JP5820709B2 - 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置 - Google Patents
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Description
10 処理容器
11 搬入出ロ
12 シャッタ
20 スピンチャック
21 回転プレート
22 保持部材
25 回転駆動部
26 回転駆動軸
30 洗浄液ノズル
31 乾燥液ノズル
32 ガスノズル
33 ノズルアーム
34 ガイドレール
35 ノズル駆動部
36 連結部材
37 昇降駆動部
38 昇降軸
40 薬液供給機構
43 DHF供給ライン
44 DHF供給源
46 DHF開閉弁
50 リンス液供給機構
51 リンス液供給ライン
52 リンス液供給源
53 リンス液開閉弁
60 乾燥液供給機構
61 乾燥液供給ライン
62 乾燥液供給源
63 乾燥液開閉弁
70 不活性ガス供給機構
71 ガス供給ライン
72 ガス供給源
73 ガス開閉弁
80 制御部
81 入出力装置
82 記録媒体
Claims (9)
- 基板に、薬液を供給する薬液処理工程と、
薬液処理工程の後、基板にリンス液を供給するリンス処理工程と、
リンス処理工程の後、基板に乾燥液を供給し、その後、基板を回転させて基板に対して乾燥液を供給し続けるとともに基板に対して不活性ガスを供給して基板上の乾燥液を振り切ることにより基板を乾燥させる乾燥処理工程とを備え、
乾燥処理工程において、
基板に対する乾燥液の供給位置及び不活性ガスの供給位置の移動方向は、基板の中心部から周縁部に向けた方向であって、乾燥液の供給位置は、不活性ガスの供給位置に対して移動方向前方に位置しており、
基板の中心部から所定位置まで乾燥液のみを基板に供給する間、乾燥液の供給位置は第1速度で移動し、乾燥液と不活性ガスを基板に供給する間、乾燥液および不活性ガスの供給位置は第1速度より大きな第2速度で移動する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 基板に対する乾燥液の供給位置は、基板の中心部から周縁部に向けて移動し、不活性ガスの供給位置は、基板の中心部と周縁部との間から周縁部に向けて移動することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 乾燥処理工程は、基板を第1回転数で回転させながら基板に乾燥液を供給する第1乾燥処理工程と、第1乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第1回転数より低い第2回転数で回転させる第2乾燥処理工程と、第2乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第2回転数から第3回転数まで上げていく第3乾燥処理工程と、をさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- リンス処理工程において、回転する基板に対してリンス液が供給され、
乾燥処理工程の第1乾燥処理工程における基板の第1回転数は、リンス処理工程中の基板の回転数より大きいことを特徴とする請求項3記載の基板処理方法。 - 基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
基板処理方法は、
基板に、薬液を供給する薬液処理工程と、
薬液処理工程の後、基板にリンス液を供給するリンス処理工程と、
リンス処理工程の後、基板に乾燥液を供給し、その後、基板を回転させて基板に対して乾燥液を供給し続けるとともに基板に対して不活性ガスを供給して基板上の乾燥液を振り切ることにより基板を乾燥させる乾燥処理工程とを備え、
乾燥処理工程において、
基板に対する乾燥液の供給位置及び不活性ガスの供給位置の移動方向は、基板の中心部から周縁部に向けた方向であって、乾燥液の供給位置は、不活性ガスの供給位置に対して移動方向前方に位置しており、
基板の中心部から所定位置まで乾燥液のみを基板に供給する間、乾燥液の供給位置は第1速度で移動し、乾燥液と不活性ガスを基板に供給する間、乾燥液および不活性ガスの供給位置は第1速度より大きな第2速度で移動する
ことを特徴とする記録媒体。 - 基板を保持する回転自在な基板保持部と、
基板保持部を回転駆動する回転駆動部と、
基板保持部に保持された基板に薬液を供給する薬液供給機構と、
基板保持部に保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
基板保持部に保持された基板に乾燥液を供給する乾燥液供給機構と、
基板保持部に保持された基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、
回転駆動部、薬液供給機構、リンス液供給機構、乾燥液供給機構および不活性ガス供給機構を制御する制御部とを備え、
制御部は、リンス液供給機構によりリンス液を供給させた後、乾燥液供給機構により基板に乾燥液を供給させ、その後、回転駆動部により基板を回転させて基板に対して乾燥液を供給し続けるとともに基板に対して不活性ガスを供給して基板上の乾燥液を振り切ることにより基板を乾燥させるときに、基板に対する乾燥液の供給位置及び不活性ガスの供給位置の移動方向は、基板の中心部から周縁部に向けた方向であって、乾燥液の供給位置は、不活性ガスの供給位置に対して移動方向前方に位置しており、基板の中心部から所定位置まで乾燥液のみを基板に供給する間、乾燥液の供給位置は第1速度で移動し、乾燥液と不活性ガスを基板に供給する間、乾燥液および不活性ガスの供給位置は第1速度より大きな第2速度で移動するよう制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板に対する乾燥液の供給位置は、基板の中心部から周縁部に向けて移動し、不活性ガスの供給位置は、基板の中心部と周縁部との間から周縁部に向けて移動することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、乾燥液供給機構により乾燥液を供給させるときに、基板を第1回転数で回転させながら基板に乾燥液を供給し、その後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第1回転数より低い第2回転数で回転させ、その後、基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第2回転数から第3回転数まで上げていくよう制御することを特徴とする請求項6又は7に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、回転する基板に対してリンス液が供給されるようリンス液供給機構を制御し、
乾燥液を供給するときの基板の第1回転数は、リンス液供給機構がリンス液を供給するときの基板の回転数より大きいことを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。
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