JP4531685B2 - 形状測定装置、形状測定方法 - Google Patents
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Description
一般に、変位計による計測位置の走査は、測定試料若しくは変位計のいずれか一方を固定するとともに他方を直交する2方向(x方向及びy方向)に移動させることにより行われる。例えば、ある基準点で直交する2本の直線方向における計測値から平坦度を求める方法は、一般に十字法と呼ばれる。ここで平坦度は,例えば,計測値から最小二乗平面等の基準平面を求め,この基準平面に対する各測定値の変位量の大きさ等で評価する。
このため、測定試料の形状測定における測定精度を向上させるためには、上述のような薄片試料の自重による撓み及び走査機構の走査ぶれに起因する誤差分について変位計による計測値を補正しなければならない。
従来、上記誤差分の補正は、特許文献1や非特許文献1に示される如く、以下の手順で行われている。
まず、測定試料と材料、概略の厚み及び平面視した概略形状が同じ薄片試料であってその厚みが一様とみなせる(厚みのばらつきが形状測定の許容測定誤差に対して十分に小さい)校正用試料を用意し、その校正用試料が表裏各面の相対する点において測定試料の測定の際と同じ支持部で支持された2つの支持状態各々において、その校正用試料の表面変位を変位計により計測する。
校正用試料が表裏各面の相対する点において測定試料の測定の際と同じ支持部で支持された2つの支持状態各々において、各位置における前記誤差量(自重による撓み量及び走査機構の走査ぶれ量)は、その方向及び大きさがともに同じであるといえる。
ここで、校正用試料の一方の面におけるある計測位置(x,y)の表面変位計測値及び真の変位値をZi1(x,y)及びZr1(x,y)、他方の面における相対する位置の表面変位計測値及び真の変位値をZi2(x,y)及びZr2(x,y)とし、その同じ位置における前記誤差量をΔT(x,y)とすると次の(1)式が成立する。なお、真の変位値とは、自重によらない校正用試料自体が有する反りに起因する変位値を表す。
そして、測定試料の測定の際に、変位計による測定試料の表面変位計測値から、予め校正用試料の測定により求めておいた前記誤差量ΔTを差し引くことによって測定試料の表面形状値を求める。この手法は、校正用試料の厚みと測定用試料の厚みとが概ね同じであり、両者の自重による撓み量もほぼ同じであることを前提としている。一般に、LSI製造に用いられるシリコンウェハは、直径が300mm、厚みが75μmと規定されている。
これにより、前記誤差量ΔTを除去した真の表面形状値(表面変位値)が得られる。
もちろん、測定試料各々の厚みに対応した複数の校正用試料について前記誤差量を予め求めておき、測定試料の厚みに応じて使用する前記誤差量を切り替えれば測定精度を確保できるが、この場合、測定試料の厚みの種類が増えるほど前記誤差量を求める校正作業の工数が増大するという問題点があった。
従って,本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり,その目的とするところは,様々な厚みの測定試料(薄片試料)の表面形状を測定する場合でも、事前の校正作業工数の増大を伴うことなく、高い測定精度を確保できる形状測定装置及び形状測定方法を提供することにある。
即ち、前記測定試料の厚みを計測する厚み計測手段と、前記測定試料と厚みが異なるが材料及び平面視した概略形状が同じ薄片試料である基準試料の厚み、及びその基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を予め記憶する基準試料情報記憶手段と、前記変位計測手段による前記基準試料の計測値から前記基準試料の自重による撓み量を減算して求めた前記走査手段の走査ぶれ量を予め記憶する走査ぶれ量記憶手段とを設けておき、前記厚み計測手段による前記測定試料の厚みの計測、及び前記変位計測手段による前記測定試料の表面変位の計測を行うとともに、前記基準試料情報記憶手段に記憶された前記基準試料の厚み及び自重による撓み量と、前記厚み計測手段で計測された前記測定試料の厚みと、に基づいて前記測定試料の自重による撓み量を算出し、さらに、前記走査ぶれ量記憶手段に記憶された前記走査手段の走査ぶれ量と、前記測定試料自重撓み算出手段により算出された撓み量と、に基づいて前記変位計測手段の計測値を補正(通常は、走査ぶれ量と測定試料の自重撓み量とを減算)した前記測定試料の表面形状値を算出するものである。
これにより、基準試料の厚みに対する測定試料の厚みの差違が大きくなっても、その厚みの差違に応じて測定試料の自重による撓み量が求められる(補正される)ので、高い測定精度を確保できる。しかも、1つの基準試料についてのみ、自重による撓み量と走査手段の走査ぶれ量とを求める作業或いは処理を行えばよく、事前の校正作業工数の増大を伴わない。
なお、前記基準試料とは、必ずしも実在の薄片試料を指すものでなく、前記測定試料と厚みが異なるが材料及び平面視した概略形状が同じであると仮定した仮想の薄片試料をも含む概念である。
また、前記変位計測手段が、前記測定試料の表裏両側に対向配置されてその測定試料の表裏各々の面の変位を計測する2つの変位計測手段(第1の変位計測手段及び第2の変位計測手段)を備えて前記測定試料の両面について同時若しくはほぼ同時に変位計測を行うものであり、前記厚み計測手段が、それら2つの変位計測手段により構成されたものであれば好適である。
これにより、測定試料の両面の形状を効率的に(同時に)測定することができる上、2つの変位計測手段の計測値の和或いは差に基づいて試料の厚みを計測できるので、変位計測手段を厚み計測手段として兼用できる。
シリコンは弾性定数が精度高く求められており、さらに、LSIに用いられるシリコンウェハは純度が高く結晶性も非常に良い。このため、シリコンウェハの撓み量は、その弾性率の異方性まで考慮にいれた有限要素法若しくは有限差分法により計算すると、その計算値は実測値と非常に良く一致する。その結果、実測の手間を要さずに極めて高精度に撓み量を求めることができる。
また、前記測定試料がシリコンウェハである場合に、その測定試料と材料及び平面視した概略形状が同じであって厚みが一様とみなせる薄片試料である校正用試料の形状及び材料の情報に基づいて、その校正用試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を有限要素法若しくは有限差分法により算出し、前記校正用試料が表裏各面の相対する点で前記支持手段により支持された2つの支持状態各々においてその校正用試料の表面変位を前記変位計測手段により計測し、その計測値と前述の有限要素法若しくは有限差分法により算出された前記校正用試料の自重による撓み量とに基づいて、前記走査手段の走査ぶれ量を算出して前記走査ぶれ量記憶手段に記憶させることが考えられる。
これにより、従来と同じ校正用試料について従来と同様に事前測定を行うことにより、走査手段の走査ぶれ量を極めて高精度で求めることができる。
また、前記支持手段における支持点は、支持が安定する3点の支持点とすることが好適である。
また、測定試料の表裏両側に対向配置されてその測定試料の表裏各々の面の変位を計測する2つの変位計測手段を設け、これにより前記測定試料の両面について同時若しくはほぼ同時に変位計測を行うとともに、それら2つの変位計測手段により測定試料の厚み計測を行うよう構成すれば、測定試料の両面の形状を効率的に(同時に)測定することができる上、2つの変位計測手段を厚み計測手段として兼用でき好適である。
また、前記測定試料及び前記基準試料がLSIに用いられるシリコンウェハである場合に、その基準試料(シリコンウェハ)の形状及び材料の情報に基づいて、その基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を有限要素法若しくは有限差分法により算出して記憶手段に記憶させるようにすれば、実測の手間を要さずに極めて高精度に基準試料の撓み量を求めることができる。
また、前記測定試料がシリコンウェハである場合に、その測定試料と材料及び平面視した概略形状が同じであって厚みが一様とみなせる校正用試料の形状及び材料の情報に基づいて、その校正用試料の自重による撓み量を有限要素法若しくは有限差分法により算出し、前記校正用試料が表裏各面の相対する点で前記支持手段により支持された2つの支持状態各々において計測した表面変位の計測値と、前述の有限要素法若しくは有限差分法により算出された撓み量とに基づいて、前記走査手段の走査ぶれ量を算出すれば、従来と同じ校正用試料について従来と同様に事前測定を行うことにより、走査手段の走査ぶれ量を極めて高精度で求めることができる。
ここに,図1は本発明の実施形態に係る形状測定装置Xの概略構成図、図2は形状測定装置Xにおける形状測定処理の手順を表すフローチャートである。
形状測定装置Xは、測定対象となる薄片試料であるシリコンウェハ4(以下、測定ウェハ4という)における表面変位の計測位置をX−Yステージ3により2次元方向に走査させ、これにより得られる表面変位の計測値に基づいて測定ウェハ4の表面形状を測定するものである。そして、その特徴は、X−Yステージ3の走査ぶれ量を予め校正用試料の測定等に基づいて記憶手段に記憶(記録)しておくとともに、測定ウェハ4の自重による撓み量を計算により求め、走査ぶれ量と測定ウェハ4の自重による撓み量とを区別して表面変位の計測値から除去(減算)することにより、異なる厚みの測定ウェハ4を測定する場合であっても高い測定精度を確保できる点にある。
図1に示すように、形状測定装置Xは、測定対象となる薄片試料である測定ウェハ4を3つの支持点1a,1b,1cにより下方側から3点支持する支持部1と、支持部により支持された測定ウェハ4の表面変位を計測する変位計2a,2b(以下、総称して変位計2という)と、その変位計2a,2bを固定保持した状態で支持部1で支持された測定ウェハ4を2次元方向に移動させることにより変位計2による計測位置を2次元方向に走査させるX−Yステージ3とを具備し、X−Yステージ3により変位計測位置を2次元方向に走査させつつ得られる変位計2の計測値に基づいて、測定ウェハ4の表面形状を測定するものである。
また、X−Yステージ3は、支持部3をほぼ水平な面に沿って2次元方向に移動させるものであり、支持部3をある一の方向(X方向)に直線的に(1次元方向)に移動させるXステージ3xと、その移動方向と直交する方向(Y方向)に直線的に移動させるYステージ3yとを具備し、これらにより支持部3をX−Y方向(2次元方向)に移動させることによって変位計2による計測位置を2次元方向に走査させる。
変位計2は、測定ウェハ4の表及び裏の両側(上下)に対向配置されて測定ウェハ4の表裏各々の面の変位を計測する第1変位計2aと第2変位計2bとを備え、測定ウェハ4の両面についてほぼ同時に変位計測が可能に構成されている。従って、第1変位計2a及び第2変位計2bは、それらの計測値の和若しくは差を計測値とすることにより、測定ウェハ4の厚みを計測する厚み計としても機能するものである。
例えば、第1変位計2a及び第2変位計2b各々が、各変位計に対して共通の基準位置(例えば、各変位計相互間の中点の位置)に対する上下方向への変位量(例えば、上方向を正とする)を計測値Zia、Zibとして検出する場合、それら計測値の差|Zia−Zib|が測定ウェハ4の厚みとなる。また、第1変位計2a及び第2変位計2b各々が、各変位計からの距離(絶対値)を計測値Zia、Zibとして検出する場合、各変位計相互間の中点の位置までの距離をZmとすると、{2・Zm−(Zia+Zib)}が測定ウェハ4の厚みとなる。なお、距離Zmは、厚みが既知の試料を予め計測することにより求めることができる。
なお、各変位計2a,2bとしては、レーザ変位計や、静電容量方式の変位計、渦電流変位計、或いは光干渉計による変位計等、各種の変位計が採用され得る。
記憶部8(基準試料情報記憶手段及び走査ぶれ量記憶手段の一例)に予め記憶される情報として、基準ウェハ情報d1と走査ぶれ情報d2とが存在する。
ここで、基準ウェハとは、測定ウェハ4と厚みが異なるが材料及び平面視したときの概略形状が同じ(結晶方位も同じ)薄片試料であるシリコンウェハのことをいい、基準ウェハ情報d1には、基準ウェハの厚みt0と、その基準ウェハが予め定められた3つの被支持点において支持部1により3点支持された場合の自重による撓み量ΔWs(以下、基準自重撓み量という)とが含まれる。
また、走査ぶれ情報は、X−Yステージ3(走査手段の一例)の機械的な走査ぶれ量ΔM(以下、単に走査ぶれ量という)を含む情報である。走査ぶれ量ΔMとは、試料(測定ウェハ4等)の理想的な平面(2次元)移動の軌跡に対する実際の移動の軌跡のずれの量(走査平面(X−Y平面)に略垂直な方向のずれの量)である。
なお、基準自重撓み量ΔWs及び走査ぶれ量ΔMは、X−Y平面の各位置(変位計2による各計測位置)ごとに記憶されている情報である。
例えば、基準自重撓み量ΔWsは、材料が測定ウェハ4と同じシリコン(結晶方位も同じ、例えば[1,0,0])であり、平面視したときの概略形状も測定ウェハ4と同じ形状(例えば、直径300mmの円状)である所定の厚み(例えば、標準的なシリコンウェハの厚み:775μm)のシリコンウェハが前記基準ウェハであると想定し、その基準ウェハが支持部1により3点支持された場合の自重による撓み量を、その基準試料の形状及び材料の情報(寸法情報や材料の種類、結晶方位等)に基づいて有限要素法により算出して求める。その算出は、例えば、測定ウェハ4の計測前に、計算機7が有限要素法に基づく解析処理を行う所定の構造解析プログラムを実行することにより行われ、算出結果が記憶部8に記憶される(基準試料撓み量算出手段の一例)。
シリコンは弾性定数(ヤング率及びポアッソン比)が精度高く求められており、さらに、LSIに用いられるシリコンウェハは純度が高く結晶性も非常に良い。このため、シリコンウェハの自重による撓み量は、その弾性率の異方性まで考慮にいれた有限要素法により計算すると、その計算値は実測値と非常に良く一致する。その結果、実測の手間を要さずに極めて高精度に前記基準自重撓み量ΔWsを求めることができる。なお、この基準自重撓み量ΔWsの計算の前提となった基準ウェハの厚みt0も、前記基準ウェハ情報の一部として記憶部8に記憶させる。
また、走査ぶれ量ΔMは、例えば、自重による撓みを無視できる程度に剛性が高く、かつその形状が既知の校正用試料(例えば、厚みが既知で平面度が十分高い校正用試料など)を用意し、その校正用試料について、X−Yステージ3により計測位置を走査させつつ変位計2により表面変位を計測し、計算機7により、その計測値から既知の厚みを減算した値を走査ぶれ量ΔMとして求め、記憶部8に記憶させる。
測定ウェハ4の形状測定処理では、まず、計算機7からステージ制御装置5に対して所定の初期指令が出力されることにより、変位計2による測定ウェハ4の計測位置が、所定の基準位置(基準計測位置)となるように、X−Yステージ3がステージ制御装置5によって制御される(S1)。
次に、その時点の計測位置(最初は、前記基準計測位置)において、変位計2a,2b各々によって測定ウェハ4の表裏両面(上面と下面)の変位が計測され、計測値が信号処理装置6を通じて計算機7に入力される(S2、測定試料表面変位計測工程の一例)。
次に、計算機7により、変位計2a,2b各々の計測値から、その時点の計測位置における測定ウェハ4の厚みt1が計算(計測)され、算出された厚みt1がその時点の計測位置(座標)と対応付けられて記憶部8に記録される(S3、厚み計測工程の一例)。
ここで、有限要素法による解析結果から、薄片試料(特に、シリコンウェハ)の自重による撓み量は、その厚みの2乗に反比例することがわかっている。
従って、ステップS4においては、記憶部8から読み出された基準ウェハの厚みをt0、ステップS3で変位計2(即ち、厚み計)により計測された測定ウェハ4の厚みをt1とした場合に、記憶部8から読み出された基準自重撓み量ΔWsに対して(t0/t1)2を乗算することにより、測定ウェハ4のその時点の計測位置における自重による撓み量ΔWpが算出される。
このステップS4における撓み量ΔWpの計算に用いる測定ウェハ4の厚みt1は、例えば、各位置での厚み計測値を用いることの他、任意の計測位置(例えば、前記基準計測位置)における厚みを全体の代表値として用いること、或いは、事前に複数の計測位置について計測した測定ウェハ4の厚みの平均値を用いること等が考えられる。撓み量ΔWp計算に用いる厚みが、測定ウェハ4の実際の厚みに対して多少の誤差を有していても、算出される撓み量ΔWpに大きな誤差は生じないからである。
次に、計算機7により、その時点の計測位置が予め定められた計測終了位置であるか否かが判別され(S6)、計測終了位置でないと判別された場合は、X−Yステージ3により予め定められた走査経路に従って計測位置の移動(計測位置の走査)がなされ(S7)、処理が前述したステップS2へ移行される。これにより、順次新たな計測位置について、前記計測終了位置に至るまで前述したステップS2〜S7の処理が繰り返される。
一方、ステップS6において、その時点の計測位置が前記計測終了位置であると判別された場合は、計算機7により、ステップS5において記憶部8に記録された各計測位置での表面形状値Zra及びZrb(真の変位値)が読み出され、その表面形状値Zra及びZrbに基づいて、測定ウェハ4の平坦度やバウ、ワープ等の形状評価値(反りの評価値)の算出、及びその評価値の記憶部8への記録(S8)が行われた後、当該形状測定処理が終了する。
また、前述の実施形態では、変位計2による計測位置の走査手段として、測定ウェハ4を2次元方向に移動させるX−Yステージ3を採用した例を示したが、これに限るものでなく、例えば、測定ウェハ4を固定して変位計2をX−Yステージにより2次元方向に移動させる構成や、測定ウェハ4をその中心位置で1点支持して回転させる回転支持機構(支持手段の一例)と、変位計2を1次元方向に直線的に移動させる直線移動機構との組合せにより計測位置を平面方向(2次元方向)に走査させる構成等も考えられる。
また、形状測定の目的によっては、変位計の計測位置を1次元方向にのみ走査させる構成も考えられる。
また、シリコンウェハを測定対象とする場合、有限要素法に基づき基準ウェハの自重による撓み量を算出することが特に高精度で有効である旨について示したが、その他、有限差分法に基づき自重による撓み量を算出しても同様の作用効果が得られる。また、差分方程式に基づき基準ウェハ(基準試料)の自重による撓み量を算出することや、実際の基準ウェハ(校正用ウェハ)を用意し、その自重に寄る撓み量を何らかの測定装置によって実測して記憶部8に記憶させておくことも考えられる。
例えば、測定ウェハ4(シリコンウェハ)と材料及び平面視した概略形状が同じ(結晶方位も同じ)であって厚みが一様とみなせる薄片試料である校正用ウェハ(校正用試料)を用意し、計算機7により、その校正用ウェハの形状及び材料の情報に基づいて、その校正用ウェハが支持部1により支持された場合の自重による撓み量ΔWs’を有限要素法により算出する。
さらに、その校正用ウェハが表裏各面の相対する点(被支持点)で支持部1により支持された2つの支持状態各々において、その校正用ウェハの表面変位を、X−Yステージ3で計測位置を走査させつつ変位計2a若しくは2bにより計測し(校正用試料表面変位計測工程の一例)、計算機7により、その表裏各面の計測値Zi1(一方の面)及びZi2(他方の面)と、前述の有限要素法により算出された校正用ウェハの自重による撓み量ΔWs’とに基づいて、X−Yステージ3(走査手段)の走査ぶれ量ΔMを算出し、それを記憶部8に記憶させることが考えられる。
即ち、校正用ウェハの一方の面におけるある計測位置(x,y)の表面変位計測値及び真の変位値をZi1(x,y)及びZr1(x,y)、他方の面における相対する位置の表面変位計測値及び真の変位値をZi2(x,y)及びZr2(x,y)とし、その同じ位置における走査ぶれ量をΔM(x,y)、自重による撓み量をΔWs’とすると、次の(2)式が成立する。
これにより、従来と同じ校正用ウェハについて従来と同様に事前測定を行うことにより、X−Yステージ3等の走査手段の走査ぶれ量ΔMを極めて高精度で求めることができる。
1a,1b,1c…支持点
2…変位計、兼厚み計
3…X−Yステージ
4…測定ウェハ(測定試料)
5…ステージ制御装置
6…信号処理装置
7…計算機
8…記憶部
d1…基準ウェハ情報
d2…走査ぶれ情報
S1,S2,,,…処理手順(ステップ)
Claims (11)
- 1若しくは複数の支持点を有する支持手段により支持された薄片試料である測定試料の表面変位を計測する変位計測手段と、該変位計測手段による前記測定試料の計測位置を1次元方向若しくは2次元方向に走査させる走査手段と、を具備し、前記走査手段により前記計測位置を走査させつつ得られる前記変位計測手段の計測値に基づいて前記測定試料の表面形状を測定する形状測定装置であって、
前記測定試料の厚みを計測する厚み計測手段と、
前記測定試料と厚みが異なるが材料及び平面視した概略形状が同じ薄片試料である基準試料の厚みと該基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量とを予め記憶する基準試料情報記憶手段と、
前記変位計測手段による前記基準試料の計測値から前記基準試料の自重による撓み量を減算して求めた前記走査手段の走査ぶれ量を予め記憶する走査ぶれ量記憶手段と、
前記基準試料情報記憶手段に記憶された前記基準試料の厚み及び自重による撓み量と、前記厚み計測手段で計測された前記測定試料の厚みと、に基づいて前記測定試料の自重による撓み量を算出する測定試料自重撓み算出手段と、
前記走査ぶれ量記憶手段に記憶された前記走査手段の走査ぶれ量と、前記測定試料自重撓み算出手段により算出された撓み量と、に基づいて前記変位計測手段の計測値を補正した前記測定試料の表面形状値を算出する表面形状値算出手段と、
を有してなることを特徴とする形状測定装置。 - 前記測定試料自重撓み算出手段が、前記基準試料の厚みをt0、前記厚み計測手段により計測された前記測定試料の厚みをt1とした場合に、前記基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量に対して(t0/t1)2を乗算することにより前記測定試料の自重による撓み量を算出してなる請求項1に記載の形状測定装置。
- 前記変位計測手段が、前記測定試料の表裏両側に対向配置されて該測定試料の表裏各々の面の変位を計測する第1の変位計測手段及び第2の変位計測手段を備えて前記測定試料の両面について略同時に変位計測を行うものであり、
前記厚み計測手段が、前記第1の変位計測手段及び第2の変位計測手段により構成されてなる請求項1又は2のいずれかに記載の形状測定装置。 - 前記測定試料及び前記基準試料がシリコンウェハであり、
前記基準試料の形状及び材料の情報に基づいて前記基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を有限要素法若しくは有限差分法により算出して前記基準試料情報記憶手段に記憶させる基準試料撓み量算出手段を具備してなる請求項1〜3のいずれかに記載の形状測定装置。 - 前記測定試料と材料及び平面視した概略形状が同じであって厚みが一様とみなせる薄片試料である校正用試料の形状及び材料の情報に基づいて該校正用試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を有限要素法により算出する校正用試料撓み量算出手段と、
前記校正用試料が表裏各面の相対する点で前記支持手段により支持された2つの支持状態各々における前記変位計測手段による前記校正用試料の計測値と、前記校正用試料撓み量算出手段により算出された前記校正用試料の自重による撓み量と、に基づいて前記走査手段の走査ぶれ量を算出して前記走査ぶれ量記憶手段に記憶させる走査ぶれ量算出手段を具備してなる請求項4に記載の形状測定装置。 - 前記支持点が3点である請求項1〜5のいずれかに記載の形状測定装置。
- 1若しくは複数の支持点を有する支持手段により支持された薄片試料である測定試料の表面変位を計測する変位計測手段の計測位置を、所定の走査手段により1次元方向若しくは2次元方向に走査させつつ得られる前記変位計測手段の計測値に基づいて、前記測定試料の表面形状を測定する形状測定方法であって、
所定の厚み計測手段により前記測定試料の厚みを計測する厚み計測工程と、
前記変位計測手段により前記測定試料の表面変位を計測する測定試料表面変位計測工程と、
予め記憶手段に記憶された情報であって前記測定試料と厚みが異なるが材料及び平面視した概略形状が同じ薄片試料である基準試料の厚み及び該基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量と、前記厚み計測工程で計測された前記測定試料の厚みと、に基づいて前記測定試料の自重による撓み量を算出する測定試料自重撓み算出工程と、
予め記憶手段に記憶された前記変位計測手段による前記基準試料の計測値から前記基準試料の自重による撓み量を減算して求めた前記走査手段の走査ぶれ量と、前記測定試料自重撓み算出工程により算出された撓み量と、に基づいて前記測定試料表面変位計測工程での計測値を補正した前記測定試料の表面形状値を算出する表面形状値算出工程と、
を有してなることを特徴とする形状測定方法。 - 前記測定試料自重撓み算出工程が、前記基準試料の厚みをt0、前記厚み計測手段により計測された前記測定試料の厚みをt1とした場合に、前記基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量に対して(t0/t1)2を乗算することにより前記測定試料の自重による撓み量を算出してなる請求項7に記載の形状測定方法。
- 前記変位計測手段が、前記測定試料の表裏両側に対向配置されて該測定試料の表裏各々の面の変位を計測する第1の変位計測手段及び第2の変位計測手段を備え、該第1の変位計測手段及び第2の変位計測手段により前記厚み計測手段が構成されており、
前記測定試料表面変位計測工程において前記第1の変位計測手段及び第2の変位計測手段により前記測定試料の両面についての変位計測が略同時に行われてなる請求項7又は8のいずれかに記載の形状測定方法。 - 前記測定試料及び前記基準試料がシリコンウェハであり、
前記基準試料の形状及び材料の情報に基づいて前記基準試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を有限要素法により算出して記憶手段に記憶させる基準試料撓み量算出工程を有してなる請求項7〜9のいずれかに記載の形状測定方法。 - 前記測定試料と材料及び平面視した概略形状が同じであって厚みが一様とみなせる薄片試料である校正用試料の形状及び材料の情報に基づいて該校正用試料が前記支持手段により支持された場合の自重による撓み量を有限要素法により算出する校正用試料撓み量算出工程と、
前記校正用試料が表裏各面の相対する点で前記支持手段により支持された2つの支持状態各々において該校正用試料の表面変位を前記変位計測手段により計測する校正用試料表面変位計測工程と、
前記校正用試料表面変位計測工程による計測値と、前記校正用試料撓み量算出工程により算出された前記校正用試料の自重による撓み量と、に基づいて前記走査手段の走査ぶれ量を算出して記憶手段に記憶させる走査ぶれ量算出工程と、
を有してなる請求項10に記載の形状測定方法。
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---|---|---|---|---|
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JP6191534B2 (ja) * | 2014-05-01 | 2017-09-06 | 信越半導体株式会社 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 |
JP6186020B2 (ja) * | 2016-01-18 | 2017-08-23 | 神津精機株式会社 | Sori値測定方法 |
CN109668522A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-04-23 | 上海谦视智能科技有限公司 | 3d形貌测量误差的在线补偿测量装置及测量方法 |
JP7198731B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-01-04 | レーザーテック株式会社 | 撮像装置、及びフォーカス調整方法 |
CN111370346B (zh) * | 2020-03-19 | 2023-07-21 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆翘曲度测量装置及方法 |
CN114608482B (zh) * | 2022-05-11 | 2022-08-05 | 南昌昂坤半导体设备有限公司 | 曲率测量方法、系统、可读存储介质及计算机设备 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000131047A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Nkk Corp | 板状物品の形状測定方法 |
JP2000292148A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-20 | Nikon Corp | パターン位置測定装置、パターン位置測定方法、およびたわみ測定装置 |
JP2000292152A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Kuroda Precision Ind Ltd | 厚み測定方法および表面形状測定方法 |
JP2001201339A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Mitsutoyo Corp | 測定機の真直精度補正方法 |
JP2001201337A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Mitsutoyo Corp | 測定機の回転精度補正方法 |
JP2002243431A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハのそり測定方法 |
JP2003075147A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Kobe Steel Ltd | 平坦度測定方法及びその装置 |
JP2003121131A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Mitsutoyo Corp | 走査型間隙量検出による真直度測定方法 |
JP2004505286A (ja) * | 2000-07-31 | 2004-02-19 | エーディーイー コーポレーション | 新校正方法を使った形状精度の改良 |
WO2005043077A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-05-12 | Micronic Laser System Ab | A method for calibration of metrology stage |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4750141A (en) * | 1985-11-26 | 1988-06-07 | Ade Corporation | Method and apparatus for separating fixture-induced error from measured object characteristics and for compensating the measured object characteristic with the error, and a bow/warp station implementing same |
JPH01136011A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Aisin Takaoka Ltd | 検査装置 |
JP2830614B2 (ja) * | 1992-06-01 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | パターン位置測定方法及び装置 |
JP3427141B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2003-07-14 | 株式会社ニコン | パターン位置測定方法及び装置 |
JPH11351857A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Kuroda Precision Ind Ltd | 薄板の表面形状測定方法および薄板の表面形状測定装置 |
-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000131047A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Nkk Corp | 板状物品の形状測定方法 |
JP2000292152A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Kuroda Precision Ind Ltd | 厚み測定方法および表面形状測定方法 |
JP2000292148A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-20 | Nikon Corp | パターン位置測定装置、パターン位置測定方法、およびたわみ測定装置 |
JP2001201339A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Mitsutoyo Corp | 測定機の真直精度補正方法 |
JP2001201337A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Mitsutoyo Corp | 測定機の回転精度補正方法 |
JP2004505286A (ja) * | 2000-07-31 | 2004-02-19 | エーディーイー コーポレーション | 新校正方法を使った形状精度の改良 |
JP2002243431A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハのそり測定方法 |
JP2003075147A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Kobe Steel Ltd | 平坦度測定方法及びその装置 |
JP2003121131A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | Mitsutoyo Corp | 走査型間隙量検出による真直度測定方法 |
WO2005043077A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-05-12 | Micronic Laser System Ab | A method for calibration of metrology stage |
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