CN112885719A - 基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法。基板处理方法包括：前处理膜形成工序，在具有表面的基板的表面形成前处理膜，所述表面存在互不相同的物质露出的第一区域及第二区域；前处理膜剥离工序，利用剥离液从所述基板的表面剥离所述前处理膜；处理膜形成工序，在前处理膜剥离工序之后，在基板的表面形成处理膜；以及处理膜剥离工序，利用剥离液从所述基板的表面剥离所述处理膜。处理膜将存在于第二区域的第一除去对象物除去的除去力高于前处理膜将存在于第二区域的第一除去对象物除去的除去力，且前处理膜将存在于第一区域的第一除去对象物除去的除去力高于处理膜将存在于第一区域的第一除去对象物除去的除去力。

Description

基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法
本申请对应于2019年11月29日向日本专利厅提出的日本专利特愿2019-217610号、及2019年11月29日向日本专利厅提出的日本专利特愿2019-217611号，这些申请的所有公开通过引用而并入本申请中。
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理方法及基板处理装置、以及配方(recipe)选择方法，所述配方选择方法选择用于进行所述基板处理方法的配方。成为处理对象的基板中，例如包含半导体晶圆、液晶显示装置用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置等平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等基板。
背景技术
半导体装置的制造工序中，进行将附着于基板的各种污染物、前工序中使用的处理液或抗蚀剂(resist)等的残渣、或者各种颗粒等(以下有时统称为“除去对象物”)除去的工序。
具体而言，通常将去离子水(Deionized Water，DIW)等供给于基板，由此利用DIW的物理作用将除去对象物除去，或者将与除去对象物进行化学反应的化学液供给于基板，由此将所述除去对象物以化学方式除去。
但是，正推进形成于基板上的凹凸图案的微细化及复杂化。因此，一方面抑制凹凸图案的损伤一方面利用DIW或化学液将除去对象物除去逐渐变得不容易。
因此，提出了下述方法，即：对基板的表面供给处理液，使基板上的处理液凝固，由此形成对存在于基板上的除去对象物进行保持的保持层后，对基板的上表面供给剥离液，由此将保持层与除去对象物一起从基板的表面剥离而除去(参照日本专利特开2019-62171号公报)。
发明内容
保持层将除去对象物从基板的表面除去的除去力根据从基板的表面露出的物质的种类而不同。因此，在基板的表面中存在露出的物质互不相同区域的情况下，仅在基板的表面形成特定的保持层而将保持层从基板的表面剥离的情况下，可能无法将除去对象物充分除去。需要根据从基板的表面露出的物质来进行适当处理，将除去对象物除去。
因此，本发明的一个目的在于提供一种基板处理方法及基板处理装置，可在具有存在互不相同的物质露出的区域的表面的基板中，将除去对象物从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一目的在于提供一种配方选择方法，可选择用于根据基板的表面的状态来执行适当的基板处理方法的配方。
本发明的进而另一目的在于提供一种基板处理方法及基板处理装置，可抑制在基板的表面中露出的特定物质的变质，并且将除去对象物从基板高效率地除去。
本发明的一实施方式为一种基板处理方法，对具有下述表面的基板进行处理，所述表面存在互不相同的物质露出的第一区域及第二区域。
所述基板处理方法包括：前处理液供给工序，将前处理液供给于所述基板的表面；前处理膜形成工序，使供给于所述基板的表面的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的第一除去对象物；前处理膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述前处理膜从所述基板的表面剥离；处理液供给工序，在所述前处理膜剥离工序后，将处理液供给于所述基板的表面；处理膜形成工序，使供给于所述基板的表面的处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜，所述处理膜保持存在于所述基板的表面的所述第一除去对象物；以及处理膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离。
另外，所述处理膜将存在于所述第二区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述第二区域的所述第一除去对象物除去的除去力，且所述前处理膜将存在于所述第一区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述第一区域的所述第一除去对象物除去的除去力。
根据所述方法，通过将存在于第一区域的第一除去对象物除去的除去力高的前处理膜的剥离，而从基板的表面除去第一除去对象物。然后，通过将存在于第二区域的第一除去对象物除去的除去力高的处理膜的剥离，而从基板的表面除去第一除去对象物。即，使用除去第一除去对象物的除去力高的区域互不相同的前处理膜及处理膜，以二阶段来进行第一除去对象物的除去。
因此，即便在基板具有下述表面、也就是存在互不相同的物质露出的区域的表面的情况下，也可将第一除去对象物高效率地除去。
本发明的一实施方式中，除去所述第一除去对象物的除去力是由保持力及剥离性所构成，所述保持力将存在于所述第一区域或所述第二区域的所述第一除去对象物保持于所述处理膜或所述前处理膜，所述剥离性表示保持所述第一除去对象物的状态的所述处理膜或所述前处理膜的剥离容易度，所述第一区域中，所述前处理膜的剥离性高于所述处理膜，所述第二区域中，所述处理膜的保持力高于所述前处理膜。
因此，第一区域中，可通过剥离前处理液膜从而将大部分的第一除去对象物除去，第二区域中，可通过剥离处理膜从而将大部分的第一除去对象物除去。因此，即便在基板具有下述表面、也就是存在互不相同的物质露出的区域的表面的情况下，也可将第一除去对象物高效率地除去。
本发明的一实施方式中，所述第一区域为金属露出的露出区域，所述第二区域为所述露出区域以外的非露出区域。所述处理膜将存在于所述非露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述非露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力，且所述前处理膜将存在于所述露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力。
根据所述方法，通过进行将存在于露出区域的第一除去对象物除去的除去力相对较高的前处理膜的剥离、与将存在于非露出区域的第一除去对象物除去的除去力相对较高的处理膜的剥离两者，从而从基板的表面除去第一除去对象物。因此，可从具有存在露出区域及非露出区域的表面的基板高效率地除去第一除去对象物。
本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括：处理膜残渣除去工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将残留于所述基板的表面的所述处理膜的残渣除去。根据所述方法，即便在利用剥离液将处理膜剥离后，处理膜的残渣附着于基板的表面的情况下，也可利用除去液将所述残渣除去。
本发明的一实施方式中，所述处理膜剥离工序包含下述工序：不将所述处理膜中覆盖所述露出区域的部分剥离，而将所述处理膜中覆盖所述非露出区域的部分剥离。另外，所述处理膜残渣除去工序包含下述工序：使所述处理膜中覆盖所述露出区域的部分溶解于所述除去液而除去。
即便在处理膜中覆盖露出区域的部分并未因对基板的表面供给剥离液而剥离，残留于露出区域上的情况下，也可使所述部分溶解于除去液而从露出区域除去。
在处理膜中覆盖露出区域的部分溶解于除去液的情况下，可能由处理膜中覆盖露出区域的部分所保持而释放的第一除去对象物再附着于露出区域。因此，若为将存在于露出区域的第一除去对象物除去的除去力相对较高的前处理膜通过剥离而从露出区域除去后，形成处理膜的结构，则在形成处理膜前，将大部分的第一除去对象物从露出区域除去。
因此，即便为使处理膜中覆盖露出区域的部分溶解于除去液而从露出区域除去的结构，也可充分抑制第一除去对象物残存于露出区域。
本发明的一实施方式中，所述处理膜形成工序包含下述工序：在所述基板的表面形成具有剥离对象膜及保护膜的所述处理膜，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的所述非露出区域的所述第一除去对象物，被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护。另外，所述基板处理方法还包含：清洗工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给清洗液，利用所述清洗液将存在于所述基板的表面的第二除去对象物除去。
根据所述方法，通过使供给于基板的表面的处理液固化或硬化，从而形成被覆基板表面的非露出区域的剥离对象膜、及被覆基板表面的露出区域的保护膜。
通过对形成有剥离对象膜及保护膜的状态的基板的表面供给剥离液，从而剥离对象膜以保持第一除去对象物的状态从基板的表面剥离。因此，从基板的表面除去第一除去对象物。另一方面，第二除去对象物残留于基板的表面。
然后，利用清洗液将第二除去对象物从基板的表面除去，再然后，利用除去液将保护膜从基板的表面除去。
在对基板的表面供给清洗液时，基板的表面中金属露出的露出区域由保护膜所被覆。因此，假设在清洗液具有使基板的表面中露出的金属变质(例如氧化)的性质的情况下，也可不使所述金属变质而将第二除去对象物除去。
因此，可抑制基板的表面中露出的金属的变质，并且将多种除去对象物(第一除去对象物及第二除去对象物)从基板的表面高效率地除去。
本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括：处理膜残渣除去工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将残留于所述基板的表面的所述处理膜的残渣除去。另外，所述处理膜残渣除去工序包含下述工序：将所述保护膜作为所述残渣而除去。
根据所述方法，即便在利用剥离液将处理膜剥离后，处理膜的残渣附着于基板的表面的情况下，也可利用除去液将所述残渣除去。未因剥离液剥离而残留于基板上的保护膜也因除去液而溶解，从露出区域除去。
而且，在将存在于露出区域的第一除去对象物除去的除去力相对较高的前处理膜通过剥离而从露出区域除去后，形成处理膜，因而在形成处理膜前，将大部分的第一除去对象物从露出区域除去。因此，即便为使保护膜溶解于除去液而从露出区域除去的结构，也可充分地抑制第一除去对象物残存于露出区域。
本发明的一实施方式中，所述第一除去对象物及所述第二除去对象物为因干式蚀刻而产生的残渣。
在基板的表面形成多层的金属层的后道工艺(Back End of the Line，BEOL)中，通过执行干式蚀刻处理，从而金属在基板的表面露出。即，金属露出的露出区域与露出区域以外的非露出区域形成于基板的表面。
干式蚀刻处理中所用的CFx(例如四氟化碳(CF4))等蚀刻气体、与基板中构成非露出区域的部分的反应物作为干式蚀刻处理后的残渣而附着于基板的表面。基板的表面中构成非露出区域的部分中，包含Low-k膜(低介电常数层间绝缘膜)、氧化膜、金属硬遮罩等的表面。
详细来说，在基板的表面的非露出区域，附着有蚀刻气体与低介电常数层间绝缘膜的膜状的反应物(膜状残渣)以及蚀刻气体与低介电常数层间绝缘膜、氧化膜或金属硬遮罩的粒状的反应物(粒状残渣)。所谓粒状，为球状、椭圆体状、多面体状等。粒状残渣也附着于基板的表面的露出区域。
粒状残渣可通过物理力而剥离，但膜状残渣覆盖非露出区域的至少一部分，与粒状残渣相比较，难以通过物理力从基板的表面剥离。
因此，若为通过剥离对象膜的剥离而将作为第一除去对象物的粒状残渣除去，并利用清洗液将作为第二除去对象物的膜状残渣溶解而除去的结构，则可抑制基板的表面中露出的金属的变质，并且从基板将除去对象物高效率地除去。
详细来说，在干式蚀刻处理后的基板的表面形成剥离对象膜及保护膜，对形成有剥离对象膜及保护膜的状态的基板的表面供给剥离液，由此剥离对象膜以保持粒状残渣的状态从基板的表面剥离。因此，将粒状残渣从基板的表面除去。另一方面，膜状残渣残留于基板的表面的非露出区域。然后，利用清洗液将膜状残渣溶解而从基板的表面除去，再然后，利用除去液将保护膜从基板的表面除去。
在对基板的表面供给清洗液时，基板的表面中金属露出的露出区域由保护膜所被覆。因此，假设在清洗液具有使基板的表面中露出的金属变质(例如氧化)的性质的情况下，也可不使所述金属变质而将膜状残渣除去。
本发明的一实施方式中，所述处理液含有第一溶质、及使所述第一溶质溶解的第一溶剂。所述第一溶质含有第一高溶解性成分、及相较于所述第一高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第一低溶解性成分。另外，所述处理膜剥离工序包含下述工序：使固体状态的所述第一高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液。
根据所述方法，处理膜中的固体状态的第一高溶解性成分因剥离液而选择性地溶解。所谓“固体状态的第一高溶解性成分选择性地溶解”，并非意指仅固体状态的第一高溶解性成分溶解。所谓“固体状态的第一高溶解性成分选择性地溶解”，是指固体状态的第一低溶解性成分也稍许溶解，但大部分的固体状态的第一高溶解性成分溶解。
通过使固体状态的第一高溶解性成分溶解于剥离液，从而剥离液顺着固体状态的第一高溶解性成分存在的痕迹(通过第一高溶解性成分的溶解而形成的路径)在处理膜内穿过。由此，可使剥离液作用于处理膜与基板的接触界面。另一方面，处理膜中的第一低溶解性成分并未溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用固体状态的第一低溶解性成分来保持第一除去对象物，一边使剥离液作用于固体状态的第一低溶解性成分与基板的接触界面。其结果为，可将处理膜从基板的表面迅速除去，将第一除去对象物与处理膜一起从基板的表面高效率地除去。
本发明的一实施方式中，所述处理膜剥离工序包含：第一贯通孔形成工序，使所述处理膜局部地溶解于所述剥离液，在所述处理膜形成第一贯通孔。
因此，剥离液可经由第一贯通孔而穿过处理膜，迅速到达处理膜与基板的表面的界面附近。因此，可使剥离液作用于处理膜与基板的界面，使处理膜从基板高效率地剥离。其结果为，可从基板的表面高效率地除去第一除去对象物。
本发明的一实施方式中，所述前处理液含有第二溶质、及使所述第二溶质溶解的第二溶剂。所述第二溶质含有第二高溶解性成分、及相较于所述第二高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第二低溶解性成分。所述前处理膜剥离工序包含下述工序：使固体状态的所述第二高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液。
根据所述方法，前处理膜中的固体状态的第二高溶解性成分因剥离液而选择性地溶解。所谓“固体状态的第二高溶解性成分选择性地溶解”，并非意指仅固体状态的第二高溶解性成分溶解。所谓“固体状态的第二高溶解性成分选择性地溶解”，是指固体状态的第二低溶解性成分也稍许溶解，但大部分的固体状态的第二高溶解性成分溶解。
通过使固体状态的第二高溶解性成分溶解于剥离液，从而剥离液顺着固体状态的第二高溶解性成分存在的痕迹(通过第二高溶解性成分的溶解而形成的路径)在前处理膜内穿过。由此，可使剥离液作用于前处理膜与基板的接触界面。另一方面，前处理膜中的第二低溶解性成分不溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用固体状态的第二低溶解性成分来保持第一除去对象物，一边使剥离液作用于固体状态的第二低溶解性成分与基板的接触界面。其结果为，可将前处理膜从基板的表面迅速除去，将第一除去对象物与前处理膜一起从基板的表面高效率地除去。
本发明的一实施方式中，所述前处理膜剥离工序包含：第二贯通孔形成工序，使所述前处理膜局部地溶解于所述剥离液，在所述前处理膜形成第二贯通孔。
因此，剥离液可经由第二贯通孔而穿过前处理膜，迅速到达前处理膜与基板的表面的界面附近。因此，可使剥离液作用于前处理膜与基板的界面，使前处理膜从基板高效率地剥离。其结果为，可从基板的表面高效率地除去第一除去对象物。
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置，对具有下述表面的基板进行处理，所述表面存在互不相同的物质露出的第一区域及第二区域。
所述基板处理装置包含：处理液供给单元，将处理液供给于基板的表面；处理膜形成单元，使处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜；前处理液供给单元，对所述基板的表面供给前处理液；前处理膜形成单元，使前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜；剥离液供给单元，对所述基板的表面供给剥离液；以及控制器，控制所述前处理液供给单元、所述前处理膜形成单元、所述处理液供给单元、所述处理膜形成单元及所述剥离液供给单元。
所述控制器经编程为：从所述前处理液供给单元向所述基板的表面供给所述前处理液，通过所述前处理膜形成单元使所述基板的表面上的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的除去对象物，从所述剥离液供给单元对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述除去对象物的状态的所述前处理膜从所述基板的表面剥离，将所述前处理膜剥离后，从所述处理液供给单元将处理液供给于所述基板的表面，通过所述处理膜形成单元使所述基板的表面上的处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜，所述处理膜保持存在于所述基板的表面的所述除去对象物，从所述剥离液供给单元对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述除去对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离。
另外，所述处理膜将存在于所述第二区域的所述除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述第二区域的所述除去对象物除去的除去力。而且，所述前处理膜将存在于所述第一区域的所述除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述第一区域的所述除去对象物除去的除去力。
根据所述结构，发挥与所述基板处理方法相同的效果。
本发明的一实施方式中，除去所述除去对象物的除去力是由保持力及剥离性所构成，所述保持力将存在于所述第一区域或所述第二区域的所述除去对象物保持于所述处理膜或所述前处理膜，所述剥离性表示保持所述除去对象物的状态的所述处理膜或所述前处理膜的剥离容易度。另外，所述第一区域中，所述前处理膜的剥离性高于所述处理膜，所述第二区域中，所述处理膜的保持力高于所述前处理膜。
因此，第一区域中，可通过剥离前处理液膜从而将大部分的除去对象物除去，第二区域中，可通过剥离处理膜从而将大部分的除去对象物质除去。因此，即便在基板具有下述表面、也就是存在互不相同的物质露出的区域的表面的情况下，也可将除去对象物高效率地除去。
本发明的一实施方式提供一种配方选择方法，选择用于进行基板处理方法的配方，所述基板处理方法对处理对象基板进行处理。所述配方选择方法包含：信息获取工序，获取与所述处理对象基板的表面有关的信息；表面判定工序，基于通过所述信息获取工序所获取的信息，判定所述处理对象基板为下述基板中的哪一个：具有存在特定物质露出的露出区域与特定物质不露出的非露出区域两者的表面的基板、及具有仅存在所述非露出区域的表面的基板；以及配方选择工序，在所述表面判定工序判定为所述处理对象基板的表面仅存在所述非露出区域的情况下，选择执行第一基板处理方法的第一配方，所述第一基板处理方法使用处理液将除去对象物从所述处理对象基板除去，在所述表面判定工序判定为所述处理对象基板的表面存在所述露出区域及所述非露出区域两者的情况下，选择执行第二基板处理方法的第二配方，所述第二基板处理方法使用从所述露出区域除去所述除去对象物的除去力较所述处理液高的前处理液，从所述处理对象基板除去所述除去对象物后，使用处理液从所述处理对象基板除去所述除去对象物。
对表面不存在特定物质露出的露出区域的基板、与表面存在露出区域及非露出区域两者的基板优选利用不同的基板处理方法进行基板的处理。具体来说，在处理对象基板的表面仅存在非露出区域的情况下，若执行第一基板处理方法，即，使用处理液将除去对象物从处理对象基板除去，则可将除去对象物从基板的表面充分除去。
另一方面，在处理对象基板的表面存在露出区域及非露出区域两者的情况下，若仅使用处理液将除去对象物从处理对象基板除去，则即便可从非露出区域将除去对象物充分除去，也可能无法从露出区域将除去对象物充分除去。
因此，在处理对象基板的表面存在露出区域及非露出区域两者的情况下，需要执行第二基板处理方法，即，使用相较于处理液而从特定物质将除去对象物除去的除去力更高的前处理液，将除去对象物从基板除去后，使用处理液将除去对象物从所述基板除去。
因此，在处理对象基板的表面仅存在非露出区域的情况下，选择执行第一基板处理方法的第一配方，在处理对象基板的表面存在露出区域及非露出区域两者的情况下，选择执行第二基板处理方法的第二配方，由此可根据基板的表面的状态执行适当的基板处理方法。
在选择第二配方的情况下执行的第二基板处理方法中，所述前处理液也可含有第一成分及第二成分。所述第二成分将除去对象物从所述特定物质除去的除去力高于所述第一成分。所述配方选择方法还包括：种类判定工序，在所述表面判定工序判定为所述处理对象基板的表面存在所述露出区域及所述非露出区域两者的情况下，基于通过所述信息获取工序所获取的信息，判定从所述处理对象基板的表面露出的所述特定物质的种类。另外，所述配方选择工序包含下述工序：根据所述种类判定工序所判定的种类的所述特定物质，选择所述第二基板处理方法中使用的所述前处理液中的所述第二成分的浓度经设定的所述第二配方。
根据所述方法，在处理对象基板的表面存在露出区域及非露出区域两者的情况下，可根据特定物质的种类来选择适于将除去对象物从露出区域除去的第二配方。
本发明的另一实施方式提供一种基板处理方法，对具有下述表面的基板进行处理，所述表面具有特定物质露出的露出区域及所述露出区域以外的非露出区域。所述基板处理方法包含：处理液供给工序，将处理液供给于基板的表面；膜形成工序，使供给于所述基板的表面的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成剥离对象膜及保护膜，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的所述非露出区域的第一除去对象物，被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护；剥离对象膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述剥离对象膜从所述基板的表面剥离；清洗工序，在所述剥离对象膜剥离工序后，对所述基板的表面供给清洗液，利用所述清洗液将存在于所述基板的表面的第二除去对象物除去；以及保护膜除去工序，在所述清洗工序后，对所述基板的表面供给除去液，将所述保护膜从所述基板的表面除去。
根据所述方法，通过使供给于基板的表面的处理液固化或硬化，从而形成被覆基板的表面的非露出区域的剥离对象膜、及被覆基板的表面的露出区域的保护膜。剥离对象膜保持存在于非露出区域的第一除去对象物。
通过对形成有剥离对象膜及保护膜的状态的基板的表面供给剥离液，从而保持第一除去对象物的状态的剥离对象膜从基板的表面剥离。因此，将第一除去对象物从非露出区域除去。利用剥离液将剥离对象膜剥离后，第二除去对象物也残留于基板的表面。
然后，利用清洗液将第二除去对象物从基板的表面除去，再然后，利用除去液将保护膜从基板的表面除去。在对基板的表面供给清洗液时，基板的表面中特定物质露出的露出区域由保护膜所被覆。因此，假设清洗液具有使基板的表面中露出的特定物质变质(例如氧化)的性质的情况下，也可不使所述特定物质变质而除去第二除去对象物。
如以上那样，可抑制基板的表面中露出的特定物质的变质，并且将多种除去对象物(第一除去对象物及第二除去对象物)从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一实施方式中，所述处理液含有第一溶质、及使所述第一溶质溶解的第一溶剂。所述第一溶质含有第一高溶解性成分、及相较于所述第一高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第一低溶解性成分。所述保护膜具有：低溶解性层，配置于与所述特定物质接触的位置，包含固体状态的所述第一低溶解性成分；以及高溶解性层，相对于所述低溶解性层而配置于所述特定物质的相反侧，包含固体状态的所述第一高溶解性成分。
因此，保护膜中，包含固体状态的第一高溶解性成分的高溶解性层因剥离液而溶解，但包含固体状态的第一低溶解性成分的低溶解性层几乎不因剥离液而溶解。因此，剥离液不易进入低溶解性层与基板的表面之间。因此，保护膜未因剥离液而剥离，留在露出区域上。因此，可在适当保护从基板的表面露出的特定物质的状态下，对基板的表面供给清洗液。
其结果为，可抑制基板的表面中露出的特定物质的变质，并且将第二除去对象物从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一实施方式中，所述处理液含有第一溶质、及使所述第一溶质溶解的第一溶剂。所述第一溶质含有第一高溶解性成分、及相较于所述第一高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第一低溶解性成分。所述剥离对象膜形成工序包含下述工序：形成含有固体状态的所述第一高溶解性成分、及固体状态的所述第一低溶解性成分的所述处理膜。另外，所述剥离对象膜剥离工序包含下述工序：使固体状态的所述第一高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液。
根据所述方法，剥离对象膜中的固体状态的第一高溶解性成分因剥离液而选择性地溶解。
通过使固体状态的第一高溶解性成分溶解于剥离液，从而剥离液顺着固体状态的第一高溶解性成分存在的痕迹(通过第一高溶解性成分的溶解而形成的路径)在剥离对象膜内穿过。由此，可使剥离液作用于剥离对象膜与基板的接触界面。另一方面，剥离对象膜中的第一低溶解性成分不溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用固体状态的第一低溶解性成分来保持第一除去对象物，一边使剥离液作用于固体状态的第一低溶解性成分与基板的接触界面。其结果为，可将剥离对象膜从基板的表面迅速除去，将第一除去对象物与剥离对象膜一起从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一实施方式中，所述剥离对象膜剥离工序包含：第一贯通孔形成工序，使所述剥离对象膜局部地溶解于所述剥离液，在所述剥离对象膜形成第一贯通孔。
因此，剥离液可经由第一贯通孔而穿过处理膜，迅速到达剥离对象膜与基板的表面的非露出区域的界面附近。因此，可使剥离液作用于剥离对象膜与基板的界面，将剥离对象膜从基板高效率地剥离。其结果为，可将第一除去对象物从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一实施方式中，所述基板处理方法还包含：前处理液供给工序，在所述处理液供给工序之前，将前处理液供给于基板的表面；前处理膜形成工序，在所述处理液供给工序之前，使供给于所述基板的表面的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的所述露出区域的所述第一除去对象物；以及前处理膜剥离工序，在所述处理液供给工序之前，对所述基板的表面供给剥离液，将所述前处理膜与所述第一除去对象物一起从所述基板的表面的所述露出区域剥离。
根据所述方法，可在对基板的表面供给处理液之前，将存在于基板的表面的露出区域的第一除去对象物除去。即，可在从露出区域除去第一除去对象物后，在露出区域形成保护膜。因此，可在直到后续的保护膜除去工序中除去保护膜为止的期间中，维持从基板的表面的露出区域除去了第一除去对象物的状态。因此，即便在保护膜溶解于除去液的情况下，也可抑制在保护膜的除去后第一除去对象物残留于露出区域。
本发明的另一实施方式中，所述前处理液含有第二溶质、及使所述第二溶质溶解的第二溶剂。所述第二溶质含有第二高溶解性成分、及相较于所述第二高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第二低溶解性成分。所述前处理膜形成工序包含下述工序：形成含有固体状态的所述第二高溶解性成分、及固体状态的所述第二低溶解性成分的所述前处理膜。另外，所述前处理膜剥离工序包含下述工序：使所述前处理膜中的固体状态的所述第二高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液。
根据所述方法，前处理膜中的固体状态的第二高溶解性成分因剥离液而选择性地溶解。
通过使固体状态的第二高溶解性成分溶解于剥离液，从而剥离液顺着固体状态的第二高溶解性成分存在的痕迹(通过第二高溶解性成分的溶解而形成的路径)在前处理膜内穿过。由此，可使剥离液作用于前处理膜与基板的接触界面。另一方面，前处理膜中的第二低溶解性成分不溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用固体状态的第二低溶解性成分来保持第一除去对象物，一边使剥离液作用于固体状态的第二低溶解性成分与基板的接触界面。其结果为，可将前处理膜从基板的表面迅速除去，将第一除去对象物与前处理膜一起从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一实施方式中，所述前处理膜剥离工序包含：第二贯通孔形成工序，使所述前处理膜局部地溶解于所述剥离液，在所述前处理膜形成第二贯通孔。
因此，剥离液可经由第二贯通孔而穿过前处理膜，迅速到达前处理膜与基板的表面的界面附近。因此，可使剥离液作用于前处理膜与基板的界面，将剥离对象膜从基板高效率地剥离。其结果为，可将第一除去对象物从基板的表面高效率地除去。
本发明的另一实施方式中，所述特定物质为金属，所述清洗液具有使所述基板的表面中露出的所述金属氧化的氧化力。若为在对基板的表面供给清洗液时，基板的表面中金属露出的露出区域由保护膜所被覆的结构，则可避免清洗液所致的金属的氧化并且除去第二除去对象物。
本发明的另一实施方式中，所述第一除去对象物及所述第二除去对象物为因干式蚀刻而产生的残渣。因此，若为通过剥离对象膜的剥离将作为第一除去对象物的粒状残渣除去，且利用清洗液将作为第二除去对象物的膜状残渣除去的结构，则可抑制基板的表面中露出的金属的氧化，并且将除去对象物从基板高效率地除去。
详细来说，通过对形成有剥离对象膜及保护膜的状态的基板的表面供给剥离液，从而可将保持粒状残渣的状态的剥离对象膜从基板的表面剥离。因此，将第一除去对象物从非露出区域除去。
然后，利用清洗液将膜状残渣从基板的表面除去，再然后，利用除去液将保护膜从基板的表面除去。在对基板的表面供给清洗液时，基板的表面中金属露出的露出区域由保护膜所被覆。因此，尽管清洗液具有使基板的表面中露出的金属氧化的性质，也可不使所述金属氧化而将膜状残渣除去。
本发明的另一实施方式中，所述除去液具有使所述保护膜及所述剥离对象膜溶解的性质。因此，可使保护膜溶解于除去液，从基板的上表面顺利地除去保护膜。进而，除去液可使剥离对象膜溶解。因此，即便为剥离对象膜因剥离液而剥离后，剥离对象膜的残渣附着于基板的表面的情况，也可利用除去液将所述残渣除去。
本发明的另一实施方式提供一种基板处理装置，对具有下述表面的基板进行处理，所述表面具有特定物质露出的露出区域及所述露出区域以外的非露出区域。所述基板处理装置包含：处理液供给单元，对所述基板的表面供给处理液；膜形成单元，使处理液固化或硬化而形成固态的膜；剥离液供给单元，对所述基板的表面供给剥离液；清洗液供给单元，对所述基板的表面供给清洗液；除去液供给单元，对所述基板的表面供给除去液；以及控制器，控制所述处理液供给单元、所述膜形成单元、所述剥离液供给单元、所述清洗液供给单元及所述除去液供给单元。
另外，所述控制器经编程为，从所述处理液供给单元向所述基板的表面供给所述处理液，通过所述膜形成单元使所述基板的表面上的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成剥离对象膜及保护膜，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的第一除去对象物而被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护，从所述剥离液供给单元向所述基板的表面供给所述剥离液，由此将所述剥离对象膜与所述第一除去对象物一起从所述基板的表面剥离，将所述剥离对象膜剥离后，从所述清洗液供给单元向所述基板的表面供给清洗液，将存在于所述基板的表面的第二除去对象物除去，供给所述清洗液后，从所述除去液供给单元向所述基板的表面供给除去液，将所述保护膜从所述基板的表面除去。根据所述结构，发挥与所述其他实施方式的基板处理方法相同的效果。
本发明的所述或进而其他的目的、特征及效果将参照附图由下述的实施方式的说明来表明。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的布局(layout)的示意性平面图。
图2为由所述基板处理装置进行处理的基板的表层的截面图的一例。
图3为表示所述基板处理装置所包括的处理单元的概略结构的示意性局部截面图。
图4为表示所述基板处理装置所包括的控制器的硬件的框图。
图5为用于对所述基板处理装置进行的基板处理的一例进行说明的流程图。
图6A为用于对所述基板处理的前处理液供给工序(步骤S2)的状况进行说明的示意图。
图6B为用于对所述基板处理的前处理膜形成工序(步骤S3)的状况进行说明的示意图。
图6C为用于对所述前处理膜形成工序(步骤S3)的状况进行说明的示意图。
图6D为用于对所述基板处理的前处理膜剥离工序(步骤S4)的状况进行说明的示意图。
图6E为用于对所述基板处理的剥离液除去工序(步骤S5)的状况进行说明的示意图。
图6F为用于对所述基板处理的前处理膜残渣除去工序(步骤S6)的状况进行说明的示意图。
图6G为用于对所述基板处理的处理液供给工序(步骤S7)的状况进行说明的示意图。
图6H为用于对所述基板处理的处理膜形成工序(步骤S8)的状况进行说明的示意图。
图6I为用于对所述处理膜形成工序(步骤S8)的状况进行说明的示意图。
图6J为用于对所述基板处理的处理膜剥离工序(步骤S9)的状况进行说明的示意图。
图6K为用于对所述基板处理的剥离液除去工序(步骤S10)的状况进行说明的示意图。
图6L为用于对所述基板处理的处理膜残渣除去工序(步骤S11)的状况进行说明的示意图。
图6M为用于对所述基板处理的旋转干燥工序(步骤S12)的状况进行说明的示意图。
图7A为用于对通过执行所述前处理膜形成工序(步骤S3)从而形成有前处理膜的状态的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图7B为用于对所述前处理膜剥离工序(步骤S4)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图7C为用于对通过执行所述处理膜形成工序(步骤S8)从而形成有处理膜的状态的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图7D为用于对所述处理膜剥离工序(步骤S9)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图7E为用于对通过执行所述处理膜残渣除去工序(步骤S11)从而除去处理膜的残渣的状态的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图8A～图8C为用于对前处理膜从基板剥离的状况进行说明的示意图。
图9A～图9C为用于对处理膜从基板剥离的状况进行说明的示意图。
图10A～图10C为用于对将露出区域被覆部从基板除去的状况进行说明的示意图，所述露出区域被覆部将基板的表面中金属膜露出的露出区域被覆。
图11为表示本发明的第二实施方式的基板处理装置所包括的处理单元的概略结构的示意性局部截面图。
图12为由第二实施方式的基板处理装置进行处理的基板的表层的截面图的一例。
图13为用于对第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例进行说明的流程图。
图14A为用于对第二实施方式的基板处理的清洗工序(步骤S20)的状况进行说明的示意图。
图14B为用于对第二实施方式的基板处理的清洗液除去工序(步骤S21)的状况进行说明的示意图。
图15A为用于对通过执行第二实施方式的基板处理的前处理膜形成工序(步骤S3)从而形成有前处理膜的状态的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图15B为用于对第二实施方式的基板处理的前处理膜剥离工序(步骤S4)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图15C为用于对通过执行第二实施方式的基板处理的处理膜形成工序(步骤S12)从而形成有处理膜的状态的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图15D为用于对第二实施方式的基板处理的处理膜剥离工序(步骤S13)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图15E为用于对第二实施方式的基板处理的清洗工序(步骤S20)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图16为对用于验证自铜膜的颗粒除去力的变化的实验的结果进行说明的表，所述自铜膜的颗粒除去力的变化是由变更用作处理液及前处理液的含聚合物溶液中的高溶解性成分的第一成分与第二成分的比率所引起。
图17为本发明的第三实施方式的基板处理装置所包括的处理单元的第一移动喷嘴及第三移动喷嘴以及它们的周围构件的示意图。
图18为用于对第三实施方式的基板处理装置中，为了选择配方而执行的配方选择处理的一例进行说明的流程图。
图19为用于对第三实施方式的基板处理装置中配方选择处理的另一例进行说明的流程图。
图20为表示第四实施方式的基板处理装置所包括的处理单元的概略结构的示意性局部截面图。
图21为用于对第四实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例进行说明的流程图。
图22A为用于对通过执行第四实施方式的基板处理的处理膜形成工序(步骤S8)从而形成有处理膜的状态的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图22B为用于对第四实施方式的基板处理的处理膜剥离工序(步骤S9)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图22C为用于对第四实施方式的基板处理的清洗工序(步骤S20)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图22D为用于对第四实施方式的基板处理的处理膜残渣除去工序(步骤S11)的执行中的基板的表面附近的状况进行说明的示意图。
图23A～图23C为用于对第四实施方式的基板处理中剥离对象膜从基板剥离的状况进行说明的示意图。
图24A～图24D为用于对第四实施方式的基板处理中将保护膜从基板除去的状况进行说明的示意图。
符号的说明
1、1P、1Q、1R：基板处理装置
2：处理单元
3：控制器
3A：输入装置
3B：显示装置
3C：警报装置
3a：计算机本体
3b：CPU
3c：主存储装置
3d：周边装置
3e：辅助存储装置
3f：读取装置
3g：通信装置
4：腔室
5：旋转卡盘
6：相向构件
6a：相向面
6b：连通孔
7：处理杯
9：第一移动喷嘴
10：第二移动喷嘴
11：第三移动喷嘴
12：中央喷嘴
12a、13a：喷出口
13：下表面喷嘴
14：第四移动喷嘴
20：卡盘销
21：旋转基底
21a、102、202：贯通孔
22：旋转轴
23：旋转马达
30：套管
31：第一管
32：第二管
33：第三管
35：第一喷嘴移动单元
36：第二喷嘴移动单元
37：第三喷嘴移动单元
38：第四喷嘴移动单元
40：处理液配管
41：上侧剥离液配管
42：前处理液配管
43：上侧淋洗液配管
44：除去液配管
45：气体配管
46：清洗液配管
50：处理液阀
51：上侧剥离液阀
52：前处理液阀
53：上侧淋洗液阀
54：除去液阀
55：气体阀
56：清洗液阀
60：中空轴
60a：内部空间
61：相向构件升降单元
71：护板
71A：第一护板
71B：第二护板
72：杯
72A：第一杯
72B：第二杯
73：外壁构件
74：护板升降单元
80：共通配管
81：下侧淋洗液配管
82：下侧剥离液配管
83：热媒配管
86：下侧淋洗液阀
87：下侧剥离液阀
88：热媒阀
100：处理膜
100A：剥离对象膜
100B：保护膜
101、201：液膜
103：除去对象物
105、205：膜片
110、210：高溶解性固体
111、211：低溶解性固体
130：露出区域被覆部
131：非露出区域被覆部
140、142：低溶解性成分液配管
141、143：第一成分液配管
144：第二成分液配管
150、152：低溶解性成分液阀
151、153：第一成分液阀
154：第二成分液阀
160：凹凸图案
161：结构体
161A：蚀刻挡止膜
161B：低介电常数层间绝缘膜
161C：氧化膜
161D：金属硬遮罩
162：凹部
163：金属膜
165：图案面
170：露出区域
171：非露出区域
180：低溶解性层
181：高溶解性层
200：前处理膜
203：第一除去对象物
204：第二除去对象物
A1：旋转轴线
C：载盘
CR、IR：搬运机器人
G1、G2：间隙
LP：装载口
P：程序
R：配方
R1：第一配方
R2：第二配方
RM：可移动介质
S1～S13、S20、S21、S30～S34：步骤
T：法线方向
W：基板
具体实施方式
＜第一实施方式＞
图1为表示本发明的一实施方式的基板处理装置1的布局的示意性平面图。
基板处理装置1为对硅晶圆等基板W逐片进行处理的单片式的装置。本实施方式中，基板W为圆板状的基板。
基板处理装置1包含：多个处理单元2，利用流体对基板W进行处理；装载口LP，载置有载盘C，此载盘C收容在处理单元2中进行处理的多片基板W；搬运机器人IR及搬运机器人CR，在装载口LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，控制基板处理装置1。
搬运机器人IR在载盘C与搬运机器人CR之间搬运基板W。搬运机器人CR在搬运机器人IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有相同结构。详细情况将在下文描述，但在处理单元2内供给于基板W的处理流体中，包含淋洗液、处理液、前处理液、剥离液、清洗液、除去液、热媒、非活性气体(气体)等。
各处理单元2包括腔室4、及配置在腔室4内的处理杯7，在处理杯7内执行对基板W的处理。在腔室4，形成有用于通过搬运机器人CR而搬入基板W或搬出基板W的出入口(未图示)。在腔室4，包括开闭所述出入口的挡闸单元(未图示)。
图2为由基板处理装置1进行处理的基板W的表层的截面图的一例。所谓基板W的表层，为基板W的表面附近的部分。
在由处理单元2进行处理前的未处理的基板W的表面，形成有微细的凹凸图案160。凹凸图案160包含形成于基板W的表面的微细的凸状的结构体161、及形成于邻接的结构体161之间的凹部(槽)162。结构体161包含蚀刻挡止膜161A、低介电常数层间绝缘膜161B、氧化膜161C、金属硬遮罩161D等。
凹凸图案160的表面、即结构体161(凸部)的表面及凹部162的表面形成具有凹凸的图案面165。图案面165包含于基板W的表面。在基板W的图案面165，存在各种物质露出的区域。图2所示的示例中，铜膜等金属膜163从凹部162的底部露出。在图案面165，包含金属膜163的表面露出的露出区域170、及金属膜163不露出的非露出区域171。非露出区域171为基板W的图案面165中露出区域170以外的区域。
本实施方式中，铜等金属为特定物质的一例。另外，露出区域170相当于第一区域，非露出区域171相当于第二区域。
在非露出区域171及露出区域170两者，附着有除去对象物103。除去对象物103例如为粒状。所谓粒状，为球状、椭圆体状、多面体状等。除去对象物103为第一除去对象物的一例。
图3为用于对处理单元2的结构例进行说明的示意图。处理单元2包含旋转卡盘5、相向构件6、处理杯7、第一移动喷嘴9、第二移动喷嘴10、第三移动喷嘴11、中央喷嘴12及下表面喷嘴13。
旋转卡盘5一边将基板W保持于水平，一边使基板W绕穿过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1(铅垂轴线)而旋转。旋转卡盘5包含多个卡盘销20、旋转基底21、旋转轴22及旋转马达23。
旋转基底21具有沿着水平方向的圆板形状。在旋转基底21的上表面，在旋转基底21的圆周方向空开间隔而配置有握持基板W的周缘的多个卡盘销20。旋转基底21及多个卡盘销20构成将基板W保持于水平的基板保持单元。基板保持单元也称为基板固持器。
旋转轴22沿着旋转轴线A1沿铅垂方向延伸。旋转轴22的上端部结合于旋转基底21的下表面中央。旋转马达23对旋转轴22给予旋转力。通过利用旋转马达23使旋转轴22旋转，从而旋转基底21旋转。由此，基板W绕旋转轴线A1旋转。旋转马达23为使基板W绕旋转轴线A1旋转的基板旋转单元的一例。
相向构件6从上方与保持于旋转卡盘5的基板W相向。相向构件6形成为具有与基板W大致相同的直径或更大的直径的圆板状。相向构件6具有与基板W的上表面相向的相向面6a。相向面6a在较旋转卡盘5更靠上方沿着大致水平面而配置。此外，所谓基板W的上表面，是指基板W的上侧的表面，所谓基板W的下表面，是指基板W的下侧的表面。
在相向构件6中与相向面6a相反的一侧，固定有中空轴60。在相向构件6中俯视时与旋转轴线A1重叠的部分，形成有将相向构件6上下贯穿的连通孔6b。连通孔6b与中空轴60的内部空间60a连通。
相向构件6将相向面6a与基板W的上表面之间的空间内的气体环境自所述空间的外部的气体环境阻断。因此，相向构件6也称为遮断板。
处理单元2还包含相向构件升降单元61，此相向构件升降单元61驱动相向构件6的升降。相向构件升降单元61能够使相向构件6在铅垂方向位于从下位置到上位置的任意位置(高度)。所谓下位置，是指在相向构件6的可动范围内，相向面6a最接近基板W的位置。所谓上位置，是指在相向构件6的可动范围内，相向面6a最远离基板W的位置。当相向构件6位于上位置时，搬运机器人CR可接入旋转卡盘5以进行基板W的搬入及搬出。
相向构件升降单元61例如包含：滚珠螺杆机构(未图示)，结合于支撑中空轴60的支撑构件(未图示)；以及电动马达(未图示)，对所述滚珠螺杆机构给予驱动力。相向构件升降单元61也称为相向构件升降机(遮断板升降机)。
处理杯7包含：多个护板(guard)71，接住从保持于旋转卡盘5的基板W向外侧飞散的液体；多个杯72，接住由多个护板71向下方引导的液体；以及圆筒状的外壁构件73，包围多个护板71及多个杯72。
本实施方式中，示出设有两个护板71(第一护板71A及第二护板71B)及两个杯72(第一杯72A及第二杯72B)的示例。
第一杯72A及第二杯72B分别具有向上开放的环状槽的形态。
第一护板71A以包围旋转基底21的方式配置。第二护板71B在较第一护板71A更靠基板W的旋转径向外侧，以包围旋转基底21的方式配置。
第一护板71A及第二护板71B分别具有大致圆筒形状。各护板71的上端部以朝向旋转基底21的方式向内侧倾斜。
第一杯72A接住由第一护板71A向下方引导的液体。第二杯72B与第一护板71A一体地形成，接住由第二护板71B向下方引导的液体。
处理单元2包含护板升降单元74，此护板升降单元74使第一护板71A及第二护板71B分别沿铅垂方向升降。护板升降单元74使第一护板71A在下位置与上位置之间升降。护板升降单元74使第二护板71B在下位置与上位置之间升降。
当第一护板71A及第二护板71B均位于上位置时，从基板W飞散的液体由第一护板71A承接。当第一护板71A位于下位置，第二护板71B位于上位置时，从基板W飞散的液体由第二护板71B承接。当第一护板71A及第二护板71B均位于下位置时，搬运机器人CR可接入旋转卡盘5以进行基板W的搬入及搬出。
护板升降单元74例如包含：第一滚珠螺杆机构(未图示)，结合于第一护板71A；第一马达(未图示)，对第一滚珠螺杆机构给予驱动力；第二滚珠螺杆机构(未图示)，结合于第二护板71B；以及第二马达(未图示)，对第二滚珠螺杆机构给予驱动力。护板升降单元74也称为护板升降机。
第一移动喷嘴9为向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面供给(喷出)处理液的处理液喷嘴(处理液供给单元)的一例。
第一移动喷嘴9通过第一喷嘴移动单元35而在水平方向及铅垂方向移动。第一移动喷嘴9可在水平方向，在中心位置与原始位置(home position，退避位置)之间移动。第一移动喷嘴9在位于中心位置时，与基板W的上表面的旋转中心相向。所谓基板W的上表面的旋转中心，为基板W的上表面的与旋转轴线A1的交叉位置。
第一移动喷嘴9在位于原始位置时，不与基板W的上表面相向，而是俯视时位于处理杯7的外侧。第一移动喷嘴9可通过向铅垂方向移动从而接近基板W的上表面，或从基板W的上表面向上方退避。
第一喷嘴移动单元35例如包含：臂(未图示)，结合于第一移动喷嘴9且水平地延伸；转动轴(未图示)，结合于臂且沿着铅垂方向延伸；以及转动轴驱动单元(未图示)，使转动轴升降或转动。
转动轴驱动单元通过使转动轴绕铅垂的转动轴线转动，从而使臂摇动。进而，转动轴驱动单元通过使转动轴沿着铅垂方向升降，从而使臂上下移动。根据臂的摇动及升降，而第一移动喷嘴9在水平方向及铅垂方向移动。
第一移动喷嘴9连接于引导处理液的处理液配管40。若将插装于处理液配管40的处理液阀50打开，则处理液从第一移动喷嘴9向下方以连续流的形式喷出。
从第一移动喷嘴9喷出的处理液包含溶质及溶剂。处理液通过至少一部分溶剂挥发(蒸发)从而固化或硬化。通过处理液在基板W上固化或硬化，从而形成固态的处理膜，此固态的处理膜保持存在于基板W上的除去对象物103。
此处所谓“固化”，例如是指溶质伴随溶剂的挥发，因作用于分子间或原子间的力等而凝固。所谓“硬化”，例如是指溶质因聚合或交联等化学变化而凝固。因此，所谓“固化或硬化”，表示溶质因各种原因而“凝固”。
从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的溶质包含低溶解性成分、高溶解性成分。
在金属于基板W的表面露出的情况下，优选从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的溶质中包含防腐蚀成分。详细情况将在下文描述，防腐蚀成分例如为苯并三唑(Benzotriazole，BTA)。
作为从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的低溶解性成分及高溶解性成分，可使用对剥离液的溶解性互不相同的物质。从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的低溶解性成分例如为酚醛清漆。从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的高溶解性成分例如为2,2-双(4-羟基苯基)丙烷。处理液也称为含聚合物溶液，处理膜也称为聚合物膜。
从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的溶剂只要为使低溶解性成分及高溶解性成分溶解的液体即可。处理液所含的溶剂优选与剥离液具有相容性(可混合)的液体。
将处理液所含的溶剂称为第一溶剂，将处理液所含的溶质称为第一溶质。将处理液所含的低溶解性成分称为第一低溶解性成分，将处理液所含的高溶解性成分称为第一高溶解性成分。
关于从第一移动喷嘴9喷出的处理液所含的溶剂、低溶解性成分、高溶解性成分及防腐蚀成分的详情，将在下文中描述。
第二移动喷嘴10为向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面以连续流的形式供给(喷出)氨水等剥离液的剥离液喷嘴(剥离液供给单元)的一例。剥离液为用于使保持除去对象物103的状态的处理膜从基板W的上表面剥离的液体。详细来说，处理膜中，仅被覆非露出区域171的部分因剥离液而从基板W上剥离。
第二移动喷嘴10通过第二喷嘴移动单元36而在水平方向及铅垂方向移动。第二移动喷嘴10可在水平方向，在中心位置与原始位置(退避位置)之间移动。
第二移动喷嘴10在位于中心位置时，与基板W的上表面的旋转中心相向。第二移动喷嘴10在位于原始位置时，不与基板W的上表面相向，而是俯视时位于处理杯7的外侧。第二移动喷嘴10可通过向铅垂方向移动从而接近基板W的上表面，或从基板W的上表面向上方退避。
第二喷嘴移动单元36具有与第一喷嘴移动单元35相同的结构。即，第二喷嘴移动单元36例如包含：臂(未图示)，结合于第二移动喷嘴10且水平地延伸；转动轴(未图示)，结合于臂且沿着铅垂方向延伸；以及转动轴驱动单元(未图示)，使转动轴升降或转动。
关于从第二移动喷嘴10喷出的剥离液，可使用相较于处理液的溶质所含的低溶解性成分而更易使处理液的溶质所含的高溶解性成分溶解的液体。从第二移动喷嘴10喷出的剥离液不限于氨水。
从第二移动喷嘴10喷出的剥离液例如也可为氨水以外的碱性水溶液(碱性液体)。作为氨水以外的碱性水溶液的具体例，可列举：氢氧化四甲基铵(Tetramethylammoniumhydroxide，TMAH)水溶液及胆碱水溶液、以及这些的任一组合。
从第二移动喷嘴10喷出的剥离液可为纯水(优选DIW)，也可为中性或酸性的水溶液(非碱性水溶液)。
第二移动喷嘴10连接于将剥离液引导至第二移动喷嘴10的上侧剥离液配管41。若将插装于上侧剥离液配管41的上侧剥离液阀51打开，则剥离液从第二移动喷嘴10的喷出口向下方以连续流的形式喷出。
第三移动喷嘴11为向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面供给(喷出)前处理液的前处理液喷嘴(前处理液供给单元)的一例。
第三移动喷嘴11通过第三喷嘴移动单元37而在水平方向及铅垂方向移动。第三移动喷嘴11可在水平方向，在中心位置与原始位置(退避位置)之间移动。
第三移动喷嘴11在位于中心位置时，与基板W的上表面的旋转中心相向。第三移动喷嘴11在位于原始位置时，不与基板W的上表面相向，而是俯视时位于处理杯7的外侧。第三移动喷嘴11可通过向铅垂方向移动从而接近基板W的上表面，或从基板W的上表面向上方退避。
第三喷嘴移动单元37具有与第一喷嘴移动单元35相同的结构。即，第三喷嘴移动单元37例如包含：臂(未图示)，结合于第三移动喷嘴11且水平地延伸；转动轴(未图示)，结合于臂且沿着铅垂方向延伸；以及转动轴驱动单元(未图示)，使转动轴升降或转动。
从第三移动喷嘴11喷出的前处理液包含溶质及溶剂。前处理液通过至少一部分溶剂挥发(蒸发)从而固化或硬化。通过前处理液在基板W上固化或硬化，从而形成前处理膜，此前处理膜保持存在于基板W上的除去对象物103。
从第三移动喷嘴11喷出的前处理液所含的溶质包含低溶解性成分及高溶解性成分。
在金属于基板W的表面露出的情况下，优选从第三移动喷嘴11喷出的前处理液所含的溶质中包含防腐蚀成分。详细情况将在下文描述，但防腐蚀成分例如为BTA。
前处理液所含的低溶解性成分及高溶解性成分可使用对剥离液的溶解性互不相同的物质。从第三移动喷嘴11喷出的前处理液所含的低溶解性成分例如为酚醛清漆。从第三移动喷嘴11喷出的前处理液所含的高溶解性成分包含2,2-双(4-羟基苯基)丙烷(第一成分)及3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇(第二成分)。前处理液也称为含聚合物溶液，前处理膜也称为聚合物膜。
从第三移动喷嘴11喷出的前处理液所含的溶剂只要为使低溶解性成分及高溶解性成分溶解的液体即可。前处理液所含的溶剂优选与剥离液具有相容性(可混合)的液体。
将前处理液所含的溶剂称为第二溶剂，将前处理液所含的溶质称为第二溶质。将处理液所含的低溶解性成分称为第二低溶解性成分，将处理液所含的高溶解性成分称为第二高溶解性成分。
关于从第三移动喷嘴11喷出的前处理液所含的溶剂、低溶解性成分、高溶解性成分及防腐蚀成分的详情，将在下文中描述。
前处理膜中，被覆露出区域170的部分及被覆非露出区域171的部分两者因剥离液而从基板W上剥离。
关于处理膜或前处理膜等聚合物膜将除去对象物103除去的除去力，在将除去对象物103从露出区域170除去的情况、与将除去对象物103从非露出区域171除去的情况下，明显不同。
聚合物膜将除去对象物103除去的除去力是由除去对象物保持力及剥离性所构成。所谓除去对象物保持力，为将存在于对象区域(露出区域170或非露出区域171)的除去对象物103保持于聚合物膜的膜中及膜表面的至少任一者的能力。所谓剥离性，为表示保持除去对象物103的状态的聚合物膜通过剥离液而剥离时的剥离容易度的性质。所谓剥离性高，意味着容易因剥离液而剥离。所谓聚合物膜的除去力，为在保持存在于对象区域的除去对象物103的状态下，利用剥离液将聚合物膜剥离时，将除去对象物103从对象区域除去的能力。
前处理膜在非露出区域171及露出区域170两者发挥高的除去对象物保持力，但处理膜在非露出区域171及露出区域170两者，发挥较前处理膜更高的除去对象物保持力。另一方面，前处理膜在露出区域170中，剥离性高于处理膜。因此，在露出区域170中，前处理膜发挥较处理膜更高的除去力，在非露出区域171中，处理膜发挥较前处理膜更高的除去力。
详细来说，处理膜将存在于非露出区域171的除去对象物103除去的除去力，较前处理膜将存在于非露出区域171的除去对象物103除去的除去力更高。前处理膜将存在于露出区域170的除去对象物103除去的除去力，较处理膜将存在于露出区域170的除去对象物103除去的除去力更高。
第三移动喷嘴11连接于将前处理液引导至第三移动喷嘴11的前处理液配管42。若将插装于前处理液配管42的前处理液阀52打开，则前处理液从第三移动喷嘴11的喷出口向下方以连续流的形式喷出。
中央喷嘴12收容于相向构件6的中空轴60的内部空间60a。设于中央喷嘴12的前端的喷出口12a从上方与基板W的上表面的中央区域相向。所谓基板W的上表面的中央区域，是指基板W的上表面中包含基板W的旋转中心及其周围的区域。
中央喷嘴12包含将流体向下方喷出的多个管(第一管31、第二管32及第三管33)、以及包围多个管的筒状的套管(casing)30。多个管及套管30沿着旋转轴线A1沿上下方向延伸。中央喷嘴12的喷出口12a也为第一管31的喷出口，也为第二管32的喷出口，也为第三管33的喷出口。
第一管31(中央喷嘴12)为将DIW等淋洗液供给于基板W的上表面的淋洗液供给单元的一例。第二管32(中央喷嘴12)为将异丙醇(Isopropyl alcohol，IPA)等除去液供给于基板W的上表面的除去液供给单元的一例。第三管33(中央喷嘴12)为将氮气(N2)等气体供给于基板W的上表面与相向构件6的相向面6a之间的气体供给单元的一例。中央喷嘴12也为淋洗液喷嘴，也为除去液喷嘴，也为气体喷嘴。
第一管31连接于将淋洗液引导至第一管31的上侧淋洗液配管43。若将插装于上侧淋洗液配管43的上侧淋洗液阀53打开，则淋洗液从第一管31(中央喷嘴12)向基板W的上表面的中央区域以连续流的形式喷出。
淋洗液可列举：DIW、碳酸水、电解离子水、稀释浓度(例如1ppm～100ppm左右)的盐酸水、稀释浓度(例如1ppm～100ppm左右)的氨水、还原水(氢水)等。
第二管32连接于将除去液引导至第二管32的除去液配管44。若将插装于除去液配管44的除去液阀54打开，则除去液从第二管32(中央喷嘴12)向基板W的上表面的中央区域以连续流的形式喷出。
从第二管32喷出的除去液为用于将处理膜中未因剥离液而从基板W的上表面剥离的部分、或前处理膜中未因剥离液而从基板W的上表面剥离的部分除去的液体。除去液优选挥发性高于淋洗液的液体。从第二管32喷出的除去液优选与淋洗液具有相容性。
从第二管32喷出的除去液例如为有机溶剂。从第二管32喷出的有机溶剂可列举：含有IPA、氢氟醚(Hydrofluoro ether，HFE)、甲醇、乙醇、丙酮、丙二醇单乙醚(Propyleneglycol monoethyl ether，PGEE)及反式-1,2-二氯乙烯中的至少一种的溶液等。
而且，从第二管32喷出的有机溶剂无须仅包含单体成分，也可为与其他成分混合的液体。例如，也可为IPA与DIW的混合液，也可为IPA与HFE的混合液。
第三管33连接于将气体引导至第三管33的气体配管45。若将插装于气体配管45的气体阀55打开，则气体从第三管33(中央喷嘴12)向下方以连续流的形式喷出。
从第三管33喷出的气体例如为氮气等非活性气体。从第三管33喷出的气体也可为空气。所谓非活性气体，不限于氮气，为相对于基板W的上表面、或形成于基板W的上表面的凹凸图案160(参照图2)而为非活性的气体。非活性气体的例子除了氮气以外，可列举氩等稀有气体类。
下表面喷嘴13插入至在旋转基底21的上表面中央部开口的贯通孔21a。下表面喷嘴13的喷出口13a从旋转基底21的上表面露出。下表面喷嘴13的喷出口13a从下方与基板W的下表面(下侧的表面)的中央区域相向。所谓基板W的下表面的中央区域，为基板W的下表面中包含基板W的旋转中心的区域。
在下表面喷嘴13，连接有将淋洗液、剥离液及热媒共通引导至下表面喷嘴13的共通配管80的一端。在共通配管80的另一端，连接有将淋洗液引导至共通配管80的下侧淋洗液配管81、将剥离液引导至共通配管80的下侧剥离液配管82、及将热媒引导至共通配管80的热媒配管83。
若将插装于下侧淋洗液配管81的下侧淋洗液阀86打开，则淋洗液从下表面喷嘴13向基板W的下表面的中央区域以连续流的形式喷出。若将插装于下侧剥离液配管82的下侧剥离液阀87打开，则剥离液从下表面喷嘴13向基板W的下表面的中央区域以连续流的形式喷出。若将插装于热媒配管83的热媒阀88打开，则热媒从下表面喷嘴13向基板W的下表面的中央区域以连续流的形式喷出。
下表面喷嘴13为对基板W的下表面供给淋洗液的下侧淋洗液供给单元的一例。而且，下表面喷嘴13为对基板W的下表面供给剥离液的下侧剥离液供给单元的一例。而且，下表面喷嘴13为将用于加热基板W的热媒供给于基板W的热媒供给单元的一例。下表面喷嘴13也为对基板W进行加热的基板加热单元。
从下表面喷嘴13喷出的热媒例如为温度高于室温且低于处理液所含的溶剂的沸点的高温DIW。在处理液所含的溶剂为IPA的情况下，热媒例如可使用60℃～80℃的DIW。从下表面喷嘴13喷出的热媒不限于高温DIW，也可为温度高于室温且低于处理液所含有的溶剂的沸点的高温非活性气体或高温空气等高温气体。
图4为表示控制器3的硬件的框图。控制器3为包含计算机本体3a、及连接于计算机本体3a的周边装置3d的计算机。计算机本体3a包含执行各种命令的中央处理器3b(CentralProcessing Unit，CPU，中央处理装置)、及存储信息的主存储装置3c。周边装置3d包含存储程序P等信息的辅助存储装置3e、从可移动介质(removable media)RM读取信息的读取装置3f、以及与主计算机等其他装置通信的通信装置3g。
控制器3连接于输入装置3A、显示装置3B及警报装置3C。输入装置3A是用户或维护负责人等操作者对基板处理装置1输入信息时所操作。信息显示于显示装置3B的画面。输入装置3A可为键盘、点击设备(pointing device)及触摸屏(touch panel)的任一个，也可为这些以外的装置。也可将兼作输入装置3A及显示装置3B的触摸屏显示器设于基板处理装置1。警报装置3C使用光、声音、文字及图形中的一个以上来发出警报。在输入装置3A为触摸屏显示器的情况下，输入装置3A也可兼作警报装置3C。
CPU 3b执行存储于辅助存储装置3e的程序P。辅助存储装置3e内的程序P可预先安装于控制器3，也可通过读取装置3f从可移动介质RM送至辅助存储装置3e，或也可从主计算机等外部装置通过通信装置3g而送至辅助存储装置3e。
辅助存储装置3e及可移动介质RM为即便不供给电力也保持存储的非易失性存储器。辅助存储装置3e例如为硬盘驱动器(hard disk drive)等磁存储器。可移动介质RM例如为压缩光盘(compact disc)等光盘或存储卡(memory card)等半导体存储器。可移动介质RM为记录有程序P的计算机可读取的记录介质的一例。可移动介质RM为非暂时性的有形的记录介质。
辅助存储装置3e存储多个配方R。配方R为规定基板W的处理内容、处理条件及处理顺序的信息。关于多个配方R，基板W的处理内容、处理条件及处理顺序的至少一个互不相同。
控制器3以按照主存储装置3c中设定的配方R来对基板W进行处理的方式控制基板处理装置1。以下的各工序是通过控制器3控制基板处理装置1从而执行。换句话说，控制器3经编程为执行以下的各工序。
图5为用于对基板处理装置1进行的基板处理的一例进行说明的流程图。图5中，主要表示通过控制器3执行程序从而实现的处理。图6A～图6M为用于对所述基板处理的各工序的状况进行说明的示意图。
基板处理装置1进行的基板处理中，例如，如图5所示，依次执行基板搬入工序(步骤S1)、前处理液供给工序(步骤S2)、前处理膜形成工序(步骤S3)、前处理膜剥离工序(步骤S4)、剥离液除去工序(步骤S5)、前处理膜残渣除去工序(步骤S6)、处理液供给工序(步骤S7)、处理膜形成工序(步骤S8)、处理膜剥离工序(步骤S9)、剥离液除去工序(步骤S10)、处理膜残渣除去工序(步骤S11)、旋转干燥工序(步骤S12)及基板搬出工序(步骤S13)。
首先，未处理的基板W由搬运机器人IR、搬运机器人CR(参照图1)从载盘C搬入至处理单元2，交给旋转卡盘5(步骤S1)。由此，基板W由旋转卡盘5保持于水平(基板保持工序)。基板W以图案面165成为上表面的方式保持于旋转卡盘5。在基板W的搬入时，相向构件6退避至上位置。
旋转卡盘5对基板W的保持持续至旋转干燥工序(步骤S12)结束为止。护板升降单元74在基板保持工序开始后到旋转干燥工序(步骤S12)结束为止的期间中，以至少一个护板71位于上位置的方式，调整第一护板71A及第二护板71B的高度位置。
接着，搬运机器人CR退避至处理单元2外后，开始前处理液供给工序(步骤S2)。前处理液供给工序中，首先，旋转马达23使旋转基底21旋转。由此，经保持于水平的基板W旋转(基板旋转工序)。
在相向构件6位于上位置的状态下，第三喷嘴移动单元37使第三移动喷嘴11移动至处理位置。第三移动喷嘴11的处理位置例如为中央位置。接下来，开始前处理液阀52。由此，如图6A所示，从第三移动喷嘴11向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)前处理液(前处理液供给工序、前处理液喷出工序)。由此，在基板W上形成前处理液的液膜201(前处理液膜)(前处理液膜形成工序)。
从第三移动喷嘴11的前处理液的供给持续规定时间，例如持续2秒～4秒的期间。前处理液供给工序中，基板W以规定的前处理液旋转速度旋转，例如以10rpm～1500rpm旋转。
接着，执行前处理膜形成工序(步骤S3)。前处理膜形成工序中，使基板W上的前处理液固化或硬化，在基板W的上表面形成前处理膜200(参照后述的图7A)，所述前处理膜200保持存在于基板W上的除去对象物103。
前处理膜形成工序中，首先执行前处理液薄膜化工序(前处理液旋除(spin off)工序)，即，将基板W上的前处理液的液膜201的厚度减薄。具体来说，关闭前处理液阀52。由此，停止对基板W供给前处理液。接下来，通过第三喷嘴移动单元37使第三移动喷嘴11移动至原始位置。
如图6B所示，前处理液薄膜化工序中，以基板W上的液膜201的厚度成为适当厚度的方式，在停止向基板W的上表面供给前处理液的状态下，利用离心力从基板W的上表面排除一部分前处理液。
在第三移动喷嘴11移动至原始位置后，相向构件6也维持于上位置。
前处理液薄膜化工序中，旋转马达23将基板W的旋转速度变更为规定的前处理液薄膜化速度。前处理液薄膜化速度例如为300rpm～1500rpm。基板W的旋转速度可在300rpm～1500rpm的范围内保持于一定，也可在前处理液薄膜化工序的中途，在300rpm～1500rpm的范围内适当变更。前处理液薄膜化工序执行规定时间，例如执行30秒钟。
前处理膜形成工序中，在前处理液薄膜化工序后，执行前处理液溶剂蒸发工序，即，使一部分溶剂从前处理液的液膜201蒸发(挥发)。前处理液溶剂蒸发工序中，为了使基板W上的前处理液的一部分溶剂蒸发，而将基板W上的液膜201加热。
具体来说，如图6C所示，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置与下位置之间的接近位置。接近位置也可为下位置。接近位置为从基板W的上表面到相向面6a的距离为例如1mm的位置。
接下来，打开气体阀55。由此，对基板W的上表面(液膜201的上表面)、与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体(气体供给工序)。
通过对基板W上的液膜201喷附气体，从而促进液膜201中的溶剂的蒸发(挥发)(前处理液溶剂蒸发工序、前处理液溶剂蒸发促进工序)。因此，可缩短形成前处理膜200(参照图7A)所需要的时间。中央喷嘴12作为使前处理液中的溶剂蒸发的蒸发单元(蒸发促进单元)发挥功能。
接下来，打开热媒阀88。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)热媒(热媒供给工序、热媒喷出工序)。从下表面喷嘴13供给于基板W的下表面的热媒受到离心力而以放射状扩展，遍及至基板W的整个下表面。对基板W的热媒的供给持续规定时间，例如持续60秒钟。前处理液溶剂蒸发工序中，基板W以规定的蒸发旋转速度旋转，例如以1000rpm旋转。
通过对基板W的下表面供给热媒，从而经由基板W将基板W上的液膜201加热。由此，促进液膜201中的溶剂的蒸发(挥发)(前处理液溶剂蒸发工序、前处理液溶剂蒸发促进工序)。因此，可缩短形成前处理膜200(参照图7A)所需要的时间。下表面喷嘴13作为使前处理液中的溶剂蒸发(挥发)的蒸发单元(蒸发促进单元)发挥功能。
通过执行前处理液膜薄膜化工序及前处理液膜溶剂蒸发工序，从而使前处理液固化或硬化，在基板W上形成前处理膜200(参照图7A)。这样，基板旋转单元(旋转马达23)、中央喷嘴12及下表面喷嘴13构成使前处理液固化或硬化而形成前处理膜200(固态的膜)的前处理膜形成单元(膜形成单元)。
前处理液溶剂蒸发工序中，优选以基板W上的前处理液的温度低于溶剂的沸点的方式，将基板W加热。通过将前处理液加热至低于溶剂的沸点的温度，从而可使前处理膜200中适度残留溶剂。因此，与前处理膜200内不残留溶剂的情况相比较，在其后的前处理膜剥离工序(步骤S4)中，容易使剥离液融合于前处理膜200。
接着，执行剥离前处理膜200的前处理膜剥离工序(步骤S4)。具体来说，关闭热媒阀88。由此，停止对基板W的下表面供给热媒。而且，关闭气体阀55。由此，停止向相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间供给气体。
接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。在相向构件6位于上位置的状态下，第二喷嘴移动单元36使第二移动喷嘴10移动至处理位置。第二移动喷嘴10的处理位置例如为中央位置。
接下来，在第二移动喷嘴10位于处理位置的状态下，打开上侧剥离液阀51。由此，如图6D所示，从第二移动喷嘴10向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)剥离液(上侧剥离液供给工序、上侧剥离液喷出工序)。供给于基板W的上表面的剥离液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的前处理膜(参照图7A)剥离，与剥离液一起排出至基板W外。前处理膜剥离工序中，基板W以规定的前处理膜剥离旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。
在打开上侧剥离液阀51的同时，打开下侧剥离液阀87。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)剥离液(下侧剥离液供给工序、下侧剥离液喷出工序)。供给于基板W的下表面的剥离液因离心力而扩展至基板W的整个下表面。
此处，图6A所示的前处理液供给工序(步骤S2)中供给于基板W的上表面的前处理液有时传至基板W的周缘而绕到基板W的下表面。而且，从基板W飞散的前处理液有时从护板71回溅而附着于基板W的下表面。即便在此种情况下，也如图6C所示，在前处理膜形成工序中对基板W的下表面供给热媒，因而可通过所述热媒的流动而从基板W的下表面排除前处理液。
进而，有时因前处理液供给工序(步骤S2)而附着于基板W的下表面的前处理液固化或硬化，形成固体。如图6D所示，在前处理膜剥离工序(步骤S4)中对基板W的上表面供给剥离液的期间中，从下表面喷嘴13对基板W的下表面供给(喷出)剥离液。因此，即便在基板W的下表面形成有前处理液的固体的情况下，也可将所述固体从基板W的下表面剥离除去。
前处理膜剥离工序(步骤S4)之后，执行通过供给淋洗液从而从基板W对剥离液进行除去(淋洗)的剥离液除去工序(步骤S5)。具体来说，关闭上侧剥离液阀51及下侧剥离液阀87。由此，停止对基板W的上表面及下表面供给剥离液。接下来，第二喷嘴移动单元36使第二移动喷嘴10移动至原始位置。接下来，如图6E所示，相向构件升降单元61使相向构件6移动至处理位置。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开上侧淋洗液阀53。由此，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(上侧淋洗液供给工序、上侧淋洗液喷出工序)。
剥离液除去工序中，基板W以规定的剥离液除去旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。处理位置为较接近位置从基板W的上表面更向上方远离的位置。在相向构件6位于处理位置时，基板W的上表面与相向面6a之间的距离例如为30mm。
供给于基板W的上表面的淋洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，附着于基板W的上表面的剥离液由淋洗液冲洗(淋洗工序)。
而且，在打开上侧淋洗液阀53的同时，打开下侧淋洗液阀86。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(下侧淋洗液供给工序、下侧淋洗液喷出工序)。由此，附着于基板W的下表面的剥离液由淋洗液冲洗。对基板W的上表面及下表面的淋洗液的供给持续规定时间，例如持续35秒钟。
剥离液除去工序(步骤S5)之后，执行前处理膜残渣除去工序(步骤S6)，即，利用除去液将存在于基板W的上表面的前处理膜200的残渣除去。
具体来说，关闭上侧淋洗液阀53及下侧淋洗液阀86。由此，停止对基板W的上表面及下表面供给淋洗液。接下来，在将相向构件6维持于处理位置的状态下，打开除去液阀54。由此，如图6F所示，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)除去液(除去液供给工序、除去液喷出工序)。向基板W的上表面的除去液的供给持续规定时间，例如持续30秒钟。前处理膜残渣除去工序中，基板W以规定的前处理膜残渣除去旋转速度旋转，例如以300rpm旋转。
供给于基板W的上表面的除去液受到离心力而以放射状扩展，扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的淋洗液经除去液置换。供给于基板W的上表面的除去液将残留于基板W的上表面的前处理膜(参照图7A)的残渣溶解后，从基板W的上表面的周缘排出。
接着，执行处理液供给工序(步骤S7)，即，对基板W的上表面供给处理液。具体来说，在相向构件6位于上位置的状态下，第一喷嘴移动单元35使第一移动喷嘴9移动至处理位置。第一移动喷嘴9的处理位置例如为中央位置。接下来，打开处理液阀50。由此，如图6G所示，从第一移动喷嘴9向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)处理液(处理液供给工序、处理液喷出工序)。由此，在基板W上形成处理液的液膜101(处理液膜)(处理液膜形成工序)。
从第一移动喷嘴9的处理液的供给持续规定时间，例如持续2秒～4秒的期间。处理液供给工序中，基板W以规定的处理液旋转速度旋转，例如以10rpm～1500rpm旋转。
接着，执行处理膜形成工序(步骤S8)。处理膜形成工序中，使基板W上的处理液固化或硬化，在基板W的上表面形成处理膜100(参照后述的图7C)，所述处理膜100保持存在于基板W上的除去对象物103。
处理膜形成工序中，首先执行处理液薄膜化工序(处理液旋除工序)，即，将基板W上的处理液的液膜101的厚度减薄。具体来说，关闭处理液阀50。由此，停止对基板W供给处理液。接下来，通过第一喷嘴移动单元35使第一移动喷嘴9移动至原始位置。
如图6H所示，处理液薄膜化工序中，以基板W上的液膜101的厚度成为适当的厚度的方式，在停止向基板W的上表面供给处理液的状态下，通过离心力从基板W的上表面排除一部分处理液。第一移动喷嘴9移动至原始位置后，相向构件6也维持于上位置。
处理液薄膜化工序中，旋转马达23将基板W的旋转速度变更为规定的处理液薄膜化速度。处理液薄膜化速度例如为300rpm～1500rpm。基板W的旋转速度可在300rpm～1500rpm的范围内保持于一定，也可在处理液薄膜化工序的中途，在300rpm～1500rpm的范围内适当变更。处理液薄膜化工序执行规定时间，例如执行30秒钟。
处理膜形成工序中，在处理液薄膜化工序后，执行处理液溶剂蒸发工序，即，使一部分溶剂从处理液的液膜101蒸发(挥发)。处理液溶剂蒸发工序中，为了使基板W上的处理液的一部分溶剂蒸发，将基板W上的液膜101加热。
具体来说，如图6I所示，相向构件升降单元61使相向构件6移动至接近位置。
另外，打开气体阀55。由此，对基板W的上表面(液膜101的上表面)、与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体(气体供给工序)。
通过对基板W上的液膜101喷附气体，从而促进液膜101中的溶剂的蒸发(挥发)(处理液溶剂蒸发工序、处理液溶剂蒸发促进工序)。因此，可缩短形成处理膜100(参照图7C)所需要的时间。处理膜形成工序中，中央喷嘴12也作为使处理液中的溶剂蒸发的蒸发单元(蒸发促进单元)发挥功能。
而且，打开热媒阀88。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)热媒(热媒供给工序、热媒喷出工序)。从下表面喷嘴13供给于基板W的下表面的热媒受到离心力而以放射状扩展，遍及至基板W的整个下表面。对基板W的热媒的供给持续规定时间，例如持续60秒钟。处理液溶剂蒸发工序中，基板W以规定的蒸发旋转速度旋转，例如以1000rpm旋转。
通过对基板W的下表面供给热媒，从而经由基板W将基板W上的液膜101加热。由此，促进液膜101中的溶剂的蒸发(挥发)(处理液溶剂蒸发工序、处理液溶剂蒸发促进工序)。因此，可缩短形成处理膜100(参照图7C)所需要的时间。处理膜形成工序中，下表面喷嘴13也作为使处理液中的溶剂蒸发(挥发)的蒸发单元(蒸发促进单元)发挥功能。
通过执行处理液薄膜化工序及处理液溶剂蒸发工序，从而使处理液固化或硬化。由此，在基板W的整个上表面形成保持除去对象物103的处理膜100。这样，基板旋转单元(旋转马达23)、中央喷嘴12及下表面喷嘴13构成使处理液固化或硬化而形成处理膜100(固态的膜)的处理膜形成单元(膜形成单元)。
处理液溶剂蒸发工序中，优选以基板W上的处理液的温度低于溶剂的沸点的方式，将基板W加热。通过将处理液加热至低于溶剂的沸点的温度，从而可使处理膜100中适度残留溶剂。由此，与处理膜100内不残留溶剂的情况相比较，在其后的处理膜剥离工序(步骤S9)中，容易使剥离液融合于处理膜100。
接着，执行处理膜剥离工序(步骤S9)，即，利用剥离液将处理膜100剥离。具体来说，关闭热媒阀88。由此，停止对基板W的下表面供给热媒。而且，关闭气体阀55。由此，停止向相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间供给气体。
接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。在相向构件6位于上位置的状态下，第二喷嘴移动单元36使第二移动喷嘴10移动至处理位置。
接下来，在第二移动喷嘴10位于处理位置的状态下，打开上侧剥离液阀51。由此，如图6J所示，从第二移动喷嘴10向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)剥离液(上侧剥离液供给工序、上侧剥离液喷出工序)。供给于基板W的上表面的剥离液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的前处理膜剥离，与剥离液一起排出至基板W外。处理膜剥离工序中，基板W以规定的处理膜剥离旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。
在打开上侧剥离液阀51的同时，打开下侧剥离液阀87。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)剥离液(下侧剥离液供给工序、下侧剥离液喷出工序)。供给于基板W的下表面的剥离液因离心力而扩展至基板W的整个下表面。
此处，由于与图6A所示的前处理液供给工序相同的原因，有时图6G所示的处理液供给工序(步骤S7)中，处理液附着于基板W的下表面。此种情况下，也如图6I所示，可通过供给于基板W的下表面的热媒的流动来从基板W的下表面排除处理液。
进而，与前处理液同样地，也有时因处理液供给工序(步骤S7)而附着于基板W的下表面的处理液形成固体。此种情况下，也如图6J所示，对基板W的下表面供给(喷出)剥离液，因而可将所述固体从基板W的下表面剥离除去。
接下来，处理膜剥离工序(步骤S9)之后，执行剥离液除去工序(步骤S10)，即，通过供给淋洗液从而从基板W对剥离液进行除去(淋洗)。具体来说，关闭上侧剥离液阀51及下侧剥离液阀87。由此，停止向基板W的上表面及下表面供给剥离液。接下来，第二喷嘴移动单元36使第二移动喷嘴10移动至原始位置。接下来，如图6K所示，相向构件升降单元61使相向构件6移动至处理位置。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开上侧淋洗液阀53。由此，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(上侧淋洗液供给工序、上侧淋洗液喷出工序)。
剥离液除去工序中，基板W以规定的剥离液除去旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。处理位置为相较于接近位置而从基板W的上表面更向上方远离的位置。供给于基板W的上表面的淋洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，附着于基板W的上表面的剥离液由淋洗液冲洗(淋洗工序)。
而且，在打开上侧淋洗液阀53的同时，打开下侧淋洗液阀86。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(下侧淋洗液供给工序、下侧淋洗液喷出工序)。由此，附着于基板W的下表面的剥离液由淋洗液冲洗。向基板W的上表面及下表面的淋洗液的供给持续规定时间，例如持续35秒钟。
接着，剥离液除去工序(步骤S10)之后，执行处理膜残渣除去工序(步骤S11)，即，利用除去液将存在于基板W的上表面的处理膜100的残渣除去。具体来说，关闭上侧淋洗液阀53及下侧淋洗液阀86。由此，停止对基板W的上表面及下表面供给淋洗液。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开除去液阀54。由此，如图6L所示，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)除去液(除去液供给工序、除去液喷出工序)。向基板W的上表面的除去液的供给持续规定时间，例如持续30秒钟。处理膜残渣除去工序中，基板W以规定的处理膜残渣除去旋转速度旋转，例如以300rpm旋转。
供给于基板W的上表面的除去液受到离心力而以放射状扩展，扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的淋洗液经除去液置换。供给于基板W的上表面的除去液将残留于基板W的上表面的处理膜100的残渣溶解后，从基板W的上表面的周缘排出。
接着，执行旋转干燥工序(步骤S12)，即，使基板W高速旋转而使基板W的上表面干燥。具体来说，关闭除去液阀54。由此，停止向基板W的上表面供给除去液。接下来，如图6M所示，相向构件升降单元61使相向构件6移动至较处理位置更靠下方的干燥位置。当相向构件6位于干燥位置时，相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的距离例如为1.5mm。接下来，打开气体阀55。由此，对基板W的上表面与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体。
接下来，旋转马达23使基板W的旋转加速，使基板W高速旋转。旋转干燥工序中的基板W以干燥速度旋转，例如以1500rpm旋转。旋转干燥工序执行规定时间，例如执行30秒钟的期间。由此，大的离心力作用于基板W上的除去液，将基板W上的除去液向基板W的周围甩干。旋转干燥工序中，通过向基板W的上表面与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体从而促进除去液的蒸发。
接下来，旋转马达23使基板W的旋转停止。护板升降单元74使第一护板71A及第二护板71B移动至下位置。关闭气体阀55。另外，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。
搬运机器人CR进入处理单元2，从旋转卡盘5的卡盘销20抄取经处理的基板W，向处理单元2外搬出(步骤S13)。所述基板W由搬运机器人CR交给搬运机器人IR，由搬运机器人IR收纳于载盘C。
所述基板处理的旋转干燥工序中，并非通过将基板W上的DIW等淋洗液甩干从而将基板W的上表面干燥，而是在基板W上的淋洗液由IPA等除去液置换后，通过将基板W上的除去液甩干从而将基板W的上表面干燥。即，利用表面张力低于DIW的IPA进行置换后执行旋转干燥工序，因而可减少将基板W的上表面干燥时作用于基板W的上表面的凹凸图案160(参照图2)的表面张力。
接着，对基板处理中的基板W的上表面附近的状况进行说明。图7A～图7E为用于对基板处理中的基板W的上表面附近的状况进行说明的示意图。
图7A为对通过执行前处理膜形成工序(步骤S3)从而形成有前处理膜200的状态的基板W的上表面附近的状况进行说明的示意图。如图7A所示，前处理膜200保持除去对象物103。
若对形成有前处理膜200的基板W的上表面供给剥离液，则如图7B所示，通过剥离液的剥离作用，前处理膜200与除去对象物103一起从基板W的上表面剥离。前处理膜200在从基板W的上表面剥离时分裂而成为膜片205。
接下来，在前处理膜200的剥离后，通过继续向基板W的上表面供给剥离液，从而经分裂的前处理膜200的膜片205与剥离液一起向基板W外排除。由此，保持除去对象物103的状态的前处理膜200的膜片205从基板W的上表面除去。
如上文所述，前处理膜200将存在于露出区域170的除去对象物103除去的除去力相对(与处理膜100相比)较高。因此，如图7B所示，可通过前处理膜剥离工序(步骤S4)从露出区域170除去大多数的除去对象物103。另一方面，前处理膜200将存在于非露出区域171的除去对象物103除去的除去力相对(与处理膜100相比)较低。因此，非露出区域171中，有时无法由前处理膜200除去的除去对象物103残留。
然后，如图7C所示，形成保持除去对象物103的处理膜100。相较于前处理膜200，处理膜100保持存在于非露出区域171的除去对象物103的除去对象物保持力更高，因而可保持除去对象物103。若对形成有处理膜100的基板W的上表面供给剥离液，则如图7D所示，由于剥离液的剥离作用，处理膜100与除去对象物103一起从基板W的上表面剥离。处理膜100在从基板W的上表面剥离时分裂而成为膜片105。
处理膜100将存在于非露出区域171的除去对象物103除去的除去力高。因此，即便在前处理膜剥离工序(步骤S4)中，无法由前处理膜200除去的除去对象物103存在于非露出区域171上的情况下(参照图7B)，也可通过执行处理膜剥离工序(步骤S9)从而将所述除去对象物103从基板W除去。
处理膜剥离工序(步骤S9)中利用剥离液将处理膜100剥离后，也如图7D所示，处理膜100中被覆露出区域170的部分(露出区域被覆部130)作为残渣而残留在露出区域170上。露出区域被覆部130在其后的处理膜残渣除去工序(步骤S11)中，因供给于基板W的上表面的除去液而溶解，如图7E所示那样从基板W的上表面除去。
接下来，使用图8A～图8C对前处理膜200的剥离的状况进行说明。
如图8A所示，前处理膜200保持除去对象物103。详细来说，前处理膜200含有高溶解性固体210(固体状态的第二高溶解性成分)、及低溶解性固体211(固体状态的第二低溶解性成分)。高溶解性固体210及低溶解性固体211是通过前处理液所含有的至少一部分溶剂蒸发从而形成。
前处理膜200中，高溶解性固体210与低溶解性固体211在单一的层内混合存在。严格来说，对于前处理膜200，并非高溶解性固体210与低溶解性固体211均匀地分布于前处理膜200，而是存在高溶解性固体210不均匀分布的部分、及低溶解性固体211不均匀分布的部分。
前处理膜200与基板W的上表面中形成前处理膜200的区域(部位)无关，为在单一的层内混合存在的结构。换句话说，前处理膜200为在露出区域170及非露出区域171中的任一区域中，在单一的层内混合存在的结构。
参照图8B，由于供给剥离液而高溶解性固体210溶解。即，前处理膜200局部地溶解。通过高溶解性固体210溶解，从而在前处理膜200中高溶解性固体210不均匀分布的部分形成贯通孔202。
贯通孔202尤其容易形成于高溶解性固体210沿图案面165的法线方向T(也为前处理膜200的厚度方向)延伸的部分。贯通孔202在俯视时，例如为直径几纳米(nm)的大小。
低溶解性成分对剥离液的溶解性低，低溶解性固体211几乎不因剥离液而溶解。因此，低溶解性固体211仅其表面附近因剥离液而稍许溶解。因此，经由贯通孔202而到达基板W的上表面(图案面165)附近的剥离液使低溶解性固体211中基板W的上表面附近的部分稍许溶解。由此，如图8B的放大图所示，剥离液一边将基板W的上表面附近的低溶解性固体211缓缓溶解，一边逐渐进入前处理膜200与基板W的上表面之间的间隙G2(剥离液进入工序)。
接下来，例如以贯通孔202的周缘为起点而前处理膜200分裂成为膜片205，如图8C所示，前处理膜200的膜片205以保持除去对象物103的状态从基板W剥离(前处理膜分裂工序、剥离工序)。接下来，通过继续供给剥离液，从而成为膜片205的前处理膜200以保持除去对象物103的状态被冲洗(向基板W外被推出)，从基板W的上表面除去(除去对象物除去工序)。
使用图9A～图9C，对处理膜100的剥离的状况进行详细说明。图9A～图9C为用于对处理膜100中被覆非露出区域171的部分(非露出区域被覆部131)从非露出区域171剥离的状况进行说明的示意图。
如图9A所示，处理膜100保持除去对象物103。详细来说，处理膜100中被覆非露出区域171的部分含有高溶解性固体110(固体状态的第一高溶解性成分)、及低溶解性固体111(固体状态的第一低溶解性成分)。高溶解性固体110及低溶解性固体111通过处理液所含有的至少一部分溶剂蒸发从而形成。
非露出区域被覆部131中，高溶解性固体110与低溶解性固体111在单一的层内混合存在。严格来说，非露出区域被覆部131并非高溶解性固体110与低溶解性固体111均匀地分布于整个处理膜100，而是存在高溶解性固体110不均匀分布的部分、与低溶解性固体111不均匀分布的部分。
参照图9B，由于供给剥离液而高溶解性固体110溶解。即，非露出区域被覆部131局部地溶解。通过高溶解性固体110溶解，从而在非露出区域被覆部131中高溶解性固体110不均匀分布的部分形成贯通孔102(贯通孔形成工序)。
贯通孔102尤其容易形成于高溶解性固体110沿图案面165的法线方向T(也为处理膜100的厚度方向)延伸的部分。贯通孔102在俯视时，例如为直径几nm的大小。
低溶解性成分对剥离液的溶解性低，低溶解性固体111几乎不因剥离液而溶解。因此，对于低溶解性固体111，仅其表面附近因剥离液稍许溶解。因此，经由贯通孔102到达基板W的上表面附近的剥离液使低溶解性固体111中基板W的上表面附近的部分稍许溶解。由此，如图9B的放大图所示，剥离液一边将基板W的上表面附近的低溶解性固体111缓缓溶解，一边逐渐进入非露出区域被覆部131与基板W的上表面之间的间隙G1(剥离液进入工序)。
接下来，例如以贯通孔102的周缘为起点而非露出区域被覆部131分裂成为膜片105，如图9C所示，非露出区域被覆部131的膜片105以保持除去对象物103的状态从基板W剥离(处理膜分裂工序、剥离工序)。接下来，通过继续供给剥离液，从而成为膜片105的非露出区域被覆部131以保持除去对象物103的状态被冲洗(向基板W外被推出)，从基板W的上表面除去(除去对象物除去工序)。
参照图9A～图9C，将处理膜100的非露出区域被覆部131局部地溶解而形成贯通孔102的工序为第一贯通孔形成工序的一例，由此形成的贯通孔102为第一贯通孔的一例。而且，参照图8A～图8C，将前处理膜200局部地溶解而形成贯通孔202的工序为第二贯通孔形成工序的一例，由此形成的贯通孔202为第二贯通孔的一例。
接着，使用图10A～图10C，对被覆露出区域170的露出区域被覆部130的除去的状况进行详细说明。图10A～图10C为用于对将露出区域被覆部130从基板W的上表面除去的状况进行说明的示意图。
如上文所述，通过前处理膜剥离工序(步骤S4)而从露出区域170除去大多数的除去对象物103，但有时在形成处理膜100时，除去对象物103也稍许存在于露出区域170。
露出区域被覆部130含有高溶解性固体110(固体状态的第一高溶解性成分)、及低溶解性固体111(固体状态的第一低溶解性成分)。高溶解性固体110及低溶解性固体111通过处理液所含有的至少一部分溶剂蒸发从而形成。
露出区域被覆部130含有：低溶解性层180，配置于与金属膜163接触的位置，包含低溶解性固体111；以及高溶解性层181，相对于低溶解性层180而配置于金属膜163的相反侧，包含高溶解性固体110。即，低溶解性层180位于金属膜163与高溶解性层181之间。
高溶解性固体110溶解于剥离液，但低溶解性固体111几乎不溶解于剥离液。因此，若在处理膜剥离工序(步骤S9)中对基板W的上表面供给剥离液，则如图10B所示，高溶解性层181因剥离液而溶解。另一方面，低溶解性层180虽然其表面稍许溶解，但不使金属膜163露出，维持被覆露出区域170的状态。因此，剥离液不易进入低溶解性层180与基板W的上表面之间。因此，保护膜100B的低溶解性层180不因剥离液而剥离，留在露出区域170上。因此，处理膜100在露出区域170中，剥离性低于前处理膜200。
附着于露出区域170的除去对象物103在形成处理膜100时从露出区域170剥离。处理膜残渣除去工序(步骤S8)中，露出区域被覆部130溶解于除去液。若利用除去液将露出区域被覆部130溶解，则如图10C所示，除去对象物103以从露出区域170剥离的状态浮游在除去液中。因此，通过继续供给除去液，从而在除去液中浮游的除去对象物103与除去液一起从基板W的上表面被排除。
根据第一实施方式，通过将存在于露出区域170(第一区域)的除去对象物103除去的除去力高的前处理膜200的剥离，从而将除去对象物103从基板W的上表面除去。然后，通过将存在于非露出区域171(第二区域)的除去对象物103除去的除去力高的处理膜100的剥离，从而将除去对象物103从基板W的上表面除去。即，进行将存在于露出区域170的除去对象物103除去的除去力相对较高的前处理膜200的剥离、与将存在于非露出区域171的除去对象物103除去的除去力相对较高的处理膜100的剥离两者。更直截了当地说，使用将除去对象物103除去的除去力高的区域互不相同的前处理膜200及处理膜100，以二阶段来进行除去对象物103的除去。
因此，可从具有下述表面的基板W将除去对象物103高效率地除去，所述表面存在金属膜163露出的露出区域170及除此以外的非露出区域171。
而且，根据第一实施方式，在处理膜剥离工序(步骤S9)之后，执行处理膜残渣除去工序(步骤S11)，即，对基板W的上表面供给除去液，将残留于基板W的上表面的处理膜100的残渣除去。因此，即便在利用剥离液将处理膜100剥离后，处理膜100的残渣附着于露出区域170及非露出区域171的情况下，也可通过除去液将所述残渣除去。
而且，根据第一实施方式，处理膜剥离工序中，露出区域被覆部130不剥离，非露出区域被覆部131剥离。接下来，处理膜残渣除去工序中，露出区域被覆部130作为处理膜100的残渣而被除去。
因此，即便在露出区域被覆部130未因向基板W的上表面供给剥离液而剥离，残留于露出区域170上的情况下，也可使露出区域被覆部130溶解于除去液而从露出区域170除去。
在处理膜100的露出区域被覆部130溶解于除去液的情况下，可能由露出区域被覆部130所保持而释放的除去对象物103再附着于露出区域170。根据第一实施方式，在将存在于露出区域170的除去对象物103除去的除去力相对较高的前处理膜200通过剥离从露出区域170除去后，形成处理膜100。因此，在形成处理膜100前，将大部分的除去对象物103从露出区域170除去。
因此，即便为使露出区域被覆部130溶解于除去液而将露出区域被覆部130从露出区域170除去的结构，也可充分抑制除去对象物103残存于露出区域170。
而且，根据第一实施方式，处理膜100的非露出区域被覆部131中，高溶解性固体110与低溶解性固体111在单一的层内混合存在。另外，处理膜剥离工序(步骤S9)中，高溶解性固体110选择性地溶解于剥离液。
通过使高溶解性固体110溶解于剥离液，从而剥离液顺着高溶解性固体110存在的痕迹(贯通孔102)在处理膜100的非露出区域被覆部131内穿过。由此，可迅速到达处理膜100与基板W的表面的非露出区域171的界面附近。
另一方面，非露出区域被覆部131中的低溶解性固体111不溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用低溶解性固体111来保持除去对象物103，一边使剥离液作用于低溶解性固体111与基板W的接触界面。其结果为，可将非露出区域被覆部131从基板W的上表面迅速除去，将除去对象物103与处理膜100的非露出区域被覆部131一起从基板W的上表面高效率地除去。
而且，根据第一实施方式，前处理膜200中，高溶解性固体210与低溶解性固体211混合存在。前处理膜200中的高溶解性固体210选择性地溶解于剥离液。通过使高溶解性固体210溶解于剥离液，从而剥离液顺着高溶解性固体210存在的痕迹(贯通孔202)在前处理膜200内穿过。由此，可迅速到达前处理膜200与基板W的上表面的界面附近。
另一方面，前处理膜200中的低溶解性固体211不溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用低溶解性固体211来保持除去对象物103，一边使剥离液作用于低溶解性固体211与基板W的接触界面。其结果为，可将前处理膜200从基板W的上表面迅速除去，将除去对象物103与前处理膜200一起从基板W的上表面高效率地除去。
所谓“高溶解性固体110、高溶解性固体210选择性地溶解”，并非意指仅高溶解性固体110、高溶解性固体210溶解。所谓“高溶解性固体110、高溶解性固体210选择性地溶解”，是指低溶解性固体111、低溶解性固体211也稍许溶解，但大部分的高溶解性固体110、高溶解性固体210溶解。
而且，露出区域170中表面露出的金属膜163不限于铜膜。金属膜163例如可为铝膜、钴膜、钌膜、钼膜、钨膜等。而且，露出区域170中表面露出的膜也可不为金属膜163，例如也可为氮化硅膜或氮化钛膜等氮化物膜。即便在对露出区域170中露出的特定物质为铜以外的金属或氮化物的基板进行所述实施方式的基板处理的情况下，也发挥与所述实施方式相同的效果。
＜第二实施方式＞
图11为表示第二实施方式的基板处理装置1P所包括的处理单元2的概略结构的示意性局部截面图。图11中，关于与所述图1～图10C所示的结构同等的结构，标注与图1等相同的参照符号而省略其说明。后述的图12～图15E中，也同样地标注与图1等相同的参照符号而省略其说明。
参照图11，第二实施方式的基板处理装置1P与第一实施方式的基板处理装置1(参照图3)主要的差异点为：在第二实施方式的基板处理装置1P中，对实施了干式蚀刻处理的基板W实施基板处理。
图12为由基板处理装置1P进行处理的基板W的表层的截面图的一例。基板W中，在非露出区域171及露出区域170两者，附着有第一除去对象物203。第一除去对象物203为因前工序的干式蚀刻处理而产生的残渣。第一除去对象物203为粒状的残渣(粒状残渣)。为干式蚀刻处理中所用的CFx(例如四氟化碳(CF4))等蚀刻气体与结构体161的反应物。
在非露出区域171，附着有第二除去对象物204。第二除去对象物204也为干式蚀刻处理的残渣。第二除去对象物204为覆盖非露出区域171的至少一部分的膜状的残渣(膜状残渣)。图12的示例中，第二除去对象物204覆盖低介电常数层间绝缘膜161B的表面。第二除去对象物204为蚀刻气体与低介电常数层间绝缘膜161B的反应物。
参照图11，第二实施方式的处理单元2包含第四移动喷嘴14。第四移动喷嘴14为向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面以连续流的形式供给(喷出)SC1(氨-过氧化氢水混合液)等清洗液的清洗液喷嘴(清洗液供给单元)的一例。清洗液为用于将无法利用剥离液从基板W的上表面剥离的第二除去对象物204溶解，从基板W的上表面除去的液体。
第四移动喷嘴14通过第四喷嘴移动单元38而在水平方向及铅垂方向移动。第四移动喷嘴14可在水平方向，在中心位置与原始位置(退避位置)之间移动。
第四移动喷嘴14在位于中心位置时，与基板W的上表面的旋转中心相向。第四移动喷嘴14在位于原始位置时，不与基板W的上表面相向，而是俯视时位于处理杯7的外侧。第四移动喷嘴14可通过向铅垂方向移动从而接近基板W的上表面，或从基板W的上表面向上方退避。
第四喷嘴移动单元38具有与第一喷嘴移动单元35相同的结构。即，第四喷嘴移动单元38例如包含：臂(未图示)，结合于第四移动喷嘴14且水平地延伸；转动轴(未图示)，结合于臂且沿着铅垂方向延伸；以及转动轴驱动单元(未图示)，使转动轴升降或转动。
第四移动喷嘴14连接于将清洗液引导至第四移动喷嘴14的清洗液配管46。若将插装于清洗液配管46的清洗液阀56打开，则清洗液从第四移动喷嘴14的喷出口以连续流的形式向下方喷出。
从第四移动喷嘴14喷出的清洗液优选氧化力高于剥离液的液体。从第四移动喷嘴14喷出的清洗液不限于SC1，也可为氢氟酸或稀释氨水(dNH4OH)。
图13为用于对第二实施方式的基板处理装置1P进行的基板处理的一例进行说明的流程图。图14A及图14B为用于对基板处理装置1P进行的基板处理的各工序的状况进行说明的示意图。
基板处理装置1P进行的基板处理中，使用干式蚀刻处理后的基板W。如图13所示，基板处理装置1P进行的基板处理与基板处理装置1进行的基板处理(参照图5)不同，在剥离液除去工序(步骤S10)与处理膜残渣除去工序(步骤S11)之间，执行清洗工序(步骤S20)及清洗液除去工序(步骤S21)。
清洗工序(步骤S20)为将附着于基板W的上表面的第二除去对象物204除去，对基板W的上表面进行清洗的工序。清洗液除去工序(步骤S21)为通过供给淋洗液从而从基板W的上表面对清洗液进行除去(淋洗)的工序。
以下，对清洗工序(步骤S20)及清洗液除去工序(步骤S21)进行详细说明。
为了停止剥离液除去工序(步骤S10)中的淋洗液的供给而关闭上侧淋洗液阀53及下侧淋洗液阀86后，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。在相向构件6位于上位置的状态下，第四喷嘴移动单元38使第四移动喷嘴14移动至处理位置。第四移动喷嘴14的处理位置例如为中央位置。
接下来，在第四移动喷嘴14位于处理位置的状态下，打开清洗液阀56。由此，如图14A所示，从第四移动喷嘴14向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)清洗液(清洗液供给工序、清洗液喷出工序)。供给于基板W的上表面的清洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。清洗工序中，基板W以规定的清洗旋转速度旋转。清洗旋转速度例如为10rpm～1000rpm的范围内的速度。清洗旋转速度优选800rpm。
供给于基板W的上表面的清洗液受到离心力而以放射状扩展，扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的淋洗液经清洗液置换。
清洗工序(步骤S20)之后，执行清洗液除去工序(步骤S21)。具体来说，关闭清洗液阀56。由此，停止对基板W的上表面供给清洗液。另外，第四喷嘴移动单元38使第四移动喷嘴14移动至原始位置。另外，如图14B所示，相向构件升降单元61使相向构件6移动至处理位置。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开上侧淋洗液阀53。由此，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(上侧淋洗液供给工序、上侧淋洗液喷出工序)。清洗液除去工序中，基板W以规定的清洗液除去旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。
供给于基板W的上表面的淋洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，附着于基板W的上表面的清洗液由淋洗液冲洗。
而且，在打开上侧淋洗液阀53的同时，打开下侧淋洗液阀86。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(下侧淋洗液供给工序、下侧淋洗液喷出工序)。由此，即便在清洗液从基板W的上表面绕到基板W的下表面而附着于基板W的下表面的情况下，附着于基板W的下表面的清洗液也由淋洗液冲洗。对基板W的上表面及下表面的淋洗液的供给持续规定时间，例如持续35秒钟。
图15A～图15E为用于对基板处理装置1P进行的基板处理中的基板W的上表面附近的状况进行说明的示意图。
图15A为用于对通过执行前处理膜形成工序(步骤S3)从而形成有前处理膜200的状态的基板W的上表面附近的状况进行说明的示意图。如图15A所示，前处理膜200保持第一除去对象物203。
若对形成有前处理膜200的基板W的上表面供给剥离液，则如图15B所示，由于剥离液的剥离作用，前处理膜200与第一除去对象物203一起从基板W的上表面剥离。前处理膜200在从基板W的上表面剥离时分裂而成为膜片205。
接下来，通过在前处理膜200的剥离后，继续向基板W的上表面供给剥离液，从而经分裂的前处理膜200的膜片205与剥离液一起向基板W外排除。由此，将保持第一除去对象物203的状态的前处理膜200的膜片205从基板W的上表面除去。
关于与存在于对象区域(露出区域170或非露出区域171)的第一除去对象物203有关的聚合物膜的除去力、除去对象物保持力、剥离性，分别与第一实施方式中说明的与除去对象物103有关的聚合物膜的除去力、除去对象物保持力、剥离性相同。
因此，前处理膜200在非露出区域171及露出区域170两者中发挥高的除去对象物保持力，但处理膜100在非露出区域171及露出区域170的两者中发挥较前处理膜200更高的除去对象物保持力。另一方面，前处理膜200在露出区域170中，剥离性高于处理膜100。
因此，处理膜100将存在于非露出区域171的第一除去对象物203除去的除去力，较前处理膜200将存在于非露出区域171的第一除去对象物203除去的除去力更高。前处理膜200将存在于露出区域170的第一除去对象物203除去的除去力，较处理膜100将存在于露出区域170的第一除去对象物203除去的除去力更高。
因此，如图15B所示，可通过前处理膜剥离工序(步骤S4)从露出区域170除去大多数的第一除去对象物203。另一方面，前处理膜200将存在于非露出区域171的第一除去对象物203除去的除去力相对(与处理膜100相比)较低。因此，非露出区域171中，有时无法由前处理膜200以充分的除去对象物保持力保持的第一除去对象物203残留。第二除去对象物204未与前处理膜200一起剥离，而且不因剥离液而溶解，因而残留于基板W的上表面的非露出区域171。
然后，如图15C所示，形成保持第一除去对象物203的处理膜100。相较于前处理膜200，处理膜100保持存在于非露出区域171的第一除去对象物203的除去对象物保持力更高，因此可保持第一除去对象物203。若对形成有处理膜100的基板W的上表面供给剥离液，则如图15D所示，由于剥离液的剥离作用，处理膜100与第一除去对象物203一起从基板W的上表面剥离。处理膜100在从基板W的上表面剥离时分裂而成为膜片105。
处理膜100中，被覆非露出区域171的非露出区域被覆部131因剥离液而剥离。另一方面，如图15D所示，露出区域被覆部130作为残渣而残留于露出区域170上。即，非露出区域被覆部131作为剥离对象膜发挥功能，所述剥离对象膜成为利用剥离液进行剥离的对象。
处理膜100将存在于非露出区域171的第一除去对象物203除去的除去力高。因此，即便在前处理膜剥离工序(步骤S4)中无法由前处理膜200除去的第一除去对象物203存在于非露出区域171上的情况下(参照图15B)，也可通过执行处理膜剥离工序(步骤S9)，从而将所述第一除去对象物203从基板W除去。第二除去对象物204未与前处理膜200一起剥离，而且不因剥离液而溶解，因此残留于基板W的上表面的非露出区域171。
通过在其后的清洗工序(步骤S20)中对基板W的上表面供给清洗液，从而如图15E所示，第二除去对象物204溶解。金属膜163由露出区域被覆部130所被覆，因而在对基板W的上表面供给清洗液的期间中，如图15E所示，金属膜163未暴露于清洗液而得到保护。即，露出区域被覆部130作为保护金属膜163的保护膜发挥功能。这样，可在适当保护从基板W的上表面露出的金属膜163的状态下对基板W的上表面供给清洗液，将第二除去对象物204从基板W除去。
通过其后的处理膜残渣除去工序(步骤S11)，可使处理膜100的露出区域被覆部130溶解于除去液，将露出区域被覆部130从基板W的上表面顺利除去。
根据第二实施方式，发挥与第一实施方式相同的效果。
进而，根据第二实施方式，也发挥以下效果。
通过对形成有处理膜100的状态的基板W的上表面供给剥离液，从而非露出区域被覆部131(剥离对象膜)以保持第一除去对象物203的状态从基板W的上表面剥离。因此，将第一除去对象物203从基板W的上表面除去。另一方面，第二除去对象物204残留于基板W的上表面。
然后，利用清洗液将第二除去对象物204从基板W的上表面除去，再然后，利用除去液将露出区域被覆部130(保护膜)从基板W的上表面除去。
在对基板W的上表面供给清洗液时，基板W的上表面中金属膜163露出的露出区域170由露出区域被覆部130所被覆。因此，尽管用于除去第二除去对象物204的清洗液具有使金属膜163氧化的性质，也可不使金属膜163氧化而将第二除去对象物204除去。
因此，可抑制金属膜163的氧化，并且将多种除去对象物(第一除去对象物203及第二除去对象物204)从基板W的上表面高效率地除去。
在处理膜100的露出区域被覆部130溶解于除去液的情况下，可能由露出区域被覆部130所保持而释放的第一除去对象物203再附着于露出区域170。根据第二实施方式，将存在于露出区域170的第一除去对象物203除去的除去力相对较高的前处理膜200通过剥离而从露出区域170除去后，形成处理膜100。因此，在形成处理膜100前，将大部分的第一除去对象物203从露出区域170除去。
因此，即便为使露出区域被覆部130溶解于除去液而从露出区域170除去的结构，也可充分抑制第一除去对象物203残存于露出区域170。
与第一实施方式同样地，在对露出区域170中露出的特定物质为铜以外的金属或氮化物的基板进行第二实施方式的基板处理的情况下，也发挥与第二实施方式相同的效果。
＜处理液的详情＞
以下，对用于所述实施方式的处理液中的各成分进行说明。
以下，“Cx～y”、“Cx～Cy”及“Cx”等的记载是指分子或取代基中的碳的个数。例如，C1～6烷基是指具有1以上且6以下的碳的烷基链(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)。
在聚合物具有多种重复单元的情况下，这些重复单元进行共聚合。只要未特别限定地提及，则这些共聚合可为交替共聚合、无规共聚合、嵌段共聚合、接枝共聚合或这些共聚合的混合的任一种。以结构式来表示聚合物或树脂时，括弧中一并记载的n或m等表示重复数。
＜低溶解性成分＞
(A)低溶解性成分含有酚醛清漆、聚羟基苯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯酸衍生物、聚马来酸衍生物、聚碳酸酯、聚乙烯醇衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物及这些的组合的共聚物中的至少一种。优选(A)低溶解性成分可包含酚醛清漆、聚羟基苯乙烯、聚丙烯酸衍生物、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸衍生物及这些的组合的共聚物中的至少一种。更优选(A)低溶解性成分可包含酚醛清漆、聚羟基苯乙烯、聚碳酸酯及这些的组合的共聚物中的至少一种。酚醛清漆也可为苯酚酚醛清漆。
处理液可含有所述合适例中的一个或含有所述合适例中的两个以上组合作为(A)低溶解性成分。例如，(A)低溶解性成分可含有酚醛清漆与聚羟基苯乙烯两者。
关于(A)低溶解性成分，合适的一形态为通过干燥从而膜化，所述膜大部分不因剥离液而溶解，而是以保持除去对象物的状态剥落。此外，也容许(A)低溶解性成分的极少一部分因剥离液而溶解的形态。
优选(A)低溶解性成分不含氟和/或硅，更优选不含两者。
所述共聚合优选无规共聚合、嵌段共聚合。
并非意在限定权利范围，但(A)低溶解性成分的具体例可列举下述化学式1～化学式7所示的各化合物。
[化1]
Figure BDA0002791813790000371
[化2]
Figure BDA0002791813790000372
[化3]
Figure BDA0002791813790000373
(星号*表示与邻接的结构单元键合)
[化4]
Figure BDA0002791813790000374
(R是指C1～4烷基等取代基。星号*表示与邻接的结构单元键合)
[化5]
Figure BDA0002791813790000375
[化6]
Figure BDA0002791813790000376
[化7]
Figure BDA0002791813790000381
(Me是指甲基。星号*表示与邻接的结构单元键合)
(A)低溶解性成分的重量平均分子量(weight average molecular weight，Mw)优选150～500,000，更优选300～300,000，进而优选500～100,000，进而更优选1,000～50,000。
(A)低溶解性成分可通过合成从而获取。而且，也可购入。在购入的情况下，作为示例，供应商可举出以下。供应商也可合成(A)聚合物。
酚醛清漆：昭和化成(股)、旭有机材(股)、群荣化学工业(股)、住友电木(SumitomoBakelite)(股)
聚羟基苯乙烯：日本曹达(股)，丸善石油化学(股)，东邦化学工业(股)
聚丙烯酸衍生物：日本触媒(股)
聚碳酸酯：西格玛奥德里奇(Sigma-Aldrich)
聚甲基丙烯酸衍生物：西格玛奥德里奇(Sigma-Aldrich)
与处理液的总质量相比较，(A)低溶解性成分为0.1质量％～50质量％，优选0.5质量％～30质量％，更优选1质量％～20质量％，进而优选1质量％～10质量％。即，将处理液的总质量设为100质量％，以此为基准而(A)低溶解性成分为0.1质量％～50质量％。即，“与……比较”可换言为“将……作为基准”。只要未特别提及，则以下也相同。
溶解性可利用众所周知的方法评价。例如可在20℃～35℃(更优选25℃±2℃)的条件下，在烧瓶中将所述(A)或后述的(B)以100ppm添加于5.0质量％氨水，加盖并利用振荡器振荡3小时，根据(A)或(B)是否溶解而求出。振荡也可为搅拌。溶解也可通过目测来判断。若未溶解则视为溶解性小于100ppm，若溶解则视为溶解性100ppm以上。溶解性小于100ppm时视为不溶或难溶，溶解性为100ppm以上时视为可溶。广义上，可溶包含微溶。在不溶、难溶、可溶中，不溶意指溶解性最低，难溶意指溶解性次一低。狭义上，微溶相较于可溶而溶解性更低，相较于难溶而溶解性更高。
＜高溶解性成分＞
(B)高溶解性成分为(B')龟裂促进成分。(B')龟裂促进成分含有烃，还含有羟基(-OH)和/或羰基(-C(＝O)-)。在(B')龟裂促进成分为聚合物的情况下，一种结构单元的每一单元含有烃，进而具有羟基和/或羰基。所谓羰基，可举出羧酸(-COOH)、醛、酮、酯、酰胺、烯酮，优选羧酸。
并非意在限定权利范围，且理论上并未限制，但可认为，在使处理液干燥而在基板上形成处理膜，剥离液将处理膜剥离时，(B)高溶解性成分产生成为处理膜剥落的起点的部分。因此，(B)高溶解性成分优选对剥离液的溶解性高于(A)低溶解性成分。作为(B')龟裂促进成分含有酮作为羰基的形态，可举出环形的烃。具体例可举出1,2-环己烷二酮或1,3-环己烷二酮。
作为更具体的形态，(B)高溶解性成分为含有一个～六个(合适的是一个～四个)下述化学式8作为结构单元，且各结构单元经连结基(连结子)L1键合的化合物。此处，连结子L1可为单键，也可为C1～6亚烷基。所述C1～6亚烷基作为连结子将结构单元连结，不限定于二价的基团。优选二价～四价。所述C1～6亚烷基可为直链、分支的任一种。
[化8]
Figure BDA0002791813790000391
Cy1为C5～30的烃环，优选苯基、环己烷或萘基，更优选苯基。作为合适的形态，连结子L1将多个Cy1连结。
R1分别独立为C1～5烷基，优选甲基、乙基、丙基或丁基。所述C1～5烷基可为直链、分支的任一种。
nb1为1、2或3，优选1或2，更优选1。nb1'为0、1、2、3或4，优选0、1或2。
下述化学式9为使用连结子L9来表示化学式8所记载的结构单元的化学式。连结子L9优选单键、亚甲基、亚乙基或亚丙基。
[化9]
Figure BDA0002791813790000392
并非意在限定权利范围，但(B)高溶解性成分的合适例可举出：2,2-双(4-羟基苯基)丙烷、2,2'-亚甲基双(4-甲基苯酚)、2,6-双[(2-羟基-5-甲基苯基)甲基]-4-甲基苯酚、1,3-环己烷二醇、4,4'-二羟基联苯、2,6-萘二酚、2,5-二叔丁基对苯二酚、1,1,2,2-四(4-羟基苯基)乙烷。这些化合物也可通过聚合或缩合而获得。
作为一例，取下述化学式10所示的2,6-双[(2-羟基-5-甲基苯基)甲基]-4-甲基苯酚进行说明。此化合物在(B)中，具有三个化学式8的结构单元，结构单元经连结子L1(亚甲基)键合。nb1＝nb1'＝1，R1为甲基。
[化10]
Figure BDA0002791813790000393
(B)高溶解性成分也可为分子量80～10,000。高溶解性成分优选分子量90～5000，更优选100～3000。在(B)高溶解性成分为树脂、聚合体或聚合物的情况下，分子量以重量平均分子量(Mw)表示。
(B)高溶解性成分可合成也可购入而获取。供应商可举出西格玛奥德里奇(Sigma-Aldrich)、东京化成工业、日本触媒。
处理液中，与(A)低溶解性成分的质量相比较，(B)高溶解性成分优选1质量％～100质量％，更优选1质量％～50质量％。处理液中，与(A)低溶解性成分的质量相比较，(B)高溶解性成分进而优选1质量％～30质量％。
＜溶剂＞
(C)溶剂优选包含有机溶剂。(C)溶剂也可具有挥发性。所谓具有挥发性，是指与水相比较而挥发性高。例如，(C)一个大气压时的溶剂的沸点优选50℃～250℃。一个大气压时的溶剂的沸点更优选50℃～200℃，进而优选60℃～170℃。一个大气压时的溶剂的沸点进而更优选70℃～150℃。(C)溶剂也容许含有少量的纯水。与(C)溶剂总体相比较，(C)溶剂所含的纯水优选30质量％以下。溶剂所含的纯水更优选20质量％以下，进而优选10质量％以下。溶剂所含的纯水进而更优选5质量％以下。溶剂不含纯水(0质量％)也为合适的一形态。所谓纯水，合适的是DIW。
有机溶剂可举出：异丙醇(IPA)等醇类；乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚等乙二醇单烷基醚类；乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯等乙二醇单烷基醚乙酸酯类；丙二醇单甲醚(Propylene glycol monomethyl ether，PGME)、丙二醇单乙醚(PGEE)等丙二醇单烷基醚类；丙二醇单甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate，PGMEA)、丙二醇单乙醚乙酸酯等丙二醇单烷基醚乙酸酯类；乳酸甲酯、乳酸乙酯(Ethyl Lactate，EL)等乳酸酯类；甲苯、二甲苯等芳香族烃类；甲基乙基酮、2-庚酮、环己酮等酮类；N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类；γ-丁内酯等内酯类等。这些有机溶剂可单独使用或混合使用两种以上。
作为优选的一实施例，(C)溶剂所含的有机溶剂可从IPA、PGME、PGEE、EL、PGMEA、这些的任何组合中选择。在有机溶剂为两种的组合的情况下，其体积比优选20：80～80：20，更优选30：70～70：30。
与处理液的总质量相比较，(C)溶剂为0.1质量％～99.9质量％。与处理液的总质量相比较，(C)溶剂优选50质量％～99.9质量％，更优选75质量％～99.5质量％。与处理液的总质量相比较，(C)溶剂进而优选80质量％～99质量％，进而更优选85质量％～99质量％。
＜其他添加物＞
本发明的处理液也可还含有(D)其他添加物。作为本发明的一实施例，(D)其他添加物含有界面活性剂、酸、碱、抗菌剂、杀菌剂、防腐剂或抗真菌剂(优选界面活性剂)，也可含有这些的任意组合。
作为本发明的一实施例，与处理液中的(A)低溶解性成分的质量相比较，(D)其他添加物(多种的情况下为其和)为0质量～100质量％(优选0质量％～10质量％，更优选0质量％～5质量％，进而优选0质量％～3质量％，进而更优选0质量％～1质量％)。处理液不含(D)其他添加剂(0质量％)也为本发明的一个实施例。
＜防腐蚀成分＞
作为(E)防腐蚀成分，除了BTA以外，可举出：尿酸、咖啡因、蝶呤(pterin)、腺嘌呤(adenine)、乙醛酸、葡萄糖、果糖、甘露糖等。
＜前处理液的详情＞
以下，对所述实施方式所用的前处理液中的各成分进行说明。前处理液所含的(A)低溶解性成分、(C)溶剂、(D)其他添加物、(E)防腐蚀成分可从可用于处理膜的成分中选择。
前处理液所含的(B)高溶解性成分与处理液所含的(B)高溶解性成分不同。前处理液所含的(B)高溶解性成分包含从作为处理液所含的高溶解性成分而例示的成分中选择的第一成分、以及从以下的(B-1)及(B-2)中选择的第二成分。若进行补充，则上文所述的处理液中仅包含第一成分作为(B)高溶解性成分。
(B-1)是由下述化学式11表示。
[化11]
Figure BDA0002791813790000411
R21、R22、R23及R24分别独立为氢或C1～5的烷基，优选氢、甲基、乙基、叔丁基或异丙基，更优选氢、甲基或乙基，进而优选甲基或乙基。
连结子L21及连结子L22分别独立为C1～20的亚烷基、C1～20的亚环烷基、C2～4的亚烯基、C2～4的亚炔基或C6～20的亚芳基。这些基团可经C1～5的烷基或羟基取代。此处，所谓亚烯基，是指具有一个以上的双键的二价烃基，所谓亚炔基，是指具有一个以上的三键的二价烃基。连结子L21及连结子L22优选C2～4的亚烷基、亚乙炔基(C2的亚炔基)或亚苯基，更优选C2～4的亚烷基或亚乙炔基，进而优选亚乙炔基。
nb2为0、1或2，优选0或1，更优选0。
并非意在限定权利范围，但(B-1)的合适例可举出：3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇。作为另一形态，3-己炔-2,5-二醇、1,4-丁炔二醇、2,4-己二基-1,6-二醇、1,4-丁二醇、顺式-1,4-二羟基-2-丁烯、1,4-苯二甲醇也可作为(B-1)的合适例而举出。
(B-2)为包含下述化学式12所表示的结构单元而成，重量平均分子量(Mw)为500～10,000的聚合物。Mw优选600～5,000，更优选700～3,000。
[化12]
Figure BDA0002791813790000412
此处，R25为-H、-CH3或-COOH，优选-H或-COOH。也容许一个(B-2)聚合物分别含有化学式12所表示的两种以上的结构单元。
并非意在限定权利范围，但(B-2)聚合物的合适例可举出：丙烯酸、马来酸或这些的组合的聚合体。聚丙烯酸、马来酸丙烯酸共聚物为进而合适的示例。
共聚合的情况下，合适的是无规共聚合或嵌段共聚合，更合适的是无规共聚合。
作为一例，举出下述化学式13所示的马来酸丙烯酸共聚物进行说明。此共聚物包含于(B-2)，具有化学式12所表示的两种结构单元，一种结构单元中R25为-H，另一种结构单元中R25为-COOH。
[化13]
Figure BDA0002791813790000421
＜剥离实验＞
为了验证聚合物膜从铜膜的剥离状态及颗粒除去力的变化，进行将聚合物膜从铜膜剥离的剥离实验，所述聚合物膜从铜膜的剥离状态及颗粒除去力的变化是由变更用作处理液及前处理液的含聚合物溶液中的高溶解性成分的第一成分与第二成分的比率所引起。所谓聚合物膜，为通过含聚合物溶液中的至少一部分溶剂蒸发从而形成的固态的膜。
首先，准备表面附着有SiO2等颗粒的小片状的基板(小片基板)。关于小片基板，使用从主面的法线方向观看而为一边3cm的四方形状，且在整个表面形成有铜膜的小片基板。
将小片基板载置于可旋转的载置台，对小片基板的表面供给含聚合物溶液，形成聚合物膜。然后，一边使载置台旋转，一边对小片基板的表面(主面)供给稀释氨水(dNH4OH，1：68)而将聚合物膜剥离。然后，利用碳酸水来淋洗小片基板的表面，再然后，对小片基板的表面供给IPA，除去聚合物膜的残渣。除去聚合物膜的残渣后，使小片基板高速旋转而进行旋转干燥。然后，使用扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)来确认颗粒的除去程度(除去力)。
图16为用于对剥离实验的结果进行说明的表。图16中，以添加量的形式来表示含聚合物溶液中的高溶解性成分的第一成分与第二成分的比率。图16中，示出变更第一成分及第二成分的比率及添加量的情况下的颗粒的除去程度。
对于无法除去颗粒的第一成分的添加量及第二成分的添加量的组合，赋予“D”作为除去力的评价。此外，图16中，不存在除去力的评价为“D”的组合。同样地，对于颗粒经局部除去的第一成分的添加量及第二成分的添加量的组合，赋予“C”作为除去力的评价。对于可大致除去颗粒的第一成分的添加量及第二成分的添加量的组合，赋予“B”作为除去力的评价。在可除去颗粒的情况下，赋予“A”作为除去力的评价。另外，在可充分除去颗粒的情况下，赋予“AA”作为除去力的评价。
例如，在第一成分的添加量为0.1，第二成分的添加量为0.5的情况下，意指含聚合物溶液中的第二成分与第一成分的比率为5：1。而且，第一成分及第二成分的添加量均为0.5的情况下，含聚合物溶液中的第二成分与第一成分的比率为1：1。第一成分及第二成分的添加量均为3.0的情况下，含聚合物溶液中的第二成分与第一成分的比率也为1：1。意指第一成分及第二成分的添加量均为3.0时的含聚合物溶液中的高溶解性成分(第一成分及第二成分的总量)的比率，为第一成分及第二成分的添加量均为0.5时的含聚合物溶液中的高溶解性成分(第一成分及第二成分的总量)的比率的6倍。
如图16所示，当第二成分的添加量为0时，除去力的评价为“C”，当第一成分的添加量为0时，除去力的评价为“B”。
在第二成分的添加量少于第一成分的添加量的情况、或第二成分的添加量与第一成分的添加量相同的情况下，除去力的评价大多为“B”。
例如，在第二成分的添加量为0.5，且第一成分的添加量为1.0的情况下，除去力的评价为“B”。在第二成分及第一成分的添加量均为0.5的情况下，除去力的评价也为“B”。在第二成分及第一成分的添加量均为1.0的情况下，除去力的评价也为“B”。而且，在第一成分的添加量及第二成分的添加量均为3.0的情况下，除去力的评价为“A”。
在第二成分的添加量多于第一成分的添加量的情况下，任一实验结果中，除去力的评价均为“A”或“AA”。
根据以上的结果推测，含有第一成分及第二成分作为高溶解性成分的聚合物膜与仅含有第一成分作为高溶解性成分的聚合物膜相比，从铜膜(金属膜)除去颗粒的除去力更高。这启示，在为了从铜膜除去颗粒而使用聚合物膜的情况下，优选以第二成分的含量多于第一成分的方式，来制备含聚合物溶液。
＜第三实施方式＞
图17为本发明的第三实施方式的基板处理装置1Q所包括的处理单元2的第一移动喷嘴9及第三移动喷嘴11以及它们的周围构件的示意图。图17中，对于与所述图1～图16所示的结构同等的结构，标注与图1等相同的参照符号而省略其说明。后述的图18中，也同样地标注与图1等相同的参照符号而省略其说明。
参照图17，第三实施方式的基板处理装置1Q与第一实施方式的基板处理装置1(参照图3)及第二实施方式的基板处理装置1P(参照图11)的主要不同点为，第三实施方式的基板处理装置1Q中，可调整处理液或前处理液所含有的高溶解性成分的浓度。
对于第一移动喷嘴9，供给将第一成分液与低溶解性成分液混合而制备的处理液，所述第一成分液为高溶解性成分的第一成分与溶剂的混合液，所述低溶解性成分液为低溶解性成分与溶剂的混合液。
详细来说，在一端连接于第一移动喷嘴9的处理液配管40的另一端，共通连接有低溶解性成分液配管140及第一成分液配管141。低溶解性成分液配管140连接于低溶解性成分液供给源，第一成分液配管141连接于第一成分液供给源。
在低溶解性成分液配管140，插装有低溶解性成分液阀150，此低溶解性成分液阀150调整从低溶解性成分液配管140供给于处理液配管40的低溶解性成分液的流量。在第一成分液配管141，插装有第一成分液阀151，此第一成分液阀151调整从第一成分液配管141供给于处理液配管40的第一成分液的流量。
可通过变更低溶解性成分液阀150及第一成分液阀151的开度，从而变更在处理液配管40中流动的处理液中的第一成分的浓度。
对于第三移动喷嘴11，供给有将第一成分液、第二成分液及低溶解性成分液混合而制备的前处理液，所述第一成分液为高溶解性成分的第一成分与溶剂的混合液，所述第二成分液为高溶解性成分的第二成分与溶剂的混合液，所述低溶解性成分液为低溶解性成分与溶剂的混合液。
详细来说，在一端连接于第三移动喷嘴11的前处理液配管42的另一端，共通连接有低溶解性成分液配管142、第一成分液配管143及第二成分液配管144。低溶解性成分液配管142连接于低溶解性成分液供给源。第一成分液配管143连接于第一成分液供给源。第二成分液配管144连接于第二成分液供给源。
在低溶解性成分液配管142，插装有低溶解性成分液阀152，此低溶解性成分液阀152调整从低溶解性成分液配管142供给于前处理液配管42的低溶解性成分液的流量。在第一成分液配管143，插装有第一成分液阀153，此第一成分液阀153调整从第一成分液配管143供给于前处理液配管42的第一成分液的流量。在第二成分液配管144，插装有第二成分液阀154，此第二成分液阀154调整从第二成分液配管144供给于前处理液配管42的第二成分液的流量。
可通过变更低溶解性成分液阀152、第一成分液阀153及第二成分液阀154的开度，从而变更在前处理液配管42中流动的前处理液中的第一成分的浓度及第二成分的浓度。
基板处理装置1Q中，在对基板W进行基板处理前，执行配方选择处理，即，基于与基板W的上表面有关的信息来选择配方R。
图4所示的辅助存储装置3e中存储的多个配方R中，包含处理内容互不相同的第一配方R1及第二配方R2。
第一配方R1为用于执行第一基板处理方法的配方R，所述第一基板处理方法使用处理液将除去对象物从基板W除去。第一基板处理方法为在第一实施方式或第二实施方式的基板处理中，省略了前处理液供给工序(步骤S2)～前处理膜残渣除去工序(步骤S6)的基板处理方法(例如，后述的第四实施方式的基板处理方法)。即，第一基板处理方法中，不进行使用前处理液的除去对象物103(第一除去对象物203)的除去，而仅进行使用处理液的除去对象物103(第一除去对象物203)的除去。
第二配方R2为用于执行第二基板处理方法的配方，所述第二基板处理方法在使用前处理液将除去对象物103(第一除去对象物203)从基板W除去后，使用处理液将除去对象物103(第一除去对象物203)从基板W除去。第二基板处理方法为第一实施方式的基板处理、或第二实施方式的基板处理。
第二配方R2是针对从基板W露出的特定物质的每个种类而准备。根据特定物质的种类，变更前处理液中所含的第二成分的浓度。即，第二基板处理方法中使用的前处理液中的第二成分的浓度是根据特定物质的种类而设定。详细来说，各第二配方R2中，根据特定物质的种类，来设定对基板W的上表面供给前处理液时的低溶解性成分液阀152、第一成分液阀153及第二成分液阀154的开度。
图18为用于对配方选择处理的一例进行说明的流程图。首先，控制器3获取与成为处理对象的基板W(处理对象基板)的表面有关的信息(信息获取工序：步骤S30)。与基板W的表面有关的信息可基于用户使用输入装置3A所输入的信息而获取，或也可构成为从设定于基板W的条形码(bar code)等标记来读取信息。
步骤S30之后，控制器3基于信息获取工序中获取的与基板W的表面有关的信息，判定基板W为具有露出区域170及非露出区域171两者的基板、及具有仅存在非露出区域171的表面的基板中的哪一种(表面判定工序：步骤S31)。
步骤S31中，控制器3在判定为基板W为下述基板、也就是具有仅存在非露出区域171的表面的基板的情况下(步骤S31：否(NO))，选择第一配方R1(配方选择工序：步骤S32)。控制器3将所选择的第一配方R1设定于主存储装置3c，然后执行第一基板处理方法。
另一方面，步骤S31中，控制器3在判定为基板W为下述基板、也就是具有存在露出区域170及非露出区域171两者的表面的基板的情况下(步骤S31：是(YES))，基于信息获取工序中获取的与基板W的表面有关的信息，来判定从基板W的表面露出的特定物质的种类(种类判定工序：步骤S33)。步骤S33之后，控制器3基于从基板W的表面露出的特定物质的种类来选择第二配方R2(配方选择工序：步骤S34)。控制器3将所选择的第二配方R2设定于主存储装置3c，然后执行第二基板处理方法。
根据第三实施方式，在基板W的上表面仅存在非露出区域171的情况下，选择执行第一基板处理方法的第一配方R1，在基板W的上表面存在露出区域170及非露出区域171两者的情况下，选择执行第二基板处理方法的第二配方R2。因此，可根据基板W的上表面的状态来执行适当的基板处理方法。
在基板W的上表面存在露出区域170及非露出区域171两者的情况下，可根据特定物质的种类，选择适于将除去对象物103(第一除去对象物203)从露出区域170除去的第二配方R2。
第三实施方式中，第二配方R2是针对从基板W露出的特定物质的每个种类而准备。但是，也可不针对特定物质的每个种类来设置第二配方R2，而是无论特定物质如何，均使用共通的第二配方R2。此时，如图19所示，配方选择处理中，在判定为基板W为下述基板、也就是具有存在露出区域170及非露出区域171两者的表面的基板的情况下(步骤S31：是(YES))，不判定特定物质的种类而选择第二配方R2(配方选择工序：步骤S35)。
＜第四实施方式＞
图20为表示第四实施方式的基板处理装置1R所包括的处理单元2的概略结构的示意性局部截面图。图20中，对于与所述图1～图19所示的结构同等的结构，标注与图1等相同的参照符号而省略其说明。后述的图21～图24D中，也同样地标注与图1等相同的参照符号而省略其说明。
第四实施方式中，有时将处理膜100的非露出区域被覆部131称为剥离对象膜100A，将处理膜100的露出区域被覆部130称为保护膜100B。由第四实施方式的基板处理装置1R进行处理的基板W为图12所示的基板W。
因此，虽详细说明省略，但在非露出区域171及露出区域170两者，附着有第一除去对象物203，在非露出区域171，附着有第二除去对象物204。
参照图20，第四实施方式的基板处理装置1R与第一实施方式的基板处理装置1(参照图3)的主要不同点为，第四实施方式的基板处理装置1Q中，未设置喷出前处理液的喷嘴(第三移动喷嘴11)，而设有喷出清洗液的喷嘴(第四移动喷嘴14)。
图21为用于对第四实施方式的基板处理装置1R进行的基板处理的一例进行说明的流程图。图22A～图22D为用于对基板处理装置1R进行的基板处理中的基板W的表面附近的状况进行说明的示意图。
如图20所示，基板处理装置1R执行下述基板处理，即，从第二实施方式的基板处理装置1P进行的基板处理(参照图13)中，省略了前处理液供给工序(步骤S2)～前处理膜残渣除去工序(步骤S6)。
以下，参照图6G～图6M、图14A、图14B及图22A～图22D，对第四实施方式的基板处理进行详细说明。
首先，干式蚀刻处理后的基板W由搬运机器人IR、搬运机器人CR(参照图1)从载盘C搬入至处理单元2，交给旋转卡盘5(步骤S1)。由此，基板W由旋转卡盘5保持于水平(基板保持工序)。基板W以图案面165成为上表面的方式受保持。在基板W的搬入时，相向构件6退避至上位置。
旋转卡盘5对基板W的保持持续至旋转干燥工序(步骤S12)结束为止。护板升降单元74在基板保持工序开始后到旋转干燥工序(步骤S12)结束为止的期间中，以至少一个护板71位于上位置的方式，调整第一护板71A及第二护板71B的高度位置。
接着，搬运机器人CR退避至处理单元2外后，开始处理液供给工序(步骤S2)。处理液供给工序中，首先旋转马达23使旋转基底21旋转。由此，经保持于水平的基板W旋转(基板旋转工序)。
在相向构件6位于上位置的状态下，第一喷嘴移动单元35使第一移动喷嘴9移动至处理位置。第一移动喷嘴9的处理位置例如为中央位置。接下来，打开处理液阀50。由此，从第一移动喷嘴9向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)处理液(处理液供给工序、处理液喷出工序)(参照图6G)。由此，在基板W上形成处理液的液膜101(处理液膜)(处理液膜形成工序)。
从第一移动喷嘴9的处理液的供给持续规定时间，例如持续2秒～4秒的期间。处理液供给工序中，基板W以规定的处理液旋转速度旋转，例如以10rpm～1500rpm旋转。
接着，执行处理膜形成工序(步骤S8)。处理膜形成工序中，使基板W上的处理液固化或硬化，在基板W的上表面形成处理膜100(参照图22A)，所述处理膜100保持存在于基板W上的第一除去对象物203。
处理膜形成工序中，首先执行处理液薄膜化工序(处理液旋除工序)，即，将基板W上的处理液的液膜101的厚度减薄。具体来说，关闭处理液阀50。由此，停止对基板W供给处理液。接下来，通过第一喷嘴移动单元35使第一移动喷嘴9移动至原始位置。
处理液薄膜化工序中，以基板W上的液膜101的厚度成为适当厚度的方式，在停止向基板W的上表面供给处理液的状态下，通过离心力从基板W的上表面排除一部分处理液(参照图6H)。
第一移动喷嘴9移动至原始位置后，相向构件6也维持于上位置。
处理液薄膜化工序中，旋转马达23将基板W的旋转速度变更为规定的处理液薄膜化速度。处理液薄膜化速度例如为300rpm～1500rpm。基板W的旋转速度可在300rpm～1500rpm的范围内保持一定，也可在处理液薄膜化工序的中途，在300rpm～1500rpm的范围内适当变更。处理液薄膜化工序执行规定时间，例如执行30秒钟。
处理膜形成工序中，在处理液薄膜化工序后，执行处理液溶剂蒸发工序，即，使一部分溶剂从处理液的液膜101蒸发(挥发)。处理液溶剂蒸发工序中，为了使基板W上的处理液的一部分溶剂蒸发，而将基板W上的液膜101加热。
具体来说，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置与下位置之间的接近位置(参照图6I)。
接下来，打开气体阀55。由此，对基板W的上表面(液膜101的上表面)、与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体(气体供给工序)。
通过对基板W上的液膜101喷附气体，从而促进液膜101中的溶剂的蒸发(挥发)(处理液溶剂蒸发工序、处理液溶剂蒸发促进工序)。因此，可缩短形成处理膜100(参照图22A)所需要的时间。中央喷嘴12作为使处理液中的溶剂蒸发的蒸发单元(蒸发促进单元)发挥功能。
而且，打开热媒阀88。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)热媒(热媒供给工序、热媒喷出工序)。从下表面喷嘴13供给于基板W的下表面的热媒受到离心力而以放射状扩展，遍及至基板W的整个下表面。对基板W的热媒的供给持续规定时间，例如持续60秒钟。处理液溶剂蒸发工序中，基板W以规定的蒸发旋转速度旋转，例如以1000rpm旋转。
通过对基板W的下表面供给热媒，从而经由基板W将基板W上的液膜101加热。由此，促进液膜101中的溶剂的蒸发(挥发)(处理液溶剂蒸发工序、处理液溶剂蒸发促进工序)。因此，可缩短形成处理膜100(参照图22A)所需要的时间。下表面喷嘴13作为使处理液中的溶剂蒸发(挥发)的蒸发单元(蒸发促进单元)发挥功能。
通过执行处理液薄膜化工序及处理液溶剂蒸发工序，从而使处理液固化或硬化。由此，如图22A所示，在基板W的整个上表面形成保持第一除去对象物203的处理膜100。这样，基板旋转单元(旋转马达23)、中央喷嘴12及下表面喷嘴13构成使处理液固化或硬化而形成固态的膜(处理膜100)的处理膜形成单元(膜形成单元)。
处理液溶剂蒸发工序中，优选以基板W上的处理液的温度低于溶剂的沸点的方式，将基板W加热。通过将处理液加热至低于溶剂的沸点的温度，从而可使处理膜100中适度残留溶剂。由此，与处理膜100内不残留溶剂的情况相比较，在其后的处理膜剥离工序(步骤S9)中，容易使剥离液融合于处理膜100。
接着，执行处理膜剥离工序(步骤S9)。处理膜剥离工序为剥离对象膜剥离工序，即，不剥离保护膜100B(露出区域被覆部130)，而将剥离对象膜100A(非露出区域被覆部131)剥离。具体来说，关闭热媒阀88。由此，停止对基板W的下表面供给热媒。而且，关闭气体阀55。由此，停止向相向构件6的相向面6a与基板W的上表面之间的空间供给气体。
接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。在相向构件6位于上位置的状态下，第二喷嘴移动单元36使第二移动喷嘴10移动至处理位置。
接下来，在第二移动喷嘴10位于处理位置的状态下，打开上侧剥离液阀51。由此，从第二移动喷嘴10向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)剥离液(上侧剥离液供给工序、上侧剥离液喷出工序)(参照图6J)。供给于基板W的上表面的剥离液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。剥离对象膜剥离工序中，基板W以规定的剥离对象膜剥离旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。
在打开上侧剥离液阀51的同时，打开下侧剥离液阀87。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)剥离液(下侧剥离液供给工序、下侧剥离液喷出工序)。供给于基板W的下表面的剥离液因离心力而扩展至基板W的整个下表面。
通过对基板W的上表面供给剥离液，从而如图22B所示，由于剥离液的剥离作用，剥离对象膜100A与第一除去对象物203一起从基板W的上表面的非露出区域171剥离。剥离对象膜100A在从基板W的上表面剥离时分裂而成为膜片105。
通过在剥离对象膜100A的剥离后，继续向基板W的上表面供给剥离液，从而剥离对象膜100A的膜片105与剥离液一起向基板W外排除。由此，将保持第一除去对象物203的状态的剥离对象膜100A的膜片105从基板W的上表面除去。
剥离对象膜100A从非露出区域171剥离，另一方面，处理膜100中被覆(保护)露出区域170的保护膜100B未剥离而维持被覆露出区域170的状态。
接下来，处理膜剥离工序(步骤S9)之后，执行剥离液除去工序(步骤S10)，即，通过供给淋洗液从而从基板W除去剥离液。具体来说，关闭上侧剥离液阀51及下侧剥离液阀87。由此，停止向基板W的上表面及下表面供给剥离液。接下来，第二喷嘴移动单元36使第二移动喷嘴10移动至原始位置。接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至处理位置(参照图6K)。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开上侧淋洗液阀53。由此，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(上侧淋洗液供给工序、上侧淋洗液喷出工序)。
剥离液除去工序中，基板W以规定的剥离液除去旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。
供给于基板W的上表面的淋洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，附着于基板W的上表面的剥离液由淋洗液冲洗(淋洗工序)。
而且，在打开上侧淋洗液阀53的同时，打开下侧淋洗液阀86。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(下侧淋洗液供给工序、下侧淋洗液喷出工序)。由此，附着于基板W的下表面的剥离液由淋洗液冲洗。向基板W的上表面及下表面的淋洗液的供给持续规定时间，例如持续35秒钟。
接着，执行清洗工序(步骤S20)，即，将附着于基板W的上表面的第二除去对象物204除去，清洗基板W的上表面。具体来说，关闭上侧淋洗液阀53及下侧淋洗液阀86。由此，停止对基板W的上表面及下表面供给淋洗液。
接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。在相向构件6位于上位置的状态下，第四喷嘴移动单元38使第四移动喷嘴14移动至处理位置(例如中央位置)。
接下来，在第四移动喷嘴14位于处理位置的状态下，打开清洗液阀56。由此，从第四移动喷嘴14向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)清洗液(清洗液供给工序、清洗液喷出工序)(参照图14A)。供给于基板W的上表面的清洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。清洗工序中，基板W以规定的清洗旋转速度旋转。清洗旋转速度例如为10rpm～1000rpm的范围内的速度。清洗旋转速度优选800rpm。
供给于基板W的上表面的清洗液受到离心力而以放射状扩展，扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的淋洗液经清洗液置换。如图22C所示，供给于基板W的上表面的清洗液将存在于基板W的上表面的第二除去对象物204(参照图22B)溶解。溶解有第二除去对象物204的清洗液从基板W的上表面的周缘排出。
清洗工序(步骤S20)之后，执行清洗液除去工序(步骤S21)，即，通过供给淋洗液从而从基板W除去清洗液。具体来说，关闭清洗液阀56。由此，停止对基板W的上表面供给清洗液。接下来，第四喷嘴移动单元38使第四移动喷嘴14移动至原始位置。接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至处理位置(参照图14B)。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开上侧淋洗液阀53。由此，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(上侧淋洗液供给工序、上侧淋洗液喷出工序)。清洗液除去工序中，基板W以规定的清洗液除去旋转速度旋转，例如以800rpm旋转。
供给于基板W的上表面的淋洗液因离心力而扩展至基板W的整个上表面。由此，附着于基板W的上表面的清洗液由淋洗液冲洗。
而且，在打开上侧淋洗液阀53的同时，打开下侧淋洗液阀86。由此，从下表面喷嘴13向旋转状态的基板W的下表面的中央区域供给(喷出)淋洗液(下侧淋洗液供给工序、下侧淋洗液喷出工序)。由此，即便在清洗液从基板W的上表面绕到基板W的下表面而附着于基板W的下表面的情况下，附着于基板W的下表面的清洗液也由淋洗液冲洗。向基板W的上表面及下表面的淋洗液的供给持续规定时间，例如持续35秒钟。
接着，执行处理膜残渣除去工序(步骤S11)。处理膜残渣除去工序也为除去保护膜100B的保护膜除去工序。具体来说，关闭上侧淋洗液阀53及下侧淋洗液阀86。由此，停止对基板W的上表面及下表面供给淋洗液。
接下来，在相向构件6位于处理位置的状态下，打开除去液阀54。由此，从中央喷嘴12向旋转状态的基板W的上表面的中央区域供给(喷出)除去液(除去液供给工序、除去液喷出工序)(参照图6L)。向基板W的上表面的除去液的供给持续规定时间，例如持续30秒钟。保护膜除去工序中，基板W以规定的除去旋转速度旋转，例如以300rpm旋转。
供给于基板W的上表面的除去液受到离心力而以放射状扩展，扩展至基板W的整个上表面。由此，基板W的上表面的淋洗液经除去液置换。如图22D所示，供给于基板W的上表面的除去液将残留于基板W的上表面的保护膜100B(参照图22C)溶解后，从基板W的上表面的周缘排出。
接着，执行旋转干燥工序(步骤S12)，即，使基板W高速旋转而使基板W的上表面干燥。具体来说，关闭除去液阀54。由此，停止向基板W的上表面供给除去液。接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至较处理位置更靠下方的干燥位置(参照图6M)。接下来，打开气体阀55。由此，对基板W的上表面、与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体。
接下来，旋转马达23使基板W的旋转加速，使基板W高速旋转。旋转干燥工序中的基板W以干燥速度旋转，例如以1500rpm旋转。旋转干燥工序执行规定时间，例如执行30秒钟的期间。由此，大的离心力作用于基板W上的除去液，将基板W上的除去液向基板W的周围甩干。旋转干燥工序中，通过向基板W的上表面、与相向构件6的相向面6a之间的空间供给气体，从而促进除去液的蒸发。
接下来，旋转马达23使基板W的旋转停止。护板升降单元74使第一护板71A及第二护板71B移动至下位置。关闭气体阀55。接下来，相向构件升降单元61使相向构件6移动至上位置。
搬运机器人CR进入处理单元2，从旋转卡盘5的卡盘销20抄取经处理的基板W，向处理单元2外搬出(步骤S10)。所述基板W由搬运机器人CR交给搬运机器人IR，由搬运机器人IR收纳于载盘C。
第四实施方式的基板处理的旋转干燥工序中，也在基板W上的淋洗液经IPA等除去液置换后，将基板W上的除去液甩干，由此将基板W的上表面干燥。即，由表面张力低于DIW的IPA进行置换后执行旋转干燥工序，因而可减少将基板W的上表面干燥时作用于基板W的上表面的凹凸图案160(参照图12)的表面张力。
使用图23A～图23C，对剥离对象膜100A的剥离的状况进行详细说明。
图23A～图23C为用于对被覆非露出区域171的剥离对象膜100A从基板W的上表面剥离的状况进行说明的示意图。
如图23A所示，剥离对象膜100A保持第一除去对象物203。详细来说，剥离对象膜100A含有高溶解性固体110(固体状态的高溶解性成分)、及低溶解性固体111(固体状态的低溶解性成分)。高溶解性固体110及低溶解性固体111通过处理液所含有的至少一部分溶剂蒸发从而形成。
剥离对象膜100A中，高溶解性固体110与低溶解性固体111混合存在。严格地说，对于剥离对象膜100A，并非高溶解性固体110与低溶解性固体111均匀地分布于整个处理膜100，而是存在高溶解性固体110不均匀分布的部分、与低溶解性固体111不均匀分布的部分。
参照图23B，由于供给剥离液而高溶解性固体110溶解。即，剥离对象膜100A局部地溶解。通过高溶解性固体110溶解，从而在剥离对象膜100A中高溶解性固体110不均匀分布的部分形成贯通孔102(第一贯通孔)(第一贯通孔形成工序)。
贯通孔102尤其容易形成于高溶解性固体110沿图案面165的法线方向T(也为处理膜100的厚度方向)延伸的部分。贯通孔102在俯视时，例如为直径几nm的大小。
低溶解性成分对剥离液的溶解性低，低溶解性固体111几乎不因剥离液而溶解。因此，对于低溶解性固体111，仅其表面附近因剥离液而稍许溶解。因此，经由贯通孔102到达基板W的上表面附近的剥离液使低溶解性固体111中基板W的上表面附近的部分稍许溶解。由此，如图23B的放大图所示，剥离液一边将基板W的上表面附近的低溶解性固体111缓缓溶解，一边逐渐进入剥离对象膜100A与基板W的上表面之间的间隙G1(剥离液进入工序)。
接下来，例如以贯通孔102的周缘为起点而剥离对象膜100A分裂成为膜片105，如图23C所示，剥离对象膜100A的膜片105以保持第一除去对象物203的状态从基板W剥离(剥离对象膜分裂工序、剥离对象膜剥离工序)。接下来，通过继续供给剥离液，从而成为膜片105的剥离对象膜100A以保持第一除去对象物203的状态被冲洗(向基板W外被推出)，从基板W的上表面除去(第一除去对象物除去工序)。
接着，使用图24A～图24D对保护膜100B的除去的状况进行详细说明。
图24A～图24D为用于对将被覆露出区域170的保护膜100B从基板W的上表面除去的状况进行说明的示意图。
如图24A所示，保护膜100B保持第一除去对象物203。详细来说，保护膜100B含有高溶解性固体110(固体状态的高溶解性成分)、及低溶解性固体111(固体状态的低溶解性成分)。高溶解性固体110及低溶解性固体111通过处理液所含有的至少一部分溶剂蒸发从而形成。
保护膜100B含有：低溶解性层180，配置于与金属膜163接触的位置，包含低溶解性固体111；以及高溶解性层181，相对于低溶解性层180而配置于金属膜163的相反侧，包含高溶解性固体110。即，低溶解性层180位于金属膜163与高溶解性层181之间。
高溶解性固体110溶解于剥离液，但低溶解性固体111几乎不溶解于剥离液。因此，若在剥离对象膜剥离工序(步骤S4)中对基板W的上表面供给剥离液，则如图24B所示，高溶解性层181因剥离液而溶解。另一方面，低溶解性层180虽然其表面稍许溶解，但以不使金属膜163露出而被覆露出区域170的状态维持。因此，剥离液不易进入低溶解性层180与基板W的上表面之间。因此，保护膜100B的低溶解性层180不因剥离液而剥离，留在露出区域170上。
金属膜163由保护膜100B所被覆，因而在其后的清洗工序(步骤S6)中对基板W的上表面供给清洗液的期间中，如图24C所示，金属膜163未暴露于清洗液而受保护。
因此，如图22C所示，可在适当保护从基板W的上表面露出的金属膜163的状态下，对基板W的表面供给清洗液，将第二除去对象物204从基板W除去。通过其后的保护膜除去工序(步骤S8)，可如图24D所示，使保护膜100B溶解于除去液，从基板W的上表面顺利地除去保护膜100B。
附着于露出区域170的第一除去对象物203在形成保护膜100B时从露出区域170剥离。清洗工序(步骤S20)之后的保护膜除去工序(处理膜残渣除去工序：步骤S11)中，保护膜100B溶解于除去液。若利用除去液将保护膜100B溶解，则第一除去对象物203以从露出区域170剥离的状态在除去液中浮游。因此，通过继续供给除去液，从而在除去液中浮游的第一除去对象物203与除去液一起从基板W的上表面被排除。
进而，除去液也可使剥离对象膜100A溶解。因此，即便在利用剥离液进行剥离后，剥离对象膜100A的残渣附着于基板W的上表面的情况下，也可利用除去液将所述残渣除去。
附着于基板W的上表面的除去对象物的种类视前工序的内容而不同。视前工序的内容不同，有时多种除去对象物附着于基板W的上表面。例如，在干式蚀刻处理后，有时作为粒状残渣的第一除去对象物203及作为膜状残渣的第二除去对象物204附着于基板W的上表面。也存在下述除去对象物，此除去对象物若不使用具有使从基板的表面露出的金属(特定物质)变质的程度的强除去力的液体，则无法除去。
根据第四实施方式，通过使供给于基板W的上表面的处理液固化或硬化，从而形成被覆基板W的上表面的非露出区域171的剥离对象膜100A、及被覆基板W的上表面的露出区域170的保护膜100B。
通过对形成有剥离对象膜100A及保护膜100B的状态的基板W的上表面供给剥离液，从而剥离对象膜100A以保持第一除去对象物203的状态从基板W的上表面剥离。因此，将第一除去对象物203从基板W的上表面除去。另一方面，第二除去对象物204残留于基板W的上表面。然后，利用清洗液将第二除去对象物204从基板W的上表面除去，再然后，利用除去液将保护膜100B从基板W的上表面除去。
在对基板W的上表面供给清洗液时，基板W的上表面的露出区域170由保护膜100B所被覆。因此，尽管用于除去第二除去对象物204的清洗液具有使金属膜163氧化的氧化力，也可不使金属膜163氧化而除去第二除去对象物204。
因此，可抑制金属膜163的氧化，并且将多种除去对象物(第一除去对象物203及第二除去对象物204)从基板W的上表面高效率地除去。
而且，根据第一实施方式，在剥离对象膜100A中，高溶解性固体110与低溶解性固体111混合存在。另外，在剥离对象膜剥离工序(处理膜剥离工序：步骤S9)，高溶解性固体110选择性地溶解于剥离液。
通过使高溶解性固体110溶解于剥离液，从而剥离液顺着高溶解性固体110存在的痕迹(贯通孔102)而在剥离对象膜100A内穿过。由此，可迅速到达剥离对象膜100A与基板W的表面的非露出区域171的界面附近。
另一方面，剥离对象膜100A中的低溶解性固体111不溶解而以固体状态维持。因此，可一边利用低溶解性固体111保持第一除去对象物203，一边使剥离液作用于低溶解性固体111与基板W的接触界面。其结果为，可将剥离对象膜100A从基板W的上表面迅速除去，将第一除去对象物203与剥离对象膜100A一起从基板W的上表面高效率地除去。
与第一实施方式同样地，在对露出区域170中露出的特定物质为铜以外的金属或氮化物的基板进行第四实施方式的基板处理的情况下，可发挥与第一实施方式相同的效果。
＜其他实施方式＞
本发明不限定于以上所说明的实施方式，可进而以其他方式来实施。
例如，处理膜形成工序(步骤S8)中，有时使处理液的液膜101薄膜化时，通过溶剂蒸发从而液膜101固化或硬化。此种情况下，无须为了在使处理液的液膜101薄膜化后使处理液的液膜101固化或硬化，而将基板W加热，或对基板W的上表面喷附气体。
前处理膜形成工序(步骤S3)中，在使前处理液的液膜201薄膜化时，通过溶剂蒸发从而形成前处理膜200的情况下也同样。即，此种情况下，可省略基板W的加热或向基板W的上表面的气体喷附。
而且，第二实施方式的基板处理中，在清洗工序(步骤S20)之后执行清洗液除去工序(步骤S21)。但是，也可省略清洗液除去工序。详细来说，在清洗工序中供给于基板W的清洗液、与清洗液除去工序之后所执行的处理膜残渣除去工序(步骤S11)中供给于基板W的处理膜残渣除去液具有相容性的情况下，无须执行清洗液除去工序。
而且，所述实施方式中，处理膜剥离工序(步骤S9)中，露出区域被覆部130不因剥离液而剥离，残留于露出区域170。但是，也可在处理膜剥离工序中，利用剥离液使露出区域被覆部130剥离。
所述第一实施方式～第四实施方式中，将仅含有第一成分作为高溶解性成分的含聚合物溶液用作处理液，将含有第一成分及第二成分两者作为高溶解性成分的含聚合物溶液用作前处理液。但是，也可将含有第一成分及第二成分两者作为高溶解性成分的含聚合物溶液用作处理液，将仅含有第一成分作为高溶解性成分的含聚合物溶液用作前处理液。此时，铜等特定物质不露出的非露出区域171相当于本发明的第一区域，铜等特定物质露出的露出区域170相当于本发明的第二区域。
而且，第一实施方式中，露出区域被覆部130不因剥离液而剥离，因除去液而溶解。但是，第一实施方式中，露出区域被覆部130也可与非露出区域被覆部131一起因剥离液而剥离。
第二实施方式及第四实施方式实施方式的基板处理不限于干式蚀刻处理后的基板，可适用于各种基板。尤其在多种除去对象物附着于基板，且其中一种除去对象物无法通过处理膜或前处理膜的剥离而除去的情况下，第二实施方式及第四实施方式的基板处理有用。
本说明书中，在使用“～”或“-”表示数值范围的情况下，只要未特别限定地提及，则这些数值范围包含两端点，单位相同。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些说明仅为用于阐明本发明的技术内容的具体例，本发明不应限定于这些具体例而解释，本发明的范围仅由随附的权利要求书限定。

Claims (29)

1.一种基板处理方法，对具有表面的基板进行处理，所述表面存在互不相同的物质露出的第一区域及第二区域，所述基板处理方法的特征在于，包括：
前处理液供给工序，将前处理液供给于所述基板的表面；
前处理膜形成工序，使供给于所述基板的表面的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的第一除去对象物；
前处理膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述前处理膜从所述基板的表面剥离；
处理液供给工序，在所述前处理膜剥离工序之后，将处理液供给于所述基板的表面；
处理膜形成工序，使供给于所述基板的表面的处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜，所述处理膜保持存在于所述基板的表面的所述第一除去对象物；以及
处理膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离，且
所述处理膜将存在于所述第二区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述第二区域的所述第一除去对象物除去的除去力，
所述前处理膜将存在于所述第一区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述第一区域的所述第一除去对象物除去的除去力。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述第一除去对象物除去的除去力是由保持力及剥离性所构成，所述保持力将存在于所述第一区域或所述第二区域的所述第一除去对象物保持于所述处理膜或所述前处理膜，所述剥离性表示保持所述第一除去对象物的状态的所述处理膜或所述前处理膜的剥离容易度，
所述第一区域中，所述前处理膜的剥离性高于所述处理膜，
所述第二区域中，所述处理膜的保持力高于所述前处理膜。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一区域为金属露出的露出区域，
所述第二区域为所述露出区域以外的非露出区域，
所述处理膜将存在于所述非露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述非露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力，
所述前处理膜将存在于所述露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述露出区域的所述第一除去对象物除去的除去力。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
处理膜残渣除去工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将残留于所述基板的表面的所述处理膜的残渣除去。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理膜剥离工序包含：不将所述处理膜中覆盖所述露出区域的部分剥离，而将所述处理膜中覆盖所述非露出区域的部分剥离的工序，
所述处理膜残渣除去工序包含：使所述处理膜中覆盖所述露出区域的部分溶解于所述除去液而除去的工序。
6.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理膜形成工序包含：在所述基板的表面形成具有剥离对象膜及保护膜的所述处理膜的工序，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的所述非露出区域的所述第一除去对象物并被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护，
所述基板处理方法还包括：清洗工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给清洗液，利用所述清洗液将存在于所述基板的表面的第二除去对象物溶解而除去。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
处理膜残渣除去工序，在所述处理膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将残留于所述基板的表面的所述处理膜的残渣除去，
所述处理膜残渣除去工序包含：将所述保护膜作为所述残渣而除去的工序。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一除去对象物及所述第二除去对象物为因干式蚀刻处理而产生的残渣。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一除去对象物为粒状残渣，
所述第二除去对象物为覆盖所述基板的表面的所述非露出区域的至少一部分的膜状残渣。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液含有第一溶质、及使所述第一溶质溶解的第一溶剂，
所述第一溶质含有第一高溶解性成分、及相较于所述第一高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第一低溶解性成分，
所述处理膜剥离工序包含：使固体状态的所述第一高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液的工序。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理膜剥离工序包含：第一贯通孔形成工序，使所述处理膜局部地溶解于所述剥离液，在所述处理膜形成第一贯通孔。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述前处理液含有第二溶质、及使所述第二溶质溶解的第二溶剂，
所述第二溶质含有第二高溶解性成分、及相较于所述第二高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第二低溶解性成分，
所述前处理膜剥离工序包含：使固体状态的所述第二高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液的工序。
13.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
所述前处理膜剥离工序包含：第二贯通孔形成工序，使所述前处理膜局部地溶解于所述剥离液，在所述前处理膜形成第二贯通孔。
14.一种基板处理装置，对具有表面的基板进行处理，所述表面存在互不相同的物质露出的第一区域及第二区域，所述基板处理装置的特征在于，包括：
处理液供给单元，将处理液供给于基板的表面；
处理膜形成单元，使处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜；
前处理液供给单元，对所述基板的表面供给前处理液；
前处理膜形成单元，使前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜；
剥离液供给单元，对所述基板的表面供给剥离液；以及
控制器，控制所述前处理液供给单元、所述前处理膜形成单元、所述处理液供给单元、所述处理膜形成单元及所述剥离液供给单元，
所述控制器经编程为，
从所述前处理液供给单元向所述基板的表面供给前处理液，
通过所述前处理膜形成单元使所述基板的表面上的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的除去对象物，
从所述剥离液供给单元对所述基板的表面供给剥离液，将保持除去对象物的状态的所述前处理膜从所述基板的表面剥离，
剥离所述前处理膜后，从所述处理液供给单元将处理液供给于所述基板的表面，
通过所述处理膜形成单元使所述基板的表面上的处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成处理膜，所述处理膜保持存在于所述基板的表面的除去对象物，
从所述剥离液供给单元对所述基板的表面供给剥离液，将保持除去对象物的状态的所述处理膜从所述基板的表面剥离，且
所述处理膜将存在于所述第二区域的所述除去对象物除去的除去力高于所述前处理膜将存在于所述第二区域的所述除去对象物除去的除去力，
所述前处理膜将存在于所述第一区域的所述除去对象物除去的除去力高于所述处理膜将存在于所述第一区域的所述除去对象物除去的除去力。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
将所述除去对象物除去的除去力是由保持力及剥离性所构成，所述保持力将存在于所述第一区域或所述第二区域的所述除去对象物保持于所述处理膜或所述前处理膜，所述剥离性表示保持所述除去对象物的状态的所述处理膜或所述前处理膜的剥离容易度，
所述第一区域中，所述前处理膜的剥离性高于所述处理膜，
所述第二区域中，所述处理膜的保持力高于所述前处理膜。
16.一种配方选择方法，选择用于进行基板处理方法的配方，所述基板处理方法对处理对象基板进行处理，所述配方选择方法的特征在于，包括：
信息获取工序，获取与所述处理对象基板的表面有关的信息；
表面判定工序，基于通过所述信息获取工序所获取的信息，判定所述处理对象基板为下述基板中的哪一种：具有存在特定物质露出的露出区域与特定物质不露出的非露出区域两者的表面的基板、及具有仅存在所述非露出区域的表面的基板；以及
配方选择工序，在所述表面判定工序判定为所述处理对象基板的表面仅存在所述非露出区域的情况下，选择执行第一基板处理方法的第一配方，所述第一基板处理方法使用处理液将除去对象物从所述处理对象基板除去，在所述表面判定工序判定为所述处理对象基板的表面存在所述露出区域及所述非露出区域两者的情况下，选择执行第二基板处理方法的第二配方，所述第二基板处理方法使用从所述露出区域除去所述除去对象物的除去力较所述处理液高的前处理液，将所述除去对象物从所述处理对象基板除去后，使用处理液将所述除去对象物从所述处理对象基板除去。
17.根据权利要求16所述的配方选择方法，其特征在于，
所述前处理液含有第一成分及第二成分，
所述第二成分将所述除去对象物从所述露出区域除去的除去力高于所述第一成分，
所述配方选择方法还包括：种类判定工序，在所述表面判定工序判定为所述处理对象基板的表面存在所述露出区域及所述非露出区域两者的情况下，基于通过所述信息获取工序所获取的信息，判定从所述处理对象基板的表面露出的所述特定物质的种类，
所述配方选择工序包含：根据所述种类判定工序所判定的种类的所述特定物质，选择所述第二基板处理方法中使用的所述前处理液中的所述第二成分的浓度经设定的所述第二配方的工序。
18.一种基板处理方法，对具有下述表面的基板进行处理，所述表面具有特定物质露出的露出区域及所述露出区域以外的非露出区域，所述基板处理方法包括：
处理液供给工序，将处理液供给于基板的表面；
膜形成工序，使供给于所述基板的表面的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成剥离对象膜及保护膜，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的所述非露出区域的第一除去对象物，被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护；
剥离对象膜剥离工序，对所述基板的表面供给剥离液，将保持所述第一除去对象物的状态的所述剥离对象膜从所述基板的表面剥离；
清洗工序，在所述剥离对象膜剥离工序之后，对所述基板的表面供给清洗液，利用所述清洗液将存在于所述基板的表面的第二除去对象物除去；以及
保护膜除去工序，在所述清洗工序之后，对所述基板的表面供给除去液，将所述保护膜从所述基板的表面除去。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液含有第一溶质、及使所述第一溶质溶解的第一溶剂，
所述第一溶质含有第一高溶解性成分、及相较于所述第一高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第一低溶解性成分，
所述保护膜含有：低溶解性层，配置于与所述特定物质接触的位置，包含固体状态的所述第一低溶解性成分；以及高溶解性层，相对于所述低溶解性层而配置于所述特定物质的相反侧，包含固体状态的所述第一高溶解性成分。
20.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液含有第一溶质、及使所述第一溶质溶解的第一溶剂，
所述第一溶质含有第一高溶解性成分、及相较于所述第一高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第一低溶解性成分，
所述膜形成工序包含下述工序：形成含有固体状态的所述第一高溶解性成分、及固体状态的所述第一低溶解性成分的所述剥离对象膜，
所述剥离对象膜剥离工序包含下述工序：使固体状态的所述第一高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液。
21.根据权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
所述剥离对象膜剥离工序包含：第一贯通孔形成工序，使所述剥离对象膜局部地溶解于所述剥离液，在所述剥离对象膜形成贯通孔。
22.根据权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，还包括：
前处理液供给工序，在所述处理液供给工序之前，将前处理液供给于基板的表面；
前处理膜形成工序，在所述处理液供给工序之前，使供给于所述基板的表面的所述前处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成前处理膜，所述前处理膜保持存在于所述基板的表面的所述露出区域的所述第一除去对象物；以及
前处理膜剥离工序，在所述处理液供给工序之前，对所述基板的表面供给剥离液，将所述前处理膜与所述第一除去对象物一起从所述基板的表面的所述露出区域剥离。
23.根据权利要求22所述的基板处理方法，其特征在于，
所述前处理液含有第二溶质、及使所述第二溶质溶解的第二溶剂，
所述第二溶质含有第二高溶解性成分、及相较于所述第二高溶解性成分更不易溶解于所述剥离液的第二低溶解性成分，
所述前处理膜形成工序包含：形成含有固体状态的所述第二高溶解性成分、及固体状态的所述第二低溶解性成分的所述前处理膜的工序，
所述前处理膜剥离工序包含：使所述前处理膜中的固体状态的所述第二高溶解性成分选择性地溶解于所述剥离液的工序。
24.根据权利要求22所述的基板处理方法，其特征在于，
所述前处理膜剥离工序包含：第二贯通孔形成工序，使所述前处理膜局部溶解于所述剥离液，在所述前处理膜形成第二贯通孔。
25.根据权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
所述特定物质为金属，
所述清洗液具有使所述基板的表面中露出的所述金属氧化的氧化力。
26.根据权利要求25所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一除去对象物及所述第二除去对象物为因干式蚀刻处理而产生的残渣。
27.根据权利要求26所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一除去对象物为粒状残渣，
所述第二除去对象物为覆盖所述基板的表面的所述非露出区域的至少一部分的膜状残渣。
28.根据权利要求18或19所述的基板处理方法，其特征在于，
所述除去液具有使所述保护膜及所述剥离对象膜溶解的性质。
29.一种基板处理装置，对具有表面的基板进行处理，所述表面具有特定物质露出的露出区域及所述露出区域以外的非露出区域，所述基板处理装置的特征在于，包括：
处理液供给单元，对所述基板的表面供给处理液；
膜形成单元，使处理液固化或硬化而形成固态的膜；
剥离液供给单元，对所述基板的表面供给剥离液；
清洗液供给单元，对所述基板的表面供给清洗液；
除去液供给单元，对所述基板的表面供给除去液；以及
控制器，控制所述处理液供给单元、所述膜形成单元、所述剥离液供给单元、所述清洗液供给单元及所述除去液供给单元，
所述控制器经编程为，
从所述处理液供给单元向所述基板的表面供给所述处理液，
通过所述膜形成单元使所述基板的表面上的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成剥离对象膜及保护膜，所述剥离对象膜保持存在于所述基板的表面的第一除去对象物而被覆所述非露出区域，所述保护膜被覆所述露出区域而进行保护，
通过从所述剥离液供给单元向所述基板的表面供给所述剥离液，从而使所述剥离对象膜与所述第一除去对象物一起从所述基板的表面剥离，剥离所述剥离对象膜后，从所述清洗液供给单元向所述基板的表面供给清洗液，将存在于所述基板的表面的第二除去对象物除去，
供给所述清洗液后，从所述除去液供给单元向所述基板的表面供给除去液，将所述保护膜从所述基板的表面除去。
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