KR101187104B1 - 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 - Google Patents

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겐지 세키구치
히로키 오노
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 공정을 포함하는 기판 세정 방법으로서, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 공정은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하는 것을 목적으로 한다.

Description

기판 세정 방법 및 기판 세정 장치{SUBSTRATE CLEANING METHOD AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 방법의 실시에 이용되는 세정 처리 장치의 일례를 도시한 개략 평면도.
도 2는 도 1의 세정 처리 장치의 개략 단면도.
도 3은 도 1의 세정 처리 장치의 액 및 가스의 공급계를 도시한 도면.
도 4는 도 1의 세정 처리 장치에 의한 웨이퍼의 표면 세정 처리의 시퀀스의 일례를 설명하기 위한 흐름도.
도 5a～5e는 도 4의 각 공정을 설명하기 위한 개략도.
도 6은 2 유체 스프레이에 이용되는 혼합액의 IPA 농도를 변화시킨 경우에 있어서의 N2 가스 유량과 파티클 제거율과의 관계 및 N2 가스 유량과 웨이퍼 상의 패턴의 손상수와의 관계를 도시한 그래프.
도 7a 및 7b는 IPA를 공급하여 건조 처리를 행하는 경우, IPA 및 N2 가스를 공급하여 건조 처리를 행하는 경우의 상태를 도시한 모식도.
도 8은 도 1의 세정 처리 장치에 의한 웨이퍼의 표면 세정 처리의 시퀀스의 다른 예를 설명하기 위한 흐름도.
도 9는 도 1의 세정 처리 장치에 의한 웨이퍼의 표면 세정 처리의 시퀀스의 또 다른 예를 설명하기 위한 흐름도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 하우징 2: 외측 챔버
3: 제1 노즐 아암 수납부 4; 제2 노즐 아암 수납부
11: 내측 컵 12: 스핀척
13: 언더 플레이트 14, 16: 창부
15: 제1 셔터 17: 제2 셔터
31: 제1 노즐 아암 32: 제2 노즐 아암
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치(LCD)의 유리 기판으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등의 기판을 세정하는 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 기재함)를 소정의 약액(세정액)에 의해 세정하여, 웨이퍼에 부착된 파티클, 유기 오염물, 금속 불순물 등의 콘터미네이션, 에칭 처리 후의 폴리머 등을 제거하는 세정 처리가 행해진다.
이와 같은 세정 처리를 행하는 웨이퍼 세정 장치로서는 웨이퍼를 스핀척에 유지하고, 웨이퍼의 표리면에 처리액을 공급하여 세정 처리를 행하며, 그 후, 필요에 따라 린스 처리를 행한 후, 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 건조 처리를 행하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치가 알려져 있다.
이러한 매엽식 웨이퍼 세정 장치에 있어서, 웨이퍼에 부착된 파티클을 효율적으로 제거하는 기술로서, 순수와 N2 가스로 이루어지는 2 유체 스프레이를 이용하는 기술이 알려져 있다(예컨대, 일본 특허 공개 평성 제8-318181호 공보).
그러나, 최근, 패턴의 미세화가 진행되고, 패턴을 갖는 웨이퍼의 경우에는 패턴 쓰러짐 등의 손상이 발생하기 쉬워지며, 2 유체 스프레이에 의해 충분히 파티클을 제거하고자 하면, 패턴의 손상이 증가하게 된다. 또한, 패턴의 손상을 허용 범위로 하고자 하면, 파티클 제거율이 불충분한 것으로 되어 버린다.
본 발명의 목적은 기판에 대한 손상을 허용 범위로 하면서 기판 상의 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 그와 같은 방법을 실시하기 위한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 실시 형태에 따르면, 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며, 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하는 기판 세정 방법이 제공된다.
본 발명의 제2 실시 형태에 따르면, 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 약액을 공급하는 단계와, 약액 공급 후의 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계와, 2 유체 스프레이 공급 후의 기판에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며, 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하는 기판 세정 방법이 제공된다.
본 발명의 제3 실시 형태에 따르면, 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계와, 2 유체 스프레이 공급 후의 기판에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하는 기판 세정 방법이 제공된다.
상기 제1～제3 실시 형태에 있어서, 마지막에 기판을 회전시켜 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 것을 더 포함하여도 좋다. 이 경우에 털기 건조는 농도가 대략 100%인 이소프로필알콜을 공급하면서 행할 수 있거나 혹은 농도 가 대략 100%인 이소프로필알콜과 질소 가스를 공급하면서 행할 수 있다. 또한, 상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 30～40 체적%로 하고, 파티클 제거율을 85% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 혼합액의 유량은 200 mL/min 이상으로 할 수 있다.
본 발명의 제4 실시 형태에 따르면, 기판의 표면을 세정하는 기판 세정 장치로서, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와, 기판의 표면에 순수와 이소프로필알콜로 이루어지는 혼합액과 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 2 유체 스프레이 노즐과, 상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 2 유체 스프레이에 의한 기판의 파티클 제거율이 80% 이상이 되도록 2 유체 스프레이 노즐로부터의 순수, 이소프로필알콜 및 기체의 공급량을 제어하는 제어 기구를 구비하는 기판 세정 장치가 제공된다.
본 발명의 제5 실시 형태에 따르면, 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은 실행시에 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하는 기판 세정 방법이 행해지도록 컴퓨터로 액 처리 장치를 제어하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이의 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 함으로써, 기판에 대한 손상을 허용 범위로 하면서, 기판 상의 파티클을 효과적으로 제거할 수 있고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 여기서는 본 발명을 웨이퍼의 표리면을 동시에 세정 처리할 수 있는 웨이퍼 세정 장치에 적용한 경우에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 방법의 실시에 이용되는 웨이퍼 세정 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도이며, 도 2는 그 개략 단면도이다. 웨이퍼 세정 장치(100)는 하우징(1)을 갖고 있으며, 하우징(1) 내부에 세정 처리를 행하는 웨이퍼를 수용하는 외측 챔버(2)와, 제1 노즐 아암(31)을 수납하는 제1 노즐 아암 수납부(3)와, 제2 노즐 아암(32)을 수납하는 제2 노즐 아암 수납부(4)를 갖고 있다.
또한, 웨이퍼 세정 장치(100)는 외측 챔버(2) 내부에, 내측 컵(11)(도 2)과, 내측 컵(11) 내에서 웨이퍼(W)를 유지하는 스핀척(12)과, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면측에 웨이퍼(W)에 대향하도록, 또한 상하 이동 가능하게 설치된 언더 플레이트(13)를 갖고 있다.
하우징(1)에는 웨이퍼 반입구 및 반출구로서 기능하는 창부(14)가 형성되어 있으며, 이 창부(14)는 제1 셔터(15)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 창부(14)는 웨이퍼(W)의 반입출시에는 개방된 상태가 되며, 그것 이외는 제1 셔터(15)에 의해 폐색된 상태로 유지된다. 제1 셔터(15)는 하우징(1)의 내부로부터 창부(14)를 개폐 하도록 되어 있으며, 하우징(1)의 내부가 양압이 된 경우에도 하우징(1) 안의 분위기의 누설을 유효하게 방지 가능하게 되어 있다.
외측 챔버(2) 측부의 상기 창부(14)에 대응하는 위치에는 웨이퍼(W)의 반입구 및 반출구가 되는 창부(16)가 형성되어 있으며, 이 창부(16)는 제2 셔터(17)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 창부(16)는 웨이퍼(W)의 반입출시에는 개방된 상태가 되며, 그것 이외는 제2 셔터(17)에 의해 폐색된 상태로 유지된다. 웨이퍼(W)의 세정 처리는 외측 챔버(2) 안에서 행해지도록 되어 있으며, 웨이퍼(W)의 반입출시에는 창부(14 및 16)의 양방이 개방된 상태가 되며, 외부로부터 도시하지 않은 반송 아암이 외측 챔버(2) 안에 삽입되어, 스핀척(12)에 대한 웨이퍼(W)의 수취 및 주고받음이 행해진다.
제2 셔터(17)도 외측 챔버(2)의 내부로부터 창부(16)를 개폐하도록 되어 있으며, 외측 챔버(2) 안이 양압이 된 경우에도 그 내부 분위기의 누설을 유효하게 방지할 수 있도록 되어 있다.
외부 챔버(2)의 상벽에는 외측 챔버(2) 안에 N2 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구(18)가 설치되어 있다. 이 가스 공급구(18)는 외측 챔버(2) 안에 다운 플로우를 형성하고, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)로 토출된 약액의 증기가 외측 챔버(2) 안에 충만하는 것을 방지한다. 또한, 이러한 다운 플로우를 형성함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 워터 마크가 쉽게 발생하지 않는 효과도 얻을 수 있다. 외측 챔버(2)의 바닥부에는 드레인부(19)가 설치되어, 드레인부(19)로부터 배 기 및 배액을 행할 수 있도록 되어 있다.
내측 컵(11)은 웨이퍼(W)로 토출된 약액이나 순수가 주위로 비산하는 것을 방지하기 위한 것으로, 외측 챔버(2)의 내측에 스핀척(12)을 둘러싸도록 설치되어 있다. 이 내측 컵(11)은 상부가 테이퍼부(11a)로 되어 있으며, 바닥벽에는 드레인부(20)가 형성되어 있다. 또한, 내측 컵(11)은 그 상단이 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)보다도 상측이며, 테이퍼부가 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리 위치(도 2에 있어서 실선으로 나타내는 위치)와, 그 상단이 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)보다도 하측의 후퇴 위치(도 2에 있어서 점선으로 나타내는 위치) 사이에서 승강 가능하게 되어 있다.
내측 컵(11)은 웨이퍼(W)의 반입출시에는 반송 아암(도시하지 않음)의 진입/퇴출을 방해하지 않도록 후퇴 위치에 유지된다. 한편, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)에 세정 처리가 실시될 때에는 처리 위치에 유지된다. 또한 웨이퍼(W)의 세정 처리에 이용된 약액은 드레인부(20)로 유도된다. 드레인부(20)에는 도시하지 않은 약액 회수 라인과 배기 덕트가 접속되어 있으며, 이것에 의해 내측 컵(11) 안에서 발생하는 미스트 등이 외측 챔버(12) 안으로 확산되는 것이 방지된다.
스핀척(12)은 회전 플레이트(41)와, 회전 플레이트(41)의 중앙부에 접속되어 회전 플레이트(41)의 하측으로 연장되는 회전 통체(42)를 갖고, 웨이퍼(W)를 지지하는 지지핀(44a)과 웨이퍼(W)를 유지하는 유지핀(44b)이 회전 플레이트(41)의 주연부에 부착되어 있다. 반송 아암(도시하지 않음)과 스핀척(12) 사이의 웨이퍼(W)의 주고받음은 이 지지핀(44a)을 이용하여 행해진다. 지지핀(44a)은 웨이퍼(W)를 확실하게 지지하는 관점으로부터 적어도 3 개소에 설치하는 것이 바람직하다. 유지핀(44b)은 반송 아암(도시하지 않음)과 스핀척(12) 사이에서의 웨이퍼(W)의 주고받음을 방해하지 않도록, 도시하지 않은 가압 기구에 의해 회전 플레이트(41)의 하부에 위치하는 부분을 회전 플레이트(41)측으로 가압함으로써, 유지핀(44b)의 상측 선단이 회전 플레이트(41)의 외측으로 이동하도록 경사지게 할 수 있도록 되어 있다. 유지핀(44b)도 웨이퍼(W)를 확실하게 유지하는 관점으로부터 적어도 3 개소에 설치하는 것이 바람직하다.
회전 통체(42) 하단부의 외주면에는 벨트(45)가 권취되어 있으며, 벨트(45)를 모터(46)에 의해 구동시킴으로써, 회전 통체(42) 및 회전 플레이트(41)를 회전시켜 유지핀(44b)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있도록 되어 있다.
언더 플레이트(13)는 회전 플레이트(41)의 중앙부 및 회전 통체(42) 안을 관통 삽입하여 설치된 샤프트(지지 기둥)(47)에 접속되어 있다. 샤프트(47)는 그 하단부에 있어서, 수평판(48)에 고정되어 있으며, 이 수평판(48)은 샤프트(47)와 일체적으로 에어실린더 등의 승강 기구(49)에 의해 승강 가능하게 되어 있다. 그리고, 언더 플레이트(13)는 이 승강 기구(49)에 의해, 스핀척(12)과 반송 아암(도시하지 않음) 사이에서 웨이퍼(W)의 주고받음이 행해질 때에는 반송 아암과 충돌하지 않도록 회전 플레이트(41)에 근접하는 위치로 강하되고, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 세정 처리를 행하기 위해 패들(액막)을 형성할 때에는 웨이퍼(W)의 이면에 근접하는 위치로 상승된다. 또한, 패들에 의한 세정 처리가 종료된 후에는 적절한 위치로 하강된다. 또한, 언더 플레이트(13)의 높이 위치를 고정하고, 회전 통체(42)를 승강시킴으로써, 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 상대 위치를 조정하여도 좋다.
언더 플레이트(13) 및 샤프트(47)에는, 그 내부를 관통하도록 세정액인 약액이나 린스액인 순수 및 액막 파괴용 가스(예컨대, 질소 가스)를 웨이퍼(W)의 이면을 향하여 공급하는 이면 세정용 노즐(50)이 설치되어 있다. 또한, 언더 플레이트(13)에는 히터(33)가 매설되어 있으며, 도시하지 않은 전원으로부터 급전됨으로써 언더 플레이트(13)를 통해 웨이퍼(W)의 온도 제어가 가능하게 되어 있다.
제1 노즐 아암 수납부(3)의 외측 챔버(2)와 인접하는 부분에는 창부(21)가 형성되어 있으며, 이 창부(21)는 제3 셔터(22)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 제1 노즐 아암 수납부(3)와 외측 챔버(2)의 분위기를 격리할 때는, 이 제3 셔터(22)가 폐쇄된다. 또한, 제2 노즐 아암 수납부(4)의 외측 챔버(2)와 인접하는 부분에는 창부(23)가 형성되어 있으며, 이 창부(23)는 제4 셔터(24)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 제2 노즐 아암 수납부(4)와 외측 챔버(2)의 분위기를 격리할 때는, 이 제4 셔터(24)가 폐쇄된다.
제1 노즐 아암 수납부(3)에 수납되어 있는 제1 노즐 아암(31)은 그 기단부에 설치된 구동 기구(56)에 의해 제1 노즐 아암 수납부(3)와 외측 챔버(2) 안의 웨이퍼(W) 중심부의 상측 위치와의 사이에서 회동 가능 및 상하 이동 가능하게 되어 있으며, 그 선단에는 세정액으로서의 약액 및 린스액으로서의 순수를 토출하는 액 토출 노즐(51), N2 가스를 토출하는 N2 가스 토출 노즐(52), 이소프로필알콜(IPA)을 토출하는 IPA 토출 노즐(53)이 설치되어 있다.
한편, 제2 노즐 아암 수납부(4)에 수납되어 있는 제2 노즐 아암(32)은 그 기단부에 설치된 구동 기구(54)에 의해 제2 노즐 아암 수납부(4)와 외측 챔버(2) 안의 웨이퍼(W) 중심부의 상측 위치와의 사이에서 회동 가능 및 상하 이동 가능하게 되어 있으며, 그 선단에는 N2 가스와, N2 가스에 의해 분무화된 순수와 IPA와의 혼합액을 분출시키기 위한 2 유체 스프레이 노즐(55)이 설치되어 있다.
도 3은 웨이퍼 세정 장치(100)의 유체 공급계를 도시하는 개략도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 이면 세정용 노즐(50)에는 유체 공급 라인(61)이 접속되어 있다. 유체 공급 라인(61)에는 각각 밸브(64 및 65)를 통해 약액 공급 라인(62) 및 순수 공급 라인(63)이 접속되어 있으며, 웨이퍼(W)의 이면에 세정액으로서의 약액 및 린스액으로서의 순수를 공급 가능하게 되어 있다. 또한, 유체 공급 라인(61)의 중간에는 밸브(67)를 통해 N2 가스를 공급하는 N2 가스 공급 라인(66)이 접속되어 있다. N2 가스 공급 라인(66)에는 상류측으로부터 순서대로 레귤레이터(68), 플로우미터(69), 필터(70)가 설치되어 있으며, 또한, 필터(70)의 하류측에 N2 가스압을 외부에 개방하기 위한 개방 라인(71)이 접속되어 있다. 개방 라인(71)에는 개폐 밸브(71a)가 설치되어 있다.
한편, 웨이퍼의 표면측에 설치되어 있는 액 토출 노즐(51)에는 액 공급 라인(72)이 접속되어 있다. 액 공급 라인(72)에는 각각 밸브(75 및 76)를 통해 약액 공급 라인(73) 및 순수 공급 라인(74)이 접속되어 있으며, 웨이퍼(W)의 표면에 세 정액으로서의 약액 및 린스액으로서의 순수를 공급 가능하게 되어 있다. IPA 토출 노즐(53)에는 IPA 공급 라인(77)이 접속되어 있으며, 라인(77)에는 밸브(78)가 설치되어 있다. N2 가스 토출 노즐(52)에는 N2 가스 공급 라인(79)이 접속되어 있으며, 라인(79)에는 밸브(80)가 설치되어 있다. 또한, 2 유체 스프레이 노즐(55)에는 N2 가스 공급 라인(81) 및 혼합액 공급 라인(90)이 접속되어 있으며, 혼합액 공급 라인(90)에는 믹싱 밸브(89)를 통해 순수 공급 라인(83) 및 IPA 공급 라인(86)이 접속되어 있다. 또한, 순수 공급 라인(83)에는 밸브(84) 및 유량 컨트롤러(85)가 설치되어 있으며, IPA 공급 라인(86)에는 밸브(87) 및 유량 컨트롤러(88)가 설치되어 있다. 그리고, 순수 공급 라인(83) 및 IPA 공급 라인(86)으로부터의 순수 및 IPA의 유량을 유량 컨트롤러(85 및 88)로 제어하여 이들을 임의의 비율로 믹싱 밸브(89)에 의해 혼합하고, 2 유체 스프레이 노즐(55)에서 이 혼합액이 N2 가스 공급 라인(81)으로부터 공급된 N2 가스로 분무화되며, 2 유체 스프레이 노즐(55)로부터 분무화된 순수 및 IPA의 혼합액이 N2 가스를 수반하여 분출하도록 되어 있다. 또한, 순수 공급 라인(83) 및 IPA 공급 라인(86) 이외의 라인에도 도시하지 않은 유량 컨트롤러가 설치되어 있어, 임의의 유량으로 조절 가능하게 되어 있다.
웨이퍼 세정 장치(100)의 각 구성부는 CPU를 구비한 프로세스 컨트롤러(101)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 프로세스 컨트롤러(101)에는 공정 관리자가 웨이퍼 세정 장치(100)의 각 구성부를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등 을 행하는 키보드나, 웨이퍼 세정 장치(100)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(102), 웨이퍼 세정 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(101)의 제어로써 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 저장된 기억부(103)가 접속되어 있다.
그리고, 필요에 따라 사용자 인터페이스(102)로부터의 지시 등을 받아 임의의 레시피를 기억부(103)로부터 호출하여 프로세스 컨트롤러(101)로 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(101)의 제어하에 웨이퍼 세정 장치(100)에 있어서 원하는 각종 처리가 행해진다. 레시피는, 예컨대 CD-ROM, 하드디스크, 플랙시블 디스크, 비휘발성 메모리 등의 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것이어도 좋으며, 또한, 적합한 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 수시 전송시켜 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 웨이퍼 세정 장치에 있어서의 세정 처리에 대해서 설명한다. 우선, 하우징(1)에 설치된 제1 셔터(15)와 외측 챔버(2)에 설치된 제2 셔터(17)를 개방하고, 내측 컵(11)을 후퇴 위치에 유지하며, 언더 플레이트(13)를 회전 플레이트(41)에 근접하는 위치에서 대기시키고, 제1 노즐 아암(31) 및 제2 노즐 아암(32)을 각각 제1 노즐 아암 수납부(3) 및 제2 노즐 아암 수납부(4)에 수납시킨 상태로 한다.
이 상태로부터 웨이퍼(W)를 반입하여 웨이퍼(W)의 표리면을 동시에 세정한다. 최초에 웨이퍼(W)의 표면 세정에 대해서 설명한다. 도 4는 웨이퍼(W)의 표면 세정 처리 순서의 일례를 도시하는 흐름도, 도 5a～5e는 도 4의 각 공정을 설명하기 위한 개략도이다. 우선, 도 5a에 도시하는 바와 같이, 액 토출 노즐 아암(31)을 외측 챔버(2) 내에 진입시키고, 액 토출 노즐(51)을 웨이퍼(W)의 표면 중심 상에 위치시키며, 약액 공급 라인(73), 액 공급 라인(72) 및 액 토출 노즐(51)을 통해 웨이퍼(W)의 표면에 약액을 공급하여 세정 처리를 행한다(단계 1). 이 약액에 의한 세정 처리는 주로 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 촘촘한 파티클을 제거하기 위해 행한다. 이 때에, 소정량의 약액을 웨이퍼(W)의 표면에 공급하여 패들(약막)을 형성하여 세정 처리를 진행시켜도 좋고, 약액을 흘리면서 세정을 행하여도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)는 정지 상태에서도 10～1000 rpm 정도로 회전시켜도 좋다.
다음에, 도 5b에 도시하는 바와 같이 약액 공급 라인(73)을 순수 공급 라인(74)으로 전환하고, 액 토출 노즐(51)로부터 린스액으로서 순수를 공급하여 린스 처리를 행한다(단계 2). 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상의 약액을 세정한다. 이 때의 웨이퍼 회전수는 500～1500 rpm 정도로 한다. 또한, 이 린스 공정은 필수적인 것은 아니다.
그 후, 도 5c에 도시하는 바와 같이, 제1 노즐 아암(31)을 제1 노즐 아암 수납부(3)로 후퇴시키고, 제2 노즐 아암(32)을 외측 챔버(2) 안에 침입시키고, 2 유체 스프레이 노즐(55)을 웨이퍼(W)의 중심 상에 위치시키며, 2 유체 스프레이 노즐(55)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 순수와 IPA로 이루어지는 혼합액과 N2 가스의 2 유체 스프레이를 혼합액 중 IPA 농도를 10～60 체적%로 하여 웨이퍼(W)의 표면에 공급한다(단계 3). 이 때, 웨이퍼(W)의 회전수는 500～2000 rpm으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 2 유체 스프레이를 형성하기 위한 액체로서 순수와 IPA로 이루어지는 혼합액을 이용함으로써, 종래의 순수만의 경우보다도 파티클의 제거 성능을 높일 수 있다. 그리고, 이와 같이 IPA를 10～60 체적% 포함한 혼합액으로 함으로써, 스프레이 충격이 작은 상태, 즉 웨이퍼에 대한 손상이 작은 상태에서 파티클 제거율을 80% 이상으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는 30～40 체적%이다. 이것에 의해, 웨이퍼에의 손상이 작은 상태에서 파티클 제거율을 85% 이상으로 할 수 있다.
이것을 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 횡축에 2 유체 스프레이 노즐에 있어서의 규격화된 N2 가스 유량(액체의 유량은 일정)을 취하고, 종축에 파티클 제거율을 취하며, 2 유체 스프레이에 이용하는 혼합액의 IPA 농도를 변화시킨 경우 에 있어서의 N2 가스 유량과 파티클 제거율과의 관계를 도시하는 그래프이다. 여기서는 실제로 패턴이 형성된 웨이퍼를 이용한 경우를 나타내고, 대상으로 하고 있는 파티클은 사이즈가 0.09 ㎛ 이상인 것이다. 또한, 파티클의 측정은 SURESCAN SPIDLS(제품명)에 의해 행하였다. 또한, 도면 중에 도시하고 있는 「손상 임계치」의 영역은 그 영역보다도 N2 가스 유량이 증가하면 웨이퍼에 대한 손상이 허용 범위를 초과하는 것을 의미하고 있다.
도 6으로부터 명백한 바와 같이, 순수가 100%인 경우에는 80% 이상의 파티클 제거율을 얻고자 하면 N2 가스 유량을 증가시키지 않을 수 없으며, 「손상 임계치」를 초과하게 되는 웨이퍼에 대한 손상을 허용 범위 내로 할 수 없다. 한편, 「손상 임계치」를 초과하지 않는 경우, 즉 웨이퍼에 대한 손상이 허용 범위 내인 경우에는 파티클 제거율이 불충분해지게 된다. 이것에 대하여, IPA를 10 체적% 함유시킴으로써, 파티클 제거율이 급격하게 높아지고, 보다 낮은 N2 유량이어도 높은 파티클 제거율을 얻는 것이 가능하게 되어 「손상 임계치」 이하의 N2 가스 유량으로 패턴에 거의 손상을 입히지 않으며 80% 이상의 제거율을 얻을 수 있다. 패턴 제거율은 IPA가 30 체적%일 때가 최대가 되며, 그것보다도 증가하면 제거율이 내려가지만, IPA가 60 체적%라도 패턴에 거의 손상을 주지 않는 「손상 임계치」 이하의 N2 가스 유량으로 80% 이상의 제거율을 얻을 수 있다. 그러나, IPA가 60 체적%를 초과하면 「손상 임계치」 이하의 N2 가스 유량에서는 파티클 제거율 80% 이상을 달성할 수 없고, IPA가 100%가 되면, N2 가스 유량을 극단적으로 증가시켜도 제거율이 75% 부근까지에 밖에 이르지 않는다는 것을 알 수 있다.
이상의 것으로부터 2 유체 스프레이에 있어서의 순수와 IPA 혼합액의 IPA 농도를 10～60 체적%로 하여 패턴에 대한 손상을 최소로 하면서 파티클 제거율을 80% 이상을 달성한다. 또한, 파티클을 유효하게 제거하는 관점으로부터는 혼합액의 유량은 200 mL/min 이상이 바람직하다.
이러한 2 유체 스프레이 후, 도 5d에 도시하는 바와 같이, 제2 노즐 아암(32)을 제2 노즐 아암 수납부(4)로 후퇴시키고, 제1 노즐 아암(31)을 외측 챔버(2) 내로 침입시키고, 액 토출 노즐(51)을 웨이퍼(W)의 표면 중심 상에 위치시키며, 순수 공급 라인(74), 액 공급 라인(72) 및 액 토출 노즐(51)을 통해 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 공급하여 린스 처리를 행한다(단계 4).
린스 처리 후, 도 5e에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 300 rpm 이상, 예컨대 1000 rpm으로 고속 회전시켜 털기 건조를 행한다(단계 5). 이 때에, 웨이퍼(W)의 표면이 소수성인 경우에는 도 7a에 도시하는 바와 같이, IPA 토출 노즐(53)을 웨이퍼(W)의 표면 중심 상에 위치시키고, 그곳으로부터 웨이퍼(W) 외측으로 스캔하면서, IPA 공급 라인(77) 및 IPA 토출 노즐(53)을 통해 농도가 대략 100%인 IPA를 공급하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 건조를 촉진하고, 워터마크의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 도 7b에 도시하는 바와 같이, IPA를 공급하는 동시에, N2 가스 토출 노즐(52)로부터 N2 가스 공급 라인(79)을 통해 N2 가스를 토출하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, IPA 토출 노즐(53)로부터 토출된 IPA를 N2 가스가 따라가는 상태가 되며, 웨이퍼(W)에 잔존하고 있는 파티클을 유효하게 제거하면서 조속히 건조시킬 수 있고, 워터마크의 발생도 대략 완전하게 방지할 수 있다.
다음에, 이면 세정에 대해서 설명한다.
최초에 언더 플레이트(13)가 웨이퍼(W)의 반입을 방해하지 않도록, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)와의 갭은 4 ㎜ 이상, 예컨대 10 ㎜ 이상으로 해 두고, 계속해서, 언더 플레이트(13)를 스핀척(12)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 근접한 위치까지 상승시키고, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이의 갭을 0.5～3 mm, 예컨대 0.8 ㎜로 설정한다.
계속해서, 상기 단계 1의 사이에, 약액 공급 라인(62), 유체 공급 라인(61) 및 이면 세정용 노즐(50)을 통해 세정액으로서 소정의 약액을 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)의 갭에 공급하여 세정 처리를 행한다.
약액에 의한 세정 처리가 종료된 후, 순수 공급 라인(63), 유체 공급 라인(61) 및 이면 세정용 노즐(50)을 통해 웨이퍼(W) 이면과 언더 플레이트(13)의 사이에 린스액으로서 순수를 공급한다.
그 후, 언더 플레이트(13)를 하강시키지만, 그 때에 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이가 진공이 되어 웨이퍼(W)가 구부러지거나 부서지거나 하는 것을 방지하기 위해 언더 플레이트(13)를 하강시키기 전에 N2 가스 라인(66), 유체 공급 라인(61) 및 이면 세정용 노즐(50)을 통해 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이에 N2 가스를 공급하고, 이들 사이에 형성되어 있는 액막을 파괴하는 것이 바람직하다. 또한, 이 때 N2 가스 라인(66)의 가스압이 높아지고 있는 경우가 있으며, 그 대로 밸브(67)를 개방하면 N2 가스가 급격히 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이의 갭에 공급되어 웨이퍼(W)를 밀어 올리는 등의 문제가 발생하는 경우가 있지만, 이것은 미리 개방 라인(71)의 개폐 밸브(71a)를 개방하여 N2 가스 공급 라인(66) 안의 압력 을 개방해 둠으로써 해소할 수 있다.
언더 플레이트(13)를 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)의 갭을 1.5～4 mm, 예컨대 1.5 ㎜로 넓히고, 순수 공급 라인(63), 유체 공급 라인(61) 및 이면 세정용 노즐(50)을 통해 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13) 사이에 린스액으로서 순수를 공급하여 린스 처리를 행한다. 이 린스 처리까지의 일련의 공정은 상기 단계 2의 린스 공정, 단계 3의 웨이퍼(W) 표면의 2 유체 스프레이 세정, 및 단계 4의 웨이퍼(W) 표면의 린스 처리에 대응하여 행해지지만, 웨이퍼(W) 표면의 2 유체 스프레이를 행하고 있을 때는 웨이퍼(W)의 이면에 순수를 공급하도록 한다.
그 후, 순수의 공급을 정지하고, 언더 플레이트(13)를 더욱 하강시켜 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)의 갭을 4 ㎜ 이상, 예컨대 10 ㎜로 하고, 상기 단계 5의 타이밍으로 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전수를 300 rpm 이상, 예컨대 1000 rpm으로 하여 털기 건조를 행한다. 이 때, 건조를 촉진하기 위해 N2 가스를 공급하도록 하여도 좋다.
이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 표면 및 이면의 세정이 종료된 후, 웨이퍼(W)와 언더 플레이트(13)의 갭을 4 mm 이상, 예컨대 10 mm로 유지한 상태에서 도시하지 않은 반송 아암을 웨이퍼(W)의 하측으로 삽입하고, 웨이퍼(W)를 반송 아암에 주고받는다.
상기 실시 형태에서는 웨이퍼(W)의 표면 세정 처리에 있어서, 약액 처리, 린스 처리, 액체로서 순수와 IPA의 혼합액을 이용한 2 유체 스프레이 처리, 린스 처 리 및 건조 처리를 순차 행하였지만, 도 8에 도시하는 바와 같이, 약액 처리 및 그 후의 린스 처리를 행하지 않고, 최초에, 상기 단계 3과 동일하게 액체로서 순수와 IPA의 혼합액을 이용한 2 유체 스프레이 처리를 행하고(단계 11), 계속해서, 상기단계 4와 동일하게 린스 처리를 행하며(단계 12), 그 후 단계 5와 동일하게 건조 처리를 행하는(단계 13) 방법이어도 좋다. 이러한 처리는 비교적 큰 파티클만이 존재하고 있어 약액 처리의 필요가 없는 경우 및 웨이퍼(W)의 표면에 약액과 반응하는 부분이 존재하는 등에 의해 약액 세정을 할 수 없는 경우 등에 채용된다.
또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 최초에 상기 단계 3과 동일하게 액체로서 순수와 IPA의 혼합액을 이용한 2 유체 스프레이 처리를 행하고(단계 21), 계속해서, 린스 처리를 거치지 않고, 상기 단계 5에 있어서의 IPA를 공급한 건조 처리와 동일한 건조 처리를 행하는(단계 22) 방법이어도 좋다. 이러한 방법은 작업 처리량을 향상시키는 이점이 있다. 단, 이 방법은 단계 22에서 웨이퍼(W)에 IPA를 공급하면서 행하고, 그 때의 린스 효과를 이용해야 하기 때문에, 표면이 소수성 웨이퍼(W)인 경우에 행하는 것이 바람직하다. 또한, IPA와 동시에 N2 가스를 공급하는 것이 바람직하다.
도 8, 도 9의 웨이퍼(W)의 표면 세정 처리를 행하는 경우에는 웨이퍼(W)의 이면세정은 이들 공정에 대응하여 적절하게 행하는 것이 필요하다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시 형태에서는 피처리 기판으로서의 웨이퍼의 표면 및 이면을 동시에 세정하는 경우의 표면 세정에 본 발명을 적용한 경우를 예로 들어 설명하였지만, 표면 세정만을 실시하는 경우에 적용할 수도 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우에 대해서 나타내었지만, 액정 표시 장치(LCD)용 유리 기판으로 대표되는 플랫 디스플래이(FPD)용 기판 등 다른 기판에 물론 적용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이의 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 함으로써, 기판에 대한 손상을 허용 범위로 하면서, 기판 상의 파티클을 효과적으로 제거할 수 있고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며, 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하며,
    최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜을 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법.
  2. 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며, 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하며,
    최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜과 질소 가스를 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 30～40 체적%로 하고, 파티클 제거율을 85% 이상으로 하는 것인 기판 세정 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 혼합액의 유량은 200 mL/min 이상인 것인 기판 세정 방법.
  5. 기판을 준비하는 단계와,
    기판의 표면에 약액을 공급하는 단계와,
    약액 공급 후의 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계와,
    2 유체 스프레이 공급 후의 기판에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며, 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하며,
    최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜을 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법.
  6. 기판을 준비하는 단계와,
    기판의 표면에 약액을 공급하는 단계와,
    약액 공급 후의 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계와,
    2 유체 스프레이 공급 후의 기판에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며, 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하며,
    최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계를 더 포함하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜과 질소 가스를 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 30～40 체적%로 하고, 파티클 제거율을 85% 이상으로 하는 것인 기판 세정 방법.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 혼합액의 유량은 200 mL/min 이상인 것인 기판 세정 방법.
  9. 기판을 준비하는 단계와,
    기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계와,
    2 유체 스프레이 공급 후의 기판에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하며,
    최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계을 더 포함하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜을 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법.
  10. 기판을 준비하는 단계와,
    기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계와,
    2 유체 스프레이 공급 후의 기판에 린스액을 공급하여 린스하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서,
    상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하며,
    최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계을 더 포함하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜과 질소 가스를 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 30～40 체적%로 하고, 파티클 제거율을 85% 이상으로 하는 것인 기판 세정 방법.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 혼합액의 유량은 200 mL/min 이상인 것인 기판 세정 방법.
  13. 기판의 표면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    기판의 표면에 순수와 이소프로필알콜로 이루어지는 혼합액과 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 2 유체 스프레이 노즐과,
    상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 2 유체 스프레이에 의한 기판의 파티클 제거율이 80% 이상이 되도록 2 유체 스프레이 노즐로부터의 순수, 이소프로필알콜 및 기체의 공급량을 제어하는 제어 기구와,
    기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조하기 위해 기판을 회전시키는 회전 기구를 구비하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜을 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 장치.
  14. 기판의 표면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부와,
    기판의 표면에 순수와 이소프로필알콜로 이루어지는 혼합액과 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 2 유체 스프레이 노즐과,
    상기 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 2 유체 스프레이에 의한 기판의 파티클 제거율이 80% 이상이 되도록 2 유체 스프레이 노즐로부터의 순수, 이소프로필알콜 및 기체의 공급량을 제어하는 제어 기구와,
    기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조하기 위해 기판을 회전시키는 회전 기구를 구비하고,
    상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜과 질소 가스를 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 장치.
  15. 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 제어 프로그램은 실행시에, 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하는 기판 세정 방법이 행하며, 최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계를 더 포함하고, 상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜을 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법이 행해지도록 컴퓨터로 액 처리 장치를 제어하는 것인 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  16. 컴퓨터 상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 제어 프로그램은 실행시에, 기판을 준비하는 단계와, 기판의 표면에 액체와 기체로 이루어지는 2 유체 스프레이를 공급하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법으로서, 상기 2 유체 스프레이의 공급은 액체로서 순수와 이소프로필알콜의 혼합액을 이용하며 그 혼합액 중 이소프로필알콜의 농도를 10～60 체적%로 하고, 파티클 제거율을 80% 이상으로 하여 행하는 기판 세정 방법이 행하며, 최후에 기판을 회전시켜, 기판 상에 잔존하고 있는 액체를 털어 건조시키는 단계를 더 포함하고, 상기 액체의 털기 건조는 농도가 100%인 이소프로필알콜과 질소 가스를 공급하면서 행하는 것인 기판 세정 방법이 행해지도록 컴퓨터로 액 처리 장치를 제어하는 것인 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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