JP3337563B2 - 現像処理方法 - Google Patents
現像処理方法Info
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- JP3337563B2 JP3337563B2 JP20468594A JP20468594A JP3337563B2 JP 3337563 B2 JP3337563 B2 JP 3337563B2 JP 20468594 A JP20468594 A JP 20468594A JP 20468594 A JP20468594 A JP 20468594A JP 3337563 B2 JP3337563 B2 JP 3337563B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＬＳＩなどの半導体装
置の製造に用いられるマスクの現像処理方法に関するも
のであり、特に、現像終了基準時点の検出方法に関する
ものである。
置の製造に用いられるマスクの現像処理方法に関するも
のであり、特に、現像終了基準時点の検出方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴って、
微細パターンを高精度に形成することができる高寸法精
度のマスクが要求されている。ところで、高寸法精度の
マスクの作成プロセスにおけるマスク間の現像のばらつ
きを抑制する手段として、現像終了基準時点検出方法が
用いられている。
微細パターンを高精度に形成することができる高寸法精
度のマスクが要求されている。ところで、高寸法精度の
マスクの作成プロセスにおけるマスク間の現像のばらつ
きを抑制する手段として、現像終了基準時点検出方法が
用いられている。
【０００３】図９において、先行技術による現像終了基
準時点検出方法が概略的に図解されている。この方法に
おいて、容器４内に現像液３が注入されている。現像液
３内には対向電極１が配置されており、マスク２は対向
電極１と平行に現像液３内へ浸漬（ディップ）される。
マスク２は、透明基板上に形成された金属層と金属層上
に形成されたレジスト層とを含んでいる。
準時点検出方法が概略的に図解されている。この方法に
おいて、容器４内に現像液３が注入されている。現像液
３内には対向電極１が配置されており、マスク２は対向
電極１と平行に現像液３内へ浸漬（ディップ）される。
マスク２は、透明基板上に形成された金属層と金属層上
に形成されたレジスト層とを含んでいる。
【０００４】マスク２中の金属層には、電圧Ｖが印加さ
れ、マスク２と対向電極１との間において現像液３を通
して微小電流Ｉが流れる。この電流Ｉは、アンプ５を介
して検出される。すなわち、マスク２の現像中の電流Ｉ
の変化をモニタすることによって、現像終了基準時点が
決定される。
れ、マスク２と対向電極１との間において現像液３を通
して微小電流Ｉが流れる。この電流Ｉは、アンプ５を介
して検出される。すなわち、マスク２の現像中の電流Ｉ
の変化をモニタすることによって、現像終了基準時点が
決定される。
【０００５】図１０は、図９に示されているような方法
においてモニタされた電流Ｉの変化の一例を示すグラフ
である。横軸は現像時間を表わし、縦軸はモニタ電流Ｉ
を表わしている。マスク２のディップ現像を開始した後
のｔ1 秒間は、対向電極１およびマスク２の表面状態が
現像液中で変化することによって電流Ｉが減少する。ｔ
1 秒からｔ2 秒の間においては、マスク２の金属層はレ
ジスト層に覆われた状態であり、マスクの端面およびレ
ジスト層を通るリーク電流によって比較的安定した微小
電流Ｉが流れる。次に、ｔ2 秒からｔ3 秒の間において
は、現像が進行してマスク２の金属層が露出すれば電極
面積が増加したことに相当し、それに伴って電流Ｉが急
に増大する。この電流Ｉが所定のしきい値６に達したと
きが現像終了基準時点７として決定される。
においてモニタされた電流Ｉの変化の一例を示すグラフ
である。横軸は現像時間を表わし、縦軸はモニタ電流Ｉ
を表わしている。マスク２のディップ現像を開始した後
のｔ1 秒間は、対向電極１およびマスク２の表面状態が
現像液中で変化することによって電流Ｉが減少する。ｔ
1 秒からｔ2 秒の間においては、マスク２の金属層はレ
ジスト層に覆われた状態であり、マスクの端面およびレ
ジスト層を通るリーク電流によって比較的安定した微小
電流Ｉが流れる。次に、ｔ2 秒からｔ3 秒の間において
は、現像が進行してマスク２の金属層が露出すれば電極
面積が増加したことに相当し、それに伴って電流Ｉが急
に増大する。この電流Ｉが所定のしきい値６に達したと
きが現像終了基準時点７として決定される。
【０００６】従来はこのような方法によって、製品パタ
ーンを含むマスクの現像処理中に現像終了基準時点を検
出し、現像開始から現像終了基準時点検出までの時間を
計算し、その時間を基準として総現像時間を決定するこ
とによって現像処理が行なわれている。
ーンを含むマスクの現像処理中に現像終了基準時点を検
出し、現像開始から現像終了基準時点検出までの時間を
計算し、その時間を基準として総現像時間を決定するこ
とによって現像処理が行なわれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の現像終了基準時
点検出方法では、６４メガＤＲＡＭ以後の高集積度の半
導体装置の製造に用いられるマスクにおいては、パター
ンサイズが２μｍ以下であるパターンを含む場合に近接
効果の影響を受け、抜パターンのサイズが小さい部分ほ
ど金属面の露出が遅れる。また、一般にマスクごとにパ
ターンサイズの分布は異なるので、近接効果の影響を受
けるパターン部分と受けないパターン部分の割合がマス
クごとに異なる。
点検出方法では、６４メガＤＲＡＭ以後の高集積度の半
導体装置の製造に用いられるマスクにおいては、パター
ンサイズが２μｍ以下であるパターンを含む場合に近接
効果の影響を受け、抜パターンのサイズが小さい部分ほ
ど金属面の露出が遅れる。また、一般にマスクごとにパ
ターンサイズの分布は異なるので、近接効果の影響を受
けるパターン部分と受けないパターン部分の割合がマス
クごとに異なる。
【０００８】図１１は、近接効果の影響を受けるパター
ン部分の割合が多いマスクに関して、現像時間に対する
電流変化を示している。他方、図１２は、近接効果の影
響を受けるパターン部分の割合が少ないマスクに関して
現像時間に対する電流の変化を示している。これらの図
１１と図１２において、ｔ2 秒からｔ3 秒の間は、近接
効果の影響を受けないパターン部分において金属層がレ
ジスト層から露出するときの電流Ｉの変化を表わし、ｔ
3 秒からｔ4 秒の間は近接効果の影響を受けるパターン
部分の金属層が露出するときの電流Ｉの変化を示してい
る。
ン部分の割合が多いマスクに関して、現像時間に対する
電流変化を示している。他方、図１２は、近接効果の影
響を受けるパターン部分の割合が少ないマスクに関して
現像時間に対する電流の変化を示している。これらの図
１１と図１２において、ｔ2 秒からｔ3 秒の間は、近接
効果の影響を受けないパターン部分において金属層がレ
ジスト層から露出するときの電流Ｉの変化を表わし、ｔ
3 秒からｔ4 秒の間は近接効果の影響を受けるパターン
部分の金属層が露出するときの電流Ｉの変化を示してい
る。
【０００９】すなわち、図１１におけるマスクは近接効
果の影響を受けるパターン部分を多く含んでいるので、
電流Ｉはｔ3 秒からｔ4 の間でしきい値６に到達し、そ
の到達点８が現像終了基準時点として決定される。他
方、図１２におけるマスクは近接効果の影響を受けない
パターン部分を多く含んでいるので、電流Ｉはｔ2 秒か
らｔ3 秒の間でしきい値６に到達し、その到達点９が現
像終了基準時点として決定される。
果の影響を受けるパターン部分を多く含んでいるので、
電流Ｉはｔ3 秒からｔ4 の間でしきい値６に到達し、そ
の到達点８が現像終了基準時点として決定される。他
方、図１２におけるマスクは近接効果の影響を受けない
パターン部分を多く含んでいるので、電流Ｉはｔ2 秒か
らｔ3 秒の間でしきい値６に到達し、その到達点９が現
像終了基準時点として決定される。
【００１０】すなわち、近接効果の影響を受けるパター
ン部分とその影響を受けないパターン部分との割合はマ
スクごとに異なっているので現像終了基準時点が異な
り、半導体装置の各層（レイヤー）の形成に用いられる
マスクごとに現像処理条件が異なるという問題がある。
ン部分とその影響を受けないパターン部分との割合はマ
スクごとに異なっているので現像終了基準時点が異な
り、半導体装置の各層（レイヤー）の形成に用いられる
マスクごとに現像処理条件が異なるという問題がある。
【００１１】本発明は係る問題を解決するためになされ
たものであり、近接効果の影響を受けるパターン部分と
その影響を受けないパターン部分の割合が異なるマスク
間においても同一の現像終了基準時点を検出し得る現像
処理方法を提供することを目的としている。
たものであり、近接効果の影響を受けるパターン部分と
その影響を受けないパターン部分の割合が異なるマスク
間においても同一の現像終了基準時点を検出し得る現像
処理方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による現像処理方
法は、マスク上に製品パターン領域のみならずモニタパ
ターン領域をも設け、マスクのディップ現像中にそのマ
スクの金属層に電圧を印加し、その電圧によって現像液
中を流れる微小電流をモニタし、モニタパターン領域内
の金属層がレジスト層から露出するに伴う微小電流の変
化を選択的に検出することによって現像終了基準時点を
決定する際に、モニタパターン領域に接近する領域のみ
に対向電極を配置することによって、モニタパターン領
域内の金属層がフォトレジスト層から露出することに起
因する微小電流変化のみを選択的に検出して現像終了基
準時点を決定することを特徴としている。
法は、マスク上に製品パターン領域のみならずモニタパ
ターン領域をも設け、マスクのディップ現像中にそのマ
スクの金属層に電圧を印加し、その電圧によって現像液
中を流れる微小電流をモニタし、モニタパターン領域内
の金属層がレジスト層から露出するに伴う微小電流の変
化を選択的に検出することによって現像終了基準時点を
決定する際に、モニタパターン領域に接近する領域のみ
に対向電極を配置することによって、モニタパターン領
域内の金属層がフォトレジスト層から露出することに起
因する微小電流変化のみを選択的に検出して現像終了基
準時点を決定することを特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明による現像処理方法においては、モニタ
パターン領域に接近する領域のみに対向電極を配置する
ことによって、モニタパターン領域内の金属層がレジス
ト層から露出するに伴う微小電流の変化のみを選択的に
検出することによって現像終了基準時点を決定するの
で、マスク上の製品パターンに依存することなく現像処
理を安定して行なうことを可能ならしめる。
パターン領域に接近する領域のみに対向電極を配置する
ことによって、モニタパターン領域内の金属層がレジス
ト層から露出するに伴う微小電流の変化のみを選択的に
検出することによって現像終了基準時点を決定するの
で、マスク上の製品パターンに依存することなく現像処
理を安定して行なうことを可能ならしめる。
【００１４】
実施例１ 図１は、本発明の第１の実施例による現像終了基準時点
検出方法を概略的に図解している。この図において、容
器４内には現像液３が注入されている。現像液３内には
マスク２がディップされている。マスク２は、透明基板
上に形成された金属層と、その金属層上に形成されたレ
ジスト層を含んでいる。マスク２の金属層には電圧Ｖが
印加される。マスク２は、製品パターン領域を含むのみ
ならず、モニタパターン領域１１をも含んでいる。モニ
タパターン領域１１の近傍には、比較的小さな対向電極
１０が配置されている。電圧Ｖの印加によってマスク２
と対向電極１０との間において現像液３を通して流れる
電流Ｉは、アンプ５を介して検出される。マスク２の現
像中におけるこの電流Ｉの変化をモニタすることによっ
て、現像終了基準時点が決定される。
検出方法を概略的に図解している。この図において、容
器４内には現像液３が注入されている。現像液３内には
マスク２がディップされている。マスク２は、透明基板
上に形成された金属層と、その金属層上に形成されたレ
ジスト層を含んでいる。マスク２の金属層には電圧Ｖが
印加される。マスク２は、製品パターン領域を含むのみ
ならず、モニタパターン領域１１をも含んでいる。モニ
タパターン領域１１の近傍には、比較的小さな対向電極
１０が配置されている。電圧Ｖの印加によってマスク２
と対向電極１０との間において現像液３を通して流れる
電流Ｉは、アンプ５を介して検出される。マスク２の現
像中におけるこの電流Ｉの変化をモニタすることによっ
て、現像終了基準時点が決定される。
【００１５】図２は、図１における主要部を拡大した概
略的斜視図を示している。対向電極１０は、絶縁物１２
によって覆われた円筒形の電極１３を含んでいる。円筒
形の電極１３が現像液と接する部分は平面を形成してい
る。対向電極１０は、モニタパターン領域１１と平行に
対面して配置されており、モニタパターン領域１１を通
る電流の変化のみが選択的に検出され得る。
略的斜視図を示している。対向電極１０は、絶縁物１２
によって覆われた円筒形の電極１３を含んでいる。円筒
形の電極１３が現像液と接する部分は平面を形成してい
る。対向電極１０は、モニタパターン領域１１と平行に
対面して配置されており、モニタパターン領域１１を通
る電流の変化のみが選択的に検出され得る。
【００１６】図３は、この第１実施例による現像時間と
電流Ｉとの関係を示している。ディップ現像を開始した
後のｔ1 秒間は、対向電極１０およびマスク２の表面状
態が現像液中で変化することによって電流Ｉが減少す
る。現像開始後ｔ1 秒からｔ2秒の間は、モニタパター
ン１１の金属表面はレジストに覆われた状態であって、
安定した微小電流Ｉが流れる。その後のｔ2 秒からｔ3
秒の間では現像が進んで、モニタパターン領域１１内の
金属層がレジスト層から露出するに伴って、電流Ｉが急
に増大する。対向電極１０はモニタパターン領域１１に
接近して配置されているので、この電流Ｉの増加は、ほ
ぼモニタパターン領域内のみの金属層の露出に起因する
ものである。すなわち、モニタパターン領域１１内の金
属層が露出するときに電流Ｉがしきい値１４に到達する
時点１５が、現像終了基準時点として決定される。
電流Ｉとの関係を示している。ディップ現像を開始した
後のｔ1 秒間は、対向電極１０およびマスク２の表面状
態が現像液中で変化することによって電流Ｉが減少す
る。現像開始後ｔ1 秒からｔ2秒の間は、モニタパター
ン１１の金属表面はレジストに覆われた状態であって、
安定した微小電流Ｉが流れる。その後のｔ2 秒からｔ3
秒の間では現像が進んで、モニタパターン領域１１内の
金属層がレジスト層から露出するに伴って、電流Ｉが急
に増大する。対向電極１０はモニタパターン領域１１に
接近して配置されているので、この電流Ｉの増加は、ほ
ぼモニタパターン領域内のみの金属層の露出に起因する
ものである。すなわち、モニタパターン領域１１内の金
属層が露出するときに電流Ｉがしきい値１４に到達する
時点１５が、現像終了基準時点として決定される。
【００１７】以上のように、マスクの現像処理中に製品
パターンではなくてモニタパターンの現像に基づいて現
像終了基準時点を検出し、現像開始から現像終了基準時
点までの時間を計算し、この時間を基準にして総現像時
間を決定することによって現像処理を行なうことによ
り、製品パターンに依存することなくマスクの現像処理
を安定して行なうことが可能になる。
パターンではなくてモニタパターンの現像に基づいて現
像終了基準時点を検出し、現像開始から現像終了基準時
点までの時間を計算し、この時間を基準にして総現像時
間を決定することによって現像処理を行なうことによ
り、製品パターンに依存することなくマスクの現像処理
を安定して行なうことが可能になる。
【００１８】実施例２ 図４は、本発明の第２実施例による現像終了基準時点検
出方法を概略的に図解している。図４の実施例は図１の
ものに類似しているが、モニタパターン領域１６が変更
されている。
出方法を概略的に図解している。図４の実施例は図１の
ものに類似しているが、モニタパターン領域１６が変更
されている。
【００１９】図５は、図４の主要部を拡大して示す概略
的斜視図である。すなわち、この第２の実施例において
は、マスク２のモニタパターン領域における金属層１６
は製品パターン領域における金属層から電気的に分離さ
れている。そして、電圧Ｖはリード針１７を介してモニ
タパターン領域１６内の金属層にのみ印加される。リー
ド針１７は、好ましくは、絶縁物１８によって覆われて
いる。
的斜視図である。すなわち、この第２の実施例において
は、マスク２のモニタパターン領域における金属層１６
は製品パターン領域における金属層から電気的に分離さ
れている。そして、電圧Ｖはリード針１７を介してモニ
タパターン領域１６内の金属層にのみ印加される。リー
ド針１７は、好ましくは、絶縁物１８によって覆われて
いる。
【００２０】対向電極１０は第１実施例の場合と同様に
モニタパターン領域１６に接近して配置されており、絶
縁物１２によって覆われた円筒状の電極１３を含んでい
る。
モニタパターン領域１６に接近して配置されており、絶
縁物１２によって覆われた円筒状の電極１３を含んでい
る。
【００２１】このような第２実施例による現像終了基準
時点検出方法においては、モニタパターン領域を通過す
る電流Ｉのみをより確実に選択して検知することができ
る。
時点検出方法においては、モニタパターン領域を通過す
る電流Ｉのみをより確実に選択して検知することができ
る。
【００２２】図６は、第２実施例における現像時間と電
流Ｉとの関係を示している。第２実施例においても、第
１実施例の場合と同様に、ディップ現像開始後ｔ1 秒間
は電流Ｉが減少する。ｔ1 秒からｔ2 秒の間はモニタパ
ターン領域１６の金属層がレジストに覆われた状態で、
安定した微小電流Ｉが流れる。ｔ2 秒からｔ3 秒の間
は、現像が進んでモニタパターン領域１６内の金属層が
露出するに伴って、電流Ｉが急に増大する。電圧Ｖはモ
ニタパターン領域１６内の金属層のみに印加されるの
で、電流Ｉの増加はほぼモニタパターン１６内の金属層
の露出に直接的に起因するものであり、その電流Ｉが所
定のしきい値１９に達した時点が現像終了基準時点２０
として決定される。
流Ｉとの関係を示している。第２実施例においても、第
１実施例の場合と同様に、ディップ現像開始後ｔ1 秒間
は電流Ｉが減少する。ｔ1 秒からｔ2 秒の間はモニタパ
ターン領域１６の金属層がレジストに覆われた状態で、
安定した微小電流Ｉが流れる。ｔ2 秒からｔ3 秒の間
は、現像が進んでモニタパターン領域１６内の金属層が
露出するに伴って、電流Ｉが急に増大する。電圧Ｖはモ
ニタパターン領域１６内の金属層のみに印加されるの
で、電流Ｉの増加はほぼモニタパターン１６内の金属層
の露出に直接的に起因するものであり、その電流Ｉが所
定のしきい値１９に達した時点が現像終了基準時点２０
として決定される。
【００２３】このような第２実施例の方法によっても、
マスクの現像処理中にモニタパターン領域を通して流れ
る電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、現像
開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、この時
間を基準にして総現像時間を決定することによって現像
処理を行なうので、製品パターンに依存することなくマ
スクの現像処理を安定して行なうことができる。
マスクの現像処理中にモニタパターン領域を通して流れ
る電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、現像
開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、この時
間を基準にして総現像時間を決定することによって現像
処理を行なうので、製品パターンに依存することなくマ
スクの現像処理を安定して行なうことができる。
【００２４】参考例 図７は、本発明に関連する参考例による現像終了基準時
点検出方法を概略的に図解している。この参考例におい
ては、たとえばレティクルアライメントマークのように
マスク間で共通なパターンをモニタパターンとして利用
する。そして、従来と同様な比較的大きな対向電極１が
マスク２と平行に配置される。このような参考例におい
ては、光や電子線のようなエネルギ照射は、マスク２上
の製品パターン領域２１内よりもモニタパターン領域１
６Ａ内の方が高くされる。すなわち、製品パターン領域
２１内の金属層がレジスト層から露出する前にモニタパ
ターン１６Ａ内の金属層を露出させることにより、モニ
タパターン領域１６Ａの現像の進行のみによる電流Ｉの
変化を検出することが可能である。
点検出方法を概略的に図解している。この参考例におい
ては、たとえばレティクルアライメントマークのように
マスク間で共通なパターンをモニタパターンとして利用
する。そして、従来と同様な比較的大きな対向電極１が
マスク２と平行に配置される。このような参考例におい
ては、光や電子線のようなエネルギ照射は、マスク２上
の製品パターン領域２１内よりもモニタパターン領域１
６Ａ内の方が高くされる。すなわち、製品パターン領域
２１内の金属層がレジスト層から露出する前にモニタパ
ターン１６Ａ内の金属層を露出させることにより、モニ
タパターン領域１６Ａの現像の進行のみによる電流Ｉの
変化を検出することが可能である。
【００２５】図８は、この参考例における現像時間と電
流Ｉとの関係を示している。この参考例においても、デ
ィップ現像開始後ｔ1 秒間は、電流Ｉが減少する。ｔ1
秒からｔ2 秒の間は、モニタパターン領域１６Ａと製品
パターン領域２１のいずれの領域内の金属層もレジスト
に覆われた状態であって、安定な微小電流Ｉが流れる。
ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては、比較的高いエネルギ
照射量を受けたモニタパターン領域１６Ａの現像が進
み、そのモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の露出に
伴って、電流Ｉが増加する。その後のｔ3 秒からｔ4 秒
の間では、製品パターン領域２１内の金属層も露出する
ので、電流Ｉはさらに増加する。このように、モニタパ
ターン領域１６Ａは製品パターン領域２１より高いエネ
ルギ照射が与えられているので、製品パターン領域２１
内で金属層が露出する前のｔ2 秒からｔ3 秒の間におい
て、モニタパターン領域１６Ａ内の金属層が露出する。
すなわち、ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては電流Ｉの増
加はモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の露出に直接
起因するものであり、そのときの電流Ｉが所定のしきい
値６に達した時点を現像終了基準時点２０として決定す
る。
流Ｉとの関係を示している。この参考例においても、デ
ィップ現像開始後ｔ1 秒間は、電流Ｉが減少する。ｔ1
秒からｔ2 秒の間は、モニタパターン領域１６Ａと製品
パターン領域２１のいずれの領域内の金属層もレジスト
に覆われた状態であって、安定な微小電流Ｉが流れる。
ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては、比較的高いエネルギ
照射量を受けたモニタパターン領域１６Ａの現像が進
み、そのモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の露出に
伴って、電流Ｉが増加する。その後のｔ3 秒からｔ4 秒
の間では、製品パターン領域２１内の金属層も露出する
ので、電流Ｉはさらに増加する。このように、モニタパ
ターン領域１６Ａは製品パターン領域２１より高いエネ
ルギ照射が与えられているので、製品パターン領域２１
内で金属層が露出する前のｔ2 秒からｔ3 秒の間におい
て、モニタパターン領域１６Ａ内の金属層が露出する。
すなわち、ｔ2 秒からｔ3 秒の間においては電流Ｉの増
加はモニタパターン領域１６Ａ内の金属層の露出に直接
起因するものであり、そのときの電流Ｉが所定のしきい
値６に達した時点を現像終了基準時点２０として決定す
る。
【００２６】このような参考例による方法においても、
マスクの現像処理中にモニタパターンの現像の進行によ
る電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、現像
開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、この時
間を基準にして総現像時間を決定することによって現像
処理が行なわれる。したがって、製品パターンに依存す
ることなくマスクの現像処理を安定して行なうことが可
能となる。ただし、参考例においては、光や電子線のよ
うなエネルギ照射は、マスク２上の製品パターン領域２
１内に比べてモニタパターン領域１６Ａ内において高く
しなければならない。
マスクの現像処理中にモニタパターンの現像の進行によ
る電流変化に基づいて現像終了基準時点を検出し、現像
開始から現像終了基準時点までの時間を計算し、この時
間を基準にして総現像時間を決定することによって現像
処理が行なわれる。したがって、製品パターンに依存す
ることなくマスクの現像処理を安定して行なうことが可
能となる。ただし、参考例においては、光や電子線のよ
うなエネルギ照射は、マスク２上の製品パターン領域２
１内に比べてモニタパターン領域１６Ａ内において高く
しなければならない。
【００２７】上述の実施例ではマスクの現像中における
電流変化をモニタし、この電流値が所定のしきい値に達
したときを現像終了基準時点としたが、電流の増加の割
合が最も急峻となる点を現像終了基準時点とし、その基
準時に基づいて総現像時間を決定して現像処理を行なっ
ても同様の効果が得られる。
電流変化をモニタし、この電流値が所定のしきい値に達
したときを現像終了基準時点としたが、電流の増加の割
合が最も急峻となる点を現像終了基準時点とし、その基
準時に基づいて総現像時間を決定して現像処理を行なっ
ても同様の効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】請求項１に記載の発明においては、モニ
タパターン領域に接近する領域のみに対向電極を配置す
ることによって、モニタパターン領域内の金属層がレジ
スト層から露出するに伴う微小電流の変化のみを選択的
に検出することによって現像終了基準時点を決定するの
で、マスク上の製品パターンに依存することなく現像処
理を安定して行なうことが可能となる。
タパターン領域に接近する領域のみに対向電極を配置す
ることによって、モニタパターン領域内の金属層がレジ
スト層から露出するに伴う微小電流の変化のみを選択的
に検出することによって現像終了基準時点を決定するの
で、マスク上の製品パターンに依存することなく現像処
理を安定して行なうことが可能となる。
【００２９】
【００３０】請求項２に記載の発明においては、対向電
極が平面形状を有しかつモニタパターン領域と平行に対
面して配置されるので、モニタパターン領域を通過する
電流の変化をより正確に検出することができる。
極が平面形状を有しかつモニタパターン領域と平行に対
面して配置されるので、モニタパターン領域を通過する
電流の変化をより正確に検出することができる。
【００３１】
【００３２】請求項３に記載の発明においては、モニタ
パターン領域は製品パターン領域と同一平面上にあっ
て、かつそのモニタパターンは現像によって金属層が露
出する時間がパターンサイズやパターン形状およびエネ
ルギ照射時間による影響を受けにくいものであるので、
製品パターンに依存しないマスクの安定した現像処理を
行なうことをより確実ならしめる。
パターン領域は製品パターン領域と同一平面上にあっ
て、かつそのモニタパターンは現像によって金属層が露
出する時間がパターンサイズやパターン形状およびエネ
ルギ照射時間による影響を受けにくいものであるので、
製品パターンに依存しないマスクの安定した現像処理を
行なうことをより確実ならしめる。
【００３３】請求項４に記載の発明においては、いずれ
のマスクにも共通に存在するレティクルアライメントマ
ークがモニタパターンとして用いられるので、製品パタ
ーンに依存することなくマスクを安定して現像処理する
ことが可能になる。
のマスクにも共通に存在するレティクルアライメントマ
ークがモニタパターンとして用いられるので、製品パタ
ーンに依存することなくマスクを安定して現像処理する
ことが可能になる。
【図１】 本発明の第１実施例による現像終了基準時点
検出方法を示す概略的な斜視図である。
検出方法を示す概略的な斜視図である。
【図２】 図１の主要部を拡大した斜視図である。
【図３】 本発明の第１実施例における現像時間と電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図４】 本発明の第２実施例による現像終了基準時点
検出方法を概略的に示す斜視図である。
検出方法を概略的に示す斜視図である。
【図５】 図４の主要部を拡大して示す斜視図である。
【図６】 本発明の第２実施例における現像時間と電流
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図７】 本発明に関連する参考例による現像終了基準
時点検出方法を図解する概略的な斜視図である。
時点検出方法を図解する概略的な斜視図である。
【図８】 本発明に関連する参考例における現像時間と
電流との関係を示すグラフである。
電流との関係を示すグラフである。
【図９】 先行技術による現像終了基準時点検出方法を
図解する概略的な斜視図である。
図解する概略的な斜視図である。
【図１０】 先行技術による現像終了基準時点検出方法
における現像時間と電流との関係の一例を示すグラフで
ある。
における現像時間と電流との関係の一例を示すグラフで
ある。
【図１１】 先行技術による現像終了基準時点検出方法
における現像時間と電流との関係のもう１つの例を示す
グラフである。
における現像時間と電流との関係のもう１つの例を示す
グラフである。
【図１２】 先行技術による現像終了基準時点検出方法
における現像時間と電流との関係のさらにもう１つの例
を示すグラフである。
における現像時間と電流との関係のさらにもう１つの例
を示すグラフである。
１ 比較的大きな対向電極、２ マスク、３ 現像液、
４ 現像容器、５ アンプ、６ しきい値電流、７、
８、９ 現像終了基準時点、１０ 対向電極、１１ モ
ニタパターン領域、１２ 電極を覆う絶縁物、１３ 電
極、１４ しきい値電流、１５ 現像終了基準時点、１
６、１６Ａ モニタパターン領域、１７リード針、１８
リード針を覆う絶縁物、１９ しきい値電流、２０
現像終了基準時点、２１ 製品パターン。
４ 現像容器、５ アンプ、６ しきい値電流、７、
８、９ 現像終了基準時点、１０ 対向電極、１１ モ
ニタパターン領域、１２ 電極を覆う絶縁物、１３ 電
極、１４ しきい値電流、１５ 現像終了基準時点、１
６、１６Ａ モニタパターン領域、１７リード針、１８
リード針を覆う絶縁物、１９ しきい値電流、２０
現像終了基準時点、２１ 製品パターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 マスク上に製品パターン領域のみならず
モニタパターン領域をも設け、 前記マスクのディップ現像中に前記マスクの金属層に電
圧を印加し、 前記電圧によって現像液中を流れる微小電流をモニタ
し、 前記モニタパターン領域内の金属層がレジスト層から露
出するに伴う前記微小電流の変化を選択的に検出するこ
とによって現像終了基準時点を決定する現像処理方法で
あって、 前記モニタパターン領域に接近する領域のみに対向電極
を配置することによって、前記モニタパターン領域内の
前記金属層が前記フォトレジスト層から露出することに
起因する微小電流変化のみを選択的に検出して現像終了
基準時点を決定することを特徴とする請求項１に記載の
現像処理方法。 - 【請求項２】 前記対向電極は平面形状を有しており、
前記モニタパターン領域と平行に対面して配置されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の現像処理方法。 - 【請求項３】 前記モニタパターン領域は前記製品パタ
ーン領域と同一平面上にあり、前記モニタパターンは、
現像によって前記金属層が露出する時間がパターンサイ
ズおよびパターン形状の変動による影響を受けにくいも
のであることを特徴とする請求項１または２に記載の現
像処理方法。 - 【請求項４】 前記マスクのレティクルアライメントマ
ークがモニタパターンとして用いられることを特徴とす
る請求項１から３のいずれかの項に記載された現像処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20468594A JP3337563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20468594A JP3337563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 現像処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869954A JPH0869954A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3337563B2 true JP3337563B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=16494618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20468594A Expired - Fee Related JP3337563B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3337563B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10203604B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20468594A patent/JP3337563B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0869954A (ja) | 1996-03-12 |
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