JPS589364B2 - 金属薄膜の膜厚分布評価方法 - Google Patents
金属薄膜の膜厚分布評価方法Info
- Publication number
- JPS589364B2 JPS589364B2 JP9436377A JP9436377A JPS589364B2 JP S589364 B2 JPS589364 B2 JP S589364B2 JP 9436377 A JP9436377 A JP 9436377A JP 9436377 A JP9436377 A JP 9436377A JP S589364 B2 JPS589364 B2 JP S589364B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は基体上に形成された金属薄膜の膜厚分布を評
価する方法の改良に関するものである。
価する方法の改良に関するものである。
以下、半導体ウエハの主面上に形成されたアルミニウム
（Ａ１）膜の膜厚分布を評価する方法を例にとり説明す
る。
（Ａ１）膜の膜厚分布を評価する方法を例にとり説明す
る。
従来、半導体ウエハ上に形成されたＡｌ膜の膜厚分布を
評価する場合、当該部位におけるＡｌ膜を選択的にエッ
チング除去し、これによって得られたＡｌ膜の段差を表
面粗さ計などによって直接測定する方法が用いられてい
た。
評価する場合、当該部位におけるＡｌ膜を選択的にエッ
チング除去し、これによって得られたＡｌ膜の段差を表
面粗さ計などによって直接測定する方法が用いられてい
た。
このような従来のＡｌ膜の膜厚分布評価方法を第１図ａ
〜ｃに示す断面図について説明する。
〜ｃに示す断面図について説明する。
第１図ａに示すように、半導体ウエハ１上に形成された
Ａｌ膜２上に、第１図ｂに示すような所定パターンのエ
ッチング用レジストマスク３を形成する。
Ａｌ膜２上に、第１図ｂに示すような所定パターンのエ
ッチング用レジストマスク３を形成する。
このエッチング用レジストマスク３を用いてＡｌ膜２に
選択エッチングを施し、第１図Ｃに示すような上記所定
パターンに対応するパターンのＡｌ膜２ａを形成する。
選択エッチングを施し、第１図Ｃに示すような上記所定
パターンに対応するパターンのＡｌ膜２ａを形成する。
このＡｌ膜２ａの段差を表面粗さ計などによって測定し
、この測定結果によって半導体ウエハ１上のＡｌ膜２の
膜厚分布を評価する。
、この測定結果によって半導体ウエハ１上のＡｌ膜２の
膜厚分布を評価する。
しかしながら、との膜厚分布評価方法では，Ａｌ膜２の
膜厚を測定するために、エッチング用マスク３の作成お
よび選択エッチングなどの煩雑な作業が必要であり、ま
た正確な膜厚分布を得るために、膜厚の測定点をできる
だけ多くする必要があるなどの欠点があった。
膜厚を測定するために、エッチング用マスク３の作成お
よび選択エッチングなどの煩雑な作業が必要であり、ま
た正確な膜厚分布を得るために、膜厚の測定点をできる
だけ多くする必要があるなどの欠点があった。
その上、表面粗さ計による段差測定の精度にも限界があ
るなどの欠点もあった。
るなどの欠点もあった。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、陽極
酸化により生成される酸化物が光を透過し得る金属部材
からなり基体の主面上に形成された金属薄膜に陽極酸化
処理を施し上記金属薄膜を完全に酸化膜に変換し、この
酸化膜の膜厚に応じて生ずる干渉縞の状態を観察するこ
とによって、上記基体上の上記金属薄膜の膜厚の分布を
簡単に評価し得る方法を提供することを目的とする。
酸化により生成される酸化物が光を透過し得る金属部材
からなり基体の主面上に形成された金属薄膜に陽極酸化
処理を施し上記金属薄膜を完全に酸化膜に変換し、この
酸化膜の膜厚に応じて生ずる干渉縞の状態を観察するこ
とによって、上記基体上の上記金属薄膜の膜厚の分布を
簡単に評価し得る方法を提供することを目的とする。
以下、この発明によるＡｌ膜の膜厚分布評価方法の一実
施例を第２図ａ〜ｃに示す断面図について説明する。
施例を第２図ａ〜ｃに示す断面図について説明する。
第２図ａに示すように、一主面上にＡｌ膜２が形成され
た半導体ウエハ１を、第２図ｂに示すように、直流電源
４の正極端子に接続し、その負極端子にＡｌ膜２に対向
して設けられた電極板５を接続し、例えばシュウ酸など
の溶液（図示せず）を用いてＡｌ膜２に陽極酸化処理を
施す。
た半導体ウエハ１を、第２図ｂに示すように、直流電源
４の正極端子に接続し、その負極端子にＡｌ膜２に対向
して設けられた電極板５を接続し、例えばシュウ酸など
の溶液（図示せず）を用いてＡｌ膜２に陽極酸化処理を
施す。
この陽極酸化処理によって、第２図ｃに示すように、Ａ
ｌ膜２は完全に酸化アルミニウム（アルミナ）膜６に変
換される。
ｌ膜２は完全に酸化アルミニウム（アルミナ）膜６に変
換される。
このようにして形成されたアルミナ膜６は可視光に対し
透過性を有しているので、アルミナ膜６の表面に例えば
ナトリウムの５８９０Å線などの単色光もしくは白色光
を照射すると、アルミナ膜６の膜厚に応じて干渉縞もし
くは干渉色が生ずる。
透過性を有しているので、アルミナ膜６の表面に例えば
ナトリウムの５８９０Å線などの単色光もしくは白色光
を照射すると、アルミナ膜６の膜厚に応じて干渉縞もし
くは干渉色が生ずる。
ところで、アルミナ膜６の膜厚はＡｌ膜２の膜厚に対応
するので、アルミナ膜６の膜厚の均一性を評価すること
によってＡｌ膜２の膜厚の均一性を評価することができ
る。
するので、アルミナ膜６の膜厚の均一性を評価すること
によってＡｌ膜２の膜厚の均一性を評価することができ
る。
次に、単色光の照射によって生ずる干渉縞を観察するこ
とによってアルミナ膜６の膜厚分布を評価する方法を第
３図ａおよびｂについて説明する。
とによってアルミナ膜６の膜厚分布を評価する方法を第
３図ａおよびｂについて説明する。
半導体ウエハ１上に形成されたアルミナ膜６の膜厚が均
一であるときは、半導体ウエハ１の全面が明るくなるか
または暗くなるが、アルミナ膜６の膜厚が、第３図ａの
断面図に示すように、不均一であるときは、その膜厚の
変化に応じて、第３図ｂに示すように、半導体ウエハの
表面に明暗のシ縞模様の干渉縞７ができる。
一であるときは、半導体ウエハ１の全面が明るくなるか
または暗くなるが、アルミナ膜６の膜厚が、第３図ａの
断面図に示すように、不均一であるときは、その膜厚の
変化に応じて、第３図ｂに示すように、半導体ウエハの
表面に明暗のシ縞模様の干渉縞７ができる。
この干渉縞７の変化度合がアルミナ膜６の膜厚の変化度
合に対応するので、この干渉縞７を観察することによっ
てアルミナ膜６の膜厚分布すなわちＡｌ膜２の膜厚分布
を一目で評価することができる。
合に対応するので、この干渉縞７を観察することによっ
てアルミナ膜６の膜厚分布すなわちＡｌ膜２の膜厚分布
を一目で評価することができる。
また、単光色の照射と同様に、白色光を照射すると，半
導体ウエハ１の表面にアルミナ膜の膜厚に応じて色縞模
様の干渉色ができる。
導体ウエハ１の表面にアルミナ膜の膜厚に応じて色縞模
様の干渉色ができる。
よって、この干渉色とアルミナ膜６の膜厚との関係を、
あらかじめ標準サンプルとして、カラーチャートに作成
しておけば、このカラーチャートと対比してアルミナ膜
６の膜厚の定性・定量的な評価を行うことができる。
あらかじめ標準サンプルとして、カラーチャートに作成
しておけば、このカラーチャートと対比してアルミナ膜
６の膜厚の定性・定量的な評価を行うことができる。
なお、これまで、半導体ウエハ上に形成されたＡｌ膜に
ついて述べてきたが、この発明はこれに限らず、この他
の基体上に形成され陽極酸化が可能であり酸化物が可視
光に対し透過性を有する金属膜についても適用すること
ができる。
ついて述べてきたが、この発明はこれに限らず、この他
の基体上に形成され陽極酸化が可能であり酸化物が可視
光に対し透過性を有する金属膜についても適用すること
ができる。
以上、詳述したように、この発明によれば、陽極酸化法
により光を透過し得る酸化物に変換できる金属部材から
なる金属薄膜が主面上に形成された基体に陽極酸化処理
を施して上記金属薄膜を酸化膜に変換し、この酸化膜に
光を照射しその膜厚に応じてできる干渉縞の状態を観察
して上記金属膜の膜厚分布を評価するので、従来例のよ
うに表面粗さ計などの測定器を必要とすることなく、目
視による観察だけで上記金属薄膜の膜厚分布を簡単に評
価することができる。
により光を透過し得る酸化物に変換できる金属部材から
なる金属薄膜が主面上に形成された基体に陽極酸化処理
を施して上記金属薄膜を酸化膜に変換し、この酸化膜に
光を照射しその膜厚に応じてできる干渉縞の状態を観察
して上記金属膜の膜厚分布を評価するので、従来例のよ
うに表面粗さ計などの測定器を必要とすることなく、目
視による観察だけで上記金属薄膜の膜厚分布を簡単に評
価することができる。
第１図ａは従来の膜厚分布評価方法により評価されるＡ
ｌ膜が形成された半導体ウエハを示す断面図、第１図ｂ
は上記Ａｌ膜の段差を選択エッチングにより形成するた
めに上記Ａｌ膜上に設けられたエッチング用マスクを示
す断面図、第１図Ｃは上記エッチング用マスクを用いた
選択エッチングによシ形成された上記Ａｌ膜の段差を示
す断面図、第２図ａはこの発明による膜厚分布評価方法
により評価されるＡｌ膜が形成された半導体ウエハを示
す断面図、第２図ｂは上記Ａｌ膜に陽極酸化処理を施す
方法を説明するだめの断面図、第２図Ｃは上記陽極酸化
処理により形成されたアルミナ膜を示す断面図、第３図
ａぱ不均一な膜厚のアルミナ膜が形成された半導体ウエ
ハを示す断面図、第３図ｂは単色光の照射により上記不
均一な膜厚のアルミナ膜上に形成された干渉縞を示す図
である。 図において、１は半導体ウエハ、２はＡｌ膜、３はエッ
チング用マスク、４は直流電源、５は電極板、６はアル
ミナ膜、７は干渉縞を示す。 なお、図中同一符号は夫々同一または相当部分を示す。
ｌ膜が形成された半導体ウエハを示す断面図、第１図ｂ
は上記Ａｌ膜の段差を選択エッチングにより形成するた
めに上記Ａｌ膜上に設けられたエッチング用マスクを示
す断面図、第１図Ｃは上記エッチング用マスクを用いた
選択エッチングによシ形成された上記Ａｌ膜の段差を示
す断面図、第２図ａはこの発明による膜厚分布評価方法
により評価されるＡｌ膜が形成された半導体ウエハを示
す断面図、第２図ｂは上記Ａｌ膜に陽極酸化処理を施す
方法を説明するだめの断面図、第２図Ｃは上記陽極酸化
処理により形成されたアルミナ膜を示す断面図、第３図
ａぱ不均一な膜厚のアルミナ膜が形成された半導体ウエ
ハを示す断面図、第３図ｂは単色光の照射により上記不
均一な膜厚のアルミナ膜上に形成された干渉縞を示す図
である。 図において、１は半導体ウエハ、２はＡｌ膜、３はエッ
チング用マスク、４は直流電源、５は電極板、６はアル
ミナ膜、７は干渉縞を示す。 なお、図中同一符号は夫々同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 陽極酸化法により光を透過し得る酸化物に変換でき
る金属部材からなり基本の主面上に形成された金属薄膜
に陽極酸化処理を施して上記金属薄膜を酸化膜に変換し
、この酸化膜に光を照射しその膜厚に応じてできる干渉
縞の状態を観察して上記金属薄膜の膜厚分布を評価する
ことを特徴とする金属薄膜の膜厚分布評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9436377A JPS589364B2 (ja) | 1977-08-05 | 1977-08-05 | 金属薄膜の膜厚分布評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9436377A JPS589364B2 (ja) | 1977-08-05 | 1977-08-05 | 金属薄膜の膜厚分布評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5428649A JPS5428649A (en) | 1979-03-03 |
| JPS589364B2 true JPS589364B2 (ja) | 1983-02-21 |
Family
ID=14108213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9436377A Expired JPS589364B2 (ja) | 1977-08-05 | 1977-08-05 | 金属薄膜の膜厚分布評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589364B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7486878B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-02-03 | Lam Research Corporation | Offset correction methods and arrangement for positioning and inspecting substrates |
-
1977
- 1977-08-05 JP JP9436377A patent/JPS589364B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5428649A (en) | 1979-03-03 |
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