JP4160991B2 - 線状の欠陥の検出装置および半導体基板の製造装置、線状の欠陥の検出方法および半導体基板の製造方法、コンピュータを当該検出装置または… - Google Patents
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Description
他の目的は、濃淡が変化する線状の欠陥を検出する検出方法を提供することである。
他の目的は、上記の検出装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムを提供することである。
この発明の他の局面に従うと、線状の欠陥の検出装置は、被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを格納する記憶手段と、画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成する生成手段と、複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、第1の方向に直交する第2の方向に沿う各領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出する第1の算出手段と、各第1のデータに基づいて、各分割画像における線状の欠陥候補が含まれる第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定する範囲特定手段と、各第1の欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各線状の欠陥候補の強度をそれぞれ算出する強度算出手段と、各強度に基づいて、各第1の欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出する第2の算出手段と、第2の方向に沿って、各第2のデータを積算する積算手段と、各第2のデータを積算することによって得られたデータに基づいて、複数の分割画像のうちの少なくとも2つの分割画像にまたがる線状の欠陥候補が含まれる第2の欠陥候補範囲を決定する決定手段と、第2の欠陥候補範囲の中に、予め規定された条件を満足する線状の欠陥が存在するか否かを確認する確認手段と、条件を満足する線状の欠陥が含まれる分割画像が複数の分割画像の中に存在する割合に基づいて、線状の欠陥の有無を判定する判定手段とを備える。
好ましくは、第2の形成手段は、基板に対してレジストを塗布する供給手段を含む。半導体基板の製造装置は、基板が条件を満足しない場合に、供給手段を調整する調整手段をさらに備える。
好ましくは、調整手段は、供給手段を洗浄する洗浄手段を含む。
この発明の他の局面に従う検出方法は、被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを読み出すステップと、画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成するステップと、複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、第1の方向に直交する第2の方向に沿う各領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出する第1の算出ステップと、各第1のデータに基づいて、各分割画像における線状の欠陥候補が含まれる第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定する範囲特定ステップと、各第1の欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各線状の欠陥候補の強度をそれぞれ算出するステップと、各強度に基づいて、各第1の欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出するステップと、第2の方向に沿って、各第2のデータを積算するステップと、各第2のデータを積算することによって得られたデータに基づいて、複数の分割画像のうちの少なくとも2つの分割画像にまたがる線状の欠陥候補が含まれる第2の欠陥候補範囲を決定するステップと、第2の欠陥候補範囲の中に、予め規定された条件を満足する線状の欠陥が存在するか否かを確認するステップと、条件を満足する線状の欠陥が含まれる分割画像が複数の分割画像の中に存在する割合に基づいて、線状の欠陥の有無を判定するステップとを備える。
好ましくは、調整するステップは、レジストを塗布するためにレジスト膜形成装置が備えるノズルを洗浄するステップを含む。
まず、図1を参照して、薄型パネルの製造工程について説明する。図1は、薄型パネルを製造する工程のうち、主たる工程を表わすフローチャートである。
以下、本実施の形態の変形例について説明する。本変形例に係る製造方法は、検査装置40による検査の結果に応じてガラス基板の製造工程を変更する指示を出力できる点で、前述の製造方法と異なる。
以下、本発明の第2の実施の形態について説明する。
以下、本発明の第3の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る検査装置40は、線状の欠陥候補の範囲を決定する際にモフォロジ処理を行なったデータを用いて当該範囲を決定する機能を有する点で、前述の各実施の形態と異なる。なお、本実施の形態に係る検査装置は、当該装置に固有な上記機能を有する処理をプロセッサにより実行させることにより実現される。その他の機能は、図4に示される検査装置40と同じである。そこで、図4に示される検査装置40の構成に基づいて、本実施の形態に係る検査装置を説明する。
ステップS2500にて、演算部43は、後述するモフォロジ処理を実行する(図26)。ステップS2420にて、演算部43は、モフォロジ処理において決定された線状欠陥候補Aに基づいて、欠陥候補が強調された1次元のデータ(欠陥候補強調1次元データ)を生成する。
Claims (35)
- 被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを格納する記憶手段と、
前記画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成する生成手段と、
前記複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿う各前記領域の輝度値に基づく第1のデータをそれぞれ算出する第1の算出手段と、
各前記第1のデータに基づいて、各前記分割画像における線状の欠陥候補が含まれる欠陥候補範囲をそれぞれ特定する範囲特定手段と、
各前記欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各前記欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出する第2の算出手段と、
前記第2の方向に沿って、各前記第2のデータを積算する積算手段と、
各前記第2のデータを積算することにより得られたデータに基づいて、線状の欠陥を特定する欠陥特定手段とを備え、
前記第2の算出手段は、各前記欠陥候補範囲に対応する画像データの符号を正または負のいずれかに揃えることにより、前記第2のデータをそれぞれ算出する、線状の欠陥の検出装置。 - 前記被写体は、膜が形成された基板を含む、請求項1に記載の線状の欠陥の検出装置。
- 前記第1の算出手段は、前記第1の方向に沿う座標軸の座標値が同一である各輝度値の積算値を算出し、前記第2の方向の画素数を用いて前記積算値を除することにより、各前記領域の輝度値の平均値を前記第1のデータとしてそれぞれ算出する、請求項1に記載の線状の欠陥の検出装置。
- 前記第2の算出手段は、前記欠陥候補範囲以外の範囲よりも前記欠陥候補範囲が明るい場合、または、前記欠陥候補範囲以外の範囲よりも前記欠陥候補が暗い場合には、各前記画像データの符号を反転させて、前記符号が反転された後の前記画像データを加算することにより、前記第2のデータをそれぞれ算出する、請求項1に記載の線状の欠陥の検出装置。
- 前記第2の算出手段は、前記線状の欠陥候補の強度を算出し、前記強度が予め設定された基準値を下回る場合には、前記基準値を下回る強度を有する前記欠陥候補範囲の画像データを、前記第2のデータの算出の対象から除外する、請求項1に記載の線状の欠陥の検出装置。
- 前記範囲特定手段は、モフォロジ処理を用いて前記欠陥候補範囲を算出する、請求項1に記載の線状の欠陥の検出装置。
- 被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを格納する記憶手段と、
前記画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成する生成手段と、
前記複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿う各前記領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出する第1の算出手段と、
各前記第1のデータに基づいて、各前記分割画像における線状の欠陥候補が含まれる第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定する範囲特定手段と、
各前記第1の欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各前記線状の欠陥候補の強度をそれぞれ算出する強度算出手段と、
各前記強度に基づいて、各前記第1の欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出する第2の算出手段と、
前記第2の方向に沿って、各前記第2のデータを積算する積算手段と、
各前記第2のデータを積算することによって得られたデータに基づいて、前記複数の分割画像のうちの少なくとも2つの分割画像にまたがる線状の欠陥候補が含まれる第2の欠陥候補範囲を決定する決定手段と、
前記第2の欠陥候補範囲の中に、予め規定された条件を満足する線状の欠陥が存在するか否かを確認する確認手段と、
前記条件を満足する線状の欠陥が含まれる分割画像が前記複数の分割画像の中に存在する割合に基づいて、前記線状の欠陥の有無を判定する判定手段とを備え、
前記第2の算出手段は、各前記欠陥候補範囲に対応する画像データの符号を正または負のいずれかに揃えることにより、前記第2のデータをそれぞれ算出する、線状の欠陥の検出装置。 - 前記決定手段は、
各前記分割画像について、予め規定された閾値との差が予め定められた値を上回る輝度値を有する前記第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定する手段と、
特定された各前記第1の欠陥候補範囲について、前記第1の方向に沿う座標軸上の範囲をそれぞれ特定する手段と、
各前記第1の欠陥候補範囲について、特定された前記座標軸上の範囲の各々が重複しているか否かを判断する手段と、
特定された前記座標軸上の範囲の各々が重複している第1の欠陥候補範囲を前記第2の欠陥候補範囲として特定する手段とを含む、請求項7に記載の線状の欠陥の検出装置。 - 前記確認手段は、
前記第1の欠陥候補範囲について、前記第1の方向に従う座標軸上の範囲の第1の中央値を算出する手段と、
前記第2の欠陥候補範囲について、前記第1の方向に従う座標軸上の範囲の第2の中央値を算出する手段と、
前記第1の中央値と前記第2の中央値との差を算出する手段と、
前記差が予め設定された許容誤差の範囲内であるか否かを確認する手段と、
前記差が前記許容誤差の範囲内である場合に、前記線状の欠陥が前記第2の欠陥候補範囲に存在すると判断する手段とを含む、請求項7に記載の線状の欠陥の検出装置。 - 前記範囲特定手段は、モフォロジ処理を用いて前記第1の欠陥候補範囲を算出する、請求項7に記載の線状の欠陥の検出装置。
- 半導体の基板に薄膜を形成する第1の形成手段と、
前記薄膜にレジスト膜を形成する第2の形成手段と、
パターンを露光することにより、前記パターンを前記レジスト膜に転写する露光手段と、
前記転写されたパターン以外のレジスト膜を除去する第1の除去手段と、
前記基板を撮像して画像データを取得する撮像手段と、
請求項1〜10のいずれかに記載の検出装置とを備える、半導体基板の製造装置。 - 前記基板の検査の結果に基づいて、前記基板が予め規定された条件を満足するか否かを判断する手段と、
前記基板が前記条件を満足する場合に、前記基板から不要な薄膜を除去する第2の除去手段と、
前記基板が前記条件を満足しない場合に、前記第1の除去手段に前記基板を戻すリワーク手段とをさらに備える、請求項11に記載の半導体基板の製造装置。 - 前記第2の形成手段は、前記基板に対してレジストを一方向に塗布する、請求項11に記載の半導体基板の製造装置。
- 前記第2の形成手段は、前記基板に対して前記レジストを塗布する供給手段を含み、
前記半導体基板の製造装置は、前記基板が前記条件を満足しない場合に、前記供給手段を調整する調整手段をさらに備える、請求項11に記載の半導体基板の製造装置。 - 前記調整手段は、レジストの塗布条件を変更する、請求項14に記載の半導体基板の製造装置。
- 前記調整手段は、前記供給手段を洗浄する洗浄手段を含む、請求項14に記載の半導体基板の製造装置。
- 被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを読み出すステップと、
前記画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成するステップと、
前記複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿う各前記領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出する第1の算出ステップと、
各前記第1のデータに基づいて、各前記分割画像における線状の欠陥候補が含まれる欠陥候補範囲をそれぞれ特定する範囲特定ステップと、
各前記欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各前記欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出する第2の算出ステップと、
前記第2の方向に沿って、各前記第2のデータを積算するステップと、
各前記第2のデータを積算することにより得られたデータに基づいて、線状の欠陥を特定するステップとを備え、
前記第2の算出ステップは、各前記欠陥候補範囲に対応する画像データの符号を正または負のいずれかに揃えることにより、前記第2のデータをそれぞれ算出するステップを含
む、線状の欠陥の検出方法。 - 前記被写体は、膜が形成された基板を含む、請求項17に記載の線状の欠陥の検出方法。
- 前記第1の算出ステップは、前記第1の方向に沿う座標軸の座標値が同一である各輝度値の積算値を算出し、前記第2の方向の画素数を用いて前記積算値を除することにより、各前記領域の輝度値の平均値を前記第1のデータとしてそれぞれ算出する、請求項17に記載の線状の欠陥の検出方法。
- 前記第2の算出ステップは、前記欠陥候補範囲以外の範囲よりも前記欠陥候補範囲が明るい場合、または、前記欠陥候補範囲以外の範囲よりも前記欠陥候補が暗い場合には、各前記画像データの符号を反転させて、前記符号が反転された後の前記画像データを加算することにより、前記第2のデータをそれぞれ算出する、請求項19に記載の線状の欠陥の検出方法。
- 前記第2の算出ステップは、前記線状の欠陥候補の強度を算出し、前記強度が予め設定された基準値を下回る場合には、前記基準値を下回る強度を有する前記欠陥候補範囲の画像データを、前記第2のデータの算出の対象から除外する、請求項17に記載の線状の欠陥の検出方法。
- 前記範囲特定ステップは、モフォロジ処理を用いて前記欠陥候補範囲を算出する、請求項17に記載の線状の欠陥の検出方法。
- 被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを読み出すステップと、
前記画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成するステップと、
前記複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿う各前記領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出する第1の算出ステップと、
各前記第1のデータに基づいて、各前記分割画像における線状の欠陥候補が含まれる第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定する範囲特定ステップと、
各前記第1の欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各前記線状の欠陥候補の強度をそれぞれ算出するステップと、
各前記強度に基づいて、各前記第1の欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出するステップと、
前記第2の方向に沿って、各前記第2のデータを積算するステップと、
各前記第2のデータを積算することによって得られたデータに基づいて、前記複数の分割画像のうちの少なくとも2つの分割画像にまたがる線状の欠陥候補が含まれる第2の欠陥候補範囲を決定するステップと、
前記第2の欠陥候補範囲の中に、予め規定された条件を満足する線状の欠陥が存在するか否かを確認するステップと、
前記条件を満足する線状の欠陥が含まれる分割画像が前記複数の分割画像の中に存在する割合に基づいて、前記線状の欠陥の有無を判定するステップとを備え、
前記第2のデータをそれぞれ算出するステップは、各前記欠陥候補範囲に対応する画像データの符号を正または負のいずれかに揃えることにより、前記第2のデータをそれぞれ算出するステップを含む、線状の欠陥の検出方法。 - 前記第2の欠陥候補範囲を決定するステップは、
各前記分割画像について、予め規定された閾値との差が予め定められた値を上回る輝度値を有する前記第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定するステップと、
特定された各前記第1の欠陥候補範囲について、前記第1の方向に沿う座標軸上の範囲をそれぞれ特定するステップと、
各前記第1の欠陥候補範囲について、特定された前記座標軸上の範囲の各々が重複しているか否かを判断するステップと、
特定された前記座標軸上の範囲の各々が重複している第1の欠陥候補範囲を前記第2の欠陥候補範囲として特定するステップとを含む、請求項23に記載の線状の欠陥の検出方法。 - 前記確認するステップは、
前記第1の欠陥候補範囲について、前記第1の方向に従う座標軸上の範囲の第1の中央値を算出するステップと、
前記第2の欠陥候補範囲について、前記第1の方向に従う座標軸上の範囲の第2の中央値を算出するステップと、
前記第1の中央値と前記第2の中央値との差を算出するステップと、
前記差が予め設定された許容誤差の範囲内であるか否かを確認するステップと、
前記差が前記許容誤差の範囲内である場合に、前記線状の欠陥が前記第2の欠陥候補範囲に存在すると判断するステップとを含む、請求項23に記載の線状の欠陥の検出方法。 - 前記範囲特定ステップは、モフォロジ処理を用いて前記第1の欠陥候補範囲を算出する、請求項23に記載の線状の欠陥の検出方法。
- 半導体の基板に薄膜を形成するステップと、
前記薄膜にレジスト膜を形成するステップと、
パターンを露光することにより、前記パターンを前記レジスト膜に転写するステップと、
前記転写されたパターン以外のレジスト膜を除去するステップと、
前記基板を撮像して画像データを取得するステップと、
前記画像データに基づいて、請求項17〜26のいずれかに記載の方法を用いて、前記基板を検査するステップとを備える、半導体基板の製造方法。 - 前記基板の検査の結果に基づいて、前記基板が予め規定された条件を満足するか否かを判断するステップと、
前記基板が前記条件を満足する場合に、前記基板から不要な薄膜を除去するステップと、
前記基板が前記条件を満足しない場合に、前記レジスト膜を除去する前記ステップに前記基板を戻すステップとをさらに備える、請求項27に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記レジスト膜を形成するステップは、前記基板に対してレジストを一方向に塗布するステップを含む、請求項27に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記薄膜にレジスト膜を形成する前記ステップは、レジスト膜形成装置が、前記基板に対して前記レジストを塗布するステップを含み、
前記半導体基板の製造方法は、前記基板が前記条件を満足しない場合に、前記レジスト膜形成装置を調整するステップをさらに備える、請求項28に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記調整するステップは、レジストの塗布条件を変更するステップを含む、請求項30に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記調整するステップは、レジストを塗布するために前記レジスト膜形成装置が備えるノズルを洗浄するステップを含む、請求項30に記載の半導体基板の製造方法。
- 線状の欠陥を検出する検出装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、前記プログラムは前記コンピュータに、
被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを読み出すステップと、
前記画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成するステップと、
前記複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿う各前記領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出するステップと、
各前記第1のデータに基づいて、各前記分割画像における線状の欠陥候補が含まれる欠陥候補範囲をそれぞれ特定するステップと、
各前記欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各前記欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出するステップと、
前記第2の方向に沿って、各前記第2のデータを積算するステップと、
各前記第2のデータを積算することにより得られたデータに基づいて、線状の欠陥を特定するステップとを実行させ、
前記第2のデータをそれぞれ算出するステップは、各前記欠陥候補範囲に対応する画像データの符号を正または負のいずれかに揃えることにより、前記第2のデータをそれぞれ算出するステップを含む、プログラム。 - 線状の欠陥を検出する検出装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、前記プログラムは前記コンピュータに、
被写体の撮像により取得された画像を表わす画像データを読み出すステップと、
前記画像を第1の方向に沿って分割して複数の分割画像を生成するステップと、
前記複数の分割画像の各々を構成する複数の領域の輝度値であって、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿う各前記領域の輝度値に基づいて、第1のデータをそれぞれ算出するステップと、
各前記第1のデータに基づいて、各前記分割画像における線状の欠陥候補が含まれる第1の欠陥候補範囲をそれぞれ特定するステップと、
各前記第1の欠陥候補範囲に対応する画像データに基づいて、各前記線状の欠陥候補の強度をそれぞれ算出するステップと、
各前記強度に基づいて、各前記第1の欠陥候補範囲が強調された第2のデータをそれぞれ算出するステップと、
前記第2の方向に沿って、各前記第2のデータを積算するステップと、
各前記第2のデータを積算することによって得られたデータに基づいて、前記複数の分割画像のうちの少なくとも2つの分割画像にまたがる線状の欠陥候補が含まれる第2の欠陥候補範囲を決定するステップと、
前記第2の欠陥候補範囲の中に、予め規定された条件を満足する線状の欠陥が存在するか否かを確認するステップと、
前記条件を満足する線状の欠陥が含まれる分割画像が前記複数の分割画像の中に存在する割合に基づいて、前記線状の欠陥の有無を判定するステップとを実行させ、
前記第2のデータをそれぞれ算出するステップは、各前記欠陥候補範囲に対応する画像データの符号を正または負のいずれかに揃えることにより、前記第2のデータをそれぞれ算出するステップを含む、プログラム。 - 請求項33または請求項34に記載のプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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