TWI449898B - Observation device, inspection device and inspection method - Google Patents

Observation device, inspection device and inspection method Download PDF

Info

Publication number
TWI449898B
TWI449898B TW097106747A TW97106747A TWI449898B TW I449898 B TWI449898 B TW I449898B TW 097106747 A TW097106747 A TW 097106747A TW 97106747 A TW97106747 A TW 97106747A TW I449898 B TWI449898 B TW I449898B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wavelengths
substrate
light
image
inspection
Prior art date
Application number
TW097106747A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200844427A (en
Inventor
深澤和彥
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200844427A publication Critical patent/TW200844427A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI449898B publication Critical patent/TWI449898B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

觀察裝置、檢查裝置及檢查方法
本發明，係關於用以觀察半導體晶圓等所代表之被檢測基板表面的觀察裝置、以及用以檢查被檢測基板表面之檢查裝置及檢查方法。
用以觀察或檢查形成於半導體晶圓(以下稱為晶圓)表面之圖案異常、或光阻(感光樹脂膜)上之損傷及異物等的裝置，係有提出各種裝置(參照例如專利文獻1)。此種晶圓之檢查，大分為破壞性檢查及非破壞性檢查。破壞性檢查有SEM(掃描型電子顯微鏡)之檢查等，非破壞性檢查有目視檢查或拍攝照明晶圓表面而得之反射光並加以解析的檢查等。
又，晶圓之檢查雖在各步驟進行較佳，但在有缺陷時可再生之圖案之曝光及顯影步驟結束的階段所進行的檢查尤其重要。此外，半導體製程中，在將既定電路圖案曝光於塗布有光阻之晶圓表面後，係經由顯影、蝕刻、濺鍍、塗布、CMP(化學機械式研磨)等多數個步驟，在再度塗布光阻後使另一電路圖案曝光，其後經由相同之步驟堆積複數層。
專利文獻1：日本特開2006－135211號公報
然而，當在此階段照明最上層之電路圖案並拍攝其反射光以進行檢查時，照明光會在最上層之電路圖案之下層部分產生干涉，當下層部分之形狀不均一時干涉程度亦不會均一，因此會於反射光包含亮度不均一之干涉光。又，由於亮度不均一之干涉光會使反射光產生之晶圓像產生濃淡，因而無法區別因損傷或異物之影響所導致之濃淡與因亮度不均一所導致之干涉光的濃淡，而造成晶圓檢查之精度降低。
本發明有鑑於上述問題，其目的係提供可減低用以檢查(觀察)被檢測基板時之基底之影響的觀察裝置、檢查裝置及檢查方法。
為達成上述目的，本發明之觀察裝置，其具備：照明部，係以複數種波長之照明光照明被檢測基板；攝影部，係拍攝被照明光照明之被檢測基板；以及攝影像生成部，係就複數種之各波長進行加權以生成被攝影部拍攝之被檢測基板的觀察用攝影像。
此外，上述觀察裝置之較佳構成為，該攝影部，具有：與複數種波長對應設置之複數個攝影元件，以及將來自被檢測基板之光就複數種之各波長分離並分別導至複數個攝影元件的攝影光學系統；攝影像生成部，係對以複數個攝影元件就複數種之各波長拍攝之攝影像進行加權並分別合成，藉此生成觀察用攝影像。
又，本發明之檢查裝置，具備：照明部，係以複數種波長之照明光照明被檢測基板；攝影部，係拍攝被照明光 照明之被檢測基板；攝影像生成部，係生成已就複數種之各波長進行加權之被檢測基板的檢查用攝影像；以及判定部，係根據以攝影像生成部生成之檢查用攝影像判定被檢測基板有無缺陷。
此外，上述檢查裝置之較佳構成為，以照明部照明被檢測基板之照明光係平行光；攝影部，係拍攝來自被檢測基板之正反射光之被檢測基板的像。
又，上述檢查裝置亦可構成為，於被檢測基板之表面形成有既定之反覆圖案；且具備：第1偏振元件，係將照明光中之第1偏振狀態之光送至被檢測基板；保持部，係將被檢測基板保持成被檢測基板表面之第1偏振狀態相對反覆圖案之反覆方向呈傾斜；以及第2偏振元件，係將來自被檢測基板之反射光中與第1偏振狀態之光正交之第2偏振狀態之光送至攝影部；攝影部，係拍攝第2偏振狀態之光之被檢測基板之像。
再者，上述檢查裝置最好係構成為，照明部，具有：複數個照明器，係與複數種波長對應設置有複數個，且分別發出複數種波長中具有彼此不同之任一波長的照明光；以及聚光光學系統，係合成自複數個照明器發出之照明光並導至被檢測基板。
又，上述檢查裝置最好係構成為，複數種波長係以三種類以上之波長設定；加權之比例，係設定成以照明部照明既定基準基板並以攝影部拍攝、而藉由攝影像生成部生成之基準基板之檢查用攝影像中，基準基板之像與實際之 基準基板之像會大致相同的比例。
再者，上述檢查裝置最好係構成為，攝影部，具有：與複數種波長對應設置之複數個攝影元件，以及將來自被檢測基板之光就複數種之各波長分離並分別導至複數個攝影元件的攝影光學系統；攝影像生成部，係對以複數個攝影元件就複數種之各波長拍攝之攝影像進行加權並分別合成，藉此生成檢查用攝影像。
又，本發明之檢查方法，其特徵在於：以複數種波長之照明光照明被檢測基板；拍攝被照明光照明之被檢測基板；就複數種之各波長進行加權以生成所拍攝之被檢測基板的檢查用攝影像；根據所生成之檢查用攝影像判定被檢測基板有無缺陷。
此外，上述之檢查方法，最好係在拍攝被檢測基板時，係將來自被檢測基板之光就複數種波長分離並攝影；對就複數種之各波長拍攝之攝影像進行加權並分別合成，藉此生成檢查用攝影像。
根據本發明，可減低檢查(觀察)被檢測基板時之基底的影響。
以下，參照圖式說明本發明之較佳實施形態。第1實施形態之檢查裝置1a係如圖1所示，以支撐被檢測基板之晶圓10的載台20、以具有主要三種類之波長之照明光照明晶圓10的照明部30、拍攝被該照明光照明之晶圓10之 攝影部40、照明光學系統23及觀察光學系統24、以及影像處理部27及影像顯示裝置28為主體構成。此檢查裝置1a係在半導體電路元件之製程中自動進行晶圓10之表面檢查之裝置。晶圓10，當對最上層之光阻劑膜進行曝光及顯影後，即藉由未圖示之搬運系統，從未圖示之晶圓匣或顯影裝置搬運，而吸附保持於載台20。
載台20能將晶圓10保持成以通過載台20(晶圓10)中心之法線(圖1中延伸於上下方向之軸)為旋轉軸使晶圓10旋轉。又，載台20能以沿相對於上述旋轉軸及照明光之行進方向成垂直的方向(圖1中之深處方向)延伸的軸為中心使晶圓10傾斜，而能調整照明光之入射角。
照明部30，如圖2所示具備與上述三種類之波長對應設置之三個照明器31a,31b,31c、以及將自各照明器31a,31b,31c發出之照明光合成並導至晶圓10的聚光光學系統35。第1照明器31a，雖省略詳細圖示，但其係由氙氣燈或水銀燈等之光源或抽出來自光源之光中所欲波長成分(亮線光譜)的干涉濾波器(帶通濾波器)等構成，可發出具有上述三種類波長之一之第1波長的照明光。
第2照明器31b係與第1照明器31a相同的構成，可發出具有上述三種類波長之一之第2波長的照明光。第3照明器31c亦係與第1照明器31a相同的構成，可發出具有三種類波長之一之第3波長的照明光。由此可知，三個照明器31a,31b,31c，係分別發出三種類之波長中具有互異之任一波長的照明光。此外，實際上，三個照明器31a,31b, 31c係分別發出具有第1~第3波長±10nm~30nm左右之波長寬的照明光。
聚光光學系統35，具有三個聚光透鏡32a,32b,32c以及三個反射鏡36,37,38。第1聚光透鏡32a，用以使自第1照明器31a發出之具有第1波長之照明光聚光並導至第1反射鏡36。第2聚光透鏡32b，用以使自第2照明器31b發出之具有第2波長之照明光聚光並導至第2反射鏡37。第3聚光透鏡32c，用以使自第3照明器31c發出之具有第3波長之照明光聚光並導至第3反射鏡38。
第3反射鏡38係一般之反射鏡。第3反射鏡38，係反射來自第3聚光透鏡32c之具有第3波長之照明光以使其朝向第2反射鏡37。第2反射鏡37係所謂分光鏡。第2反射鏡37係反射來自第2聚光透鏡32b之具有第2波長之照明光以使其朝向第1反射鏡36，且使來自第3反射鏡38之具有第3波長之照明光透射以使其朝向第1反射鏡36。
第1反射鏡36亦係所謂分光鏡。第1反射鏡36係使來自第1聚光透鏡32a之具有第1波長之照明光透射以使其朝向晶圓10表面，且反射來自第2反射鏡37之具有第2及第3波長之照明光以使其朝向晶圓10表面。如此，即在第1反射鏡36及第2反射鏡37合成具有第1~第3波長之照明光且導至晶圓10。此外，圖2(圖15亦同)中，雖為了方便說明而分開記載具有第1~第3波長之照明光的光軸，但實際上，所合成之照明光之光軸係一致。
此外，於第1聚光透鏡32a與第1反射鏡36之間設有可插拔於光路上之第1開閉器33a，其可切換第1照明器31a之照明的開啟/關閉。又，於第2聚光透鏡32b與第2反射鏡37之間設有可插拔於光路上之第2開閉器33b，其可切換第2照明器31b之照明的開啟/關閉。又，於第3聚光透鏡32c與第3反射鏡38之間設有可插拔於光路上之第3開閉器33c，其可切換第3照明器31c之照明的開啟/關閉。
如圖1所示，照明光學系統23係使來自照明部30之照明光成為平行光且導至晶圓10表面的所謂遠心光學系統。又，於照明部30與照明光學系統23之間，設有可插拔於光路上之照明側偏振濾光器22，但在第1實施形態中，係照明側偏振濾光器22自光路上拔去的構成(關於照明側偏振濾光器22之詳細構成留待後述)。
觀察光學系統24，係使在晶圓10表面反射之光向攝影部40聚集的光學系統。又，於觀察光學系統24與攝影部40之間設有可插拔於光路上之受光側偏振濾光器25，但在第1實施形態中，係受光側偏振濾光器25自光路上拔去的構成(關於受光側偏振濾光器25之詳細構成留待後述)。如上述，第1實施形態中，照明側偏振濾光器22及受光側偏振濾光器25係分別自光路上拔去的構成，藉由照明部30照明晶圓10之照明光為平行光，攝影部40係拍攝來自晶圓10之正反射光的(晶圓10之)像。
如圖3所示，攝影部40，具備與三種類之波長對應設 置之三個攝影元件41a,41b,41c，以及將來自晶圓10之反射光就三種類之各波長分離並分別導至三個攝影元件41a,41b,41c的攝影光學系統45。第1~第3攝影元件41a,41b,41c，係CCD或CMOS等之放大型固態攝影元件，對成像於元件上之晶圓10的像進行光電轉換並將攝影訊號輸出至影像處理部27。
攝影光學系統45，具有三個反射鏡46,47,48。第4反射鏡46係所謂分光鏡。第4反射鏡46係使來自晶圓10之具有第1波長之反射光透射以使其朝向第1攝影元件41a，且反射具有第2及第3波長之照明光以使其朝向第5反射鏡47。第5反射鏡47亦係所謂分光鏡。第5反射鏡47係反射來自第4反射鏡46之具有第2波長之反射光以使其朝向第2攝影元件41b，且使來自第4反射鏡46之具有第3波長之反射光透射以使其朝向第6反射鏡48。
第6反射鏡48係一般的反射鏡。第6反射鏡48係反射來自第5反射鏡47之具有第3波長之反射光以使其朝向第3攝影元件41c。如上述，來自晶圓10之反射光係在第4反射鏡46及第5反射鏡47分離成具有第1~第3波長之反射光，並分別導至第1~第3攝影元件41a,41b,41c。
影像處理部27，係根據自攝影部40之第1~第3攝影元件41a,41b,41c輸出之影像訊號，擷取就三種類之各波長所拍攝(晶圓10之)的攝影像，且對所擷取之攝影像進行既定影像處理以生成晶圓10之檢查用攝影像。此外，為了進行比較，於影像處理部27亦預先儲存有作為基準基 板之良品晶圓(未圖示)之攝影像(反射影像)。
接著，當影像處理部27生成被檢測基板之晶圓10之檢查用攝影像時，即將其亮度資訊與良品晶圓之攝影像之亮度資訊進行比較。此時，依據檢查用攝影像中暗處之亮度值之降低量(光量變化)來檢測出晶圓10表面之缺陷。例如，只要在亮度值之降低量較預定之閾值(容許值)大時判定為「缺陷」，較閾值為小時判定為「正常」即可。接著，影像處理部27之亮度資訊之比較結果及此時的晶圓10之檢查用攝影像係輸出顯示在影像輸出顯示裝置28。
此外，影像處理部27中，如上所述，除了將良品晶圓之攝影像預先儲存之構成外，亦可係預先儲存晶圓10之照射區域之排列資料與亮度值之閾值之構成。此時，由於依據照射區域之排列資料即能知道晶圓10之檢查用攝影像中各照射區域之位置，因此可求出各照射區域之亮度值。接著，將該亮度值與所儲存之閾值相比較，藉此檢測出圖案之缺陷。只要將亮度值較閾值為小之照射區域判定為「缺陷」即可。
參照圖16所示之流程圖說明第1實施形態之檢查裝置1a對晶圓10表面的檢查方法。首先，步驟S101中，係設定檢查對象之參數。參數有晶圓10之照射尺寸、晶片尺寸、基底構造資訊、各波長之校正增益(加權)、照射排列、或晶片區域11內之構造資料等。此外，於晶圓10表面例如圖8所示排列有複數個晶片區域11。
其次，步驟S102中，係將作為檢查對象之晶圓10搬 送至載台20。此時，被搬送之晶圓10係被吸附保持於載台20。
其次，步驟S103中，係藉由照明部30以三種類之波長(第1~第3波長)的照明光照明晶圓10。此時，照明部30中，係自第1~第3照明器31a,31b,31c分別發出具有第1~第3波長之照明光，並藉由聚光光學系統35合成具有第1~第3波長之照明光並導至晶圓10。藉此，可較容易地作出具有複數種(三種類)之波長的照明光。如上述，自照明部30發出之照明光，係在照明光學系統23成為平行光照射至晶圓10表面，在晶圓10表面反射之正反射光係藉由觀察光學系統24而向攝影部40聚集。
其次，步驟S104中，藉由攝影部40拍攝被上述照明光照明之晶圓10並予以記錄。此時，來自晶圓10之正反射光藉由攝影光學系統45就三種類之各波長(第1~第3波長)分離並導至第1~第3攝影元件41a,41b,41c，以各攝影元件41a,41b,41c對成像於元件上(晶圓10之)之像分別進行光電轉換，接著將攝影訊號輸出至影像處理部27。
當藉由第1~第3攝影元件41a,41b,41c就三種類之各波長拍攝後，影像處理部27，係在步驟S105~S110中，對第1~第3攝影元件41a,41b,41c所拍攝之攝影像進行既定加權並分別合成，藉此生成晶圓10之檢查用攝影像。具體而言，係將與三種類之各波長之加權對應的增益分別乘以各攝影元件41a,41b,41c所拍攝之攝影像(亮度)後合成。藉此能僅以影像處理進行既定加權，因此能使裝置構 成簡便。
此外，加權之比例，最好係在以照明部30照明作為基準基板之良品晶圓(未圖示)並以攝影部40拍攝、藉由影像處理部27生成之良品晶圓的檢查用攝影像中，設定成良品晶圓之像會與實際之良品晶圓之像大致相同的比例。藉此，可更確實地減低檢查晶圓10時之基底的影響，更提升晶圓檢查之精度。
接著敘述步驟S105~S110，首先，步驟S105中，係根據晶片區域11內之構造資料將晶片區域11進一步分割成複數個區域。
其次，步驟S106中，係算出就三種類之各波長以各攝影元件41a,41b,41c拍攝之攝影像中晶圓10表面的亮度分布。此時，係就在步驟S105分割出之各區域算出亮度分布。
其次，步驟S107中，係就三種類之各波長選擇在步驟S105分割出之複數個區域中一個區域的攝影像(影像)。
其次，步驟S108中，為了使所選擇之區域的亮度分布均一，係對在步驟S107就三種類之各波長選擇之區域的亮度乘上與三種類之各波長之加權對應的增益(或進行重設)，並合成各波長之區域的攝影像。
其次，步驟S109中，反覆步驟S107~S108直到選擇在步驟S105分割之所有區域為止。
其次，步驟S110中，連接生成為亮度分布均一之各區域的攝影像並予以合成，生成一個檢查用攝影像。
接著，當如上述生成晶圓10之檢查用攝影像後，影像處理部27，即在步驟S111中，藉由將其亮度影像與良品晶圓之攝影像的亮度資訊進行比較等，檢測出晶圓10表面之缺陷，以判定晶圓10有無缺陷。
此外，如圖4(a)所示，當使用具有e線之波長(546nm)之照明光照明附著有異物19之晶圓10時，會成為整體較暗且濃淡不均的攝影像50a。又，如圖4(b)所示，當使用具有g線之波長(436nm)之照明光照明同一晶圓10時，會成為整體較暗且難以確認異物19之存在的攝影像50b。此外，圖4中，以圖表及陰影表示攝影像之濃淡(亮度)之分布。
當平行光(照明光)照射於晶圓10表面時，如圖5所示，在晶圓10之表面為平坦時反射光為正反射光。另一方面，當於晶圓10表面附著有異物19時反射光會成為散射光，而於反射光之晶圓10之攝影像中出現因異物19影響之濃淡，而能檢測出異物19。又，當於晶圓10表面產生損傷18時亦相同。
然而，若照明最上層之光阻層16並拍攝其反射光來加以檢查，由於照明光會在位於最上層之光阻層16之下層的加工膜15部分產生干涉，當加工膜15之形狀不均一時干涉之程度亦不會均一，因此反射光中會包含亮度不均一之干涉光。又，亮度不均一之干涉光，由於會如圖4(a)及(b)所示成為濃淡出現於反射光之晶圓10的攝影像，因而無法區別因損傷18或異物19之影響所導致之濃淡與因亮度 不均一所導致之干涉光的濃淡，而造成晶圓檢查之精度降低。
相對於此，如圖4(c)所示，當使用具有e線及g線之兩個波長之照明光照明同一晶圓10時，可得到因亮度不均一之干涉光所導致之濃淡不均較少的攝影像55。其理由在於，因干涉光對加工膜膜厚之亮度特性在e線及g線大致對稱，故當使用具有e線及g線之兩個波長之照明光照明晶圓10時，干涉光之亮度特性可彼此相抵銷。此外，將干涉光對加工膜膜厚之亮度特性例示於圖6。只要將以上述方式取得之攝影像作為檢查用攝影像55使用，即可以高精度檢查晶圓10。
藉此，只要使用第1實施形態之檢查裝置1a及檢查方法，可就複數種之各波長進行既定加權以生成晶圓10的檢查用攝影像，並根據所生成之檢查用攝影像判定晶圓10有無缺陷，因此可減少因亮度不均一之干涉光所導致之濃淡不均，減低在檢查晶圓10時之基底的影響，以提升晶圓檢查的精度。
又，如前所述，可使用兩種類之波長作成檢查用攝影像，以減少因亮度不均一之干涉光所導致的濃淡不均，而亦可藉由使用三種類以上的波長，可更確實地減少因亮度不均一之干涉光所導致之濃淡不均，更確實地減低檢查晶圓10時之基底的影響，更提升晶圓檢查之精度。
此處，於圖17至圖19顯示透過本實施形態所實際得到之影像。圖17係本實施形態中以e線之光線照明晶圓並 拍攝的像。從圖中可知於同心圓上產生不均。其次，圖18係本實施形態中以g線之光線照明晶圓並拍攝的像。其亦產生同心圓狀之不均。其次，圖19係本實施形態中以h線之光線照明晶圓並拍攝的像。圖19中雖亦產生不均，但可知中央附近較暗且與圖17所示以e線照明晶圓而得之像之不均的明暗關係係相反。
其次，對圖17之像與圖19之像進行加權以消除不均後合成的像，係如圖20所示。自圖20可清楚得知，可得到整體不均較少的像，可減低不均之影響進行高精度之檢查。
接著，說明檢查裝置之第2實施形態。第2實施形態之檢查裝置1b，雖如圖7所示係與第1實施形態之檢查裝置1a相同的構成，但在照明部30與照明光學系統23之間的光路上插入照明側偏振濾光器22，且於觀察光學系統24與攝影部40之間之光路上插入受光側偏振濾光器25這兩處，係與第1實施形態之檢查裝置1a的構成不同。
此外，在晶圓10之表面，如圖8所示，複數個晶片區域11係排列於XY方向，在各晶片區域中形成有既定之反覆圖案12。反覆圖案12係如圖9所示，複數個線部2A係沿其短邊方向(X方向)以一定之間距P排列的光阻劑圖案(例如配線圖案)。鄰接線部2A彼此間係間隙部2B。此外，線部2A之排列方向(X方向)稱為「反覆圖案12之反覆方向」。
此處，將反覆圖案12之線部2A之線寬DA 之設計值 設為間距P之1/2。當依設計值形成反覆圖案12時，線部2A之線寬DA 與間隙部2B之線寬DB 係相等，線部2A與間隙部2B之體積比大致為1：1。相對於此，當形成反覆圖案12時之曝光聚焦偏離適當值時，雖間距P不變，但線部2A之線寬DA 與設計值不同，並且亦與間隙部2B之線寬DB 不同，線部2A與間隙部2B之體積比偏離大致1：1。
第2實施形態之檢查裝置1b係利用上述之反覆圖案12之線部2A與間隙部2B之體積比的變化進行反覆圖案12之缺陷檢查。為簡化說明，設理想的體積比(設計值)為1：1。體積比之變化係起因於曝光聚焦適當值之偏離而顯現於晶圓10之各照射區域。此外，換言之，體積比亦稱為截面形狀之面積比。
又，本實施形態中，與照明光(後述)對反覆圖案12之波長相較，反覆圖案12之間距P係充分小。因此，不會從反覆圖案12產生繞射光，無法藉由繞射光進行反覆圖案12之缺陷檢查。將本實施形態之缺陷檢查原理與表面檢查裝置之構成(圖7)同時依序說明如下。
其中，載台20可以載台20之法線A1為旋轉軸將晶圓10保持成可旋轉，可在晶圓10之表面內使晶圓10之反覆圖案12之反覆方向(圖8及圖9中之X方向)旋轉。第2實施形態之載台20，係在既定旋轉位置停止，且使晶圓10之反覆圖案12之反覆方向(圖8及圖9中之X方向)保持成相對後述照明光之入射面(照明光之行進方向)傾斜 45度。
照明側偏振濾光器22，係使來自照明部30之照明光透射以轉換成具有三種類之波長(第1~第3波長)之第1直線偏光L1，透過照明光學系統23照射於晶圓10之表面。此直線偏光L1係本實施形態之照明光。
第1直線偏光L1之行進方向(到達晶圓10表面上之任意點之直線偏光L1之主光線方向)係與來自照明部30之光軸O1大致平行。光軸O1係通過載台20之中心，相對於載台20之法線A1傾斜既定角度α。又，包含第1直線偏光L1之行進方向在內，與載台20之法線A1平行之平面係直線偏光L1之入射面。圖4之入射面A2係晶圓10之中心的入射面。
又，本實施形態中，第1直線偏光L1係p偏光。亦即，如圖11(a)所示，包含第1直線偏光L1之行進方向與電氣(或磁力)向量之振動方向之平面(第1直線偏光L1之振動面)係包含於第1直線偏光L1之入射面A2內。第1直線偏光L1之振動面係由照明側偏振濾光器22之透射軸來規定。此外，射入晶圓10各點之第1直線偏光L1之入射角度因係平行光束而彼此相同，相當於光軸O1與法線A1所形成之角度α。
又，由於射入晶圓10之直線偏光L1係p偏光，因此如圖10所示，當反覆圖案12之反覆方向(X方向)相對於直線偏光L1之入射面A2(晶圓10之表面中直線偏光L1的行進方向)設定成45度之角度時，晶圓10之表面之直線偏 光L1之振動面之方向與反覆圖案12之反覆方向(X方向)所形成之角度亦設定成45度。
換言之，第1直線偏光L1，係以在晶圓10表面之直線偏光L1之振動面方向(圖12中之V方向)相對於反覆圖案12之反覆方向(X方向)傾斜45度之狀態，斜橫切反覆圖案12而射入反覆圖案12。
此種第1直線偏光L1與反覆圖案12之角度狀態在晶圓10之整體表面係均一。此外，即使將45度改成135度、225度、315度中之任一個，第1直線偏光L1與反覆圖案12之角度狀態均相同。又，將圖12之振動面方向(V方向)與反覆方向(X方向)所形成之角度設定成45度，係因反覆圖案12之缺陷檢查之靈敏度為最高之故。
接著，當使用上述之第1直線偏光L1照明反覆圖案12時，則從反覆圖案12，於正反射方向產生橢圓偏光L2(參照圖7及圖11(b))。此時，橢圓偏光L2之行進方向係與正反射方向一致。所謂正反射方向係指包含於直線偏光L1之入射面A2內，相對於載台20之法線A1傾斜角度α(與直線偏光L1之入射角度α相等之角度)之方向。此外，如上所述，由於反覆圖案12之間距P較照明波長為長，因此不會從反覆圖案12產生繞射光。
此處，簡單說明第1直線偏光L1藉由在反覆圖案12之反射而橢圓化，藉以從反覆圖案12產生橢圓偏光L2之理由。當第1直線偏光L1射入反覆圖案12時，振動面之方向(圖12之V方向)即被分成圖13所示之2個偏光成分 VX ,VY 。一偏光成分VX 係與反覆方向(X方向)平行之成分。另一偏光成分VY 則係與反覆方向(X方向)垂直的成分。接著，2個偏光成分VX ,VY 係各自獨立受不同的振幅變化與相位變化。振幅變化與相位變化不同係由於反覆圖案12之異向性而使複數個反射率(亦即複數個振動反射率)不同之故，此稱為構造性複折射(form birefringence)。其結果，2個偏光成分VX ,VY 之反射光彼此之振幅與相位係互異，由該等之合成所形成之反射光成為橢圓偏光L2(參照圖11(b))。
又，因反覆圖案12之異向性所產生之橢圓化程度，係能考量為圖11(b)所示之橢圓偏光L2中，與圖11(a)所示之直線偏光L1之振動面成垂直的偏光成分L3(參照圖11(c))。接著，此偏光成分L3之大小係取決於反覆圖案17之材質及形狀、圖12之振動面之方向(V方向)與反覆方向(X方向)所形成之角度。因此，當將V方向與X方向所形成之角度保持於一定值(本實施形態中為45度)時，即使反覆圖案12之材質一定，只要反覆圖案12之形狀變化，橢圓化之程度(偏光成分L3之大小)就會變化。
針對反覆圖案12之形狀與偏光成分L3之大小的關係加以說明。如圖9所示，反覆圖案12具有將線部2A與空隙部2B沿著X方向交互排列之凹凸形狀，只要以適當的曝光聚焦依設計值形成，則線部2A之線寬DA 與間隙部2B之線寬DB 便相等，線部2A與間隙部2B之體積比約1：1。當為此種理想之形狀時，偏光成分L3之大小為最大。相 對於此，當曝光聚焦自適當值偏離時，線部2A與間隙部2B之偏離體積比約1：1。此時，偏光成分L3之大小較理想之情形為小。將偏光成分L3之大小變化圖示於圖14。圖14之橫軸係線部2A之線寬DA 。
如上述，當使用第1直線偏光L1，在圖12之振動面方向(V方向)相對於反覆圖案12之反覆方向(X方向)傾斜45度之狀態下照明反覆圖案12時，則反射於正反射方向而產生之橢圓偏光L2，其橢圓化程度(圖11(c)之偏光成分L3之大小)則會與反覆圖案12之形狀(線部2A與間隙部2B之體積比)對應。橢圓偏光L2之行進方向包含於第1直線偏光L1之入射面A2內，相對於載台20之法線A1傾斜角度α。
此外，觀察光學系統24之光軸O2係設定成通過載台20之中心且相對載台20之法線A1傾斜角度α。因此，來自反覆圖案12之反射光的橢圓偏光L2係沿此光軸O2行進。
受光側偏振濾光器25，係使來自晶圓10表面之正反射光透射並轉換成第2直線偏光L4。受光側偏振濾光器25之透射軸之方位係設定成相對於上述之照明側偏振濾光器22之透射軸成垂直。亦即，與第2直線偏光L4之行進方向成垂直之面內中第2直線偏光L4的振動方向，係設定成相對與第1直線偏光L1之行進方向成垂直之面內中第1直線偏光L1的振動方向成垂直。
因此，當橢圓偏光L2透射過受光側偏振濾光器25時， 即僅抽出橢圓偏光L2之圖11(c)中相當於偏光成分L3的直線偏光L4，並被導至攝影部40。其結果，藉由攝影光學系統45將就三種類之各波長分離之第2直線偏光L4之晶圓10的反射像分別形成於攝影部40之第1~第3攝影元件41a,41b,41c之元件上。此外，晶圓10之反射像的明案係大致與直線偏光L4之光強度成正比，會隨著反覆圖案12之形狀變化。又，晶圓10之反射像之所以最明亮，係在反覆圖案12為理想形狀的情形。
參照圖16所示之流程圖說明第2實施形態之檢查裝置1b之晶圓10表面的檢查方法。首先，步驟S101中，係與第1實施形態同樣地設定檢查對象之參數。其次，步驟S102中，係與第1實施形態同樣地將作為檢查對象之晶圓10搬送至載台20。
其次，步驟S103中，藉由照明部30以具有三種類之波長(第1~第3波長)之照明光照明晶圓10。此時，自照明部30發出之照明光，係在照明側偏振濾光器22被轉換成第1直線偏光L1，且在照明光學系統23成為平行光照射至晶圓10表面。又，在晶圓10表面反射之正反射光係藉由觀察光學系統24而聚光，並在受光側偏振濾光器25使橢圓偏光L2轉換成第2直線偏光L4而被導至攝影部40。
其次，步驟S104中，藉由攝影部40拍攝被第1直線偏光L1照明之晶圓10並予以記錄。此時，第2直線偏光L4藉由攝影光學系統45就三種類之各波長(第1~第3波長)分離並導至第1~第3攝影元件41a,41b,41c，以各攝 影元件41a,41b,41c對成像於元件上之第2直線偏光L4之反射像分別進行光電轉換，接著將攝影訊號輸出至影像處理部27。
當藉由第1~第3攝影元件41a,41b,41c就三種類之各波長拍攝後，影像處理部27，係在步驟S105~S110中，與第1實施形態同樣地對第1~第3攝影元件41a,41b,41c所拍攝之攝影像進行既定加權並分別合成，藉此生成晶圓10之檢查用攝影像。接著，影像處理部27，在生成晶圓10之檢查用攝影像後，即在步驟S111中，藉由將其亮度影像與良品晶圓之攝影像的亮度資訊進行比較等，檢測出反覆圖案12之缺陷(線部2A與空隙部2B之體積比的變化)，以判定反覆圖案12有無缺陷。
若使用第1直線偏光L1照明形成有反覆圖案12之最上層之光阻層時，由於照明光會在位於最上層之光阻層之下層的加工膜部分產生干涉，因此反射光中會包含亮度不均一之干涉光，上述情形與第1實施形態之情形相同。不過，由於設有受光側偏振濾光器25，因此未產生構造性複折射(未形成反覆圖案12)之部分的正反射光不會被攝影部40檢測出。另一方面，來自反覆圖案12之反射光的橢圓偏光L2，由於會因干涉而使亮度(振幅)如圖11(b)之兩點鏈線所示變化，因此在加工膜形狀不均一時，其結果即會包含亮度不均一之干涉光。因此，只要與第1實施形態之情形同樣地生成檢查用攝影像，即能進行高精度之晶圓10檢查。
其結果，只要根據第2實施形態之檢查裝置1b及檢查方法，即可得到與第1實施形態之情形同樣的效果。又，由於係使用直線偏光檢測出反覆圖案12之缺陷，因此即使反覆圖案12之間距P較照明波長小很多，亦可確實地進行缺陷檢查。
此外，第2實施形態之檢查裝置1b，並不限於反覆圖案12之間距P較照明波長小很多的情形，即使反覆圖案12之間距P與照明波長相同程度或較照明波長大，亦可同樣地進行反覆圖案12之缺陷檢查。亦即，不論反覆圖案12之間距P為何均能確實地進行缺陷檢查。其理由在於，反覆圖案12導致之直線偏光L1之橢圓化，係取決於反覆圖案12之線部2A與空隙部2B之體積比而產生，並非取決於反覆圖案12之間距P。
又，上述各實施形態中，係對第1~第3攝影元件41a,41b,41c就三種類之各波長所拍攝之攝影像進行既定加權並分別合成，藉此生成晶圓10之檢查用攝影像，但並不限於此。例如，亦可如圖15所示，分別於三個聚光透鏡32a,32b,32c與三個反射鏡36,37,38之間設置ND濾光器34a,34b,34c，藉由以各ND濾光器34a,34b,34c分別調節具有第1~第3波長之照明光的亮度，來進行既定之加權。此外，此時攝影部40中僅需一個攝影元件，而不需要攝影光學系統45。
又，上述實施形態中，亦可不由影像處理部27判定晶圓10表面(或反覆圖案12)有無缺陷，而是以影像顯示裝 置28將已進行既定加權並生成之攝影像作為觀察用攝影像顯示，並以目視檢測出晶圓10(或反覆圖案12)之缺陷。即使如上述作為觀察裝置使用，亦能獲得與上述實施形態同樣之效果。
又，上述實施形態中，雖使用具有三種類之波長的照明光，但並不限於此，例如亦可係兩種類或四種類，只要係使用複數種波長即可。
1‧‧‧檢查裝置
1a‧‧‧檢查裝置
2A‧‧‧線部
2B‧‧‧空隙部
10‧‧‧晶圓
11‧‧‧晶片區域
12‧‧‧反覆圖案
15‧‧‧加工膜
16‧‧‧光阻層
18‧‧‧損傷
19‧‧‧異物
20‧‧‧載台
22‧‧‧照明側偏振濾光器
23‧‧‧照明光學系統
24‧‧‧觀察光學系統
25‧‧‧受光側偏振濾光器
27‧‧‧影像處理部
28‧‧‧影像顯示裝置
30‧‧‧照明部
31a,31b,31c‧‧‧第1~第3照明器
32a,32b,32c‧‧‧第1~第3聚光透鏡
33a,33b,33c‧‧‧第1~第3開閉器
35‧‧‧聚光光學系統
36,37,38‧‧‧第1~第3反射鏡
40‧‧‧攝影部
41a,41b,41c‧‧‧第1~第3攝影元件
45‧‧‧攝影光學系統
46,47,48‧‧‧第4~第6反射鏡
50a,50b,50c‧‧‧攝影像
A1‧‧‧法線
A2‧‧‧入射面
L1‧‧‧第1直線偏光
L2‧‧‧橢圓偏光
L3‧‧‧偏光成分
L4‧‧‧第2直線偏光
O1,O2‧‧‧光軸
圖1，係顯示第1實施形態之檢查裝置整體構成的圖。
圖2，係顯示照明部之構成的圖。
圖3，係顯示攝影部之構成的圖。
圖4，係顯示晶圓攝影像一例的圖。
圖5，係顯示晶圓一例的剖面圖。
圖6，係例示干涉光亮度相對於晶圓之加工膜膜厚之特性的圖。
圖7，係顯示第2實施形態之表面檢查裝置整體構成的圖。
圖8，係晶圓表面之外觀圖。
圖9，係說明反覆圖案之凹凸構造之立體圖。
圖10，係說明直線偏光之入射面與反覆圖案之反覆方向之傾斜狀態圖。
圖11，係說明直線偏光與橢圓偏光之振動方向的圖。
圖12，係說明直線偏光之振動面方向與反覆圖案之反 覆方向之傾斜狀態的圖。
圖13，係說明直線偏光之振動面方向在反覆方向分為平行的偏光成分與垂直的偏光成分之情形圖。
圖14，係說明偏光成分之大小與反覆圖案之線部之線寬之關係圖。
圖15，係顯示檢查裝置變形例的圖。
圖16，係顯示第1及第2實施形態之檢查裝置對晶圓表面之檢查方法的流程圖。
圖17，係第1實施形態之檢查裝置中以e線之光線照明晶圓並拍攝的像。
圖18，係第1實施形態之檢查裝置中以g線之光線照明晶圓並拍攝的像。
圖19，係第1實施形態之檢查裝置中以h線之光線照明晶圓並拍攝的像。
圖20，係第1實施形態之檢查裝置中將圖17之像與圖19之像予以合成後的像。
1‧‧‧檢查裝置
10‧‧‧晶圓
20‧‧‧載台
22‧‧‧照明側偏振濾光器
23‧‧‧照明光學系統
24‧‧‧觀察光學系統
25‧‧‧受光側偏振濾光器
27‧‧‧影像處理部
28‧‧‧影像顯示裝置
30‧‧‧照明部
40‧‧‧攝影部

Claims (12)

  1. 一種觀察裝置，其特徵在於，具備：照明部，係以複數種波長之照明光照明被檢測基板；攝影部，係一次拍攝被該照明光照明之該被檢測基板上之複數個晶片區域；以及攝影像生成部，係就該複數種之各波長進行加權以生成被該攝影部拍攝之該複數個晶片區域的觀察用攝影像；該複數種波長為將在設於該被檢測物之薄膜產生之干涉之強弱彼此相抵銷的波長。
  2. 如申請專利範圍第1項之觀察裝置，其中，該攝影部，具有：與該複數種波長對應設置之複數個攝影元件，以及將來自該複數個晶片區域之光就該複數種之各波長分離並分別導至該複數個攝影元件的攝影光學系統；該攝影像生成部，係對以該複數個攝影元件就該複數種之各波長拍攝之攝影像進行該加權並分別合成，藉此生成該觀察用攝影像。
  3. 如申請專利範圍第1項之觀察裝置，其中，係進行加權以使該複數個晶片區域之亮度分布均一。
  4. 一種檢查裝置，其特徵在於，具備：照明部，係以複數種波長之照明光照明被檢測基板；攝影部，係一次拍攝被該照明光照明之該被檢測基板上之複數個晶片區域；攝影像生成部，係就該複數種之各波長進行加權以生成該複數個晶片區域的檢查用攝影像；以及 判定部，係根據以該攝影像生成部生成之該檢查用攝影像判定該被檢測基板有無缺陷；該複數種波長為將在設於該被檢測物之薄膜產生之干涉之強弱彼此相抵銷的波長。
  5. 如申請專利範圍第4項之檢查裝置，其中，以該照明部照明該被檢測基板之照明光係平行光；該攝影部，係拍攝以來自該被檢測基板上之複數個晶片區域之正反射光所產生之該被檢測基板的像。
  6. 如申請專利範圍第4項之檢查裝置，其中，於該複數個晶片區域形成有既定之反覆圖案；且具備：第1偏振元件，係將該照明光中之第1偏振狀態之光送至該被檢測基板；保持部，係將該被檢測基板保持成該被檢測基板表面之該第1偏振狀態相對該反覆圖案之反覆方向呈傾斜；以及第2偏振元件，係將來自該被檢測基板之反射光中與該第1偏振狀態之光正交之第2偏振狀態之光送至該攝影部；該攝影部，係拍攝以該第2偏振狀態之光所產生之該被檢測基板之像。
  7. 如申請專利範圍第4項之檢查裝置，其中，該照明部，具有：複數個照明器，係與該複數種波長對應設置複數個，且分別發出具有該複數種波長中彼此不同之任一波長的照明光；以及聚光光學系統，係合成自該複數個照明 器發出之照明光並導至該被檢測基板。
  8. 如申請專利範圍第4項之檢查裝置，其中，該複數種波長係以三種類以上之波長設定；該加權之比例，係設定成以該照明部照明既定基準基板並以該攝影部拍攝、而藉由該攝影像生成部生成之該基準基板之該檢查用攝影像中，該基準基板之像與實際之該基準基板之像大致相同的比例。
  9. 如申請專利範圍第4項之檢查裝置，其中，該攝影部，具有：與該複數種波長對應設置之複數個攝影元件，以及將來自該被檢測基板之光就該複數種之各波長分離並分別導至該複數個攝影元件的攝影光學系統；該攝影像生成部，係對以該複數個攝影元件就該複數種之各波長拍攝之攝影像進行該加權並分別合成，藉此生成該檢查用攝影像。
  10. 如申請專利範圍第4項之檢查裝置，其中，係進行加權以使該複數個晶片區域之亮度分布均一。
  11. 一種檢查方法，其特徵在於：以複數種波長之照明光照明被檢測基板；一次拍攝被該照明光照明之該被檢測基板上之複數個晶片區域；就該複數種之各波長進行加權以生成所拍攝之該被檢測基板的檢查用攝影像；根據所生成之該檢查用攝影像判定該被檢測基板有無缺陷； 該複數種波長為將在設於該被檢測物之薄膜產生之干涉之強弱彼此相抵銷的波長。
  12. 如申請專利範圍第11項之檢查方法，其中，在拍攝該複數個晶片區域時，係將來自該複數個晶片區域之光就該複數種波長分離並攝影；對就該複數種之各波長拍攝之攝影像進行該加權並分別合成，藉此生成該檢查用攝影像。
TW097106747A 2007-02-28 2008-02-27 Observation device, inspection device and inspection method TWI449898B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007050821 2007-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200844427A TW200844427A (en) 2008-11-16
TWI449898B true TWI449898B (zh) 2014-08-21

Family

ID=39721285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097106747A TWI449898B (zh) 2007-02-28 2008-02-27 Observation device, inspection device and inspection method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090315988A1 (zh)
JP (2) JPWO2008105460A1 (zh)
KR (1) KR20090127892A (zh)
CN (1) CN101622525A (zh)
TW (1) TWI449898B (zh)
WO (1) WO2008105460A1 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5563372B2 (ja) * 2010-05-20 2014-07-30 第一実業ビスウィル株式会社 外観検査装置
EP2598838A2 (en) * 2010-07-30 2013-06-05 KLA-Tencor Corporation Apparatus and method for three dimensional inspection of wafer saw marks
CN102645177B (zh) * 2011-02-17 2014-08-20 竑腾科技股份有限公司 晶圆劈裂的前置检测方法
JPWO2012153695A1 (ja) * 2011-05-10 2014-07-31 国立大学法人豊橋技術科学大学 機能性光源を用いた検査装置と検査方法及び機能性光源とその設計方法
JP5400107B2 (ja) * 2011-08-16 2014-01-29 Ｃｋｄ株式会社 基板検査装置
FR2998047B1 (fr) * 2012-11-12 2015-10-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de mesure des variations d'epaisseur d'une couche d'une structure semi-conductrice multicouche
TWI477766B (zh) * 2012-12-18 2015-03-21 Ind Tech Res Inst 檢測裝置以及檢測方法
WO2014128710A1 (en) * 2013-02-21 2014-08-28 Nova Measuring Instruments Ltd. Optical phase measurement method and system
JP6132678B2 (ja) * 2013-06-21 2017-05-24 富士フイルム株式会社 偏光フィルターおよびその応用
JP6316068B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-25 国立大学法人 東京大学 検査システムおよび検査方法
JP6433268B2 (ja) 2014-03-31 2018-12-05 国立大学法人 東京大学 検査システムおよび検査方法
TWI571951B (zh) * 2014-09-17 2017-02-21 華亞科技股份有限公司 晶圓傳送盒底座檢查裝置及方法
JP2016070730A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 画像取得装置および画像取得方法
KR102532040B1 (ko) 2015-04-09 2023-05-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 이물 제거 장치, 이물 제거 방법, 박리 장치, 이물 검출 방법 및 이물 검출 장치
JP6450633B2 (ja) * 2015-04-09 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 異物検出方法、異物検出装置および剥離装置
US10003754B2 (en) * 2015-06-18 2018-06-19 Agilent Technologies, Inc. Full field visual-mid-infrared imaging system
JP2017110975A (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 キヤノン株式会社 計測装置、システム、計測方法、決定方法及びプログラム
JP6235684B1 (ja) * 2016-11-29 2017-11-22 Ckd株式会社 検査装置及びｐｔｐ包装機
WO2018108239A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-21 Applied Materials, Inc. Ltps layer qualification on display substrates by inline sem using a multi perspective detector and method for inspecting a large area substrate
US10872794B2 (en) 2017-06-20 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Automatic in-line inspection system
TWI713130B (zh) * 2017-08-30 2020-12-11 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體晶片線上檢驗的系統及方法
CN112461838B (zh) * 2019-09-09 2023-03-10 芯恩（青岛）集成电路有限公司 晶圆缺陷检测装置及方法
JP7536591B2 (ja) 2020-10-20 2024-08-20 タカノ株式会社 厚みムラ検査装置及び厚みムラ検査方法
CN113866180A (zh) * 2021-12-06 2021-12-31 晶芯成(北京)科技有限公司 一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统
US12068207B2 (en) 2022-05-27 2024-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Simultaneous multi-bandwidth optical inspection of semiconductor devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237344A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP2005061853A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Nikon Corp 表面検査装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2555051B2 (ja) * 1987-02-18 1996-11-20 株式会社日立製作所 パタ−ン検出方法及びその装置
JPS6486518A (en) * 1987-06-05 1989-03-31 Hitachi Ltd Reduction projection type position detection and device therefor
JP3388285B2 (ja) * 1993-12-27 2003-03-17 株式会社ニュークリエイション 検査装置
JPH08318619A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 印刷物検査装置
US6690469B1 (en) * 1998-09-18 2004-02-10 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for observing and inspecting defects
US7061614B2 (en) * 2001-10-16 2006-06-13 Therma-Wave, Inc. Measurement system with separate optimized beam paths
TW200519373A (en) * 2003-10-27 2005-06-16 Nikon Corp Surface inspection device and method
TW200540939A (en) * 2004-04-22 2005-12-16 Olympus Corp Defect inspection device and substrate manufacturing system using the same
JP2005351845A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Olympus Corp 基板検査装置および方法
US7539583B2 (en) * 2005-03-04 2009-05-26 Rudolph Technologies, Inc. Method and system for defect detection
WO2007016048A2 (en) * 2005-07-27 2007-02-08 University Of Massachusetts Lowell Infrared scanner for biological applications
JP4778755B2 (ja) * 2005-09-09 2011-09-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びこれを用いた装置
US7564544B2 (en) * 2006-03-22 2009-07-21 3i Systems Corporation Method and system for inspecting surfaces with improved light efficiency
US7586607B2 (en) * 2006-04-21 2009-09-08 Rudolph Technologies, Inc. Polarization imaging
JP5201350B2 (ja) * 2006-07-14 2013-06-05 株式会社ニコン 表面検査装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237344A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP2005061853A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Nikon Corp 表面検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008105460A1 (ja) 2008-09-04
CN101622525A (zh) 2010-01-06
JP2013083672A (ja) 2013-05-09
JPWO2008105460A1 (ja) 2010-06-03
TW200844427A (en) 2008-11-16
US20090315988A1 (en) 2009-12-24
KR20090127892A (ko) 2009-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI449898B (zh) Observation device, inspection device and inspection method
JP5585615B2 (ja) 検査装置および検査方法
JP5201350B2 (ja) 表面検査装置
JP4552859B2 (ja) 表面検査装置および表面検査方法
JP4529366B2 (ja) 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法
JP4548385B2 (ja) 表面検査装置
JP4692892B2 (ja) 表面検査装置
KR100411356B1 (ko) 표면검사장치
US8223328B2 (en) Surface inspecting apparatus and surface inspecting method
JP4696607B2 (ja) 表面検査装置
JP4605089B2 (ja) 表面検査装置
JP4552202B2 (ja) 表面検査装置
JP2006258472A (ja) 欠陥検査装置
JP4411738B2 (ja) 表面検査装置
JP5299764B2 (ja) 評価装置および評価方法
JP5201443B2 (ja) 表面検査装置および表面検査方法
JP5354362B2 (ja) 表面検査装置
JP2006250839A (ja) 表面検査装置
JP2008281502A (ja) 表面検査装置
JP2010122121A (ja) 表面検査装置