に第2の配向で複数の線のパターンを投射し、それによってウェハのオモテ面または裏面の完全な表面をカバーするように適応される。第1のラインプロジェクタおよび第2のラインプロジェクタは、ウェハの同じ面で複数の線の第1のパターンおよび第2のパターンを投射する。ウェハの表面は、それぞれオモテ面または裏面である。ラインシフタは、それぞれ、第1のラインプロジェクタとウェハの表面との間、および第2のラインプロジェクタとウェハの表面との間のそれぞれの光の束の中に位置決めされる。第1のラインプロジェクタおよび第2のラインプロジェクタのこの配置は、ウェハの表面上の鋸溝またはソーマークの配向について入手できる情報がない場合に有利である。
本発明の追加の実施形態は、ウェハのオモテ面および裏面を同時に捕捉できるようにする。本発明の装置は、2台のカメラを含む。各カメラが視界を画定し、ウェハのオモテ面およびウェハの裏面の平面に垂直に配置されている。2台のカメラの視野は、ウェハのオモテ面全体および裏面全体がそれぞれ捕捉されるように設計される。少なくとも1台の第1のラインプロジェクタは、中心ビーム軸の回りで集中する光の束を提供し、第1のラインプロジェクタは、中心のビーム軸が、ウェハの平面およびオモテ面それぞれに関して鋭角で配置されるように配置される。少なくとも1台の第2のラインプロジェクタは、中心ビーム軸の回りで集中する光の束を提供し、第2のラインプロジェクタは、中心のビーム軸が、ウェハの平面および裏面それぞれに関して鋭角で配置されるように配置される。ラインシフタは、各ラインプロジェクタとウェハの表面との間の光の束の中に位置決めされる。
ウェハと少なくとも1台のラインプロジェクタとの間で相対的な回転を可能にするための移動手段が提供されてよい。相対的な回転は、ウェハの平面に関して少なくとも1台のラインプロジェクタの鋭角が維持されるようにである。移動手段を用いると、ウェハの表面上に第2の配向で複数の線の第2のパターンを投射することができる。好ましくは、線の第1のパターンの線は、線の第2のパターンの線に垂直である。一実施形態に従って、移動手段は、線の第1のパターン、および線の第2のパターンが次々にウェハの表面上に投射できるようにウェハを回転する。別の可能性は、ラインプロジェクタが、ウェハの表面に対して枢動されることである。第1の配向では、ラインプロジェクタは線の第1のパターンを投射し、第2の配向では、ラインプロジェクタはウェハの表面の上に線の第2のパターンを投射する。フレームグラバおよび画像プロセッサは、ウェハの表面上に投射される線の第1のパターンおよび線の第2のパターンの画像捕捉、光の束の中のラインシフタの位置、および互いに対するウェハおよびラインプロジェクタの相対的な回転位置を同期させる。
本発明の追加の実施形態は、ソーマークの三次元検査のための装置が、視野を画定し、ウェハの平面を撮像するように配置される少なくとも1台のカメラを有するように設計され、視野は、ウェハの表面の少なくとも一部が捕捉されるように設計される。ソーマークがカメラの視野内で画定された配向にあるように、ウェハを装填するための手段が提供される。少なくとも1台のラインプロジェクタが、中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供し、少なくとも1台のラインプロジェクタが、中心ビーム軸がウェハの平面に関して鋭角に配置されるように配置され、少なくとも1台のラインプロジェクタが少なくとも1つの光源からの光を提供され、ウェハのオモテ面および/または裏面に複数の線のパターンを投射し、それによってウェハのオモテ面または裏面の表面の少なくとも一部をカバーするように適応される。少なくとも1台のラインシフタが、ラインプロジェクタとウェハの表面との間の光の束の中に位置決めされる。フレームグラバおよび画像プロセッサは、ウェハのオモテ面または裏面の画像を捕捉するように要求される。さらに、フレームグラバは、ウェハのオモテ面および/または裏面の上の線のパターンの位置を調整するためにトリガされる。ウェハを装填するための手段は、ソーマークの第2の配向でウェハの画像を捕捉するために、異なる配向でウェハを装填するために使用できる。
本発明の方法の追加の実施形態は、ウェハを定められた配向で装置の中に送電できるようにソーマークの配向を決定する必要がある点である。ウェハの表面上でソーマークを検出するためには、1台のプロジェクタしか必要とされない。ラインプロジェクタは、複数の線のパターンをウェハのオモテ面または裏面に投射し、それによってウェハのオモテ面または裏面の表面の少なくとも一部をカバーする。線のパターンは、ソーマークに対して斜めに(平行ではなく)配向される。好ましい実施形態では、線は、ソーマークにほぼ垂直に配向される。ウェハの表面の第1の画像の第1のセットが捕捉され、線の第1のパターンの画像ごとに、線は、線の第1のパターンの配向に垂直に、明確な距離シフトされる。第1の画像のセットからの結合された第1の画像が生成され、それによって結合される第1の画像から第1の画像の改善されたセットを計算する。溝は、第1の画像の改善されたセットの少なくとも1つで検出される。最後に、平均し、文書化するステップが実施される。
線の第1のパターンは、ソーマークに対して斜めに配向される。最も好ましくは、線の第1のパターンは、それぞれウェハのオモテ面または裏面の上のソーマークに垂直である。
少なくとも1台のラインシフタは、線の第1のパターンまたは線の第2のパターンがウェハの表面上でシフトされるように、ガラス板を回転するためのモータに接続されるガラス板である場合がある。別の実施形態に従って、少なくとも1台のラインシフタが複数のガラス板を有し、それによって各ガラス板は、位置決め装置内で異なる角度で配置される。位置決め装置は、特定の傾斜角度のガラス板を光の束の中に入れるために、モータによって駆動可能である。傾斜角度の差によって、第1のパターン線または第2のパターン線が、ウェハの表面上でシフトする。
実施形態では、装置の少なくとも1台のラインプロジェクタのそれぞれは、2つのパターン化されたガラス板を有し、線のパターンは、少なくとも1台のラインプロジェクタの出口レンズとコンデンサ(集光)システムとの間に配置される。第1のガラス板は、遠近感効果を補償し、ウェハの表面上に線の均一なパターンを投射するために、可変ピッチロンチ刻線(ロンチルーリング:Ronchi ruling)を有する。第2のガラス板は、遠近感効果を補償し、ウェハの表面上に均一な輝度の線のパターンを投射するために、可変透過率パターンを有する。
実施形態では、光源は、少なくとも1台のラインプロジェクタに直接的に取り付けられる。別の実施形態では、光は少なくとも1つの光源から少なくとも1台のラインプロジェクタに光ガイドを介して送達される。少なくとも1つの光源は、高輝度LEDを含んでよい。
好ましい実施形態に従って、2台のラインプロジェクタは、第1のラインプロジェクタの中心ビーム軸がX方向に平行になり、第2のラインプロジェクタの中心ビーム軸がY方向に平行になるように配置される。言い換えると、2台のラインプロジェクタは、デカルト座標系のX方向およびY方向に関して90°の角度を囲む(90°の角度を有する)。各ラインプロジェクタのそれぞれの中心ビーム軸は、ウェハの平面(水平面)と18°の角度を囲む。カメラは鉛直に見下ろし、3つの画像がカメラによって捕捉される。画像の第1のセットは、第1のラインプロジェクタが照明されている間に捕捉される。モータは、各ラインプロジェクタの前で厚さ2 mmのガラス板を傾ける。傾斜角度は、それぞれのラインシフタのそれぞれの垂直な中心ビーム軸を基準にして−4.44°、0°、および4.44°である。傾斜角度ごとに、画像が捕捉される。捕捉された画像は、無用のアーチファクトを取り除くために結合される。画像処理方法は、3つの画像の各セットでソーマークまたは鋸溝を探し、測定する。
本発明の方法の好ましい実施形態に従って、ソーマークの配向は、たとえば先行する検査ステップから先験的に既知である。ウェハ上でソーマーク/溝を検出するために、少なくとも1台のカメラおよび少なくとも2台のラインプロジェクタが必要とされる。各ラインプロジェクタは、複数の線のパターンをウェハのオモテ面または裏面に投射し、それによってウェハのオモテ面または裏面の表面の少なくとも一部をカバーする。ラインプロジェクタの線のパターンは、互いに対してある角度の下にある。つまり、ラインプロジェクタの線のパターンは、平行ではなく、異なる配向となる。2台のラインプロジェクタから成る好ましい実施形態では、ラインプロジェクタの線の2つのパターンは、互いに対してほぼ垂直である。さらに、線のパターンの内の少なくとも1つは、ソーマークに対して斜めに配向される。好ましい実施形態では、1台のプロジェクタの線は、ソーマークにほぼ垂直に配向される。ソーマークの先験的な情報は、ソーマークに垂直に最も近い線のパターンを投射するラインプロジェクタを選択するために使用される。このラインプロジェクタは、線のパターンを投射するために画像捕捉中に使用される。ウェハの表面の第1の画像の第1のセットが捕捉され、線の第1のパターンの画像ごとに、線は、線の第1のパターンの配向に垂直に、明確な距離シフトされる。第1の画像のセットからの結合された第1の画像が生成され、それによって結合される第1の画像から第1の画像の改善されたセットを計算する。溝は、第1の画像の改善されたセットの少なくとも1つで検出される。最後に、平均し、文書化するステップが実施される。(本実施形態の優位点は、画像捕捉時間が最小限に抑えられるため、スループットがさらに高くなる点である。
最後に、装置は、検出された最も深いソーマークの位置および深さを報告する。鋸溝またはソーマークは、曲線の当てはめによって鋸溝の両側の各線の位置を推定することによって、ピクセル単位で測定される。2つの側の間の差は、溝に沿ったある距離で平均することによって計算される。較正モデルが、ピクセル単位で測定された深さを、実際の距離単位で表される深さに変換するために使用される。較正モデルは、ラインプロジェクタおよびカメラによって引き起こされる遠近のゆがみおよび他の歪みを考慮に入れる。
本発明の性質および運転モードは、ここで、添付図面の図とともに解釈される本発明の以下の発明を実施するための形態により詳細に説明される。
段状の形状を有し、画像が共焦点顕微鏡で撮像される鋸溝の部分を示す図である。 少なくとも1台のラインプロジェクタが使用される、ウェハのソーマークの三次元検査のための装置の実施形態の概略側面図である。 ウェハと単一のラインプロジェクタとの間の相対的な回転運動が、ウェハ表面が2つの異なる配向で照明できるように提供される、ウェハのソーマークの三次元検査のための装置の別の実施形態の概略側面図である。 本実施形態に従って、ウェハのオモテ面および裏面が、少なくとも2台のラインプロジェクタによって同時に検査される、ウェハのソーマークの三次元検査のための装置の概略図である。 ウェハが矩形の形状を有する、太陽電池に使用されるウェハの概略平面図である。 カメラの視野が、ウェハの表面全体を捕捉する、カメラの画像センサのピクセルによって見当合わせされるウェハの画像の概略図である。 ウェハのオモテ面表面の画像の捕捉、第1のラインプロジェクタを用いてウェハ表面上に投射される水平照明パターン、および第1の照明光の束内の、傾けられていないガラス板を示す図である。 ウェハのオモテ面表面の画像の捕捉、第2のラインプロジェクタを用いてウェハ表面上に投射される鉛直照明パターン、および第2の照明光の束内の、傾けられていないガラス板を示す図である。 ウェハのオモテ面表面の画像の捕捉、図7Aにかかる第1のラインプロジェクタを用いてウェハ表面上に投射される水平照明パターン、および第1の照明光の束内の、右回り方向で傾けられているガラス板を示す図である。 ウェハのオモテ面表面の画像の捕捉、図7Bにかかる第1のラインプロジェクタを用いてウェハ表面上に投射される鉛直照明パターン、および第2の照明光の束内の、右回り方向で傾けられているガラス板を示す図である。 ウェハのオモテ面表面の画像の捕捉、図7Aにかかる第1のラインプロジェクタを用いてウェハ表面上に投射される水平照明パターン、および第1の照明光の束内の、左回り方向で傾けられているガラス板を示す図である。 ウェハのオモテ面表面の画像の捕捉、図7Bにかかる第1のラインプロジェクタを用いてウェハ表面上に投射される鉛直照明パターン、および第2の照明光の束内の、左回り方向で傾けられているガラス板を示す図である。 ウェハの表面上で両方向で配向されるソーマークを検出するための本発明の方法の概略フローチャートである。
同じ参照数字は、多様な図を通して同じ要素を指す。さらに、それぞれの図の説明に必要な参照数字だけが、図に示されている。示されている実施形態は、本発明にかかる装置および方法がどのように設計できるかの例だけを表す。これは、本発明を制限するとして見なされてはならない。
図1は、ウェハ4(図2を参照)のオモテ面3F上の鋸溝2の部分図を示し、鋸溝2は、段状の形状を有している。光電池を製造するために使用されるシリコンウェハは、多様な欠陥がないか検査される必要がある。1つのタイプの欠陥は、シリコンインゴット(不図示)からウェハを鋸で切断するプロセスによって生じる。シリコンインゴットの形は、立方形または円柱であることがある。その結果、ウェハ4は、それぞれ円形または矩形である。鋸溝2またはソーマークは、ウェハ4の通常は平坦なオモテ面3Fまたは裏面3bからの局所的な細長いかつ三次元の逸脱である。ウェハ4が矩形である場合、鋸溝2は、鋸と同じ方向で、ウェハ4の端縁にほぼ平行に通り、それらの長さは数センチメートルとウェハ4の全幅との間で変わることがある。鋸溝2の幅およびその深さも変わることがある。
図2は、ウェハ4の少なくとも1つの表面3の上のソーマーク2の三次元検査のための本発明の装置1の実施形態の概略側面図を示す。ウェハ4の表面3は、ウェハ4のオモテ面3Fまたは裏面3Bである。ウェハ4の表面3は、視野7を画定し、ウェハ4の平面Pに垂直に配置されるカメラ6によって撮像される。カメラ6の光学システム15は、視野7を画定した次に、ウェハ4の表面3全体がカメラ6のセンサ(不図示)によって捕捉されるように設計される。センサは、エリアセンサであることもあれば、ライン走査の原理に従って動作することもある。センサが、少なくとも1台のラインプロジェクタによって提供される照明のウェーブバンドに敏感である必要があることが重要である。
装置1は、中心ビーム軸9の回りに集中する光の束5を提供するラインプロジェクタ8を有する。ウェハ4の表面3全体は、ラインプロジェクタ8によって光の束5で照明される。ラインプロジェクタ8は、中心ビーム軸9が、ウェハ4の平面Pに対して鋭角αで配置されるように、ウェハ4の表面3に対して配置される。光源10は、ラインプロジェクタ8に取り付けられ、ウェハ4の表面の照明のための光の束5を形成するために光を提供する。光源10は、好ましくは高輝度LEDに基づく。
ラインプロジェクタ8は、2つのパターン化されたガラス板18の前に、光の伝搬方向で配置される集光レンズ26を有する。パターン化されたガラス板18を用いて、複数の線22(図7Aから図9Bを参照)のパターンが、光の束5に作成される。ラインプロジェクタ8は、上lは4のオモテ面3Fおよび/または裏面3Bの上に線22のパターン20を投射するために、出口レンズ24を有する。2つのパターン化されたガラス板18は、出口レンズ24と集光レンズ26との間に配置される。2つのパターン化したガラス板18の第1のガラス板27は、遠近感の効果を補償し、ウェハ4の表面3上に線22の均一なパターン20を投射するために、可変ピッチロンチ刻線を有する。2つのパターン化したガラス板18の第2のガラス板28は、遠近感の効果を補償し、ウェハ4の表面3上に均一な輝度の線22のパターンを投射するために、可変透過率パターンを有する。
少なくとも1台のラインシフタ12も、ラインプロジェクタ8とウェハ4の表面3との間の光の束5の中に位置決めされる。図2に開示されるラインシフタ12の実施形態は、モータ11に接続されるガラス板12Gである。モータ11は、線22の第2のパターン20が、ウェハ4のひょうめん3上でシフトされるようにガラス板12Gを回転させる。図2は、ガラス板12Gの3つの異なる角位置を示す。異なる角位置を用いて、ウェハ4の表面3の上で線22のパターン20をシフトすることができる。ラインシフタ12の代替実施形態(不図示)では、複数のガラス板12Gが、位置決め装置に取り付けられる。各ガラス板12Gは異なる角度で配置され、位置決め装置は、第1のパターンまたは第2のパターン20がウェハ4の表面3上でシフトされるように光の束5の中に特定の傾斜角度のガラス板12Gを入れるために、モータによって駆動可能である。
ラインシフタ12は、同じ傾斜角度を有するが、厚さが異なるいくつかのガラス板12Gも含んでよい。ウェハ4の表面3の上で線22のパターン20のシフトを達成するために、画像を捕捉する前に、単一の特定のガラス板12Gが、ラインプロジェクタ8とウェハ4の表面3との間の光の束5に入れられる。
カメラ6を用いた画像捕捉は、ラインシフタ12のモータ11、および光源10に対する電源と同期される。フレームグラバ14および画像プロセッサ16は、カメラと電気的に接続されている。ウェハ4のオモテ面3Fまたは裏面3Bの画像捕捉は、ウェハ4のオモテ面3Fおよび/または裏面3B上での線22のパターン20の位置と調整して、フレームグラバ14によって同期される。
ウェハ4の表面3上の鋸溝2の配向が既知である場合、装置1は、単一のラインプロジェクタ8とともに動作できる。鋸溝2の配向の事前の知識ない場合、ウェハ4の表面3の上に2つの異なる配向で線22の2つのパターン20を投射することが必要である。好ましくは、両方のパターン20とも互いに垂直である。これは、ウェハ4の表面3上の線22の2つのパターン20の線22が互いに垂直となるように配置される第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82によって達成できる(図7Aから図9Bを参照)。
代替解決策では、相対的な回転運動が、単一のラインプロジェクタ8とウェハ4の表面3との間で実施される。画像の第1のセットが、第1の配向で線22のパターン20で捕捉され、画像の第2のセットが、それぞれの相対的な回転運動の後に第2の配向で捕捉される。
図3は、本発明の代替実施形態を示す。検査される各ウェハ4は、それが検査位置に達する、つまりウェハ4がラインプロジェクタ8の光の束5によって証明されるカメラ6の視界内に入るまで平面Pで運搬される。ウェハ4は、初期配向で検査位置に到達する。上述されたように、線22のパターン20(図7Aから図9Bを参照)は、装置1によって検査されるウェハ4の表面3を横切ってラインシフタ12によって移動される。移動手段32(図3を参照)は、ウェハ4とラインプロジェクタ8との間で相対的な回転を提供する。相対的な回転中、ラインプロジェクタ8の、ウェハ4の平面Pに対する鋭角の角度αが維持される。相対的な回転は、ウェハ4の表面3の上に第2の配向で複数の線22の第2のパターン20を投射するために必要である。
図3に開示される実施形態の動作の方法に従って、カメラ6は、ウェハ4の表面3から複数の画像を捕捉する。ラインシフタ12は、画像が、ウェハの表面3の上に投射される線22のパターン20のピッチの端数分、互いから異なることを可能にする。線22は、画像間で部分的に重複する。いったん複数の画像が捕捉されると、移動手段32は、ウェハ4とラインシフタ12との間で相対的な回転を実施する。好ましい運転モードでは、ウェハ4は移動手段32によって回転される。回転の度数は、好ましくは90°である。回転を完了した後、カメラ6は画像の追加セットを捕捉し、ラインプロジェクタ8はウェハ4の表面3の上に線22の第2のパターン20を投射し、線22の第2のパターン20は、線22の第1のパターン20に関して斜めに配向される。回転の度数が90°である場合、線22の第1のパターンは、線22の第2のパターン20に対して90°で配向される。カメラ6、移動手段32、ラインシフタ12のモータ11、および光源10は、フレームグラバ14および画像プロセッサ16によって調整される。
図4は、第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82を備えた、本発明の実施形態を示す。第1のラインプロジェクタ81は、ウェハ4のオモテ面3Fの上に線22のパターン20を投射するように適応される。第2のラインプロジェクタ82は、ウェハ4の裏面3Bの上に線22のパターン20を投射するように適応される。第1のカメラ61は、ウェハ4のオモテ面3Fに対向して配置され、第2のカメラ62はウェハ4の裏面3Bに対向して配置される。図4に開示される装置を用いて、ウェハ4のオモテ面3Fおよびウェハ4の裏面3Bの複数の画像を同時に捕捉することができる。この実施形態では、ラインプロジェクタ81、82への光は、個々のライトガイド30を介して単一の光源10によって提供される。
図2から図4に開示される装置1の実施形態は、例示的な実施形態であり、本発明の制限と見なされるべきではない。当業者は、第1のラインプロジェクタ81、第2のラインプロジェクタ82、第3のラインプロジェクタ83(不図示)および第4のラインプロジェクタ84(不図示)を備えた装置1も検討するだろう。本実施形態では、第1のラインプロジェクタ81および第3のラインプロジェクタ83は、それらが0°度および90°で線22のそれぞれのパターン20を、それぞれウェハ4のオモテ面3Fの上に投射するように配置される。第2のラインプロジェクタ82および第4のラインプロジェクタ84は、それらが0°度および90°度で線22のそれぞれのパターン20を、それぞれウェハ4の裏面3Bの上に投射するように配置される。画像捕捉を加速するために、各ラインプロジェクタ81、82、83、または84に異なるウェーブバンドを使用できる。少なくとも1台の色に対する感度が高いカメラまたはフィルタ付きのカメラが、画像を捕捉するために必要とされる。
追加の実施形態(不図示)では、第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82は、それらが0°度および90°度で線22のそれぞれのパターン20を、それぞれウェハ4のオモテ面3Fの上に投射するように配置される。
検査されるウェハ4は、ウェハ4を検査位置に、つまりカメラ6の視界7の中に輸送するベルト(不図示)上に載っている。ウェハ4のオモテ面3Fを検査することができる。図4に開示されるように、ウェハ4のオモテ面3Fおよび裏面3Bは、ウェハ4が真空ピックアップギア(不図示)または任意の同等物によって保持される間に、同時に検査できる。
図5は、ウェハが矩形の形状を有する、太陽電池に使用されるウェハの概略平面図を示す。上述されたように、ウェハ4は、シリコンインゴットから鋸で切断される。シリコンインゴットの形は立方形であるので、ウェハ4は矩形である。ウェハ4のオモテ面3F上のソーマークは、鋸の方向35に沿って配向される。
図6は、図5にかかるウェハ4の画像40の概略図を示す。ウェハ4は、カメラ6の画像センサのピクセル60n,mによって見当合わせされ、カメラ6の視野7が、表面全体、ここではウェハ4のオモテ面3Fを捕捉する。複数のピクセル60n,mのあるカメラ6の画像センサは、鋸溝2が画像センサのピクセル行nまたはピクセル列mにほぼ平行になるように、ウェハ4と配向される。好ましくは、ウェハ4は、ウェハ4(矩形ウェハ)の側面がX方向およびY方向にそれぞれ平行であるように配向される。
ウェハ4の表面3の画像40がどのように捕捉されるのかのプロセスが、図7A、図7B、図8A、図8B、図9A、および図9Bに示される。画像40(図7A、図8A、および図9A)の第1のセットは、第1のラインプロジェクタ81がオンに切り替えられた状態で捕捉される。画像40(図7B、図8B、および図9BB)の第2のセットは、第2のラインプロジェクタ82がオンに切り替えられた状態で捕捉される。ここに示される実施形態に従って、第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82は、両方がウェハ4のオモテ面3Fを照明するように配置される。第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82は、交互にオンおよびオフに切り替えられる。第1のラインプロジェクタ81は、線22がX方向に平行になるように、ウェハ4のオモテ面3F上に線22のパターン20を投射する。第2のラインプロジェクタ82は、線22がY方向に平行になるように、ウェハ4のオモテ面3F上に線22のパターン20を投射する。
図7Aは、第1のラインプロジェクタ81がオンに切り替えられ、ウェハ4のオモテ面3Fの上に線22のパターン20を投射する状況を示す。線22は、X方向に平行である。第1のラインプロジェク81の前に置かれたガラス板12Gの傾斜角度は、図7Aに描かれるように0°度であり、回転軸34(側面図参照)またはガラス板12Gの平面Gは、中心ビーム軸9に垂直である。ウェハ4のオモテ面3F全体の画像40は、カメラ6によって捕捉される。画像40のセットの取得での次のステップが、図8Aに示される。第1のラインプロジェクタ81はオンに切り替えられた状態のままであり、ウェハ4のオモテ面3Fの上に線22のパターン20を投射する。線22は、X方向に平行である。第1のラインプロジェクタ81の前に置かれたガラス板12Gの傾斜角度は、図8Aに描かれる、0°度に等しくない値βを定めるように設定され、回転軸34(側面図を参照)またはガラス板12Gの平面Gが、中心ビーム軸9に対して傾けられる。線22のパターン20は、ウェハ4のオモテ面3F上で定められた距離シフトされ、カメラ6は線22のシフトされたパターン20の画像40を捕捉する。図9Aは、第1のラインプロジェクタ81の前に置かれたガラス板12Gの傾斜角度が、図9Aに描かれる、定められた値−βに設定され、回転軸34(側面図を参照)またはガラス板12Gの平面Gが、中心ビーム軸9に対して傾けられる状況を示す。第1のラインプロジェクタ81はオンに切り替えられた状態のままであり、ウェハ4のオモテ面3Fの上に線22のパターン20を投射する。線22はX方向に平行であり、画像40がカメラ6によって捕捉される。
図7Bは、第2のラインプロジェクタ82がオンに切り替えられ、ウェハ4のオモテ面3Fの上に線22のパターン20を投射する状況を示す。線22は、Y方向に平行である。第2のラインプロジェクタ82の前に置かれたガラス板12Gの傾斜角度は、ガラス板12Gの真中に位置決めされている中心線34によって、図7に描かれる0°度である。ウェハ4のオモテ面3F全体の画像40は、カメラ6によって捕捉される。画像40のセットの取得での次のステップが、図8Bに示される。第2のラインプロジェクタ82はオンに切り替えられた状態のままであり、ウェハ4のオモテ面3Fの上に線22のパターン20を投射する。線22は、Y方向に平行である。第2のラインプロジェクタ82の前に置かれたガラス板12Gの傾斜角度は、ガラス板12Gの真中から左側に位置決めされている中心線34によって、図8Bに描かれる0°度等しくない定められた値βに設定される。線22のパターン20は、ウェハ4のオモテ面3F上で定められた距離シフトされ、カメラ6は線22のシフトされたパターン20の画像40を捕捉する。図9Bは、第2のラインプロジェクタ82の前に置かれたガラス板12Gの傾斜角度が、ガラス板12Gの真中から右側に位置決めされている中心線34によって、図9Bに描かれる、定められた値−βに設定される状況を示す。
図7A、図7B、図8A、図8B、図9A、および図9Bは、線22がX方向に平行である画像40のっセットが、3つの画像40を含み、線22がY方向に平行である画像40のセットも画像40を含む状況を示す。シフトの量は、それぞれ第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82の前のそれぞれの回転または傾斜の量によって制御される。各セットの画像40は、線22が、ライン周期のゼロ、3分の1、および3分の2である定められた量、シフトされた状態で撮られる。特に、図7A、図7Bでは、線22は、シフトされておらず(ガラス板12Gの傾斜角度は0°である)、図8A、図8Bでは、線22はシフトされており、ガラス板12の傾斜角度はβであり、図9A、図9Bでは、線22はシフトされており、ガラス板12Gの傾斜角度は−βである。いずれの場合も、線22の段階的なシフトの量は、ウェハ4の表面3全体がカバーされる度数に設定される。セットごとに撮られる画像40の量が3つの画像40に制限されていないことは、当業者にとって明らかである。
図10は、ウェハ4の表面3上のソーマーク2を検出するための本発明の方法の概略フローチャートを示す。図7A、図7B、図8A、図8B、図9A、および図9Bに示されるように、第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82は、ウェハ4のオモテ面3Fを照明するように配置される。第1のラインプロジェクタ81および第2のラインプロジェクタ82は、それらのそれぞれの中心ビーム軸9が互いに対して垂直となるように位置決めされる。当初、第1のラインプロジェクタ81は、(X方向に平行な)第1の配向のライン22の第1のパターン20をウェハ4の少なくとも1つの表面3の上に投射する。第1の未処理の画像51、第2の未処理の画像52、および第3の未処理の画像53が捕捉され、線22の第1のパターン20の各未処理画像511、521、531ごとに、線22が、線22の第1のパターン20の配向に垂直に、明確な距離シフトされる。同じことは、線22の第2のパターン20の未処理の画像512、522、523の第2のセットで行われ、線22はY方向に平行に配向される。
各セットの未処理画像511、521、531、および512、522、532が捕捉された後、各配向での複数の未処理画像511、521、531、および521、522、532が結合され、各画像の質を改善し、無用のアーチファクトを削除する。基準画像541、542が計算され、第1の基準画像541のピクセル値は未処理画像511、521、531の第1のセットの最大ピクセル値である。同様に、第2の基準画像542が計算され、第2の基準画像542のピクセル値は未処理画像512、522、532の第2のセットの最大ピクセル値である。次のステップでは、未処理画像511、521、531の第1のセットの各画像、および未処理画像512、522、532の第2のセットの各画像が、それぞれ第1の基準画像541および第2の基準画像542によって分けられる。未処理画像511、521、531の第1のセットおよび未処理画像512、522、532の第2のセットは、数値的に再スケールされ、それは元の画像が有するのと同じ値の範囲(たとえば0から255)を得るために、一定の値でそれらを乗算することによってなされる。
次のプロセスステップでは、候補の溝(鋸溝2)がすべての改善された画像で検出される。一般性を喪失することなく、投射された線が画像内でほぼ平行であると仮定すると、溝の検出は、さまざまなステップによって達成される。第1に、投射された線22の場所の検出が、ピクセル60n,mの各列で実施される。第2に、各線22は、水平に追跡調査され、直線からの局所的な逸脱が計算される。第3に、局所的な逸脱が閾値を超えている直線の位置を用いてハフ変換が実施される。第4に、ハフ変換で、検出された溝2の位置および配向に一致するピークが検索される。
本発明の追加の実施形態に従って、未処理画像#1、#2、および#3が、改善された品質の1つの単一の画像に結合される。それは、各ピクセル場所での画像511、521、531の強度を比較する「位相シフト抽出」として知られているプロセスによって行われる。結合された画像は「位相画像」として知られる。溝は、位相画像で検出され、測定される。位相画像の性質は、線が適合し、偏差が検出されると、(−piから+piまたは+piから−piへの)位相ジャンプを考慮に入れ(「開かれ」)なければならないようである。
次のステップでは、すべての改善された画像での検出された溝2の深さが測定される。検出された候補溝2ごとに、溝外形の高い点および低い点が、検出された溝2の各方向に沿って計算される。計算は、追跡調査された線の位置から開始する。高い点および低い点は、隣接する方向または線を横切って追跡調査される。検出された溝2の局所的な深さは、高い点および低い点の近くの線の位置を通して、曲線の当てはめによって推定される。溝の平均深さは、移動平均によって溝2に沿ってある長さに渡ってピクセル単位で推定される。最終的に、溝2の深さは、事前に計算された較正パラメータによって、ピクセルからミクロンに変換される。
次のステップでは、溝2の深さが平均され、それは、第1の画像511、521、531の改善されたセット、および第2の画像512、522、532のセット上で三次元で計算される平均深さ外形によって達成される。最後に、溝2の場所および深さが報告される。ファイルが書き込まれ、そのファイルから、溝2の場所および深さをラインエンジニアによって取り出すことができる。ウェハ4の表面3上の最も深い鋸溝2の場所および深さもファイルから取り出すことができる。
本発明は、好ましい実施形態に関して説明されてきた。しかしながら、本発明の変更形態および改変形態が、続く特許請求の範囲の範囲から離れることなく加えることができることは当業者にとって明らかである。
1 装置
2 ソーマーク、鋸溝
3 表面
3B ウェハの裏面
3F ウェハのオモテ面
4 ウェハ
5 光の束
6、61、62 カメラ
7 視野
8 ラインプロジェクタ
1 第1のラインプロジェクタ
2 第2のラインプロジェクタ
3 第3のラインプロジェクタ
4 第4のラインプロジェクタ
9 中心ビーム軸
10 光源
11 モータ
12 ラインシフタ
12G ガラス板
14 フレームグラバ
15 光学システム
16 画像プロセッサ
18 パターン化されたガラス板
19 伝搬方向
20 パターン
22 線
24 出口レンズ
26 集光レンズ、集光システム
27 第1のガラス板
28 第2のガラス板
30 ライトガイド
32 移動手段
34 回転軸
35 鋸の方向
40 ウェハの画像
511、512 第1の未処理画像
521、522 第2の未処理画像
531、532 第3の未処理画像
基準画像
541、542 カメラの画像センサのピクセル
G ガラス板の平面
P ウェハの平面
X X方向
Y Y方向
α 鋭角
β 傾斜角度

Claims (28)

  1. ウェハの少なくとも1つの表面上のソーマークの三次元検査のための装置であって、
    視野を画定し、前記ウェハの平面を撮像するように配置される少なくとも1台のカメラであって、前記視野が、前記ウェハの表面の少なくとも一部が捕捉されるように設計される、少なくとも1台のカメラと、
    中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する少なくとも1台のラインプロジェクタであって、前記少なくとも1台のラインプロジェクタが、前記中心ビーム軸が前記ウェハの前記平面に関して鋭角に配置されるように配置され、前記少なくとも1台のラインプロジェクタが少なくとも1つの光源からの光を提供され、前記ウェハのオモテ面および/または裏面に複数の線のパターンを投射し、それによって前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の前記表面の少なくとも一部をカバーするように適応される、少なくとも1台のラインプロジェクタと、
    前記ラインプロジェクタと前記ウェハの前記表面との間の前記光の束の中に位置決めされる少なくとも1台のラインシフタと、
    フレームグラバおよび画像プロセッサであって、前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の画像捕捉が、前記ウェハの前記オモテ面および/または前記裏面の線の前記パターンの前記位置と協調して前記フレームグラバによって同期される、フレームグラバおよび画像プロセッサと、
    を備える装置。
  2. 前記少なくとも1台のラインプロジェクタおよび前記ウェハの前記表面が、前記少なくとも1台のラインプロジェクタが線の第1のパターンおよび線の第2のパターンを前記ウェハの前記表面の上に投射するように互いに関して設置可能であり、線の前記第1のパターンが線の前記第2のパターンに対して斜めに配向される、請求項1に記載の装置。
  3. 線の前記第1のパターンの前記線が、線の前記第2のパターンの前記線に垂直である、請求項2に記載の装置。
  4. 前記少なくとも1台のラインシフタがガラス板であり、線の前記第1のパターンまたは線の前記第2のパターンが前記ウェハの前記表面上でシフトされるように、前記ガラス板を回転するためのモータに接続される、請求項1に記載の装置。
  5. 前記少なくとも1台のラインシフタが複数のガラス板を有し、各ガラス板が位置決め装置内で異なる角度で配置され、前記位置決め装置が、線の前記第1のパターンまたは線の前記第2のパターンが前記ウェハの前記表面上でシフトされるように、前記光の束の中に異なる傾斜角度のガラス板を入れるために、モータによって駆動可能である、請求項1に記載の装置。
  6. 前記少なくとも1台のラインプロジェクタのそれぞれが、線のパターンが出口レンズと集光レンズとの間に配置される2つのパターン化されたガラス板を有し、第1のガラス板が、遠近感効果を補償し、前記ウェハの前記表面上に線の前記均一なパターンを投射するために可変ピッチロンチ刻線を有し、第2のガラス板が、遠近感効果を補償し、前記ウェハの前記表面上に均一の輝度の線の前記パターンを投射するために可変透過率パターンを有する、請求項1に記載の装置。
  7. 前記少なくとも1つの光源が、前記少なくとも1台のラインプロジェクタに直接的に取り付けられる、請求項1に記載の装置。
  8. 前記少なくとも1つの光源がLEDを備える、請求項7に記載の装置。
  9. 前記少なくとも1つの光源が、ライトガイドを介して前記少なくとも1台のラインプロジェクタに接続される、請求項1に記載の装置。
  10. 前記少なくとも1つの光源がLEDを備える、請求項9に記載の装置。
  11. 前記少なくとも1台のカメラが、前記少なくとも1台のラインシフタの運動、前記少なくとも1つの光源の切り替え、および前記ウェハの前記表面上での線の前記パターンの異なる位置での前記ウェハの前記表面の画像の捕捉が、前記フレームグラバによって同期されるように、前記フレームグラバおよび前記画像プロセッサに通信で接続される、請求項1に記載の装置。
  12. ウェハの少なくとも1つの表面でソーマークを決定するための方法であって、
    前記ウェハの前記少なくとも1つの表面上に第1の配向の線の第1のパターンを投射するステップであって、前記ソーマークの配向が未知である、投射するステップと、
    前記ウェハの前記表面の第1の画像の第1のセットを捕捉するステップであって、線の前記第1のパターンの画像ごとに、前記線が、線の前記第1のパターンの前記配向に垂直に、明確な距離シフトされる、捕捉するステップと、
    前記ウェハの前記表面の上に第2の配向の線の第2のパターンを投射するステップと、
    前記ウェハの前記表面の第2の画像の第2のセットを捕捉するステップであって、線の前記第2のパターンの画像ごとに、前記線が、線の前記第2のパターンの前記第2の配向に垂直に、明確な距離シフトされる、捕捉するステップと、
    第1の画像の前記セットから結合された第1の画像を生成し、第2の画像の前記セットから結合された第2の画像を生成し、それによって前記結合された第1の画像から第1の画像の改善されたセット、および前記結合された第2の画像から第2の画像の改善されたセットを計算するステップと、
    第1の画像の前記改造されたセットの内の少なくとも1つで、および第2の画像の前記改善されたセットの内の少なくとも1つで、溝を検出するステップと、
    第1の画像の前記改善されたセットの各画像で、および第2の画像の前記改善されたセットの各画像で、検出された溝の深さを測定するステップと、
    第1の画像の前記改善されたセットの前記画像、または第2の画像の前記改善されたセットの前記画像を横切る各溝の前記深さを平均するステップと、
    前記ウェハの前記表面上の前記検出された溝の前記深さおよび前記場所および前記配向を文書化するステップと、
    を含む、方法。
  13. 前記結合された第1の画像および前記結合された第2の画像が、
    第1の基準画像の前記ピクセル値が、画像の前記第1のセットの最大ピクセル値である、前記第1の基準画像を計算し、第2の基準画像の前記ピクセル値が、画像の前記第2のセットの最大ピクセル値である、前記第2の基準画像を計算することと、
    画像の前記第1のセットの各画像、および画像の前記第2のセットの各画像を、前記それぞれの基準画像で分けることと、
    画像の前記第1のセットおよび画像の前記第2のセットを数値的に再スケールすること、
    とによって達成される、請求項12に記載の方法。
  14. 第1の画像の前記改善されたセットおよび第2の画像の前記改善されたセットの内の少なくとも1つの画像での前記溝の前記検出が、
    ピクセルの各列内で前記投射された線の場所を検出することと、
    特定の方向に沿って前記検出された線を追跡することと、
    前記特定の方向に沿って直線からの局所的な逸脱を計算することと、
    前記局所的な逸脱が閾値を超えている直線の位置を用いてハフ変換を実施することと、
    検出された溝の位置および配向に一致する、前記ハフ変換のピークを検出すること、
    とによって達成される、請求項12に記載の方法。
  15. 検出された溝の深さの前記測定することが、
    検出された溝ごとに、検出された溝の各方向に沿って、溝外形の高い点および低い点を計算することと、
    隣接する方向を横切って高い点および低い点を追跡することと、
    検出された溝の局所的な深さを、前記高い点および前記低い点の近くの線の位置に沿って、曲線の当てはめによって推定することと、
    移動平均によって前記溝に沿ったある長さに渡って前記溝の平均深さをピクセル単位で推定することと、
    事前に計算された較正パラメータによって、ピクセルからミクロンに前記溝の前記深さを変換すること、
    とによって達成される、請求項12に記載の方法。
  16. 前記溝の前記深さの前記平均することが、画像の前記改善された第1のセットまたは画像の前記改善された第2のセットに対して三次元で計算された深さ外形を平均することによって達成される、請求項12に記載の方法。
  17. ウェハの表面上のソーマークの三次元検査のための装置であって、
    視野を画定し、前記ウェハの平面に垂直に配置されるカメラであって、前記視野が、前記ウェハの表面全体が捕捉されるように設計される、カメラと、
    中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する第1のラインプロジェクタであって、前記第1のラインプロジェクタが、前記中心ビーム軸が前記ウェハの前記平面に関して鋭角に配置されるように配置され、前記第1のラインプロジェクタが光源からの光を提供され、前記ウェハのオモテ面または裏面の上に第1の配向で複数の線のパターンを投射し、それによって前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の前記完全な表面をカバーするように適応される、第1のラインプロジェクタと、
    中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する第2のラインプロジェクタであって、前記第2のラインプロジェクタが、前記中心ビーム軸が前記ウェハの前記平面に関して鋭角に配置されるように配置され、前記第2のラインプロジェクタが光源からの光を提供され、前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の上に第2の配向で複数の線のパターンを投射し、それによって前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の前記完全な表面をカバーするように適応される、第2のラインプロジェクタと、
    それぞれ、前記第1のラインプロジェクタと前記ウェハの前記表面との間、および前記第2のラインプロジェクタと前記ウェハの前記表面との間のそれぞれの光の束の中に位置決めされるラインシフタと、
    フレームグラバおよび画像プロセッサであって、前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の画像捕捉が、前記ウェハの前記オモテ面および/または前記裏面の線の前記パターンの前記位置と協調して前記フレームグラバによって同期される、フレームグラバおよび画像プロセッサと、
    を備える装置。
  18. 複数の線の前記第1のパターンが、複数の線の前記第2のパターンに垂直である、請求項17に記載の装置。
  19. 前記ラインシフタがガラス板であり、複数の線の前記第1のパターンまたは複数の線の前記第2のパターンが前記ウェハの前記表面上でシフトされるように、前記ガラス板を回転するためのモータに接続される、請求項17に記載の装置。
  20. 前記ラインシフタが複数のガラス板を有し、各ガラス板が、それぞれ前記第1のラインプロジェクタおよび前記第2のラインプロジェクタの前記光の束の中に異なる傾斜角度のガラス板を入れるために、モータによって駆動可能である位置決め装置内で異なる角度で配置され、したがって線の前記第1のパターンおよび線の前記第2のパターンが、前記ウェハの前記表面上で、それぞれX方向でおよびY方向でシフトされる、請求項17に記載の装置。
  21. 前記第1ラインプロジェクタおよび前記第2のラインプロジェクタが、それぞれ線のパターンが出口レンズと集光レンズとの間に配置される2つのパターン化されたガラス板を有し、第1のガラス板が、遠近感効果を補償し、前記ウェハの前記表面上に線の前記均一なパターンを投射するために、可変ピッチロンチ刻線を有し、前記第2のガラス板が、遠近感効果を補償し、前記ウェハの前記表面上に均一の輝度の線のパターンを投射するために可変透過率パターンを有する、請求項17に記載の装置。
  22. 前記カメラが、前記ラインシフタの運動、前記少なくとも1つの光源の切り替え、および前記第1のラインプロジェクタおよび前記第2のラインプロジェクタによって生成される、前記ウェハの前記表面上での前記パターンの画像の捕捉が、前記フレームグラバによって同期され、調整されるように、前記フレームグラバおよび前記画像プロセッサに通信で接続される、請求項17に記載の装置。
  23. ウェハの表面上のソーマークの三次元検査のための装置であって、
    視野を画定し、前記ウェハの平面に垂直に配置されるカメラであって、前記視野が、前記ウェハの表面全体が捕捉されるように設計される、カメラと、
    中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する1台のラインプロジェクタであって、前記ラインプロジェクタが、前記中心ビーム軸が前記ウェハの前記平面に関して鋭角に配置されるように配置され、前記ラインプロジェクタが光源からの光を提供され、前記ウェハの表面の上に第1の配向で複数の線のパターンを投射し、それによって前記ウェハの前記完全な表面をカバーするように適応される、1台のラインプロジェクタと、
    少なくとも1台のラインシフタ12が、前記ラインプロジェクタと前記ウェハの前記表面との間の前記光の束の中に位置決めされており、
    前記ウェハと前記ラインプロジェクタとの間に相対的な回転を提供し、それによって前記ウェハの前記表面の上に第2の配向で複数の線の第2のパターンを投射するために、前記ウェハの前記平面に関して前記ラインプロジェクタの前記鋭角を維持するための移動手段と、
    フレームグラバおよび画像プロセッサであって、前記ウェハの前記表面上に投射される線の前記第1のパターンおよび線の前記第2のパターンの画像捕捉が、前記光の束の中の前記ラインシフタの前記位置、および前記ウェハおよび前記ラインプロジェクタの前記相対的な回転位置と協調して前記フレームグラバによって同期される、フレームグラバおよび画像プロセッサと、
    を備える装置。
  24. ウェハの表面上のソーマークの三次元検査のための装置であって、
    それぞれが視野を画定し、それぞれが前記ウェハの前記オモテ面、および前記ウェハの前記裏面の平面に垂直に配置される2台のカメラであって、前記2台のカメラの前記視野が、前記ウェハのオモテ面全体および前記裏面全体が捕捉されるように設計される、2台のカメラと、
    中心ビーム軸の回りで集中する光の束を提供する少なくとも1台の第1のラインプロジェクタであって、前記第1のラインプロジェクタが、前記中心ビーム軸がそれぞれ前記ウェハの前記平面および前記オモテ面に関して鋭角となるように配置され、中心ビーム軸の回りで集中する光の束を提供する少なくとも1台の第2のラインプロジェクタであって、前記第2のラインプロジェクタが前記中心ビーム軸が、それぞれ前記ウェハの前記平面および前記裏面に関して鋭角となるように配置され、前記少なくとも第1のラインプロジェクタおよび第2のラインプロジェクタが、少なくとも1つの光源からの光を提供され、前記ウェハのオモテ面および/または裏面の上に複数の線のパターンを投射し、それによって前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の前記完全な表面をカバーするように適応される、少なくとも1台の第1のラインプロジェクタ、および少なくとも1台の第2のラインプロジェクタと、
    少なくとも1台のラインシフタが、前記ラインプロジェクタと前記ウェハの前記表面との間の前記光の束の中に位置決めされており、
    フレームグラバおよび画像プロセッサであって、前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の画像捕捉が、前記ウェハの前記オモテ面および/または前記裏面の線の前記パターンの前記位置と協調して前記フレームグラバによって同期される、フレームグラバおよび画像プロセッサと、
    を備える装置。
  25. 移動平均が、前記ウェハと前記ラインプロジェクタとの間の相対的な回転を可能にし、それによって前記ウェハの前記表面の上に第2の配向で複数の線の第2のパターンを投射するために、前記ウェハの前記平面に関して前記ラインプロジェクタの前記鋭角を維持し、前記フレームグラバおよび前記画像プロセッサが、前記ウェハの前記表面の上に投射される線の前記第1のパターンおよび線の前記第2のパターンの前記画像捕捉と、前記光の束での前記ラインシフタの前記位置と、前記ラインウェハおよび前記ラインプロジェクタの互いに関する相対的な回転位置とを同期させる、請求項24に記載の装置。
  26. ウェハの少なくとも1つの表面上のソーマークの三次元検査のための装置であって、
    視野を画定し、前記ウェハの平面を撮像するように配置される少なくとも1台のカメラであって、前記視野が、前記ウェハの表面の少なくとも一部が捕捉されるように設計される、少なくとも1台のカメラと、
    前記ソーマークが、前記カメラの前記視野内で画定された配向にあるように、前記ウェハを装填するための手段と、
    中心ビーム軸の回りに集中する光の束を提供する少なくとも1台のラインプロジェクタであって、前記少なくとも1台のラインプロジェクタが、前記中心ビーム軸が前記ウェハの前記平面に関して鋭角に配置されるように配置され、前記少なくとも1台のラインプロジェクタが少なくとも1つの光源からの光を提供され、前記ウェハのオモテ面および/または裏面に複数の線のパターンを投射し、それによって前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の前記表面の少なくとも一部をカバーするように適応される、少なくとも1台のラインプロジェクタと、
    前記ラインプロジェクタと前記ウェハの前記表面との間の前記光の束の中に位置決めされる少なくとも1台のラインシフタと、
    フレームグラバおよび画像プロセッサであって、前記ウェハの前記オモテ面または前記裏面の画像捕捉が、前記ウェハの前記オモテ面および/または前記裏面の線の前記パターンの前記位置と協調して前記フレームグラバによって同期される、フレームグラバおよび画像プロセッサと、
    を備える装置。
  27. ウェハの少なくとも1つの表面でソーマークを決定するための方法であって、
    前記ウェハ上の前記ソーマークの配向を決定するステップと、
    少なくとも1台のラインプロジェクタを提供するステップと、
    前記ウェハの前記少なくとも1つの表面の上に第1の配向の線の第1のパターンを投射するステップであって、線の前記第1のパターンが、前記ソーマークに関して斜めに配向される、投射するステップと、
    前記ウェハの前記表面の第1の画像の第1のセットを捕捉するステップであって、線の前記第1のパターンの画像ごとに、前記線が、線の前記第1のパターンの前記配向に垂直に、明確な距離シフトされる、捕捉するステップと、
    第1の画像の前記セットからの結合された第1の画像を生成し、それによって前記結合された第1の画像から第1の画像の改善されたセットを計算するステップと、
    第1の画像の前記改善されたセットの少なくとも1つで溝を検出するステップと、
    第1の画像の前記改善されたセットの各画像で検出された溝の深さを測定するステップと、
    第1の画像の前記改善されたセットの前記画像を横切る各溝の前記深さを平均するステップと、
    前記ウェハの前記表面上の前記検出された溝の前記深さおよび前記場所および前記配向を文書化するステップと、
    を含む、方法。
  28. 前記ウェハ上の前記ソーマークの前記配向が、前記ウェハの前記表面上に投射される線の前記第1のパターンに対して平行にならないように、移動平均が、前記ウェハと前記少なくとも1台のラインプロジェクタとの間の相対的な回転を可能にするために提供される、請求項27に記載の方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9019491B2 (en) * 2012-01-19 2015-04-28 KLA—Tencor Corporation Method and apparatus for measuring shape and thickness variation of a wafer
KR20130113677A (ko) * 2012-04-06 2013-10-16 한미반도체 주식회사 웨이퍼 검사장치
EP2781912B1 (en) * 2013-03-19 2021-05-05 Hennecke Systems GmbH Inspection system
US9019576B2 (en) 2013-06-21 2015-04-28 3Shape A/S Scanning apparatus with patterned probe light
JP2015200537A (ja) * 2014-04-07 2015-11-12 株式会社ディスコ 凹凸検出装置
EP3081901A1 (en) * 2015-04-17 2016-10-19 Hennecke Systems GmbH Inspection method and device for inspecting a surface pattern
JP6450697B2 (ja) * 2016-03-22 2019-01-09 Ckd株式会社 基板検査装置
DE102016220523B4 (de) * 2016-10-19 2019-02-14 Solarworld Industries Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Analyse optisch erfassbarer Inhomogenitäten auf der Oberfläche von Wafern
CN107144577B (zh) * 2016-11-23 2020-04-10 阜宁协鑫光伏科技有限公司 一种硅切片穿孔判定的方法
DE102018121448B4 (de) * 2018-09-03 2022-06-02 SmartRay GmbH Inspektions-Verfahren sowie diesbezügliche Vorrichtung
CN110676155B (zh) * 2019-09-27 2021-12-10 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395344A (ja) * 1986-10-09 1988-04-26 Hitachi Metals Ltd 表面欠陥の検出方法
JPH11148810A (ja) * 1997-09-09 1999-06-02 Ckd Corp 形状計測装置
JPH11211443A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Matsushita Electric Works Ltd 3次元形状計測装置
JP2003527582A (ja) * 2000-01-07 2003-09-16 サイバーオプティクス コーポレーション テレセントリック・プロジェクタを有する位相プロフィル測定システム
JP2009204343A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 3次元形状計測方法および装置
JP2010117337A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Nippon Electro Sensari Device Kk 表面欠陥検査装置
JP2010522872A (ja) * 2007-03-28 2010-07-08 エス.オー.アイ.テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ 基板表面の欠陥検査方法及び装置
JP2010271312A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 General Electric Co <Ge> マルチイメージフェーズシフト解析を用いた検査システム及び方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08226899A (ja) 1995-02-22 1996-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置
JPH09311109A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光を使用した欠陥検査方法、およびその装置
US6324298B1 (en) * 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
JP2000046743A (ja) 1998-07-24 2000-02-18 Kobe Steel Ltd 欠陥検査装置
JP2001124538A (ja) * 1999-10-27 2001-05-11 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 物体表面の欠陥検査方法および欠陥検査装置
EP1271605A4 (en) * 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
JP4529366B2 (ja) * 2003-03-26 2010-08-25 株式会社ニコン 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法
JP2005345290A (ja) 2004-06-03 2005-12-15 Seiko Epson Corp 筋状欠陥検出方法及び装置
US7161667B2 (en) * 2005-05-06 2007-01-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Wafer edge inspection
JP4322890B2 (ja) * 2005-06-13 2009-09-02 シャープ株式会社 起伏検査装置、起伏検査方法、起伏検査装置の制御プログラム、記録媒体
US8260035B2 (en) * 2006-09-22 2012-09-04 Kla-Tencor Corporation Threshold determination in an inspection system
JP4160991B2 (ja) 2006-11-29 2008-10-08 シャープ株式会社 線状の欠陥の検出装置および半導体基板の製造装置、線状の欠陥の検出方法および半導体基板の製造方法、コンピュータを当該検出装置または…
JP4943304B2 (ja) * 2006-12-05 2012-05-30 株式会社 Ngr パターン検査装置および方法
TWI449898B (zh) 2007-02-28 2014-08-21 尼康股份有限公司 Observation device, inspection device and inspection method
US8994923B2 (en) * 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010181328A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Kobe Steel Ltd 太陽電池ウェハ表面の検査装置,太陽電池ウェハ表面の検査用プログラム,太陽電池ウェハ表面の検査方法
DE102009010837A1 (de) 2009-02-28 2010-09-02 Basler Ag Verfahren zur Inspektion von Wafern für Solarzellen auf Sägerillen
JP2011163852A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Kobe Steel Ltd 外観検査装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6395344A (ja) * 1986-10-09 1988-04-26 Hitachi Metals Ltd 表面欠陥の検出方法
JPH11148810A (ja) * 1997-09-09 1999-06-02 Ckd Corp 形状計測装置
JPH11211443A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Matsushita Electric Works Ltd 3次元形状計測装置
JP2003527582A (ja) * 2000-01-07 2003-09-16 サイバーオプティクス コーポレーション テレセントリック・プロジェクタを有する位相プロフィル測定システム
JP2010522872A (ja) * 2007-03-28 2010-07-08 エス.オー.アイ.テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ 基板表面の欠陥検査方法及び装置
JP2009204343A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 3次元形状計測方法および装置
JP2010117337A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Nippon Electro Sensari Device Kk 表面欠陥検査装置
JP2010271312A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 General Electric Co <Ge> マルチイメージフェーズシフト解析を用いた検査システム及び方法

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