JP5977720B2 - 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 - Google Patents
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Description
まず、本実施形態に係る基板処理方法について図1A〜図1Cを用いて説明する。図1A〜図1Cは、本実施形態に係る基板処理方法の説明図である。
次に、上述した基板処理方法を実行する基板処理システムの構成について図2を参照して説明する。図2は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
次に、第1処理装置2の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1処理装置2の概略構成を示す図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、第2処理装置3の構成について図4を参照して説明する。図4は、第2処理装置3の概略構成を示す図である。
次に、第1処理装置2が備えるドライエッチングユニット12の構成について図5を参照して説明する。図5は、ドライエッチングユニット12の構成の一例を示す模式図である。
次に、第1液処理ユニット14の構成について図6を参照して説明する。図6は、第1液処理ユニット14の構成の一例を示す模式図である。
次に、第2処理装置3が備える第2液処理ユニット19の構成について図7を参照して説明する。図7は、第2液処理ユニット19の構成の一例を示す模式図である。
次に、基板処理システム1の具体的動作について図8および図9A〜図9Dを参照して説明する。図8は、本実施形態に係る基板処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図9A〜図9Dは、基板処理の説明図である。
P 反応生成物
1 基板処理システム
2 第1処理装置
3 第2処理装置
4 制御装置
12 ドライエッチングユニット
13 ロードロック室
14 第1液処理ユニット
19 第2液処理ユニット
40_1,40_2,80 液供給部
101 配線層
102 Cu配線
103 ライナー膜
104 層間絶縁膜
106 ビアホール
Claims (7)
- 第1液処理ユニットにおいて、ドライエッチング後またはアッシング後の基板に対して前記基板上に構成される材料または前記基板上に付着する異物を溶解する所定の薬液を供給する薬液供給工程と、
前記第1液処理ユニットにおいて、前記薬液の供給後の基板に対して揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給する処理液供給工程と、
前記揮発成分が揮発することによって固化または硬化した前記処理液が表面上に形成された基板を前記第1液処理ユニットから搬出する搬出工程と、
第2液処理ユニットにおいて、前記第1液処理ユニットから搬出された基板上で固化または硬化した前記処理液に対して該処理液を除去する除去液を供給する除去液供給工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記ドライエッチング後またはアッシング後の基板は、該基板の内部に形成された金属配線の少なくとも一部が露出しており、
前記除去液は、前記金属配線の防食剤を含有すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 基板をエッチングガスによりエッチングまたはアッシングするドライエッチングユニットおよび前記第1液処理ユニットは第1処理装置に備えられ、前記第2液処理ユニットは第2処理装置に備えられること
を特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。 - ドライエッチング後またはアッシング後の基板に対して前記基板上に構成される材料または前記基板上に付着する異物を溶解する所定の薬液を供給する薬液供給部と、前記薬液の供給後の基板に対して揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給する処理液供給部とを含む第1液処理ユニットと、
前記揮発成分が揮発することによって固化または硬化した前記処理液が表面上に形成された基板を前記第1液処理ユニットから搬出する基板搬送装置と、
前記第1液処理ユニットから搬出された基板上で固化または硬化した前記処理液に対して該処理液を除去する除去液を供給する除去液供給部を含む第2液処理ユニットと
を備えることを特徴とする基板処理システム。 - 前記ドライエッチング後またはアッシング後の基板は、該基板の内部に形成された金属配線の少なくとも一部が露出しており、
前記除去液は、前記金属配線の防食剤を含有すること
を特徴とする請求項4に記載の基板処理システム。 - 基板をエッチングガスによりエッチングまたはアッシングするドライエッチングユニット及び前記第1液処理ユニットを含む第1処理装置と、
前記第2液処理ユニットを含む第2処理装置と、
を備えることを特徴とする請求項4または5に記載の基板処理システム。 - コンピュータ上で動作し、基板処理システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理システムを制御させること
を特徴とする記憶媒体。
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