JP6404303B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロックならびに第１および第２の処理ブロックを含む。第１および第２の処理ブロックは、それぞれ第１および第２の搬送部を含む。未処理の基板は、第１の搬送部によりインデクサブロックから第１の処理ブロックへ搬送される。第１の処理ブロックにおいて、基板に第１の処理が行われる。その後、基板は、第１の搬送部により第２の搬送部へ受け渡され、第２の搬送部により第２の処理ブロックへ搬送される。第２の処理ブロックにおいて、基板に第２の処理が行われる。

特開２０１１−６６０４９号公報

特許文献１に記載された基板処理装置においては、第１および第２の搬送部が上記の基板の搬送を行うことにより、基板に種々の処理が行われる。しかしながら、この基板処理装置を用いて第１および第２の処理ブロックにおいて互いに異なる独立した処理を行う場合、第２の処理ブロックのスループットが第１の処理ブロックのスループットにより制限される。

本発明の目的は、スループットの向上が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、第１の方向に並ぶように配置された第１、第２および第３の処理領域と、副搬送領域とを備え、第２の処理領域は、第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置され、第１の処理領域は、基板を搬送する第１の主搬送機構を含み、第２の処理領域は、基板に処理を行う第１の処理部と、基板を搬送する第２の主搬送機構とを含み、第１の処理部および第２の主搬送機構は、第１の方向に交差する第２の方向に並ぶように配置され、第１の処理部は、複数の第１の処理ユニットを含み、複数の第１の処理ユニットは、基板の加熱処理および冷却処理を行う熱処理ユニットと、基板の冷却処理を行う冷却ユニットと、基板に密着強化処理を行う密着強化処理ユニットとを含み、第３の処理領域は、基板を搬送する第３の主搬送機構を含み、副搬送領域は、基板を搬送する副搬送機構を含み、副搬送機構は、第１の主搬送機構と複数の第１の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットとの間で基板を搬送するように構成され、第２の主搬送機構は、複数の第１の処理ユニットのうち熱処理ユニットまたは冷却ユニットに対する基板の搬入または搬出、第１の主搬送機構との間での基板の受け渡し、および第３の主搬送機構との間での基板の受け渡しを行うように構成され、副搬送領域は、第１および第２の方向に交差する第３の方向において熱処理ユニットに重なるように配置されるものである。

この基板処理装置においては、第２の処理領域が第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置される。基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第２の処理領域の処理部の複数の第１の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットに搬送される。冷却ユニットまたは密着強化ユニットにより基板に一の処理が行われる。

一の処理後の基板が、第２の主搬送機構により複数の第１の処理ユニットのうち熱処理ユニットまたは冷却ユニットに搬入される。熱処理ユニットまたは冷却ユニットにより基板に他の処理が行われる。他の処理後の基板が、第２の主搬送機構により熱処理ユニットまたは冷却ユニットから搬出され、第３の処理領域の第３の主搬送機構に受け渡される。また、基板が、第３の主搬送機構により第２の主搬送機構に受け渡され、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構に受け渡される。

この場合、第２の処理領域の処理部の複数の第１の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットへの基板の搬送が副搬送機構により行われる。したがって、第２の主搬送機構による搬送の工程数が低減する。これにより、第２の主搬送機構の負担を軽減することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

（２）基板処理装置は、第１の主搬送機構と副搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置されるとともに、副搬送機構と第２の主搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第１の基板載置部をさらに備えてもよい。

この場合、第１の基板載置部を介して第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板が搬送される。また、第１の基板載置部を介して副搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板が搬送される。これにより、第１の主搬送機構および副搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。また、副搬送機構および第２の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、副搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。

（３）複数の第１の処理ユニットは、基板に処理液を用いた処理を行う液処理ユニットをさらに含み、第２の処理領域は、液処理ユニットが配置される液処理領域と、熱処理ユニット、冷却ユニットおよび密着強化処理ユニットが配置される熱処理領域と、第２の主搬送機構が配置される主搬送領域とを含み、主搬送領域は、液処理領域と熱処理領域との間に配置され、副搬送領域および第１の基板載置部は、第３の方向において熱処理ユニットに重なるように配置されてもよい。

（４）基板処理装置は、第１の主搬送機構と第２の主搬送機構との間で受け渡される基板が一時的に載置される第２の基板載置部と、第２の主搬送機構と第３の主搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第３の基板載置部とをさらに備えてもよい。

この場合、第２の基板載置部を介して第１の主搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板が搬送される。また、第３の基板載置部を介して第２の主搬送機構と第３の主搬送機構との間で基板が搬送される。これにより、第１の主搬送機構および第２の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第１の主搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。また、第２の主搬送機構および第３の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第２の主搬送機構と第３の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。

（５）第１の処理領域は、基板を収納する基板収納容器が載置される容器載置部をさらに含み、第１の主搬送機構は、容器載置部に載置された基板収納容器と第２の主搬送機構との間で基板を搬送するとともに容器載置部に載置された基板収納容器と副搬送機構との間で基板を搬送するように構成されてもよい。

この場合、容器載置部の基板収納容器に収納された基板が第１の主搬送機構により第２の主搬送機構または副搬送機構に順次搬送される。また、第２の主搬送機構または副搬送機構により第１の主搬送機構に搬送される基板が容器載置部の基板収納容器に順次収納される。これにより、複数の基板に効率よく処理を行うことができる。

（６）基板処理装置は、第３の処理領域に隣接するように配置される第４の処理領域をさらに備え、第４の処理領域は、基板を搬送する第４の主搬送機構を含み、第３の処理領域は、基板に処理を行う第２の処理部をさらに含み、第３の主搬送機構は、副搬送機構と第２の処理部と第４の主搬送機構との間で基板を搬送するように構成されてもよい。

この場合、第３の主搬送機構により副搬送機構と第２の処理部と第４の主搬送機構との間で基板を搬送することが可能となる。
（７）第２の処理部は、複数の第２の処理ユニットを含み、副搬送機構は、複数の第２の処理ユニットのうち少なくとも一の第２の処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行い、第３の主搬送機構は、複数の第２の処理ユニットのうちの他の第２の処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行うように構成されてもよい。

（８）第２の発明に係る基板処理方法は、第１、第２および第３の処理領域と副搬送領域とを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、第２の処理領域は、第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置され、第１の処理領域に配置された第１の主搬送機構により基板を搬送するステップと、第２の処理領域に配置された第２の主搬送機構により第１の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うステップと、第２の処理領域に配置された複数の処理ユニットにより基板に処理を行うステップと、副搬送領域に配置された副搬送機構により第１の主搬送機構と複数の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットとの間で基板を搬送するとともに冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットと第２の主搬送機構との間で基板を搬送するステップと、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構と複数の処理ユニットのうち熱処理ユニットまたは冷却ユニットとの間で基板を搬送するステップと、第２の主搬送機構により第３の処理領域に配置された第３の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うステップと、第３の主搬送機構により基板を搬送するステップとを備え、熱処理ユニットは、基板の加熱処理および冷却処理を行い、冷却ユニットは、基板の冷却処理を行い、密着強化処理ユニットは、基板に密着強化処理を行い、第１、第２および第３の処理領域は、第１の方向に並ぶように配置され、複数の処理ユニットおよび第２の主搬送機構は、第１の方向に交差する第２の方向に並ぶように配置され、副搬送領域は、第１および第２の方向に交差する第３の方向において熱処理ユニットに重なるように配置されてもよい。

この基板処理方法においては、第２の処理領域が第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置される。基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第２の処理領域の処理部の複数の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットに搬送される。冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットにより基板に一の処理が行われる。

一の処理後の基板が、副搬送機構および第２の主搬送機構により複数の処理ユニットのうち熱処理ユニットまたは冷却ユニットに搬入される。熱処理ユニットまたは冷却ユニットにより基板に他の処理が行われる。他の処理後の基板が、第２の主搬送機構により熱処理ユニットまたは冷却ユニットから搬出され、第３の処理領域の第３の主搬送機構に受け渡される。また、基板が、第３の主搬送機構により第２の主搬送機構に受け渡され、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構に受け渡される。

この場合、第２の処理領域の処理部の複数の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットへの基板の搬送が副搬送機構により行われる。したがって、第２の主搬送機構による搬送の工程数が低減する。これにより、第２の主搬送機構の負担を軽減することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

本発明によれば、基板処理装置のスループットの向上が可能となる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の第１処理部および第２処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の熱処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の第１処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 主搬送機構を示す斜視図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の水平断面図である。 副搬送機構の構成を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の水平断面図である。 図９の第１処理部、第２処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図９の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図９の搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。 第３の実施の形態に係る基板処理装置の水平断面図である。 図１５の第１処理部、第２処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１５の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）を除く外周部が円形を有する。

［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成 図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１および処理ブロック１２，１３を備える。インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および主搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。主搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。主搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と主搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１９が形成される。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、メインコントローラ１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

処理ブロック１２は、第１処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。本実施の形態においては、第１処理部１２１は塗布処理部である。第１処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する主搬送機構１２７および後述する主搬送機構１２８（図５）が設けられる。

処理ブロック１３は、第２処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。本実施の形態においては、第２処理部１３１は塗布処理部である。第２処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する主搬送機構１３７および後述する主搬送機構１３８（図５）が設けられる。

（２）第１処理部および第２処理部の構成 図２は、図１の第１処理部１２１および第２処理部１３１を＋Ｙ方向側から見た図である。図２に示すように、第１処理部１２１には、４つの処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。第２処理部１３１には、４つの処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。本実施の形態においては、処理室２１〜２４，３１〜３４は塗布処理室である。

各処理室２１〜２４，３１〜３４には、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７および図示しない複数の処理液ノズルが設けられる。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各処理室２１〜２４，３１〜３４に２つずつ設けられる。

各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。各処理液ノズルには、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して処理液が供給される。本実施の形態においては、処理液はレジスト膜用の処理液（レジスト液）である。スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズルから処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。

図１および図２に示すように、第１処理部１２１において第２処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。第２処理部１３１において第１処理部１２１に対向するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、処理室２１〜２４，３１〜３４への処理液の供給ならびに処理室２１〜２４，３１〜３４からの排液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプおよび温度調節器等を含む。

（３）熱処理部の構成 図３は、図１の熱処理部１２３，１３３を−Ｙ方向側から見た図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。本実施の形態においては、上段熱処理部３０１には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数の基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が設けられる。下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数の基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が設けられる。

基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および冷却ユニットＣＰは、上段熱処理部３０１の最下部に配置され、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２および冷却ユニットＣＰは、下段熱処理部３０２の最上部に配置される。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、熱処理部１２３における熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度制御を行う。また、ローカルコントローラＬＣ１は、図２のスピンチャック２５の動作および処理液ノズルへの処理液の供給等を制御する。さらに、ローカルコントローラＬＣ１は、図１の主搬送機構１２７の動作を制御する。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。本実施の形態においては、上段熱処理部３０３には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数の基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が設けられる。下段熱処理部３０４には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数の基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６が設けられる。

基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４および冷却ユニットＣＰは、上段熱処理部３０３の最下部に配置され、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および冷却ユニットＣＰは、下段熱処理部３０４の最上部に配置される。

熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、熱処理部１３３における熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度制御を行う。また、ローカルコントローラＬＣ２は、図２のスピンチャック２５の動作および処理液ノズルへの処理液の供給等を制御する。さらに、ローカルコントローラＬＣ２は、図１の主搬送機構１３７の動作を制御する。

上段熱処理部３０１，３０３と下段熱処理部３０２，３０４との間に副搬送室１１０が設けられる。副搬送室１１０には、２つの副搬送機構１１７，１１８が設けられる。副搬送機構１１７，１１８は、インデクサブロック１１のメインコントローラ１１４により制御される。副搬送室１１０内の副搬送機構１１７，１１８の構成および動作については後述する。

なお、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２およびメインコントローラ１１４は、制御プログラム（制御ソフトウエア）に従って各構成要素を制御する。

（４）搬送部の構成 図４は、図１の第１処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。図５は、搬送部１２２，１３２を−Ｙ方向側から見た図である。図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。図５に示すように、搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には主搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には主搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には主搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には主搬送機構１３８が設けられる。

図４に示すように、処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８は、基板Ｗの搬送経路によっては使用されなくてもよい。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗを載置可能であり、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗを載置可能である。また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、処理ブロック１２から処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗを載置可能であり、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、処理ブロック１３から処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗを載置可能である。

（５）主搬送機構の構成 次に、主搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８について説明する。図６は、主搬送機構１２７を示す斜視図である。図６に示すように、主搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１，３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向（Ｚ方向）に延びかつＸ方向において互いに離間するように配置される。ガイドレール３１１は、Ｘ方向において搬送部１１２に近い側面に近接する位置に固定される。ガイドレール３１２は、Ｘ方向において搬送部１１２から遠い側面に近接する位置に固定される。

ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が水平方向（Ｘ方向）に延びるように設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３に沿ってＸ方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、回転部材３１５がＺ方向の軸の周りで回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５に対して進退可能に設けられる。主搬送機構１２８，１３７，１３８は、主搬送機構１２７と同様の構成を有する。

上記のような構成により、主搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２は、それぞれ上段搬送室１２５、下段搬送室１２６、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６内においてＸ方向およびＺ方向に移動することができるとともに、Ｚ方向の軸の周りで回転しかつ進退することができる。

主搬送機構１２７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０（図３および図５）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。主搬送機構１２８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２（図３および図５）および下段熱処理部３０２（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

主搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４（図３および図５）および上段熱処理部３０３（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。主搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６（図５）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

（６）副搬送室および副搬送機構
次に、副搬送室１１０の構成ならびに副搬送機構１１７，１１８の構成および動作について説明する。

図７は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００の水平断面図である。図７に示すように、Ｙ方向における各冷却ユニットＣＰの長さは、図１の各熱処理ユニットＰＨＰの長さよりも短い。基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１６の長さは、各冷却ユニットＣＰの長さとほぼ等しい。

図４および図７に示すように、副搬送室１１０は、上段熱処理部３０１，３０３の複数の熱処理ユニットＰＨＰの最下面、下段熱処理部３０２，３０４の複数の熱処理ユニットＰＨＰの最上面、熱処理部１２３，１３３の背面、複数の冷却ユニットＣＰの背面（搬送部１２２と反対側の面）、および基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１６の背面（搬送部１２２と反対側の面）により囲まれた空間に設けられる。副搬送室１１０は、インデクサブロック１１との隣接する処理ブロック１２の側面からインデクサブロック１１と反対側の処理ブロック１３の側面まで延びる。

この場合、簡単な構成で、基板Ｗが搬送部１２２の主搬送機構１２７，１２８により第１処理部１２１の処理室２１〜２４、熱処理部１２３の上段熱処理部３０１または下段熱処理部３０２に搬送される。

また、簡単な構成で、基板Ｗが主搬送機構１１５と副搬送機構１１７，１１８との間で基板Ｗが搬送されるとともに、副搬送機構１１７，１１８と搬送部１３２の主搬送機構１３７，１３８との間で基板Ｗが搬送される。さらに、簡単な構成で、基板Ｗが主搬送機構１３７，１３８により基板Ｗが第２処理部１３１の処理室３１〜３４、熱処理部１３３の上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４に搬送される。

これにより、処理ブロック１２，１３においてそれぞれ基板Ｗに処理を独立的かつ並列的に行うことができる。したがって、基板処理装置１００の構成および制御を複雑化することなく基板処理装置１００のスループットを向上させることが可能になる。

図８は、副搬送機構１１７，１１８の構成を示す図である。図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は、副搬送機構１１７，１１８をそれぞれ＋Ｚ方向、−Ｙ方向および−Ｘ方向から見た図である。

図８に示すように、副搬送機構１１７は、長尺状のガイドレール４１１，４１２を備える。ガイドレール４１１，４１２は、図３の副搬送室１１０内において上下方向（Ｚ方向）に延びかつＸ方向において互いに離間するように配置される。ガイドレール４１１は、図３の搬送部１１２側の端部で基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１２に近接する位置に固定される。ガイドレール４１２は、搬送部１１２と反対側の端部で基板載置部ＰＡＳＳ１３〜ＰＡＳＳ１６に近接する位置に固定される。

ガイドレール４１１とガイドレール４１２との間には、長尺状のガイドレール４１３が水平方向（Ｘ方向）に延びるように設けられる。ガイドレール４１３は、上下動可能にガイドレール４１１，４１２に取り付けられる。ガイドレール４１３に移動部材４１４が取り付けられる。移動部材４１４は、ガイドレール４１３に沿ってＸ方向に移動可能に設けられる。

移動部材４１４の上面には、支持部材４１５が上下動可能に設けられる。支持部材４１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３およびハンドＨ４が水平方向（Ｙ方向）に進退可能に取り付けられる。

副搬送機構１１８は、長尺状のガイドレール５１１，５１２を備える。ガイドレール５１１，５１２は、図３の副搬送室１１０内において上下方向（Ｚ方向）に延びかつＸ方向において互いに離間するように配置される。ガイドレール５１１は、図３の搬送部１１２側の端部でＹ方向においてガイドレール４１１から離間する位置に固定される。ガイドレール５１２は、搬送部１１２と反対側の端部でＹ方向においてガイドレール４１２から離間する位置に固定される。

ガイドレール５１１とガイドレール５１２との間には、長尺状のガイドレール５１３が水平方向（Ｘ方向）に延びるように設けられる。ガイドレール５１３は、上下動可能にガイドレール５１１，５１２に取り付けられる。ガイドレール５１３に移動部材５１４が取り付けられる。移動部材５１４は、ガイドレール５１３に沿ってＸ方向に移動可能に設けられる。

移動部材５１４の上面には、支持部材５１５が上下動可能に設けられる。支持部材５１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３およびハンドＨ４が水平方向（Ｙ方向）に進退可能に取り付けられる。

上記の構成により、副搬送機構１１７，１１８のハンドＨ３，Ｈ４は、図３の副搬送室１１０内においてＸ方向およびＺ方向に移動することができるとともに、Ｙ方向に進退することができる。

なお、支持部材４１５，５１５がＺ方向の軸の周りで回転可能にそれぞれ移動部材４１４，５１４に設けられてもよい。この場合、副搬送機構１１７，１１８のハンドＨ３，Ｈ４は、Ｚ方向の軸の周りで回転することができる。

副搬送機構１１７，１１８のハンドＨ３，Ｈ４は、支持部材４１５，５１５の上下動により微小範囲でＺ方向に移動することができる。また、副搬送機構１１７，１１８のハンドＨ３，Ｈ４は、ガイドレール４１３，５１３の上下動により副搬送室１１０内の上端部から下端部までの範囲内でＺ方向に移動することができる。以下、支持部材４１５，５１５の上下動によるハンドＨ３，Ｈ４のＺ方向の移動を通常移動と呼び、ガイドレール４１３，５１３の上下動によるハンドＨ３，Ｈ４のＺ方向の移動を緊急移動と呼ぶ。

副搬送機構１１７は、通常時には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の通常移動により、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０，ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、副搬送機構１１８は、通常時には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の通常移動により、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２，ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

副搬送機構１１７は、副搬送機構１１８に故障等の異常が発生した場合には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の緊急移動により、基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１６（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、副搬送機構１１８は、副搬送機構１１７に故障等の異常が発生した場合には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の緊急移動により、基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１６（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

（７）基板処理装置における基板の搬送動作の一例
（７−１）概略動作
以下、処理ブロック１２，１３において処理されていない基板Ｗを未処理の基板Ｗと呼び、処理ブロック１２，１３において処理された基板Ｗを処理済みの基板Ｗと呼ぶ。

本例では、図７に一点鎖線の矢印で示すように、インデクサブロック１１から副搬送室１１０を通して未処理の基板Ｗが処理ブロック１２に搬送されるとともに、インデクサブロック１１から副搬送室１１０を通して未処理の基板Ｗが処理ブロック１３に搬送される。また、処理ブロック１２から処理済みの基板Ｗが副搬送室１１０を通してインデクサブロック１１に搬送されるとともに、処理ブロック１３から処理済みの基板Ｗが副搬送室１１０を通してインデクサブロック１１に搬送される。

本例では、基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１２を介して主搬送機構１１５と副搬送機構１１７，１１８または主搬送機構１２７，１２８との間で基板Ｗが搬送される。これにより、主搬送機構１１５、副搬送機構１１７，１１８および主搬送機構１２７，１２８の搬送のタイミングが異なる場合でも、主搬送機構１１５と副搬送機構１１７，１１８または主搬送機構１２７，１２８との間で基板Ｗを確実に搬送することができる。

同様に、基板載置部ＰＡＳＳ１３〜ＰＡＳＳ１６を介して副搬送機構１１７，１１８と主搬送機構１３７，１３８との間で基板Ｗが搬送される。これにより、副搬送機構１１７，１１８および主搬送機構１３７，１３８の搬送のタイミングが異なる場合でも、副搬送機構１１７，１１８と主搬送機構１３７，１３８との間で基板Ｗを確実に搬送することができる。

本例の搬送動作では、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８は用いられないが、インデクサブロック１１と処理ブロック１２との間での基板Ｗの搬送のために基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ８を用いてもよい。

（７−２）インデクサブロックにおける搬送動作
以下、図１、図３および図５を主に用いてインデクサブロック１１における搬送動作を説明する。

まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。主搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。その後、主搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ９に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ１０からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、主搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

同様に、基板載置部ＰＡＳＳ１２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ１２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、主搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

この場合、キャリア載置部１１１のキャリア１１３に収納された基板Ｗが主搬送機構１１５により基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１に順次搬送される。また、基板載置部ＰＡＳＳ１０，ＰＡＳＳ１２に載置される基板Ｗがキャリア載置部１１１のキャリア１１３に順次収納される。これにより、複数の基板Ｗに効率よく処理を行うことができる。

（７−３）副搬送室における搬送動作
次に、図３、図４および図７を主に用いて副搬送室１１０における搬送動作の一例を説明する。

副搬送機構１１７は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された未処理の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。また、副搬送機構１１７は、ハンドＨ４により保持している処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

次に、副搬送機構１１７は、ハンドＨ３，Ｈ４を基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４に対向する位置まで移動させる。副搬送機構１１７は、ハンドＨ３により保持している未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。また、副搬送機構１１７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４から処理済みの基板ＷをハンドＨ４により取り出す。その後、ハンドＨ３，Ｈ４を基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対向する位置まで移動させ、ハンドＨ４により保持している基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に搬送する。

副搬送機構１１７が基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４との間で基板Ｗを搬送しているときに、インデクサブロック１１の主搬送機構１１５により未処理の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に載置され、処理ブロック１２の主搬送機構１２７により取り出される。また、処理ブロック１２の主搬送機構１２７により処理済みの基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置され、インデクサブロック１１の主搬送機構１１５により取り出される。

副搬送機構１１８は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された未処理の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。また、副搬送機構１１８は、ハンドＨ４により保持している処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

次に、副搬送機構１１８は、ハンドＨ３，Ｈ４を基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６に対向する位置まで移動させる。副搬送機構１１８は、ハンドＨ３により保持している未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。また、副搬送機構１１８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６から処理済みの基板ＷをハンドＨ４により取り出す。その後、ハンドＨ３，Ｈ４を基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６に対向する位置から基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２に対向する位置まで移動させ、ハンドＨ４により保持している基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に搬送する。

副搬送機構１１８が基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２と基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６との間で基板Ｗを搬送しているときに、インデクサブロック１１の主搬送機構１１５により未処理の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置され、処理ブロック１２の主搬送機構１２８により取り出される。また、処理ブロック１２の主搬送機構１２８により処理済みの基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置され、インデクサブロック１１の主搬送機構１１５により取り出される。

（７−４）処理ブロック１２における搬送動作
以下、図１、図２、図３および図５を主に用いて処理ブロック１２における搬送動作について説明する。

主搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された未処理の基板ＷをハンドＨ１により取り出す。また、主搬送機構１２７は、ハンドＨ２により保持している処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。なお、主搬送機構１２７から基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される基板Ｗは、レジスト膜形成後の基板Ｗである。

次に、主搬送機構１２７は、上段熱処理部３０１の一の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板ＷをハンドＨ２により取り出す。また、主搬送機構１２７は、ハンドＨ１により保持している未処理の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、主搬送機構１２７は、処理室２１または処理室２２のスピンチャック２５からレジスト膜形成後の基板ＷをハンドＨ１により取り出す。また、主搬送機構１２７は、ハンドＨ２により保持している冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。処理室２１，２２においては、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、主搬送機構１２７は、上段熱処理部３０１の一の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板ＷをハンドＨ２により取り出す。また、主搬送機構１２７は、ハンドＨ１により保持している冷却処理後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

主搬送機構１２７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に搬送する。

同様に、下段搬送室１２６内の主搬送機構１２８は、ハンドＨ１，Ｈ２により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１、下段熱処理部３０２の一の冷却ユニットＣＰ、処理室２３または処理室２４、一の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１２の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗがレジスト膜形成処理に適した温度に冷却され、基板Ｗ上にレジスト膜が形成され、基板Ｗに加熱処理および冷却処理が行われる。処理済みの基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１２に搬送される。

（７−５）処理ブロック１３における搬送動作
以下、図１、図２、図３および図５を主に用いて処理ブロック１３における搬送動作について説明する。

上段搬送室１３５内の主搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３、上段熱処理部３０３の一の冷却ユニットＣＰ、処理室３１または処理室３２、一の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１４の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗがレジスト膜形成処理に適した温度に冷却され、基板Ｗ上にレジスト膜が形成され、基板Ｗに加熱処理および冷却処理が行われる。処理済みの基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１４に搬送される。

下段搬送室１３６内の主搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５、下段熱処理部３０４の一の冷却ユニットＣＰ、処理室３３または処理室３４、一の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１６の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗがレジスト膜形成処理に適した温度に冷却され、基板Ｗ上にレジスト膜が形成され、基板Ｗに加熱処理および冷却処理が行われる。処理済みの基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１６に搬送される。

（７−６）異常発生時の副搬送室における搬送動作
次に、図３を主に用いて異常発生時の搬送動作を説明する。

副搬送機構１１７は、副搬送機構１１８に故障等の異常が発生した場合には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の緊急移動により、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４との間で基板Ｗを搬送するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２と基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６との間で基板Ｗを搬送する。

また、副搬送機構１１７は、主搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のいずれかまたは処理ブロック１２，１３のいずれかに故障等の異常が発生した場合には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の緊急移動を行う。これにより、副搬送機構１１７は、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６との間で基板Ｗを搬送することができ、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２と基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４との間で基板Ｗを搬送することができる。その結果、主搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のいずれかまたは処理ブロック１２，１３のいずれかに故障等の異常が発生した場合でも、基板Ｗの処理を継続することができる。

同様に、副搬送機構１１８は、副搬送機構１１７に故障等の異常が発生した場合には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の緊急移動により、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４との間で基板Ｗを搬送するとともに、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２と基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６との間で基板Ｗを搬送する。

また、副搬送機構１１８は、主搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のいずれかまたは処理ブロック１２，１３のいずれかに故障等の異常が発生した場合には、ハンドＨ３，Ｈ４のＸ方向の移動およびＺ方向の緊急移動を行う。これにより、副搬送機構１１８は、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０と基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６との間で基板Ｗを搬送することができ、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２と基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４との間で基板Ｗを搬送することができる。その結果、主搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のいずれかまたは処理ブロック１２，１３のいずれかに故障等の異常が発生した場合でも、基板Ｗの処理を継続することができる。

（８）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、処理ブロック１２，１３により、基板Ｗにレジスト膜の形成処理が行われる。この構成によれば、処理ブロック１２の主搬送機構１２７，１２８を用いることなくインデクサブロック１１と処理ブロック１３との間で基板Ｗを搬送することができる。これにより、インデクサブロック１１または処理ブロック１３におけるスループットが処理ブロック１２におけるスループットにより制限されることを防止することができる。したがって、基板処理装置１００のスループットを向上させることが可能となる。

また、上記の構成によれば、主搬送機構１２７，１２８と主搬送機構１３７，１３８とが同一または類似の搬送動作を行うことができる。それにより、主搬送機構１２７，１２８および主搬送機構１３７，１３８による基板Ｗの搬送動作の制御の複雑化を抑制することが可能となる。したがって、主搬送機構１２７，１２８および主搬送機構１３７，１３８を制御するソフトウエアを単純化することができる。

［２］第２の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図９は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１０は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００の水平断面図である。本実施の形態においては、処理ブロック１３の構成は、第２処理部１３１が現像処理部である点を除いて、第１の実施の形態における処理ブロック１３の構成と同様である。

図９および図１０に示すように、基板処理装置１００は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂをさらに備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、主搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１３）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、主搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１７および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、主搬送機構１４６が設けられる。主搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。

これらにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時に、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを移動させずに搬入搬出ブロック１４Ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。

（２）第１処理部および第２処理部の構成 図１１は、図９の第１処理部１２１、第２処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。本実施の形態においては、処理室３１〜３４は現像処理室である。図１１に示すように、各処理室３１〜３４には、複数のスピンチャック３５、複数のカップ３７および図示しない複数の現像液ノズルが設けられる。本実施の形態においては、スピンチャック３５およびカップ３７は、各処理室３１〜３４に３つずつ設けられる。

各スピンチャック３５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ３７はスピンチャック３５の周囲を取り囲むように設けられる。スピンチャック３５が回転しつつ現像液ノズルから処理液として現像液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に現像液が供給される。それにより、基板Ｗの現像処理が行われる。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。なお、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面と反対側の面をいう。

（３）熱処理部の構成
図１２は、図９の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。図１２に示すように、本実施の形態においては、上段熱処理部３０３にエッジ露光部ＥＥＷがさらに設けられる。また、下段熱処理部３０４にエッジ露光部ＥＥＷがさらに設けられる。

エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）搬送部の構成
図１３は、図９の搬送部１２２，１３２，１６３を−Ｙ方向側から見た図である。図１３に示すように、上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１７および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、主搬送機構１３７および主搬送機構１４１，１４２（図９）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、主搬送機構１３８および主搬送機構１４１，１４２（図９）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ１７および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、主搬送機構１４１，１４２（図９）および主搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

なお、図１３の例では、基板載置部ＰＡＳＳ１７が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ１７が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ１７を用いてもよい。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１７には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。搬入搬出ブロック１４Ｂの主搬送機構１４６は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ９，Ｈ１０を有する。

（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図１４は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図１４は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを＋Ｘ方向側から見た図である。図１４に示すように、主搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有し、主搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ７，Ｈ８を有する。

主搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、主搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。主搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

（６）基板処理装置における基板の搬送動作の一例
（６−１）概略動作
図１０に一点鎖線の矢印で示すように、本例では、インデクサブロック１１から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３を通して未処理の基板Ｗが処理ブロック１２の搬送部１２２に搬送され、処理ブロック１２においてレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４を通してインデクサブロック１１に搬送される。

また、インデクサブロック１１から副搬送室１１０を通してレジスト膜が形成された基板Ｗが処理ブロック１３の搬送部１３２に搬送され、さらに載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２を通してインターフェイスブロック１４に搬送される。インターフェイスブロック１４において処理された基板Ｗは露光装置１５に搬入され、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗはインターフェイスブロック１４に搬出される。インターフェイスブロック１４において処理された基板Ｗは、処理ブロック１３の上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰを通して搬送部１３２に搬送される。処理ブロック１３において現像処理された基板Ｗは副搬送室１１０を通してインデクサブロック１１に搬送される。

（６−２）インデクサブロックにおける搬送動作
以下、図９、図１２および図１３を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。本実施の形態においては、複数のキャリア１１３の一部に未処理の基板Ｗが収納され、他のキャリア１１３にレジスト膜が形成された基板Ｗが収納されている。

本実施の形態における主搬送機構１１５は、キャリア１１３から１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、主搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ２にレジスト膜形成後の基板Ｗが載置されている場合には、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からそのレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。そして、主搬送機構１１５は、そのレジスト膜形成後の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４にレジスト膜形成後の基板Ｗが載置されている場合には、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からそのレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。そして、主搬送機構１１５は、そのレジスト膜形成後の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

さらに、主搬送機構１１５は、レジスト膜が形成された基板Ｗをキャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１に搬送する。また、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０，ＰＡＳＳ１２から現像処理後の基板Ｗを取り出す。

（６−３）副搬送室における搬送動作
次に、図９、図１０および図１３を主に用いて副搬送室１１０における搬送動作の一例を説明する。本実施の形態における副搬送機構１１７，１１８の動作は、以下の点を除いて第１の実施の形態における副搬送機構１１７，１１８の動作と同様である。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された全ての基板Ｗは、副搬送機構１１７により基板載置部ＰＡＳＳ１３に搬送される。また、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された全ての基板Ｗは、副搬送機構１１８により基板載置部ＰＡＳＳ１５に搬送される。

（６−４）処理ブロック１２における搬送動作
以下、図１１〜図１３を主に用いて処理ブロック１２の動作について説明する。本実施の形態における処理ブロック１２の動作は、以下の点を除いて第１の実施の形態に係る処理ブロック１２の動作と同様である。処理ブロック１２内において複数の基板Ｗにレジスト膜の形成処理が行われる。

主搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ９ではなく基板載置部ＰＡＳＳ１から未処理の基板Ｗを取り出す。また、主搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１０ではなく基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗを搬送する。主搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ１１ではなく基板載置部ＰＡＳＳ３から未処理の基板Ｗを取り出す。また、主搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ１２ではなく基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗを搬送する。

（６−５）処理ブロック１３における搬送動作
以下、図１１〜図１３を主に用いて処理ブロック１３の動作について説明する。

上段搬送室１３５内の主搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２により、レジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３、上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗにエッジ露光処理が行なわれ、エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に搬送される。

また、主搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２により、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の一の熱処理ユニットＰＨＰ、一の冷却ユニットＣＰ、処理室３１または処理室３２、他の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１４の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗに露光後ベーク（ＰＥＢ）処理、冷却処理、現像処理および加熱処理が順に行われる。現像処理後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１４に搬送される。

同様に、下段搬送室１３６内の主搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２により、レジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５、下段熱処理部３０４のエッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗにエッジ露光処理が行なわれ、エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に搬送される。

また、主搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２により、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の一の熱処理ユニットＰＨＰ、一の冷却ユニットＣＰ、処理室３３または処理室３４、他の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１６の間で順次搬送する。それにより、基板ＷにＰＥＢ処理、冷却処理、現像処理および加熱処理が順に行われる。現像処理後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１６に搬送される。

なお、上記の例では、処理室３１〜３４における基板Ｗの現像処理の前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に現像処理を行うことが可能であれば、現像処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（６−６）洗浄乾燥処理ブロックおよび搬入搬出ブロックにおける搬送動作
以下、図１３および図１４を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、主搬送機構１４１は、ハンドＨ５，Ｈ６により、エッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，洗浄乾燥処理部１６１の一の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で順次搬送する。同様に、主搬送機構１４１は、主搬送機構１４１は、ハンドＨ５，Ｈ６により基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２，洗浄乾燥処理部１６１の一の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの間で順次搬送する。

このように、主搬送機構１４１は、ハンドＨ５，Ｈ６により、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに交互に搬送する。それにより、基板Ｗが洗浄および乾燥され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図９）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

主搬送機構１４２は、ハンドＨ７，Ｈ８により、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１７、洗浄乾燥処理部１６２の一の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２および上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）に搬送する。同様に、主搬送機構１４２は、ハンドＨ７，Ｈ８により、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１７、洗浄乾燥処理部１６２の一の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）に搬送する。

このように、主搬送機構１４２は、ハンドＨ７，Ｈ８により、基板載置部ＰＡＳＳ１７に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。それにより、基板Ｗが洗浄および乾燥され、上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰにおいて、ＰＥＢ処理が行われる。

搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、主搬送機構１４６は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板ＷをハンドＨ９により取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、主搬送機構１４６は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板ＷをハンドＨ１０により取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１７に搬送する。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、主搬送機構１４１により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、処理ブロック１３の処理室３１〜３４（図１０）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、主搬送機構１３７，１３８により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

また、処理ブロック１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで主搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。

（７）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、処理ブロック１２により基板Ｗにレジスト膜の形成処理が行われ、処理ブロック１３により他の基板Ｗに現像処理が行われる。この構成によれば、処理ブロック１２の主搬送機構１２７，１２８を用いることなくインデクサブロック１１と処理ブロック１３との間で基板Ｗを搬送することができる。これにより、インデクサブロック１１または処理ブロック１３におけるスループットが処理ブロック１２におけるスループットにより制限されることを防止することができる。したがって、基板処理装置１００のスループットを向上させることが可能となる。

［３］第３の実施の形態
（１）基板処理装置の構成
第３の実施の形態に係る基板処理装置について、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。図１５は、第３の実施の形態に係る基板処理装置１００の水平断面図である。図１６は、図１５の第１処理部１２１、第２処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。図１７は、図１５の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。本実施の形態においては、処理室２１〜２４，３２，３４は塗布処理室であり、処理室３１，３３は現像処理室である。

図１６に示すように、各処理室２１〜２４，３２，３４には、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７および図示しない複数の処理液ノズルが設けられる。本実施の形態では、処理室２２，２４の処理液ノズルは、反射防止膜用の処理液を吐出する。処理室２１，２３の処理液ノズルは、レジスト膜用の処理液（レジスト液）を吐出する。処理室３２，３４の処理液ノズルは、レジストカバー膜用の処理液を吐出する。

各処理室３１，３３には、複数のスピンチャック３５、複数のカップ３７および図示しない複数の現像液ノズルが設けられる。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各処理室２１〜２４，３２，３４に２つずつ設けられる。スピンチャック３５およびカップ３７は、各処理室３１，３３に３つずつ設けられる。

図１７に示すように、本実施の形態においては、上段熱処理部３０１に複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰがさらに設けられる。また、下段熱処理部３０２に複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰがさらに設けられる。

密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。

本実施の形態における上段熱処理部３０３の構成は、第２の実施の形態における上段熱処理部３０３の構成と同様である。また、本実施の形態における下段熱処理部３０４の構成は、第２の実施の形態における下段熱処理部３０４の構成と同様である。

（２）基板処理装置における基板の搬送動作の一例
（２−１）概略動作
図１５に一点鎖線の矢印で示すように、本例では、インデクサブロック１１から副搬送室１１０を通して未処理の基板Ｗが処理ブロック１２の密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬送される。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにより処理された基板Ｗは副搬送室１１０を通して処理ブロック１２の搬送部１２２に搬送される。処理ブロック１２において反射防止膜およびレジスト膜が形成された基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ７を通して処理ブロック１３の搬送部１３２に搬送される。処理ブロック１３においてレジストカバー膜が形成された基板Ｗは載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２を通してインターフェイスブロック１４に搬送される。インターフェイスブロック１４において処理された基板Ｗは露光装置１５に搬入され、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗはインターフェイスブロック１４に搬出される。

インターフェイスブロック１４において処理された基板Ｗは、処理ブロック１３の上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰを通して搬送部１３２に搬送される。処理ブロック１３において現像処理された基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ８、処理ブロック１２の搬送部１２２および基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４を通してインデクサブロック１１に搬送される。

本例では、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１を介して主搬送機構１１５と副搬送機構１１７，１１８との間で基板Ｗが搬送される。これにより、主搬送機構１１５および副搬送機構１１７，１１８の搬送のタイミングが異なる場合でも、主搬送機構１１５と副搬送機構１１７，１１８との間で基板Ｗを確実に搬送することができる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８を介して主搬送機構１２７，１２８と主搬送機構１３７，１３８との間で基板Ｗが搬送される。これにより、主搬送機構１２７，１２８および主搬送機構１３７，１３８の搬送のタイミングが異なる場合でも、主搬送機構１２７，１２８と主搬送機構１３７，１３８との間で基板Ｗを確実に搬送することができる。

さらに、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４を介して主搬送機構１２７，１２８と主搬送機構１１５との間で基板Ｗが搬送される。これにより、主搬送機構１２７，１２８および主搬送機構１１５の搬送のタイミングが異なる場合でも、主搬送機構１２７，１２８と主搬送機構１１５との間で基板Ｗを確実に搬送することができる。

（２−２）インデクサブロックにおける搬送動作
以下、図１３、図１５および図１７を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態における主搬送機構１１５は、キャリア１１３から１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。その後、主搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬送する。

基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ９に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、主搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、主搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、主搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

（２−３）副搬送室における搬送動作
次に、図１５および図１７を主に用いて副搬送室１１０における搬送動作の一例を説明する。

副搬送機構１１７は、ハンドＨ３，Ｈ４により、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９，密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１０の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗに密着強化処理が行われる。その後、密着強化処理後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１０に搬送される。

同様に、副搬送機構１１８は、ハンドＨ３，Ｈ４により、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１，密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１２の間で順次搬送する。それにより、基板Ｗに密着強化処理が行われる。その後、密着強化処理後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ１２に搬送される。

（２−４）処理ブロック１２における搬送動作
以下、図１３、図１５、図１６および図１７を主に用いて処理ブロック１２の動作について説明する。

上段搬送室１２５内の主搬送機構１２７は、ハンドＨ１，Ｈ２により、密着強化処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０、上段熱処理部３０１の一の冷却ユニットＣＰ、処理室２２、一の熱処理ユニットＰＨＰ、他の冷却ユニットＣＰ、処理室２１、他の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ５の間で順次搬送する。それにより、密着強化処理後の基板Ｗに冷却処理、反射防止膜の形成処理、加熱処理および冷却処理が順に行われる。その後、その基板Ｗに冷却処理、レジスト膜の形成処理、加熱処理および冷却処理が順に行われる。このようにして、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜が形成される。レジスト膜の形成後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送される。

また、主搬送機構１２７は、ハンドＨ１またはハンドＨ２により、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に搬送する。

同様に、下段搬送室１２６内の主搬送機構１２８は、ハンドＨ１，Ｈ２により、密着強化処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１、下段熱処理部３０２の一の冷却ユニットＣＰ、処理室２４、一の熱処理ユニットＰＨＰ、他の冷却ユニットＣＰ、処理室２３、他の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７の間で順次搬送する。それにより、密着強化処理後の基板Ｗに冷却処理、反射防止膜の形成処理、加熱処理および冷却処理が順に行われる。その後、その基板Ｗに冷却処理、レジスト膜の形成処理、加熱処理および冷却処理が順に行われる。このようにして、基板Ｗ上に反射防止膜およびレジスト膜が形成される。レジスト膜の形成後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ７に搬送される。

また、主搬送機構１２８は、ハンドＨ１またはハンドＨ２により、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に搬送する。

なお、上記の例では、処理室２２，２４における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。同様に、処理室２１，２３におけるレジスト膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正にレジスト膜を形成することが可能であれば、レジスト膜の形成に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。

（２−５）処理ブロック１３における搬送動作
以下、図１３、図１５、図１６および図１７を主に用いて処理ブロック１３の動作について説明する。

上段搬送室１３５内の主搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２により、レジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５、上段熱処理部３０３の一の冷却ユニットＣＰ、処理室３２、一の熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１の間で順次搬送する。それにより、レジスト膜が形成された基板Ｗに冷却処理、レジストカバー膜の形成処理、加熱処理および冷却処理が順に行われる。その後、その基板Ｗにエッジ露光処理が行われ、エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に搬送される。

また、主搬送機構１３７は、ハンドＨ１，Ｈ２により、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の一の熱処理ユニットＰＨＰ、一の冷却ユニットＣＰ、処理室３１、他の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ６の間で順次搬送する。それにより、露光処理後の基板ＷにＰＥＢ処理、冷却処理、現像処理および加熱処理が順に行われる。現像処理後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ６に搬送される。

同様に、下段搬送室１３６内の主搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２により、レジスト膜が形成された基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７、下段熱処理部３０４の一の冷却ユニットＣＰ、処理室３４、一の熱処理ユニットＰＨＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２の間で順次搬送する。それにより、レジスト膜が形成された基板Ｗに冷却処理、レジストカバー膜の形成処理、加熱処理および冷却処理が順に行われる。その後、その基板Ｗにエッジ露光処理が行なわれ、エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に搬送される。

また、主搬送機構１３８は、ハンドＨ１，Ｈ２により、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の一の熱処理ユニットＰＨＰ、一の冷却ユニットＣＰ、処理室３３、他の熱処理ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ８の間で順次搬送する。それにより、露光処理後の基板ＷにＰＥＢ処理、冷却処理、現像処理および加熱処理が順に行われる。現像処理後の基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ８に搬送される。

（２−６）洗浄乾燥処理ブロックおよび搬入搬出ブロックにおける搬送動作
本実施の形態における洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの動作は、第２の実施の形態における洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの動作と同様である。また、本実施の形態における搬入搬出ブロック１４Ｂの動作は、第２の実施の形態における搬入搬出ブロック１４Ｂの動作と同様である。

（３）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、処理ブロック１２により基板Ｗに反射防止膜形成処理およびレジスト膜形成処理が行われ、処理ブロック１３により基板Ｗにレジストカバー膜形成処理および現像処理が行われる。この構成によれば、処理ブロック１２の第１処理部１２１の密着強化処理ユニットＰＡＨＰへの基板Ｗの搬送が副搬送機構１１７，１１８により行われる。したがって、主搬送機構１２７，１２８による搬送の工程数が低減する。これにより、主搬送機構１２７，１２８の負担を軽減することができる。その結果、基板処理装置１００のスループットを向上させることが可能となる。

［４］他の実施の形態
（１）第２または第３の実施の形態に係る基板処理装置１００において、処理ブロック１３が設けられなくてもよい。この場合、インデクサブロック１１が第１の処理領域となり、処理ブロック１２が第２の処理領域となり、インターフェイスブロック１４が第３の処理領域となる。

（２）第１〜第３の実施の形態に係る基板処理装置１００において、インデクサブロック１１と処理ブロック１２との間に他の処理ブロックが設けられてもよい。この場合、インデクサブロック１１が第１の処理領域となり、他の処理ブロックが第２の処理領域となり、処理ブロック１２が第３の処理領域となり、処理ブロック１３が第４の処理領域となる。

（３）第１〜第３の実施の形態に係る基板処理装置１００において、副搬送室１１０側における上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の冷却ユニットＣＰの側面に基板Ｗの搬入搬出部が設けられてもよい。これにより、副搬送機構１１７，１１８は、冷却ユニットＣＰに対して基板Ｗを直接搬入または搬出することができる。この場合、冷却ユニットＣＰを基板載置部として用いることができるので、基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１２が設けられていなくてもよい。

（４）第１〜第３の実施の形態に係る基板処理装置１００において、副搬送室１１０側における上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の冷却ユニットＣＰの側面に基板Ｗの搬入搬出部が設けられてもよい。これにより、副搬送機構１１７，１１８は、冷却ユニットＣＰに対して基板Ｗを直接搬入または搬出することができる。この場合、冷却ユニットＣＰを基板載置部として用いることができるので、基板載置部ＰＡＳＳ１３〜ＰＡＳＳ１６が設けられていなくてもよい。

（５）第３の実施の形態に係る基板処理装置１００において、搬送部１１２側における上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の密着強化処理ユニットＰＡＨＰの側面に基板Ｗの搬入搬出部が設けられてもよい。これにより、主搬送機構１２７，１２８は、密着強化処理ユニットＰＡＨＰに対して基板Ｗを直接搬入または搬出することができる。この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰを基板載置部として用いることができるので、基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１２が設けられていなくてもよい。

［５］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、インデクサブロック１１が第１の処理領域の例であり、処理ブロック１２が第２の処理領域の例であり、処理ブロック１３が第３の処理領域の例であり、インターフェイスブロック１４が第４の処理領域の例である。副搬送室１１０が副搬送領域の例であり、搬送部１２２が第１の主搬送領域の例であり、搬送部１３２が第２の主搬送領域の例であり、副搬送機構１１７，１１８が副搬送機構の例である。

主搬送機構１１５が第１の主搬送機構の例であり、主搬送機構１２７，１２８が第２の主搬送機構の例であり、主搬送機構１３７，１３８が第３の主搬送機構の例であり、主搬送機構１４１，１４２，１４６が第４の主搬送機構の例である。第１処理部１２１および熱処理部１２３が第１の処理部の例であり、第２処理部１３１および熱処理部１３３が第２の処理部の例であり、スピンチャック２５およびカップ２７が第１の液処理ユニットの例であり、スピンチャック３５およびカップ３７が第２の液処理ユニットの例である。

熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰまたは密着強化処理ユニットＰＡＨＰが第１の熱処理ユニットの例であり、熱処理ユニットＰＨＰまたは冷却ユニットＣＰが第２の熱処理ユニットの例である。第１処理部１２１が第１の液処理領域の例であり、第２処理部１３１が第２の液処理領域の例であり、熱処理部１２３が第１の熱処理領域の例であり、熱処理部１３３が第２の熱処理領域の例である。

上段熱処理部３０１が第１の上部処理部の例であり、下段熱処理部３０２が第１の下部処理部の例であり、上段熱処理部３０３が第２の上部処理部の例であり、下段熱処理部３０４が第２の下部処理部の例である。主搬送機構１２７が第１の上部主搬送機構の例であり、主搬送機構１２８が第１の下部主搬送機構の例であり、主搬送機構１３７が第２の上部主搬送機構の例であり、主搬送機構１３８が第２の下部主搬送機構の例である。

副搬送機構１１８が第１の副搬送機構の例であり、副搬送機構１１７が第２の副搬送機構の例であり、熱処理ユニットＰＨＰ，冷却ユニットＣＰまたは密着強化処理ユニットＰＡＨＰが処理ユニットの例であり、キャリア１１３が基板収納容器の例であり、キャリア載置部１１１が容器載置部の例である。

第１または第２の実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板載置部ＰＡＳＳ９〜ＰＡＳＳ１２が第１の基板載置部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ１３〜ＰＡＳＳ１６が第２の基板載置部の例である。第３の実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１が第１の基板載置部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４が第２の基板載置部の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８が第３の基板載置部の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

［６］参考形態
（１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、第１、第２および第３の処理領域と、副搬送領域とを備え、第２の処理領域は、第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置され、第１の処理領域は、基板を搬送する第１の主搬送機構を含み、第２の処理領域は、基板に処理を行う第１の処理部と、基板を搬送する第２の主搬送機構とを含み、第３の処理領域は、基板を搬送する第３の主搬送機構を含み、副搬送領域は、基板を搬送する副搬送機構を含み、第２の主搬送機構は、第１の主搬送機構と第１の処理部との間で基板を搬送するように構成され、副搬送機構は、第１の主搬送機構から第３の主搬送機構に基板を搬送するとともに第３の主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送するように構成されるものである。

この基板処理装置においては、第２の処理領域が第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置される。一の基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により第２の処理領域の第２の主搬送機構に搬送され、第２の主搬送機構により第１の処理部に搬送される。第１の処理部により基板に処理が行われる。処理後の基板が、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構に搬送される。

また、他の基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第３の処理領域の第３の主搬送機構に搬送される。さらに、基板が、第３の処理領域の第３の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第１の処理領域の第１の主搬送機構に搬送される。

この構成によれば、第２の処理領域の第２の主搬送機構を用いることなく第１の処理領域と第３の処理領域との間で基板を搬送することができる。これにより、第１または第３の処理領域におけるスループットが第２の処理領域におけるスループットにより制限されることを防止することができる。したがって、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

（２）第３の処理領域は、基板に処理を行う第２の処理部をさらに含み、第３の主搬送機構は、副搬送機構と第２の処理部との間で基板を搬送するように構成されてもよい。

このような構成により、第２の処理領域の第１の処理部および第３の処理領域の第２の処理部においてそれぞれ基板に独立した処理を並列的に行うことができる。この場合、第２の主搬送機構と第３の主搬送機構とが同一または類似の搬送動作を行うことができる。それにより、第２および第３の主搬送機構による基板の搬送動作の制御の複雑化を抑制することが可能となる。したがって、第２および第３の主搬送機構を制御するソフトウエアを単純化することができる。

（３）基板処理装置は、第１の主搬送機構と副搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第１の基板載置部と、第３の主搬送機構と副搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第２の基板載置部とをさらに備えてもよい。

この場合、第１の基板載置部を介して第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板が搬送される。また、第２の基板載置部を介して副搬送機構と第３の主搬送機構との間で基板が搬送される。これにより、第１の主搬送機構および副搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。また、副搬送機構および第３の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、副搬送機構と第３の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。

（４）第１の処理部は、基板に処理液を用いた処理を行う第１の液処理ユニットと、基板に熱処理を行う第１の熱処理ユニットと含み、第２の処理部は、基板に処理液を用いた処理を行う第２の液処理ユニットと、基板に熱処理を行う第２の熱処理ユニットと含み、第２の処理領域は、第１の液処理ユニットが配置される第１の液処理領域と、第１の熱処理ユニットが配置される第１の熱処理領域と、第２の主搬送機構が配置される第１の主搬送領域とを含み、第３の処理領域は、第２の液処理ユニットが配置される第２の液処理領域と、第２の熱処理ユニットが配置される第２の熱処理領域と、第３の主搬送機構が配置される第２の主搬送領域とを含み、第１および第２の液処理領域は、第１の方向において隣り合うように配置され、第１および第２の熱処理領域は、第１の方向において隣り合うように配置され、第１および第２の主搬送領域は、第１の方向において隣り合うように配置され、第１の主搬送領域は、第１の方向と交差する第２の方向において第１の液処理領域と第１の熱処理領域との間に配置され、第２の主搬送領域は、第２の方向において第２の液処理領域と第２の熱処理領域との間に配置され、副搬送領域は、第１および第２の熱処理領域に関して第１および第２の主搬送領域と反対側において、第１の方向に延びるように設けられ、第１の基板載置部は、第１の主搬送領域と副搬送領域との間に配置され、第２の基板載置部は、第２の主搬送領域と副搬送領域との間に配置されてもよい。

この場合、簡単な構成で、基板が第１の主搬送領域の第２の主搬送機構により第１の液処理領域の第１の液処理ユニットおよび第１の熱処理領域の第１の熱処理ユニットに搬送される。

また、簡単な構成で、基板が第１の基板載置部を介して第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板が搬送されるとともに、第２の基板載置部を介して副搬送機構と第２の主搬送領域の第３の主搬送機構との間で基板が搬送される。さらに、簡単な構成で、基板が第３の主搬送機構により第２の液処理領域の第２の液処理ユニットおよび第２の熱処理領域の第２の熱処理ユニットに搬送される。

これにより、第２の処理領域および第３の処理領域においてそれぞれ基板に液処理および熱処理を独立的かつ並列的に行うことができる。したがって、基板処理装置の構成および制御を複雑化することなく基板処理装置のスループットを向上させることが可能になる。

（５）第１の処理部は、第１の下部処理部と、第１の下部処理部の上方に配置される第１の上部処理部とを含み、第２の主搬送機構は、第１の下部処理部に対して基板を搬入または搬出する第１の下部主搬送機構と、第１の下部主搬送機構の上方に配置され、第１の上部処理部に対して基板を搬入または搬出する第１の上部主搬送機構とを含み、第２の処理部は、第２の下部処理部と、第２の下部処理部の上方に配置される第２の上部処理部とを含み、第３の主搬送機構は、第２の下部処理部に対して基板を搬入または搬出する第２の下部主搬送機構と、第２の下部主搬送機構の上方に配置され、第２の上部処理部に対して基板を搬入または搬出する第２の上部主搬送機構とを含み、副搬送機構は、第１の主搬送機構から第２の下部主搬送機構に基板を搬送するとともに第２の下部主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送するように構成される第１の副搬送機構と、第１の主搬送機構から第２の上部主搬送機構に基板を搬送するとともに第２の上部主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送するように構成される第２の副搬送機構とを含み、第１の副搬送機構は、第１の主搬送機構から第２の上部主搬送機構に基板を搬送可能に構成されるとともに第２の上部主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送可能に構成され、第２の副搬送機構は、第１の主搬送機構から第２の下部主搬送機構に基板を搬送可能に構成されるとともに第２の下部主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送可能に構成されてもよい。

この場合、第２の処理領域において第１の下部主搬送機構により基板が第１の下部処理部に搬入され、第１の下部処理部から基板が搬出される。また、第２の処理領域において第１の上部主搬送機構により基板が第１の上部処理部に搬入され、第１の上部処理部から基板が搬出される。また、第１の副搬送機構により基板が第１の処理領域から第２の下部主搬送機構に搬送され、第３の処理領域において第２の下部主搬送機構により基板が第２の下部処理部に搬入される。さらに、第３の処理領域において第２の下部主搬送機構により基板が第２の下部処理部から搬出され、第１の副搬送機構により基板が第１の処理領域に搬送される。これにより、多数の基板を並列的に処理を行うことができる。

また、第１の副搬送機構は、第１の主搬送機構から第２の上部主搬送機構に基板を搬送可能であるとともに第２の上部主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送可能である。これにより、第２の副搬送機構に異常が発生した場合でも、第１の主搬送機構と第２の上部主搬送機構との間での基板の搬送を行うことができる。さらに、第２の下部処理部または第２の下部主搬送機構に異常が発生した場合でも、第１の主搬送機構と第２の上部主搬送機構との間での基板の搬送を行うことにより、基板の処理を継続することができる。

また、第２の副搬送機構は、第１の主搬送機構から第２の下部主搬送機構に基板を搬送可能であるとともに第２の下部主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送可能である。これにより、第１の副搬送機構に異常が発生した場合でも、第１の主搬送機構と第２の下部主搬送機構との間での基板の搬送を行うことができる。さらに、第２の上部処理部または第２の上部主搬送機構に異常が発生した場合でも、第１の主搬送機構と第２の下部主搬送機構との間での基板の搬送を行うことにより、基板の処理を継続することができる。

（６）第２の処理領域の第１の処理部と第３の処理領域の第２の処理部とは、互いに同一の処理を基板に行ってもよい。

この場合、同一のソフトウエアにより第２および第３の主搬送機構を制御することができる。これにより、第２および第３の主搬送機構を制御するソフトウエアを単純化することができる。

（７）第２の参考形態に係る基板処理装置は、第１、第２および第３の処理領域と、副搬送領域とを備え、第２の処理領域は、第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置され、第１の処理領域は、基板を搬送する第１の主搬送機構を含み、第２の処理領域は、基板に処理を行う処理部と、基板を搬送する第２の主搬送機構とを含み、処理部は、複数の処理ユニットを含み、第３の処理領域は、基板を搬送する第３の主搬送機構を含み、副搬送領域は、基板を搬送する副搬送機構を含み、副搬送機構は、第１の主搬送機構と複数の処理ユニットのうち少なくとも一の処理ユニットとの間で基板を搬送するように構成され、第２の主搬送機構は、複数の処理ユニットのうち他の処理ユニットに対する基板の搬入または搬出、第１の主搬送機構との間での基板の受け渡し、および第３の主搬送機構との間での基板の受け渡しを行うように構成されるものである。

この基板処理装置においては、第２の処理領域が第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置される。基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第２の処理領域の処理部の複数の処理ユニットのうち少なくとも一の処理ユニットに搬送される。一の処理ユニットにより基板に一の処理が行われる。

一の処理後の基板が、第２の主搬送機構により複数の処理ユニットのうち他の処理ユニットに搬入される。他の処理ユニットにより基板に他の処理が行われる。他の処理後の基板が、第２の主搬送機構により他の処理ユニットから搬出され、第３の処理領域の第３の主搬送機構に受け渡される。また、基板が、第３の主搬送機構により第２の主搬送機構に受け渡され、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構に受け渡される。

この場合、第２の処理領域の処理部の複数の処理ユニットのうち少なくとも一の処理ユニットへの基板の搬送が副搬送機構により行われる。したがって、第２の主搬送機構による搬送の工程数が低減する。これにより、第２の主搬送機構の負担を軽減することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

（８）基板処理装置は、第１の主搬送機構と副搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置されるとともに、副搬送機構と第２の主搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第１の基板載置部をさらに備えてもよい。

この場合、第１の基板載置部を介して第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板が搬送される。また、第１の基板載置部を介して副搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板が搬送される。これにより、第１の主搬送機構および副搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第１の主搬送機構と副搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。また、副搬送機構および第２の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、副搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。

（９）複数の処理ユニットは、基板に処理液を用いた処理を行う液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと含み、少なくとも一の処理ユニットは熱処理ユニットを含み、第２の処理領域は、液処理ユニットが配置される液処理領域と、熱処理ユニットが配置される熱処理領域と、第２の主搬送機構が配置される主搬送領域とを含み、主搬送領域は、液処理領域と熱処理領域との間に配置され、副搬送領域は、熱処理領域に関して主搬送領域と反対側に設けられ、第１の基板載置部は、主搬送領域と副搬送領域との間に配置されてもよい。

この場合、簡単な構成で、主搬送領域の第２の主搬送機構により基板が第１の液処理領域および熱処理領域に搬送される。これにより、基板に一の処理として熱処理を行うことができる。また、基板に他の処理として、処理液を用いた処理および熱処理を行うことができる。

（１０）基板処理装置は、第１の主搬送機構と第２の主搬送機構との間で受け渡される基板が一時的に載置される第２の基板載置部と、第２の主搬送機構と第３の主搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第３の基板載置部とをさらに備えてもよい。

この場合、第２の基板載置部を介して第１の主搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板が搬送される。また、第３の基板載置部を介して第２の主搬送機構と第３の主搬送機構との間で基板が搬送される。これにより、第１の主搬送機構および第２の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第１の主搬送機構と第２の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。また、第２の主搬送機構および第３の主搬送機構の搬送速度が異なる場合でも、第２の主搬送機構と第３の主搬送機構との間で基板を確実に搬送することができる。

（１１）第１の処理領域は、基板を収納する基板収納容器が載置される容器載置部をさらに含み、第１の主搬送機構は、容器載置部に載置された基板収納容器と第２の主搬送機構との間で基板を搬送するとともに容器載置部に載置された基板収納容器と副搬送機構との間で基板を搬送するように構成されてもよい。

この場合、容器載置部の基板収納容器に収納された基板が第１の主搬送機構により第２の主搬送機構または副搬送機構に順次搬送される。また、第２の主搬送機構または副搬送機構により第１の主搬送機構に搬送される基板が容器載置部の基板収納容器に順次収納される。これにより、複数の基板に効率よく処理を行うことができる。

（１２）基板処理装置は、第３の処理領域に隣接するように配置される第４の処理領域をさらに備え、第４の処理領域は、基板を搬送する第４の主搬送機構を含み、第３の主搬送機構は、副搬送機構と第２の処理部と第４の主搬送機構との間で基板を搬送するように構成されてもよい。

この場合、第３の主搬送機構により副搬送機構と第２の処理部と第４の主搬送機構との間で基板を搬送することが可能となる。

（１３）第３の参考形態に係る基板処理方法は、第１、第２および第３の処理領域と副搬送領域とを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、第２の処理領域は、第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置され、第１の処理領域に配置された第１の主搬送機構により基板を搬送するステップと、第２の処理領域に配置された第２の主搬送機構により第１の主搬送機構と第２の処理領域の処理部との間で基板を搬送するステップと、処理部により基板に処理を行うステップと、第３の処理領域に配置された第３の主搬送機構により基板を搬送するステップと、副搬送領域により配置された副搬送機構により第１の主搬送機構から第３の主搬送機構に基板を搬送するステップと、副搬送機構により第３の主搬送機構から第１の主搬送機構に基板を搬送するステップとを備えるものである。

この基板処理方法においては、第２の処理領域が第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置される。一の基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により第２の処理領域の第２の主搬送機構に搬送され、第２の主搬送機構により処理部に搬送される。処理部により基板に処理が行われる。処理後の基板が、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構に搬送される。

また、他の基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第３の処理領域の第３の主搬送機構に搬送される。さらに、基板が、第３の処理領域の第３の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第１の処理領域の第１の主搬送機構に搬送される。

この構成によれば、第２の処理領域の第２の主搬送機構を用いることなく第１の処理領域と第３の処理領域との間で基板を搬送することができる。これにより、第１または第３の処理領域におけるスループットが第２の処理領域におけるスループットにより制限されることを防止することができる。したがって、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

（１４）第４の参考形態に係る基板処理方法は、第１、第２および第３の処理領域と副搬送領域とを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、第２の処理領域は、第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置され、第１の処理領域に配置された第１の主搬送機構により基板を搬送するステップと、第２の処理領域に配置された第２の主搬送機構により第１の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うステップと、第２の処理領域に配置された複数の処理ユニットにより基板に処理を行うステップと、副搬送領域に配置された副搬送機構により第１の主搬送機構と複数の処理ユニットのうち少なくとも一の処理ユニットとの間で基板を搬送するとともに少なくとも一の処理ユニットと第２の主搬送機構との間で基板を搬送するステップと、第２の主搬送機構により副搬送機構と複数の処理ユニットのうち他の処理ユニットとの間で基板を搬送するステップと、第２の主搬送機構により第３の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うステップと、第３の処理領域に配置された第３の主搬送機構により基板を搬送するステップとを備えるものである。

この基板処理方法においては、第２の処理領域が第１の処理領域と第３の処理領域との間に配置される。基板が、第１の処理領域の第１の主搬送機構により副搬送領域の副搬送機構に搬送され、副搬送機構により第２の処理領域の処理部の複数の処理ユニットのうち少なくとも一の処理ユニットに搬送される。一の処理ユニットにより基板に一の処理が行われる。

一の処理後の基板が、副搬送機構および第２の主搬送機構により複数の処理ユニットのうち他の処理ユニットに搬入される。他の処理ユニットにより基板に他の処理が行われる。他の処理後の基板が、第２の主搬送機構により他の処理ユニットから搬出され、第３の処理領域の第３の主搬送機構に受け渡される。また、基板が、第３の主搬送機構により第２の主搬送機構に受け渡され、第２の主搬送機構により第１の主搬送機構に受け渡される。

この場合、第２の処理領域の処理部の複数の処理ユニットのうち少なくとも一の処理ユニットへの基板の搬送が副搬送機構により行われる。したがって、第２の主搬送機構による搬送の工程数が低減する。これにより、第２の主搬送機構の負担を軽減することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることが可能となる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２，１３ 処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１〜２４，３１〜３４ 処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
１００ 基板処理装置
１１０ 副搬送室
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 主搬送機構
１１６，Ｈ１〜Ｈ４ ハンド
１１７，１１８ 副搬送機構
１１９ 開口部
１２１ 第１処理部
１２３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１３１ 第２処理部
１３３ 熱処理部
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
３１１〜３１３，４１１〜４１３，５１１〜５１３ ガイドレール
３１４，４１４，５１４ 移動部材
３１５ 回転部材
４１５，５１５ 支持部材
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＬＣ１，ＬＣ２ ローカルコントローラ
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１７ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＰＮ メインパネル
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 第１の方向に並ぶように配置された第１、第２および第３の処理領域と、
   副搬送領域とを備え、
   前記第２の処理領域は、前記第１の処理領域と前記第３の処理領域との間に配置され、
   前記第１の処理領域は、基板を搬送する第１の主搬送機構を含み、
   前記第２の処理領域は、基板に処理を行う第１の処理部と、基板を搬送する第２の主搬送機構とを含み、前記第１の処理部および前記第２の主搬送機構は、前記第１の方向に交差する第２の方向に並ぶように配置され、
   前記第１の処理部は、複数の第１の処理ユニットを含み、
   前記複数の第１の処理ユニットは、
   基板の加熱処理および冷却処理を行う熱処理ユニットと、
   基板の冷却処理を行う冷却ユニットと、
   基板に密着強化処理を行う密着強化処理ユニットとを含み、
   前記第３の処理領域は、基板を搬送する第３の主搬送機構を含み、
   前記副搬送領域は、基板を搬送する副搬送機構を含み、
   前記副搬送機構は、前記第１の主搬送機構と前記複数の第１の処理ユニットのうち前記冷却ユニットまたは前記密着強化処理ユニットとの間で基板を搬送するように構成され、
   前記第２の主搬送機構は、前記複数の第１の処理ユニットのうち前記熱処理ユニットまたは前記冷却ユニットに対する基板の搬入または搬出、前記第１の主搬送機構との間での基板の受け渡し、および前記第３の主搬送機構との間での基板の受け渡しを行うように構成され、
   前記副搬送領域は、前記第１および第２の方向に交差する第３の方向において前記熱処理ユニットに重なるように配置される、基板処理装置。
2. 前記第１の主搬送機構と前記副搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置されるとともに、前記副搬送機構と前記第２の主搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第１の基板載置部をさらに備える、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記複数の第１の処理ユニットは、基板に処理液を用いた処理を行う液処理ユニットをさらに含み、
   前記第２の処理領域は、前記液処理ユニットが配置される液処理領域と、前記熱処理ユニット、冷却ユニットおよび密着強化処理ユニットが配置される熱処理領域と、前記第２の主搬送機構が配置される主搬送領域とを含み、
   前記主搬送領域は、前記液処理領域と前記熱処理領域との間に配置され、
   前記副搬送領域および前記第１の基板載置部は、前記第３の方向において前記熱処理ユニットに重なるように配置される、請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記第１の主搬送機構と前記第２の主搬送機構との間で受け渡される基板が一時的に載置される第２の基板載置部と、
   前記第２の主搬送機構と前記第３の主搬送機構との間で搬送される基板が一時的に載置される第３の基板載置部とをさらに備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記第１の処理領域は、基板を収納する基板収納容器が載置される容器載置部をさらに含み、
   前記第１の主搬送機構は、前記容器載置部に載置された基板収納容器と前記第２の主搬送機構との間で基板を搬送するとともに前記容器載置部に載置された基板収納容器と前記副搬送機構との間で基板を搬送するように構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記第３の処理領域に隣接するように配置される第４の処理領域をさらに備え、
   前記第４の処理領域は、基板を搬送する第４の主搬送機構を含み、
   前記第３の処理領域は、基板に処理を行う第２の処理部をさらに含み、
   前記第３の主搬送機構は、前記副搬送機構と前記第２の処理部と前記第４の主搬送機構との間で基板を搬送するように構成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記第２の処理部は、複数の第２の処理ユニットを含み、
   前記副搬送機構は、前記複数の第２の処理ユニットのうち少なくとも一の第２の処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行い、
   前記第３の主搬送機構は、前記複数の第２の処理ユニットのうちの他の第２の処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行うように構成される、請求項６記載の基板処理装置。
8. 第１、第２および第３の処理領域と副搬送領域とを備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
   前記第２の処理領域は、前記第１の処理領域と前記第３の処理領域との間に配置され、
   前記第１の処理領域に配置された第１の主搬送機構により基板を搬送するステップと、
   前記第２の処理領域に配置された第２の主搬送機構により前記第１の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うステップと、
   前記第２の処理領域に配置された複数の処理ユニットにより基板に処理を行うステップと、
   前記副搬送領域に配置された副搬送機構により前記第１の主搬送機構と前記複数の処理ユニットのうち冷却ユニットまたは密着強化処理ユニットとの間で基板を搬送するとともに前記冷却ユニットまたは前記密着強化処理ユニットと前記第２の主搬送機構との間で基板を搬送するステップと、
   前記第２の主搬送機構により前記第１の主搬送機構と前記複数の処理ユニットのうち熱処理ユニットまたは前記冷却ユニットとの間で基板を搬送するステップと、
   前記第２の主搬送機構により前記第３の処理領域に配置された第３の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うステップと、
   前記第３の主搬送機構により基板を搬送するステップとを備え、
   前記熱処理ユニットは、基板の加熱処理および冷却処理を行い、
   前記冷却ユニットは、基板の冷却処理を行い、
   前記密着強化処理ユニットは、基板に密着強化処理を行い、
   前記第１、第２および第３の処理領域は、第１の方向に並ぶように配置され、
   前記複数の処理ユニットおよび前記第２の主搬送機構は、前記第１の方向に交差する第２の方向に並ぶように配置され、
   前記副搬送領域は、前記第１および第２の方向に交差する第３の方向において前記熱処理ユニットに重なるように配置される、基板処理方法。

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