CN102809839A - 阵列基板的图形修补装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板的图形修补装置及方法，阵列基板的图形修补装置包括：光照单元，用于在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；检测单元，用于对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；以及涂布单元，其用于在判定所述曝光后图形存在待涂布缺陷时，在待涂布缺陷处涂布形成一保护层。

Description

阵列基板的图形修补装置及方法
【技术领域】
本发明涉及液晶生产技术领域，特别是涉及一种阵列基板的图形修补装置及方法。
【背景技术】
随着液晶技术的不断发展，对液晶生产效率提出了很高的要求。
在液晶显示器的制作过程中，光罩 (MASK)是必不可少的制作部件，譬如在制作薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）基板的像素区、或者彩色滤光片（Color Filter，CF）基板的色阻区（R、G和B）的过程中，都需要用到光罩。
请参阅图1，图1为现有技术中一种光罩的俯视结构示意图。光罩10包括透明玻璃11，叠加于所述透明玻璃11上的光阻层12，与所述光阻层12位于同一层、且形成于所述光阻层12之间的透光区13，其中所述光阻层12不透光，所述光阻层12和所述透光区13共同形成光罩图案。
在TFT基板的制作过程中，通过所述光罩10对基底上的待刻蚀层进行光照后，会在待刻蚀层上形成曝光后图形，此时需要对该曝光后图形进行检测，检测结果包括两种情况：一是曝光后图形存在多余的光阻；二是曝光后图形存在断线缺陷，该断线缺陷可能有待刻蚀层的光阻气泡破裂引起。
针对上述第一种情况，可以通过清除设备（Repair）去除所述曝光后图形中多余的光阻。而针对上述第二种情况，则需要将所述形成曝光后图形的基底重新进行光罩，或者直接报废，不仅造成成本的浪费，而且影响液晶生产效率。
综上，一旦待刻蚀层上的曝光后图形存在断线缺陷，对该断线缺陷的处理不仅造成成本浪费，而且还影响液晶生产效率。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种阵列基板的图形修补装置，以解决现有技术中待刻蚀层上的曝光后图形存在断线缺陷时，对该断线缺陷的处理不仅造成成本浪费，而且还影响液晶生产效率的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明构造了一种阵列基板的图形修补装置，所述装置包括：
光照单元，用于在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；
检测单元，用于对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；以及
涂布单元，其用于在判定所述曝光后图形存在待涂布缺陷时，在待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
在本发明一实施例中：所述检测单元具体包括：
图像获取单元，用于获取所述曝光后图形的图像；以及
显示单元，用于将所述图像获取单元获取的图像显示给操作人员，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷。
在本发明一实施例中：所述阵列基板的图形修补装置还包括：
刻蚀单元，用于对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。
在本发明一实施例中：所述涂布单元包含喷嘴。
在本发明一实施例中：所述待涂布缺陷为断线缺陷。
本发明的另一个目的在于提供一种阵列基板的图形修补方法，以解决现有技术中待刻蚀层上的曝光后图形存在断线缺陷时，对该断线缺陷的处理不仅造成成本浪费，而且还影响液晶生产效率的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明构造了一种阵列基板的图形修补方法，所述方法包括以下步骤：
在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；
对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；
若所述曝光后图形存在待涂布缺陷，则在所述待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
在本发明一实施例中：对所述刻蚀图案进行检测的步骤具体包括：
获取所述曝光后图形的图像；以及
将获取的图像显示，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷。
在本发明一实施例中：在待涂布缺陷处涂布形成一保护层的步骤之后，所述方法还包括以下步骤：
对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。
在本发明一实施例中：在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层的步骤具体包括：
通过喷嘴在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层。
在本发明一实施例中：所述待涂布缺陷为断线缺陷。
相对于现有技术，本发明通过在现有的修补机的基础上增加一涂布单元，譬如喷嘴，在判定曝光后图形存在待涂布缺陷时，通过该涂布单元直接在待涂布缺陷处涂布形成一保护层，显然，本发明无需将存在断线缺陷的阵列基板报废，而是直接在待涂布缺陷处涂布形成保护层，不仅效率高，而且成本低。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为现有技术中光罩的结构示意图；
图2为本发明中阵列基板的图形修补装置的较佳实施例结构示意图；
图3A-3C为本发明中对阵列基板的图形修补过程中各阶段曝光后图形的结构示意图；
图4为本发明中阵列基板的图形修补方法的较佳实施例流程示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
图2为本发明提供的阵列基板的图形修补装置的较佳实施例结构示意图。
所述阵列基板的图形修补装置包括光照单元21、检测单元22、涂布单元23、清除单元24以及刻蚀单元25，而所述检测单元22还包括图像获取单元221和显示单元222。
所述光照单元21用于在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在基底的待刻蚀层形成曝光后图形。所述检测单元22用于对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测。其中检测结果包括以下两种情况：一是所述曝光后图形存在待涂布缺陷，譬如断线缺陷；二是所述曝光后图形存在待清除光阻，譬如多余的光阻。
在具体实施过程中，所述检测单元22的图像获取单元221用于获取所述曝光后图形的图像，而所述显示单元222用于将所述图像获取单元221获取的图像显示给操作人员，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷或者待清除光阻。
若所述曝光后图形存在待涂布缺陷，则所述涂布单元23在所述待涂布缺陷处涂布形成一保护层，在后续制程中，保护待涂布缺陷对应的光阻不被刻蚀，之后由所述刻蚀单元25对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。若所述曝光后图形存在待清除光阻，则所述清除单元24将该待清除光阻清除，之后由所述刻蚀单元25对待刻蚀层进行刻蚀。
其中所述曝光后图形的待涂布缺陷可以为断线缺陷，当然可以是其它的缺陷。而所述涂布单元23优选包括喷嘴（Nozzle）。
下面结合图3A和图3C来说明本发明提供的阵列基板的图形修补装置的工作过程：
提供3A所示的光罩30，其中光罩30上设置有光罩图案，该光罩图案具有遮光区31和透光区32，遮光区31由光阻材料涂布形成，用来遮光。
将光罩30置于基底40上方（请一并参阅图3B），其中所述基底40上涂布有待刻蚀层（图未标示）。之后控制所述光照单元21对光罩30进行光照，以在所述基底40的待刻蚀层上形成曝光后图形。
之后所述控制检测单元22对曝光后图形进行检测，具体为：通过所述图像获取单元221获取曝光后图形的图像，通过所述显示单元222将获取的曝光后图形的图像显示给操作人员。在图3B所示的基底40上，所述曝光后图形存在一断线缺陷41。
之后将所述基底40置于平台上，控制所述涂布单元23在曝光后图形的断线缺陷41处涂布一保护层42，譬如请参阅图3C，该保护层42可为光阻材料，该保护层42用于保护对应的待刻蚀层不被刻蚀。
本发明通过在现有修补机的基础上增加一涂布单元23，譬如喷嘴，在判定基底40上的曝光后图形存在断线缺陷41时，通过该涂布单元23直接在断线缺陷41处涂布形成一保护层42，而无需将形成有断线缺陷42的基底40报废或者重新进行光罩制程，不仅效率高，而且成本低。
图4为本发明提供的光罩的修补方法的较佳实施例流程示意图。
在步骤S401中，将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照以在基底的待刻蚀层上形成曝光后图形。
在步骤S402中，对所述曝光后图形进行检测，若判定所述曝光后图形存在待涂布缺陷，进行步骤S403；若判定所述曝光后图形存在待清除光阻，则进行步骤S404。
对所述曝光后图形进行检测的步骤具体包括：获取所述曝光后图形的图像，将获取的图像显示给操作人员，由操作人员判断是否存在待涂布缺陷，包括两种情况：一是检测到所述曝光后图形存在待涂布缺陷，譬如断线缺陷；二是检测到所述曝光后图形存在待清除光阻。
在步骤S403中，在曝光后图形的待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
在步骤S404中，将所述待清除光阻清除。
在步骤S405中，对待刻蚀层进行刻蚀。
本发明优选使用喷嘴在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层。
本发明通过在现有的修补机的基础上增加一涂布单元，譬如喷嘴，在判定曝光后图形存在待涂布缺陷时，通过该涂布单元直接在待涂布缺陷处涂布形成一保护层，显然，本发明无需将存在断线缺陷的阵列基板报废，而是直接在待涂布缺陷处涂布形成保护层，不仅效率高，而且成本低。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的图形修补装置，其特征在于，所述装置包括：
光照单元，用于在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；
检测单元，用于对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；以及
涂布单元，其用于在判定所述曝光后图形存在待涂布缺陷时，在待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于，所述检测单元具体包括：
图像获取单元，用于获取所述曝光后图形的图像；以及
显示单元，用于将所述图像获取单元获取的图像显示给操作人员，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于：所述阵列基板的图形修补装置还包括：
刻蚀单元，用于对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于：所述涂布单元包含喷嘴。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的图形修补装置，其特征在于：所述待涂布缺陷为断线缺陷。
6.一种阵列基板的图形修补方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；
对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；
若所述曝光后图形存在待涂布缺陷，则在所述待涂布缺陷处涂布形成一保护层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：对所述刻蚀图案进行检测的步骤具体包括：
获取所述曝光后图形的图像；以及
将获取的图像显示，由操作人员判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：在待涂布缺陷处涂布形成一保护层的步骤之后，所述方法还包括以下步骤：
对形成有保护层的待刻蚀层进行刻蚀。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层的步骤具体包括：
通过喷嘴在所述待涂布缺陷处涂布形成所述保护层。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的图形修补方法，其特征在于：所述待涂布缺陷为断线缺陷。
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