JP6945320B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 251
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 110
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 257
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 claims description 51
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 50
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 15
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 188
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- QDZOEBFLNHCSSF-PFFBOGFISA-N (2S)-2-[[(2R)-2-[[(2S)-1-[(2S)-6-amino-2-[[(2S)-1-[(2R)-2-amino-5-carbamimidamidopentanoyl]pyrrolidine-2-carbonyl]amino]hexanoyl]pyrrolidine-2-carbonyl]amino]-3-(1H-indol-3-yl)propanoyl]amino]-N-[(2R)-1-[[(2S)-1-[[(2R)-1-[[(2S)-1-[[(2S)-1-amino-4-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-4-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-3-(1H-indol-3-yl)-1-oxopropan-2-yl]amino]-1-oxo-3-phenylpropan-2-yl]amino]-3-(1H-indol-3-yl)-1-oxopropan-2-yl]pentanediamide Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(N)=O)NC(=O)[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)NC(=O)[C@H]1N(CCC1)C(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)[C@H]1N(CCC1)C(=O)[C@H](N)CCCNC(N)=N)C1=CC=CC=C1 QDZOEBFLNHCSSF-PFFBOGFISA-N 0.000 description 6
- 102100024304 Protachykinin-1 Human genes 0.000 description 6
- 101800003906 Substance P Proteins 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 4
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000025508 response to water Effects 0.000 description 1
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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Description
<基板洗浄方法の内容>
まず、第1の実施形態に係る基板洗浄方法の内容について図1A〜図1Eを用いて説明する。図1A〜図1Eは、第1の実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの構成について図2を用いて説明する。図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、基板洗浄装置14の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置14の構成を示す模式図である。
次に、基板洗浄装置14の具体的動作について図4及び図5A〜図5Dを参照して説明する。第1の実施形態では、表面にGe(ゲルマニウム)を材料とする膜が形成されている基板を対象とする。図4は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置14が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。図5A〜図5Dは、基板洗浄装置14の動作説明図である。
<基板洗浄方法の内容>
第2の実施形態に係る基板洗浄方法は、内部に形成される金属配線の少なくとも一部が露出したウェハWをQ−timeの制約を受けることなく処理することを可能とする。
次に、上述した基板洗浄方法を実行する基板洗浄システムの構成について図8を参照して説明する。図8は、第2の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成を示す図である。
次に、第1処理装置1002の構成について図9を参照して説明する。図9は、第2の実施形態に係る第1処理装置1002の概略構成を示す図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、上述した第1処理装置1002が備える各ユニットの構成について説明する。まず、ドライエッチングユニット1012の構成について図10を参照して説明する。図10は、第2の実施形態に係るドライエッチングユニット1012の構成の一例を示す
模式図である。
次に、第1処理装置1002が備える第1液処理ユニット1014の構成について図11を参照して説明する。図11は、第2の実施形態に係る第1液処理ユニット1014の構成の一例を示す模式図である。
次に、基板洗浄システム1001の具体的動作について図12を参照して説明する。図12は、第2の実施形態に係る基板洗浄の処理手順を示すフローチャートである。なお、図12に示す各処理手順は、第1制御装置4Aまたは第2制御装置4の制御に基づいて行われる。
P パーティクル
1 基板洗浄システム
4 制御装置
14 基板洗浄装置
30 基板保持機構
40 第1液供給部
50 第2液供給部
Claims (13)
- Ge又はIII−V族の材料からなる基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
ドライエッチングまたはアッシングの後、揮発成分および前記基板上に処理膜を形成するための極性有機物からなる成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給工程と、
前記成膜処理液が固化または硬化して、前記基板上に前記処理膜を形成するように、前記揮発成分を揮発させる揮発工程と、
前記基板上に形成された前記処理膜に対し、該処理膜を前記基板から剥離させる非極性溶媒および極性有機溶媒からなる剥離処理液を供給する剥離処理液供給工程と、
前記剥離処理液供給工程後、前記処理膜に対して該処理膜を溶解させる極性溶媒からなる溶解処理液を供給する溶解処理液供給工程と、
前記溶解処理液供給工程後、前記基板に対して極性溶媒からなるリンス処理液を供給するリンス処理液供給工程と
を含み、
前記剥離処理液は、前記極性有機溶媒が前記処理膜をわずかに溶解させ、かつ、前記非極性溶媒が前記処理膜と前記基板との間の界面に浸透するように、水分を含まず前記極性有機溶媒を含み、
前記溶解処理液および前記リンス処理液は水分を含まない
ことを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液は、極性有機物である合成樹脂を含有する液であることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄方法。
- 前記溶解処理液中の前記極性溶媒は、アルコール類、PGMEA、PGME、及びMIBCのうち、少なくとも1つの溶媒を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板洗浄方法。
- 前記非極性溶媒は、フッ素系の溶媒を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
- 前記非極性溶媒は、HFE、HFC、HFO、及びPFCのうち、少なくとも1つの溶媒を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板洗浄方法。
- 前記基板は、Ge又はIII−V族の材料からなる膜を有する基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
- 前記基板は、メタル材料からなる配線パターンを有する基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
- 前記成膜処理液供給工程において、前記基板の表面へ前記成膜処理液を供給している間、又は前記基板へ前記成膜処理液を供給した後に、前記基板の裏面の周縁部に対して前記溶解処理液を供給することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
- 前記成膜処理液供給工程の後、前記処理膜が形成された前記基板を搬送容器へ収容する収容工程と、
前記搬送容器に収容された前記成膜処理液供給工程後の前記基板を取り出す取出工程と
をさらに含み、
前記剥離処理液供給工程は、
前記取出工程において取り出された基板に対して前記剥離処理液を供給すること
を特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液供給工程は、
内部に形成されたメタル材料からなる配線パターンの少なくとも一部がドライエッチングまたはアッシングによって露出した前記基板に対して前記成膜処理液を供給すること
を特徴とする請求項9に記載の基板洗浄方法。 - 前記ドライエッチングではCF系ガスが用いられており、前記剥離処理液中の前記非極性溶媒は、フッ素系の溶媒であること
を特徴とする請求項10に記載の基板洗浄方法。 - Ge又はIII−V族の材料からなる基板を洗浄する基板洗浄システムであって、
前記基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部を制御する制御部と
を備え、
前記処理液供給部は、
揮発成分および前記基板上に処理膜を形成するための極性有機物からなる成膜処理液と、
前記基板上に形成された前記処理膜に対し、該処理膜を前記基板から剥離させる非極性溶媒および極性有機溶媒からなる剥離処理液と、
前記処理膜に対して該処理膜を溶解させる極性溶媒からなる溶解処理液と、
溶解した前記処理膜を除去するための極性溶媒からなるリンス処理液と
を供給し、
前記剥離処理液は、前記極性有機溶媒が前記処理膜をわずかに溶解させ、かつ、前記非極性溶媒が前記処理膜と前記基板との間の界面に浸透するように、水分を含まず前記極性有機溶媒を含み、
前記溶解処理液および前記リンス処理液は水分を含まず、
前記制御部は、
ドライエッチングまたはアッシングの後、前記成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給処理と、
前記揮発成分が揮発して前記成膜処理液が固化または硬化し、前記基板上に前記処理膜が形成された後、前記処理膜に対して前記剥離処理液を供給する剥離処理液供給処理と、
前記剥離処理液供給処理後、前記処理膜に対して前記溶解処理液を供給する溶解処理液供給処理と、
前記溶解処理液供給処理後、前記基板に対して前記リンス処理液を供給するリンス処理液供給処理と
を前記処理液供給部に実行させる
ことを特徴とする基板洗浄システム。 - コンピュータ上で動作し、基板洗浄システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜11のいずれか一つに記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄システムを制御させること
を特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106115657A TWI700133B (zh) | 2016-05-25 | 2017-05-11 | 基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體 |
US15/599,067 US10734255B2 (en) | 2016-05-25 | 2017-05-18 | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and memory medium |
KR1020170062920A KR102340204B1 (ko) | 2016-05-25 | 2017-05-22 | 기판 세정 방법, 기판 세정 시스템 및 기억 매체 |
CN201710375222.5A CN107437517B (zh) | 2016-05-25 | 2017-05-24 | 基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016104264 | 2016-05-25 | ||
JP2016104264 | 2016-05-25 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021029424A Division JP7066024B2 (ja) | 2016-05-25 | 2021-02-26 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017216431A JP2017216431A (ja) | 2017-12-07 |
JP6945320B2 true JP6945320B2 (ja) | 2021-10-06 |
Family
ID=60575862
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017066950A Active JP6945320B2 (ja) | 2016-05-25 | 2017-03-30 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
JP2021029424A Active JP7066024B2 (ja) | 2016-05-25 | 2021-02-26 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021029424A Active JP7066024B2 (ja) | 2016-05-25 | 2021-02-26 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6945320B2 (ja) |
KR (1) | KR102340204B1 (ja) |
CN (1) | CN107437517B (ja) |
TW (1) | TWI700133B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7142461B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム |
EP3576133B1 (en) * | 2018-05-31 | 2023-11-22 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method |
WO2020004047A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
JP7232583B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2023-03-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6557796B1 (ja) * | 2019-02-13 | 2019-08-07 | ジャパン・フィールド株式会社 | 混合洗浄溶剤を用いた被洗浄物の洗浄方法 |
JP7355535B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-10-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7292192B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2023-06-16 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置、およびレシピ選択方法 |
CN112885719A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法 |
JP7296309B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2023-06-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
TWI794774B (zh) | 2020-03-24 | 2023-03-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
KR20230100232A (ko) * | 2021-12-28 | 2023-07-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7451595B2 (ja) | 2022-05-09 | 2024-03-18 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3690619B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2005-08-31 | 忠弘 大見 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
US6349096B1 (en) * | 1997-09-22 | 2002-02-19 | Integrated Telecom Express, Inc. | Configurable digital subscriber loop access and end-to-end data and analog voice connection system |
US7745095B2 (en) * | 2007-07-05 | 2010-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and device manufactured thereby |
JP5732199B2 (ja) * | 2010-01-04 | 2015-06-10 | 旭硝子株式会社 | 基板の洗浄方法 |
JP5543633B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
JP5977720B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP6022490B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP6308910B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
JP6193813B2 (ja) * | 2014-06-10 | 2017-09-06 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法 |
JP6426936B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および記憶媒体 |
-
2017
- 2017-03-30 JP JP2017066950A patent/JP6945320B2/ja active Active
- 2017-05-11 TW TW106115657A patent/TWI700133B/zh active
- 2017-05-22 KR KR1020170062920A patent/KR102340204B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-24 CN CN201710375222.5A patent/CN107437517B/zh active Active
-
2021
- 2021-02-26 JP JP2021029424A patent/JP7066024B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107437517A (zh) | 2017-12-05 |
KR20170133265A (ko) | 2017-12-05 |
JP2021082843A (ja) | 2021-05-27 |
CN107437517B (zh) | 2022-03-11 |
TW201808474A (zh) | 2018-03-16 |
JP7066024B2 (ja) | 2022-05-12 |
KR102340204B1 (ko) | 2021-12-16 |
TWI700133B (zh) | 2020-08-01 |
JP2017216431A (ja) | 2017-12-07 |
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