JP2011205004A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットRSWにより裏面洗浄された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH12により保持されて冷却ユニットCPに搬送される。冷却ユニットCPにより温度調整された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Wがインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH13により保持されて露光装置から基板載置部PASS9に搬送される。
【選択図】図4
Description
(1)基板処理装置の構成
図1は、第1の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図1および後述する図2〜図4には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、Z方向を中心とする回転方向をθ方向とする。
次に、本実施の形態に係る基板処理装置500の動作について図1〜図4を参照しながら説明する。
まず、インデクサブロック1、反射防止膜用処理ブロック2、レジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4の動作について簡単に説明する。
次に、インターフェースブロック5の動作について詳細に説明する。
次に、裏面洗浄処理ユニットRSWの詳細について説明する。
図5は、裏面洗浄処理ユニットRSWの構成を説明するための図である。
ここで、基板反転装置760のチャック開閉装置763およびチャック764,765の詳細について説明する。図6(a)は図5に示すチャック開閉装置763およびチャック764,765の上面図であり、図6(b)は図6(a)に示すチャック開閉装置763およびチャック764,765のA−A線断面図である。
次に、上記構成を有する裏面洗浄処理ユニットRSWの処理動作について説明する。なお、以下に説明する裏面洗浄処理ユニットRSWの各構成要素の動作は、図1のメインコントロ−ラ(制御部)91により制御される。
図4に示すように、インターフェースブロック5内の上方には、清浄な空気を供給するための空気供給ユニット61が設けられる。また、インターフェースブロック5内の下方には、雰囲気を排気するための空気排出ユニット62が設けられる。
インターフェース用搬送機構IFR1,IFR2の詳細な動作について説明する。図7はインターフェース用搬送機構IFR2のハンドH21,H22の動作を示すフローチャートであり、図8はインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11〜H13の動作を示すフローチャートであり、図9はインターフェースブロック5内の基板Wの搬送経路を示す図である。インターフェース用搬送機構IFR2のハンドH21,H22およびインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11〜H13はメインコントローラ(制御部)91により制御される。
本実施の形態においては、裏面洗浄処理ユニットRSWから冷却ユニットCPへの基板Wの搬送がインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH12により行われ、冷却ユニットCPから露光装置6への基板Wの搬送がインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11により行われ、露光装置6から基板載置部PASS9への基板Wの搬送がハンドH13により行われる。
(1)基板処理装置の構成
第2の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置500と異なる点を説明する。図10は、第2の実施の形態におけるインターフェースブロック5を露光装置6側から見た概略側面図である。図10に示すように、本実施の形態においては、裏面洗浄処理ユニットRSWはインターフェースブロック5内の−X側の上部に配置される。この場合、+X側に裏面洗浄処理ユニットRSWが配置されない。
第2の実施の形態に係る基板処理装置500において、インデクサブロック1に搬入された基板Wは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック4(図1参照)の基板載置部PASS7に載置される。
第2の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構IFR1,IFR2の詳細な動作について説明する。図11は第2の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構IFR2のハンドH21〜H23の動作を示すフローチャートであり、図12は第2の実施の形態におけるインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11,H12の動作を示すフローチャートであり、図13は第2の実施の形態におけるインターフェースブロック5内の基板Wの搬送経路を示す図である。インターフェース用搬送機構IFR2のハンドH21〜H23および第1のインターフェース用搬送機構IFR1のハンドH11,H12はメインコントローラ(制御部)91により制御される。
本実施の形態においては、基板載置部PASS7からエッジ露光部EEWへの基板Wの搬送がインターフェース用搬送機構IFR2のハンドH22により行われ、エッジ露光部EEWから裏面洗浄処理ユニットRSWへの基板Wの搬送がインターフェース用搬送機構IFR2のハンドH23により行われ、裏面洗浄処理ユニットRSWから基板載置部PASS8への基板Wの搬送がインターフェース用搬送機構IFR2のハンドH21により行われる。
上記実施の形態において、インターフェース用搬送機構IFR1,IFR2は2個または3個のハンドを有するが、これに限定されない。インターフェース用搬送機構IFR1,IFR2は、4個以上のハンドを有してもよい。この場合、基板の処理工程の数が増加しても、基板処理の効率を低下させることなく、基板の裏面の汚染を防止することができる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
2 反射防止膜用処理ブロック
3 レジスト膜用処理ブロック
4 現像処理ブロック
5 インターフェースブロック
6 露光装置
6a 基板搬入部
6b 基板搬出部
11〜13 隔壁
20 反射防止膜用塗布処理部
21,31,41,51 スピンチャック
22,32,42 供給ノズル
30 レジスト膜用塗布処理部
40 現像処理部
52 光照射器
53 ケーシング
54 冷却プレート
60 温調装置
61 空気供給ユニット
62 空気排出ユニット
63,64,71 流通管
65,66,73 流量調整ダンパ
70 窒素供給装置
91 メインコントローラ
92 キャリア載置台
100,101 反射防止膜用熱処理部
110,111 レジスト膜用熱処理部
120 現像用熱処理部
121 露光後ベーク用熱処理部
121b 接続口
500 基板処理装置
710 アーム駆動装置
711,725 回転軸
712 アーム
713 ブラッシング装置
714 ブラシ
715 ブラッシングモータ
721 スピンチャック
722 保持ピン
723 処理カップ
724 ガード
731 排液空間
732 回収液空間
733 仕切壁
734 排液管
735 回収管
736 チャック回転駆動機構
741 排液案内溝
742 回収液案内部
743 仕切壁収納溝
751 洗浄液供給ノズル
752 不活性ガス供給ノズル
753 洗浄液供給管
754 不活性ガス供給管
760 基板反転装置
761 昇降用駆動装置
762 昇降軸
763 チャック開閉装置
764,765 チャック
766,767 支持体
768 支持部材
768a,768b 支持部
A1,A2 アーム
B1,B2 ベース部
BARC,RES 塗布ユニット
C キャリア
CP 冷却ユニット
CR1〜CR3 センターロボット
CRH1〜CRH6,H11〜H13,H21〜H23,IRH1,IRH2 ハンド
DEV 現像処理ユニット
EEW エッジ露光部
HP 加熱ユニット
IFR1,IFR2 インターフェース用搬送機構
IR インデクサロボット
LC ローカルコントローラ
M1,M2 モータ
PASS1〜PASS9 基板載置部
R1 洗浄液供給源
R3 不活性ガス供給源
S1,S2 支持部
RBF 戻りバッファ部
RSW 裏面洗浄処理ユニット
SBF 送りバッファ部
T1,T2 回転軸
Vd,Ve バルブ
W 基板
Claims (11)
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板の表面に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記受け渡し部は、
前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ前記露光装置による露光処理前に基板の裏面を洗浄する裏面洗浄ユニットと
基板を保持して搬送する複数の保持部を有する搬送装置とを含み、
前記搬送装置は、前記裏面洗浄ユニットによる裏面洗浄後の基板を前記複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して前記露光装置に搬送し、前記露光装置からの露光処理後の基板を前記複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送するように構成されたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記受け渡し部は、基板の温度を調整する温度調整部をさらに含み、
前記一または複数の保持部は、
前記温度調整部から前記露光処理前の基板を保持して前記露光装置に搬送する第1の保持部と、
前記裏面洗浄ユニットから裏面洗浄後の基板を保持して前記温度調整部に搬送する第2の保持部とを含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記温度調整部は、
基板を取り囲む筐体と、
前記筐体の内部に乾燥気体を供給する気体供給部とを含むことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記受け渡し部は、前記露光処理後の基板が載置される載置部をさらに含み、
前記他の保持部は、前記露光装置から前記載置部に基板を保持して搬送する第3の保持部を含むことを特徴とする請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記搬送装置は、第1および第2の搬送ユニットを含み、
前記第1の搬送ユニットは、前記第1の保持部、前記第2の保持部および前記第3の保持部を有し、
前記第2の搬送ユニットは、
前記処理部から前記受け渡し部内に前記感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第4の保持部と、
前記受け渡し部内で前記露光処理後の基板を保持して搬送する第5の保持部とを含むことを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。 - 前記第3の保持部は、前記第1および第2の保持部よりも下方に配置されることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 前記第1の保持部は、前記第2の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項5または6記載の基板処理装置。
- 前記搬送装置は、第1および第2の搬送ユニットを含み、
前記第1の搬送ユニットは、前記第1の保持部および前記第3の保持部を有し、
前記第2の搬送ユニットは、
前記第2の保持部と、
前記処理部から前記受け渡し部内に前記感光性膜の形成後の基板を保持して搬送する第4の保持部と、
前記感光性膜の形成後の基板を前記受け渡し部で保持して前記裏面洗浄ユニットに搬送する第5の保持部とを有することを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。 - 前記第1の保持部は、前記第3の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
- 前記第2の保持部は、前記第4および第5の保持部よりも上方に配置されることを特徴とする請求項8または9記載の基板処理装置。
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、前記基板処理装置は、感光性膜形成ユニット、裏面洗浄ユニット、および複数の保持部を有する搬送装置を備え、
前記感光性膜形成ユニットにより基板の表面に感光性材料からなる感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜の形成後でかつ前記露光装置による露光処理前に裏面洗浄ユニットにより基板の裏面を洗浄する工程と、
前記洗浄後の基板を前記搬送装置の前記複数の保持部のうち一または複数の保持部により保持して前記露光装置に搬送する工程と、
前記露光装置からの露光処理後の基板を前記搬送装置の前記複数の保持部のうち他の保持部により保持して搬送する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
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