JP2008145439A - 新校正方法を使った形状精度の改良 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハを計測器に対して角度を変えながらその表裏面を計測してセンサデータを収集し、表裏データセットを作る。ウェーハ角度に対して裏側データを表側データから差し引いて二分する事によって、各角度のウェーハ形状の平均を求める。また表裏データを加えて二分することにより各角度における計測シグネイチャを求める。対称的修正値は各角度における計器シグネチャ全てを平均する事によって計算され、該対称的修正値を計測の時と同じ角度毎に引き算し、校正されたウェーハデータセットを生ずる。ウェーハ平均値を、これらの校正ウェーハ形状計測値を平均する事によって計算し、該ウェーハ平均値を修正された形状計測値から差し引いて、それぞれの角度における形状残余マップを作る。残余を平均して非対称性誤差を算出し、対称性誤差と加算して系統的誤差を求める。
【選択図】図1
Description
この出願は米国法35、119(e)に基づいて、2000年7月31日出願の仮出願60/222,130,の恩典を主張し、これに開示されたもの全てを、引用をもってここに組み込む。
なし
半導体(semiconductor)回路は半導体ウェーハ上に形成させるが、製造されるウェーハの直径はますます大きくなっている。半導体回路を形成する回路線の精細化の為、極度に平たいウェーハへの精度の高い焦点整合が必要になる。ウェーハの形状と厚さを計測する為のテスト装置がこれまで開発されて来たが、計測の質は該装置が誘発する誤差によって制限される。ウェーハのエッジを固定してどちら側の表面にも触れないで計測する装置では、計測精度と一貫性は、ウェーハがテスト装置に同一の角度方向(angular orientation)に配置された時に有効であった。ウェーハが様々な角度方向で計測された時は、形状精度はあまり良くない。この装置による計測は次の二種類の誤差によって低下するかも知れない。それらの誤差とは、該固定装置に対するウェーハの方向とは独立した対称性誤差と計器上のウェーハの角度方向と相関関係にある誤差である。
ウェーハの形状は比較的低い空間周波数(spatial frequency)の解像度で測定できる。ウェーハを計測する時に各計測毎に負荷角度(load angle)が変化すると、該負荷角度とともに回転する強度のシグネチャが観測される。この計器シグネチャ(instrument signature)はウェーハとは独立のものであり、かなり一定している。このシグネチャの大半を求めるにはウェーハ形状を強度に拒絶する技術が使用でき、これは対称性シグネチャと呼ばれる。この第一ステップで除かれなかった残りは非対称性シグネチャと呼ばれる。該非対称性計器シグネチャはデータ内の残留誤差を考究する事によって統計的に評価される。総合修正は該対称性計器シグネチャと非対称性計器シグネチャの和で定義される。本発明のその他の形勢や特徴や利点を以下の詳細な説明で開示する。
半導体ウェーハ形状(ワープとバウ)計測機器の精度を有効に向上する手段を提供する校正処置を説明する。各種測定器での形状計測の精度とマッチング(matching)は、該ウェーハが該計器に対して相対的に一貫した角度方向で計測されれば有効であった。しかし、該ウェーハが様々な角度方向で計測されると形状精度は劣化した。劣化した形状精度のデータを分析すると、該角度方向と相関関係にあるバウとワープの値の範囲に強いしかも一貫したパターンが見られる。ウェーハが測定器上に配置される時に様々な角度方向を許すのは有利であるから、計測の不精度の原因となる計器シグネチャを取り除く事が望ましい。
Claims (2)
- 計測器による計測であって、少なくとも1つのウェーハ形状特性をウェーハの第1の面に関して計測し、第1のデータセットを得る、そしてウェーハの計測器との方向角度を記録する、
第2のデータセットを概念的に回転し、第1のデータセットと同じ方向角度に対応させる、
該概念的に回転した第2のデータセットを該第1のデータセットから差し引く事によって第3のデータセットを得る、
ステップを有する半導体ウェーハの形状計測方法。 - 少なくとも1つのウェーハの少なくとも一面のウェーハ形状の特性を測定するように構成されたセンサと、
少なくとも1つの計測されたウェーハ形状の特性に対応するデジタル化センサーデータを収集するように構成された少なくとも一つのプロセッサと、
プロセッサに通信可能に接続する少なくとも1つのコンピュータプログラムを含むメモリ装置と、を有し、
該プロセッサはコンピュータプログラムを次のように動作させるように構成されている、
少なくとも1つのウェーハ形状の特性を測定し、第1のセンサーデータセットを得、ウェーハの測定器に対する方向角度を記録するようにセンサを制御し、
前記第1のセンサーデータセットと同じ方向角度に対応する第2のデータセットを概念的に回転させ、
該概念的に回転させた第2のデータセットを該第1のセンサーデータセットから差し引いて第3のデータセットを得る、
計測器上の半導体ウェーハの形状を計測するシステム。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016102664A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Hoya株式会社 | 表面形状測定方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 |
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4080866B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2008-04-23 | エーディーイー コーポレーション | 新校正方法を使った形状精度の改良 |
US7120514B1 (en) * | 2001-03-22 | 2006-10-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for performing field-to-field compensation |
US6815958B2 (en) * | 2003-02-07 | 2004-11-09 | Multimetrixs, Llc | Method and apparatus for measuring thickness of thin films with improved accuracy |
US7519447B1 (en) * | 2004-10-05 | 2009-04-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for integrating multiple sample plans |
JP4531685B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2010-08-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 形状測定装置、形状測定方法 |
US7847954B2 (en) * | 2008-05-15 | 2010-12-07 | Kla-Tencor Corporation | Measuring the shape and thickness variation of a wafer with high slopes |
WO2019090122A1 (en) * | 2017-11-03 | 2019-05-09 | Tokyo Electron Limited | Enhancement of yield of functional microelectronic devices |
CN108828267B (zh) * | 2018-03-19 | 2021-05-25 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆翘曲程度测量方法及装置 |
CN111146107B (zh) * | 2020-01-03 | 2022-11-29 | 浙江百盛光电股份有限公司 | 一种晶圆片平面测量仪 |
CN112233995A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-01-15 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 硅片目检辅助装置和硅片目检方法 |
CN115962735B (zh) * | 2022-12-26 | 2024-01-05 | 中国林业科学研究院林业研究所 | 一种基于几何测量确定梓属叶片形状的方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62294905A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-12-22 | エ−デイ−イ−・コ−ポレ−シヨン | 対象物の測定方法及び装置 |
JPH05187868A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 回転−直動機能形真円度測定機の検出器送り方向の真直度誤差の算出方法および測定値の補正方法 |
JPH08152319A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Kuroda Precision Ind Ltd | ウェーハその他の薄層体の表面形状測定方法及び装置 |
JPH1070162A (ja) * | 1996-02-26 | 1998-03-10 | Ade Corp | ウエハ試験および自動較正システム |
JPH10125755A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハのフラットネス測定機構 |
JPH11351857A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Kuroda Precision Ind Ltd | 薄板の表面形状測定方法および薄板の表面形状測定装置 |
JP2000501505A (ja) * | 1995-12-07 | 2000-02-08 | テイラー ホブソン リミテッド | 表面形状測定 |
JP2000292152A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Kuroda Precision Ind Ltd | 厚み測定方法および表面形状測定方法 |
JP2002243431A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハのそり測定方法 |
JP4080866B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2008-04-23 | エーディーイー コーポレーション | 新校正方法を使った形状精度の改良 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2140367B1 (ja) * | 1971-06-11 | 1974-09-27 | Siemens Spa Italiana | |
US5048023A (en) * | 1989-02-16 | 1991-09-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Asymmetric soft-error resistant memory |
US5155633A (en) | 1991-07-30 | 1992-10-13 | Applied Magnetics Corporation | Anamorphic achromatic prism for optical disk heads |
US5909282A (en) * | 1996-05-31 | 1999-06-01 | Tropel Corporation | Interferometer for measuring thickness variations of semiconductor wafers |
US6275297B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-08-14 | Sc Technology | Method of measuring depths of structures on a semiconductor substrate |
JP2000234912A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ厚さ測定装置 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62294905A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-12-22 | エ−デイ−イ−・コ−ポレ−シヨン | 対象物の測定方法及び装置 |
JPH05187868A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 回転−直動機能形真円度測定機の検出器送り方向の真直度誤差の算出方法および測定値の補正方法 |
JPH08152319A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Kuroda Precision Ind Ltd | ウェーハその他の薄層体の表面形状測定方法及び装置 |
JP2000501505A (ja) * | 1995-12-07 | 2000-02-08 | テイラー ホブソン リミテッド | 表面形状測定 |
JPH1070162A (ja) * | 1996-02-26 | 1998-03-10 | Ade Corp | ウエハ試験および自動較正システム |
JPH10125755A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハのフラットネス測定機構 |
JPH11351857A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Kuroda Precision Ind Ltd | 薄板の表面形状測定方法および薄板の表面形状測定装置 |
JP2000292152A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Kuroda Precision Ind Ltd | 厚み測定方法および表面形状測定方法 |
JP4080866B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2008-04-23 | エーディーイー コーポレーション | 新校正方法を使った形状精度の改良 |
JP2002243431A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハのそり測定方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
WEI GAO, ET AL.: ""Flatness Metrology of Large Silicon Wafer Using an Absolute Error Separation Technique"", PROCEEDINGS OF THE 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE EUROPEAN SOCIETY FOR PRECISION ENGINEERING AN, vol. 2, JPN4006016028, 27 May 2001 (2001-05-27), pages 430 - 433, ISSN: 0001554520 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016102664A (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Hoya株式会社 | 表面形状測定方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法 |
JP2017130488A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 神津精機株式会社 | Sori値測定方法 |
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