KR101596750B1 - 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101596750B1
KR101596750B1 KR1020110054906A KR20110054906A KR101596750B1 KR 101596750 B1 KR101596750 B1 KR 101596750B1 KR 1020110054906 A KR1020110054906 A KR 1020110054906A KR 20110054906 A KR20110054906 A KR 20110054906A KR 101596750 B1 KR101596750 B1 KR 101596750B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
nozzle
supplying
drying
Prior art date
Application number
KR1020110054906A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110139645A (ko
Inventor
테루오미 미나미
나오유키 오카무라
요스케 가와부치
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20110139645A publication Critical patent/KR20110139645A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101596750B1 publication Critical patent/KR101596750B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

기판의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수가 있고 또한 웨이퍼의 건조 처리를 신속하게 행하여 건조액의 사용량을 저감시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 기판 처리 방법에서는, 먼저 약액 처리된 기판(W)으로 린스액이 공급되고, 이때 세정액 노즐(30)을 기판(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동시킨다. 이어서 기판(W)으로 건조액이 공급되고, 이때 건조액 노즐(31)을 기판(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 기판(W)의 주연부에 대응되는 위치로 이동시키는 제 1 공정과, 이 제 1 공정 후 건조액 노즐(31)을 기판(W)의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키는 제 2 공정이 행해진다. 그 후 기판(W)으로 불활성 가스가 공급되고, 이때 가스 노즐(32)을 기판(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 기판(W)의 주연부에 대응되는 위치로 이동시킨다.

Description

기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD, STORAGE MEDIUM STORING COMPUTER PROGRAM FOR EXECUTING SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는 웨이퍼(기판)를 스핀 척에 의해 보지(保持)하고 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼로 약액을 공급하여 웨이퍼를 세정하는 기판 처리 장치가 이용되고 있다.
이러한 기판 처리 장치를 이용하여 웨이퍼를 세정 처리하는 경우, 먼저 스핀 척에 보지된 웨이퍼를 회전시키면서 암모니아 성분을 가지는 약액(예를 들면, 암모니아 과산화수소(SC1액))이 웨이퍼로 토출되어 SC1액에 의한 약액 세정이 행해진다. 이어서, 웨이퍼로 희불산(DHF액)이 토출되어 DHF액에 의한 약액 세정이 행해지고, 이 웨이퍼로 순수(린스액)가 토출되어 린스 처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼로 건조액으로서의 이소프로필 알코올(IPA)이 공급되어 웨이퍼가 건조 처리된다.
웨이퍼를 건조 처리시키는 방법으로는 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼로 IPA 등의 증기를 분사하는 방법, 연무 상태의 IPA 등을 분사하는 방법, 액체 상태의 IPA액 등을 분사하는 방법을 들 수 있다. 또한, 웨이퍼의 중심부에서 주연부로 노즐을 이동시키고, 웨이퍼에 대하여 순수를 공급하면서 순수의 공급 위치보다 웨이퍼의 중심측에서 웨이퍼로 IPA 등의 증기를 분사하는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 및 2 참조).
일본특허공개공보 평11-233481호 일본특허공개공보 2003-197590호
그러나, 종래의 처리 방법에서는 웨이퍼의 소수성(疎水性)이 강한 경우, 건조 후의 웨이퍼의 표면에 파티클(약액 등의 석출에 의해 발생하는 스트라이프 형상의 워터 마크 등)이 발생하는 경우가 있었다. 특히, 직경이 큰 웨이퍼에서 웨이퍼의 주연부에 발생하는 파티클을 억제하는 것이 어려웠다.
또한, 웨이퍼의 건조 처리의 방법으로서, 웨이퍼의 표면 중심으로 IPA액이 공급되어 웨이퍼의 표면에 IPA액의 액막이 형성된 후, IPA액을 공급하는 IPA 노즐과 질소 가스를 공급하는 가스 노즐을 웨이퍼의 중심부에서 주연부로 일체로 이동시키면서 웨이퍼로 IPA액과 질소 가스를 공급하여 웨이퍼의 표면을 건조시키는 방법이 있다. 이 경우, 질소 가스가 공급되는 부분의 IPA액의 액막의 두께가 두껍기 때문에, 웨이퍼로 공급된 질소 가스에 의해 웨이퍼 상의 IPA액이 튀는 경우가 있다. 이 웨이퍼로 공급된 질소 가스에 의해 웨이퍼 상의 IPA액이 튀는 것을 억제하기 위하여 IPA 노즐의 이동 속도는 비교적 느리게 설정된다. 이 때문에, 웨이퍼의 건조 처리에 시간이 걸리고 또한 IPA액의 사용량이 많아진다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것이며, 기판의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있고 또한 웨이퍼의 건조 처리를 신속하게 행하여 건조액의 사용량을 저감시킬 수 있는 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면은, 기판을 약액 처리하는 공정과, 상기 약액 처리하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 세정액 노즐을 거쳐 상기 기판으로 린스액을 공급하는 공정과, 상기 린스액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 건조액 노즐을 거쳐 상기 기판으로 린스액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 공정과, 상기 건조액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 가스 노즐을 거쳐 상기 기판으로 불활성 가스를 공급하는 공정을 구비하고, 상기 린스액을 공급하는 공정에서, 상기 세정액 노즐은 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급한 후, 린스액을 공급하면서 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동하며, 상기 건조액을 공급하는 공정은, 상기 린스액의 공급을 상기 기판의 주연부에서 정지한 후에 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부와 대응되는 위치로 상기 건조액을 공급하면서 이동시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키고 건조액을 공급하는 제 2 공정을 가지고, 상기 불활성 가스를 공급하는 공정에서, 상기 가스 노즐은 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치로 상기 불활성 가스를 공급하면서 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 린스액을 공급하는 공정에서, 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 저하시킨 후, 상기 세정액 노즐이 이동하도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 건조액을 공급하는 공정에서의 상기 건조액 노즐의 이동 속도는 상기 린스액 공급 공정에서의 상기 세정액 노즐의 이동 속도보다 빠르게 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 건조액을 공급하는 공정에서, 상기 린스액을 상기 기판의 주연부로 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 상승시키도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 불활성 가스를 공급하는 공정에서의 상기 기판의 회전 수는 상기 건조액을 공급하는 공정의 상기 제 2 공정에서의 상기 기판의 회전 수보다 저하되어 있도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법에서, 상기 세정액 노즐, 상기 건조액 노즐 및 상기 가스 노즐은 일체로 이동하도록 해도 좋다.
본 발명의 다른 측면은, 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 상기 기판 처리 방법은, 기판을 약액 처리하는 공정과, 상기 약액 처리하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 세정액 노즐을 거쳐 상기 기판의 중심부로 린스액을 공급하는 공정과, 상기 린스액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 건조액 노즐을 거쳐 상기 기판으로 린스액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 공정과, 상기 건조액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 가스 노즐을 거쳐 상기 기판으로 불활성 가스를 공급하는 공정을 구비하고, 상기 린스액을 공급하는 공정에서, 상기 세정액 노즐은 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급한 후, 린스액을 공급하면서 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동하고, 상기 건조액을 공급하는 공정은, 상기 린스액의 공급을 상기 기판의 주연부에서 정지한 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치로 상기 건조액을 공급하면서 이동시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키고 건조액을 공급하는 제 2 공정을 가지고, 상기 불활성 가스를 공급하는 공정에서, 상기 가스 노즐은 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치로 상기 불활성 가스를 공급하면서 이동하는 것을 특징으로 하는 기록 매체를 제공한다.
본 발명의 또 다른 측면은, 기판을 보지하는 회전 가능한 기판 보지부와, 상기 기판 보지부를 회전 구동하는 회전 구동부와, 상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 약액 공급 기구와, 상기 기판 보지부에 보지되어 약액 처리된 상기 기판으로 세정액 노즐을 거쳐 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 보지부에 보지되어 린스액이 공급된 상기 기판으로 건조액 노즐을 거쳐 린스액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 건조액 공급 기구와, 상기 기판 보지부에 보지되어 건조액이 공급된 상기 기판으로 가스 노즐을 거쳐 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 기구와, 상기 세정액 노즐, 상기 건조액 노즐 및 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치와 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치와의 사이에서 이동시키는 노즐 구동부와, 상기 회전 구동부, 상기 약액 공급 기구, 상기 린스액 공급 기구, 상기 건조액 공급 기구, 상기 불활성 가스 공급 기구 및 상기 노즐 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 린스액을 공급할 때, 상기 세정액 노즐을 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급한 후, 린스액을 공급하면서 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동시키고, 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때, 상기 린스액의 공급을 상기 기판의 주연부에서 정지한 후에 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치로 상기 건조액을 공급하면서 이동시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키고 건조액을 공급하는 제 2 공정을 행하며, 상기 불활성 가스 공급 기구에 의해 상기 기판으로 불활성 가스를 공급할 때, 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치로 상기 불활성 가스를 공급하면서 이동시키도록 상기 린스액 공급 기구, 상기 건조액 공급 기구, 상기 불활성 가스 공급 기구 및 상기 노즐 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판의 중심으로 린스액을 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 저하시킨 후 상기 세정액 노즐을 이동시키도록 상기 회전 구동부 및 상기 노즐 구동부를 제어하도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때의 상기 건조액 노즐의 이동 속도를 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 린스액을 공급할 때의 상기 세정액 노즐의 이동 속도보다 빠르게 하도록 상기 노즐 구동부를 제어하도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때, 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판의 주연부로 린스액을 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 상승시키도록 상기 회전 구동부를 제어하도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 불활성 가스 공급 기구에 의해 상기 기판으로 불활성 가스를 공급할 때의 상기 기판의 회전 수를 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때의 상기 제 2 공정에서의 상기 기판의 회전 수보다 저하시키도록 상기 회전 구동부를 제어하도록 해도 좋다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에서, 상기 세정액 노즐, 상기 건조액 노즐 및 상기 가스 노즐은 노즐 암을 개재하여 상기 노즐 구동부에 연결되어 일체로 이동하도록 해도 좋다.
본 발명에 따르면, 기판의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있고 또한 기판의 건조 처리를 신속하게 행하여 건조액의 사용량을 저감시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에서의 기판 처리 장치의 단면 구성의 일례를 도시한 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에서의 기판 처리 장치의 단면 구성의 일례를 도시한 평면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에서의 기판 처리 방법의 순서도를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에서의 기판 처리 방법에서 기판의 회전 수의 추이를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에서의 기판 처리 방법에서 린스 처리 시의 린스액의 상태를 도시한 도면이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에서의 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2에 따라 기판 처리 장치(1)의 전체 구성에 대하여 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 처리 용기(10)와, 이 처리 용기(10) 내에 설치되어 세정 처리를 행하는 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼, 이하 간단히 웨이퍼(W)라고 기재함)을 보지(保持)하는 회전 가능한 스핀 척(기판 보지부)(20)과, 이 스핀 척(20)을 회전 구동하는 회전 구동부(모터)(25)를 구비하고 있다.
이 중 처리 용기(10)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입출구(11)가 형성되어 있다. 이 반입출구(11)에는 개폐 가능한 셔터(12)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 반입출 시에 열리도록 되어 있다. 이 셔터(12)는 처리 용기(10)의 내측에 설치되어 있고, 처리 용기(10) 내의 압력이 높아진 경우에도 처리 용기(10) 내의 분위기가 외방(外方)으로 누설되는 것을 방지하고 있다. 또한, 셔터(12)에는 후술하는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 셔터(12)는 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐하도록 되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 스핀 척(20)은 회전 플레이트(21)와, 이 회전 플레이트(21)의 주연부에 설치되어 웨이퍼(W)를 보지하는 보지 부재(22)를 가지고 있다. 이 중 보지 부재(22)는 회전 플레이트(21)의 주연부에서 대략 등간격으로 배치되어 웨이퍼(W)를 대략 수평하게 보지하도록 되어 있다.
회전 구동부(25)는 스핀 척(20)의 회전 플레이트(21)에 회전 구동축(26)을 개재하여 연결되어 있다. 이 회전 구동부(25)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 회전 구동부(25)가 구동됨으로써 회전 플레이트(21)를 회전시키고, 보지 부재(22)에 보지된 웨이퍼(W)가 그 중심을 회전 중심으로 하여 대략 수평면 내에서 회전하도록 되어 있다.
스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)의 상방에, 웨이퍼(W)로 약액 또는 순수를 공급하는 세정액 노즐(30)과, 웨이퍼(W)로 건조액을 공급하는 건조액 노즐(31)과, 웨이퍼(W)로 불활성 가스를 공급하는 가스 노즐(32)이 설치되어 있다. 이들 세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)은 노즐 암(33) 및 가이드 레일(34)을 개재하여 노즐 구동부(35)에 연결되어 있다. 이 중 가이드 레일(34)은 처리 용기(10) 내에 대략 수평하게 배치되어 있으며, 노즐 암(33)의 기단부(基端部)는 이 가이드 레일(34)을 따라 대략 수평하게 이동 가능해지도록 가이드 레일(34)에 장착되어 있다. 이와 같이 하여 노즐 구동부(35)를 구동시킴으로써, 각 노즐(30, 31, 32)은 웨이퍼(W)의 상방에서 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치(웨이퍼(W)의 중심부의 상방 위치)와 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치(웨이퍼(W)의 주연부의 상방 위치)와의 사이에서 대략 수평 방향으로 일체로 이동하도록 되어 있다. 또한, 각 노즐(30, 31, 32)은 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에서부터 웨이퍼(W)의 주연부 외방의 상방 위치(퇴피 위치)와의 사이에서도 일체로 이동하도록 되어 있다. 또한, 노즐 구동부(35)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 노즐 구동부(35)가 구동되도록 되어 있다.
세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)은 연결 부재(36)에 서로 근접하게 정렬하여 장착되어 있다. 이 연결 부재(36)와 노즐 암(33)의 선단부의 사이에 각 노즐(30, 31, 32)을 일체로 승강시키는 승강 구동부(37)가 개재되어 있다. 또한, 연결 부재(36)와 승강 구동부(37)의 사이에 승강축(38)이 연결되어 있다.
또한, 승강 구동부(37)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 승강 구동부(37)가 구동되어 각 노즐이 승강하도록 되어 있다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W)에 대한 각 노즐(30, 31, 32)의 높이를 조절 가능하게 구성되어 있다.
또한, 세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)은 스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 직선 형상으로 배치되어 있으며, 각 노즐(30, 31, 32)이 웨이퍼(W)의 중심부의 상방으로 이동 가능해지도록 노즐 암(33)에 일체로 장착되어 있다.
세정액 노즐(30)에 약액 공급 기구(40)가 연결되어 있고, 스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)로 세정액 노즐(30)을 통해 약액이 토출(공급)되도록 되어 있다. 본 실시예에서의 약액 공급 기구(40)는 세정액 노즐(30)에 SC1 공급 라인(41)을 개재하여 연결되어 웨이퍼(W)로 암모니아 과산화수소(SC1액)를 공급하는 SC1 공급원(42)과, 세정액 노즐(30)에 DHF 공급 라인(43)을 개재하여 연결되어 웨이퍼(W)로 희불산(DHF)을 공급하는 DHF 공급원(44)을 가지고 있다. 이 중 SC1 공급 라인(41)에 SC1 개폐 밸브(45)가 설치되어 있고, DHF 공급 라인(43)에 DHF 개폐 밸브(46)가 설치되어 있다. 또한, SC1 개폐 밸브(45) 및 DHF 개폐 밸브(46)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 각 개폐 밸브(45, 46)는 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐하도록 되어 있다.
또한, 세정액 노즐(30)에 린스액 공급 기구(50)가 연결되어 있고, 스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)로 세정액 노즐(30)을 통해 순수(린스액)가 토출(공급)되도록 되어 있다. 린스액 공급 기구(50)는 세정액 노즐(30)에 린스액 공급 라인(51)을 개재하여 연결되어 웨이퍼(W)로 순수를 공급하는 린스액 공급원(52)과, 린스액 공급 라인(51)에 설치된 린스액 개폐 밸브(53)를 가지고 있다. 또한, 린스액 개폐 밸브(53)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 린스액 개폐 밸브(53)는 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐하도록 되어 있다.
또한, SC1 공급 라인(41), DHF 공급 라인(43), 린스액 공급 라인(51)은 각 개폐 밸브(45, 46, 53)와 세정액 노즐(30)의 사이에서 합류하도록 되어 있다.
건조액 노즐(31)에 건조액 공급 기구(60)가 연결되어 있고, 스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)로 건조액 노즐(31)을 통해 건조액이 토출(공급)되도록 되어 있다. 건조액 공급 기구(60)는 건조액 노즐(31)에 건조액 공급 라인(61)을 개재하여 연결되어 웨이퍼(W)로 순수보다 휘발성이 높은 이소프로필 알코올(IPA)로 이루어지는 건조액을 공급하는 건조액 공급원(62)과, 건조액 공급 라인(61)에 설치된 건조액 개폐 밸브(63)를 가지고 있다. 또한, 건조액 개폐 밸브(63)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 건조액 개폐 밸브(63)는 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐하도록 되어 있다.
가스 노즐(32)에 불활성 가스 공급 기구(70)가 연결되어 있고, 스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)로 가스 노즐(32)을 통해 불활성 가스가 토출(공급)되도록 되어 있다. 불활성 가스 공급 기구(70)는 가스 노즐(32)에 가스 공급 라인(71)을 개재하여 연결되어 웨이퍼(W)로 불활성 가스로서 질소 가스(N2 가스)를 공급하는 가스 공급원(72)과, 가스 공급 라인(71)에 설치된 가스 개폐 밸브(73)를 가지고 있다. 또한, 가스 개폐 밸브(73)에는 제어부(80)가 접속되어 있으며, 가스 개폐 밸브(73)는 제어부(80)로부터의 제어 신호에 기초하여 개폐하도록 되어 있다.
전술한 바와 같이, 회전 구동부(25), 노즐 구동부(35), 약액 공급 기구(40)의 SC1 개폐 밸브(45) 및 DHF 개폐 밸브(46), 린스액 공급 기구(50)의 린스액 개폐 밸브(53), 건조액 공급 기구(60)의 건조액 개폐 밸브(63), 그리고 불활성 가스 공급 기구(70)의 가스 개폐 밸브(73)에 이들을 제어하는 제어부(80)가 접속되어 있다.
이러한 제어부(80)는 후술하는 건조 처리 공정 시에 린스액 공급 기구(50)에 의해 웨이퍼(W)로 순수를 공급할 때, 세정액 노즐(30)을 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동시키고, 건조액 공급 기구(60)에 의해 웨이퍼(W)로 IPA액을 공급할 때, 건조액 노즐(31)을 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에서 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치로 이동시키는 제 1 공정과, 제 1 공정 후 건조액 노즐(31)을 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키는 제 2 공정을 행하도록 린스액 공급 기구(50)의 린스액 개폐 밸브(53), 건조액 공급 기구(60)의 건조액 개폐 밸브(63) 및 상기 노즐 구동부(35)를 제어한다. 또한, 제어부(80)는 불활성 가스 공급 기구(70)에 의해 웨이퍼(W)로 질소 가스를 공급할 때, 가스 노즐(32)을 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치로 이동시키도록 불활성 가스 공급 기구(70)의 가스 개폐 밸브(73) 및 노즐 구동부(35)를 제어한다.
또한, 제어부(80)는 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시킨 후 세정액 노즐(30)을 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동시키도록 회전 구동부(25) 및 노즐 구동부(35)를 제어한다.
또한, 제어부(80)는 건조액 공급 기구(60)에 의해 웨이퍼(W)로 IPA액을 공급할 때의 건조액 노즐(31)의 이동 속도를 린스액 공급 기구(50)에 의해 웨이퍼(W)로 순수를 공급할 때의 세정액 노즐(30)의 이동 속도보다 빠르게 하도록 노즐 구동부(35)를 제어한다.
또한, 제어부(80)는 건조액 공급 기구(60)에 의해 웨이퍼(W)로 IPA액을 공급할 때 웨이퍼(W)의 회전 수를 상승시키고, 불활성 가스 공급 기구(70)에 의해 웨이퍼(W)로 질소 가스를 공급할 때의 웨이퍼(W)의 회전 수를 건조액 공급 기구(60)에 의해 웨이퍼(W)로 IPA액을 공급할 때의 전술한 제 2 공정에서의 웨이퍼(W)의 회전 수보다 저하시키도록 회전 구동부(25)를 제어한다.
그런데, 도 1에 도시한 바와 같이, 제어부(80)에는 공정 관리자 등이 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행하는 키보드 또는 기판 처리 장치(1)의 가동 상황 등을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 입출력 장치(81)가 접속되어 있다. 또한, 제어부(80)는 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 실현하기 위한 프로그램 등이 기록된 기록 매체(82)에 액세스 가능해져 있다. 기록 매체(82)는 ROM 및 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM 및 플렉서블 디스크 등의 디스크 형상 기록 매체 등 기존의 기록 매체(82)로 구성될 수 있다. 이와 같이 하여, 제어부(80)가 기록 매체(82)에 미리 기록된 프로그램 등을 실행함으로써 기판 처리 장치(1)에서 웨이퍼(W)의 처리가 행해지도록 되어 있다.
이어서, 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시예의 작용, 즉 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 기판 처리 방법을 실행하기 위한 각 구성 요소의 동작은 미리 기록 매체(82)에 기록된 프로그램에 기초한 제어부(80)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다.
먼저, 도 3에 도시한 바와 같이, 스핀 척(20)에 웨이퍼(W)가 보지된다(단계(S1)). 이 경우, 먼저 셔터(12)가 열리고 도시하지 않은 반송 암에 보지된 웨이퍼(W)가 반입출구(11)를 통해 처리 용기(10) 내로 반입된다. 이어서, 웨이퍼(W)가 반송 암으로부터 전달되어 스핀 척(20)의 보지 부재(22)에 보지된다.
이어서, 회전 구동부(25)에 의해 웨이퍼(W)를 보지한 스핀 척(20)이 회전 구동된다(단계(S2)).
그 후, 노즐 구동부(35)가 구동되어 퇴피 위치에 위치하고 있던 세정액 노즐(30)이 스핀 척(20)에 보지된 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치로 이동한다(단계(S3)).
이어서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)가 약액 처리된다.
이 경우, 먼저 웨이퍼(W)의 표면으로 SC1액이 공급되어 웨이퍼(W)의 표면이 SC1액에 의해 약액 처리되어 세정된다(단계(S4)). 즉, SC1 개폐 밸브(45)가 열리고 SC1 공급원(42)으로부터 SC1 공급 라인(41) 및 세정액 노즐(30)을 거쳐 SC1액이 웨이퍼(W)의 표면의 중심부로 토출된다. 이에 따라, 토출된 SC1액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체로 확산되어 웨이퍼(W)의 표면에 SC1액의 액막이 형성된다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전 수는, 예를 들면 10 ~ 500 rpm 정도로 하는 것이 바람직하다. SC1액의 액막이 형성된 후, SC1 개폐 밸브(45)를 닫아 SC1액의 공급을 정지하고 소정 시간 방치한다. 이에 따라, SC1액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외방으로 밀어낼 수 있다.
SC1액에 의한 약액 세정 처리 후, 웨이퍼(W)의 표면으로 DHF액이 공급되어 웨이퍼(W)의 표면이 DHF액에 의해 약액 처리되어 세정된다(단계(S5)). 즉, DHF 개폐 밸브(46)가 열리고 DHF 공급원(44)으로부터 DHF 공급 라인(43) 및 세정액 노즐(30)을 거쳐 DHF액이 웨이퍼(W)의 표면의 중심부로 토출된다. 이에 따라, 토출된 DHF액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체로 확산되어 웨이퍼(W)의 표면에 DHF액의 액막이 형성된다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전 수는, 예를 들면 10 ~ 500 rpm 정도로 하는 것이 바람직하다. DHF액의 액막이 형성된 후, DHF 개폐 밸브(46)를 닫아 DHF액의 공급을 정지하고 소정 시간 방치한다. 이에 따라, DHF액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외방으로 밀어낼 수 있다.
약액 처리가 종료된 후, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)가 린스 처리된다(단계(S6)). 즉, 린스액 개폐 밸브(53)를 열고 린스액 공급원(52)으로부터 린스액 공급 라인(51) 및 세정액 노즐(30)을 거쳐 순수가 웨이퍼(W)의 표면의 중심부로 토출된다. 이에 따라, 토출된 순수는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체로 확산되어 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 약액이 밀려나고 웨이퍼(W)의 표면에 순수의 액막이 형성된다. 이때, 웨이퍼(W)의 회전 수는, 예를 들면 500 ~ 1500 rpm 정도로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 약액을 신속하게 밀어내고 순수의 액막을 형성할 수 있다. 린스 처리 공정의 종료 시점에서는 약액이 아직 잔존한 상태의 순수의 두꺼운 액막이 웨이퍼(W)의 표면 상에 형성되어 있다. 여기서, 두꺼운 액막이란, 후술하는 슬로우 드라이 단계(단계(S7 - 1))의 종료 시의 액막보다 두꺼운 상태인 것을 의미한다.
린스 처리가 종료된 후, 웨이퍼(W)가 건조 처리된다(단계(S7)). 이 건조 처리 공정은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)로 순수를 토출하면서 웨이퍼(W)의 회전 수를 린스 처리 시보다 저하시키는 슬로우 드라이 단계(단계(S7 - 1))와, 웨이퍼(W)로 IPA액을 토출하는 IPA 드라이 단계(단계(S7 - 2))와, 웨이퍼(W)로 질소 가스를 토출하는 N2 드라이 단계(단계(S7 - 3))를 가지고 있다.
먼저, 린스 처리가 종료된 웨이퍼(W)의 중심부로 순수를 토출하면서 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시킨다(단계(S7 - 1a)).
웨이퍼(W)의 회전 수가 제 1 회전 수(30 ~ 100 rpm)까지 저하된 후, 노즐 구동부(35)에 의해 세정액 노즐(30)을 순수를 토출하면서 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치를 향해 이동(스캔)시킨다. 이에 따라, 순수의 대부분을, 도 5에 도시한 바와 같이, 세정액 노즐(30)의 이동에 수반하여 웨이퍼(W)의 중심부에서 주연부를 향해 이동시킬 수 있다. 이 세정액 노즐(30)의 스캔 개시 후, 웨이퍼(W)의 회전 수를 더 저하시킨다(단계(S7 - 1b)). 이에 따라, 세정액 노즐(30)이 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에 가까워짐에 따라 웨이퍼(W)의 회전 수가 저하되어, 웨이퍼(W)로 토출된 순수가 스핀 척(20)의 보지 부재(22) 등에 닿아 되튀는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 수가 제 1 회전 수보다 적은 제 2 회전 수(10 ~ 30 rpm)까지 저하된 후, 웨이퍼(W)의 회전 수가 이 제 2 회전 수로 유지된다(단계(S7 - 1c)). 그 동안 세정액 노즐(30)은 순수를 토출하면서 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치를 향해 이동하고 있다.
그 후, 세정액 노즐(30)이 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에 도달하여 정지하고, 린스액 개폐 밸브(53)가 닫혀 웨이퍼(W)에 대한 순수의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전 수가 소정 시간 동안 이 제 2 회전 수로 유지된다(단계(S7 - 1d)). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부로 모인 순수의 대부분을 웨이퍼(W)의 주연부 외방으로 밀어낼 수 있다. 또한, 이 경우에도 웨이퍼(W)의 표면 전체에는 순수의 얇은 액막이 그 표면장력에 의해 남아 있다. 즉, 얇은 액막을 남기면서 불화 암모늄을 포함한 대부분의 순수를 웨이퍼(W)의 표면으로부터 웨이퍼(W)의 주연부 외방으로 효과적으로 밀어낼 수 있다. 이 때문에, 그 후에 웨이퍼(W)로 IPA액을 공급하여 웨이퍼(W)를 건조 처리한 경우에도 불화 암모늄 등에 의한 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 여기서, 얇은 액막이란, 전술한 린스 처리 공정(단계(S6))의 종료 시의 액막보다 얇은 상태를 의미한다.
이어서, IPA 드라이 단계(S7 - 2)가 행해진다.
이 경우, 먼저 건조액 개폐 밸브(63)가 열려 건조액 공급원(62)으로부터 건조액 공급 라인(61) 및 건조액 노즐(31)을 거쳐 IPA액이 웨이퍼(W)의 표면 주연부로 토출된다. IPA액이 토출된 후, 웨이퍼(W)의 회전 수를 제 2 회전 수로부터 상승시킨다(단계(S7 - 2a)).
웨이퍼(W)의 회전 수가 제 3 회전 수(500 ~ 1000 rpm)에 도달한 후, 건조액 노즐(31)이 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치로 이동(스캔)한다(단계(S7 - 2b), 제 1 공정). 이때, 건조액 노즐(31)의 이동 속도는 슬로우 드라이 단계(S7 - 1)에서의 세정액 노즐(30)의 이동 속도보다 빨라져 있다. 또한, 건조액 노즐(31)은 슬로우 드라이 단계(S7 - 1)의 종료 후 웨이퍼(W)의 중심부로 이동하지 않고 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에서부터 스캔을 개시한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 순수를 신속하게 IPA액으로 치환할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 순수가 적기 때문에 순수를 IPA액으로 신속하게 치환할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 순수의 액막이 얇은 것에 의해 순수의 치환에 필요한 IPA액의 양을 저감시킬 수 있다.
또한, 건조액 노즐(31)이 스캔하는 동안 웨이퍼(W)의 회전 수는 전술한 제 3 회전 수로 일정하게 유지된다.
건조액 노즐(31)이 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에 도달한 후, 건조액 노즐(31)이 이 위치에 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전 수가 전술한 단계(S7 - 2b) 시의 제 3 회전 수로 소정 시간 동안 유지된다(단계(S7 - 2c), 제 2 공정). 이와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 수가 제 2 회전 수보다 높아져 있음으로써 웨이퍼(W)의 표면 전체에 IPA액을 신속하게 공급할 수 있다.
그 후, 건조액 개폐 밸브(63)가 닫혀 웨이퍼(W)에 대한 IPA액의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시킨다(단계(S7 - 2d)).
이어서, 웨이퍼(W)의 회전 수가 제 4 회전 수(100 ~ 500 rpm)에 도달한 후, N2 드라이 단계(S7 - 3)가 행해진다. 즉, 가스 개폐 밸브(73)가 열려 가스 공급원(72)으로부터 가스 공급 라인(71) 및 가스 노즐(32)을 거쳐 질소 가스가 웨이퍼(W)의 표면으로 토출되고, 가스 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치를 향해 이동(스캔)한다(단계(S7 - 3a)). 가스 노즐(32)이 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에 도달한 후, 가스 노즐(32)을 이 위치에서 정지시키면서 소정 시간 동안 질소 가스가 토출된다(단계(S7 - 3b)). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에 잔존하고 있는 IPA액을 확실하게 제거시켜 웨이퍼(W)의 주연부를 건조시킬 수 있다. 또한, N2 드라이 단계(S7 - 3)에서, 웨이퍼(W)의 회전 수는 전술한 제 4 회전 수(100 ~ 500 rpm)로 일정하게 유지된다. 이와 같이 IPA 드라이 단계(S7 - 2)에서의 웨이퍼(W)의 제 3 회전 수보다 저하시킴으로써, 질소 가스가 토출되기 전에 회전력에 의해 IPA액이 웨이퍼(W)의 표면에서 부분적으로 주연부 외방으로 밀려나는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, N2 드라이 단계(S7 - 3)에서 중심부로부터 주연부를 향해 IPA액을 제거시켜 웨이퍼(W)의 주연부를 건조시킬 수 있다.
이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 건조 처리가 종료된다. 그 후 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시켜 웨이퍼(W)의 회전을 정지한다. 그 후, 웨이퍼(W)를 반입할 때의 순서와는 반대 순서로 도시하지 않은 반송 암을 웨이퍼(W)의 하방에 삽입하여 웨이퍼(W)를 반송 암으로 전달하여 웨이퍼(W)가 반출된다.
이와 같이 본 실시예에 따르면, 웨이퍼(W)의 린스액에 의한 슬로우 드라이 단계의 종료 시에 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에 있던 건조액 노즐(31)을 이 위치에서 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치로 이동시키면서 웨이퍼(W)로 IPA액이 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 순수에 IPA액의 공급을 개시할 때까지의 시간을 단축시킬 수 있고, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 걸쳐 IPA액을 신속하게 공급할 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면 상의 순수를 IPA액으로 신속하게 치환할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에 도달한 건조액 노즐(31)을 이 위치에 정지시키면서 웨이퍼(W)의 중심부에 소정 시간 동안 IPA액이 토출된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 상의 순수를 IPA액으로 치환하는데 충분한 IPA액을 웨이퍼(W)의 표면 전체에 걸쳐 공급할 수 있다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제하고 또한 웨이퍼(W)의 건조 처리를 신속하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 웨이퍼(W)로 IPA액을 공급한 후 웨이퍼(W)의 표면으로 질소 가스가 공급되어 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA액이 건조된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 표면 상에는 충분한 양의 IPA액이 남아 있기 때문에, 질소 가스 공급 시에 IPA액을 공급할 필요가 없다. 이에 따라, IPA액의 사용량을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, IPA 드라이 단계(S7 - 2) 후 가스 노즐(32)을 스캔시키면서 웨이퍼(W)로 질소 가스가 공급된다(N2 드라이 단계(S7 - 3)). 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 IPA액을 신속하게 건조시킬 수 있다. 특히, 질소 가스 공급 시에 IPA액을 공급할 필요가 없기 때문에, IPA액의 액막을 얇게 할 수 있어, 웨이퍼로 공급된 질소 가스에 의해 웨이퍼 상의 IPA액이 튀는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 질소 가스 공급 시의 가스 노즐(32)의 스캔 속도를 높일 수 있어 건조 처리에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 웨이퍼(W)의 회전 수를 저하시켜 웨이퍼(W)의 회전 수가 제 1 회전 수까지 저하된 후, 웨이퍼(W)로 순수를 공급하는 린스액 공급 위치를 웨이퍼(W)의 중심부에서 주연부를 향해 이동시키면서 웨이퍼(W)로 순수를 공급한다. 이에 따라, 얇은 액막을 남기면서 불화 암모늄을 포함한 웨이퍼(W)의 표면 상의 순수의 대부분을 웨이퍼(W)의 주연부 외방으로 밀어낼 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 순수의 양을 저감시켜 순수의 치환에 필요한 IPA액의 양을 저감시킬 수 있다.
또한, 불화 암모늄 등에 의한 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명에 따른 실시예에 대하여 설명하였으나, 당연히 본 발명의 요지의 범위 내에서 다양한 변형도 가능하다. 이하, 대표적인 변형예에 대하여 설명한다.
본 실시예에서는, IPA 드라이 단계(S7 - 2)에서 웨이퍼(W)의 회전 수를 500 ~ 1000 rpm으로 상승시킨 후, 건조액 노즐(31)을 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치를 향해 스캔을 개시하는 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 웨이퍼(W)의 회전 수를 500 ~ 1000 rpm을 향해 상승시키고 있는 동안에 건조액 노즐(31)을 웨이퍼(W)의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치를 향해 스캔을 개시하도록 해도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 한층 더 신속하게 IPA액을 공급하여, 순수를 IPA액에 의해 한층 더 신속하게 치환할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 웨이퍼(W)의 회전 수가 제 1 회전 수까지 저하된 후, 린스액 공급 위치를 웨이퍼(W)의 중심부에서 주연부를 향해 이동시키고, 웨이퍼(W)의 회전 수를 더 저하시키는 예에 대하여 설명하였다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 웨이퍼(W)의 회전 수가 제 1 회전 수(예를 들면, 30 ~ 100 rpm)까지 저하된 후, 린스액 공급 위치를 웨이퍼(W)의 중심부에서 주연부를 향해 이동시키면서 웨이퍼(W)의 회전 수를 당해 제 1 회전 수로 유지하도록 해도 좋다. 즉, 도 4에 나타낸 린스 처리 공정에서의 단계(S7 - 1b)에서 세정액 노즐(30)을 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에 정지시키고, 단계(S7 - 1c)에서 세정액 노즐(30)을 웨이퍼(W)의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 상의 순수의 대부분을 세정액 노즐(30)의 이동에 수반하여 웨이퍼(W)의 중심부에서 주연부를 향해 이동시켜 웨이퍼(W)의 주연부 외방으로 밀어낼 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, SC1액 및 DHF액에 의해 웨이퍼(W)가 약액 세정되는 예에 대하여 설명하였으나, 약액 세정에 사용되는 약액은 이에 한정되지 않으며, 임의의 약액을 사용할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, SC1액에 의한 약액 세정 후 웨이퍼(W)로 DHF액을 토출하여 DHF액에 의한 약액 세정을 행하는 예에 대해 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, SC1액에 의한 약액 세정 후 웨이퍼(W)의 표면으로 순수를 토출하여 웨이퍼(W)의 표면을 린스 처리하고, 그 후에 DHF액에 의한 약액 세정을 행하도록 해도 좋다.
또한, 본 실시예에서는, 린스액으로서 순수를 이용하는 예에 대하여 설명하였으나, 사용하는 린스액으로는 순수에 한정되지 않는다.
또한, 본 실시예에서는, 건조액으로서 IPA액을 이용하는 예에 대하여 설명하였으나, 사용하는 건조액으로는 IPA에 한정되지 않는다. 또한, 웨이퍼(W)로 토출되는 IPA액은 액체 상태의 것에 한정되지 않으며, 미스트 상태(연무 상태), 분류(噴流) 상태의 것이어도 좋다. 또한, 웨이퍼(W)로 가열된 IPA액을 공급하도록 해도 좋다. 이 경우 IPA액의 증발을 촉진시킬 수 있다.
또한, 이상의 설명에서는 본 발명에 따른 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체(82) 및 기판 처리 장치(1)를 반도체 웨이퍼(W)의 세정 처리에 적용한 예를 나타내고 있다. 그러나 이에 한정되지는 않으며, LCD 기판 또는 CD 기판 등 다양한 기판 등의 세정에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.
1: 기판 처리 장치
10: 처리 용기
11: 반입출구
12: 셔터
20: 스핀 척
21: 회전 플레이트
22: 보지 부재
25: 회전 구동부
26: 회전 구동축
30: 세정액 노즐
31: 건조액 노즐
32: 가스 노즐
33: 노즐 암
34: 가이드 레일
35: 노즐 구동부
36: 연결 부재
37: 승강 구동부
38: 승강축
40: 약액 공급 기구
41: SC1 공급 라인
42: SC1 공급원
43: DHF 공급 라인
44: DHF 공급원
45: SC1 개폐 밸브
46: DHF 개폐 밸브
50: 린스액 공급 기구
51: 린스액 공급 라인
52: 린스액 공급원
53: 린스액 개폐 밸브
60: 건조액 공급 기구
61: 건조액 공급 라인
62: 건조액 공급원
63: 건조액 개폐 밸브
70: 불활성 가스 공급 기구
71: 가스 공급 라인
72: 가스 공급원
73: 가스 개폐 밸브
80: 제어부
81: 입출력 장치
82: 기록 매체

Claims (13)

  1. 기판을 약액 처리하는 공정과,
    상기 약액 처리하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 린스액 노즐을 거쳐 상기 기판으로 린스액을 공급하는 공정과,
    상기 린스액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 건조액 노즐을 거쳐 상기 기판으로 린스액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 공정과,
    상기 건조액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 가스 노즐을 거쳐 상기 기판으로 불활성 가스를 공급하는 공정을 구비하고,
    상기 린스액을 공급하는 공정에서, 상기 린스액 노즐은 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급한 후, 린스액을 공급하면서 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동하고,
    상기 건조액을 공급하는 공정은, 상기 린스액의 공급을 상기 기판의 주연부에서 정지한 후에 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치로 상기 건조액을 공급하면서 이동시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키고 건조액을 공급하는 제 2 공정을 가지고,
    상기 불활성 가스를 공급하는 공정에서, 상기 가스 노즐은 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치로 상기 불활성 가스를 공급하면서 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 린스액을 공급하는 공정에서, 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 저하시킨 후, 상기 린스액 노즐이 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조액을 공급하는 공정에서의 상기 건조액 노즐의 이동 속도는 상기 린스액 공급 공정에서의 상기 린스액 노즐의 이동 속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 건조액을 공급하는 공정에서, 상기 린스액을 상기 기판의 주연부로 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불활성 가스를 공급하는 공정에서의 상기 기판의 회전 수는 상기 건조액을 공급하는 공정의 상기 제 2 공정에서의 상기 기판의 회전 수보다 저하되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 린스액 노즐, 상기 건조액 노즐 및 상기 가스 노즐은 일체로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체로서,
    상기 기판 처리 방법은,
    기판을 약액 처리하는 공정과,
    상기 약액 처리하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 린스액 노즐을 거쳐 상기 기판의 중심부로 린스액을 공급하는 공정과,
    상기 린스액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 건조액 노즐을 거쳐 상기 기판으로 린스액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 공정과,
    상기 건조액을 공급하는 공정 후, 상기 기판을 회전시키면서 가스 노즐을 거쳐 상기 기판으로 불활성 가스를 공급하는 공정을 구비하고,
    상기 린스액을 공급하는 공정에서, 상기 린스액 노즐은 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급한 후, 린스액을 공급하면서 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동하고,
    상기 건조액을 공급하는 공정은, 상기 린스액의 공급을 상기 기판의 주연부에서 정지한 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치로 상기 건조액을 공급하면서 이동시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키고 건조액을 공급하는 제 2 공정을 가지고,
    상기 불활성 가스를 공급하는 공정에서, 상기 가스 노즐은 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치로 상기 불활성 가스를 공급하면서 이동하는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
  8. 기판을 보지(保持)하는 회전 가능한 기판 보지부와,
    상기 기판 보지부를 회전 구동시키는 회전 구동부와,
    상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 약액 공급 기구와,
    상기 기판 보지부에 보지되어 약액 처리된 상기 기판으로 린스액 노즐을 거쳐 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와,
    상기 기판 보지부에 보지되어 린스액이 공급된 상기 기판으로 건조액 노즐을 거쳐 린스액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 건조액 공급 기구와,
    상기 기판 보지부에 보지되어 건조액이 공급된 상기 기판으로 가스 노즐을 거쳐 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 기구와,
    상기 린스액 노즐, 상기 건조액 노즐 및 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치와 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치와의 사이에서 이동시키는 노즐 구동부와,
    상기 회전 구동부, 상기 약액 공급 기구, 상기 린스액 공급 기구, 상기 건조액 공급 기구, 상기 불활성 가스 공급 기구 및 상기 노즐 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 린스액을 공급할 때, 상기 린스액 노즐을 린스액을 상기 기판의 중심으로 공급한 후, 린스액을 공급하면서 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 주연부에 대응되는 위치로 이동시키고, 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때, 상기 린스액의 공급을 상기 기판의 주연부에서 정지한 후에 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치에서 중심부에 대응되는 위치로 상기 건조액을 공급하면서 이동시키는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정 후 상기 건조액 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에 소정 시간 정지시키고 건조액을 공급하는 제 2 공정을 행하며, 상기 불활성 가스 공급 기구에 의해 상기 기판으로 불활성 가스를 공급할 때, 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중심부에 대응되는 위치에서 상기 기판의 주연부에 대응되는 위치로 상기 불활성 가스를 공급하면서 이동시키도록 상기 린스액 공급 기구, 상기 건조액 공급 기구, 상기 불활성 가스 공급 기구 및 상기 노즐 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판의 중심으로 린스액을 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 저하시킨 후 상기 린스액 노즐을 이동시키도록 상기 회전 구동부 및 상기 노즐 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때의 상기 건조액 노즐의 이동 속도를 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 린스액을 공급할 때의 상기 린스액 노즐의 이동 속도보다 빠르게 하도록 상기 노즐 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때, 상기 린스액 공급 기구에 의해 상기 기판의 주연부로 린스액을 공급할 때의 상기 기판의 회전 수보다 상기 기판의 회전 수를 상승시키도록 상기 회전 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 불활성 가스 공급 기구에 의해 상기 기판으로 불활성 가스를 공급할 때의 상기 기판의 회전 수를 상기 건조액 공급 기구에 의해 상기 기판으로 건조액을 공급할 때의 상기 제 2 공정에서의 상기 기판의 회전 수보다 저하시키도록 상기 회전 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 린스액 노즐, 상기 건조액 노즐 및 상기 가스 노즐은 노즐 암을 개재하여 상기 노즐 구동부에 연결되어 일체로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020110054906A 2010-06-23 2011-06-08 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 KR101596750B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010142722 2010-06-23
JPJP-P-2010-142722 2010-06-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110139645A KR20110139645A (ko) 2011-12-29
KR101596750B1 true KR101596750B1 (ko) 2016-02-23

Family

ID=45351342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110054906A KR101596750B1 (ko) 2010-06-23 2011-06-08 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8545640B2 (ko)
JP (1) JP5657477B2 (ko)
KR (1) KR101596750B1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5820709B2 (ja) * 2011-11-30 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
US9704730B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
JP5977720B2 (ja) * 2013-08-27 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
JP6379400B2 (ja) 2013-09-26 2018-08-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6426927B2 (ja) * 2013-09-30 2018-11-21 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6569574B2 (ja) * 2016-03-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6710608B2 (ja) * 2016-08-30 2020-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
CN115445993A (zh) * 2022-08-10 2022-12-09 肇庆宏旺金属实业有限公司 一种打磨后不锈钢板材的清洗装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173308A (ja) 2005-12-19 2007-07-05 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2009218402A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2009224608A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334902B1 (en) * 1997-09-24 2002-01-01 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
JP4616948B2 (ja) 1997-09-24 2011-01-19 アイメック 回転基材の表面から液体を除去する方法および装置
EP0905748B1 (en) 1997-09-24 2006-03-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing particles and a liquid from a surface of substrate
JP2003197590A (ja) 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
TWI286353B (en) 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4527660B2 (ja) 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4901650B2 (ja) 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5117365B2 (ja) * 2008-02-15 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US8486201B2 (en) * 2009-07-16 2013-07-16 Lam Research Ag Method for drying a semiconductor wafer
JP5712101B2 (ja) * 2010-12-24 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173308A (ja) 2005-12-19 2007-07-05 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2009218402A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2009224608A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8545640B2 (en) 2013-10-01
JP2012028748A (ja) 2012-02-09
KR20110139645A (ko) 2011-12-29
US20110315169A1 (en) 2011-12-29
JP5657477B2 (ja) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101806191B1 (ko) 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
KR101596750B1 (ko) 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
JP4425913B2 (ja) 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR102012355B1 (ko) 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
US7837804B2 (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning equipment, computer program, and program recording medium
KR101061937B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR102341916B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6046225B2 (ja) 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
US9165800B2 (en) Liquid processing method, liquid processing apparatus and storage medium
CN209747469U (zh) 基板清洗装置
KR100846690B1 (ko) 기판 세정 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체
JP2009081370A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190130

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200205

Year of fee payment: 5