JP7300938B2 - カーフの認識方法 - Google Patents

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Description

本発明は、カーフの認識方法に関する。
被加工物を切削ブレードで切削して、個々のデバイスに分割する切削装置は、例えば、切削ブレードの交換後に、デバイスが形成された以外の領域に切削溝即ちカーフを形成して、切削装置が予め認識している基準ラインと実際に形成したカーフとの位置を補正する必要がある。この基準ラインとカーフの位置との補正動作は、ヘアライン合わせと呼ばれている(例えば、特許文献１参照)。
特開２００５－３１１０３３号公報
このヘアライン合わせを行う際に、被加工物のデバイスが形成されていない余剰領域にカーフを形成して行うことが一般的であるが、カーフの位置が基準ラインから大幅にずれていると、デバイスが形成されたデバイス領域にカーフを形成してしまうことがある。このために、特許文献１のように、被加工物が貼着されていないダイシングテープ上に切削ブレードを切り込ませて、基準ラインとカーフの位置との粗な位置合わせをした後、被加工物の余剰領域にカーフを形成してヘアライン合わせを行うことがある。
しかしながら、ダイシングテープは、基材層の上に糊層が形成されており、撮像するとまばらに模様があるようにうつる。このため、ダイシングテープは、ダイシングテープ自身の模様が邪魔をして、画像処理でカーフを正確に認識させることが困難という問題がある。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイシングテープに形成されたカーフを容易に認識できることを可能とするカーフの認識方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のカーフの認識方法は、被加工物を被加工物より大きいダイシングテープに貼着する貼着ステップと、被加工物が貼着されていない該ダイシングテープの所要領域を撮像する加工前撮像ステップと、該所要領域にカーフを形成するカーフ形成ステップと、カーフが形成された該所要領域を撮像する加工後撮像ステップと、該加工前撮像ステップと、該加工後撮像ステップとによって取得した該所要領域の画像を比較し、同じ画像を差し引いた領域をカーフとして認識する認識ステップと、を備えることを特徴とする。
前記カーフの認識方法において、該所要領域を決定する所要領域決定ステップを更に備え、該所要領域決定ステップは、被加工物が貼着されていない該ダイシングテープの複数の領域を撮像し、撮像した画像から画素値の分散が小さい領域を該所要領域として決定しても良い。
前記カーフの認識方法において、認識ステップで認識されたカーフに基づいて、装置に登録された加工予定位置と、実際に加工されたカーフと、の位置ずれを検出する位置ずれ検出ステップを更に備え、該加工前撮像ステップと該加工後撮像ステップとは複数の光量条件で実施され、該認識ステップは、該加工前撮像ステップと、該加工後撮像ステップと、で実施された複数の該光量条件毎にカーフの形状を認識し、該位置ずれ検出ステップは、該認識ステップにおいて複数の該光量条件毎に認識されたカーフの形状を任意の評価基準で評価し、最も評価値が高いカーフの形状に基づき行っても良い。
本願発明は、ダイシングテープに形成されたカーフを容易に認識できることを可能とするという効果を奏する。
図１は、実施形態１に係るカーフの認識方法を実施する切削装置の構成例を示す斜視図である。 図２は、図１に示された切削装置の加工対象の被加工物を示す斜視図である。 図３は、図１に示された撮像ユニットの構成を模式的に示す断面図である。 図４は、図３に示された撮像ユニットが撮像する撮像画像中の基準ラインの位置を示す図である。 図５は、実施形態１に係るカーフの認識方法の流れを示すフローチャートである。 図６は、図５に示されたカーフの認識方法の所要領域決定ステップでダイシングテープの撮像する複数の領域を示す被加工物の平面図である。 図７は、図５に示されたカーフの認識方法の加工前撮像ステップにおいて取得した撮像画像の一例を示す図である。 図８は、図７に示された撮像画像の各画素の光の強さの段階を模式的に示す図である。 図９は、図５に示されたカーフの認識方法のカーフ形成ステップでダイシングテープの所要領域にカーフが形成された被加工物の平面図である。 図１０は、図５に示されたカーフの認識方法の加工後撮像ステップにおいて取得した撮像画像の一例を示す図である。 図１１は、図１０に示された撮像画像の各画素の光の強さの段階を模式的に示す図である。 図１２は、図５に示されたカーフの認識方法の認識ステップにおいて撮像画像同士の各画素が受光した光の強さの段階の差分を求めて形成された差分画像の一例を示す図である。 図１３は、図１０に示された差分画像の各画素の光の強さの段階を模式的に示す図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るカーフの認識方法を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係るカーフの認識方法を実施する切削装置の構成例を示す斜視図である。図２は、図１に示された切削装置の加工対象の被加工物を示す斜視図である。図３は、図１に示された撮像ユニットの構成を模式的に示す断面図である。図４は、図３に示された撮像ユニットが撮像する撮像画像中の基準ラインの位置を示す図である。図５は、実施形態１に係るカーフの認識方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態１に係るカーフの認識方法は、図１に示す切削装置１により実施される。図１に示す切削装置１は、図２に示す被加工物２００を切削（加工）する装置である。実施形態１では、被加工物２００は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。被加工物２００は、図２に示すように、表面２０１に格子状に形成された複数の分割予定ライン２０２によって格子状に区画された領域にデバイス２０３が形成されている。また、実施形態１において、被加工物２００は、結晶方位を示すオリエンテーションフラット２０４が形成されている。
本発明の被加工物２００は、中央部が薄化され、外周部に厚肉部が形成された所謂ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウエーハでもよく、ウエーハの他に、樹脂により封止されたデバイスを複数有した矩形状のパッケージ基板、セラミックス板、ガラス板等でも良い。被加工物２００は、裏面２０５に被加工物２００よりも大きい円板状のダイシングテープ２０６が貼着され、ダイシングテープ２０６の外周縁に内径が被加工物２００の外径よりも大きな環状の環状フレーム２０７が貼着されて、環状フレーム２０７の内側の開口に支持されて、切削装置１により切削加工される。
図１に示された切削装置１は、被加工物２００をチャックテーブル１０で保持し分割予定ライン２０２に沿って切削ブレード２１で切削する装置である。切削装置１は、図１に示すように、被加工物２００を吸引保持する保持面１１を含むチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０で保持された被加工物２００を切削する切削ブレード２１と切削ブレード２１が固定されるスピンドル２２とを有した切削手段である切削ユニット２０と、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００を撮影する撮像手段である撮像ユニット３０と、制御手段である制御ユニット１００とを備える。
また、切削装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを相対移動させる移動手段である移動ユニット４０を備える。移動ユニット４０は、チャックテーブル１０を水平方向と平行なＸ軸方向に加工送りするＸ軸移動ユニット４１と、切削ユニット２０を水平方向と平行でかつＸ軸方向に直交するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸移動ユニット４２と、切削ユニット２０をＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交する鉛直方向に平行なＺ軸方向に切り込み送りするＺ軸移動ユニット４３と、チャックテーブル１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転するとともにＸ軸移動ユニット４１によりチャックテーブル１０とともにＸ軸方向に加工送りされる回転移動ユニット４４とを備える。
チャックテーブル１０は、円盤形状であり、被加工物２００を保持する保持面１１がポーラスセラミック等から形成されている。また、チャックテーブル１０は、Ｘ軸移動ユニット４１により移動自在で回転移動ユニット４４により回転自在に設けられている。チャックテーブル１０は、図示しない真空吸引源と接続され、真空吸引源により吸引されることで、被加工物２００を吸引、保持する。また、チャックテーブル１０の周囲には、環状フレーム２０７をクランプするクランプ部１２が複数設けられている。
切削ユニット２０は、チャックテーブル１０で保持された被加工物２００を切削する切削ブレード２１を装着するスピンドル２２を備えるものである。切削ユニット２０は、切削ブレード２１が装着されるスピンドル２２と、スピンドル２２を軸心回りに回転自在に収容するスピンドルハウジング２３と、スピンドルハウジング２３内に収容されスピンドルを軸心回りに回転する図示しないスピンドルモータとを備える。切削ユニット２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００に対して、Ｙ軸移動ユニット４２によりＹ軸方向に移動自在に設けられ、かつ、Ｚ軸移動ユニット４３によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。
切削ユニット２０は、Ｙ軸移動ユニット４２及びＺ軸移動ユニット４３により、チャックテーブル１０の保持面１１の任意の位置に切削ブレード２１を位置付け可能となっている。切削ブレード２１は、略リング形状を有する極薄の切削砥石である。スピンドル２２は、スピンドルモータにより軸心回りに回転されることで、切削ブレード２１を回転して被加工物２００を切削する。切削ユニット２０のスピンドル２２及び切削ブレード２１の軸心は、Ｙ軸方向と平行に設定されている。
Ｘ軸移動ユニット４１は、装置本体２上に設置され、チャックテーブル１０を軸心回りに回転する回転移動ユニット４４を支持した支持プレート３を加工送り方向であるＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを相対的にＸ軸方向に沿って加工送りするものである。Ｙ軸移動ユニット４２は、装置本体２上に設置され、切削ユニット２０、Ｚ軸移動ユニット４３を支持した支持柱４を割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを相対的にＹ軸方向に沿って割り出し送りするものである。Ｚ軸移動ユニット４３は、支持柱４上に設置され、スピンドルハウジング２３を支持した支持部材５を切り込み送り方向であるＺ軸方向に移動させることで、チャックテーブル１０と切削ユニット２０とを相対的にＺ軸方向に沿って切り込み送りするものである。
Ｘ軸移動ユニット４１、Ｙ軸移動ユニット４２及びＺ軸移動ユニット４３は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ及びチャックテーブル１０又は切削ユニット２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。
また、切削装置１は、チャックテーブル１０のＸ軸方向の位置を検出するため図示しないＸ軸方向位置検出ユニットと、切削ユニット２０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出ユニットと、切削ユニット２０のＺ軸方向の位置を検出するためのＺ軸方向位置検出ユニットとを備える。Ｘ軸方向位置検出ユニット及びＹ軸方向位置検出ユニットは、Ｘ軸方向、又はＹ軸方向と平行なリニアスケールと、読み取りヘッドとにより構成することができる。Ｚ軸方向位置検出ユニットは、パルスモータのパルスで切削ユニット２０のＺ軸方向の位置を検出する。Ｘ軸方向位置検出ユニット、Ｙ軸方向位置検出ユニット及びＺ軸方向位置検出ユニットは、チャックテーブル１０のＸ軸方向、切削ユニット２０のＹ軸方向又はＺ軸方向の位置を制御ユニット１００に出力する。なお、実施形態１では、各位置は、予め定められた基準位置からのＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の距離で定められる。
撮像ユニット３０は、切削ユニット２０と一体的に移動するように、切削ユニット２０のスピンドルハウジング２３に固定されている。撮像ユニット３０は、切削ユニット２０の切削ブレード２１とＸ軸方向に並ぶ位置に配置されている。撮像ユニット３０は、図３に示すように、チャックテーブル１０に保持された切削前の被加工物２００の分割すべき領域を撮影する撮像素子３１と、落射照明（同軸照明ともいう）３２と、斜光照明３３とを備える。
撮像素子３１は、例えば、複数の画素を有するＣＣＤ（Charge-Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子である。撮像素子３１は、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００の表面２０１を集光レンズ３４を通して撮像する。
落射照明３２は、集光レンズ３４を通して、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００の表面２０１に照明光３５を照射する。照明光３５の光軸は、撮像素子３１の光軸と同軸である。斜光照明３３は、集光レンズ３４を通すことなく、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００の表面２０１に照明光３６を照射する。照明光３６の光軸は、撮像素子３１の光軸に対して交差している。落射照明３２及び斜光照明３３は、例えば、ハロゲン光源やＬＥＤ（Light Emitting Diode）を含み、光量が制御ユニット１００によって調整される。
撮像ユニット３０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００を撮影して、被加工物２００と切削ブレード２１との位置合わせを行なうアライメントを遂行するため等の画像を得、得た画像を制御ユニット１００に出力する。なお、落射照明３２及び斜光照明３３の光量は、アライメントを遂行する際に、分割予定ライン２０２を検出することが可能な光量に制御ユニット１００により設定されている。
また、撮像ユニット３０が撮影して得た図４に示す撮像画像３００は、撮像素子３１の各画素が受光した光の強さを複数段階（例えば２５６段階）の階調で規定している。即ち、撮像ユニット３０が撮像して得た画像は、各画素の受光した光の強さに応じた段階で光の強弱が示された画像、即ち、濃淡を有する画像となっている。なお、図４は、撮像画像３００の濃淡を省略している。
撮像ユニット３０の撮像素子３１が撮像した撮像画像３００には、基準ライン４００が予め設定されている。基準ライン４００は、切削装置１の制御ユニット１００の基準ライン位置記憶部１０１に登録された加工予定位置であり、Ｘ軸方向と平行の直線状に形成され、切削ブレード２１の厚み方向の中央とＸ軸方向に並ぶ位置に設定されている。このため、切削加工時に切削ブレード２１を分割予定ライン２０２の幅方向の中央に切り込ませる場合、アライメント時には、切削装置１は、基準ライン４００を分割予定ライン２０２の幅方向の予め定められた位置（例えば、中央）に位置するように、被加工物２００に対して撮像ユニット３０の位置を調整する。
制御ユニット１００は、切削装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物２００に対する加工動作を切削装置１に実施させるものである。なお、制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理装置が演算処理を実行して、切削装置１を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介して切削装置１の上述した構成要素に出力する。
また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットとに接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。
また、制御ユニット１００は、被加工物２００上のＺ軸方向の位置をチャックテーブル１０の保持面１１を基準として保持面１１からのＺ軸方向の距離で規定し、被加工物２００上の水平方向の位置を予め定められた基準位置からのＸ軸方向の距離及びＹ軸方向の距離で規定している。
また、実施形態１において、制御ユニット１００は、基準ライン位置記憶部１０１と、撮像領域記憶部１０２と、補正量算出部１０３と、光量条件記憶部１０４と、ブレード厚み記憶部１０５とを備える。基準ライン位置記憶部１０１は、撮像ユニット３０が撮像して得た撮像画像３００における基準ライン４００のＹ軸方向の位置を記憶している。
なお、前述した切削装置１は、切削ブレード２１の交換後、又は切削加工中のスピンドル２２の温度上昇に伴う切削ブレード２１のＹ軸方向の位置がずれた時等において、基準ライン４００と切削ブレード２１の厚み方向の中央とがＹ軸方向にずれることがある。撮像領域記憶部１０２と、補正量算出部１０３とは、基準ライン４００と切削ブレード２１の厚み方向の中央とのＹ軸方向にずれを補正量として算出して、ヘアライン合わせを実施するために機能するものである。
撮像領域記憶部１０２は、補正量を算出する際に、被加工物２００の周りのダイシングテープ２０６の撮像ユニット３０が撮像する複数の領域５００（図６に示す）の位置を記憶している。なお、実施形態１では、複数の領域５００は、図６に示すように、オリエンテーションフラット２０４の近傍に互いにかさならなく互いに近接する位置に設けられているが、本発明では、これに限定されずに、領域５００を適宜設定しても良い。
補正量算出部１０３は、撮像領域記憶部１０２に位置が記憶された複数の領域５００を撮像ユニット３０が撮像して得た画像に基づいて一つの領域５００を所要領域５０１（図６に示す）として決定し、撮像ユニット３０が切削ブレード２１を切り込ませる前の所要領域５０１を撮像して得た撮像画像３０１（図７に示す）と、撮像ユニット３０が切削ブレード２１を切り込ませた後の所要領域５０１を撮像して得た撮像画像３０２（図１０に示す）とに基づいて、前述した補正量を算出するものである。
光量条件記憶部１０４は、撮像領域記憶部１０２に位置が記憶された複数の領域５００を撮像ユニット３０が撮像する際の落射照明３２及び斜光照明３３各々の光量を示す光量条件を記憶し、所要領域５０１を撮像ユニット３０が撮像して補正量算出部１０３が補正量を算出する際の落射照明３２及び斜光照明３３各々の光量を示す光量条件を記憶している。実施形態１では、光量条件記憶部１０４は、撮像領域記憶部１０２に位置が記憶された複数の領域５００を撮像ユニット３０が撮像する際の光量条件を一つ記憶し、所要領域５０１を撮像ユニット３０が撮像して補正量算出部１０３が補正量を算出する際の光量条件を複数記憶している。
ブレード厚み記憶部１０５は、切削ユニット２０のスピンドル２２に装着された切削ブレード２１の切り刃の厚みを記憶している。
基準ライン位置記憶部１０１と、撮像領域記憶部１０２と、光量条件記憶部１０４と、ブレード厚み記憶部１０５との機能は、記憶装置により実現される。補正量算出部１０３の機能は記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを演算処理装置が実行することで実現される。
実施形態１に係るカーフの認識方法は、ダイシングテープ２０６に切削溝であるカーフ６００を形成して、ダイシングテープ２０６に形成されたカーフ６００を認識する方法であって、前述した補正量を算出して、ヘアライン合わせを実行する方法でもある。カーフの認識方法は、図５に示すように、貼着ステップＳＴ１と、所要領域決定ステップＳＴ２と、加工前撮像ステップＳＴ３と、カーフ形成ステップＳＴ４と、加工後撮像ステップＳＴ５と、認識ステップＳＴ６と、位置ずれ検出ステップＳＴ７とを備える。
（貼着ステップ）
貼着ステップＳＴ１は、被加工物２００を被加工物２００より大きいダイシングテープ２０６に貼着するステップである。実施形態１において、貼着ステップＳＴ１では、図２に示すように、被加工物２００の裏面２０５に被加工物２００よりも大きい円板状のダイシングテープ２０６を貼着し、ダイシングテープ２０６の外周縁に内径が被加工物２００の外径よりも大きな環状の環状フレーム２０７を貼着する。
（所要領域決定ステップ）
図６は、図５に示されたカーフの認識方法の所要領域決定ステップでダイシングテープの撮像する複数の領域を示す被加工物の平面図である。所要領域決定ステップＳＴ２は、加工前撮像ステップＳＴ３において撮像するダイシングテープ２０６の所要領域５０１を決定するステップである。
所要領域決定ステップＳＴ２では、オペレータが被加工物２００をダイシングテープ２０６を介して切削装置１のチャックテーブル１０の保持面１１に載置し、制御ユニット１００がオペレータからヘアライン合わせ開始指示を受け付けると、ダイシングテープ２０６を介して被加工物２００をチャックテーブル１０の保持面１１に吸引保持し、クランプ部１２で環状フレーム２０７をクランプする。所要領域決定ステップＳＴ２では、制御ユニット１００は移動ユニット４０を制御して、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００を撮像ユニット３０の下方に位置付けて、撮像ユニット３０で被加工物２００を撮像する。
所要領域決定ステップＳＴ２では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３が、撮像ユニット３０が撮像して得た画像に基づいてチャックテーブル１０に対する被加工物２００の基準位置の位置を算出する。所要領域決定ステップＳＴ２では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３が、撮像領域記憶部１０２に記憶された被加工物２００の周りの被加工物２００が貼着されていないダイシングテープ２０６の撮像ユニット３０が撮像する複数の領域５００（図６に示す）の位置を取得するとともに、光量条件記憶部１０４に記憶された光量条件を取得する。所要領域決定ステップＳＴ２では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３が、移動ユニット４０及び撮像ユニット３０を制御して、撮像領域記憶部１０２に位置が記憶された複数の領域５００を撮像ユニット３０で撮像する。
所要領域決定ステップＳＴ２では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、撮像ユニット３０が撮像して各領域５００の複数の画像それぞれの各画素が受光した光の強さの分散を算出する。所要領域決定ステップＳＴ２では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、撮像ユニット３０が撮像した各領域５００の複数の画像のうちの各画素が受光した光の強さの分散が最も小さい画像が撮像された領域５００を所要領域５０１として決定する。
(加工前撮像ステップ)
図７は、図５に示されたカーフの認識方法の加工前撮像ステップにおいて取得した撮像画像の一例を示す図である。図８は、図７に示された撮像画像の各画素の光の強さの段階を模式的に示す図である。加工前撮像ステップＳＴ３は、被加工物２００が貼着されていないダイシングテープ２０６の所要領域５０１を撮像するステップである。
加工前撮像ステップＳＴ３では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、光量条件記憶部１０４に記憶された所要領域５０１を撮像する際の複数の光量条件を取得し、移動ユニット４０及び撮像ユニット３０を制御して、各光量条件で所要領域５０１を撮像して図７に一例を示す撮像画像３０１を取得して、記憶装置に記憶する。こうして、実施形態１において、加工前撮像ステップＳＴ３は、複数の光量条件で実施される。なお、実施形態１では、撮像画像３０１は、各画素３１１（図８に示す）の光の強さが前述した階調のいずれかの段階に規定された画像であって、ダイシングテープ２０６から各画素３１１が受光した光の強さが比較的強く、ダイシングテープ２０６を白っぽく撮像している。
（カーフ形成ステップ）
図９は、図５に示されたカーフの認識方法のカーフ形成ステップでダイシングテープの所要領域にカーフが形成された被加工物の平面図である。所要領域決定ステップＳＴ２は、加工前撮像ステップＳＴ３において撮像するダイシングテープ２０６の所要領域５０１を決定するステップである。
カーフ形成ステップＳＴ４では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、Ｘ軸移動ユニット４１を制御して、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させて、撮像画像３０１の基準ライン４００上にスピンドルモータにより回転された切削ブレード２１の切り刃を位置付ける。カーフ形成ステップＳＴ４では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、Ｚ軸移動ユニット４３を制御して、切削ブレード２１を一旦下降させて所要領域５０１に切り込ませて、図９に示すように、ダイシングテープ２０６の所要領域５０１に切削溝であるカーフ６００を形成した後、切削ブレード２１を上昇する。
（加工後撮像ステップ）
図１０は、図５に示されたカーフの認識方法の加工後撮像ステップにおいて取得した撮像画像の一例を示す図である。図１１は、図１０に示された撮像画像の各画素の光の強さの段階を模式的に示す図である。加工後撮像ステップＳＴ５は、ダイシングテープ２０６のカーフ６００が形成された所要領域５０１を撮像するステップである。
加工後撮像ステップＳＴ５では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、光量条件記憶部１０４に記憶された所要領域５０１を撮像する際の複数の光量条件を取得し、制御ユニット１００の補正量算出部１０３が、Ｘ軸移動ユニット４１を制御して、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させて所要領域５０１の上方に撮像ユニット３０を位置付ける。加工後撮像ステップＳＴ５では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、撮像ユニット３０を制御して、各光量条件で所要領域５０１を撮像して図１０に一例を示す撮像画像３０２を取得して、記憶装置に記憶する。こうして、実施形態１において、加工後撮像ステップＳＴ５は、複数の光量条件で実施される。なお、実施形態１では、撮像画像３０２は、各画素３１１（図１１に示す）の光の強さが前述した階調のいずれかの段階に規定された画像であって、ダイシングテープ２０６から各画素３１１が受光した光の強さよりもカーフ６００から各画素３３１が受光した光の強さが弱く、ダイシングテープ２０６を白っぽく、カーフ６００を黒っぽく撮像している。
（認識ステップ）
図１２は、図５に示されたカーフの認識方法の認識ステップにおいて撮像画像同士の各画素が受光した光の強さの段階の差分を求めて形成された差分画像の一例を示す図である。図１３は、図１０に示された差分画像の各画素の光の強さの段階を模式的に示す図である。
認識ステップＳＴ６は、加工前撮像ステップＳＴ３と、加工後撮像ステップＳＴ５とによって取得した所要領域５０１の画像である撮像画像３０１，３０２を比較し、撮像画像３０１，３０２の同じ画素３１１同士の光の強さの段階を差し引いて、差し引いた光の強さの段階の差が所定値以上である領域である画素３１１をカーフ６００として認識するステップである。
認識ステップＳＴ６では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、記憶装置に記憶された複数の撮像画像３０１，３０２を取得し、光量条件が同じ撮像画像３０１，３０２同士を対応付ける。認識ステップＳＴ６では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、光量条件が同じ撮像画像３０１，３０２の同じ画素３１１の受光した光の強さの段階の差分を算出し、同じ画素３１１の受光した光の強さの段階の差分を算出して形成された図１２に示す差分画像３０３を形成する。認識ステップＳＴ６では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、差分画像３０３の光の強さの差分が予め定められた所定値以上の領域である画素３１１をカーフ６００として認識する。
具体的には、図７に示す撮像画像３０１及び図１０に示す撮像画像３０２のダイシングテープ２０６からの光を受光した各画素３１１の光の強さの段階を、図８及び図１１に示す撮像画像３０１－１，３０２－１のように、前述した階調のうち「１００」段階とする。また、図１０に示す撮像画像３０２のカーフ６００からの光を受光した各画素３１１の光の強さの段階を、例えば、図１１に示す撮像画像３０２－１のように、前述した階調のうち「１０」段階とする。認識ステップＳＴ６では、図８に示す撮像画像３０１－１と図１１に示す撮像画像３０２－１の同じ画素３１１の光の強さの段階の差分を算出して、図１３に示す差分画像３０３－１を形成する。
図１３に示す差分画像３０３－１では、撮像画像３０１，３０２の双方においてダイシングテープ２０６からの光を受光した各画素３１１の光の強さの段階の差分が「０」となり、撮像画像３０２においてカーフ６００からの光を受光した各画素３１１の光の強さの段階の差分が「９０」となる。このために、図１２に示す差分画像３０３では、撮像画像３０１，３０２の双方においてダイシングテープ２０６からの光を受光した各画素３１１の光の強さの段階の差分が「０」又は「０」に近い非常に小さな値となり、カーフ６００からの光を受光した各画素３１１の光の強さの段階の差分が所定値以上の値となる。
こうして、認識ステップＳＴ６では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、加工前撮像ステップＳＴ３と加工後撮像ステップＳＴ５とによって取得した所要領域５０１の撮像画像３０１，３０２を比較し、差分画像３０３の光の強さの差分が予め定められた所定値以上の画素３１１をカーフ６００として認識する。即ち、認識ステップＳＴ６は、加工前撮像ステップＳＴ３と、加工後撮像ステップＳＴ５と、で実施された複数の光量条件毎にカーフ６００の形状を認識している。
（位置ずれ検出ステップ）
認識ステップＳＴ６で認識された差分画像３０３のカーフ６００に基づいて、基準ライン４００と、実際に加工されたカーフ６００と、の位置ずれ４０１を検出するステップである。位置ずれ検出ステップＳＴ７では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、ブレード厚み記憶部１０５に記憶された切削ブレード２１の切り刃の厚みを取得する。位置ずれ検出ステップＳＴ７では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、光量条件毎に形成された複数の差分画像３０３のカーフ６００の幅６０１を算出し、算出したカーフ６００の幅６０１がブレード厚み記憶部１０５に記憶された切削ブレード２１の切り刃の厚みに最も近い差分画像３０３を選択する。
位置ずれ検出ステップＳＴ７では、制御ユニット１００の補正量算出部１０３は、選択した差分画像３０３のカーフ６００の幅方向の中央６０２のＹ軸方向の位置を算出し、基準ライン位置記憶部１０１に記憶された基準ライン４００のＹ軸方向の位置を取得し、選択した差分画像３０３のカーフ６００の幅方向の中央６０２のＹ軸方向の位置と基準ライン４００のＹ軸方向の位置との間をカーフ６００の位置ずれ４０１として検出し、検出した位置ずれ４０１を記憶装置に記憶して、実施形態１に係るカーフの認識方法を終了する。
こうして、実施形態１において、位置ずれ検出ステップＳＴ７は、認識ステップＳＴ６において複数の光量条件毎に撮像されて得た撮像画像３０１，３０２から形成された差分画像３０３から認識されたカーフ６００の形状を任意の評価基準であるカーフ６００の幅６０１の切削ブレード２１の切り刃の厚みとの差で評価し、最も評価値が高い切削ブレード２１の切り刃の厚みに最も近い差分画像３０３のカーフ６００の幅６０１に基づき行う。
切削装置１は、被加工物２００を切削加工する際に、加工内容情報で設定される分割予定ライン２０２の所望の位置（例えば、幅方向の中央）に切削ブレード２１を切り込ませることができるように、アライメント時に基準ライン４００の位置を、記憶装置に記憶した位置ずれ４０１を補正量として補正して、被加工物２００を個々のデバイス２０３に分割する。
以上のように、実施形態１に係るカーフの認識方法は、加工前撮像ステップＳＴ３で取得した撮像画像３０１と加工後撮像ステップＳＴ５で取得した撮像画像３０２の同じ画素３１１が受光した光の強さの段階の差分を算出して形成された差分画像３０３からカーフ６００を検出するので、ダイシングテープ２０６の模様を排除でき、カーフ６００のみを正確に認識しやすくなる。その結果、実施形態１に係るカーフの認識方法は、ダイシングテープ２０６に形成されたカーフ６００を容易に認識できることを可能とするという効果を奏する。
また、実施形態１に係るカーフの認識方法は、所要領域決定ステップＳＴ２において、ダイシングテープ２０６の複数の領域５００を撮像し、撮像して得た画像から各画素が受光した光の強さの分散が最も小さい領域５００を、カーフ６００を形成する所要領域５０１として決定する。その結果、カーフの認識方法は、ダイシングテープ２０６の模様が少ないところを所要領域５０１として、カーフ６００を形成するので、形成されたカーフ６００を容易に認識できる。
また、実施形態１に係るカーフの認識方法は、加工前撮像ステップＳＴ３と加工後撮像ステップＳＴ５とを複数の光量条件で実施し、異なる光量条件で撮像された撮像画像３０１，３０２から形成された複数の差分画像３０３からカーフ６００の幅が最も切削ブレード２１の切り刃の厚みに最も近い差分画像３０３を選択する。その結果、カーフの認識方法は、カーフ６００の幅方向の中央６０２の位置を正確に算出でき、位置ずれ４０１を正確に算出できる。また、本発明は、位置ずれ検出ステップＳＴ７では、カーフ６００と認識される領域の厚み方向（Ｙ軸方向）の外縁がＹ軸方向と直交するＸ軸方向に平行な直線である割合が多い差分画像３０３を選択しても良い。またはカーフ６００と認識される領域のＹ軸方向の外縁とその外側の領域の画素３１１数の落差がより大きい差分画像３０３を選択しても良い。以上のように、位置ずれ検出ステップＳＴ７において使用される評価基準は、装置に登録された切削ブレード２１の切り刃の厚みと認識されたカーフ６００との差、認識されたカーフ６００の直線度、認識されたカーフ６００の幅方向の縁の鮮明さ等があげられるがこれらに限らない。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
２００ 被加工物
２０６ ダイシングテープ
３０１，３０２ 撮像画像（画像）
３１１ 画素（領域）
４００ 基準ライン（加工予定位置）
４０１ 位置ずれ
５００ 領域
５０１ 所要領域
６００ カーフ
６０１ 幅（形状）
ＳＴ１ 貼着ステップ
ＳＴ２ 所要領域決定ステップ
ＳＴ３ 加工前撮像ステップ
ＳＴ４ カーフ形成ステップ
ＳＴ５ 加工後撮像ステップ
ＳＴ６ 認識ステップ
ＳＴ７ 位置ずれ検出ステップ

Claims (3)

  1. カーフの認識方法であって、
    被加工物を被加工物より大きいダイシングテープに貼着する貼着ステップと、
    被加工物が貼着されていない該ダイシングテープの所要領域を撮像する加工前撮像ステップと、
    該所要領域にカーフを形成するカーフ形成ステップと、
    カーフが形成された該所要領域を撮像する加工後撮像ステップと、
    該加工前撮像ステップと、該加工後撮像ステップとによって取得した該所要領域の画像を比較し、
    同じ画像を差し引いた領域をカーフとして認識する認識ステップと、
    を備えることを特徴とするカーフの認識方法。
  2. 該所要領域を決定する所要領域決定ステップを更に備え、
    該所要領域決定ステップは、
    被加工物が貼着されていない該ダイシングテープの複数の領域を撮像し、
    撮像した画像から画素値の分散が小さい領域を該所要領域として決定する
    こととする請求項１に記載のカーフの認識方法。
  3. 認識ステップで認識されたカーフに基づいて、
    装置に登録された加工予定位置と、実際に加工されたカーフと、の位置ずれを検出する位置ずれ検出ステップを更に備え、
    該加工前撮像ステップと該加工後撮像ステップとは複数の光量条件で実施され、
    該認識ステップは、該加工前撮像ステップと、該加工後撮像ステップと、で実施された複数の該光量条件毎にカーフの形状を認識し、
    該位置ずれ検出ステップは、
    該認識ステップにおいて複数の該光量条件毎に認識されたカーフの形状を任意の評価基準で評価し、
    最も評価値が高いカーフの形状に基づき行うことを特徴とする
    請求項１又は請求項２に記載のカーフの認識方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7140626B2 (ja) * 2018-10-10 2022-09-21 株式会社ディスコ リングフレームの保持機構

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311033A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 切削ブレードの位置ずれ検出方法
JP2015170805A (ja) 2014-03-10 2015-09-28 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2016192494A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280736B2 (ja) * 1993-03-04 2002-05-13 株式会社東京精密 ダイシング溝の位置測定方法
JPH08107089A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Showa Denko Kk ダイシングアライメント方法
IL120656A (en) * 1997-04-13 2001-04-30 Inspectech Ltd Apparatus for analyzing cuts
JP6184162B2 (ja) * 2013-05-10 2017-08-23 株式会社ディスコ 切削方法
JP6562670B2 (ja) * 2015-03-23 2019-08-21 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP6229789B2 (ja) * 2016-12-27 2017-11-15 株式会社東京精密 エッジ検出装置
JP2019040919A (ja) * 2017-08-22 2019-03-14 株式会社ディスコ 切削装置及び溝検出方法
JP7148233B2 (ja) * 2017-09-29 2022-10-05 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法及び切削装置
JP7062449B2 (ja) * 2018-01-23 2022-05-06 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP7017949B2 (ja) * 2018-03-02 2022-02-09 株式会社ディスコ 加工装置
JP7254416B2 (ja) * 2019-01-11 2023-04-10 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311033A (ja) 2004-04-21 2005-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 切削ブレードの位置ずれ検出方法
JP2015170805A (ja) 2014-03-10 2015-09-28 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP2016192494A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

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