JP4919409B2 - 半導体装置製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関する。本発明は特に、半導体装置の製造工程においてレジストの残留物を除去する技術に関する。

ＬＳＩに例示される回路パターンが半導体ウェハに形成されるとき、半導体ウェハにトランジスタが形成され、絶縁膜が成膜され、トランジスタを含む素子を接続するための金属配線パターンが形成される。

図１は、半導体の回路パターンの製造過程を概略的に示すフローチャートである。下地の絶縁膜の上に金属配線膜が、例えばスパッタリング法により成膜される（Ｓ１０１）。金属配線膜上に、レジスト塗布機によりレジストが塗布される（Ｓ１０２）。露光機により、金属配線パターン用のレチクルパターンがレジストに露光される（Ｓ１０３）。現像液でレジスト膜を処理することにより、レジストの露光された部分が除去され、露光されなかった部分が金属配線膜上に残る（Ｓ１０４）。残ったレジストをマスクとして用いることにより、ドライエッチング処理が行われ、レジストの無い部分の金属配線膜が除去される（Ｓ１０５）。残った金属配線膜は回路パターンを形成する。金属配線膜上にはレジストが残る。残ったレジストは、以下のようにプラズマ剥離とウェット剥離とからなる２段階の剥離工程を通じて除去される。プラズマ剥離により、ドライエッチング時のプラズマのアタックにより硬化したレジスト表面層が除去される（Ｓ１０６）。プラズマ剥離後のウェット剥離工程において、残ったレジスト層が有機溶剤を使って溶かされて除去される（Ｓ１０７）。有機溶剤が除去された後、ウェハは乾燥される。以上の工程により、金属配線パターンが形成される。その金属配線パターンの上に絶縁膜が成膜される（Ｓ１０８）。本発明は、これらの工程のうち、特にウェット剥離後の乾燥工程に係わる。

公知の基板乾燥装置と基板乾燥方法の例として、特許文献１を挙げる。特許文献１には、被処理基板を処理液で処理した後に乾燥させるために適用される基板乾燥方法が記載されている。図２は、この文献に記載された基板処理装置を示す。基板処理装置は、ウェハＷを水平に保持した状態で回転するスピンチャック１０１、スピンチャックを高速回転させる回転駆動機構１０３、薬液やリンス液をウェハ上に吐出するためのノズルＮ１、Ｎ２、Ｎ３、配管１２３、１２４、１２５、タンク１２１、１２２などで主に構成される。

図３は、特許文献１に記載の基板処理方法を示す。時刻ｔ１からｔ２の間に薬液がウェハ上に吐出される。時刻ｔ２からｔ３の間にリンス処理が行われる。以後、回転数が上げられ、液滴が振り切られ、ウェハが乾燥する。

特許文献２には、ウェハの表面に滞留する処理液が新規の処理液と置換されにくく、ウェハの表面での化学反応が低下するという課題を解決するための液処理方法が記載されている。この文献の請求項１によれば、この液処理方法は、被処理体に処理液を供給して、被処理体の表面に処理液を接触させる工程と、被処理体の表面に接触する処理液を除去する工程とを有し、上記工程を順次繰り返し行うことを特徴とする。

特許文献３には、基板の処理面内での処理を均一にし、エッチング処理、洗浄処理等の処理精度を向上させることを目的とする基板処理方法及び基板処理装置が記載されている。この特許文献の請求項１に記載の基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、基板を第１回転数で回転させつつ、基板に第１処理液を供給する第１処理工程と、基板に処理液を供給しない状態で、基板を第１回転数より低速の第２回転数で回転させる第２処理工程と、基板を第２回転数より高速の第３回転数で回転させつつ、基板に第１処理液とは異なる第２処理液を供給する第３処理工程と、を有することを特徴とする。

特許文献４には、金属層のエッチング時に生成する反応生成物からなる保護堆積膜を除去する洗浄工程を含む半導体装置の製造方法が記載されている。

特許文献５には、堆積物の除去装置及び除去方法が記載されている。この除去方法においては、半導体基板が回転している状態で、以下の工程が行われる：半導体基板上に薬液が供給され、薬液の供給が停止されることにより、半導体基板上の薬液が飛散する；半導体基板上に純水が供給されることにより、半導体基板が洗浄される；純水の供給が停止されることにより、半導体基板上の純水が飛散する。これらの工程が、半導体基板の表面の清浄度に応じて繰り返される。

特許文献６には、基板をフッ素系剥離液で剥離処理する工程を含む処理シーケンスを連続して少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とするレジスト残渣の除去方法が記載されている。
特開２００３−９２２８０号公報 特開２００１−７０８６１号公報 特開２００１−２３７２１４号公報 特開２００２−１６４３２４号公報 特開２００３−２７３０６４号公報 特開２００２−１５８２０６号公報

プラズマ剥離やウェット剥離では、残留レジストを除去すると共に、ドライエッチング時の反応生成物が金属配線膜に付着することによって堆積した堆積物である反応堆積物を除去することが求められる。反応堆積物の除去が不十分であると、他の要因が重なったとき金属配線膜が腐食を起こす可能性がある。腐食した部分は高抵抗になるか絶縁物となり、そのためＬＳＩが正常に動作しなくなる可能性がある。従って、剥離工程において反応堆積物が十分に除去されることが求められる。

図４は、金属配線パターンの例を示す斜視図である。絶縁膜２０２上にアルミ配線２０４が形成されている。アルミ配線２０４は、絶縁膜２０２から離れた側の面である上面部と、絶縁膜２０２と上面とに隣接する側面部２０６とを有する。上面部と側面部２０６とが接するアルミ配線２０４の延長方向に平行な線の付近が角部２１０である。反応堆積物は、上面中央部２０８付近、側面部２０６及び角部２１０に付着しやすい。この事情はアルミ以外の金属配線の場合でも同様である。

近年、ＬＳＩ回路の高密度化、回路パターンの高微細化が進展し、金属配線間の隙間の幅が短くなってきている。図５に、図４と同一の縮尺によって示された高密度化、高微細化された金属配線パターンを示す。図４において一定の面積内に３本の配線が配置されているのに対して、図５においては同じ面積内により細い８本の配線が配置されている。

図５に示される高密度化、高微細化された金属配線パターンの場合でも、反応堆積物は、アルミ配線４の上面中央部８付近、側面部６及び角部１０に付着しやすい。そのため、より高密度化、高微細化された金属配線パターンの場合には、堆積物が付着する可能性のある部位が多くなる。

例えば、図４における配線１本当たりのアルミ配線２０４の上面中央部２０８付近の面積をＪ、側面部２０６の面積を両側でＳ、角部２１０の面積を両側でＧとすると、図４では３本の配線があるので、堆積物が付着しやすい部位の面積は３×（Ｊ＋Ｓ＋Ｇ）で示される。

図５に示される高密度化、高微細化された金属配線パターンの場合、堆積物が付着しやすい部位の面積は８×（Ｊ＋Ｓ＋Ｇ）である（配線の高さが同一と想定）。すなわち、図５の場合は図４の場合に比べて堆積物が付着しやすい部位の面積が８／３（約２．７）倍多い。従って、実際に付着する堆積物の量（体積）も約２．７倍多いと考えられる。

従来技術の単純な延長または加速、つまり、処理時間を延長し、薬液吐出量を増加し又は回転数を増大することによっては、高密度化、高微細化された金属配線パターンにおける堆積物を十分に除去することは困難である。

さらに、堆積物を除去するために薬液処理の時間を長くすると、形成された金属配線が薬液によって変形するという問題がある。図６は、この現象について説明するための断面図である。絶縁膜２の上にアルミ配線４が形成され、アルミ配線４の上にＴｉＮ膜１２が形成され、ＴｉＮ膜１２の上にレジスト１４が載っている。上方から薬液１６が供給される。薬液１６が長時間供給されると、レジスト１４が除去される。それと共に、アルミ配線４の上部は下部よりも新鮮な薬液１６が接触する量が多いため、アルミ配線４の上部が細り、削れ部１８が形成されるという問題が発生する。

さらに、薬液処理の時間が長く設定された場合、ウェハ表面の領域に依存する処理のばらつきが発生するという問題もある。図７は、この現象について説明するための上面図である。ある回転方向２１に回転しているウェハ２０表面の中心の薬液供給位置２２に薬液が供給される。薬液は遠心力によって螺旋形の流線２４を描いてウェハ２０の中心部から周辺部に向かって流れる。そのため、ウェハ中央部はより新鮮な薬液が供給されて薬液の反応活性が高い領域２６であり、ウェハ周辺部は薬液の反応活性が低い領域２８である。このような典型的なウェハ処理においては、薬液による処理の時間が長い場合、反応活性が低い領域２８に比べて反応活性が高い領域２６において金属配線がより細るという傾向が顕著になるという問題がある。

さらに、薬液を除去するリンス工程において純水が供給される場合、リンス時間が長く設定されると、純水とアルミとの間で起こる電池効果により、アルミ喰われが発生するという問題がある。リンス液として純水の代わりにＩＰＡ（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を用いることにより長時間のリンス工程におけるアルミ喰われを防ぐことができる。しかし、ＩＰＡは純水よりもコストにおいて高いという問題がある。

以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

本発明による半導体装置製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程（Ｓ１）と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程（Ｓ３、Ｓ６、Ｓ９）とを備える。この方法は、剥離工程が２回以上実行されるシークエンス（ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３）を含む。この方法において、薬液が供給される時間の合計は４５秒以内である。

本発明により、微細配線パターンでの堆積物除去が行われ、かつ、薬液処理時間が短いために配線細りが防止される半導体装置製造方法が提供される。

以下、図面を参照しながら本発明における半導体製造方法を実施するための最良の形態について詳細に説明する。本発明における半導体製造方法は、図２に示される装置と同様の構成を備える半導体製造装置によって実行される。ただし、制御装置１０４が備えるＣＰＵによって読み取られ実行される制御用のコンピュータプログラムが異なっており、その結果、薬液の供給量を調節するための薬液用バルブ１３１の開度、リンス液（純水）の供給量を調節するためのリンス液用バルブ１３２の開度及び回転駆動機構１０３によって調節されるスピンチャック１０１の回転数が異なったレシピに基づいて制御される。

図８は、半導体製造法方法を説明するためのフローチャートである。このフローチャートには、図１における現像処理（Ｓ１０４）の後からの工程が示されている。以下に説明する制御は、制御装置が備えるＣＰＵが予め記憶する制御プログラムを読み取り、その制御プログラムの記述に従って自動的に実行することによって実現される。

現像処理によってレジストが除去された部分の金属配線膜がドライエッチングによって除去される（Ｓ１）。レジストを除去するためにプラズマ剥離が施される（Ｓ２）。

プラズマ剥離の後、ウェット剥離工程の第１シークエンスＳＥ１が実行される。第１シークエンスＳＥ１は、第１剥離工程Ｓ３、第１リンス工程Ｓ４及び第１乾燥工程Ｓ５を含む。
第１シークエンスＳＥ１の後、ウェット剥離工程の第２シークエンスＳＥ２が実行される。第２シークエンスＳＥ２は、第２剥離工程Ｓ６、第２リンス工程Ｓ７及び第２乾燥工程Ｓ８を含む。
第２シークエンスＳＥ２の後、ウェット剥離工程の第３シークエンスＳＥ３が実行される。第３シークエンスＳＥ２は、第３剥離工程Ｓ９、第３リンス工程Ｓ１０及び第３乾燥工程Ｓ１１を含む。
以上のウェット剥離工程が終わった後、設計に従って金属配線膜上に絶縁膜が成膜される（Ｓ１２）。

図９は、ウェット剥離工程のタイミングチャートである。図９（ａ）は、堆積物を剥離するための薬液（本実施の形態においては、東京応化工業株式会社が供給している薬液ＳＳＴ−Ａ２が用いられる）が供給されるタイミング、基板の裏面側（エッチングによって素子が形成される面の反対側）にリンス液が供給されるタイミング及び基板の表面側にリンス液が供給されるタイミングを示す。図９（ｂ）は、基板の回転数を示す。

第１動作：第１シークエンス（図９では１サイクル目と記載されている）の最初において、基板（ウェハ）の回転数は０ｒｐｍ、すなわち基板が静止した状態に制御される。基板の表面に薬液ＳＳＴ−Ａ２が供給される。ＳＳＴ−Ａ２の組成は、ジメチルスルホキシド（ＣＨ_３）_２ＳＯが６８．９５ｗｔ％、ＮＨ_４Ｆが１ｗｔ％、水が３０ｗｔ％であり、フッ酸ＨＦを含む。

第１動作時にはウェハが静止しているため、薬液の液盛は同心円状に広がり、かつ、ウェハ裏面に液が回り込まない（０ｒｐｍ、３秒間、１２０ｃｃ／ｍｉｎの条件下で）という利点がある。

第２動作：基板の表面に対する薬液の供給は続けられる。基板が薬液をリフレッシュするために短時間、高速回転するように制御される。高速回転の回転数は１０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの範囲内に制御される。図９に示されている例では回転数は３０００ｒｐｍ、回転時間は１．５秒である。高速回転の最大回転数に到達するまでの加速時における遠心力により、金属配線パターンから離脱したデポ物が薬液と共にウェハ外に移動し除去される。この動作では、第１動作と第２動作において基板の表面処理に使われて古くなった薬液が速やかにウェハの外側に移動する。

第３動作：基板の表面に対する薬液の供給は続けられる。基板が低速回転するように制御される。低速回転の回転数は、１２０ｒｐｍ以下に設定される。この動作では、新鮮な薬液がデポ物と配線の間に入り込む。その結果、次に行われる高速回転においてデポ物が配線から離脱しやすくなり且つ古い劣化した薬液がウェハの外に出されて、薬液がリフレッシュされる。図９の例では回転数は１２０ｒｐｍである。薬液及び基板表面の条件によっては、回転数は０ｒｐｍに設定されてもよい。多くの条件では、ウェハが回転している方がデポ物と配線との間に薬液が入り込みやすく、薬液のリフレッシュには効果的である。

第４動作：基板の表面に対する薬液の供給が停止される。この停止動作は、薬液の使用量を削減するために実行される。従って、薬液の使用量が制限されない場合は薬液の供給が続けられてもよい。基板が短時間、高速回転するように制御される。高速回転の回転数は第２動作と同様に設定される。図９の例では回転数は３０００ｒｐｍ、回転時間は２秒である。

第５動作：基板の表面に薬液が供給される。基板が低速回転するように制御される。回転数は第３動作と同様に設定される。図９の例では回転数は１２０ｒｐｍである。

第６動作：基板の表面に対する薬液の供給が停止される。この停止動作は、第４動作と同様に、薬液の使用量を削減するために実行される。基板が短時間、高速回転するように制御される。高速回転の回転数は第２動作と同様に設定される。図９の例では回転数は３０００ｒｐｍ、回転時間は２秒である。

第１動作から第６動作までが図８における第１剥離工程Ｓ３に対応する。高速回転が行われる第２動作、第４動作、第６動作の持続時間は、それぞれ１．５〜２秒程度に設定される。この程度の時間、高速回転が行われることにより、薬液が基板上に均一に広げられる。この時間が長すぎると、ウェハから薬液が振り切られてしまう、また薬液が空気に触れる機会が多くなり揮発し薬液自体の性質が変わるという問題が発生する可能性があるため、高速回転の持続時間は１．５〜２秒程度に設定されることが望ましい。

第７動作：薬液の供給が停止される。基板が中速回転するように制御される。図９の例では回転数は１０００ｒｐｍ、回転時間は２０秒である。中速回転している間に、
リンス液（例示：超純水）が基板の表面に供給される。図９の例では、基板の表面に対してリンス液が供給される期間の長さが１１秒、基板の裏面に対してバックリンス液が供給される期間の長さが１６秒である。この第７動作は、図８における第１リンス工程Ｓ４に対応する。ウェハ上に残った剥離された堆積物や薬液をウェハ外に完全に振り切るためには、この動作における中速回転の持続時間は１０秒以上に設定されることが望ましい。

第７動作の持続する時間は２０秒である。その内で１１秒は基板の表面に対してリンス液が供給される期間であり、残りの９秒はリンス液の吐出が行われない。その理由を以下に示す。第一に、本実施の形態における薬液ＳＳＴ−Ａ２は水と接触するとアルミ腐食を促進させる性質が出てくることが分かっている。そのため、リンス液（純水）を吐出する前に、ウェハ上の薬液ＳＳＴ−Ａ２を十分にウェハ外に振り切っておくことが望まれる。第二に、薬液を供給する薬液ノズルの位置を制御するための薬液ノズルアームがウェハ上からウェハ外のホームポジションに戻る時間を設ける必要があるという理由である。

第８動作：基板に薬液もリンス液も供給されない。基板が乾燥のために回転するよう制御される。回転速度は、基板上のリンス液がウェハ外に振り切られるように設定される。この回転速度は、薬液をリフレッシュするための高速回転よりも大きく設定される。図９の例では回転速度は４０００ｒｐｍ、回転時間は５秒である。この第８動作は、図８における第１乾燥工程Ｓ５に対応する。

以上の第１動作から第８動作までが図８の第１シークエンスＳＥ１に対応する。第１シークエンスＳＥ１において、薬液が供給されている時間の合計は１４．５秒である。

第１シークエンスＳＥ１に引き続き、第２シークエンスＳＥ２が実行される。図９に示されているように、第２シークエンスＳＥ２の動作は第１シークエンスＳＥ１の動作と同様である。第２シークエンスＳＥ２においても、薬液が供給されている時間の合計は１４．５秒である。

第２シークエンスＳＥ２に引き続き、第３シークエンスＳＥ３が実行される。第３シークエンスＳＥ３は、以下の点で第１シークエンスＳＥ１及び、第２シークエンスＳＥ２と異なる。第４動作（２度目の高速回転）が省略される。第７動作（リンス工程）の持続時間がより長く設定される（図９においては３０秒）。基板の表面に対してリンス液が供給される期間及び基板の裏面に対してバックリンス液が供給される期間も、より長く設定される（図９においてはそれぞれ１６秒、２１秒）。第８動作（乾燥工程）の持続時間がより長く設定される（図９においては１０秒）。第３シークエンスＳＥ３は最後のシークエンスであるため、このようにリンス及び乾燥が入念に実行される。それ以外の点では第１シークエンスＳＥ１及び第２シークエンスＳＥ２と同じである。

第３シークエンスＳＥ３においても、薬液が供給されている時間の合計は第１シークエンスＳＥ１及び第２シークエンスＳＥ２と同様に１４．５秒である。すべてのシークエンスにおいて薬液が供給されている時間の合計は４５秒以下（本実施の形態では４３．５秒）に設定される。薬液の供給時間を４５秒以下に設定することで、アルミ配線の薬液による細り、図７を参照して説明したウェハ中央部付近でのアルミ細りの顕著化及び純水リンスによるアルミの喰われが抑制されると共に、処理時間の短縮及び処理液使用量の削減が達成される。

本実施の形態においては洗浄工程（剥離工程）、リンス工程及び乾燥工程を含むシークエンスが３回繰り返された。トータルの薬液処理時間が４５秒以下に設定され、十分にリンスを行うためにリンス工程が１０秒以上行われるように設定されると、シークエンスの繰り返し回数は３回が最も好適である。

以上の処理において、基板に対して供給される薬液の温度は、３５℃以上４５℃以下に設定される。従来、薬液の温度は例えば２５℃程度に設定されていた。しかし発明者は、薬液（例えばＳＳＴ−Ａ２）の温度が２５℃程度に設定されたときに比べて３５℃〜４５℃に設定されたときの方がデポ物除去能力が高いことを見出した。本実施の形態においては、金属の薬液による侵食を防ぐために薬液処理の時間を短く設定して洗浄することが課題であるため、薬液を可能な限りデポ物除去能力が高い温度で使用することが重要である。

発明者は、水準振り実験と、金属配線パターンの堆積物残り状態の電子顕微鏡観察により、薬液の温度を３５℃、４０℃及び４５℃に設定した場合の堆積物の除去効果が２５℃に設定した場合の３．５倍あることを実際に確認した。

以下に示すのは、１枚につき１５点のデポ物があるウェハを薬液で洗浄した場合、薬液の温度が２５℃、３５℃及び４５℃に設定された場合のデポ物残りのあるポイント数をＳＥＭ観察したデータである。
２５℃：デポ物残りポイント数１４
３５℃：デポ物残りポイント数４
４５℃：デポ物残りポイント数７
薬液の温度が２５℃に設定された場合に比べて３５℃または４５℃に設定された場合の方が洗浄効果が高い。特に薬液の温度が３５℃付近に設定されることが望ましい。

図１０は、上述した第１動作〜第６動作のように低速回転とそれに連続する高速回転とを含む処理を繰り返すことによる洗浄効果について説明するための図である。水準Ａは低速回転と高速回転を繰り返す処理を行わずに薬液処理とリンス工程が２回繰り返された場合を示す。水準Ａの洗浄後、ウェハ上には１２３個の欠陥が存在した。水準Ｂは本実施の形態に示したように低速回転と高速回転を数回繰り返す処理を行って薬液処理とリンス工程を繰り返した場合を示す。水準Ｂの洗浄後、ウェハ上には欠陥がまったく発見されなかった。

図１は、半導体の回路パターンの製造フローを示す。 図２は、公知技術における基板処理装置を示す。 図３は、公知技術における基板処理方法を示す。 図４は、金属配線パターンを示す斜視図である。 図５は、図４よりも微細な金属配線パターンを示す。 図６は、薬液による金属配線の変形について説明するための図である。 図７は、ウェハ表面の領域による薬液処理のばらつきについて説明するための図である。 図８は、半導体製造方法のフローチャートである。 図９は、ウェット剥離工程のタイミングチャートである。 図１０は、低速回転と高速回転を繰り返すことによる洗浄の結果を示す。

符号の説明

２…絶縁膜
４…アルミ配線
６…側面部
８…上面中央部
１０…角部
１２…ＴｉＮ膜
１４…レジスト
１６…薬液
１８…削れ部
２０…ウェハ
２１…回転方向
２２…薬液供給位置
２４…薬液の流線
２６…反応活性が高い領域
２８…反応活性が低い領域
１０１…スピンチャック
１０３…回転駆動機構
１２１、１２２…タンク
１２３、１２４、１２５…配管
２０２…絶縁膜
２０４…アルミ配線
２０６…側面部
２０８…上面中央部
２１０…角部
Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３…ノズル
Ｗ…ウェハ

Claims (11)

1. 半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、
   前記エッチングを施す工程の後に、前記膜上の堆積物を剥離する剥離工程とを含み、
   前記剥離工程は剥離する薬液を前記基板に供給し、順次、第１の回転数である０ｒｐｍで基板を静止させた後、第２の回転数、第３の回転数及び第４の回転数で前記半導体基板を回転させる工程を有するシークエンスを含み、
   前記第２の回転数及び前記第４の回転数は前記第１の回転数及び前記第３の回転数より大きく、前記第１の回転数と前記第２の回転数の差が前記第３の回転数と前記第４の回転数の差よりも大きいことを特徴とする
   半導体装置製造方法。
2. 請求項１に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記シークエンスが２回以上実行される半導体装置製造方法。
3. 請求項１または２に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記薬液が供給される時間の合計が４５秒以内である半導体装置製造方法。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
   更に、前記第１の回転数と前記第２の回転数の間の第５の回転数で前記半導体基板を回転させるリンス工程を含む半導体装置製造方法。
5. 請求項４に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記第５の回転数が１０００ｒｍｐである半導体装置製造方法。
6. 請求項１から３のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記シークエンスは、前記薬液を除去するリンス液を１０秒以上供給するリンス工程を含む
   半導体装置製造方法。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記第２の回転数及び前記第４の回転数は１０００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下である半導体装置製造方法。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記シークエンス内で最初の前記剥離工程において、前記薬液は前記半導体基板が停止した状態で供給される
   半導体装置製造方法。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
   前記第３の回転数は１２０ｒｐｍである半導体装置製造方法。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
    前記半導体基板に供給される前記薬液の温度は３５℃以上４５℃以下である
    半導体装置製造方法。
11. 請求項１から９のいずれか１項に記載された半導体装置製造方法であって、
    前記シークエンスに含まれる前記剥離工程のうち少なくとも１回は前記薬液の供給が停止される
    半導体装置製造方法。

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