JP2001194322A

JP2001194322A - 外観検査装置及び検査方法

Info

Publication number: JP2001194322A
Application number: JP2000006782A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Ueda; 泰広上田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-01-14
Filing date: 2000-01-14
Publication date: 2001-07-19

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェハや液晶パネル等に発生する色むら
や傷等の欠陥を、高速かつ高精度で検査することがで
き、しかも被検査ワークの大型化への対応を、検査精度
及び検査スループットを維持したままで容易に達成でき
る外観検査装置及び検査方法を提供する。【解決手段】被検査ワークＷの撮像及び検査画像の処理
を行う撮像処理ユニット１を複数配置し、これら複数の
撮像処理ユニット１を用いて被検査ワークＷの全面また
は一部を分割撮像するとともに、その各撮像処理ユニッ
ト１独立に撮像画像の検査処理を行い、それら検査処理
結果に基づいて統合判定部３にて被検査ワークＷの良否
を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハや液
晶パネル等に発生する色むらや傷等の欠陥を、光学的手
法を用いて自動的に検出する外観検査装置及び検査方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハの外観検査において、欠陥
種は検査対象とする欠陥の大きさや現れ方により、ミク
ロ欠陥とマクロ欠陥に分類される。

【０００３】マクロ欠陥は、図８に示すように、ウェハ
の全面もしくは複数のチップにまたがって広範に現れる
ような塗布不良３１１、主にショット単位で現れる露光
・現像不良３１２、あるいは広域にわたる傷３１３もし
くは異物等を原因とするものである。ミクロ欠陥は、図
９に示すように、メモリセル部や周辺回路部に現れる数
ミクロン〜サブミクロンの微小な異物３２１または傷や
パターン欠陥３２２等を原因とするものである。

【０００４】これら半導体ウェハの欠陥のうち、ミクロ
欠陥の検査については、高解像度の撮像手段により得ら
れた画像を用いて、ダイツーダイ比較やセル比較方式の
ような参照画像との比較による自動検査方法が広く実用
化されている。

【０００５】一方、マクロ欠陥検査については、マクロ
欠陥によって現れるウェハ面の色むら等のマクロ異常に
対して作業者が経験に基づいて良否判定を行う、という
官能的な検査方法が用いられていた。具体的には、ウェ
ハを回転させながら保持するステージの傾斜角や照射角
度の変更が可能な照射装置を備えたマクロ検査装置を用
いて、作業者がステージの傾斜角や照明の照射方向を調
節しながら観察しやすい状態にした上で、例えばウェハ
面の色ムラ等のマクロ異常を反射光を用いて目視によっ
て観察し、その観察結果から作業者の経験に基づいて良
否判定がなされている。

【０００６】しかし、作業者の目視による良否判定で
は、良否判定基準にばらつきが生じるために品質が不
安定である。作業者によりスループットが異なる。
絶対的な検査速度を上げるためには、作業者の増員が必
要である。長時間作業による作業者の疲労などの問題
がある。

【０００７】これらの問題を解決するため、半導体ウェ
ハ等の表面の傷や色むら等の欠陥を光学的手段を用いて
自動的に検出する装置の開発が行われている。

【０００８】例えば、特開平５−２４９０４４号公報に
は、半導体ウェハ上に繰り返し形成される各チップの同
一部分を、ＣＣＤカメラが接続された複数の光学顕微鏡
で撮像し、その各撮像画像を画像処理部において比較す
ることによって良否判定を行う外観検査装置が提案され
ている。

【０００９】また、特開平８−２５４４９９号公報に
は、複数のカメラを用いた外観検査装置において、反射
率が一様な標準画像を撮像し、隣接するカメラ間の濃度
むらをシェーディング補正して一様な明るさにした後、
オフセット調整部により隣接カメラとの重複部分の濃度
値を等しい状態とし、さらに重複部分での隣接画像の濃
度値に重み付け処理を施すことによって、被検査ワーク
を連続した画像として取り出して検査処理を行う検査装
置が提案されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特開平５−
２４９０４４号公報に記載の外観検査装置では、隣接す
るＣＣＤカメラ間の光学的な差異をなくすことが困難で
ある。すなわち、一般的に同等なレンズであっても収差
・倍率には差異が発生するため、各ＣＣＤカメラ間で撮
像される画像において被検査部位の形状や大きさなどは
幾何的に異なるものとなる。さらに、ＣＣＤカメラのセ
ンサ間に差異が発生するため、被検査部位の濃淡輝度値
を同一レベルにすることは困難である。従って、各カメ
ラ間の画像の比較による検査では擬似不良の発生が避け
られない。

【００１１】一方、特開平８−２５４４９９号公報に記
載の外観検査装置では、照明やカメラ間の差異に起因す
る濃淡輝度値の差異についての補正は可能であるが、光
学的原因による幾何的な形状の差異の補正は行うことは
できない。

【００１２】ここで、生産工程においては半導体ウェハ
の大口径化や液晶パネルの大型化が進んできており、こ
れに伴って外観検査装置もその対応が必要となる。その
際、生産工程の変更が最小限で済むように、外観検査装
置には検査精度及び検査スループットを維持したままで
の被検査ワークの大型化への対応が強く求められてお
り、特開平５−２４９０４４号公報及び特開平８−２５
４４９９号公報に記載の外観検査装置の場合、検査精度
を保つためには撮像カメラの追加が必要になる。しかし
ながら、撮像カメラから画像処理部に入力される画像の
量が増加すると検査画像処理に要する時間が増加して、
これまでと同等の検査スループットを維持できなくな
る。逆に検査スループットを維持するためには検査精度
を下げる必要がある。つまり、検査精度及び検査スルー
プットの双方を維持するためには、撮像カメラの追加と
ともに画像処理部の入れ替えが必要になり、これらの対
応には多くの時間やコストが必要になる。

【００１３】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、半導体ウェハや液晶パネル等に発生する色むら
や傷等の欠陥を光学的手法を用いて検出するにあたり、
光学的な差異に影響されることなく、高速かつ高精度な
自動検査を行うことができ、しかも、被検査ワークの大
型化への対応を、検査精度及び検査スループットを維持
したままで容易に達成することが可能な外観検査装置及
び検査方法の提供を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の外観検査装置
は、被検査ワーク（被検査ウェハ）に照明光を照射する
照明系と、その被検査ワークの撮像及び検査画像の処理
を行う撮像処理ユニットと、この撮像処理ユニットから
の検査処理結果に基づいて被検査ワークの良否を判定す
る統合判定部と、その判定結果を表示する表示部からな
る外観検査装置において、複数の撮像処理ユニットが設
けられており、それら複数の撮像処理ユニットを用いて
被検査ワークの全面または一部を分割撮像するように構
成されているとともに、その各撮像処理ユニットで独立
に撮像画像の検査処理を行って、それら検査処理結果に
基づいて統合判定部が被検査ワークの良否を判定するよ
うに構成されていることによって特徴づけられる。

【００１５】本発明の外観検査装置によれば、各撮像処
理ユニットにて独立に検査処理を行うので、各々の光学
的原因による幾何的な形状の差異の補正処理が不要にな
る。また、撮像処理ユニットを追加した場合においても
各撮像処理ユニット内での検査処理時間は全く同等であ
り、精度及び検査スループットを維持したままで、被検
査ワークの大型化への対応が可能になる。

【００１６】本発明の外観検査装置において、被検査ワ
ークの被検査部位に照明光を一括して照射して検査を行
うように構成してもよい。

【００１７】本発明の外観検査装置において、２次元面
照明装置とハーフミラーとを備えた照明系を用い、その
２次元面照明装置からの照明光をハーフミラーで反射し
て、被検査ワークの被検査部位に、撮像処理ユニットの
光軸と同じ方向の同軸落射にて照射するようにすれば、
被検査ワーク面での正反射光で観察される欠陥、例えば
半導体ウェハの露光現像不良や塗布むら等の色むら欠陥
を検査することができる。

【００１８】また、１次元ライン照明装置を用いて、被
検査ワークの被検査部位に対し照明光を斜め方向から照
射するようにすれば、被検査ワーク面での乱反射光によ
って観察される欠陥、例えば半導体ウェハの傷や異物等
の表面欠陥を検査することができる。

【００１９】本発明の外観検査方法は、複数の撮像処理
ユニットにより被検査ワークの全面または一部を分割撮
像し、その各撮像処理ユニットで独立に撮像画像の検査
処理を行い、それらの検査処理結果を用いて統合判定部
にて被検査ワークの良否判定処理を行うことによって特
徴づけられる。

【００２０】本発明の外観検査方法において、各撮像処
理ユニットでの検査処理として、被検査部位の輝度の分
散または偏差に基づいて行うという処理を挙げることが
できる。なお、この場合、統合判定部での良否判定処理
を、各撮像処理ユニットから得られる全ての被検査部位
の分散または偏差に基づいて行うようにしてもよい。

【００２１】また、各撮像処理ユニットでの検査処理と
して、各撮像処理ユニットにて撮像された画像内の同一
形状部分の比較に基づいて行うという処理も挙げること
ができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２３】図１は本発明の外観検査装置の実施形態の
構成を模式的に示す図である。

【００２４】図１に示す外観検査装置は、被検査ウェハ
Ｗが設置されるステージ２、その上方に配置された複数
の撮像処理ユニット１、ステージ２上の被検査ウェハＷ
に照明光を斜め上方から照射する照明装置５、統合判定
部３及び表示部４などを主体として構成されている。各
撮像処理ユニット１はそれぞれ撮像部１１及び処理部１
２を備えている。

【００２５】そして、図１の外観検査装置では、ステー
ジ２上に置かれた被検査ウェハＷの被検査部位に照明装
置５からの照明光が一括して照射され、その被検査ウェ
ハＷで反射された反射光が複数の撮像処理ユニット１内
の各撮像部１１によって撮像される。その濃淡画像信号
は、各撮像処理ユニット１に内蔵の処理部１２において
それぞれ個別に検査画像処理が行われ、その検査処理結
果が各撮像処理ユニット１から統合判定部３に送られ
る。統合判定部３では各検査処理結果に基づいて被検査
ウェハＷの良否判定を行い、その判定結果が表示部４の
画面上に表示される。

【００２６】次に、各撮像処理ユニット１内の処理部１
２において実行される処理フローの詳細を、図２及び図
３を参照しつつ説明する。図２はその処理フローの内容
を示す図、図３は同処理フローに対応する画像処理の一
例を示す図である。

【００２７】この例では、半導体ウェハの色むらを欠陥
として欠陥検出を行うものとする。その主な処理の流れ
は次のようになる。

【００２８】まず、図２に示す処理フローのステップＳ
1 では、複数の撮像処理ユニット１の各撮像部１１にて
撮像された画像を各処理部１２に入力する。この処理に
より入力される濃淡画像は、複数の撮像処理ユニット１
によって被検査ウェハＷが分割撮像されるため、図３
（ａ）に示すように被検査ウェハＷの一部分となる。こ
の図３（ａ）に示す入力画像の例では、一様な画像上に
色むら欠陥１１１が存在している。

【００２９】次に、ステップＳ2 において被検査部位の
抽出を行う。その抽出処理は、図３（ａ）に示す入力画
像の全面を被検査対象とし、この被検査対象領域を、矩
形領域に１２分割するという手法で実行される。分割処
理後の画像を図３（ｂ）に示す。この図３（ｂ）に示す
画像では、被検査部位１２１及び１２２に、図３（ａ）
での色むら欠陥１１１が含まれている。

【００３０】次に、ステップＳ3 において、図３（ｂ）
に示す各被検査部位の輝度分散値（濃淡分散値）を算出
する。実際に各被検査部位の輝度分散値を算出した結果
は図３（ｃ）に示すような値となり、図３（ａ）の色む
ら欠陥１１１を含む被検査部位１２１及び１２２は輝度
分散値がそれぞれ５．０及び３．０となっており、他の
被検査部位の輝度分散値の１．０よりも大きい値となっ
ていることがわかる。

【００３１】そして、ステップＳ4 では、これまでに求
められた各被検査部位の輝度分散値を、あらかじめ設定
されたしきい値と比較することで、しきい値以上の輝度
分散値を持つ被検査領域を不良部と判定する。図３
（ｄ）に示す例は、輝度分散値のしきい値を２．０に設
定した場合のしきい値処理結果であり、設定されたしき
い値よりも大きな値の輝度分散値を持つ被検査部位１２
１及び１２２が不良部として判定されている。

【００３２】ここで、各撮像処理ユニット１の処理結果
において、複数の被検査部位のうち不良部となる被検査
部位が１つでも含まれる場合は、その撮像処理ユニット
１での判定結果を不良として統合判定部３に判定結果を
出力する（Ｓ5 ）。そして、統合判定部３は、複数の撮
像処理ユニット１からの判定結果に１つでも不良と判定
されたものがある場合には、被検査ウェハＷを不良品と
判定する。

【００３３】次に、半導体ウェハ面での正反射光によっ
て観察される欠陥、例えば半導体ウェハの露光現像不良
や塗布むら等の色むら欠陥を検出するのに有効な検査装
置を図４を参照しつつ説明する。

【００３４】図４に示す外観検査装置は、被検査ウェハ
Ｗが設置されるステージ２、その上方に配置された複数
の撮像処理ユニット１、統合判定部３及び表示部４等を
備えており、ステージ２上に置かれた被検査ウェハＷの
照明系として、ステージ２の側方に位置する２次元面照
明装置２５と、ステージ２の上方に位置するハーフミラ
ー６が配置されている。各撮像処理ユニット１はそれぞ
れ撮像部１１及び処理部１２を備えている。

【００３５】そして、図４に示す外観検査装置では、２
次元面照明装置２５からの照明光が、ハーフミラー６に
よって撮像処理ユニット１の光軸と同じ方向の同軸落射
にて被検査ウェハＷの被検査部位に照射され、その被検
査ウェハＷで反射された正反射光が、複数の撮像処理ユ
ニット１内の各撮像部１１によって撮像される。その濃
淡画像信号は、各撮像処理ユニット１に内蔵の処理部１
２においてそれぞれ個別に検査画像処理が行われ、各検
査処理結果が各撮像処理ユニット１から統合判定部３に
送られる。統合判定部３では各検査処理結果に基づいて
被検査ウェハＷの良否判定を行い、その判定結果が表示
部４の画面上に表示される。

【００３６】次に、図４の外観検査装置において、撮像
処理ユニット１内の処理部１２にて実行される画像処理
の例を説明する。

【００３７】この例では、露光現像不良や塗布不良に対
応する欠陥として、半導体ウェハに形成されるチップの
メモリセル部分に発生する色むらを欠陥として検出する
ものとする。その主な処理の流れは次のようになる。

【００３８】まず、入力される画像は図５（ａ）に示す
ような被検査ウェハＷの一部分となり、ウェハ上に形成
されるチップ２２１〜２２４の内部つまり図の破線矩形
領域で示された部分内にメモリセル部が存在する。図５
（ａ）ではメモリセル部が図中に斜線で示されており、
チップ２２１のメモリセル部に欠陥として色むら欠陥２
５１が発生している。

【００３９】この例において、被検査部位は、図５
（ａ）に示すチップ２２１〜２２４のメモリセル部であ
るので、それらメモリセル部を抽出する。その抽出結果
を図５（ｂ）に示す。被検査部位２３１〜２３４の抽出
は、あらかじめ登録しておいた、被検査ウェハＷの被検
査部位に対応する位置情報を持ったマスク画像を用いる
ことにより可能である。また、画像信号から各画素の輝
度をＸ方向に射影したヒストグラム及びＹ方向に射影し
たヒストグラムを作成し、それら作成されたヒストグラ
ムに基づいて、繰り返し形状であるメモリセル部を抽出
することも可能である（特願平１１−０１２０８４号参
照）。

【００４０】次に、図５（ｂ）に示す各被検査部位につ
いて輝度分散値を算出する。実際に各被検査部位２３１
〜２３４の輝度分散値を算出した結果は、図５（ｃ）に
示すような値となり、色むらの発生している被検査部位
２３１で輝度分散値が大きくなっていることがわかる。
そして、このように算出された輝度分散値を用いて、し
きい値処理を行うことによって各被検査部位の良否判定
を行うことができる。図５（ｄ）に示す例は、輝度分散
値のしきい値を３．０に設定した場合のしきい値処理結
果であり、設定されたしきい値よりも大きな値の輝度分
散値を持つ被検査部位２３１が不良部として判定されて
おり、このように判定された結果が図４の統合判定部３
に出力される。

【００４１】次に、この実施形態の統合判定部３にて実
行される良否判定手法の例を説明する。

【００４２】まず、先の実施形態における良否判定手法
では、各撮像処理ユニット１から送信される被検査部位
の不良部の有無による判定結果に基づいて、統合判定部
３が被検査ウェハの良否判定を行っていたが、この例で
は、そのような良否判定手法に代えて、図５（ｃ）にお
いて算出された輝度分散値を用いて良否判定処理を行
う。具体的には、各撮像処理ユニット１から各被検査部
位の輝度分散値を統合判定部３に送信し、統合判定部３
において、多数の被検査部位の輝度分散値を用いて統計
的手法により、標準的な輝度分散値よりも大きく異なる
ものが存在する場合は、被検査ウェハＷを不良品と判定
するというような処理を行う。

【００４３】なお、図４に示す実施形態では、２次元面
照明装置２５とハーフミラー６からなる照明系により、
被検査ウェハＷに照明光を、撮像処理ユニット１の光軸
と同じ方向の同軸落射にて照射するように構成している
が、このほか、例えば各撮像処理ユニット１にそれぞれ
個別に照明系を設けて、被検査ウェハＷに照明光を同軸
落射にて照射するようにしてもよい。

【００４４】ここで、以上の２つの実施形態では、各撮
像処理ユニット１あるいは統合判定部３での判定に各被
検査部位の輝度分散値を用いているが、これに代えて、
各被検査部位の輝度の偏差を用いてもよい。

【００４５】次に、半導体ウェハ面での乱反射光によっ
て観察される欠陥、例えば半導体ウェハの傷や異物等の
表面欠陥を検出するのに有効な装置を、図６を参照しつ
つ説明する。

【００４６】図６に示す外観検査装置は、被検査ウェハ
Ｗが設置されるステージ２、その上方に配置された複数
の撮像処理ユニット１、ステージ２上の被検査ウェハＷ
に照明光を斜め上方から照射する１次元ライン照明装置
３５、統合判定部３及び表示部４などを主体として構成
されている。各撮像処理ユニット１はそれぞれ撮像部１
１及び処理部１２を備えている。

【００４７】そして、図６に示す外観検査装置では、ス
テージ２上に置かれた被検査ウェハＷの被検査部位に、
１次元ライン照明装置３５からの照明光が斜め方向から
照射され、その被検査ウェハＷで反射された乱反射光が
複数の撮像処理ユニット１内の各撮像部１１によって撮
像される。その濃淡画像信号は、各撮像処理ユニット１
に内蔵の処理部１２においてそれぞれ個別に検査画像処
理が行われ、その各検査処理結果が各撮像処理ユニット
１から統合判定部３に送られる。統合判定部３では各検
査処理結果に基づいて被検査ウェハＷの良否判定を行
い、その良否判定が表示部４の画面上に表示される。

【００４８】次に、図６に示す外観検査装置において、
撮像処理ユニット１内の処理部１２にて実行される画像
処理の例を説明する。

【００４９】この例では、露光現像不良や塗布不良に対
応する欠陥として、半導体ウェハに形成されるチップの
メモリセル部分に発生する色むらを欠陥として検出する
ものとする。その主な処理の流れは次のようになる。

【００５０】まず、入力される画像は図７（ａ）のよう
な被検査ウェハＷの一部分となり、ウェハ上に形成され
るチップ２２１〜２２４の内部つまり図の破線矩形領域
で示された部内にメモリセル部が存在しており、チップ
２２１からチップ２２２にかけて傷による表面欠陥２６
１が発生している。この例において、被検査部位は、図
７（ａ）に示すチップ２２１〜２２４であるので、それ
らチップ２２１〜２２４を抽出する。その抽出結果を図
７（ｂ）に示す。なお、被検査部位２４１〜２４４の抽
出方法は先の実施形態と同様とする。

【００５１】次に、被検査部位２４１（欠陥有）を、隣
接する同一形状の被検査部位２４３（欠陥無）と比較す
ることにより、被検査部位２４３に含まれる欠陥部のみ
を検出し、また同様に、被検査部位２４２（欠陥有）に
ついても、被検査部位２４４（欠陥無）と比較すること
によって、被検査部位２４２に含まれる欠陥部のみを検
出する。なお、ここでは、説明を簡便にするために４つ
の被検査部位を用いて説明を行っているが、被検査部位
２４３及び２４４についても、隣接している欠陥を含ま
ない被検査部位と比較する（検出結果：欠陥無）。この
ようにして検出された欠陥を含む被検査部位２４１及び
２４２に関しては、図７（ｄ）に示すようにこれを不良
として判定することができる。

【００５２】そして、図６に示す統合判定部３におい
て、各撮像処理ユニット１からの検査処理結果に基づい
て、図１に示した実施形態と同等の良否判定処理を行う
ことによって、被検査ウェハＷの良否判定を行うことが
できる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の外観検査
装置によれば、各撮像処理ユニットにて独立に検査処理
を行うので、各々の光学的原因による幾何的な形状の差
異の補正処理が不要になる。また、撮像処理ユニットを
追加した場合においても各撮像処理ユニット内での検査
処理時間は全く同等であり、被検査ワークの大型化への
対応を、精度及び検査スループットを維持したまま容易
に達成できる。しかも、従来は目視で行っていた作業者
の負担を軽減できるとともに、生産性の向上及び品質の
安定に寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の外観検査装置の実施形態の構成を模式
的に示す図である。

【図２】図１の実施形態の処理フローを示す図である。

【図３】図１の実施形態で実行する画像処理の一例を示
す説明図である。

【図４】本発明の外観検査装置の他の実施形態の構成を
模式的に示す図である。

【図５】図４の実施形態で実行する画像処理の一例を示
す説明図である。

【図６】本発明の外観検査装置の別の実施形態の構成を
模式的に示す図である。

【図７】図６の実施形態で実行する画像処理の一例を示
す説明図である。

【図８】半導体ウェハ上に発生するマクロ欠陥を模式的
に示す図である。

【図９】半導体ウェハ上に発生するミクロ欠陥を模式的
に示す図である。

【符号の説明】

１撮像処理ユニット１１撮像部１２処理部２ステージ３統合判定部４表示部５照明装置６ハーフミラーＷ被検査ウェハ２５２次元面照明装置３５１次元ライン照明装置１１１色むら欠陥１２１，１２２被検査部位２２１〜２２４被検査ウェハ上のチップ２３１〜２３４被検査部位２４１〜２４４被検査部位２５１色むら欠陥２６１表面欠陥

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検査ワークに照明光を照射する照明系
と、その被検査ワークの撮像及び検査画像の処理を行う
撮像処理ユニットと、この撮像処理ユニットからの検査
処理結果に基づいて被検査ワークの良否を判定する統合
判定部と、その判定結果を表示する表示部からなる外観
検査装置において、複数の撮像処理ユニットが設けられており、それら複数
の撮像処理ユニットを用いて被検査ワークの全面または
一部を分割撮像するように構成されているとともに、そ
の各撮像処理ユニットで独立に撮像画像の検査処理を行
って、それら検査処理結果に基づいて統合判定部が被検
査ワークの良否を判定するように構成されていることを
特徴とする外観検査装置。
【請求項２】被検査ワークの被検査部位に照明光を一
括して照射するように構成されていることを特徴とする
請求項１記載の外観検査装置。
【請求項３】照明系として２次元面照明装置とハーフ
ミラーを備え、その２次元面照明装置からの照明光をハ
ーフミラーで反射して、被検査ワークの被検査部位に、
撮像処理ユニットの光軸と同じ方向の同軸落射にて照射
するように構成されていることを特徴とする請求項１記
載の外観検査装置。
【請求項４】１次元ライン照明装置からの照明光を被
検査ワークの被検査部位に対して斜め方向から照射する
ように構成されていることを特徴とする請求項１記載の
外観検査装置。
【請求項５】複数の撮像処理ユニットにより被検査ワ
ークの全面または一部を分割撮像し、その各撮像処理ユ
ニットで独立に撮像画像の検査処理を行い、それらの検
査処理結果を用いて統合判定部にて被検査ワークの良否
判定処理を行うことを特徴とする外観検査方法。
【請求項６】各撮像処理ユニットでの検査処理を、被
検査部位の輝度の分散または偏差に基づいて行うことを
特徴とする請求項５記載の外観検査方法。
【請求項７】統合判定部での良否判定処理を、各撮像
処理ユニットから得られる全ての被検査部位の分散また
は偏差に基づいて行うことを特徴とする請求項６記載の
外観検査方法。
【請求項８】各撮像処理ユニットでの検査処理を、そ
の各撮像処理ユニットにて撮像された画像内の同一形状
部分の比較に基づいて行うこと特徴とする請求項５記載
の外観検査方法。