JPH09139388A - 金属微細パターンの製造方法 - Google Patents
金属微細パターンの製造方法Info
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- JPH09139388A JPH09139388A JP8250068A JP25006896A JPH09139388A JP H09139388 A JPH09139388 A JP H09139388A JP 8250068 A JP8250068 A JP 8250068A JP 25006896 A JP25006896 A JP 25006896A JP H09139388 A JPH09139388 A JP H09139388A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属微細パターン形成のための金属層のエッ
チングにおける終点検出を可能とし、不十分なエッチン
グや過多のエッチングが原因となって発生するパターニ
ング欠陥がない金属微細パターンを製造する方法を提供
すること。 【解決手段】 基板４に設けられた薄膜３上に、微細パ
ターン形成用の第１金属層２ａとパターニング終点検出
用の第２金属層２ｂとを、両層が互いに接触しないよう
に形成する工程と、前記第１金属層２ａ上に所望のレジ
ストパターン１ａを形成する工程と、前記第２電極層２
ｂに電流を流して導通を測定しながら、前記レジストパ
ターン１ａにおいて露出した第１金属層２ａ’をエッチ
ングすることにより金属微細パターンを形成するととも
に、前記第２金属層２ｂにも等しくエッチングを行う工
程と、を備え、前記導通がなくなった時点で前記エッチ
ングを終了することを特徴とする金属微細パターンの製
造方法。
チングにおける終点検出を可能とし、不十分なエッチン
グや過多のエッチングが原因となって発生するパターニ
ング欠陥がない金属微細パターンを製造する方法を提供
すること。 【解決手段】 基板４に設けられた薄膜３上に、微細パ
ターン形成用の第１金属層２ａとパターニング終点検出
用の第２金属層２ｂとを、両層が互いに接触しないよう
に形成する工程と、前記第１金属層２ａ上に所望のレジ
ストパターン１ａを形成する工程と、前記第２電極層２
ｂに電流を流して導通を測定しながら、前記レジストパ
ターン１ａにおいて露出した第１金属層２ａ’をエッチ
ングすることにより金属微細パターンを形成するととも
に、前記第２金属層２ｂにも等しくエッチングを行う工
程と、を備え、前記導通がなくなった時点で前記エッチ
ングを終了することを特徴とする金属微細パターンの製
造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属微細パターン
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に金属微細パターン（一例）の概略
断面図を示す。図４において、基板４に設けられた薄膜
３上に金属層２の微細パターン２’が形成されている。
このような、金属微細パターン２’を製造する従来の方
法では、まず基板４に設けられた薄膜３上に金属層２を
形成してから、該金属層を所望の金属微細パターンに対
応するパターン（反転パターン）を有するレジスト層
（レジストパターン）で覆う。
断面図を示す。図４において、基板４に設けられた薄膜
３上に金属層２の微細パターン２’が形成されている。
このような、金属微細パターン２’を製造する従来の方
法では、まず基板４に設けられた薄膜３上に金属層２を
形成してから、該金属層を所望の金属微細パターンに対
応するパターン（反転パターン）を有するレジスト層
（レジストパターン）で覆う。
【０００３】次に、このレジストパターン上に、例えば
エネルギービームや反応性プラズマガスを照射すること
により、前記金属層のうちレジストパターンにおいて露
出した部分が除去（エッチング）されて、即ち金属層２
がパターニングされて、所望の金属微細パターン２’が
得られるというものであった。
エネルギービームや反応性プラズマガスを照射すること
により、前記金属層のうちレジストパターンにおいて露
出した部分が除去（エッチング）されて、即ち金属層２
がパターニングされて、所望の金属微細パターン２’が
得られるというものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
金属微細パターンの製造方法では、金属層をエッチング
して行うパターニングにおいて、その終点を正確に検出
することが不可能であった。そのため、従来法により金
属微細パターンを製造すると、エッチングが不十分とな
るか、或いは過多となって、欠陥を有する金属微細パタ
ーンが形成されやすいという問題点があった。
金属微細パターンの製造方法では、金属層をエッチング
して行うパターニングにおいて、その終点を正確に検出
することが不可能であった。そのため、従来法により金
属微細パターンを製造すると、エッチングが不十分とな
るか、或いは過多となって、欠陥を有する金属微細パタ
ーンが形成されやすいという問題点があった。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、前記問題点を解消し、金属微細パターン形
成のための金属層のエッチングにおける終点検出を可能
とし、不十分なエッチングや過多のエッチングが原因と
なって発生するパターニング欠陥がない金属微細パター
ンを製造する方法を提供することを目的とする。
ものであり、前記問題点を解消し、金属微細パターン形
成のための金属層のエッチングにおける終点検出を可能
とし、不十分なエッチングや過多のエッチングが原因と
なって発生するパターニング欠陥がない金属微細パター
ンを製造する方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「基板に設けられた薄膜上に、微細パターン形成用の
第１金属層とパターニング終点検出用の第２金属層と
を、両層が互いに接触しないように形成する工程と、前
記第１金属層上に所望のレジストパターンを形成する工
程と、前記第２電極層に電流を流して導通を測定しなが
ら、前記レジストパターンにおいて露出した第１金属層
をエッチングすることにより金属微細パターンを形成す
るとともに、前記第２金属層にも等しくエッチングを行
う工程と、を備え、前記導通がなくなった時点で前記エ
ッチングを終了することを特徴とする金属微細パターン
の製造方法（請求項１）」を提供する。
に「基板に設けられた薄膜上に、微細パターン形成用の
第１金属層とパターニング終点検出用の第２金属層と
を、両層が互いに接触しないように形成する工程と、前
記第１金属層上に所望のレジストパターンを形成する工
程と、前記第２電極層に電流を流して導通を測定しなが
ら、前記レジストパターンにおいて露出した第１金属層
をエッチングすることにより金属微細パターンを形成す
るとともに、前記第２金属層にも等しくエッチングを行
う工程と、を備え、前記導通がなくなった時点で前記エ
ッチングを終了することを特徴とする金属微細パターン
の製造方法（請求項１）」を提供する。
【０００７】また、本発明は第二に「基板に設けられた
薄膜上に、微細パターン形成用の第１金属層とパターニ
ング終点検出用の第２金属層とを、両層が互いに接触し
ないように形成する工程と、前記第１金属層上に所望の
レジストパターンを形成するとともに、前記第２金属層
の一部を露出させた状態にて、第２電極層上にもレジス
ト層を形成する工程と、前記第２電極層に電流を流して
導通を測定しながら、前記レジストパターンにおいて露
出した第１金属層をエッチングすることにより金属微細
パターンを形成するとともに、前記第２金属層の露出部
分にも等しくエッチングを行う工程と、を備え、前記導
通がなくなった時点で前記エッチングを終了することを
特徴とする金属微細パターンの製造方法（請求項２）」
を提供する。
薄膜上に、微細パターン形成用の第１金属層とパターニ
ング終点検出用の第２金属層とを、両層が互いに接触し
ないように形成する工程と、前記第１金属層上に所望の
レジストパターンを形成するとともに、前記第２金属層
の一部を露出させた状態にて、第２電極層上にもレジス
ト層を形成する工程と、前記第２電極層に電流を流して
導通を測定しながら、前記レジストパターンにおいて露
出した第１金属層をエッチングすることにより金属微細
パターンを形成するとともに、前記第２金属層の露出部
分にも等しくエッチングを行う工程と、を備え、前記導
通がなくなった時点で前記エッチングを終了することを
特徴とする金属微細パターンの製造方法（請求項２）」
を提供する。
【０００８】また、本発明は第三に「前記第２電極層の
少なくとも一部が前記第１電極層の金属微細パターン形
成部分に近接するように両電極層を設けるとともに、第
２電極層のうち第１電極層の金属微細パターン形成部分
に近接する部分をエッチングすることを特徴とする請求
項１または２記載の製造方法（請求項３）」を提供す
る。
少なくとも一部が前記第１電極層の金属微細パターン形
成部分に近接するように両電極層を設けるとともに、第
２電極層のうち第１電極層の金属微細パターン形成部分
に近接する部分をエッチングすることを特徴とする請求
項１または２記載の製造方法（請求項３）」を提供す
る。
【０００９】また、本発明は第四に「前記導通を測定す
るための測定系と前記第２金属層との電気接点を前記エ
ッチングが行われない位置に設けたことを特徴とする請
求項１〜３記載の製造方法（請求項４）」を提供する。
るための測定系と前記第２金属層との電気接点を前記エ
ッチングが行われない位置に設けたことを特徴とする請
求項１〜３記載の製造方法（請求項４）」を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明にかかる、基板に設けられ
た薄膜上に金属微細パターンを製造する方法において
は、前記薄膜上に金属微細パターン形成用の第１金属層
とパターニング終点検出用の第２金属層とを両層が互い
に接触しないように形成して、第２電極層に電流を流し
て導通を測定しながら、レジストパターンにおいて露出
した第１金属層をエッチングすることにより金属微細パ
ターンを形成するとともに、第２金属層にも等しくエッ
チングを行って、導通がなくなった時点でエッチングを
終了する（請求項１〜４）。
た薄膜上に金属微細パターンを製造する方法において
は、前記薄膜上に金属微細パターン形成用の第１金属層
とパターニング終点検出用の第２金属層とを両層が互い
に接触しないように形成して、第２電極層に電流を流し
て導通を測定しながら、レジストパターンにおいて露出
した第１金属層をエッチングすることにより金属微細パ
ターンを形成するとともに、第２金属層にも等しくエッ
チングを行って、導通がなくなった時点でエッチングを
終了する（請求項１〜４）。
【００１１】そのため、本発明によれば、金属微細パタ
ーン形成のための金属層のエッチングにおける終点検出
が可能であり、不十分なエッチングや過多のエッチング
が原因となって発生するパターニング欠陥がない金属微
細パターンを製造することができる。（請求項１〜４） 本発明にかかる第１金属層及び第２金属層は、前記終点
検出を可能とするために、前記エッチングに対する特性
が等しくなるように形成すればよい。例えば、第１金属
層及び第２金属層を同一材料を用いて、同一厚さにて形
成すればよい。
ーン形成のための金属層のエッチングにおける終点検出
が可能であり、不十分なエッチングや過多のエッチング
が原因となって発生するパターニング欠陥がない金属微
細パターンを製造することができる。（請求項１〜４） 本発明にかかる第１金属層及び第２金属層は、前記終点
検出を可能とするために、前記エッチングに対する特性
が等しくなるように形成すればよい。例えば、第１金属
層及び第２金属層を同一材料を用いて、同一厚さにて形
成すればよい。
【００１２】本発明においては、パターニングにおける
エッチングの終点検出をより正確に行うことができるよ
うに、第２電極層２ｂの少なくとも一部が第１電極層２
ａの金属微細パターン形成部分に近接するように両電極
層２ａ，２ｂを設けるとともに、第２電極層２ｂのうち
第１電極層２ａの金属微細パターン形成部分に近接する
部分をエッチングすることが好ましい（請求項３）。
エッチングの終点検出をより正確に行うことができるよ
うに、第２電極層２ｂの少なくとも一部が第１電極層２
ａの金属微細パターン形成部分に近接するように両電極
層２ａ，２ｂを設けるとともに、第２電極層２ｂのうち
第１電極層２ａの金属微細パターン形成部分に近接する
部分をエッチングすることが好ましい（請求項３）。
【００１３】即ち、かかる構成にすることにより、第１
金属層と第２金属層のエッチング条件の同一性を向上さ
せて、第２金属層にかかる前記終点検出をより正確に行
うことができる。さらに、パターニングにおけるエッチ
ングの終点検出をより正確に行うことができるように、
第２金属層のうち第１電極層２ａの金属微細パターン形
成部分に近接する部分以外の箇所においてエッチングが
行われないように、前記箇所をレジスト層により覆うこ
とが好ましい。
金属層と第２金属層のエッチング条件の同一性を向上さ
せて、第２金属層にかかる前記終点検出をより正確に行
うことができる。さらに、パターニングにおけるエッチ
ングの終点検出をより正確に行うことができるように、
第２金属層のうち第１電極層２ａの金属微細パターン形
成部分に近接する部分以外の箇所においてエッチングが
行われないように、前記箇所をレジスト層により覆うこ
とが好ましい。
【００１４】また、本発明においては、パターニングに
おけるエッチングの終点検出が誤って行われることがな
いように、前記導通を測定するための測定系と第２金属
層との電気接点を前記エッチングが行われない位置に設
けることが好ましい（請求項４）。以下、本発明を実施
例により更に具体的に説明するが、本発明はこの例に限
定されるものではない。
おけるエッチングの終点検出が誤って行われることがな
いように、前記導通を測定するための測定系と第２金属
層との電気接点を前記エッチングが行われない位置に設
けることが好ましい（請求項４）。以下、本発明を実施
例により更に具体的に説明するが、本発明はこの例に限
定されるものではない。
【００１５】
【実施例】以下に本実施例の金属微細パターンの製造方
法について、図１〜３を用いて説明する。図１は本実施
例の金属微細パターンの製造方法を示す説明図であり、
図２（ａ）は本実施例の金属微細パターンの製造方法に
おいて使用する基板等の断面図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）のＢ部分の拡大平面図である。
法について、図１〜３を用いて説明する。図１は本実施
例の金属微細パターンの製造方法を示す説明図であり、
図２（ａ）は本実施例の金属微細パターンの製造方法に
おいて使用する基板等の断面図であり、図２（ｂ）は図
２（ａ）のＢ部分の拡大平面図である。
【００１６】まず、図２（ａ）の構成を説明する。図２
（ａ）において、シリコン基板４上に設けられた薄膜
（例えばＸ線透過膜であるＳｉＮ薄膜）３上に金属層２
が形成され、該金属層２上にレジスト層１がさらに形成
されている。金属層２は、所望の金属微細パターンを形
成するための金属層（第１金属層）２ａと、該金属層２
ａと電気的に独立したパターニング終点検出用の金属層
（第２金属層）２ｂとに分離されている。
（ａ）において、シリコン基板４上に設けられた薄膜
（例えばＸ線透過膜であるＳｉＮ薄膜）３上に金属層２
が形成され、該金属層２上にレジスト層１がさらに形成
されている。金属層２は、所望の金属微細パターンを形
成するための金属層（第１金属層）２ａと、該金属層２
ａと電気的に独立したパターニング終点検出用の金属層
（第２金属層）２ｂとに分離されている。
【００１７】なお、第１金属層２ａと第２金属層２ｂと
は、同一組成の材料及び同一厚さにて形成されている。
また、レジスト層１には、所望の金属微細パターンに対
応する反転パターン１ａと、該パターン１ａに近接する
開口部であり、パターニング終点検出用の金属層（第２
金属層）２ｂの一部を露出させる開口部１ｂが形成され
ている。
は、同一組成の材料及び同一厚さにて形成されている。
また、レジスト層１には、所望の金属微細パターンに対
応する反転パターン１ａと、該パターン１ａに近接する
開口部であり、パターニング終点検出用の金属層（第２
金属層）２ｂの一部を露出させる開口部１ｂが形成され
ている。
【００１８】次に、前記構成のもの（素材）を用いて金
属微細パターンを形成する方法について説明する。第２
金属層２ｂの両端に電気接点Ｓを備え、電気接点Ｓに導
線を介してミリング装置のチャンバー外に設置した定電
圧電源Ｅと電流検出器Ａを接続した状態で前記素材にエ
ネルギービームを照射する。
属微細パターンを形成する方法について説明する。第２
金属層２ｂの両端に電気接点Ｓを備え、電気接点Ｓに導
線を介してミリング装置のチャンバー外に設置した定電
圧電源Ｅと電流検出器Ａを接続した状態で前記素材にエ
ネルギービームを照射する。
【００１９】第１金属層２ａのうち、レジスト層１のパ
ターン１ａにおいて露出している部分２ａ’がエネルギ
ービームにより除去（エッチング）されてパターニング
が行われるが、この際に第２金属層２ｂに定電圧電源Ｅ
から電流を流してその電流値を電流検出器Ａを用いて測
定する。ここで、パターニングの時間経過とともに、レ
ジスト層の開口部１ｂにおいて露出した第２金属層２ｂ
の一部も前記エッチングにより除去されていくに従い、
前記電流値が減少していく。
ターン１ａにおいて露出している部分２ａ’がエネルギ
ービームにより除去（エッチング）されてパターニング
が行われるが、この際に第２金属層２ｂに定電圧電源Ｅ
から電流を流してその電流値を電流検出器Ａを用いて測
定する。ここで、パターニングの時間経過とともに、レ
ジスト層の開口部１ｂにおいて露出した第２金属層２ｂ
の一部も前記エッチングにより除去されていくに従い、
前記電流値が減少していく。
【００２０】即ち、レジスト層の開口部１ｂにおいて露
出した第２金属層２ｂ部分の除去が完了した時点で前記
電流値は０となり（図３）、このとき金属微細パターン
形成用の第１金属層と終点検出用の第２金属層とは同一
の組成及び厚さにて形成されているので、第１金属層２
ａのうちレジスト層１のパターン１ａにおいて露出して
いる部分２ａ’の除去も同時に完了する。
出した第２金属層２ｂ部分の除去が完了した時点で前記
電流値は０となり（図３）、このとき金属微細パターン
形成用の第１金属層と終点検出用の第２金属層とは同一
の組成及び厚さにて形成されているので、第１金属層２
ａのうちレジスト層１のパターン１ａにおいて露出して
いる部分２ａ’の除去も同時に完了する。
【００２１】従って、電流値が０となる点の測定がパタ
ーニングにおけるエッチングの終点検出であり、この終
点においてエネルギービームの照射を止めれば、薄膜
（例えばＸ線透過膜であるＳｉＮ薄膜）３にダメージを
与えることなく、しかも薄膜３上に金属層２が残存して
いない（不十分なエッチングや過多のエッチングが原因
となって発生するパターニング欠陥がない）金属微細パ
ターンが形成される。
ーニングにおけるエッチングの終点検出であり、この終
点においてエネルギービームの照射を止めれば、薄膜
（例えばＸ線透過膜であるＳｉＮ薄膜）３にダメージを
与えることなく、しかも薄膜３上に金属層２が残存して
いない（不十分なエッチングや過多のエッチングが原因
となって発生するパターニング欠陥がない）金属微細パ
ターンが形成される。
【００２２】なお、パターニングにおけるエッチング終
点検出用の金属層（第２金属層）２ｂの露出部は、第１
金属層の金属微細パターン形成部分にできる限り近接し
た位置（エネルギービーム照射量が等しい位置か、略等
しい位置）に設けることが好ましい。かかる構成にする
ことにより、第１金属層と第２金属層のエッチング条件
の同一性を向上させて、第２金属層にかかる前記終点検
出をより正確に行うことができる。
点検出用の金属層（第２金属層）２ｂの露出部は、第１
金属層の金属微細パターン形成部分にできる限り近接し
た位置（エネルギービーム照射量が等しい位置か、略等
しい位置）に設けることが好ましい。かかる構成にする
ことにより、第１金属層と第２金属層のエッチング条件
の同一性を向上させて、第２金属層にかかる前記終点検
出をより正確に行うことができる。
【００２３】さらに、パターニングにおけるエッチング
の終点検出をより正確に行うことができるように、第２
金属層のうち前記レジストパターンに近接する部分以外
の箇所において、エッチングが行われないように、前記
箇所をレジスト層により覆うことが好ましい。また、第
２金属層２ｂの両端部の電気接点（導通を測定するため
の測定系との電気接点）Ｓは、エネルギービームの照射
を受けない位置に設けることが好ましい。
の終点検出をより正確に行うことができるように、第２
金属層のうち前記レジストパターンに近接する部分以外
の箇所において、エッチングが行われないように、前記
箇所をレジスト層により覆うことが好ましい。また、第
２金属層２ｂの両端部の電気接点（導通を測定するため
の測定系との電気接点）Ｓは、エネルギービームの照射
を受けない位置に設けることが好ましい。
【００２４】かかる構成にすることにより、電気接点へ
のエネルギービームの照射による誤った終点検出を防止
することができる。本実施例によれば、金属微細パター
ン形成のための金属層のエッチングにおける終点検出が
可能であり、不十分なエッチングや過多のエッチングが
原因となって発生するパターニング欠陥がない金属微細
パターンを製造することができる。
のエネルギービームの照射による誤った終点検出を防止
することができる。本実施例によれば、金属微細パター
ン形成のための金属層のエッチングにおける終点検出が
可能であり、不十分なエッチングや過多のエッチングが
原因となって発生するパターニング欠陥がない金属微細
パターンを製造することができる。
【００２５】本実施例では、基板上に設けた薄膜上に金
属微細パターンを形成する例を示したが、基板上に直接
金属微細パターンを形成する場合にも適用できることは
言うまでもない。
属微細パターンを形成する例を示したが、基板上に直接
金属微細パターンを形成する場合にも適用できることは
言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
金属微細パターン形成のための金属層のエッチングにお
ける終点検出が可能であり、不十分なエッチングや過多
のエッチングが原因となって発生するパターニング欠陥
がない金属微細パターンを製造することができる。
金属微細パターン形成のための金属層のエッチングにお
ける終点検出が可能であり、不十分なエッチングや過多
のエッチングが原因となって発生するパターニング欠陥
がない金属微細パターンを製造することができる。
【図１】は実施例の金属微細パターンを製造する方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】は実施例の金属微細パターンを製造する方法に
おいて使用する基板等（素材）を説明する図であり、図
２（ａ）は基板等（素材）の断面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＢ部分の拡大平面図である。
おいて使用する基板等（素材）を説明する図であり、図
２（ａ）は基板等（素材）の断面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＢ部分の拡大平面図である。
【図３】は実施例の金属微細パターンを製造する方法に
おける、第１金属層パターニング中の第２金属層に流れ
る電流値の時間変化を示すデータ図である。
おける、第１金属層パターニング中の第２金属層に流れ
る電流値の時間変化を示すデータ図である。
【図４】は従来法により製造された金属微細パターンの
断面図である。
断面図である。
１・・・レジスト層 １ａ・・レジスト層に形成された微細開口パターン（金
属微細パターンの反転パターン） １ｂ・・レジスト層に形成された、パターニング終点検
出用の金属層２ｂの一部を露出させる開口部 ２・・・金属層 ２ａ・・第１金属層 ２ａ’・・第１金属層のうち、微細開口パターン１ａに
おいて露出した金属層部分 ２ｂ・・第２金属層 ３・・・薄膜層（例えば、ＳｉＮの薄膜層） ４・・・基板 Ａ・・・電流検出器 Ｂ・・・第２金属層の露出部分付近のレジスト層領域 Ｅ・・・定電圧電源 Ｉ・・・第２金属層２ｂの導通測定系に流れる電流 Ｓ・・・第２金属層２ｂの両端部の電気接点（導通測定
系との電気接点） 以上
属微細パターンの反転パターン） １ｂ・・レジスト層に形成された、パターニング終点検
出用の金属層２ｂの一部を露出させる開口部 ２・・・金属層 ２ａ・・第１金属層 ２ａ’・・第１金属層のうち、微細開口パターン１ａに
おいて露出した金属層部分 ２ｂ・・第２金属層 ３・・・薄膜層（例えば、ＳｉＮの薄膜層） ４・・・基板 Ａ・・・電流検出器 Ｂ・・・第２金属層の露出部分付近のレジスト層領域 Ｅ・・・定電圧電源 Ｉ・・・第２金属層２ｂの導通測定系に流れる電流 Ｓ・・・第２金属層２ｂの両端部の電気接点（導通測定
系との電気接点） 以上
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｆ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板に設けられた薄膜上に、微細パター
ン形成用の第１金属層とパターニング終点検出用の第２
金属層とを、両層が互いに接触しないように形成する工
程と、 前記第１金属層上に所望のレジストパターンを形成する
工程と、 前記第２電極層に電流を流して導通を測定しながら、前
記レジストパターンにおいて露出した第１金属層をエッ
チングすることにより金属微細パターンを形成するとと
もに、前記第２金属層にも等しくエッチングを行う工程
と、を備え、前記導通がなくなった時点で前記エッチン
グを終了することを特徴とする金属微細パターンの製造
方法。 - 【請求項２】 基板に設けられた薄膜上に、微細パター
ン形成用の第１金属層とパターニング終点検出用の第２
金属層とを、両層が互いに接触しないように形成する工
程と、 前記第１金属層上に所望のレジストパターンを形成する
とともに、前記第２金属層の一部を露出させた状態に
て、第２電極層上にもレジスト層を形成する工程と、 前記第２電極層に電流を流して導通を測定しながら、前
記レジストパターンにおいて露出した第１金属層をエッ
チングすることにより金属微細パターンを形成するとと
もに、前記第２金属層の露出部分にも等しくエッチング
を行う工程と、を備え、前記導通がなくなった時点で前
記エッチングを終了することを特徴とする金属微細パタ
ーンの製造方法。 - 【請求項３】 前記第２電極層の少なくとも一部が前記
第１電極層の金属微細パターン形成部分に近接するよう
に両電極層を設けるとともに、第２電極層のうち第１電
極層の金属微細パターン形成部分に近接する部分をエッ
チングすることを特徴とする請求項１または２記載の製
造方法。 - 【請求項４】 前記導通を測定するための測定系と前記
第２金属層との電気接点を前記エッチングが行われない
位置に設けたことを特徴とする請求項１〜３記載の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8250068A JPH09139388A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 金属微細パターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8250068A JPH09139388A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 金属微細パターンの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18048691A Division JP2953123B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | ゾーンプレートの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139388A true JPH09139388A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17202337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8250068A Pending JPH09139388A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 金属微細パターンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09139388A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009276797A (ja) * | 2009-08-27 | 2009-11-26 | Casio Comput Co Ltd | パターン形成方法及び表示パネルの製造方法 |
| CN110148568A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法 |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP8250068A patent/JPH09139388A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009276797A (ja) * | 2009-08-27 | 2009-11-26 | Casio Comput Co Ltd | パターン形成方法及び表示パネルの製造方法 |
| CN110148568A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管基板金属层的金属蚀刻终点测定方法 |
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