KR100758623B1

KR100758623B1 - 기판처리 장치 및 기판처리 방법

Info

Publication number: KR100758623B1
Application number: KR1020050106058A
Authority: KR
Inventors: 코지 카네야마; 슈지 시바타; 츠요시 오쿠무라; 슈이치 야스다; 마사시 카나오카; 타다시 미야기; 카즈히토 시게모리
Original assignee: 가부시키가이샤 소쿠도
Priority date: 2004-11-10
Filing date: 2005-11-07
Publication date: 2007-09-13
Also published as: US7497633B2; CN1773674B; JP2006310724A; KR20060052515A; TW200625394A; CN1773674A; US20060108068A1; TWI299512B

Abstract

기판처리장치는, 인덱서 블럭, 반사 방지 막용 처리 블럭, 레지스트 막용 처리 블럭, 건조/현상 처리 블럭 및 인터페이스 블럭을 구비한다. 인터페이스 블럭에 인접하도록 노광 장치가 배치된다. 건조/현상 처리 블럭은 건조 처리부를 구비한다. 인터페이스 블럭은 인터페이스용 반송 기구를 구비한다. 노광 장치에서 기판에 노광 처리가 실시된 후, 기판은 인터페이스용 반송 기구에 의해 건조 처리부로 반송된다. 건조 처리부에서 기판의 세정 및 건조가 행하여진다.

기판처리장치, 인덱서 블럭, 반사 방지 막용 처리 블럭, 레지스트 막용 처리 블럭

Description

기판처리 장치 및 기판처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

도1은 본 발명의 1실시형태에 관한 기판처리 장치의 평면도이다.

도2는 도1의 기판처리 장치를 +X방향으로부터 본 측면도이다.

도3은 도1의 기판처리 장치를 -X방향으로부터 본 측면도이다.

도4는 건조 처리 유닛의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도5는 건조 처리 유닛의 동작을 설명하기 위한 도이다.

도6은 세정 처리용 노즐과 건조 처리용 노즐이 일체로 설치된 경우의 모식도이다.

도7은 건조 처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.

도8은 도7의 건조 처리용 노즐을 이용한 경우의 기판의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.

도9는 건조 처리용 노즐의 다른 예를 나타내는 모식도이다.

도10은 건조 처리 유닛의 다른 예를 나타내는 모식도이다.

도11은 도10의 세정 처리 유닛을 이용한 경우의 기판의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.

도12는 인터페이스용 반송 기구의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.

도13은 세정 및 건조 처리에 이용되는 2유체 노즐의 내부구조의 일례를 나타내는 종단면도이다.

도14는 도13의 2유체 노즐을 이용한 경우의 기판의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.

본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판처리 장치 및 기판처리 방법에 관한 것이다.

반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종기판에 여러가지 처리를 행하기 위해서, 기판처리 장치가 이용되고 있다.

이러한 기판처리 장치에서는, 일반적으로, 한 장의 기판에 대하여 복수의 다른 처리가 연속적으로 행하여진다. 일본국 특허공개공보 제2003-324139호에 기재된 기판처리 장치는, 인덱서 블럭, 반사 방지 막용 처리 블럭, 레지스트 막용 처리 블럭, 현상 처리 블럭 및 인터페이스 블럭으로 구성된다. 인터페이스 블럭에 인접하도록, 기판처리 장치와는 별체(別體)의 외부장치인 노광 장치가 배치된다.

상기 기판처리 장치에서는, 인덱서 블럭으로부터 반입되는 기판은, 반사 방지 막용 처리 블럭 및 레지스트 막용 처리 블럭에 있어서 반사 방지 막의 형성 및 레지스트 막의 도포 처리가 행하여진 후, 인터페이스 블럭을 통해서 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판상의 레지스트 막에 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 인터페이 스 블럭을 통해서 현상 처리 블럭으로 반송된다. 현상 처리 블럭에 있어서 기판상의 레지스트 막에 현상 처리가 행하여지는 것에 의해 레지스트 패턴이 형성된 후, 기판은 인덱서 블럭으로 반송된다.

최근, 디바이스의 고밀도화 및 고집적화에 따라, 레지스트 패턴의 미세화가 중요한 과제가 되고 있다. 종래의 일반적인 노광 장치에서는, 렉칠의 패턴을 투영 렌즈를 통해서 기판상에 축소 투영함으로써 노광 처리가 행하여지고 있었다. 그러나, 이러한 종래의 노광 장치에서는, 노광 패턴의 선폭은 노광 장치의 광원의 파장에 의해 결정되기 때문에, 레지스트 패턴의 미세화에 한계가 있었다.

여기에서, 노광 패턴을 보다 더 미세화할 수 있게 하는 투영 노광 방법으로서, 액침법(液浸法)이 제안되어 있다(예컨대, 국제공개 제99/49504호 팜플렛 참조). 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치에서는, 투영 광학계와 기판과의 사이에 액체가 채워지고 있어, 기판표면에서의 노광 광을 단파장화할 수 있다. 그것에 의하여, 노광 패턴을 보다 더 미세화할 수 있게 된다.

그렇지만, 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛의 투영 노광 장치에서는, 기판과 액체가 접촉한 상태에서 노광 처리가 행하여지므로, 기판은, 액체가 부착된 상태에서 노광 장치로부터 반출된다. 그 때문에, 상기 일본국 특허공개공보 제2003-324139호의 기판처리 장치에 상기 국제공개 제99/49504호 팜플렛에 기재되어 있는 바와 같은 액침법을 이용한 노광 장치를 외부장치로서 설치할 경우, 노광 장치로부터 반출된 기판에 부착되어 있는 액체가 기판처리 장치 내로 낙하하여, 기판처리 장치의 전기계통의 이상 등의 동작 불량이 발생하는 우려가 있다.

또한, 노광 처리 후의 물방울 찌꺼기,및 기판상의 유기막으로부터의 용출물 등에 의해 기판이 오염되어져, 후처리 공정에서 기판의 처리 불량이 발생할 우려가 있다.

본 발명의 목적은, 노광 장치에서 기판에 부착된 액체에 의한 동작 불량이 방지된 기판처리 장치 및 기판처리 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 노광 처리 후의 기판의 오염에 의한 기판의 처리 불량이 방지된 기판처리 장치를 제공하는 것이다.

(1)

본 발명의 일국면을 따르는 기판처리 장치는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치이며, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수(授受)를 행하기 위한 수수부를 구비하고, 처리부는, 기판의 건조를 행하는 제1 처리 유닛을 포함하고, 수수부는, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 포함하고, 반송 장치는, 노광 장치로부터 반출된 기판을 제1 처리 유닛으로 반송하는 것이다.

그 기판처리 장치에서는, 처리부에서 기판에 소정의 처리가 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판에 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 제1 처리 유닛으로 반송된다.

제1 처리 유닛에서 기판의 건조가 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 처 리부로 반송된다.

이렇게, 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 건조된 후에 처리부로 반송된다. 이 경우, 노광 장치에서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리 장치 내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리 장치의 동작 불량을 방지할 수 있다.

(2)

제1 처리 유닛은, 기판상에 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판의 건조 처리를 행하여도 좋다. 이 경우, 불활성 가스를 이용하므로, 기판상의 막에 대한 화학적 영향을 방지하면서 기판을 확실하게 건조시킬 수 있다.

(3)

수수부(授受部)는, 기판에 소정의 처리를 행하는 제2 처리 유닛과 기판이 일시적으로 재치되는 재치부(載置部)를 더 포함하고, 반송 장치는, 처리부, 제2 처리 유닛 및 재치부와의 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송 유닛과, 재치부, 노광 장치 및 제1 처리 유닛과의 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송 유닛을 포함하고, 제2 반송 유닛은, 노광 장치로부터 반출된 기판을 제1 처리 유닛으로 반송해도 좋다.

이 경우, 처리부에서 기판에 소정의 처리가 행하여진 후, 기판은 제1 반송 유닛에 의해 제2 처리 유닛으로 반송된다. 제2 처리 유닛에서 기판에 소정의 처리가 행하여진 후, 기판은 제1 반송 유닛에 의해 재치부로 반송된다. 그 후, 기판은 제2 반송 유닛에 의해 재치부에서 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판에 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 제2 반송 유닛에 의해 제1 처리 유닛으로 반송된 다. 제1 처리 유닛에서 기판의 건조가 행하여진 후, 기판은 제2 반송 유닛에 의해 재치부로 반송된다. 그 후, 기판은 제1 반송 유닛에 의해 재치부에서 처리부로 반송된다.

이렇게, 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 건조된 후에 재치부로 반송된다. 이 경우, 노광 장치에서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리 장치내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리 장치의 동작 불량을 방지할 수 있다.

(4)

제2 반송 유닛은, 기판을 유지하는 제1 및 제2 유지부를 구비하고, 제2 반송 유닛은, 재치부에서 노광 장치에 기판을 반송할 때 및 제1 처리 유닛으로부터 재치부에 기판을 반송할 때는 제1 유지부에 의해 기판을 유지하고, 노광 장치로부터 제1 처리 유닛으로 기판을 반송할 때는 제2 유지부에 의해 기판을 유지해도 좋다.

이 경우, 제1 유지부는, 노광 처리전 및 건조 처리 후의 액체가 부착되지 않은 기판을 반송할 때에 이용되고, 제2 유지부는, 노광 처리 직후의 액체가 부착된 기판을 반송할 때에 이용된다. 그것에 의하여, 제1 유지부에 액체가 부착되는 일은 없다. 또한, 건조 처리 후의 기판은 제1 유지부에 의해 반송되므로, 건조 처리 후의 기판에 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다.

(5)

제2 유지부는 제1 유지부에서도 하측에 마련되어져도 좋다. 이 경우, 제2 유지부 및 그것이 유지하는 기판으로부터 액체가 낙하했다고 하더라도, 제1 유지부 및 그것이 유지하는 기판에 액체가 부착되는 일은 없다. 그것에 의하여, 건조 처리 후의 기판에 액체가 부착되는 것이 확실하게 방지된다.

(6)

제2 처리 유닛은, 기판의 주변부를 노광하는 에지 노광부를 포함해도 좋다. 이 경우, 에지 노광부에서 기판의 주변부에 노광 처리가 행하여진다.

(7)

처리부는, 노광 장치에 의한 노광 처리전에 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 제3의 처리 유닛을 더 포함해도 좋다.

이 경우, 노광 장치에서 감광성 막에 노광 패턴이 형성된 후, 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조가 행하여진다. 그것에 의하여, 감광성 재료의 성분이 노광시에 기판에 부착된 액체 속으로 용출하는 것을 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 감광성 막에 형성된 노광 패턴이 변형하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.

(8)

제1 처리 유닛은, 기판의 건조 전에 기판의 세정을 더 행하여도 좋다.

이 경우, 노광시에 액체가 부착된 기판을 노광 장치로부터 제1 처리 유닛으로 반송하는 사이에 기판에 대기중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 확실하게 제거할 수 있다. 그것에 의하여, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(9)

제1 처리 유닛은, 기판을 거의 수평으로 유지하는 기판유지 장치와, 기판유 지 장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전시키는 회전 구동장치와, 기판유지 장치에 유지된 기판상에 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 세정액 공급부에 의해 기판상에 세정액이 공급된 후에 기판상에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부를 구비해도 좋다.

이 제1 처리 유닛에서는, 기판유지 장치에 의해 기판이 거의 수평으로 유지되고, 회전 구동장치에 의해 기판이 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전된다. 또한, 세정액 공급부에 의해 기판상에 세정액이 공급되고, 이어서, 불활성 가스 공급부에 의해 불활성 가스가 공급된다.

이 경우, 기판을 회전시키면서 기판상에 세정액이 공급되므로, 기판상의 세정액은 원심력에 의해 기판의 주변부로 이동해 비산한다. 따라서, 세정액에 의해 제거된 먼지 등의 부착물이 기판상에 잔류하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 기판을 회전시키면서 기판상에 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 세정후에 기판상에 잔류한 세정액이 효율적으로 배제된다. 그것에 의하여, 기판상에 먼지 등의 부착물이 잔류하는 것을 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 기판을 확실하게 건조할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(10)

불활성 가스 공급부는, 세정액 공급부에 의해 기판상에 공급된 세정액이 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.

이 경우, 세정액이 기판상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(11)

제1 처리 유닛은, 세정액 공급부에 의해 세정액이 공급된 후로서 불활성 가스 공급부에 의해 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 구비해도 좋다.

이 경우, 린스액에 의해 세정액을 확실하게 씻어 버릴 수 있으므로, 먼지 등의 부착물이 기판상에 잔류하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

(12)

불활성 가스 공급부는, 린스액 공급부에 의해 기판상에 공급된 린스액이 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.

이 경우, 린스액이 기판상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(13)

처리부는, 기판에 약액처리를 행하는 약액처리 유닛과, 기판에 열처리를 행하는 열처리 유닛을 포함해도 좋다.

이 경우, 약액처리 유닛에서 기판에 소정의 약액처리가 행하여지고, 열처리 유닛에서 기판에 소정의 열처리가 행하여진다. 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 건조된 후에 약액처리 유닛 및 열처리 유닛으로 반송되므로, 노광 장치에서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 약액처리 유닛 및 열처리 유닛에 낙하하는 일은 없다.

(14)

본 발명의 다른 국면을 따르는 기판처리 방법은, 노광 장치에 인접하도록 배치되어, 처리부, 반송 장치 및 제1 처리 유닛을 구비한 기판처리 장치에서 기판을 처리하는 방법으로서, 처리부에 의해 기판에 소정의 처리를 행하는 공정과, 처리부에 의해 처리된 기판을 반송 장치에 의해 노광 장치로 반송하는 공정과, 노광 장치로부터 반출된 기판을 반송 장치에 의해 제1 처리 유닛으로 반송하는 공정과, 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조를 행하는 공정과, 제1 처리 유닛에 의해 건조된 기판을 반송 장치에 의해 처리부로 반송하는 공정을 구비한 것이다. 그 기판처리 방법에 있어서는, 처리부에서 기판에 소정의 처리가 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 노광 장치로 반송된다. 노광 장치에서 기판에 노광 처리가 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 제1 처리 유닛으로 반송된다.

제1 처리 유닛에서 기판의 건조가 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 처리부로 반송된다.

이렇게, 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 건조된 후에 처리부로 반송된다. 이 경우, 노광 장치에서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리 장치내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리 장치의 동작 불량을 방지할 수 있다.

(15)

반송 장치에 의해 기판을 제1 처리 유닛으로 반송하는 공정 후로서 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조를 행하는 공정 전에, 제1 처리 유닛에 의해 기판의 세정을 행하는 공정을 더 구비해도 좋다.

이 경우, 제1 처리 유닛에서 노광후의 기판의 세정이 행하여지므로, 노광시에 액체가 부착된 기판을 노광 장치로부터 제1 처리 유닛으로 반송하는 사이에 기판에 대기중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 확실하게 제거할 수 있다. 그것에 의하여, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(16)

본 발명의 또 다른 국면을 따르는 기판처리 장치는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위한 수수부를 구비하고, 처리부는, 액체 및 기체를 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 유체 노즐에 의해 기판의 세정을 행하는 제1 처리 유닛을 포함하고, 수수부는, 처리부와 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 포함하고, 반송 장치는, 노광 장치로부터 반출된 기판을 제1 처리 유닛으로 반송하는 것이다.

제1 처리 유닛에서 기판의 세정이 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 처 리부로 반송된다.

이렇게, 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 세정 처리가 행하여진 후에 처리부로 반송된다. 제1 처리 유닛에서는, 유체 노즐에 의해 기판에 기체 및 액체를 포함하는 혼합 유체가 공급된다.

이 경우, 유체 노즐로부터 토출되는 혼합 유체는 미세한 물방울을 포함하므로, 기판표면에 요철이 있는 경우라도, 미세한 물방울에 의해 요철에 부착된 오염물이 벗겨내진다. 그것에 의하여, 기판표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 기판상의 막의 습윤성이 낮은 경우라도, 미세한 물방울에 의해 기판표면의 오염물이 벗겨지므로, 기판표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이들의 결과, 노광 처리 후의 기판의 오염에 의한 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.

또한, 기체의 유량을 조절하는 것에 의해, 기판을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이것에 의해, 기판상의 막이 파손하기 쉬운 성질을 갖는 경우에는 세정력을 약하게 함으로써 기판상의 막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판표면의 오염물이 강고할 경우에는 세정력을 강하게 함으로써 기판표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이렇게, 기판상의 막의 성질 및 오염물의 정도에 맞춰서 세정력을 조절하는 것에 의해, 기판상의 막의 파손을 방지 하면서, 기판을 확실하게 세정할 수 있다.

(17)

제1 처리 유닛은, 유체 노즐로부터 불활성 가스 및 세정액을 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 것에 의해 기판의 세정 처리를 행하여도 좋다.

이 경우, 불활성 가스를 이용하므로, 기판상의 막 및 세정액에 대한 화학적 영향을 방지하면서 기판표면의 오염물을 보다 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 노광 처리 후의 기판의 오염에 의한 기판의 처리 불량을 충분히 방지할 수 있다.

(18)

제1 처리 유닛은, 기판의 세정 처리 후에, 기판의 건조 처리를 행하여도 좋다

이 경우, 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 세정 및 건조 처리가 행하여진 후에 처리부로 반송된다. 그것에 의하여, 노광 처리시 또는 기판의 세정 처리시에 있어서 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리 장치내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리 장치의 전기계통의 이상 등의 동작 불량을 방지할 수 있다.

(19)

제1 처리 유닛은, 기판상에 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판의 건조 처리를 행하는 불활성 가스 공급부를 포함해도 좋다. 이 경우, 불활성 가스를 이용하므로, 기판상의 막에 대한 화학적 영향을 방지하면서 기판을 확실하게 건조시킬 수 있다.

(20)

유체 노즐은 불활성 가스 공급부로서 기능해도 좋다. 이 경우, 유체 노즐로부터 기판상에 불활성 가스가 공급되어, 기판의 건조 처리가 행하여진다. 이것에 의해, 불활성 가스 공급부를 유체 노즐과 별개로 설치할 필요가 없다. 그 결과, 간 단한 구조로 기판의 세정 및 건조 처리를 확실하게 할 수 있다.

(21)

제1 처리 유닛은, 기판을 거의 수평으로 유지하는 기판유지 장치와, 기판유지 장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전시키는 회전 구동장치를 더 포함해도 좋다.

이 제1 처리 유닛에서는, 기판유지 장치에 의해 기판이 거의 수평으로 유지되고, 회전 구동장치에 의해 기판이 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전된다. 또한, 유체 노즐에 의해 기판상에 불활성 가스 및 세정액을 포함하는 혼합 유체가 공급되고, 이어서, 불활성 가스 공급부에 의해 불활성 가스가 공급된다.

이 경우, 기판을 회전시키면서 기판상에 세정액이 공급되므로, 기판상의 혼합 유체는 원심력에 의해 기판의 주변부로 이동해 비산한다. 따라서, 혼합 유체에 의해 제거된 먼지 등의 부착물이 기판상에 잔류하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 기판을 회전시키면서 기판상에 불활성 가스가 공급되므로, 기판의 세정 후에 기판상에 잔류한 혼합 유체가 효율적으로 배제된다. 그것에 의하여, 기판상에 먼지 등의 부착물이 잔류하는 것을 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 기판을 확실하게 건조할 수 있다. 그 결과, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(22)

제1 처리 유닛은, 유체 노즐로부터 기판상에 공급된 혼합 유체가 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.

이 경우, 혼합 유체가 기판상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(23)

제1 처리 유닛은, 유체 노즐로부터 혼합 유체가 공급된 후로서 불활성 가스 공급부에 의해 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 포함해도 좋다.

이 경우, 린스액에 의해 혼합 유체를 확실하게 씻어 버릴 수 있으므로, 먼지 등의 부착물이 기판상에 잔류하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

(24)

유체 노즐은 린스액 공급부로서 기능해도 좋다. 이 경우, 유체 노즐로부터 기판상에 린스액이 공급된다. 이것에 의해, 린스액 공급부를 유체 노즐과 별개로 설치할 필요가 없다. 그 결과, 간단한 구조에서 기판의 세정 및 건조 처리를 확실하게 할 수 있다.

(25)

제1 처리 유닛은, 린스액 공급부에 의해 기판상에 공급된 린스액이 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급해도 좋다.

이 경우, 린스액이 기판상의 중심부에 잔류하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하 여, 기판의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(26)

유체 노즐은, 액체가 유통하는 액체유로와, 기체가 유통하는 기체유로와, 액체유로에 연통해서 개구(開口)하는 액체토출구와, 액체토출구의 근방에 설치됨과 동시에 기체유로에 연통해서 개구하는 기체토출구를 가져도 좋다.

이 경우, 액체가 액체유로를 유통해서 액체토출구로부터 토출되는 동시에, 기체가 기체유로를 유통해서 기체토출구로부터 토출되어 유체 노즐의 외부에 있어서 액체와 기체가 혼합된다. 그것에 의하여, 안개상(霧狀)의 혼합 유체가 생성된다.

이렇게, 혼합 유체는 유체 노즐의 외부에서 액체와 기체가 혼합되는 것에 의해 생성된다. 이것에 의해, 유체 노즐의 내부에서 액체와 기체가 혼합되는 공간을 설치할 필요가 없다. 그 결과, 유체 노즐의 소형화가 가능해진다.

(27)

본 발명의 또 다른 국면을 따르는 기판처리 방법은, 노광 장치에 인접하도록 배치되어, 처리부, 반송 장치 및 제1 처리 유닛을 구비한 기판처리 장치에서 기판을 처리하는 방법으로서, 처리부에 의해 기판에 소정의 처리를 행하는 공정과, 처리부에 의해 처리된 기판을 반송 장치에 의해 노광 장치로 반송하는 공정과, 노광 장치로부터 반출된 기판을 반송 장치에 의해 제1 처리 유닛으로 반송하는 공정과, 제1 처리 유닛에서 액체 및 기체를 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 유체 노즐에 의해 기판의 세정을 행하는 공정과, 제1 처리 유닛에 의해 세정된 기판을 반 송 장치에 의해 처리부로 반송하는 공정을 구비한 것이다.

제1 처리 유닛에서 기판의 세정이 행하여진 후, 기판은 반송 장치에 의해 처리부로 반송된다.

이렇게, 제1 처리 유닛에 의해 노광 처리 후의 기판에 세정 처리가 행하여진 후에 처리부로 반송된다. 제1 처리 유닛에서는, 유체 노즐에 의해 기판에 기체 및 액체를 포함하는 혼합 유체가 공급된다.

이 경우, 유체 노즐로부터 토출되는 혼합 유체는 미세한 물방울을 포함하므로, 기판표면에 요철이 있을 경우라도, 미세한 물방울에 의해 요철에 부착된 오염물이 볏겨내진다. 그것에 의하여, 기판표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 기판상의 막의 습윤성이 낮은 경우라도, 미세한 물방울에 의해 기판표면의 오염물이 볏겨내지므로, 기판표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이들의 결과, 노광 처리 후의 기판의 오염에 의한 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.

또한, 기체의 유량을 조절하는 것에 의해, 기판을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이것에 의해, 기판상의 막이 파손되기 쉬운 성질을 갖는 경우에는 세정력을 약하게 함으로써 기판상의 막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판표면의 오염물이 강고할 경우에는 세정력을 강하게 함으로써 기판표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이렇게, 기판상의 막의 성질 및 오염물의 정도에 맞춰서 세정력을 조절하는 것에 의해, 기판상의 막의 파손을 방지하면서, 기판을 확실하게 세정할 수 있다.

(28)

제1 처리 유닛에 의해 기판의 세정을 행하는 공정후로서 제1 처리 유닛에 의해 세정된 기판을 반송 장치에 의해 처리부로 반송하는 공정 전에, 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조를 행하는 공정을 더 구비해도 좋다.

이 경우, 노광 처리 후의 기판은, 제1 처리 유닛에서 세정 및 건조 처리가 행하여진 후에 처리부로 반송된다. 그것에 의하여, 노광 처리시 또는 기판의 세정 처리시에 기판에 액체가 부착되어도, 그 액체가 기판처리 장치 내로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판처리 장치의 전기계통의 이상 등의 동작 불량을 방지할 수 있다. 또한, 기판을 세정후에 건조시키는 것에 의해, 대기중의 먼지 등이 기판에 부착되는 것이 방지되므로, 기판의 오염을 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.

[바람직한 실시예의 설명]

이하, 본 발명의 실시형태에 관한 기판처리 장치에 대해서 도면을 이용해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판은 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.

(1)제1 실시형태

(1-1)기판처리 장치의 구성

도1은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 기판처리 장치의 평면도이다.

도1 이후의 각 도면에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X 방향 및 Y방향은 수평면내에서 서로 직교하고, Z 방향은 연직방향에 상당한다. 또, 각방향에 있어서 화살표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대인 방향을 -방향이라고 한다. 또한, Z방향을 중심으로하는 회전 방향을 θ방향이라고 하고 있다.

도1에 도시한 바와 같이, 기판처리 장치(500)는, 인덱서 블럭(9), 반사 방지 막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 건조/현상 처리 블럭(12) 및 인터페이스 블럭(13)을 포함한다. 인터페이스 블럭(13)에 인접하도록 노광 장치(14)가 배치된다. 노광 장치(14)에 있어서는, 액침법에 의해 기판W의 노광 처리가 행하여진다.

이하, 인덱서 블럭(9), 반사 방지 막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 건조/현상 처리 블럭(12) 및 인터페이스 블럭(13)의 각각을 처리 블럭이라고 한다.

인덱서 블럭(9)은, 각 처리 블럭의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어 재치대(60) 및 인덱서 로봇IR를 포함한다. 인덱서 로봇IR에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드IRH가 설치된다.

반사 방지 막용 처리 블럭(10)은, 반사 방지 막용 열처리부(100), (101), 반사 방지 막용 도포 처리부(70) 및 제1 센터 로보트CR1을 포함한다. 반사 방지 막용 도포 처리부(70)는, 제1 센터 로보트CRl을 끼워서 반사 방지 막용 열처리부(100), (101)에 대향해서 설치된다. 제1 센터 로보트CR1에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH1, CRH2이 상하에 설치된다.

인덱서 블럭(9)과 반사 방지 막용 처리 블럭(10)과의 사이에는, 대기차단용 격벽(15)이 설치된다. 이 격벽(15)에는, 인덱서 블럭(9)과 반사 방지 막용 처리 블럭(10)과의 사이에서 기판W의 수수를 행하기 위한 기판재치부PASS1, PASS2이 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부PASS1는, 기판W을 인덱서 블럭(9)으로부터 반사 방지 막용 처리 블럭(10)으로 반송할 때에 이용할 수 있고, 하측의 기판재치부PASS2는, 기판W을 반사 방지 막용 처리 블럭(10)으로부터 인덱서 블럭(9)으로 반송할 때에 이용할 수 있다.

또한, 기판재치부PASS1, PASS2에는, 기판W의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시하지 않음)가 마련되어져 있다. 그것에 의하여, 기판재치부PASS1, PASS2에 있어서 기판W이 재치 되어 있는지 아닌지의 판정을 행하는 것이 가능해진다. 또한, 기판재치부PASS1, PASS2에는, 고정 설치된 복수개의 지지핀이 마련되어져 있다. 또, 상기 광학식의 센서 및 지지핀은, 후술하는 기판재치부PASS3∼PASSlO에도 동일하게 설치된다.

레지스트 막용 처리 블럭(11)은, 레지스트 막용 열처리부(110), (111), 레지스트 막용 도포 처리부(80) 및 제2 센터 로보트CR2를 포함한다. 레지스트 막용 도포 처리부(80)는, 제2 센터 로보트CR2를 끼워서 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에 대향해서 설치된다. 제2 센터 로보트CR2에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드 CRH3, CRH4이 상하에 설치된다.

반사 방지 막용 처리 블럭(10)과 레지스트 막용 처리 블럭(11)과의 사이에는, 대기차단용의 격벽(16)이 설치된다. 이 격벽(16)에는, 반사 방지 막용 처리 블럭(10)과 레지스트 막용 처리 블럭(11)과의 사이에서 기판W의 수수를 행하기 위한 기판재치부PASS3, PASS4가 상하로 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부PASS3은, 기판W을 반사 방지 막용 처리 블럭(10)으로부터 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로 반송할 때 이용할 수 있고, 하측의 기판재치부PASS4는, 기판W을 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로부터 반사 방지 막용 처리 블럭(10)으로 반송할 때 이용할 수 있다.

건조/현상 처리 블럭(12)은, 현상용 열처리부(120), (121), 현상 처리부(90), 건조 처리부(95) 및 제3의 센터 로보트CR3를 포함한다. 현상용 열처리부(121)는 인터페이스 블럭(13)에 인접하고, 후술한 바와 같이, 기판재치부PASS7, PASS8을 구비한다. 현상 처리부(90) 및 건조 처리부(95)는, 제3의 센터 로보트CR3를 끼워서 현상용 열처리부(120), (121)에 대향해서 설치된다. 제3의 센터 로보트CR3에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH5, CRH6가 상하에 설치된다.

레지스트 막용 처리 블럭(11)과 건조/현상 처리 블럭(12)과의 사이에는, 대기 차단용 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 레지스트 막용 처리 블럭(11)과 건조/현상 처리 블럭(12)과의 사이에서 기판W의 수수를 행하기 위한 기판재치부PASS5, PASS6이 상하에 근접해서 설치된다. 상측의 기판재치부PASS5은, 기판W을 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로부터 건조/현상 처리 블럭(12)으로 반송할 때에 이 용할 수 있어, 하측의 기판재치부PASS6은, 기판W을 건조/현상 처리 블럭(12)으로부터 레지스트 막용 처리 블럭(11)으로 반송할 때에 이용된다.

인터페이스 블럭(13)은, 제4 센터 로보트CR4, 버퍼SBF, 인터페이스용 반송 기구IFR 및 에지 노광부EEW를 포함한다. 또한, 에지 노광부EEW의 하측에는, 후술하는 반환 버퍼부RBF1, 기판재치부PASS9, PASS10 및 반환 버퍼부RBF2가 마련되어져 있다. 제4 센터 로보트CR4에는, 기판W을 수수하기 위한 핸드CRH7, CRH8이 상하에 설치된다.

인터페이스용 반송 기구IFR는, 기판W을 수수하기 위한 핸드H5 및 핸드H6를 갖는다. 인터페이스용 반송 기구IFR는, 기판재치부PASS9과 노광 장치(14)와의 사이, 노광 장치(14)과 건조 처리부(95)과의 사이 및 건조 처리부(95)과 기판재치부PASS10과의 사이에서 기판W의 수수를 한다. 인터페이스용 반송 기구IFR의 상세에 관해서는 후술한다.

본 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)에 있어서는, Y방향에 따라 인덱서 블럭(9), 반사 방지 막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 건조/현상 처리 블럭(12) 및 인터페이스 블럭(13)이 순차로 병설되어 있다.

도2는, 도1의 기판처리 장치(500)를 +X방향으로부터 본 측면도이다.

반사 방지 막용 처리 블럭(10)의 반사 방지 막용 도포 처리부(70)(도1 참조)에는, 3개의 도포 유닛BARC가 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포 유닛BARC은, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(71) 및 스핀 지퍼(71)위로 유지된 기판W에 반사 방지 막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(72)을 구비한다.

레지스트 막용 처리 블럭(11)의 레지스트 막용 도포 처리부(80)(도1참조)에는, 3개의 도포 유닛RES이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포 유닛RES은, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(81) 및 스핀 지퍼(81)위로 유지된 기판W에 레지스트 막의 도포 액을 공급하는 공급 노즐(82)을 구비한다.

건조/현상 처리 블럭(12)에는 현상 처리부(90) 및 건조 처리부(95)이 상하에 적층배치되어 있다. 현상 처리부(90)에는, 3개의 현상 처리 유닛DEV가 상하에 적층배치되어 있다. 각 현상 처리 유닛DEV는, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(91) 및 스핀 지퍼(91)위로 유지된 기판W에 현상액을 공급하는 공급 노즐(92)을 구비한다.

또한, 건조 처리부(95)에는, 2개의 건조 처리 유닛DRY이 상하에 적층배치되어 있다. 이 건조 처리 유닛DRY에서는, 기판W의 세정 및 건조 처리가 행하여진다. 건조 처리 유닛DRY의 상세에 관해서는 후술한다.

인터페이스 블럭(13)에는, 2개의 에지 노광부EEW, 반환 버퍼부RBF1, 기판재치부PASS9, PASSlO 및 반환 버퍼부RBF2가 상하에 적층배치되는 동시에, 제4 센터 로보트CR4(도1참조) 및 인터페이스용 반송 기구IFR가 배치된다. 각 에지 노광부EEW를, 기판W을 수평자세로 흡착 유지해서 회전하는 스핀 지퍼(98) 및 스핀 지퍼(98)위로 유지된 기판W의 주변을 노광하는 광조사기(99)를 구비한다

도3은, 도1의 기판처리 장치(500)를 -X방향으로부터 본 측면도이다.

반사 방지 막용 처리 블럭(10)의 반사 방지 막용 열처리부(100)에는, 2개의 수수부 첨부 열처리 유닛PHP(이하, 단지 열처리 유닛과 부른다.)과 3개의 핫플레이 트HP가 상하에 적층배치되고, 반사 방지 막용 열처리부(101)에는, 2개의 밀착 강화제 도포 처리부AHL 및 4개의 쿨링 플레이트CP가 상하에 적층배치된다. 또한, 반사 방지 막용 열처리부(100), (101)에는, 최상부에 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP, 밀착 강화제 도포 처리부AHL 및 쿨링 플레이트CP의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러LC가 각각 배치된다.

레지스트 막용 처리 블럭(11)의 레지스트 막용 열처리부(110)에는, 6개의 열처리 유닛PHP가 상하에 적층배치되어, 레지스트 막용 열처리부(111)에는, 4개의 쿨링 플레이트CP가 상하에 적층배치된다. 또한, 레지스트 막용 열처리부(110), (111)에는, 최상부에 열처리 유닛PHP 및 쿨링 플레이트CP의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러LC가 각각 배치된다.

건조/현상 처리 블럭(12)의 현상용 열처리부(120)에는, 4개의 핫플레이트HP 및 4개의 쿨링플레이트CP가 상하에 적층배치되고, 현상용 열처리부(121)에는 4개의 열처리 유닛PHP, 기판재치부PASS7, PASS8, 1개의 열처리 유닛PHP 및 쿨링 플레이트CP가 상하에 적층배치되어 있다. 또한, 현상용 열처리부(120), (121)에는, 최상부에 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP 및 쿨링 플레이트CP의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러LC가 각각 배치된다.

(1-2)기판처리 장치의 동작

다음에, 본 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)의 동작에 대해서 설명한다.

인덱서 블럭(9)의 캐리어 재치대(60) 위에는, 복수개의 기판W을 다단으로 수 납하는 캐리어C가 반입된다. 인덱서 로봇IR은, 핸드IRH를 이용해서 캐리어C 내에 수납된 미처리 기판W을 집어낸다. 그 후, 인덱서 로봇IR은 ±X방향로 이동하면서 ±θ방향으로 회전이동하고, 미처리 기판W을 기판 재치부PASS1에 재치한다.

본 실시형태에 있어서는, 캐리어C으로서 FOUP(front opening unified pod)를 채용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical InterFace) 포드(pod)나 수납 기판W을 외기에 쬐는 OC(open cassette) 등을 이용해도 좋다. 더욱이, 인덱서 로봇IR, 제1∼제4 센터 로보트CR1∼CR4 및 인터페이스용 반송 기구IFR에는, 각각 기판W에 대하여 직선적으로 슬라이드 시켜서 핸드의 진퇴 동작을 행하는 직동형(直動型) 반송 로보트를 이용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 관절을 움직이는 것에 의해 직선적으로 핸드의 진퇴 동작을 행하는 다관절형 반송 로보트를 이용해도 좋다.

기판재치부PASS1에 이적(移載)된 미처리 기판W을, 반사 방지 막용 처리 블럭(10)의 제1 센터 로보트CR1의 핸드CRH1에 의해 접수된다. 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH1에 의해 기판W을 반사 방지 막용 열처리부(100), (101)로 반입한다.

그 후, 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH2에 의해 반사 방지 막용 열처리부(100), (101)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내고, 반사 방지 막용 도포 처리부(70)로 반입한다. 이 반사 방지 막용 도포 처리부(70)에서는, 노광시에 발생하는 정재파(定在波)나 하레이션을 감소시키기 위해서, 도포 유닛BARC에 의해 트랜지스터막의 하부에 반사 방지 막이 도포 형성된다.

그 후, 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH1에 의해 반사 방지 막용 도포 처리부 (70)로부터 도포 처리가 끝난 기판W을 집어내고, 반사 방지 막용 열처리부(100), (101)로 반입한다. 다음에, 제1 센터 로보트CR1는, 핸드CRH2에 의해 반사 방지 막용 열처리부(100), (101)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내고, 기판재치부PASS3에 이적한다.

기판재치부PASS3에 이적된 기판W을, 레지스트 막용 처리 블럭(11)의 제2 센터 로보트CR2의 핸드CRH3에 의해 접수된다. 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH3에 의해 기판W을 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로 반입한다.

그 후, 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH4에 의해 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내어, 레지스트 막용 도포 처리부(80)로 반입한다. 이 레지스트 막용 도포 처리부(80)에서는, 도포 유닛RES에 의해 반사 방지 막이 도포 형성된 기판W위로 포토레지스트막이 도포 형성된다.

그 후, 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH3에 의해 레지스트 막용 도포 처리부(80)로부터 도포 처리가 끝난 기판W을 집어내어, 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로 반입한다. 다음에, 제2 센터 로보트CR2는, 핸드CRH4에 의해 레지스트 막용 열처리부(110), (111)로부터 열처리가 끝난 기판W을 집어내어, 기판재치부PASS5에 이적한다.

기판재치부PASS5에 이적된 기판W을, 현상 처리 블럭(12)의 제3의 센터 로보트CR3의 핸드CRH5에 의해 접수된다. 제3의 센터 로보트CR3는, 핸드CRH5에 의해 기판W을 기판재치부PASS7에 이적한다. 기판재치부PASS7에 이적된 기판W은, 인터페이스 블럭(13)의 제4 센터 로보트CR4의 핸드CRH7에 의해 접수된다. 제4 센터 로보트 CR4는, 핸드CRH7에 의해 기판W을 에지 노광부EEW로 반입한다. 이 에지 노광부EEW에서는, 기판W의 주변부에 노광 처리가 실시된다.

다음에, 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH8에 의해 에지 노광부EEW로부터 에지 노광 처리가 끝난 기판W을 집어낸다. 그 후, 제4 센터 로보트는, 핸드CRH7에 의해 현상용 열처리부(121)의 쿨링 플레이트CP로부터 냉각후의 기판W을 받는 동시에, 핸드CRH8에 의해 상기 의 에지 노광 처리가 끝난 기판W을 현상용 열처리부(121)의 쿨링 플레이트CP로 반입한다. 그 후, 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH7에 의해, 상기 냉각후의 기판W을 기판재치부PASS9에 이적한다.

기판재치부PASS9에 이적된 기판W은, 인터페이스용 반송 기구IFR에 의해 노광 장치(14)로 반입된다. 노광 장치(14)에서 기판W에 노광 처리가 실시된 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 기판W을 건조 처리 유닛DRY으로 반송한다. 건조 처리 유닛DRY에 있어서 기판W에 세정 및 건조 처리가 실시된 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 기판W을 기판재치부PASS10에 이적한다. 또, 인터페이스용 반송 기구IFR의 상세에 관해서는 후술한다.

기판재치부PASS10에 재치된 기판W은, 인터페이스 블럭(13)의 제4 센터 로보트CR4의 핸드CRH8에 의해 접수된다. 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH8에 의해 기판W을 건조/현상 처리 블럭(12)의 현상용 열처리부(121)로 이적한다. 현상용 열처리부(121)에 있어서는, 기판W에 대하여 열처리가 행하여진다. 그 후, 제4 센터 로보트CR4는, 핸드CRH8에 의해 현상용 열처리부(121)로부터 기판W을 집어내고, 기판재치부PASS8에 재치한다.

기판재치부PASS8에 이적된 기판W은, 건조/현상 처리 블럭(12)의 제3의 센터 로보트CR3의 핸드CRH6에 의해 접수된다. 제3의 센터 로보트CR3는, 핸드CRH6에 의해 기판W을 현상 처리부(90)로 반입한다. 현상 처리부(90)에서는, 노광된 기판W에 대하여 현상 처리가 실시된다.

그 후, 제3의 센터 로보트CR3는, 핸드CRH5에 의해 현상 처리부(90)로부터 현상 처리가 끝난 기판W을 집어내고, 현상용 열처리부(120)로 반입한다.

다음에, 제3의 센터 로보트CR3는, 핸드CRH6에 의해 현상용 열처리부(120)로부터 열처리 후의 기판W을 집어내고, 레지스트 막용 처리 블럭(11)에 설치된 기판재치부PASS6에 이적한다.

또, 고장 등에 의해 현상 처리부(90)에 있어서 일시적으로 기판W의 현상 처리를 행할 수 없을 때는, 현상용 열처리부(121)에 있어서 기판W에 열처리를 베푼 후, 인터페이스 블럭(13)의 반환 버퍼부RBF1에 기판W을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.

기판재치부PASS6에 이적된 기판W은, 레지스트 막용 처리 블럭(11)의 제2 센터 로보트CR2의 핸드CRH4에 의해 기판재치부PASS4에 이적된다. 기판재치부PASS4에 이적된 기판W은 반사 방지 막용 처리 블럭(10)의 제1 센터 로보트CR1의 핸드CRH2에 의해 기판재치부PASS2에 이적된다.

기판재치부PASS2에 이적된 기판W은, 인덱서 블럭(9)의 인덱서 로봇IR에 의해 캐리어C내에 수납된다. 이것에 의해, 기판처리 장치에서의 기판W의 각 처리가 종료한다.

(1-3)건조 처리 유닛

여기에서, 상기 건조 처리 유닛DRY에 대해서 도면을 이용해서 상세하게 설명한다

(1-3a)건조 처리 유닛의 구성

우선, 건조 처리 유닛DRY의 구성에 대해서 설명한다. 도4는 건조 처리 유닛DRY의 구성을 설명하기 위한 도이다.

도4에 도시한 바와 같이, 건조 처리 유닛DRY는, 기판W을 수평으로 유지하는 동시에 기판W의 중심을 지나는 연직된 회전축의 주위에서 기판W을 회전시키기 위한 스핀 지퍼(621)을 구비한다.

스핀 지퍼(621)는, 지퍼 회전 구동 기구(636)에 의해 회전되는 회전축(625)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀 지퍼(621)에는 흡기로(吸氣路)(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 스핀 지퍼(621) 위로 기판W을 재치한 상태에서 흡기로 내를 배기하는 것에 의해, 기판W의 하면을 스핀 지퍼(621)에 진공흡착하고, 기판W을 수평자세로 유지할 수 있다.

스핀 지퍼(621)의 바깥쪽으로는, 제1 회전운동 모터(660)가 마련되어져 있다. 제1 회전운동 모터(660)에는, 제1 회전운동축(661)이 접속되어 있다. 또한, 제1 회전운동축(661)에는, 제1 암(662)이 수평방향으로 연장되도록 연결되고, 제1 암(662)의 첨단에 세정 처리용 노즐(650)이 마련되어져 있다.

제1 회전운동 모터(660)에 의해 제1 회전운동축(661)이 회전하는 동시에 제1 암(662)이 회전운동 하여, 세정 처리용 노즐(650)이 스핀 지퍼(621)에 의해 유지된 기판W의 윗쪽으로 이동한다.

제1 회전운동 모터(660), 제1 회전운동축(661) 및 제1 암(662)의 내부를 지나도록 세정 처리용 공급관(663)이 마련되어져 있다. 세정 처리용 공급관(663)은, 밸브Va 및 밸브Vb를 통해서 세정액 공급원인R1 및 린스액 공급원인R2에 접속되어 있다. 이 밸브Va, Vb의 개폐를 제어하는 것에 의해, 세정 처리용 공급관(663)에 공급하는 처리액의 선택 및 공급량의 조정을 행할 수 있다. 도4의 구성에 있어서는, 밸브Va를 여는 것에 의해, 세정 처리용 공급관(663)에 세정액을 공급할 수 있고, 밸브Vb를 여는 것에 의해, 세정 처리용 공급관(663)에 린스액을 공급할 수 있다.

세정 처리용 노즐(650)에는, 세정액 또는 린스액이, 세정 처리용 공급관(663)을 통과시켜서 세정액 공급원R1 또는 린스액 공급원R2으로부터 공급된다. 그것에 의하여, 기판W의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 수 있다. 세정액으로서는, 예컨대, 순수(純水), 순수에 착물(이온화한 것)을 녹인 액 또는 불소계 약액 등을 이용할 수 있다. 린스액으로서는, 예컨대, 순수, 탄산수, 수소수, 전해 이온 물 및 HFE(하이드로 플루오로 에테르) 중 어느 하나를 이용할 수 있다.

스핀 지퍼(621)의 바깥쪽에는, 제2 회전운동 모터(671)가 마련되어져 있다. 제2 회전운동 모터(671)에는, 제2 회전운동축(672)이 접속되어 있다. 또한, 제2 회전운동축(672)에는, 제2 암(673)이 수평방향으로 연장되도록 연결되고, 제2 암(673)의 첨단에 건조 처리용 노즐(670)이 마련되어져 있다.

제2 회전운동 모터(671)에 의해 제2 회전운동축(672)이 회전하는 동시에 제2 암(673)이 회전운동 하고, 건조 처리용 노즐(670)이 스핀 지퍼(21)에 의해 유지된 기판W의 윗쪽으로 이동한다.

제2 회전운동 모터(671), 제2 회전운동축(672) 및 제2 암(673)의 내부를 지나도록 건조 처리용 공급관(674)이 마련되어져 있다. 건조 처리용 공급관(674)은, 밸브Vc를 통해서 불활성 가스 공급원인R3에 접속되어 있다. 이 밸브Vc의 개폐를 제어하는 것에 의해, 건조 처리용 공급관(674)에 공급하는 불활성 가스의 공급량을 조정할 수 있다.

건조 처리용 노즐(670)에는, 불활성 가스가, 건조 처리용 공급관(674)을 통과시켜서 불활성 가스 공급원인R3로부터 공급된다. 그것에 의하여, 기판W의 표면에 불활성 가스를 공급할 수 있다. 불활성 가스로는, 예컨대, 질소 가스(N₂)를 이용할 수 있다.

기판W의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는, 세정 처리용 노즐(650)은 기판W의 윗쪽에 위치하고, 기판W의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는, 세정 처리용 노즐(650)은 소정의 위치로 퇴피된다.

또한, 기판W의 표면에 세정액 또는 린스액을 공급할 때는, 건조 처리용 노즐(670)은 소정의 위치로 퇴피되고, 기판W의 표면에 불활성 가스를 공급할 때는, 건조 처리용 노즐(670)은 기판W의 윗쪽에 위치한다.

스핀 지퍼(621)에 유지된 기판W을, 처리컵(623)내에 수용된다. 처리컵(623)의 안쪽에는, 통모양의 경계벽(633)이 마련되어져 있다. 또한, 스핀 지퍼(621)의 주위를 둘러싸도록, 기판W의 처리에 이용할 수 있었던 처리액(세정액 또는 린스액)을 배액(俳液)하기 위한 배액공간(631)이 형성되어 있다. 또한, 배액공간(631)을 둘러싸도록, 처리컵(623)과 경계벽(633)의 사이에 기판W의 처리에 이용된 처리액을 회수하기 위한 회수액 공간(632)이 형성되어 있다.

배액공간(631)에는, 배액처리 장치(도시하지 않음)에 처리액을 이끌기 위한 배액관(634)이 접속되고, 회수액공간(632)에는, 회수 처리 장치(도시하지 않음)에 처리액을 이끌기 위한 회수관(635)이 접속되어 있다.

처리컵(623)의 윗쪽에는, 기판W로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 가드(624)가 마련되어져 있다. 이 가드(624)는, 회전축(625)에 대하여 회전 대칭인 형상으로 이루어져 있다. 가드(624)의 상단부의 내면에는, 단면 'く'자상의 배액안내홈(641)이 환상으로 형성되어 있다.

또한, 가드(624)의 하단부의 내면에는, 외측 아래쪽으로 기울어진 경사면으로 이루어지는 회수액 안내부(642)가 형성되어 있다. 회수액 안내부(642)의 상단부근에는, 처리컵(623)의 경계벽(633)을 받아들이기 위한 경계벽수납홈(643)이 형성되어 있다.

이 가드(624)에는, 볼 나사 기구 등으로 구성된 가드 승강 구동 기구(도시하지 않음)가 마련되어져 있다. 가드 승강 구동 기구는, 가드(624)를, 회수액 안내부(642)가 스핀 지퍼(621)에 유지된 기판W의 외주단면에 대향하는 회수 위치와, 배액 안내홈(641)이 스핀 지퍼(621)에 유지된 기판W의 외주단면에 대향하는 배액위치와의 사이에서 상하 이동시킨다. 가드(624)가 회수 위치(도4에 나타내는 가드의 위 치)에 있을 경우에는, 기판W에서 바깥쪽으로 비산한 처리액이 회수액 안내부(642)에 의해 회수액공간(632)에 이끌어져, 회수관(635)을 통과시켜서 회수된다. 한편, 가드(624)가 배액위치에 있는 경우에는, 기판W에서 바깥쪽으로 비산한 처리액이 배액안내홈(641)에 의해 배액공간(631)으로 유도되어, 배액관(634)을 통하여 배액 된다. 이상의 구성에 의해, 처리액의 배액 및 회수가 행하여진다.

(1-3b)건조 처리 유닛의 동작

다음에, 상기 구성을 갖는 건조 처리 유닛DRY의 처리 동작에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 건조 처리 유닛DRY의 각 구성 요소의 동작은, 도1의 메인 컨트롤러(30)에 의해 제어된다.

우선, 기판W의 반입시에는, 가드(624)가 하강하는 동시에, 도1의 인터페이스용 반송 기구IFR가 기판W을 스핀 지퍼(621) 위로 재치한다. 스핀 지퍼(621) 위로 재치된 기판W은, 스핀 지퍼(621)에 의해 흡착 유지된다.

다음에, 가드(624)가 상술한 폐액(廢液) 위치까지 이동하는 동시에, 세정 처리용 노즐(650)이 기판W의 중심부 윗쪽으로 이동한다. 그 후, 회전축(625)이 회전하고, 이 회전에 동반해 스핀 지퍼(621)에 유지되고 있는 기판W이 회전한다.

그 후, 세정 처리용 노즐(650)로부터 세정액이 기판W의 상면에 토출된다. 이것에 의해, 기판W의 세정이 행하여진다. 또, 기판W상에의 세정액의 공급은, 2유체 노즐을 이용한 소프트 스프레이 방식에 의해 행하여도 좋다. 2유체 노즐을 이용했을 경우의 건조 처리 유닛DRY의 예는 제2 실시형태에서 설명한다.

소정시간 경과후, 세정액의 공급이 정지되어, 세정 처리용 노즐(650)로부터 린스액이 토출된다. 이것에 의해, 기판W상의 세정액이 씻겨진다.

소정시간이 더 경과한 후, 회전축(625)의 회전속도가 저하한다. 이것에 의해, 기판W의 회전에 의해 뿌려지는 린스액의 량이 감소하고, 도5(a)에 도시한 바와 같이, 기판W의 표면전체에 린스액의 액층L이 형성된다. 또, 회전축(625)의 회전을 정지시켜서 기판W의 표면 전체에 액층L을 형성해도 좋다.

본 실시형태에 있어서는, 세정액처리용 노즐(650)로부터 세정액 및 린스액 중 어느 하나도 공급할 수 있도록, 세정액의 공급 및 린스액의 공급에 세정액처리용 노즐(650)을 공용하는 구성을 채용하고 있지만, 세정액 공급용 노즐과 린스액 공급용 노즐을 따로따로 나눈 구성을 채용해도 좋다.

또한, 린스액을 공급할 경우에는, 린스액이 기판W의 이면으로 돌아가지 않도록, 기판W의 이면에 대하여 도시하지 않는 백 린스용 노즐로부터 순수를 공급해도 좋다.

또, 기판W을 세정하는 세정액에 순수를 이용할 경우에는, 린스액 공급을 행할 필요는 없다.

다음에, 린스액의 공급이 정지되어, 세정 처리용 노즐(650)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에 건조 처리용 노즐(670)이 기판W의 중심부 윗쪽으로 이동한다. 그 후, 건조 처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 도5(b)에 도시한 바와 같이, 기판W의 중심부의 린스액이 기판W의 주변부로 이동하고, 기판W의 주변부에만 액층L이 존재하는 상태가 된다.

다음에, 회전축(625)(도4참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도5(c)에 도시한 바와 같이 건조 처리용 노즐(670)이 기판W의 중심부 윗쪽으로부터 주변부 윗쪽으로 서서히 이동한다. 이것에 의해, 기판W상의 액층L에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판W의 표면 전체에 불활성 가스를 내뿜을 수 있으므로, 기판W상의 액층L을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 기판W을 확실하게 건조시킬 수 있다.

다음에, 불활성 가스의 공급이 정지되어, 건조 처리 노즐(670)이 소정의 위치로 퇴피하는 동시에 회전축(625)의 회전이 정지한다. 그 후, 가드(624)가 하강하는 동시에 도1의 인터페이스용 반송 기구IFR가 기판W을 건조 처리 유닛DRY으로부터 반출한다. 이것에 의해, 건조 처리 유닛DRY에 있어서의 처리 동작이 종료한다.

또, 세정 및 건조 처리중에 있어서의 가드(624)의 위치는, 처리액의 회수 또는 폐액의 필요성에 따라 적시에 변경하는 것이 바람직하다.

(1-3c)건조 처리 유닛의 다른 예

또한, 도4에 나타낸 건조 처리 유닛DRY에 있어서는, 세정 처리용 노즐(650)과 건조 처리용 노즐(670)이 별개로 마련되어져 있지만, 도6에 도시한 바와 같이, 세정 처리용 노즐(650)과 건조 처리용 노즐(670)을 일체로 설치해도 좋다. 이 경우, 기판W의 세정 처리시 또는 건조 처리시에 세정 처리용 노즐(650) 및 건조 처리용 노즐(670)을 각각 따로따로 이동시킬 필요가 없으므로, 구동 기구를 단순화할 수 있다.

또한, 건조 처리용 노즐(670) 대신에, 도7에 나타내는 바와 같은 건조 처리 용 노즐(770)을 이용해도 좋다.

도7의 건조 처리용 노즐(770)은, 연직 하측으로 연장됨과 동시에 측면으로부터 비스듬히 하측으로 연장되는 분지관(771), (772)을 갖는다. 건조 처리용 노즐(770)의 하단 및 분지관(771), (772)의 하단에는 불활성 가스를 토출하는 가스 토출구(770a), (770b), (770c)가 형성되어 있다. 각토출구(770a), (770b), (770c)로부터는, 각각 도7의 화살표에 도시한 바와 같이 연직 아래쪽 및 비스듬히 아래쪽으로 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조 처리용 노즐(770)에서는, 아래쪽을 향해서 세차게 불어 범위가 확대하도록 불활성 가스가 토출된다.

여기에서, 건조 처리용 노즐(770)을 이용할 경우에는, 건조 처리 유닛DRY는 이하에 설명하는 동작에 의해 기판W의 건조 처리를 한다.

도8은, 건조 처리용 노즐(770)을 이용한 경우의 기판W의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.

우선, 도6에서 설명한 방법에 의해 기판W의 표면에 액층L이 형성된 후, 도8(a)에 도시한 바와 같이, 건조 처리용 노즐(770)이 기판W의 중심부 윗쪽로 이동한다.

그 후, 건조 처리용 노즐(770)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 도8(b)에 도시한 바와 같이, 기판W의 중심부의 린스액이 기판W의 주변부로 이동하고, 기판W의 주변부에만 액층L이 존재하는 상태가 된다. 또, 이때, 건조 처리용 노즐(770)은, 기판W의 중심부에 존재하는 린스액을 확실하게 이동시킬 수 있게 기판W의 표면에 근접시켜 둔다.

다음에, 회전축(625)(도4참조)의 회전수가 상승하는 동시에, 도8(c)에 도시한 바와 같이 건조 처리용 노즐(770)이 윗쪽로 이동한다. 이것에 의해, 기판W상의 액층L에 큰 원심력이 작용하는 동시에, 기판W상의 불활성 가스를 내뿜을 수 있는 범위가 확대된다. 그 결과, 기판W상의 액층L을 확실하게 제거할 수 있다. 또, 건조 처리용 노즐(770)은, 도4의 제2 회전운동축(672)에 설치된 회전운동축 승강 기구(도시하지 않음)에 의해서 제2 회전운동축(672)을 상하로 승강시키게 하는 것에 의해 상하로 이동시킬 수 있다.

또한, 건조 처리용 노즐(770) 대신에, 도9에 나타내는 바와 같은 건조 처리용 노즐(870)을 이용해도 좋다. 도9의 건조 처리용 노즐(870)은, 아래쪽을 향해서 서서히 지름이 확대되는 토출구(870a)를 갖는다. 이 토출구(870a)로부터는, 도9의 화살표에서 도시한 바와 같이 연직 아래쪽 및 비스듬히 아래쪽으로 불활성 가스가 토출된다. 즉, 건조 처리용 노즐(870)에 있어서도, 도7의 건조 처리용 노즐(770)과 같이, 아래쪽을 향해서 세차게 불어 범위가 확대되도록 불활성 가스가 토출된다. 따라서, 건조 처리용 노즐(870)을 이용하는 경우도, 건조 처리용 노즐(770)을 이용하는 경우와 같은 방법에 의해 기판W의 건조 처리를 행할 수 있다.

또한, 도4에 나타내는 건조 처리 유닛DRY 대신에, 도10에 나타내는 바와 같은 건조 처리 유닛DRYa를 이용해도 좋다.

도10에 나타내는 건조 처리 유닛DRYa가 도4에 나타내는 건조 처리 유닛DRY와 다른 것은 이하의 점이다.

도10의 건조 처리 유닛DRYa에는, 스핀 지퍼(621)의 윗쪽에, 중심부에 개구를 갖는 원판상의 차단판(682)이 마련되어져 있다. 암(688)의 첨단부근으로부터 연직하방향에 지지축(689)이 마련되어져, 그 지지축(689)의 하단에, 차단판(682)이 스핀 지퍼(621)에 유지된 기판W의 상면에 대향하도록 설치되어 있다.

지지축(689)의 내부에는, 차단판(682)의 개구에 연통한 가스 공급로(690)가 연통되어 있다. 가스 공급로(690)에는, 예컨대, 질소가스(N₂)가 공급된다.

암(688)에는, 차단판 승강 구동 기구(697) 및 차단판 회전 구동 기구(698)가 접속되어 있다. 차단판 승강 구동 기구(697)는, 차단판(682)을 스핀 지퍼(621)에 유지된 기판W의 상면에 근접한 위치와 스핀 지퍼(621)로부터 윗쪽에 떨어진 위치와의 사이에서 상하이동시킨다.

도10의 건조 처리 유닛DRYa에 있어서는, 기판W의 건조 처리시에, 도11에 도시한 바와 같이, 차단판(682)을 기판W에 근접시킨 상태에서, 기판W과 차단판(682)과의 사이의 간극에 대하여 가스 공급로(690)로부터 불활성 가스를 공급한다. 이 경우, 기판W의 중심부로부터 주변부에 효율 좋게 불활성 가스를 공급할 수 있으므로, 기판W상의 액층L을 확실하게 제거할 수 있다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 건조 처리 유닛DRY에 있어서 스핀 건조 방법에 의해 기판W에 건조 처리를 실시하지만, 감압 건조 방법, 에어 나이프 건조 방법 등 다른 건조 방법에 의해 기판W에 건조 처리를 실시해도 좋다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 린스액의 액층L이 형성된 상태에서, 건조 처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급하도록 하고 있지만, 린스액의 액층L을 형성하지 않을 경우 혹은 린스액을 이용하지 않을 경우에는 세정액의 액층을 기판W을 회전시켜서 일단 뿌리친 나중에, 바로 건조 처리용 노즐(670)로부터 불활성 가스를 공급해서 기판W을 완전히 건조시키도록 해도 좋다.

(1-3d)건조 처리 유닛의 효과

상기한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)에 있어서는, 노광 장치(14)에서 기판W에 노광 처리가 실시된 후, 건조 처리 유닛DRY에서 기판W에 건조 처리가 실시된다. 이 경우, 노광 처리시에 기판W에 부착된 액체는, 건조 처리 유닛DRY에서 제거된다. 그것에 의하여, 기판W이 건조 처리 유닛DRY으로부터 인터페이스 블럭(13), 건조/현상 처리 블럭(12), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 반사 방지 막용 처리 블럭(10) 및 인덱서 블럭(9)으로 반송될 때에, 기판처리 장치(500)내로 액체가 낙하하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판처리 장치(500)의 동작 불량이 방지된다.

또한, 건조 처리 유닛DRY에 있어서는, 기판W을 회전시키면서 불활성 가스를 기판W의 중심부로부터 주변부로 내뿜는 것에 의해 기판W의 건조 처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판W상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있으므로, 세정후의 기판W에 대기중의 먼지 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 기판W의 오염을 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 기판W의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 세정후의 기판W에 세정액 및 린스액이 잔류하는 것이 확실하게 방지되 므로, 건조 처리 유닛DRY으로부터 현상 처리부(90)에 기판W이 반송되는 사이에, 레지스트 성분이 세정액 및 린스액에 용출되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 레지스트 막에 형성된 노광 패턴의 변형을 방지할 수 있다. 그 결과, 현상 처리시에 있어서의 선폭정밀도의 저하를 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 건조 처리 유닛DRY에 있어서는, 기판W의 건조 처리 전에 기판W의 세정 처리가 행하여지고 있다. 이 경우, 노광시에 액체가 부착된 기판W이 노광 장치(14)로부터 건조 처리 유닛DRY으로 반송되는 사이에, 그 기판W에 대기중의 먼지 등이 부착되어도, 그 부착물을 확실하게 제거할 수 있다.

이들의 결과, 기판W의 처리 불량을 확실하게 방지할 수 있다.

(1-4)인터페이스용 반송 기구

다음에, 인터페이스용 반송 기구IFR에 대해서 설명한다. 도12는 인터페이스용 반송 기구IFR의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도이다.

(1-4a)인터페이스용 반송 기구의 구성 및 동작

우선, 인터페이스용 반송 기구IFR의 구성에 대해서 설명한다. 도12에 도시한 바와 같이, 인터페이스용 반송 기구IFR의 가동대(21)는 나축(螺軸)(22)에 나합(螺合)된다. 나축(22)은, X방향으로 연장되도록 지지대(23)에 의해 회전가능하게 지지된다. 나축(22)의 일단부에는 모터M1이 마련되고, 이 모터M1에 의해 나축(22)이 회전하여, 가동대(21)가 ±X방향에 수평이동한다.

또한, 가동대(21)에는 핸드 지지대(24)가 ±θ방향으로 회전가능하고 또한 ±Z방향으로 승강가능하게 탑재된다. 핸드 지지대(24)는, 회전축(25)을 통해서 가동대(21) 내의 모터M2에 연결되어 있고, 이 모터M2에 의해 핸드 지지대(24)가 회전한다. 핸드 지지대(24)에는, 기판W을 수평자세로 유지하는 2개의 핸드H5, H6가 진퇴가능하게 상하에 설치된다.

다음에, 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작에 대해서 설명한다. 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작은, 도1의 메인 컨트롤러(30)에 의해 제어된다.

우선, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 도12의 위치A에 있어서 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 +Z방향으로 상승시키고, 상측의 핸드H5를 기판재치부PASS9에 진입시킨다. 기판재치부PASS9에 있어서 핸드H5가 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H5를 기판재치부PASS9로부터 후퇴시켜, 핸드 지지대(24)을 -Z방향으로 하강시킨다.

다음에, 인터페이스용 반송 기구IFR는 -X방향로 이동하고, 위치B에 있어서 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 핸드H5를 노광 장치(14)의 기판반입부(14a)(도1참조)로 진입시킨다. 기판W을 기판반입부(14a)로 반입한 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H5를 기판반입부(14a)로부터 후퇴시킨다.

다음에, 인터페이스용 반송 기구IFR는 하측의 핸드H6를 노광 장치(14)의 기판반출부(14b)(도1참조)로 진입시킨다. 기판반출부(14b)에 있어서 핸드H6가 노광 처리 후의 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H6를 기판반출부(14b)로부터 후퇴시킨다.

그 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 +X방향로 이동하고, 위치A에서 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 +Z방향에 상승시키고, 2개 중에서 하나의 건조 처리 유닛DRY에 핸드H6를 진입시킨다. 건조 처리 유닛DRY에 기판W을 반입한 후, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H6를 건조 처리 유닛DRY으로부터 후퇴시킨다.

다음에, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드 지지대(24)을 ±Z방향에 상승 또는 하강시켜, 2개 중에서 다른 것의 건조 처리 유닛DRY에 핸드H5를 진입시킨다. 건조 처리 유닛DRY에서 핸드H5가 건조 처리 후의 기판W을 받으면, 인터페이스용 반송 기구IFR는 핸드H5를 건조 처리 유닛DYR로부터 후퇴시킨다.

다음에, 인터페이스용 반송 기구IFR는, 핸드 지지대(24)을 회전시키는 동시에 ±Z방향에 상승 또는 하강시켜, 핸드H5를 기판재치부PASS10로 진입시켜, 기판W을 기판재치부PASSlO에 이적한다.

또, 기판W을 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로 반송할 때에, 노광 장치(14)가 기판W을 받아 들일 수 없는 경우에, 기판W은 버퍼SBF에 일시적으로 수납 보관된다.

또한, 기판W을 노광 장치(14)로부터 건조 처리 유닛DRY으로 반송할 때에, 건조 처리 유닛DRY이 기판W를 받아들일 수 없을 경우에는, 기판W은 반환 버퍼부RBF2에 수납 보관된다.

(1-4b)인터페이스용 반송 기구의 효과

상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 기판W을 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로 반송할 때 및 건조 처리 유닛DRY으로부터 기판재치부PASSlO로 반송할 때는 인터페이스용 반송 기구IFR의 핸드H5를 이용하고, 기판W을 노광 장치(14)로부터 건조 처리 유닛DRY으로 반송할 때는 핸드H6를 이용한다. 즉, 노광 처리 직후의 액체가 부착된 기판W의 반송에는 핸드H6를 이용할 수 있고, 액체가 부착되지 않고 있는 기판W의 반송에는 핸드H5를 이용할 수 있다. 그것에 의하여, 핸드H5에 기판W의 액체가 부착되는 일은 없다.

또한, 핸드H6은 핸드H5의 하측으로 마련되어져 있으므로, 핸드H6 및 그것이 유지하는 기판W로부터 액체가 낙하했다고 한더라도, 핸드H5 및 그것이 유지하는 기판W에 액체가 부착되는 일은 없다.

이들의 결과, 건조 처리 후의 기판W에 액체가 부착되는 것이 확실하게 방지되므로, 액체의 기판처리 장치내에의 낙하에 의한 기판처리 장치의 동작 불량을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

(1-4c)제1 실시형태의 변형 예

또, 본 실시형태에 있어서는, 1대의 인터페이스용 반송 기구IFR에 의해, 기판재치부PASS9로부터 노광 장치(14)로의 반송, 노광 장치(14)로부터 건조 처리 유닛DRY에의 반송 및 건조 처리 유닛DRY으로부터 기판재치부PASS10로의 반송을 행하고 있지만, 복수의 인터페이스용 반송 기구IFR를 이용해서 기판W의 반송을 행하여도 좋다.

또한, 건조 처리 유닛DRY의 수도 2개로 한정되지 않고, 각 처리 블럭의 처리 속도에 따라 적절하게 변경해도 좋다.

또한, 노광 장치(14)의 기판반입부(14a) 및 기판반출부(14b)의 위치에 따라, 인터페이스용 반송 기구IFR의 동작 및 구성을 변경해도 좋다. 예컨대, 노광 장치(14)의 기판반입부(14a) 및 기판반출부(14b)가 건조 처리부(95)에 대향하는 위치에 있을 경우는, 도12의 나축(22)을 설치하지 않아도 좋다.

(2)제2 실시형태

(2-1)2유체 노즐을 이용한 건조 처리 유닛

제2 실시형태에 관한 기판처리 장치가 제1 실시형태에 관한 기판처리 장치와 다른 것은, 건조 처리 유닛DRY에 있어서 도4의 세정 처리용 노즐(650) 및 건조 처리용 노즐(670)의 대신에 도13에 나타내는 바와 같은 2유체 노즐을 이용할 수 있다는 점이다. 제2 실시형태에 관한 기판처리 장치의 다른 부분의 구성은, 제1 실시형태에 관한 기판처리 장치와 같다.

도13은, 세정 및 건조 처리에 이용할 수 있는 2유체 노즐(950)의 내부구조의 일 예를 나타내는 종단면도이다. 2유체 노즐(950)로부터는, 기체, 액체,및 기체와 액체와의 혼합 유체를 선택적으로 토출할 수 있다.

본 실시형태의 2유체 노즐(950)은 외부혼합형이라 불린다. 도13에 나타내는 외부혼합형의 2유체 노즐(950)은, 내부본체부(311) 및 외부본체부(312)에 의해 구성된다. 내부본체부(311)는, 예컨대 석영 등으로 이루어지고, 외부본체부(312)는, 예컨대 PTFE(폴리 데트라플루오로 에틸렌) 등의 불소수지로 이루어진다

내부 본체부(311)의 중심축에 따라 액체 도입부(311b)가 형성되어 있다. 액체도입부(311b)에는 도4의 세정 처리용 공급관(663)을 설치할 수 있다. 이것에 의해, 세정 처리용 공급관(663)으로부터 공급되는 세정액 또는 린스액이 액체도입부(311b)에 도입된다.

내부본체부(311)의 하단에는, 액체도입부(311b)에 연통하는 액체토출구(311a)가 형성되어 있다. 내부본체부(311)은, 외부본체부(312)내에 삽입되어 있다. 또, 내부본체부(311) 및 외부본체부(312)의 상단부는 서로 접합되고 있고, 하단은 접합되지 않고 있다.

내부본체부(311)과 외부본체부(312)의 사이에는, 원통상의 기체통과부(312b)가 형성되어 있다. 외부본체부(312)의 하단에는, 기체통과부(312b)에 연통 하는 기체토출구(312a)가 형성되어 있다. 외부본체부(312)의 주벽에는, 기체통과부(312b)에 연통 하도록 도4의 건조 처리용 공급관(674)이 설치되어 있다. 이것에 의해, 건조 처리용 공급관(674)으로부터 공급되는 불활성 가스가 기체통과부(312b)로 도입된다.

기체통과부(312b)는, 기체토출구(312a)근방에 있어서, 하측을 향함에 따라서 직경이 작게 되어 있다. 그 결과, 불활성 가스의 유속이 가속되어, 기체토출구(312a)로부터 토출된다.

액체토출구(311a)로부터 토출된 세정액과 기체토출구(312a)로부터 토출된 불활성 가스가 2유체 노즐(950)의 하단부근의 외부에서 혼합되어, 세정액의 미세한 물방울을 포함하는 무상의 혼합 유체가 생성된다.

도14는, 도13의 2유체 노즐(950)을 이용했을 경우의 기판W의 건조 처리 방법을 설명하기 위한 도이다.

우선, 도4에서 나타낸 것 같이, 기판W을 스핀 지퍼(621)에 의해 흡착 유지되어, 회전축(625)의 회전에 따라 회전한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대 약500rpm이다.

이 상태에서, 도14(a)에 도시한 바와 같이, 2유체 노즐(950)로부터 세정액 및 불활성 가스로 이루어지는 무상의 혼합 유체가 기판W의 상면에 토출되는 동시에, 2유체 노즐(950)이 기판W의 중심부 윗쪽으로부터 주변부 윗쪽으로 서서히 이동한다. 이것에 의해, 2유체 노즐(950)로부터 혼합 유체가 기판W의 표면전체에 내뿜을 수 있어, 기판W의 세정이 행하여진다.

2유체 노즐(950)로부터 토출되는 혼합 유체는 세정액의 미세한 물방울을 포함하므로, 기판W표면에 요철이 있는 경우라도, 세정액의 미세한 물방울에 의해 요철에 부착된 오염물이 볏겨내진다. 그것에 의하여, 기판W표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 기판W상의 막의 습윤성이 낮은 경우라도, 세정액의 미세한 물방울에 의해 기판W표면의 오염물이 볏겨내지므로, 기판W표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다.

또한, 불활성 가스의 유량을 조절하는 것에 의해, 기판W을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이것에 의해, 기판W상의 유기막(레지스트 막 및 레지스트 커버막)이 파손되기 쉬운 성질을 갖는 경우에는 세정력을 약하게 함으로써 기판W 상의 유기막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판W표면의 오염물이 강고할 경우에는 세정력을 강하게 함으로써 기판W 표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이렇게, 기판W 상의 유기막의 성질 및 오염물의 정도에 맞춰서 세정력을 조절하는 것에 의해, 기판W상의 유기막의 파손을 방지하면서, 기판W을 확실하게 세정할 수 있다.

이어서, 도14(b)에 도시한 바와 같이, 혼합 유체의 공급이 정지되고, 회전축(625)의 회전속도가 저하하는 동시에, 기판W상에 2유체 노즐(950)로부터 린스액이 토출된다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대 약 10rpm이다.

이것에 의해, 기판W의 표면 전체에 린스액의 액층L이 형성된다. 또, 회전축(625)의 회전을 정지시켜서 기판W의 표면전체에 액층L을 형성해도 좋다. 또한, 기판W을 세정하는 혼합 유체중의 세정액으로서 순수를 이용할 경우에는, 린스액의 공급을 하지 않아도 좋다.

액층L이 형성된 후, 린스액의 공급이 정지된다. 다음에, 도14(c)에 도시한 바와 같이, 기판W위로 2유체 노즐(950)로부터 불활성 가스가 토출된다. 이것에 의해, 기판W의 중심부의 세정액이 기판W의 주변부로 이동하고, 기판W의 주변부에만 액층L이 존재하는 상태가 된다.

그 후, 회전축(625)의 회전속도가 상승한다. 이 경우, 회전축(625)의 회전속도는 예컨대 약100rpm이다. 이것에 의해, 기판W상의 액층L에 큰 원심력이 작용하므로, 기판W상의 액층L을 제거할 수 있다. 그 결과, 기판W이 건조된다.

또, 기판W상의 액층L을 제거하는 때는, 2유체 노즐(950)이 기판W의 중심부 윗쪽으로부터 주변부 윗쪽에 서서히 이동해도 좋다. 이것에 의해, 기판W의 표면전 체에 불활성 가스를 내뿜을 수 있으므로, 기판W상의 액층L을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 기판W을 확실하게 건조시킬 수 있다.

(2-2)2유체 노즐을 이용한 건조 처리 유닛의 다른 예

또, 도13의 2유체 노즐(950)을 이용했을 경우에는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판W에 린스액을 공급하고 있지만, 별개인 노즐을 이용해서 기판W에 린스액을 공급해도 좋다.

또한, 도13의 2유체 노즐(950)을 이용했을 경우에는, 기판W상의 액층L을 제거할 때는, 2유체 노즐(950)에 의해 기판W에 불활성 가스를 공급하고 있지만, 별개인 노즐을 이용해서 기판W에 불활성 가스를 공급해도 좋다.

(2-3)제2 실시형태의 효과

제2 실시형태에 관한 기판처리 장치(500)에서는, 노광 장치(14)에서 기판W에 노광 처리가 행하여진 후, 건조 처리 유닛DRY에서 기판W의 세정 처리가 행하여진다. 이 경우, 노광 처리 후에 기판W에 부착된 물방울찌꺼기,및 기판상의 유기막으로부터의 용출물 등은, 건조 처리 유닛DRY에 있어서 2유체 노즐(950)로부터 세정액과 불활성 가스와의 혼합 유체가 기판W에 공급되는 것에 의해 제거된다.

2유체 노즐(950)로부터 토출되는 혼합 유체는 세정액의 미세한 물방울을 포함하므로, 기판W 표면에 요철이 있을 경우라도, 세정액의 미세한 물방울에 의해 요철에 부착된 오염물이 벗겨내진다. 그것에 의하여, 기판W표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 기판W상의 막의 습윤성이 낮을 경우라도, 세정액의 미세한 물방울에 의해 기판W표면의 오염물이 볏겨내지므로, 기판W표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이것들의 결과, 노광 처리 후의 기판의 오염에 의한 기판의 처리 불량을 방지할 수 있다.

또한, 불활성 가스의 유량을 조절하는 것에 의해, 기판W을 세정할 때의 세정력을 용이하게 조절할 수 있다. 이것에 의해, 기판W상의 유기막(레지스트 막 및 레지스트 커버 막)이 파손되기 쉬운 성질을 갖는 경우에는 세정력을 약하게 함으로써 기판W상의 유기막의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판W표면의 오염물이 강고할 경우에는 세정력을 강하게 함으로써 기판W표면의 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 이렇게, 기판W상의 유기막의 성질 및 오염물의 정도에 맞춰서 세정력을 조절하는 것에 의해, 기판W상의 유기막의 파손을 방지하면서, 기판W을 확실하게 세정할 수 있다.

또한, 건조 처리 유닛DRY에 있어서는 기판W의 세정 처리 후에 기판W의 건조 처리가 행하여진다. 그것에 의하여, 기판W에 공급된 세정액이 제거되므로, 기판W이 건조 처리 유닛DRY으로부터 인터페이스 블럭(13), 건조/현상 처리 블럭(12), 레지스트 막용 처리 블럭(11), 반사 방지 막용 처리 블럭(10) 및 인덱서 블럭(9)으로 반송될 때에, 기판처리 장치(500)내에 세정액이 낙하하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판처리 장치(500)의 동작 불량이 방지된다.

또한, 건조 처리 유닛DRY에서는, 기판W을 회전시키면서 불활성 가스를 기판W의 중심부로부터 주변부로 내뿜는 것에 의해 기판W의 건조 처리를 행하고 있다. 이 경우, 기판W상의 세정액 및 린스액을 확실하게 제거할 수 있으므로, 세정후의 기판W에 대기중의 먼지 등이 부착되는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 기판W의 오염을 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 기판W의 표면에 건조 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 세정후의 기판W에 세정액 및 린스액이 잔류하는 것이 확실하게 방지되므로, 건조 처리 유닛DRY으로부터 현상 처리부(90)에 기판W이 반송되는 사이에, 레지스트의 성분이 세정액 및 린스액에 용출하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 그것에 의하여, 레지스트 막에 형성된 노광 패턴의 변형을 방지할 수 있다. 그 결과, 현상 처리시에 있어서의 선폭정밀도의 저하를 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 제2 실시형태에 있어서는, 외부혼합형의 2유체 노즐(950)을 이용한다. 외부혼합형의 2유체 노즐(950)에서는, 혼합 유체는 2유체 노즐(950)의 외부에서 세정액과 불활성 가스가 혼합되는 것에 의해 생성된다. 2유체 노즐(950)의 내부에서는 불활성 가스와 세정액이 제 각기별 유로에 구분되어서 유통한다. 그것에 의하여, 기체통과부(312b) 내에 세정액이 잔류하는 일은 없고, 불활성 가스를 단독으로 2유체 노즐(950)로부터 토출할 수 있다. 더욱이, 세정 처리용 공급관(663)으로부터 린스액을 공급하는 것에 의해, 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 단독으로 토출할 수 있다. 따라서, 혼합 유체, 불활성 가스 및 린스액을 2유체 노즐(950)로부터 선택적으로 토출할 수 있다.

또한, 2유체 노즐(950)을 이용한 경우에는, 기판W에 세정액 또는 린스액을 공급하기 위한 노즐과, 기판W에 불활성 가스를 공급하기 위한 노즐을 각각 별개로 설치할 필요가 없다. 그것에 의하여, 간단한 구조에서 기판W의 세정 및 건조를 확실하게 할 수 있다.

(3) 청구항의 각 구성 요소와 실시형태 각부의 대응

본 실시형태에서는, 반사 방지 막용 처리 블럭(10), 레지스트 막용 처리 블럭(11) 및 건조/현상 처리 블럭(12)이 처리부에 상당하고, 인터페이스 블럭(13)이 수수부에 상당하고, 건조 처리 유닛DRY, DRYa이 제1 처리 유닛에 상당하고, 에지 노광부EEW이 제2 처리 유닛에 상당하고, 도포 유닛RES가 제3의 처리 유닛에 상당하고, 기판재치부PASS9, 10이 재치부에 상당하고, 제4 센터 로보트CR4이 제1 반송 유닛에 상당하고, 인터페이스용 반송 기구IFR가 제2 반송 유닛에 상당한다.

또한, 핸드H5가 제1 유지부에 상당하고, 핸드H6가 제2 유지부에 상당하고, 도포 유닛BARC, RES 및 현상 처리 유닛DEV가 약액처리 유닛에 상당하고, 열처리 유닛PHP, 핫플레이트HP 및 쿨링 플레이트CP가 열처리 유닛에 상당한다.

또한, 스핀 지퍼(621)이 기판유지 장치에 상당하고, 회전축(625) 및 지퍼 회전 구동 기구(636)가 회전 구동장치에 상당하고, 세정 처리용 노즐(650)이 세정액 공급부 및 린스액 공급부에 상당하고, 건조 처리용 노즐(670), (770), (870)이 불활성 가스 공급부에 상당한다.

또한, 2유체 노즐(950)이 유체 노즐에 상당하고, 액체도입부(311b)가 액체유로에 상당하고, 기체통과부(312b)가 기체유로에 상당한다.

본 발명은 노광 장치에서 기판에 부착된 액체에 의한 동작 불량이 방지된 기판처리 장치 및 기판처리 방법을 제공한다.

본 발명은 또한 노광 처리 후의 기판의 오염에 의한 기판의 처리 불량이 방지된 기판처리 장치를 제공한다.

Claims

노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치로서,

기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,

상기 처리부와 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수(授受)를 행하기 위한 수수부를 구비하고,

상기 처리부는, 기판의 건조를 행하는 제1 처리 유닛을 포함하고,

상기 수수부는, 상기 처리부와 상기 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 포함하고,

상기 반송 장치는, 상기 노광 장치로부터 반출된 노광 처리 후의 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하며,

상기 제1 처리 유닛은, 상기 반송 장치에 의해 반송된 노광 처리 후의 기판의 건조를 행하는, 기판처리 장치.
제 1항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 기판상에 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판을 건조시키는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 1항에 있어서,

상기 수수부는, 기판에 소정의 처리를 행하는 제2 처리 유닛과 기판이 일시적으로 재치 되는 재치부를 더 포함하고,

상기 반송 장치는, 상기 처리부, 상기 제2 처리 유닛 및 상기 재치부와의 사 이에서 기판을 반송하는 제1 반송 유닛과,

상기 재치부, 상기 노광 장치 및 상기 제1 처리 유닛의 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송 유닛을 포함하고,

상기 제2 반송 유닛은, 상기 노광 장치로부터 반출된 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 3항에 있어서,

상기 제2 반송 유닛은, 기판을 유지하는 제1 및 제2 유지부를 구비하고,

상기 제2 반송 유닛은, 상기 재치부에서 상기 노광 장치로 기판을 반송할 때 및 상기 제1 처리 유닛으로부터 상기 재치부로 기판을 반송할 때에는 상기 제1 유지부에 의해 기판을 유지하고,

상기 노광 장치로부터 상기 제1 처리 유닛으로 기판을 반송할 때는 상기 제2 유지부에 의해 기판을 유지하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 4항에 있어서,

상기 제2 유지부는 상기 제1 유지부보다 하측에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 3항에 있어서,

상기 제2 처리 유닛은, 기판의 주변부를 노광하는 에지 노광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 1항에 있어서,

상기 처리부는,

상기 노광 장치에 의한 노광 처리 전에 기판에 감광성 재료로 이루어지는 감광성 막을 형성하는 제3 처리 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 1항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 기판 건조 전에 기판을 더 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 8항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은,

기판을 거의 수평으로 유지하는 기판유지 장치와,

상기 기판유지 장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전시키는 회전 구동장치와,

상기 기판유지 장치에 유지된 기판상에 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,

상기 세정액 공급부에 의해 기판상에 세정액이 공급된 후에 기판상에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장 치.
제 9항에 있어서,

상기 불활성 가스 공급부는, 상기 세정액 공급부에 의해 기판상에 공급된 세정액이 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 9항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은,

상기 세정액 공급부에 의해 세정액이 공급된 후로서 상기 불활성 가스 공급부에 의해 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 11항에 있어서,

상기 불활성 가스 공급부는, 상기 린스액 공급부에 의해 기판상에 공급된 린스액이 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 1항에 있어서,

상기 처리부는, 기판에 약액처리를 행하는 약액처리 유닛과, 기판에 열처리 를 행하는 열처리 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
노광 장치에 인접하도록 배치되고, 처리부, 반송 장치 및 제1 처리 유닛을 구비한 기판처리 장치에서 기판을 처리하는 방법으로서,

상기 처리부에 의해 기판에 소정의 처리를 행하는 공정과,

상기 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 노광 장치로 반송하는 공정과,

상기 노광 장치로부터 반출된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 제1 처리 유닛으로 반송하는 공정과,

상기 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조를 행하는 공정과,

상기 제1 처리 유닛에 의해 건조된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 처리부로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.
제 14항에 있어서,

상기 반송 장치에 의해 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하는 공정 후로서 상기 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조를 행하는 공정 전에, 상기 제1 처리 유닛에 의해 기판의 세정을 행하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.
노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판처리 장치로서,

기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,

상기 처리부와 상기 노광 장치와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위한 수수부를 구비하고,

상기 처리부는, 액체 및 기체를 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 유체 노즐에 의해 기판의 세정을 행하는 제1 처리 유닛을 포함하고,

상기 수수부는, 상기 처리부와 상기 노광 장치와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 포함하고,

상기 반송 장치는, 상기 노광 장치로부터 반출된 기판을 상기 제1 처리 유닛으로 반송하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 16항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 상기 유체 노즐로부터 불활성 가스 및 세정액을 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 것에 의해 기판의 세정 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 16항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 기판의 세정 처리 후에, 기판의 건조 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 18항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 기판상에 불활성 가스를 공급하는 것에 의해 기판의 건조 처리를 행하는 불활성 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치
제 19항에 있어서,

상기 유체 노즐은 상기 불활성 가스 공급부로서 기능하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 19항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은,

기판을 거의 수평으로 유지하는 기판유지 장치와,

상기 기판유지 장치에 의해 유지된 기판을 그 기판에 수직한 축의 주위로 회전시키는 회전 구동장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 19항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 상기 유체 노즐로부터 기판상에 공급된 혼합 유체가 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 19항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은,

상기 유체 노즐로부터 혼합 유체가 공급된 후로서 상기 불활성 가스 공급부에 의해 상기 불활성 가스가 공급되기 전에, 기판상에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 23항에 있어서,

상기 유체 노즐은 상기 린스액 공급부로서 기능하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 23항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛은, 상기 린스액 공급부에 의해 기판상에 공급된 린스액이 기판상의 중심부에서 바깥쪽으로 이동하는 것에 의해 기판상에서 배제되도록 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
제 16항에 있어서,

상기 유체 노즐은, 액체가 유통하는 액체유로와, 기체가 유통하는 기체유로와, 상기 액체유로에 연통해서 개구하는 액체토출구와, 상기 액체토출구의 근방에 설치되는 동시에 상기 기체유로에 연통해서 개구하는 기체토출구를 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리 장치.
노광 장치에 인접하도록 배치되어, 처리부, 반송 장치 및 제1 처리 유닛을 구비한 기판처리 장치에서 기판을 처리하는 방법으로서,

상기 처리부에 의해 기판에 소정의 처리를 행하는 공정과,

상기 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 노광 장치로 반송하는 공정과,

상기 노광 장치로부터 반출된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 제1 처리 유닛으로 반송하는 공정과,

상기 제1 처리 유닛에서 액체 및 기체를 포함하는 혼합 유체를 기판에 공급하는 유체 노즐에 의해 기판의 세정을 행하는 공정과,

상기 제1 처리 유닛에 의해 세정된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 처리부로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.
제 27항에 있어서,

상기 제1 처리 유닛에 의해 기판의 세정을 행하는 공정 후로서 상기 제1 처리 유닛에 의해 세정된 기판을 상기 반송 장치에 의해 상기 처리부로 반송하는 공정 전에, 상기 제1 처리 유닛에 의해 기판의 건조를 행하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리 방법.