JP2003093943A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の種類などに拘束されず、いかなる現像
処理済基板に対しても十分なリンス液を供給して該基板
を良好にリンス処理することができる基板処理装置およ
び基板処理方法を提供する。 【解決手段】 窒素ガス供給源から供給される窒素ガス
と、液体供給源から供給される液体とをノズル３１で混
合形成した混合物をリンス液Ｋとして現像処理済の基板
Ｗに供給されてリンス処理を実行しているので、リンス
処理に際してノズル３１から基板Ｗへの吐出量に制限が
なく、基板Ｗに応じて吐出量を任意に設定することがで
き、如何なる基板Ｗに対しても十分なリンス液Ｋを供給
することができる。また、高圧ポンプを使用する必要が
ないので、装置コストを低減することができるととも
に、高圧ポンプを配設するスペースが不要となり、装置
の小型化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス
基板、光ディスク用の基板（以下、「基板」という）に
現像液を供給して現像処理を行った後、該基板にリンス
液を供給してリンス処理する基板処理装置および基板処
理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置は、例えばカラー
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のカラーフィルターの製造
において用いられる。すなわち、カラーフィルターの製
造では、ガラス基板に３色（レッド、グリーンおよびブ
ルー）のカラーフィルターを形成するにあたって、各色
毎に、カラーレジストの塗布処理、露光処理、現像処
理、リンス処理および乾燥処理が実行される。そして、
上記した基板処理装置は現像処理、リンス処理および乾
燥処理において用いられる。

【０００３】この基板処理装置では、基板がスピンチャ
ックに装着され、現像液供給ノズルから現像液が供給さ
れて、基板の全面に現像液が塗布される。そして、所定
時間静止されて現像処理が進行される。その後、基板が
スピンチャックにより回転されて現像液が振り切られ、
次いで、リンス液供給ノズルから純水等のリンス液が吐
出されて基板上に残存する現像液が洗い流される。その
後、スピンチャックが高速で回転され、基板上に残存す
るリンス液が振り切られて基板が乾燥され、これによ
り、一連の処理が終了する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
処理装置では、現像処理を受けた基板（以下「現像処理
済基板」という）に対するリンス処理を良好に行うた
め、リンス液供給ノズルから現像処理済基板に向けて比
較的高圧のリンス液を吐出していた。具体的には、装置
内部にプランジャ式の高圧ポンプを設置し、この高圧ポ
ンプによってリンス液をリンス液供給ノズルに圧送する
ことで、該ノズルから高圧のリンス液を現像処理済基板
に供給していた。そのため、次のような問題が生じてい
た。

【０００５】まず、プランジャ式の高圧ポンプでは、一
定時間かけてポンプのシリンダ内部にリンス液を引込
み、貯留した後、ピストンをシリンダエンドまで押し込
むことでリンス液供給ノズルをノズルに向けて圧送す
る。そのため、１回の吐出量に制限がある。したがっ
て、基板の種類や処理プロセスの種類などによっては多
量のリンス液が必要となる場合があるが、吐出量が制限
される従来装置では、このような要望に柔軟に対応する
ことが困難となっている。特に、基板サイズが大型化す
ると、その問題は顕著なものとなってくる。

【０００６】また、高圧ポンプは金属製であり、しかも
高圧ポンプから高圧のリンス液が圧送されることからノ
ズル自体も金属材料で形成する必要があった。その結
果、リンス液中に金属イオンが含まれて基板に対してダ
メージを与えるおそれがあった。

【０００７】また、従来装置では、リンス液を基板に供
給した際に発生するミストが装置周辺に飛散して汚染し
たり、基板にスプラッシュバックするのを防止すべく、
ミスト回収構造が必要となり、装置の複雑化を招いてい
た。すなわち、上記従来装置では、リンス液供給ノズル
を固定配置しているが、基板表面を比較的広い範囲にわ
たってリンス液を行き渡らせるようにするために、該ノ
ズルを基板表面から比較的高い位置に配置している。し
かも、上記のように高圧ポンプから該ノズルにリンス液
を圧送し、該ノズルから基板表面に向けてリンス液を高
圧で吐出している。このため、リンス液が基板表面に衝
突することで多量のミストが発生し、基板周辺を広い範
囲にわたって飛散することとなる。したがって、ミスト
を確実に回収して装置周辺の汚染や基板へのスプラッシ
ュバックを防止するためには、カップ自体を大型化する
のに加え、ミスト回収用の排気ボックスを設け、該ボッ
クスにミストを回収するように構成する必要があった。

【０００８】さらに、レジストの種類によってリンス処
理の最適条件が異なる場合がある。例えば、あるカラー
レジストＡではリンス液の圧力や流量などを比較的高く
設定しないと、基板上の不要なレジストを確実に除去す
ることができず、スカム（残渣）が残ってしまうのに対
し、別のレジストＢではリンス液の圧力などを上記レジ
ストＡに最も適したリンス度合いとなるように設定する
と、本来除去してはいけないパターニングされたレジス
トまでも除去されてしまい基板を損傷させてしまうこと
がある。したがって、レジストの種類などに応じて適切
なリンス度合いが得られるようにリンス処理の条件（圧
力や流量など）を設定することが望まれるが、従来装置
では高圧ポンプを用いてリンス液をノズルに圧送してい
るため、リンス処理の条件を柔軟に変更設定することが
困難であり、上記要望を満足することが難しかった。

【０００９】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、基板の種類などに拘束されず、いかなる現像処理
済基板に対しても十分なリンス液を供給して該基板を良
好にリンス処理することができる基板処理装置および基
板処理方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明は、基板に現像
液を供給して現像処理を行った後、該基板にリンス液を
供給してリンス処理する基板処理装置および基板処理方
法であって、上記目的を達成するため、それぞれ以下の
ように構成している。この基板処理装置は、基板を保持
する基板保持ユニットと、基板保持ユニットに保持され
た基板に現像液を供給する現像液供給ユニットと、気体
を連続的に供給可能な気体供給源から供給される気体
と、液体を連続的に供給可能な液体供給源から供給され
る液体とを混合させて混合物を調製し、該混合物をリン
ス液としてリンス液供給ノズルから、基板保持ユニット
に保持された現像処理済の基板に吐出するリンス液供給
ユニットとを備えている（請求項１）。また、この基板
処理方法は、気体を連続的に供給可能な気体供給源から
供給される気体と、液体を連続的に供給可能な液体供給
源から供給される液体とを混合させて調製した混合物を
リンス液として現像処理済の基板に供給してリンス処理
を施している（請求項１４）。

【００１１】このように構成された発明では、気体供給
源から供給される気体と、液体供給源から供給される液
体とを混合調製してなる混合物がリンス液として現像処
理済の基板に供給されてリンス処理が実行される。した
がって、リンス処理に際してリンス液供給ノズルから現
像処理済基板への吐出量に制限がなく、現像処理済基板
に応じて吐出量を任意に設定可能となり、如何なる基板
に対しても十分なリンス液を供給することが可能とな
る。また、従来装置のように高圧ポンプを使用する必要
がなくなり、装置コストの低減を図ることができるとと
もに、従来装置において高圧ポンプを配設していたスペ
ースが不要となり、装置の小型化を図る上で有利とな
る。

【００１２】ここで、現像処理済基板の面内におけるリ
ンス液の供給位置が基板中心と基板周縁との間を移動す
るように、リンス液供給ノズルをノズル移動手段により
移動させながら、リンス処理を施すようにしてもよい
（請求項２）。このように、リンス液供給ノズルを移動
させて基板面内にリンス液を供給する場合には、従来装
置のように固定配置したノズルからリンス液を供給する
場合に比べてノズルを基板に近接させることができ、ミ
スト発生を抑制することができる。

【００１３】また、リンス液供給ノズルから現像処理済
基板にリンス液が吐出されたときに、リンス度合いに起
因する複数の因子のうち少なくとも１つ以上の因子を可
変対象因子として可変する可変手段を設け、基板の種類
に応じて可変手段を制御し、可変対象因子を基板の種類
に対応する値に設定するようにしてもよく、これによっ
て、基板に応じた最適条件でリンス処理が実行されるこ
ととなり、リンス処理をさらに良好に行うことができる
（請求項３）。

【００１４】また、上記可変手段を設けた場合、リンス
液供給ノズルをノズル移動手段により移動させるのに伴
い、現像処理済基板の面内におけるリンス液の供給位置
に応じて可変手段を制御するようにしてもよく、これに
よって面内でのリンス度合いが均一化されることとな
り、リンス処理をさらに良好に行うことができる（請求
項４）。

【００１５】このような可変対象因子を可変させる具体
例としては、(1)気体の流量と液体の流量とのうち少な
くとも一方の流量を可変対象因子として可変したり（請
求項５）、(2)気体の圧力と液体の圧力とのうち少なく
とも一方の圧力を可変対象因子として可変したり（請求
項６）、(3)現像処理済基板からリンス液供給ノズルま
での高さを可変対象因子として可変したり（請求項
７）、(4)現像処理済基板に対するノズルの角度を可変
対象因子として可変したり（請求項８）、(5)現像処理
済基板に対するリンス液供給ノズルの移動速度を可変対
象因子として可変したり（請求項９）、することができ
る。

【００１６】また、現像処理済基板を回転させながらリ
ンス処理を行ってもよく、この場合、該基板の回転速度
を基板の種類に対応する値に設定することによって基板
に応じた最適条件でリンス処理が実行されることとな
り、リンス処理をさらに良好に行うことができる（請求
項１０）。

【００１７】また、現像処理済基板を回転させながらリ
ンス処理を行う場合、リンス液供給ノズルをノズル移動
手段により移動させるのに伴い、現像処理済基板の面内
におけるリンス液の供給位置に応じて基板の回転速度を
制御するようにしてもよく、これによって面内でのリン
ス度合いが均一化されることとなり、リンス処理をさら
に良好に行うことができる（請求項１１）。

【００１８】また、リンス液供給ユニットを構成するリ
ンス液供給ノズル、気体用配管および液体用配管をすべ
て樹脂材料で構成するのが望ましく、このように構成す
ることでリンス液はメタルフリーとなり、基板に対して
金属イオンの悪影響が及ぶのを防止することができる
（請求項１２）。

【００１９】さらに、気体として炭酸ガスを用いると、
リンス液に炭酸ガスが混在することとなり、炭酸ガスの
溶解によりリンス液の比抵抗値は気体として空気や窒素
ガスなどを液体に混合させて調製されたリンス液に比べ
て大幅に低下している。そして、このように比抵抗値が
低下した炭酸溶解リンス液により基板をリンス処理する
と、炭酸溶解リンス液を通して基板上の電荷が吸収され
て基板から除去され、その結果、基板の放電破壊などが
効果的に防止される（請求項１３）。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる基板処理
装置の一実施形態を示す平面図である。また、図２は図
１の基板処理装置を構成する基板保持ユニットと現像液
供給ユニットとを示す図である。さらに、図３は図１の
基板処理装置を構成する基板保持ユニットとリンス液供
給ユニットとを示す図である。この基板処理装置は、大
きく分けて、基板Ｗを保持する基板保持ユニット１と、
基板保持ユニット１において保持されている基板Ｗに現
像液を供給して現像処理を実行する現像液供給ユニット
２と、現像液供給ユニット２により現像処理が施された
現像処理済基板Ｗに対してリンス液を供給してリンス処
理を実行するリンス液供給ユニット３と、装置各部を制
御する制御手段として機能するコントローラ４と、コン
トローラ４に電気的に接続された指示部５とで構成され
ている。以下、各部の構成を説明した後、装置全体の動
作について説明する。

【００２１】まず、基板保持ユニット１では、真空チャ
ック１１により基板Ｗを略水平状態で支持可能となって
いる。この真空チャック１１は、底面に連結された回転
軸１３を介して電動モータ１４に連結されており、コン
トローラ４からの回転指令に応じて電動モータ１４を駆
動すると、基板Ｗを保持したまま真空チャック１１が回
転中心Ｐ周りに水平面内で回転する。なお、この実施形
態では、この電動モータ１４は種々の回転速度で回転可
能となっており、必要に応じて基板Ｗの回転速度を変更
設定可能となっている。また、この実施形態では基板Ｗ
を真空吸着することで基板Ｗを保持しているが、いわゆ
るメカチャック方式により基板Ｗを機械的に保持するよ
うにしてもよいことはいうまでもない。

【００２２】また、真空チャック１１の周囲には、後述
するリンス液供給ノズルから吐出されたリンス液Ｋが飛
散するのを防止するために、飛散防止カップ１５が配備
されている。この飛散防止カップ１５は、図示していな
い搬送手段が未処理の基板Ｗを真空チャック１１に載置
したり、処理済の基板Ｗを真空チャック１１から受け取
る際には、図中の矢印で示すように真空チャック１１に
対して昇降するように構成されている。

【００２３】次に、現像液供給ユニット２の構成につい
て、図１および図２を参照しつつ説明する。この現像液
供給ユニット２は、図示を省略する現像液タンクから供
給される現像液を真空チャック１１に支持されている基
板Ｗの表面に向けて吐出して基板Ｗの表面に現像液を広
がらせて現像液層を形成するスリットノズル２１を有し
ている。すなわち、スリットノズル２１は基板Ｗの直径
と同等の長さを有する現像液供給口２２を有しており、
その現像液供給口２２から現像液を静止させた基板Ｗ上
に滴下させつつ、水平方向移動機構２３を使用してスリ
ットノズル２１を基板Ｗと平行に（＋Ｘ）の向きに移動
させ、基板Ｗの表面全面に現像液を盛るようにしてい
る。なお、現像液供給口２２の長さは基板Ｗの直径と同
等に限定されず、それ以上の長さを有していてもよい。
また、現像液を盛る際には基板Ｗに与える現像液の衝撃
を考慮し、スリットノズル２１が基板Ｗの上方に位置す
る手前から現像液の滴下を開始し、スリットノズル２１
を（＋Ｘ）の向きに移動させている。

【００２４】スリットノズル２１の水平方向移動機構２
３は、モータ２３１、プーリ２３２、２３３およびベル
ト２３４で構成されている。モータ２３１のモータ軸に
はプーリ２３３が連結されており、プーリ２３２、２３
３にはベルト２３４が掛けられている。すなわち、モー
タ２３１の回転にともなってベルト２３４が循環回走す
るように構成されている。また、ベルト２３４と昇降機
構２４のサーボモータ２４１とは係止部材２４４によっ
て接続されている。したがって、モータ２３１の正また
は逆回転にともなって、サーボモータ２４１がＸ軸方向
に前進または後退し、その結果昇降機構２４の上部に設
けられているスリットノズル２１が（＋Ｘ）または（−
Ｘ）の向きに移動することとなる。

【００２５】一方、昇降機構２４は、サーボモータ２４
１とカップリング２４３とボールネジ２４２とで構成さ
れている。サーボモータ２４１の回転は、カップリング
２４３を介してボールネジ２４２に伝達される。ボール
ネジ２４２にはスリットノズル２１が螺合されている。
したがって、サーボモータ２４１の正または逆回転によ
ってスリットノズル２１が鉛直方向に昇降されることに
なる。なお、カップリング２４３はサーボモータ２４１
のモータ軸２４２とボールネジ２４２との軸ずれを吸収
してサーボモータ２４１を保護するための部材である。

【００２６】なお、この現像液供給ユニット２では、現
像液を吐出する現像ノズルとしてスリットノズル２１を
用いているが、これに限定されるものではなく、これ以
外にストレートノズル、ＳＳノズル、ＳＩノズル、ＭＩ
ノズルなどのノズルを用いることができる。

【００２７】次に、リンス液供給ユニット３の構成につ
いて、図１、図３および図４を参照しつつ説明する。な
お、図４はリンス液供給ノズルの拡大図である。

【００２８】これらの図に示すように、リンス液供給ユ
ニット３には、リンス液供給ノズル３１が設けられてお
り、後述するように純水などの液体と窒素ガスなどの気
体とを混合させてなるリンス液Ｋをその吐出孔３１１か
ら基板Ｗの表面に供給するように構成されているととも
に、その胴部３１２には支持アーム３２が取り付けられ
ている。

【００２９】また、胴部３１２の支持アーム３２が取り
付けられている部分には、図４に示すように、リンス液
供給ノズル３１が基板Ｗに対して傾斜角θの範囲で揺動
可能にする駆動部３３を備えている。

【００３０】また、リンス液供給ノズル３１は支持アー
ム３２ごと、昇降・移動機構３４によって、基板Ｗ面内
をリンス液Ｋが供給される供給開始位置Ｓから回転中心
Ｐを通って供給終了位置Ｆに向かうように揺動可能とな
っている。さらに、支持アーム３２には、回転モータ３
４１の回転軸３４２に連結されている。回転モータ３４
１は回転中心Ｐbの周りにリンス液供給ノズル３１を基
板Ｗ上で揺動させるためのものであり、その回転量がエ
ンコーダ３４３によって検出されて後述するコントロー
ラ４にフィードバックされる。

【００３１】なお、エンコーダ３４３は、直接的には、
リンス液供給ノズル３１の位置を検出することによっ
て、基板面内を移動するリンス液Ｋの供給位置を検出し
ている。また、傾斜角θは、処理条件により適宜に設定
される。なお、回転モータ３４１は本発明のノズル移動
手段に相当する。また、駆動部３３は角度可変手段に相
当する。

【００３２】回転モータ３４１とエンコーダ３４３を搭
載している昇降ベース３４４は、立設されたガイド３４
５に摺動自在に嵌め付けられているとともに、ガイド３
４５に並設されているボールネジ３４６に螺合されてい
る。このボールネジ３４６は、昇降モータ３４７の回転
軸に連動連結されており、その昇降量は回転量としてエ
ンコーダ３４８によって検出されて後述するコントロー
ラ４にフィードバックされる。つまり、昇降・移動機構
３４により、リンス液供給ノズル３１が昇降および揺動
移動するようになっている。なお、上記のボールネジ３
４６と、昇降モータ３４７とは本発明におけるノズルの
高さ可変手段に相当する。

【００３３】また、リンス液供給ノズル３１は、その胴
部３１２に対し、気体用配管３５ａによって窒素ガス供
給源が、また液体用配管３５ｂによって純水などの液体
供給源がそれぞれ連通接続された２流体ノズルを構成し
ている。このため、リンス液供給ノズル３１にそれぞれ
供給された窒素ガスおよび液体がリンス液供給ノズル３
１で混合されて混合物が形成され、これがリンス液Ｋと
して該ノズル３１の吐出孔３１１から基板Ｗの表面に向
けて吐出される。なお、これら窒素ガス供給源および液
体供給源は、基板処理装置が設置される工場の用力設備
として設けられており、連続的にリンス液供給ノズル３
１に供給可能となっている。

【００３４】また、気体用配管３５ａには、流通する窒
素ガスの圧力・流量をコントローラ４から入力された制
御信号に対応する圧力・流量に変換して調整する電空レ
ギュレータ３６ａと、窒素ガスの圧力を検出する圧力セ
ンサ３７ａと、流量を検出する流量センサ３８ａとがそ
れぞれ備えられている。なお、使用される気体は窒素ガ
スに限定されるものではなく、空気や炭酸ガスなどのよ
うに２流体ノズルに用いられるものならば、特に限定さ
れない。

【００３５】また、液体用配管３５ｂには、流通する液
体の圧力・流量を調整するための比例弁３６ｂと、液体
の圧力を検出する圧力センサ３７ｂと、流量を検出する
流量センサ３８ｂとがそれぞれ備えられている。なお、
使用される液体は、純水、酸、アルカリ、希釈現像液お
よびオゾンを純水に溶解したオゾン水などの基板リンス
処理に使用される液体であれば、特に限定されない。

【００３６】電空レギュレータ３６ａには、本発明の制
御手段に相当するコントローラ４から制御信号が入力さ
れ、この制御信号に応じて配管３５ａを流通する窒素ガ
スの圧力および流量が調整される。また、比例弁３６ｂ
にも、コントローラ４から制御信号が入力され、この制
御信号に応じて配管３５ｂを流通する純水などの液体の
圧力および流量が調整される。一方、圧力センサ３７
ａ、３７ｂと流量センサ３８ａ、３８ｂのそれぞれから
逐次検出された検出結果がコントローラ４にフィードバ
ックされる。なお、電空レギュレータ３６ａおよび比例
弁３６ｂの各々は本発明の流量可変手段と圧力可変手段
の両方に相当する。

【００３７】本実施例の特徴的構成を備えているコント
ローラ４には、基板保持ユニット１に設けられた電動モ
ータ１４と、現像液供給ユニット２に設けられたモータ
２３１およびサーボモータ２４１と、リンス液供給ユニ
ット３に設けられた回転モータ３４１、昇降モータ３４
７、エンコーダ３４３、３４８、リンス液供給ノズル３
１の駆動部３３、電空レギュレータ３６ａ、圧力センサ
３７ａ、３７ｂおよび流量センサ３８ａ、３８ｂとが接
続されている。そして、各基板Ｗに応じた処理条件が、
処理プログラム（「レシピー」とも呼ばれる）として予
めコントローラ４のメモリ（図示省略）に格納されてお
り、各基板Ｗごとの処理プログラムに準じて装置各部が
制御されている。

【００３８】なお、コントローラ４には、さらに処理プ
ログラムの作成・変更や、複数の処理プログラムの中か
ら所望のものを選択するために用いる指示部５が接続さ
れている。各部の制御および作用については、以下基板
の処理例を用いて具体的に説明する。

【００３９】まず、ある色のカラーレジストＡが塗布装
置によって塗布され、さらに露光装置によって露光処理
を受けた基板Ｗが図示していない搬送手段によって図１
の基板処理装置に搬送されてくると、その基板Ｗは基板
保持ユニット１の真空チャック１１上に載置されて基板
保持ユニット１により保持される。こうして、基板搬入
が完了すると、複数の処理プログラム（レシピー）から
選択されたプログラムに従ってコントローラ４が装置各
部を制御して現像液供給ユニット２による現像処理およ
びリンス液供給ユニット３によるリンス処理を続けて行
う。特に、この実施形態では、リンス処理に特徴がある
ため、この点を中心に説明を続ける。

【００４０】現像液供給ユニット２による現像処理が完
了すると、スリットノズル２１が現像処理済の基板Ｗの
上方位置から退避し、所定の待機位置で次の現像処理ま
で待機する。一方、リンス液供給ユニット３では、現像
処理済基板Ｗを一定速度で回転させつつ、リンス液供給
ノズル３１から基板Ｗへのリンス液Ｋの供給を開始す
る。このとき、図１に示すように、供給開始位置Ｓが、
基板Ｗの周縁上にあるので、基板Ｗの回転に伴うリンス
液供給ノズル３１に対する相対速度が回転中心Ｐよりも
速くなる。そのため、コントローラ４では、エンコーダ
３４３から検出されたリンス液供給ノズル３１の位置に
基づいて、電空レギュレータ３６ａに備えられた調整弁
の開閉を調整して窒素ガスの流量を回転中心Ｐの時点よ
りも多くなるように制御信号を電空レギュレータ３６ａ
に送って制御している。

【００４１】そして、リンス液供給ノズル３１は、回転
中心Ｐを通りリンス液Ｋの供給終了位置Ｆまで一定の速
度で移動する。このとき、リンス液供給ノズル３１に供
給される窒素ガスの流量は、エンコーダ３４３から検出
されたリンス液供給ノズル３１の位置に応じて、図５の
実線に示すように、可変される。つまり、リンス液供給
ノズル３１の位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向
かうにつれて窒素ガスの流量が減少され、逆に回転中心
Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて窒素ガスの流量
が増加される。すなわち、リンス液供給ノズル３１に対
する相対速度に関係なく基板Ｗの単位面積当たりのリン
ス液Ｋの供給量が一定となるようにコントローラ４が電
空レギュレータ３６ａを制御している。

【００４２】リンス液供給ノズル３１が供給終了位置Ｆ
に到達すると、コントローラ４からの制御信号が電空レ
ギュレータ３６ａおよび比例弁３６ｂに送られてリンス
液Ｋの供給が停止される。そして、リンス液供給ノズル
３１は待機位置３９に移動される。そして、基板Ｗを高
速回転させて基板に付着しているリンス液Ｋを飛散し、
基板Ｗの振り切り乾燥処理を行ってカラーレジストＡに
ついての一連の処理（塗布処理、露光処理、現像処理、
リンス処理および乾燥処理）を実行して該カラー色のカ
ラーフィルターを形成する。

【００４３】そして、この基板Ｗについては、再びレジ
スト塗布装置に搬送されて次の色のカラーレジストＢの
レジスト塗布が行われた後、さらに露光装置によって露
光処理が行われる。そして、カラーレジストＡの場合と
同様にして現像処理、リンス処理および乾燥処理が実行
される。ただし、ここでは、カラーレジストの種類が相
違しているため、リンス処理の最適条件が相違している
ため、そのカラーレジストＢに適したレシピーがコント
ローラ４のメモリから読み出され、そのレシピーにした
がってリンス処理が実行される。

【００４４】すなわち、現像液供給ユニット２による現
像処理が完了すると、スリットノズル２１が現像処理済
の基板Ｗの上方位置から退避し、所定の待機位置で次の
現像処理まで待機する。一方、リンス液供給ユニット３
では、現像処理済基板Ｗを一定速度で回転させつつ、図
５の破線で示す流量パターンで窒素ガスの流量を変化さ
せながら、リンス液供給ノズル３１が供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐを経て供給終了位置Ｆに移動する。これに
よって、リンス液供給ノズル３１に対する相対速度に関
係なく基板Ｗの単位面積当たりのリンス液Ｋの供給量が
一定となる。なお、ここでは、カラーレジストＢのレジ
ストパターンがカラーレジストＡのそれよりもパターン
が飛びやすいという前提に立って、窒素ガスの流量をカ
ラーレジストＡの場合より全体的に少なく設定している
が、逆の関係にある場合には、窒素ガスの流量をカラー
レジストＡの場合より全体的に多く設定すればよい。要
は、レジストパターンの物理特性に応じて窒素ガスの流
量を最適化すればよい。

【００４５】そして、リンス液供給ノズル３１が供給終
了位置Ｆに到達すると、コントローラ４からの制御信号
が電空レギュレータ３６ａおよび比例弁３６ｂに送られ
てリンス液Ｋの供給が停止させた後、基板Ｗを高速回転
させて基板に付着しているリンス液Ｋを飛散し、基板Ｗ
の振り切り乾燥処理を行ってカラーレジストＢについて
の一連の処理（塗布処理、露光処理、現像処理、リンス
処理および乾燥処理）を実行してカラーレジストＢを用
いたカラーフィルターを形成する。なお、このような一
連の処理を残りの色のカラーレジストについても実行し
て残りの色のカラーフィルターを形成する。

【００４６】以上のように、この実施形態によれば、本
発明の気体供給源に相当する窒素ガス供給源から供給さ
れる気体（窒素ガス）と、液体供給源から供給される液
体とをリンス液供給ノズル３１で混合形成した混合物を
リンス液Ｋとして現像処理済の基板Ｗに供給してリンス
処理を実行しているので、リンス処理に際してリンス液
供給ノズル３１から現像処理済基板Ｗへの吐出量に制限
がなく、現像処理済基板Ｗに応じて吐出量を任意に設定
することができる。したがって、如何なる基板Ｗに対し
ても十分なリンス液Ｋを供給することができ、良好なリ
ンス処理が実行可能となっている。

【００４７】また、従来装置のように高圧ポンプを使用
する必要がないので、装置コストを低減することができ
るとともに、高圧ポンプを配設するスペースが不要とな
り、装置の小型化を図ることができる。また、高圧ポン
プが不要となるため、リンス液供給ノズル３１、気体用
配管３５ａおよび液体用配管３５ｂを全て樹脂材料で構
成してもよく、このように樹脂製品によってリンス液供
給ノズル３１などを構成することによってリンス液Ｋは
メタルフリーとなり、リンス液による基板Ｗの金属汚染
を防止し、金属イオンによる悪影響を防止することがで
きる。

【００４８】また、気体として窒素ガスの代わりに炭酸
ガスを用いると、リンス液Ｋに炭酸ガスが混在すること
となり、炭酸ガスの溶解によりリンス液Ｋの比抵抗値が
気体として空気や窒素ガスなどを液体に混合調製してな
るリンス液Ｋに比べて大幅に低下することとなり、この
炭酸溶解リンス液により基板Ｗをリンス処理すると、炭
酸溶解リンス液を通して基板Ｗ上の電荷が吸収されて基
板Ｗから除去され、その結果、基板Ｗの放電破壊などを
効果的に防止することができる。

【００４９】ここで、炭酸ガスを気体用配管３５ａを介
してノズル３１に供給する代わりに、用力設備と接続さ
れた位置に比抵抗管理ユニットを設け、この比抵抗管理
ユニットによって用力設備から基板処理装置に供給され
た純水などの液体に炭酸ガスを混入させて炭酸溶解液体
を形成しておき、比抵抗管理ユニットの出力側で分岐し
た配管を液体用配管３５ｂとしてノズル３１に連通接続
させてもよい。ただし、このように比抵抗管理ユニット
を取り付けると、装置全体で炭酸溶解液体を使用するこ
ととなり、炭酸ガスの使用量が増えてしまう。これに対
し、上記した変形例の如く炭酸ガスを気体用配管３５ａ
を介してノズル３１に供給するように構成した場合に
は、炭酸ガスの使用が２流体ノズル３１に限定されるこ
ととなり、比抵抗管理ユニットを用いた場合に比べて炭
酸ガスの使用量を大幅に削減することができ、より好適
である。

【００５０】また、現像処理済基板Ｗの面内におけるリ
ンス液Ｋの供給位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを
経て供給終了位置Ｆに移動するように、リンス液供給ノ
ズル３１を回転モータ（ノズル移動手段）３４１により
移動させながら、リンス処理を施すように構成している
ので、従来装置のように固定配置したリンス液供給ノズ
ルからリンス液を供給する場合に比べてリンス液供給ノ
ズル３１を基板Ｗに近接させることができ、ミスト発生
を効果的に抑制することができる。

【００５１】また、図５に示すように基板Ｗの種類（レ
ジストの種類）に応じて窒素ガスの流量パターンを変化
させてリンス液Ｋの供給量を基板Ｗの種類に対応させて
いる、つまり基板Ｗの種類に対応する最適な処理条件で
リンス処理を実行しているので、リンス処理をさらに良
好に行うことができる。

【００５２】さらに、図５の実線や破線に示すように、
リンス液供給ノズル３１を回転モータ（ノズル移動手
段）３４１により移動させるのに伴い、現像処理済基板
Ｗの面内におけるリンス液Ｋの供給位置に応じて電空レ
ギュレータ３６ａの開度を制御しているため、基板Ｗの
面内でのリンス度合いを均一化することができ、リンス
処理をさらに良好に行うことができる。事実、発明者が
実験を行ったところ、図６に示すような結果が得られ
た。つまり、基板Ｗの回転、気体の流量および圧力が一
定に設定された従来装置を用いた時のパーティクル除去
率は、基板の中心部に対して周縁部で約２０％も低下し
ている。一方、本実施例装置においては、除去率の変動
を約５％に抑制されていることが確認された。すなわ
ち、窒素ガスの流量を調整するだけで基板Ｗの全面にわ
たってほぼ均一に高いパーティクル除去率を維持したリ
ンス処理を行うことができる。

【００５３】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態では、基板面内のリンス液Ｋ
の供給位置に応じて窒素ガスの流量を可変しているが、
液体もしくは気体と液体の両方の流量を供給開始位置Ｓ
から回転中心Ｐに向かうにつれて減らし、逆に回転中心
Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて増やすようにし
てもよい。

【００５４】また、上記実施形態では、(a)流量を可変
させているが、それ以外の因子を可変対象因子として可
変制御するようにしてもよい。

【００５５】（b）窒素ガスの圧力を可変制御する場合 上記（a）と同−の構成と効果を有するので、説明の重
複を避けるため、相違する点のみを説明する。以下同様
とする。

【００５６】コントローラ４は、移動するリンス液供給
ノズル３１の位置をエンコーダ３４３で逐次検出し、各
位直に応じた制御信号を電空レギュレータ３６ａに送り
窒素ガスの圧力を調整する。このとき、圧力センサ３７
ａで逐次検出された気体の圧力がコントローラ４にそれ
ぞれフィードバックされる。そして、コントローラ４は
窒素ガスの圧力を以下のように可変するように電空レギ
ュレータ３６ａを制御している。

【００５７】すなわち、リンス液供給ノズル３１は、リ
ンス液Ｋの供給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通りリンス
液Ｋの供給終了位置Ｆまで一定の速度で移動する。この
とき、リンス液供給ノズル３１に供給される窒素ガスの
圧力は、エンコーダ３４３から検出された位置に応じ
て、図７に示すように、可変される。つまり、リンス液
供給ノズル３１の位置が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐ
に向かうにつれて、窒素ガスの圧力が低くされ逆に回転
中心Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて、窒素ガス
の圧力が高くされる。そのため、リンス液供給ノズル３
１に対する相対速度の速い基板Ｗの周縁部側では基板に
衝突するリンス液Ｋの衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側
では衝突レベルが弱くなるので、相対速度に関係なく基
板の全面にわたってリンス度合いが一定にされる。

【００５８】なお、基板Ｗの種類に応じて、上記(a)と
同様に、圧力パターンを変化させてリンス液Ｋの供給量
を基板Ｗの種類に対応させている、つまり基板Ｗの種類
に対応する最適な処理条件でリンス処理を実行すること
でリンス処理をさらに良好に行うことができる。この点
に関しては、以下に説明する(c)〜(f)についても同様で
ある。

【００５９】また、この実施例では、基板面内のリンス
液Ｋの供給位置に応じて気体の圧力を可変しているが、
液体もしくは気体と液体の両方の圧力を供給開始位置Ｓ
から回転中心Ｐに向かうにつれて低くし、逆に回転中心
Ｐから供給終了位置Ｆに向かうにつれて高くするように
してもよい。

【００６０】（c）ノズルの高さを可変制御する場合 コントローラ４は、移動するリンス液供給ノズル３１の
位置をエンコーダ３４３で逐次検出し、各位置に応じて
昇降・移動機構３４を制御している。つまり、基板Ｗの
表面からリンス液供給ノズル３１までの高さを可変する
ことにより、リンス液供給ノズル３１から吐出されたリ
ンス液Ｋの速度が調整され、基板Ｗ面内に供給されるリ
ンス液Ｋの衝突レベルの強弱を制御している。

【００６１】すなわち、リンス液供給ノズル３１は、供
給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで
一定の速度で移動する。このとき、リンス液供給ノズル
３１の高さは、エンコーダ３４３から検出された位置に
応じて、図８に示すように、可変される。つまり、リン
ス液供給ノズル３１の移動する位置が供給開始位置Ｓか
ら回転中心Ｐに向かうにつれて、リンス液供給ノズル３
１の高さを高くなるようにし、逆に回転中心Ｐから供給
終了位置Ｆに向かうにつれて、低くなるように制御され
る。

【００６２】したがって、基板Ｗの周縁側ではリンス液
Ｋの衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝
突レベルが弱くなるので、リンス液供給ノズル３１に対
する相対速度に関係なく基板Ｗの全面にわたってリンス
度合いが一定にされる。

【００６３】（d）ノズルの角度を可変するように制御
する場合 コントローラ４は、移動するリンス液供給ノズル３１の
位置をエンコーダ３４３で逐次検出し、各位置に応じて
駆動部３３を制御している。つまり、基板Ｗ面に対して
リンス液供給ノズル３１の角度を可変することにより、
基板Ｗ面内に供給されるリンス液Ｋの衝突レベルの強弱
を制御している。

【００６４】すなわち、リンス液供給ノズル３１は、供
給開始位置Ｓから回転中心Ｐを通り供給終了位置Ｆまで
一定の速度で移動する。このとき、リンス液供給ノズル
３１の角度は、エンコーダ３４３から検出された位置に
応じて、図９に示すように、可変される。つまり、リン
ス液供給ノズル３１の位置が供給開始位置Ｓのとき、基
板面へのリンス液Ｋの衝突レベルが最も強くなるよう
に、基板Ｗの表面に対してリンス液供給ノズル３１の吐
出孔３１１が垂直下方向（９０゜）に向けられるように
設定される。そして、リンス液供給ノズル３１が回転中
心Ｐに向かうにつれて、リンス液供給ノズル３１に傾斜
角θを持たせるようにし、リンス液Ｋの衝突レベルが弱
くなるようにしている。逆に回転中心Ｐから供給終了位
置Ｆに向かうにつれて、リンス液供給ノズル３１の傾斜
角θを垂直（９０゜）になるようにし、リンス液Ｋの衝
突レベルを強くしている。

【００６５】したがって、基板Ｗの周縁側ではリンス液
Ｋの衝突レベルが強く、回転中心Ｐ側に向かうにつれ衝
突レベルが弱くなるので、リンス液供給ノズル３１の相
対速度に関係なく基板Ｗの全面にわたってリンス度合い
が一定にされる。

【００６６】（e）ノズルの移動速度を制御する場合 コントローラ４は、基板面内を移動するリンス液供給ノ
ズル３１の位置をエンコーダ３４３で逐次検出し、各位
置に応じてリンス液供給ノズル３１の移動速度を制御し
ている。すなわち、リンス液供給ノズル３１は、図１０
に示すように、供給開始位置Ｓから回転中心Ｐに向かう
につれて移動速度を速くし、逆に回転中心Ｐから供給終
了位置Ｆに向かうにつれて移動速度を遅くしている。そ
うすることで、リンス液供給ノズル３１に対する相対速
度の速い基板周縁部側と相対速度の遅い回転中心Ｐ側の
基板面内での単位面積当たりのリンス液Ｋの供給量が均
等に保たれる。したがって、基板Ｗ面内の位置により相
対速度による洗浄ムラが抑制され、基板Ｗの全面にわた
ってリンス度合いが一定にされる。

【００６７】（f）基板の回転速度を制御する場合 コントローラ４は、基板面内を移動するリンス液供給ノ
ズル３１の位置をエンコーダ３４３で逐次検出し、各位
置に応じて電動モータ１４の回転速度を制御している。
すなわち、電動モータ１４は、図１１に示すように、リ
ンス液供給ノズル３１が供給開始位置Ｓから回転中心Ｐ
に向かうにつれて回転速度を遅くし、逆に回転中心Ｐか
ら供給終了位置Ｆに向かうにつれて回転速度を速くして
いる。そうすることで、リンス液供給ノズル３１に対す
る相対速度の速い基板周縁部側と相対速度の遅い回転中
心Ｐ側の基板面内での単位面積当たりのリンス液Ｋの供
給量が均等に一保たれる。したがって、基板面内の位置
により相対速度による洗浄ムラが抑制され、基板Ｗの全
面にわたってリンス度合いが一定にされる。

【００６８】以上のように、上記(a)〜(e)の実施形態で
は、基板Ｗのリンス処理効果に起因する各因子をコント
ローラ４により制御することにより、回転している基板
のリンス液Ｋの供給位置に応じて、リンス液Ｋの供給量
や、基板に衝突するリンス液Ｋの衝突レベルが調整され
る。その結果、基板洗浄時の基板の回転に伴うリンス液
供給ノズル３１に対する相対速度に関係なく、基板Ｗの
全面にわたって高いパーティクル除去率を維持した洗浄
を行うことができる。

【００６９】また、上記実施形態では、リンス液供給ノ
ズル３１において窒素ガスなどの気体と純水などの液体
とを混合させてリンス液Ｋを形成しているが、ノズル３
１より上流側で気体と液体とを混合させてリンス液Ｋを
形成させておき、該リンス液Ｋをさらにノズル３１に供
給して基板Ｗに向けて吐出させるように構成してもよ
い。

【００７０】また、上記実施形態では、１個のノズル３
１を用いてリンス液Ｋの供給開始位置Ｓから供給終了位
置Ｆまで移動させていたが、２個以上のノズルを用いて
もよい。

【００７１】また、上記実施形態では、基板面の供給開
始位置Ｓから回転中心Ｐを通って供給終了位置Ｆまでの
間を一方向に１回、ノズルを移動させているが、往復移
動させて複数回に渡り、リンス液Ｋを基板Ｗに供給する
ようにしてもよい。

【００７２】また、上記実施形態では、基板のリンス効
果に起因する因子を単体で制御して基板Ｗに対するリン
ス処理を行っているが、複数個の因子を制御してリンス
処理を行ってもよい。

【００７３】さらに、上記実施形態は、本発明を現像処
理に続いてリンス処理を同一装置内で実行する基板処理
装置に適用したものであるが、基板の種類や面内でのリ
ンス液の供給位置などに応じて基板のリンス効果に起因
する因子を可変制御するという技術思想については、リ
ンス処理のみを単独で実行する基板処理装置にも適用可
能である。

【００７４】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、気体
供給源から供給される気体と、液体供給源から供給され
る液体とを混合した混合物をリンス液として現像処理済
の基板に供給してリンス処理を行うように構成している
ので、リンス処理に際してリンス液供給ノズルから現像
処理済基板への吐出量に制限がなく、現像処理済基板に
応じた吐出量でリンス処理を行うことができる。つま
り、基板の種類などに拘束されず、いかなる現像処理済
基板に対しても十分なリンス液を供給して該基板を良好
にリンス処理することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を
示す平面図である。

【図２】図１の基板処理装置を構成する基板保持ユニッ
トと現像液供給ユニットとを示す図である。

【図３】図１の基板処理装置を構成する基板保持ユニッ
トとリンス液供給ユニットとを示す図である。

【図４】リンス液供給ノズルの拡大図である。

【図５】リンス液供給ノズルに供給される気体の流量変
化を示した図である。

【図６】図１の基板処理装置と従来の装置によるパーテ
ィクル除去率を示した図である。

【図７】リンス液供給ノズルに供給される気体の圧力変
化を示した図である。

【図８】基板面内を移動するリンス液供給ノズルの高さ
の変化を示した図である。

【図９】基板面内を移動するリンス液供給ノズルの角度
の変化を示した図である。

【図１０】基板面内を移動するリンス液供給ノズルの移
動速度の変化を示した図である。

【図１１】基板面内を移動するリンス液供給ノズルの移
動に応じて変化する回転モータの回転数を示した図であ
る。

【符号の説明】

１…基板保持ユニット ２…現像液供給ユニット ３…リンス液供給ユニット ４…コントローラ（制御手段） １１…真空チャック １３…回転軸 １４…電動モータ ３１…リンス液供給ノズル ３３…駆動部（可変手段） ３４…昇降・移動機構（可変手段） ３５ａ…気体用配管 ３５ｂ…液体用配管 ３６ａ…電空レギュレータ（可変手段） ３６ｂ…比例弁（可変手段） ３４１…回転モータ（ノズル移動手段） Ａ…カラーレジスト Ｂ…カラーレジスト Ｆ…供給終了位置 Ｋ…リンス液 Ｐ…回転中心 Ｓ…供給開始位置 Ｗ…（現像処理済）基板 θ…傾斜角

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 GA17 GA29 GA31 4D075 AC64 AC94 BB57Z BB65Z CA47 DA08 DB13 DC27 EA60 4F041 AA02 AA05 AB01 AB08 BA31 BA43 4F042 AA02 AA08 EB08 5F046 LA03 LA04 LA14

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に現像液を供給して現像処理を行っ
   た後、該基板にリンス液を供給してリンス処理する基板
   処理装置において、 基板を保持する基板保持ユニットと、 前記基板保持ユニットに保持された基板に前記現像液を
   供給する現像液供給ユニットと、 気体を連続的に供給可能な気体供給源から供給される気
   体と、液体を連続的に供給可能な液体供給源から供給さ
   れる液体とを混合させて混合物を調製し、該混合物を前
   記リンス液としてリンス液供給ノズルから、前記基板保
   持ユニットに保持された現像処理済の基板に吐出するリ
   ンス液供給ユニットとを備えたことを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 前記リンス液供給ユニットは前記リンス
   液供給ノズルを前記基板保持ユニットにより保持された
   前記現像処理済基板に対して移動させるノズル移動手段
   をさらに備え、 前記現像処理済基板の面内におけるリンス液の供給位置
   が、基板中心と基板周縁との間を移動するように前記リ
   ンス液供給ノズルを前記ノズル移動手段により移動させ
   てリンス処理を施す請求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記リンス液供給ユニットが、前記リン
   ス液供給ノズルから前記現像処理済基板にリンス液が吐
   出されたときに、リンス度合いに起因する複数の因子の
   うち少なくとも１つ以上の因子を可変対象因子として可
   変する可変手段をさらに備える請求項１または２記載の
   基板処理装置において、 前記基板の種類に応じて前記可変手段を制御し、前記可
   変対象因子を前記基板の種類に対応する値に設定する制
   御手段をさらに備えた基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記リンス液供給ユニットが、前記リン
   ス液供給ノズルから前記現像処理済基板にリンス液が吐
   出されたときに、リンス度合いに起因する複数の因子の
   うち少なくとも１つ以上の因子を可変対象因子として可
   変する可変手段をさらに備える請求項２記載の基板処理
   装置において、 前記現像処理済基板の面内における前記リンス液の供給
   位置に応じて前記可変手段を制御する制御手段をさらに
   備えた基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記可変手段は、前記気体の流量と前記
   液体の流量とのうち少なくとも一方の流量を前記可変対
   象因子として可変する請求項３または４記載の基板処理
   装置。
6. 【請求項６】 前記可変手段は、前記気体の圧力と前記
   液体の圧力とのうち少なくとも一方の圧力を前記可変対
   象因子として可変する請求項３または４記載の基板処理
   装置。
7. 【請求項７】 前記可変手段は、前記現像処理済基板か
   ら前記リンス液供給ノズルまでの高さを前記可変対象因
   子として可変する請求項３または４記載の基板処理装
   置。
8. 【請求項８】 前記可変手段は、前記現像処理済基板に
   対するノズルの角度を前記可変対象因子として可変する
   請求項３または４記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記リンス液供給ユニットは前記リンス
   液供給ノズルを前記基板保持ユニットにより保持された
   前記現像処理済基板に対して移動させるノズル移動手段
   をさらに備え、 前記可変手段は、前記現像処理済基板に対する前記リン
   ス液供給ノズルの移動速度を前記可変対象因子として可
   変する請求項３または４記載の基板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記基板保持ユニットは保持している
    前記現像処理済基板を種々の回転速度で回転可能となっ
    ており、前記リンス液供給ユニットのリンス液供給ノズ
    ルから前記リンス液を前記現像処理済基板に向けて吐出
    してリンス処理を施す請求項１または２記載の基板処理
    装置において、 前記基板の種類に応じて前記基板保持ユニットに保持さ
    れた基板の回転速度を制御し、前記回転速度を前記基板
    の種類に対応する値に設定する制御手段をさらに備えた
    基板処理装置。
11. 【請求項１１】 前記基板保持ユニットは保持している
    前記現像処理済基板を種々の回転速度で回転可能となっ
    ており、前記リンス液供給ユニットのリンス液供給ノズ
    ルから前記リンス液を前記現像処理済基板に向けて吐出
    してリンス処理を施す請求項２記載の基板処理装置にお
    いて、 前記現像処理済基板の面内における前記リンス液の供給
    位置に応じて前記基板保持ユニットに保持された基板の
    回転速度を制御する制御手段をさらに備えた基板処理装
    置。
12. 【請求項１２】 前記リンス液供給ユニットは、前記気
    体供給源から供給される前記気体を前記リンス液供給ノ
    ズルに導く気体用配管と、前記液体供給源から供給され
    る前記液体を前記リンス液供給ノズルに導く液体用配管
    とをさらに備え、しかも、 前記リンス液供給ノズル、前記気体用配管および前記液
    体用配管はすべて樹脂材料で構成されている請求項１な
    いし１１のいずれかに記載の基板処理装置。
13. 【請求項１３】 前記気体として炭酸ガスを用いる請求
    項１ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 【請求項１４】 基板に現像液を供給して現像処理を行
    った後、該基板にリンス液を供給してリンス処理する基
    板処理方法において、 気体を連続的に供給可能な気体供給源から供給される気
    体と、液体を連続的に供給可能な液体供給源から供給さ
    れる液体とを混合させて調製した混合物を前記リンス液
    として現像処理済の基板に供給して前記リンス処理を施
    すことを特徴とする基板処理方法。