JP7058735B2 - 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 - Google Patents
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Description
[基板洗浄方法の概要]
まず、第1実施形態に係る基板洗浄方法の概要について図1A~図1Eを用いて説明する。図1A~図1Eは、第1実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。
次に、第1実施形態に係る基板洗浄システムの構成について図2を用いて説明する。図2は、第1実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、基板洗浄装置14の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1実施形態に係る基板洗浄装置14の構成を示す模式図である。
次に、基板洗浄装置14の具体的動作について図4および図5を参照して説明する。図4は、第1実施形態に係る基板洗浄処理の手順を示すフローチャートである。また、図5は、第1実施形態に係る基板洗浄処理の説明図である。なお、図4に示す各処理手順は、制御部15による制御に従って実行される。
次に、第2実施形態に係る基板洗浄装置について説明する。図6は、第2実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。
次に、第3実施形態に係る基板洗浄処理について図8を参照して説明する。図8は、第3実施形態に係る基板洗浄処理の手順を示すフローチャートである。なお、図8に示す成膜処理(ステップS203)以降の処理手順は、たとえば、図4に示すステップS103~S109の処理手順と同様である。あるいは、図4に示すステップS103~S109から溶解処理(ステップS105)を除いた処理手順と同様であってもよい。
上述した第1~第3実施形態に係る基板洗浄方法において、剥離処理液L2としてのDIWを供給するのに先立ち、DIWよりも表面張力が小さい液体とDIWとを混合した混合液を処理膜Fに供給してもよい。
P パターン
R パーティクル
1 基板洗浄システム
4 制御装置
14 基板洗浄装置
20 チャンバ
21 FFU
30 基板保持機構
40 液供給部
45a 成膜処理液供給源
45b 剥離処理液供給源
45c 溶解処理液供給源
45d 疎水化液供給源
50 回収カップ
Claims (11)
- 揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給工程と、
前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を供給する剥離処理液供給工程と、
前記剥離処理液が供給された後の前記基板に対し、該基板を疎水化させる疎水化液を供給する疎水化液供給工程と、
前記疎水化液供給工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程後の前記基板から前記リンス液を除去する乾燥工程と
を含み、
前記疎水化液は、前記基板を疎水化させる疎水化剤と有機溶剤とを含有し、
前記リンス液は、前記有機溶剤である、基板洗浄方法。 - 揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給工程と、
前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を供給する剥離処理液供給工程と、
前記剥離処理液が供給された後の前記基板に対し、該基板を疎水化させる疎水化液を供給する疎水化液供給工程と、
前記疎水化液供給工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程後の前記基板から前記リンス液を除去する乾燥工程と
を含み、
前記疎水化液は、前記基板を疎水化させる疎水化剤と有機溶剤とを含有し、
前記疎水化液供給工程は、
前記剥離処理液が供給された後の前記基板に対して前記有機溶剤を供給し、その後、前記有機溶剤が残存する前記基板に対して前記疎水化剤を供給する、基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液供給工程後、且つ、前記疎水化液供給工程前の前記基板に対し、前記処理膜を溶解させる溶解処理液を供給する溶解処理液供給工程
をさらに含む、請求項1に記載の基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液供給工程後、且つ、前記疎水化液供給工程前の前記基板に対し、前記処理膜を溶解させる溶解処理液を供給する溶解処理液供給工程
をさらに含み、
前記溶解処理液は、前記有機溶剤である、請求項2に記載の基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液供給工程前の前記基板に対し、前記有機溶剤を供給するプリウェット工程
をさらに含む、請求項2または4に記載の基板洗浄方法。 - 前記成膜処理液供給工程は、
揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液をレジストが形成されていない基板へ供給し、
前記剥離処理液供給工程は、
前記処理膜に対して前記剥離処理液を供給することにより、前記処理膜を前記基板から溶解させることなく剥離させる、請求項1~5のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液は、純水である、請求項1~6のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
- 揮発成分を含む成膜処理液が供給された基板において前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を供給する剥離処理液供給部と、
前記剥離処理液が供給された後の前記基板に対し、該基板を疎水化させる疎水化液を供給する疎水化液供給部と、
前記疎水化液供給部によって前記疎水化液が供給された後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス液供給部と、
前記リンス液供給部によって前記リンス液が供給された後の前記基板から前記リンス液を除去する乾燥処理部と
を備え、
前記疎水化液は、前記基板を疎水化させる疎水化剤と有機溶剤とを含有し、
前記リンス液は、前記有機溶剤である、基板洗浄システム。 - 揮発成分を含む成膜処理液が供給された基板において前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液を供給する剥離処理液供給部と、
前記剥離処理液が供給された後の前記基板に対し、該基板を疎水化させる疎水化液を供給する疎水化液供給部と、
前記疎水化液供給部によって前記疎水化液が供給された後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス液供給部と、
前記リンス液供給部によって前記リンス液が供給された後の前記基板から前記リンス液を除去する乾燥処理部と
を備え、
前記疎水化液は、前記基板を疎水化させる疎水化剤と有機溶剤とを含有し、
前記疎水化液供給部は、
前記剥離処理液が供給された後の前記基板に対して前記有機溶剤を供給し、その後、前記有機溶剤が残存する前記基板に対して前記疎水化剤を供給する、基板洗浄システム。 - 前記成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給部
をさらに備える、請求項8または9に記載の基板洗浄システム。 - コンピュータ上で動作し、基板洗浄システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1~7のいずれか一つに記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄システムを制御させる、記憶媒体。
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