JP2001070861A

JP2001070861A - 液処理方法及び液処理装置

Info

Publication number: JP2001070861A
Application number: JP2000190669A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Ono; 宏樹大野; Takashi Yabuta; 貴士藪田; Tadashi Iino; 正飯野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-06-29
Filing date: 2000-06-26
Publication date: 2001-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】処理効率の向上及び処理液の使用量の削減を
図れるようにした液処理方法及び液処理装置を提供する
こと。【解決手段】スピンチャック１によって保持される半
導体ウエハＷに、薬液供給ノズル３ａから薬液を吐出し
て半導体ウエハ表面に薬液を接触させる薬液供給工程
と、スピンチャック１及び半導体ウエハＷを回転させて
処理に供した薬液を除去する薬液除去工程とを順次数回
ない数十回繰り返し行うことにより、半導体ウエハＷの
表面に付着するレジストやポリマ等を除去することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液処理方法及び
液処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導
体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体に処理液例
えば薬液やリンス液等を供給して洗浄等の処理をする液
処理方法及び液処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理体
（以下にウエハ等という）に、例えば酸化膜（Ｓｉ
Ｏ₂），窒化膜（ＳｉＮ）あるいはメタル膜（Ｃｕ）等
を成膜した後、ウエハ等にレジストを塗布し、次に、所
定の回路パターンを露光した後、現像液で現像し、その
下の酸化膜，窒化膜，メタル膜等をドライエッチング
し、その後、レジストやエッチング残渣（ポリマ等）を
除去するために、処理液を用いる洗浄処理方法が広く採
用されている。ここで、処理液とは、例えば有機溶剤あ
るいは有機酸等や無機酸等の薬液とリンス液のことをい
う。

【０００３】従来のこの種の洗浄処理方法としては、
米国特許第４３００５８１号明細書に記載されているよ
うに、処理中はチャンバ内でウエハ等をカセットに入れ
た状態で一定の速度で回転させながら処理液を液状に供
給するスプレー式や、ウエハ等を処理液中に浸漬して
洗浄処理する浸漬式が採用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
従来のこの種の洗浄処理方法においては、図２６に示す
ような液体の流れに関する問題があった。すなわち、図
２６に示すように、処理液Ｌは、ウエハＷの表面Ｗａ上
に供給され、ウエハＷの表面に沿って流れる。この状態
において、処理液Ｌの速度は、処理液Ｌの粘性と処理液
ＬとウエハＷとの摩擦によって、図２６に示すように分
布する。このため、ウエハＷ等に供給された処理液全体
の流れはあるものの、ウエハＷの表面Ｗａに接触する極
薄い処理液Ｌの層Ｌａ（反応層）は、処理に供された後
もウエハＷ等の表面Ｗａに停留する。したがって、使用
済みの処理液Ｌが新規の処理液と置換されにくく、ウエ
ハＷ等の表面での化学反応が低下し、処理に多くの時間
を要するという問題があった。更に、単にスプレー供給
するだけでは、反応層の処理液の入れ換えが起こりにく
いため、処理液の使用量が多くなるなどの問題があっ
た。

【０００５】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理効率の向上及び処理液の使用量の削減を図れる
ようにした液処理方法及び液処理装置を提供することを
目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の液処理方法は、被処理体に処理液を
供給して、被処理体表面に処理液を接触させる工程と、
上記被処理体の表面に接触する処理液を除去する工程
と、を有し、上記工程を順次繰り返し行うことを特徴と
する。

【０００７】また、請求項２記載の液処理方法は、被
処理体に処理液を供給して、被処理体の表面に処理液を
接触させる工程と、上記被処理体の表面に処理液を噴射
して、被処理体の表面に接触する処理液を新規な処理液
に置換する工程と、を有し、上記工程を順次繰り返し行
うことを特徴とする。この場合、上記被処理体と該被処
理体の表面に処理液を噴射する処理液噴射手段とを相対
的に移動させて、被処理体の表面に接触する処理液を新
規な処理液に置換する方が好ましい（請求項３）。

【０００８】上記請求項１記載の液処理方法において、
上記処理液を除去する工程は、上記処理液の供給を停止
させて行うことも可能である（請求項４）。

【０００９】また、上記請求項１ないし４のいずれかに
記載の液処理方法において、上記工程を順次繰り返し行
う際に、同一の処理液を上記被処理体の表面に接触させ
る方が好ましい（請求項５）。

【００１０】また、上記請求項１ないし５のいずれかに
記載の液処理方法において、上記被処理体を回転させな
がら被処理体に処理液を供給して、被処理体の表面に処
理液を接触させることも可能である（請求項６）。

【００１１】また、上記請求項１ないし６のいずれかに
記載の液処理方法において、上記処理液を所定温度に温
度調整して供給する方がよく、好ましくは、処理液の処
理能力が十分に発揮される温度に対応させる方がよい
（請求項７）。また、高温で処理能力を十分に発揮する
処理液においては、被処理体に接触する処理液温度は高
温の方が好ましい。

【００１２】また、上記請求項１，４ないし７のいずれ
かに記載の液処理方法において、上記被処理体を回転さ
せながら該被処理体の表面に接触している処理液を除去
することも可能である（請求項８）。この場合、上記被
処理体表面上の処理液の除去を、被処理体の回転速度を
急激に減少させることによって行うことができる（請求
項９）。また、上記処理液を除去する際の被処理体の回
転速度が、処理液を被処理体に接触する際の被処理体の
回転速度よりも高速回転である方が好ましい（請求項１
０）。また、上記高速回転の際に、処理液の供給を停止
させるようにしてもよい（請求項１１）。

【００１３】また、上記請求項１，４ないし７のいずれ
かに記載の液処理方法において、上記被処理体の表面に
気体を噴射して、該被処理体の表面に接触している処理
液を除去することも可能である（請求項１２）。この場
合、上記被処理体と該被処理体の表面に気体を噴射する
気体噴射手段とを相対的に移動させて、被処理体の表面
に接触している処理液を除去する方が好ましい（請求項
１３）。また、上記気体を所定温度に温度調整して噴射
する方が好ましい（請求項１４）。

【００１４】また、上記請求項１，４ないし７のいずれ
かに記載の液処理方法において、上記被処理体の表面に
接触する処理液を吸引により除去することも可能である
（請求項１５）。この場合、上記被処理体と該被処理体
の表面から処理液を吸引する処理液吸引手段とを相対的
に移動させて、被処理体の表面に接触する処理液を除去
する方が好ましい（請求項１６）。

【００１５】また、請求項１７記載の液処理装置は、被
処理体保持手段と、上記被処理体に処理液を供給する処
理液供給手段と、上記被処理体表面に接触する処理液を
除去する処理液除去手段と、少なくとも上記処理液を供
給するタイミングと処理液を除去するタイミングを順次
繰り返し行うべく上記処理液供給手段の供給タイミング
及び上記処理液除去手段の除去タイミングを制御する制
御手段と、を具備することを特徴とする。

【００１６】上記請求項１７記載の液処理装置におい
て、上記被処理体保持手段は、被処理体を回転可能に保
持する回転駆動手段を具備する方が好ましい（請求項１
８）。

【００１７】また、上記請求項１７又は１８記載の液処
理装置において、上記処理液供給手段から供給される処
理液の温度調整手段を更に具備する方が好ましい（請求
項１９）。

【００１８】また、上記請求項１７ないし１９のいずれ
かに記載の液処理装置において、上記処理液除去手段
に、被処理体に対して気体を噴射する気体噴射ノズルを
具備してもよい（請求項２０）。この場合、被処理体保
持手段と気体噴射ノズルとを相対的に移動可能に形成す
る方が好ましい（請求項２１）。また、上記処理液除去
手段に、気体の温度調整手段を具備する方が好ましい
（請求項２２）。

【００１９】また、上記請求項１７記載の液処理装置に
おいて、上記処理液除去手段に、被処理体に対して処理
液を噴射する処理液噴射ノズルを具備するようにしても
よい（請求項２３）。この場合、被処理体保持手段と処
理液噴射ノズルとを相対的に移動可能に形成する方が好
ましい（請求項２４）。また、上記処理液除去手段に、
処理液の温度調整手段を具備する方が好ましい（請求項
２５）。

【００２０】また、上記請求項１７記載の液処理装置に
おいて、上記処理液除去手段に、被処理体表面に接触す
る処理液を吸引する処理液吸引ノズルを具備するように
してもよい（請求項２６）。この場合、被処理体保持手
段と処理液吸引ノズルとを相対的に移動可能に形成する
方が好ましい（請求項２７）。

【００２１】また、上記請求項１７、１８ないし２５の
いずれかに記載の液処理装置において、上記処理液除去
手段が、被処理体を回転可能に保持する回転駆動手段を
具備する被処理体保持手段を兼用することも可能である
（請求項２８）。

【００２２】また、上記請求項１８、２０ないし２８の
いずれかに記載の液処理装置において、制御手段によ
り、回転駆動手段の回転速度を制御可能に形成する方が
好ましい（請求項２８）。

【００２３】請求項１，２，８，１２，１５，１７，１
８，２０，２３，２６又は２８記載の発明によれば、被
処理体に処理液を供給して、被処理体表面に処理液を接
触させる工程と、被処理体の表面に接触する処理液を除
去する工程を順次繰り返し行うことにより、被処理体表
面に接触して化学反応し反応性が弱くなった（反応速度
が遅くなった）処理済みの処理液を反応性が強い新規な
処理液に頻繁に置換することができる。したがって、処
理効率の向上が図れると共に、少ない処理液によって所
望の液処理を行うことができる。

【００２４】請求項３，１３，１６，２１，２４又は２
７記載の発明によれば、被処理体と該被処理体に接触す
る処理液を除去する処理液除去手段とを相対的に移動さ
せて、被処理体の表面に接触する処理液を新規な処理液
に置換することにより、処理液の除去を迅速かつ確実に
行うことができ、更に処理効率の向上が図れる。

【００２５】請求項４記載の発明によれば、処理液を接
触させる工程の後、処理液の供給を停止させると共に、
被処理体の表面に接触する処理液を除去することによ
り、処理液の使用量を少なくすることができる。

【００２６】請求項５記載の発明によれば、処理液を接
触させる工程と処理液を除去する工程を繰り返し行う際
に、同一の処理液を被処理体の表面に接触させることに
より、同一の処理液の接触と除去の繰り返しができ、被
処理体表面上での同一反応の反応速度を速くすることが
できる。

【００２７】請求項６記載の発明によれば、被処理体を
回転させながら被処理体に処理液を供給して、被処理体
の表面に処理液を接触させるので、被処理体の表面に均
一に処理液を接触させることができる。

【００２８】請求項７，１４，１９，２２，又は２５記
載の発明によれば、処理液を所定温度に温度調整するこ
とにより、処理中に処理液が、処理に最適な温度以下に
なるのを防止することができる。また、処理液除去に供
される気体又は処理液の温度を所定温度に温度調整する
ことにより、処理液除去中に処理液が、処理に最適な温
度以下になるのを防止することができる。

【００２９】請求項９，２９記載の発明によれば、被処
理体表面上の処理液の除去を、被処理体の回転速度を急
激に減少させることによって行うことにより、被処理体
からの処理液の液切れを向上させることができるので、
被処理体表面上の処理液を除去し易くすることができ
る。

【００３０】請求項１０，２９記載の発明によれば、処
理液を除去する際の被処理体の回転速度を、処理液を被
処理体に接触する際の被処理体の回転速度よりも高速回
転とすることにより、遠心力が大きくなり、更に被処理
体表面上の処理液を除去し易くすることができる。この
場合、高速回転の際に、処理液の供給を停止させること
により、処理液の使用量を少なくすることができる（請
求項１１）。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について
説明する。

【００３２】◎第一実施形態図１は、この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示
す概略構成図である。第一実施形態における液処理装置
は、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷと
いう）を回転可能に保持する保持手段であるスピンチャ
ック１と、このスピンチャック１を回転駆動する回転駆
動手段であるモータ２と、スピンチャック１によって保
持されたウエハＷの表面に処理液例えばレジスト剥離
液，ポリマ除去液等の薬液の供給手段３Ａ（薬液供給手
段）と、薬液の溶剤例えばイソプロピルアルコール（Ｉ
ＰＡ）の供給手段３Ｂ（ＩＰＡ供給手段）とを具備する
処理液供給手段３と、例えば窒素（Ｎ₂）等の不活性ガ
スや清浄空気等の乾燥気体（図面ではＮ₂の場合を示
す）の供給手段４（以下にＮ₂供給手段４という）と、
少なくとも処理液を供給するタイミングと処理液を除去
するタイミングを制御する制御手段５とで主要部が構成
されている。ここでいう薬液の溶剤とは、薬液と反応す
ることなく、その後の工程で使用されるリンス液とも反
応することがない液体で、この薬液の溶剤により、ウエ
ハＷやチャンバに付着した薬液を大まかに洗い流すこと
ができるものであればよい。

【００３３】この場合、上記スピンチャック１及びこの
スピンチャック１によって保持されるウエハＷの周囲及
び下部には、カップ６が配設されており、このカップ６
によって薬液やＩＰＡが外部に飛散するのを防止してい
る。なお、カップ６の底部には、排液口７と排気口８が
設けられている。

【００３４】上記処理液供給手段３は、移動機構９ａに
よってウエハＷの上方に水平移動可能に、またウエハＷ
の表面近傍に近接するため、垂直移動も可能に構成され
て、ウエハＷの上面に処理液例えば薬液を供給（吐出）
する薬液供給ノズル３ａを具備しており、この薬液供給
ノズル３ａと薬液供給源３ｂとを接続する薬液供給管路
３ｃに、薬液供給源３ｂ側から順に、薬液供給ポンプ３
ｄ，フィルタ３ｅ，薬液の温度を所定温度に温度調整す
る温度コントローラ３ｆ及び開閉弁３ｇが介設されてい
る。なお、この場合、薬液供給管路３ｃの開閉弁３ｇと
薬液供給ノズル３ａとの間には、切換弁（図示せず）を
介して図示しないＩＰＡ供給源が接続されている。

【００３５】また、Ｎ₂供給手段４は、移動機構９ｂに
よってウエハＷの上方に水平移動可能及び垂直移動可能
に構成されて、ウエハＷの上面にＮ₂ガスを供給（噴
射）するＮ₂ガス供給ノズル４ａを具備しており、この
Ｎ₂ガス供給ノズル４ａとＮ₂ガス供給源４ｂとを接続す
るＮ₂ガス供給管路４ｃに、Ｎ₂ガス供給源４ｂ側から順
に、流量コントローラ４ｄ，フィルタ４ｅ，開閉弁４ｆ
及びＮ₂ガスの温度を所定温度に温度調整する温度調整
手段である温度コントローラ４ｇが介設されている。な
お、この場合、Ｎ₂ガス供給管路４ｃの温度コントロー
ラ４ｇとＮ₂ガス供給ノズル４ａとの間には、切換弁
（図示せず）を介して図示しないリンス液例えば純水の
供給源が接続されている。

【００３６】一方、上記制御手段５は、例えば中央演算
処理装置（ＣＰＵ）にて形成されており、この制御手段
５（以下にＣＰＵ５という）からの制御信号が、上記モ
ータ２、薬液供給ノズル３ａの移動機構９ａ及びＮ₂ガ
ス供給ノズル４ａの移動機構９ｂ等の駆動系と、薬液供
給手段３の供給ポンプ３ｄ，温度コントローラ３ｆ及び
開閉弁３ｇ、Ｎ₂ガス供給手段４の流量コントローラ４
ｄ，開閉弁４ｆ及び温度コントローラ４ｇに伝達される
ように構成されている。

【００３７】したがって、ＣＰＵ５からの制御信号によ
ってモータ２が所定の回転数例えば１〜５００ｒｐｍの
低速回転と１００〜３０００ｒｐｍの高速回転が切り換
え可能となっている。この場合、低速回転の回転数と高
速回転の回転数の一部が重複しているが、薬液の粘性に
対応して低速回転と高速回転が設定され、同一の薬液の
場合には、低速回転と高速回転とは重複しない（以下に
説明する場合も同様である）。ここでいう低速回転と
は、ウエハＷ上に接触した薬液を遠心力で振り切るとき
の回転数に比較して低速という意味で、逆に高速回転と
は、供給された薬液がウエハＷ上で十分に反応できる程
度に接触可能な回転数に比較して高速という意味であ
る。

【００３８】なお、停止は低速回転の一態様として、低
速回転に含まれ、この場合にも反応の促進に寄与する。
また、高速回転から低速回転へ変化させる際に、急停止
動作又は急激な減速動作を挿入することによってウエハ
からの液切れを向上させることもできる。

【００３９】また、ＣＰＵ５からの制御信号によって薬
液供給ノズル３ａ又はＮ₂ガス供給ノズル４ａがウエハ
Ｗの上方を水平移動かつ垂直移動つまりウエハＷに対し
て相対移動可能になっている。更に、ＣＰＵ５からの制
御信号によって所定量の薬液やＮ₂ガスがウエハＷに供
給されるように構成されている。なお、図示しないが、
ＩＰＡの供給手段や純水の供給手段にも同様にＣＰＵ５
からの制御信号が伝達されて、所定量のＩＰＡや純水が
供給されるように構成されている。

【００４０】次に、第一実施形態の液処理装置を用いた
液処理方法について、図１ないし図６を参照して説明す
る。

【００４１】まず、図示しない搬送手段によってウエハ
Ｗをスピンチャック１上に搬送し、ウエハＷをスピンチ
ャック１にて保持する。そして、移動機構９ａの駆動に
より薬液供給ノズル３ａをウエハＷの中心部上方に移動
し、この状態でモータ２の駆動によりスピンチャック１
及びウエハＷを低速回転例えば１〜５００ｒｐｍの回転
数で回転すると共に、薬液供給ノズル３ａから所定量の
薬液Ｌ（例えばポリマ除去液）を吐出し、この状態を数
十秒間行ってウエハ表面に薬液Ｌを接触させる｛ステッ
プ３−１（第１回薬液供給工程；図２（ａ）参照）｝。
これにより薬液Ｌであるポリマ除去液が化学反応してウ
エハ表面に付着するポリマの一部を溶融して除去する。
なお、高温での薬液処理を行う場合には、温度コントロ
ーラ３ｆによって薬液Ｌの温度を最適処理温度より若干
高めに調整することにより、薬液処理を好適に行うこと
ができる。

【００４２】次に、薬液Ｌの吐出を停止すると共に、ス
ピンチャック１及びウエハＷを高速回転例えば１００〜
３０００ｒｐｍの回転数で回転させて、ウエハ表面に停
留（接触）する処理済みの薬液Ｌを遠心力によって振り
切って外方に飛散させて除去する｛ステップ３−２（第
１回薬液除去工程；図２（ｂ）参照）｝。この場合、保
持手段であるスピンチャック１が回転することで、薬液
除去手段を構成している。

【００４３】ウエハ表面の薬液Ｌの振り切り除去を数秒
間行った後、再びスピンチャック１及びウエハＷを低速
回転例えば１〜５００ｒｐｍの回転数で回転すると共
に、薬液供給ノズル３ａから所定量の薬液Ｌを吐出し、
この状態を数十秒間行ってウエハ表面に薬液Ｌを接触さ
せる｛ステップ３−３（第２回薬液供給工程；図２
（ｃ）参照）｝。これにより薬液Ｌであるポリマ除去液
が化学反応してウエハ表面に付着する残りのポリマの一
部を溶融して除去する。

【００４４】２回目の薬液供給を行った後、上記と同様
に、薬液Ｌの吐出を停止すると共に、スピンチャック１
及びウエハＷを高速回転例えば１００〜３０００ｒｐｍ
の回転数で回転させ、この状態を数秒間行ってウエハ表
面に停留する処理済みの薬液Ｌを遠心力によって振り切
って外方に飛散させて除去する｛ステップ３−４（第２
回薬液除去工程；図２（ｄ）参照）｝。

【００４５】以後、上記と同様の薬液供給工程と薬液除
去工程を順次ｎ回（数回ないし数千回）繰り返し行って
薬液供給・除去処理を終了する｛ステップ３−（２ｎ−
１）、ステップ３−２ｎ｝。

【００４６】このようにウエハＷの表面に薬液Ｌを供給
（接触）させる工程と、ウエハＷの表面に接触する薬液
Ｌを除去する工程を順次繰り返し行うことにより、ウエ
ハＷの表面に接触して化学反応し反応性が弱くなった処
理済み（反応済み）の薬液Ｌを未反応の新規な薬液Ｌに
頻繁に置換することができる。

【００４７】ここで、処理済みあるいは反応済みとは、
反応が十分に進み、反応性が低くなった（反応速度が遅
くなった）状態をいい、新規あるいは未反応とは、未だ
反応を行っていず反応性が高い状態及び反応は行われた
がフィルタ等により所望の反応性まで回復した状態をい
う。

【００４８】次に、薬液供給管路３ｃに介設される図示
しない切換弁を切り換えて、スピンチャック１及びウエ
ハＷを低速回転例えば１〜５００ｒｐｍの回転数で回転
すると共に、薬液供給ノズル３ａから所定量の薬液Ｌの
溶剤（例えばＩＰＡ液）を吐出し、この状態を数十秒間
行ってウエハ表面にＩＰＡを接触させる｛ステップ５−
１（第１回ＩＰＡ供給工程；図４（ａ）参照）｝。これ
によりＩＰＡがウエハ表面に付着する薬液Ｌ（ポリマ除
去液）の一部を溶融して洗い流す。

【００４９】次に、ＩＰＡの吐出を停止すると共に、ス
ピンチャック１及びウエハＷを高速回転例えば１００〜
３０００ｒｐｍの回転数で回転させ、この状態を数秒間
行ってウエハ表面に停留するＩＰＡを遠心力によって振
り切って外方に飛散させて除去する｛ステップ５−２
（第１回ＩＰＡ除去工程；図４（ｂ）参照）｝。

【００５０】上記ＩＰＡの供給工程とＩＰＡ除去工程を
図４（ｃ），（ｄ）に示すように繰り返し｛ステップ５
−３、ステップ５−４｝、以下同様に所定回（数回ない
し数千回）繰り返し行ってＩＰＡ供給・除去処理を終了
する｛ステップ５−（２ｎ−１）、ステップ５−２
ｎ｝。

【００５１】上記のようにして、薬液供給・除去処理す
なわち第１〜第ｎ回薬液供給と第１〜第ｎ回薬液除去を
順次繰り返す薬液供給・除去工程と、第１〜所定回ＩＰ
Ａ供給と第１〜所定回ＩＰＡ除去を順次繰り返すＩＰＡ
供給・除去工程を行って、ウエハ表面に付着するポリマ
を除去する。

【００５２】図６におけるステップ６−１、ステップ６
−２に示すようにして、ウエハ表面に付着したポリマを
除去した後、薬液供給ノズル３ａの移動機構９ａを駆動
して薬液供給ノズル３ａを待機位置に後退させる一方、
純水の供給を兼用するＮ₂ガス供給ノズル４ａをウエハ
Ｗの上方中心部に移動する。そして、ウエハＷを回転さ
せつつリンス液である純水の供給源（図示せず）から供
給される純水をウエハＷに供給して、ウエハ表面に残留
するＩＰＡを除去する｛ステップ６−３（リンス処
理）｝。

【００５３】上記のようにしてリンス処理を行った後、
Ｎ₂ガス供給管路４ｃに介設される切換弁（図示せず）
を切り換えて、Ｎ₂ガス供給ノズル４ａからウエハ表面
にＮ₂ガスを供給（噴射）して、ウエハ表面に付着する
純水の水滴を除去する｛ステップ６−４（乾燥処
理）｝。この場合、温度コントローラ４ｇによってＮ₂
ガスの温度を室温より高めに調整することにより、乾燥
処理を効率よく行うことができる。また、ウエハＷの回
転と、Ｎ₂ガス供給ノズル４ａを水平方向に往復移動さ
せることとを組み合せることにより、更に乾燥処理を迅
速に行うことができる。乾燥処理後、ウエハＷをスピン
チャック１上から搬出して処理を終了する｛ステップ６
−５｝。

【００５４】上記第一実施形態における薬液供給（薬液
接触）と薬液除去の繰り返しによる効果を調べるため
に、試料用のウエハの表面に薬液を接触させる工程のみ
を行う場合と、ウエハの表面に薬液を接触させる工程
と、ウエハを高速回転させて、薬液を除去する工程とを
繰り返し例えば数十回行ってエッチングレート（Å／ｍ
ｉｎ）を調べたところ、薬液供給（接触）のみ行った場
合に比べて約２．１倍のエッチングレートが得られた。

【００５５】なお、上記実施形態では、この発明に係る
液処理装置を枚葉装置に適用した場合について説明した
が、スクラバ装置にも適用可能である。

【００５６】◎第二実施形態図７は、この発明の液処理方法の第二実施形態における
薬液供給工程及び薬液除去工程を示す概略側面図、図８
は、第二実施形態における薬液供給及び薬液除去工程の
手順を示すフローチャートである。なお、第二実施形態
における構成要素は、図１に示した上記第一実施形態と
同じであるので、説明は省略する。

【００５７】第二実施形態は、薬液Ｌの供給・除去処理
の迅速化を図れるようにした場合で、薬液の供給を停止
させずに薬液の除去を可能にした場合である。

【００５８】すなわち、第二実施形態においては、図７
及び図８に示すように、まず、第一実施形態と同様に、
移動機構９ａの駆動により薬液供給ノズル３ａをウエハ
Ｗの中心部上方に移動し、この状態でモータ２の駆動に
よりスピンチャック１及びウエハＷを低速回転例えば１
〜５００ｒｐｍの回転数で回転すると共に、薬液供給ノ
ズル３ａから所定量の薬液Ｌ（例えばポリマ除去液）を
吐出し、この状態を数十秒間行ってウエハ表面に薬液Ｌ
を接触させる｛ステップ８−１（第１回薬液供給工程；
図７（ａ）参照）｝。

【００５９】次に、薬液Ｌの吐出を続行したまま、スピ
ンチャック１及びウエハＷを高速回転例えば１００〜３
０００ｒｐｍの回転数で回転させて、ウエハ表面に停留
する処理済みの薬液Ｌを遠心力によって振り切って外方
に飛散させて除去する｛ステップ８−２（第１回薬液除
去工程；図７（ｂ）参照）｝。この場合、保持手段であ
るスピンチャック１が回転することで、薬液除去手段を
構成している。

【００６０】上記薬液供給工程と薬液除去工程を図７
（ｃ），（ｄ）に示すように繰り返し｛ステップ８−
３、ステップ８−４｝、以下同様にｎ回（数回ないし数
千回）繰り返し行って薬液供給・除去処理を終了する
｛ステップ８−（２ｎ−１）、ステップ８−２ｎ｝。な
お、薬液供給工程と薬液除去工程における薬液の供給量
を適宜調整するようにしてもよい。例えば、薬液除去工
程時における薬液Ｌの供給量を薬液供給工程における薬
液Ｌの供給量より少なくすることにより、薬液Ｌの使用
量を少なくすることができる。

【００６１】上記のようにして、ウエハ表面に付着する
ポリマを除去した後、上記第一実施形態と同様に、ＩＰ
Ａの供給工程とＩＰＡ除去工程を順次所定回（数回ない
し数千回）繰り返し行ってＩＰＡ供給・除去処理を行
い、次に、ウエハ表面に純水を供給してリンス処理を行
った後、ウエハ表面にＮ₂ガスを供給して乾燥処理を行
う。このように薬液Ｌの吐出を続行したままウエハＷを
回転し、処理済み（反応済み）の液を振り切る際には、
所定温度に維持された薬液ＬがウエハＷの周囲の空間の
温度を維持するので、ウエハ自体の温度低下も抑えるこ
とができ、薬液処理を効果的に行うことができる。

【００６２】なお、第二実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。

【００６３】◎第三実施形態図９は、この発明の液処理方法の第三実施形態における
薬液供給工程及び薬液除去工程を示す概略側面図、図１
０は、第三実施形態における薬液供給及び薬液除去工程
の手順を示すフローチャートである。

【００６４】第三実施形態は、気体を用いて薬液の除去
を行うようにした場合である。この場合、図示しない保
持手段によって例えばウエハ表面が垂直状態に保持され
るウエハＷの上方両側に、薬液供給手段３Ａの一部を形
成する薬液供給ノズル３ａを配設し、また、ウエハＷの
両側外方に薬液除去手段３Ｃの一部を形成する気体例え
ばＮ₂ガスの噴射ノズル３ｈをウエハ表面に対して平行
移動（水平及び垂直移動）可能に配設する。なお、薬液
供給ノズル３ａは、例えばスプレーノズルにて形成され
ており、薬液の供給形態は、上記第一実施形態の薬液供
給手段３Ａと同様に構成されている。また、Ｎ₂ガス噴
射ノズル３ｈは、例えばスリット状の噴孔を有するナイ
フノズルにて形成されており、Ｎ₂ガスの供給形態は、
上記第一実施形態におけるＮ₂ガス供給手段４と同様に
構成されている。このように形成されるナイフノズル３
ｈから噴射されるＮ₂ガスは、ウエハＷの表面に沿って
ウエハ表面の極薄い処理液層（反応層）を効率よく除去
できるように形成されている。

【００６５】次に、第三実施形態における薬液供給処理
と薬液除去処理について、図９及び図１０を参照して説
明する。

【００６６】まず、薬液供給ノズル３ａから所定量の薬
液Ｌ（例えばポリマ除去液）をスプレー状に供給してウ
エハ表面に薬液Ｌを接触させる｛ステップ１０−１（第
１回薬液供給工程；図９（ａ）参照）｝。次に、薬液Ｌ
の供給を停止し、Ｎ₂ガス噴射ノズル３ｈをウエハＷに
対して平行移動（水平及び垂直移動）させつつ、Ｎ₂ガ
ス噴射ノズル３ｈからウエハＷに向けてＮ₂ガスを供給
（噴射）させて、ウエハ表面に停留する処理済みの薬液
を除去する｛ステップ１０−２（第１回薬液除去工程；
図９（ｂ）参照）｝。

【００６７】上記薬液供給工程と薬液除去工程を図９
（ｃ），（ｄ）に示すように繰り返し｛ステップ１０−
３，ステップ１０−４｝、以下同様にｎ回（数回ないし
数十回）繰り返し行って薬液供給・除去処理を終了する
｛ステップ１０−（２ｎ−１）、ステップ１０−２
ｎ｝。

【００６８】上記のようにして、ウエハ表面に付着する
ポリマを除去した後、上記薬液供給ノズル３ａとＮ₂ガ
ス噴射ノズル３ｈを用いて、上記第一実施形態と同様
に、ＩＰＡの供給工程とＩＰＡ除去工程を順次所定回
（数回ないし数千回）繰り返し行ってＩＰＡ供給・除去
処理を行い、次に、ウエハ表面に純水を供給してリンス
処理を行った後、ウエハ表面にＮ₂ガスを供給して乾燥
処理を行う。この場合、薬液除去に使用されるＮ₂ガス
噴射ノズル３ｈを用いてウエハＷの乾燥処理を行うよう
にすれば、構成部材の削減が図れると共に、装置の小型
化が図れる。

【００６９】なお、上記説明では、ウエハＷを垂直状態
に保持して薬液供給・薬液除去処理→ＩＰＡ供給・ＩＰ
Ａ除去処理→リンス処理→乾燥処理を行う場合について
説明したが、上記第一実施形態と同様にウエハＷを水平
状態に保持した状態においても、同様に処理することが
できる。この場合、ナイフノズルに代えてＮ₂ガス噴射
ノズルに乾燥処理用のＮ₂ガス供給ノズル４ａ（図１参
照）を用いることもできる。

【００７０】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。

【００７１】上記第三実施形態における薬液供給（接
触）工程と、Ｎ₂ガスの噴射による薬液除去の繰り返し
を行ってエッチングレート（Å／ｍｉｎ）を調べたとこ
ろ、ウエハを薬液に浸漬させて、処理する場合に比べ
て、約３．４倍のエッチングレートが得られた。なお、
この場合、ウエハを薬液に浸漬させてウエハの表面に薬
液を接触させる工程のみの場合は、ウエハを薬液中に数
分間浸漬した。これに対し、ウエハを薬液に浸漬して薬
液を接触させる工程と、ウエハにＮ₂ガスを噴射させて
薬液を除去する工程とを繰り返し行う場合は、浸漬時間
を数十秒、Ｎ₂ガス噴射時間を数秒、繰り返し回数を数
十回行った。

【００７２】◎第四実施形態図１１は、この発明の液処理方法の第四実施形態におけ
る薬液供給工程及び薬液除去工程を示す概略側面図、図
１２は、第四実施形態における薬液供給及び薬液除去工
程の手順を示すフローチャートである。

【００７３】第四実施形態は、気体を用いて薬液を除去
する別の形態である。この場合、ウエハＷの処理面が鉛
直になるように回転可能に保持する点、及び薬液除去手
段の一部を形成する気体例えばＮ₂ガスの噴射ノズル３i
を、ウエハＷの上方に水平移動可能に配設した点、以外
は上記第三実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。

【００７４】第四実施形態において、薬液供給及び薬液
除去を行う場合は、上記第三実施形態と同様に、まず、
薬液供給ノズル３ａから所定量の薬液Ｌ（例えばポリマ
除去液）をスプレー状に供給してウエハ表面に薬液Ｌを
接触させる｛ステップ１２−１（第１回薬液供給工程；
図１１（ａ）参照）｝。次に、薬液Ｌの供給を停止し、
Ｎ₂ガス噴射ノズル３iをウエハＷに対して平行移動（水
平及び垂直移動）させつつ、Ｎ₂ガス噴射ノズル３iから
ウエハＷに向けてＮ₂ガスを噴射させて、ウエハＷの上
半分の領域Ａの表面に停留する処理済み、つまり、ポリ
マ除去（反応）が十分進み、反応性が弱くなった（反応
速度が遅くなった）薬液（以下に、処理済み薬液とい
う）Ｌを除去する｛ステップ１２−２（第１回薬液除去
工程；図１１（ｂ）参照）｝。

【００７５】薬液Ｌを除去した後、ウエハＷを１８０度
回転して、ウエハＷの領域Ｂを上方に位置させ｛ステッ
プ１２−３｝、この状態で薬液供給ノズル３ａから新規
薬液Ｌ、つまり、ポリマ除去（反応）を行ってなく反応
性が強い薬液（以下に新規薬液という）をスプレー状に
供給してウエハ表面に薬液Ｌを接触させる｛ステップ１
２−４（第２回薬液供給工程；図１１（ｃ）参照）｝。
次に、薬液Ｌの供給を停止し、Ｎ₂ガス噴射ノズル３iを
ウエハＷに対して平行移動（水平及び垂直移動）させつ
つ、Ｎ₂ガス噴射ノズル３iからウエハＷに向けてＮ₂ガ
スを噴射させて、ウエハＷの領域Ｂの表面に停留する処
理済みの薬液Ｌを除去する｛ステップ１２−５（第２回
薬液除去工程；図１１（ｄ）参照）｝。

【００７６】上記薬液供給工程と薬液除去工程を順次、
ｎ回（数回ないし数千回）繰り返し行って薬液供給・除
去処理を終了する｛ステップ１２−（２ｎ−１）、ステ
ップ１２−２ｎ｝。

【００７７】上記のようにして、ウエハ表面に付着する
ポリマを除去した後、上記薬液供給ノズル３ａとＮ₂ガ
ス噴射ノズル３ｉを用いて、上記第一実施形態と同様
に、ＩＰＡの供給工程とＩＰＡ除去工程を順次所定回
（数回ないし数千回）繰り返し行ってＩＰＡ供給・除去
処理を行い、次に、ウエハ表面に純水を供給してリンス
処理を行った後、ウエハ表面にＮ₂ガスを供給して乾燥
処理を行う。この場合、Ｎ₂ガスの温度を所定温度に維
持することで、ウエハＷの表面温度を低下させることな
くウエハＷの処理を効率的に行うことができる。

【００７８】なお、第四実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。

【００７９】◎第五実施形態図１３は、この発明の液処理方法の第五実施形態におけ
る薬液供給工程及び薬液除去工程を示す概略側面図、図
１４は、第五実施形態における薬液供給工程及び薬液除
去工程の手順を示すフローチャートである。

【００８０】第五実施形態は、処理液である薬液を用い
て反応済み薬液を除去すると共に、新規な薬液と置換す
るようにした場合である。この場合、薬液供給手段３Ａ
の一部を形成する例えば、上記第四実施形態の薬液供給
ノズル３ａを、薬液除去手段３Ｃの一部を形成する薬液
除去用の薬液供給ノズルとして兼用させ、薬液供給時に
は、薬液Ｌの吐出量（吐出圧）を少なくし（図１３
（ａ），（ｃ）参照）、薬液除去時には、薬液Ｌの吐出
量（吐出圧）を多くするように構成する（図１３
（ｂ），（ｄ）参照）。

【００８１】第五実施形態において、薬液供給及び薬液
除去を行う場合は、上記第四実施形態と同様に、まず、
薬液供給ノズル３ａから所定量の新規薬液Ｌ（例えばポ
リマ除去液）をスプレー状に供給してウエハ表面に薬液
Ｌを接触させる｛ステップ１４−１（第１回薬液供給工
程；図１３（ａ）参照）｝。次に、薬液Ｌの供給量｛吐
出量（吐出圧）｝を多くして、ウエハＷに供給（噴射）
させて、ウエハＷの上半分の領域Ａの表面に停留する反
応性の薄れた処理済み薬液Ｌを除去すると共に、反応速
度の速い新規薬液Ｌと置換する｛ステップ１４−２（第
１回薬液除去工程；図１３（ｂ）参照）｝。

【００８２】処理に供された薬液Ｌを除去した後、ウエ
ハＷを１８０度回転して、ウエハＷの領域Ｂを上方に位
置させ｛ステップ１４−３｝、この状態で薬液供給ノズ
ル３ａから再び薬液Ｌをスプレー状に供給してウエハ表
面に薬液Ｌを接触させる｛ステップ１４−４（第２回薬
液供給工程；図１３（ｃ）参照）｝。次に、薬液Ｌの供
給量｛吐出量（吐出圧）｝を多くして、ウエハＷに供給
（噴射）させて、ウエハＷの領域Ｂの表面に停留する反
応性の薄れた処理済み薬液Ｌを除去すると共に、反応速
度の速い新規な薬液Ｌと置換する｛ステップ１４−５
（第２回薬液除去工程；図１３（ｄ）参照）｝。

【００８３】上記薬液供給工程と薬液除去工程を順次、
ｎ回（数回ないし数千回）繰り返し行って薬液供給・除
去処理を終了する｛ステップ１４−（２ｎ−１）、ステ
ップ１４−２ｎ｝。

【００８４】上記のようにして、ウエハ表面に付着する
ポリマを除去した後、上記薬液供給ノズル３ａを用い
て、上記第一実施形態と同様に、ＩＰＡの供給工程とＩ
ＰＡ除去工程を順次所定回（数回ないし数千回）繰り返
し行ってＩＰＡ供給・除去処理を行い、次に、ウエハ表
面に純水を供給してリンス処理を行った後、ウエハ表面
にＮ₂ガスを供給して乾燥処理を行う。

【００８５】なお、第五実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。また、上記説明では、薬液除去手段３Ｃを薬液供給
ノズル３ａと兼用させる場合について説明したが、上記
第四実施形態における薬液除去手段３ＣのＮ₂ガス噴射
ノズル３iと同様なノズルからウエハ表面に薬液を噴射
して処理に供した薬液を除去すると共に、新規な薬液に
置換するようにしてもよい。この方法によれば、常にウ
エハ表面に新規薬液を供給することになるので、ウエハ
表面上の反応は常に活性化される。よって、処理時間の
短縮などの効果も生じる。

【００８６】◎第六実施形態図１５は、この発明の第六実施形態の液処理方法におけ
る薬液供給部及び薬液除去部の要部を示す概略斜視図、
図１６は、第六実施形態における薬液供給工程と薬液除
去工程を示す概略側面図、図１７は、第六実施形態にお
ける薬液供給工程及び薬液除去工程の手順を示すフロー
チャートである。

【００８７】第六実施形態は、処理に供された薬液を吸
引によって除去するようにした場合である。この場合、
図１５に示すように、スピンチャック１によって保持さ
れたウエハＷの上方近傍に薬液除去手段３Ｃの一部を構
成する薬液吸引ノズル３ｊを配設し、この薬液吸引ノズ
ル３ｊに図示しない吸引装置例えば真空ポンプを接続し
て、ウエハ表面に供給されて処理に供された薬液Ｌを吸
引により除去し得るように構成されている。

【００８８】第六実施形態において、薬液供給及び薬液
除去を行う場合は、上記第一実施形態と同様に、まず、
薬液供給ノズル３ａから所定量の薬液Ｌ（例えばポリマ
除去液）を吐出（供給）すると共に、ウエハＷを回転し
て、ウエハ表面に薬液Ｌを接触させる｛ステップ１７−
１（第１回薬液供給工程；図１６（ａ）参照）｝。次
に、ウエハＷを回転させた状態で薬液Ｌの供給を停止し
て、薬液吸引ノズル３ｊを作動させて、ウエハ表面に停
留する反応性の薄れた処理済み薬液Ｌを吸引除去する
｛ステップ１７−２（第１回薬液除去工程；図１６
（ｂ）参照）｝。

【００８９】以後、上記薬液供給工程と薬液除去工程を
順次、ｎ回（数回ないし数千回）繰り返し行って薬液供
給・除去処理を終了する｛ステップ１７−３、ステップ
１７−４…ステップ１７−（２ｎ−１）、ステップ１７
−２ｎ｝。

【００９０】上記のようにして、ウエハ表面に付着する
ポリマを除去した後、上記薬液供給ノズル３ａと薬液吸
引ノズル３ｊを用いて、上記第一実施形態と同様に、Ｉ
ＰＡの供給工程とＩＰＡ除去工程を順次所定回（数回な
いし数千回）繰り返し行ってＩＰＡ供給・除去処理を行
い、次に、ウエハ表面に純水を供給してリンス処理を行
った後、ウエハ表面にＮ₂ガスを供給して乾燥処理を行
う。このように吸引した薬液を回収して再利用すること
もできる。

【００９１】なお、第六実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、説明は省略す
る。

【００９２】◎第七実施形態図１８は、この発明の第七実施形態に係る液処理装置の
概略構成図、図１９は、第七実施形態の液処理装置の要
部断面図である。図２５は、液処理装置の概略平面図で
ある。

【００９３】第七実施形態は、複数のウエハＷを同時に
洗浄・乾燥処理するために、洗浄・乾燥処理システムに
液処理装置を組み込んだ場合である。

【００９４】上記洗浄・乾燥処理システムは、図２５に
示すように、ウエハＷの複数枚例えば２５枚を鉛直状態
に収納する容器例えばキャリア１００を搬入、搬出する
ための搬入・搬出部２００と、ウエハＷを液処理すると
共に乾燥処理する処理部３００と、搬入・搬出部２００
と処理部３００との間に位置してウエハＷの受渡し、位
置調整及び姿勢変換等を行うインターフェース部４００
とで主に構成されている。なお、搬入・搬出部２００と
インターフェース部４００の側方には、空のキャリア１
００を一時収納するキャリアストック５００と、キャリ
ア１００をクリーニングするキャリアクリーナ６００が
配設されている。

【００９５】上記搬入・搬出部２００は、洗浄・乾燥処
理装置の一側端部に配置されており、キャリア搬入部２
０１とキャリア搬出部２０２が併設されている。

【００９６】上記インターフェース部４００には、キャ
リア載置台７００が配置されており、このキャリア載置
台７００と、搬入・搬出部２００との間には、キャリア
搬入部２０１から受け取ったキャリア１００をキャリア
載置台７００上又はキャリアストック５００に搬送し、
キャリア載置台７００上のキャリア１００をキャリア搬
出部２０２又はキャリアストック５００へ搬送するキャ
リア搬送手段８００が配設されている。また、インター
フェース部４００には、処理部３００と連なる搬送路９
００が設けられており、この搬送路９００にウエハ搬送
手段例えばウエハ搬送チャック１０が移動自在に配設さ
れている。このウエハ搬送チャック１０は、キャリア載
置台７００上のキャリア１００内から未処理のウエハＷ
を受け取った後、処理部３００に搬送し、処理部３００
にて処理された処理済みのウエハＷをキャリア１００内
に搬入し得るように構成されている。

【００９７】一方、上記処理部３００には、ウエハＷに
付着するレジストやポリマ等を除去するこの発明に係る
液処理装置２０（以下に処理装置２０という）が配設さ
れている。以下に、この発明に係る処理装置について詳
細に説明する。

【００９８】上記処理装置２０は、図１８に示すよう
に、ウエハＷを保持する回転可能な保持手段例えばロー
タ２１と、このロータ２１を回転駆動する回転駆動手段
であるモータ２２と、ロータ２１にて保持されたウエハ
Ｗを包囲する複数例えば２つの処理室（第１の処理室，
第２の処理室）内チャンバ２３，外チャンバ２４と、こ
れら内チャンバ２３又は外チャンバ２４内に収容された
ウエハＷに対して処理流体例えばレジスト剥離液，ポリ
マ除去液等の薬液の供給手段５０、この薬液の溶剤例え
ばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の供給手段６０、
リンス液例えば純水の供給手段（リンス液供給手段）７
０又は例えば窒素（Ｎ₂）等の不活性ガスや清浄空気等
の乾燥気体の供給手段８０と、内チャンバ２３を構成す
る内筒体２５と外チャンバ２４を構成する外筒体２６を
それぞれウエハＷの包囲位置とウエハＷの包囲位置から
離れた待機位置に切り換え移動する移動手段例えば第
１，第２のシリンダ２７，２８及びウエハＷを上記ウエ
ハ搬送チャック１０から受け取ってロータ２１に受け渡
すと共に、ロータ２１から受け取ってウエハ搬送チャッ
ク１０（図２５参照）に受け渡す被処理体受渡手段例え
ばウエハ受渡ハンド２９とで主要部が構成されている。

【００９９】上記のように構成される処理装置２０にお
けるモータ２２、処理流体の各供給手段５０，６０，７
０，８０の供給部、ウエハ受渡ハンド２９等は制御手段
例えば中央演算処理装置３０（以下にＣＰＵ３０とい
う）によって制御されている。

【０１００】上記ロータ２１は、水平に配設されるモー
タ２２の駆動軸２２ａ（図１９参照）に片持ち状に連結
されて、ウエハＷの処理面が鉛直になるように保持し、
水平軸を中心として回転可能に形成されている。この場
合、ロータ２１は、モータ２２の駆動軸２２ａにカップ
リング２２ｂを介して連結される回転軸２１Ａを有する
第１の回転板２１ａと、この第１の回転板２１ａと対峙
する第２の回転板２１ｂと、第１及び第２の回転板２１
ａ，２１ｂ間に架設される複数例えば４本の固定保持棒
３１と、これら固定保持棒３１に列設された保持溝（図
示せず）によって保持されたウエハＷの上部を押さえる
図示しないロック手段及びロック解除手段によって押え
位置と非押え位置とに切換移動する一対の押え棒３２と
で構成されている。また、ロータ２１の回転軸２１Ａ
は、ベアリング３３を介して第１の固定壁３４に回転可
能に支持されており、第１の固定壁側のベアリング３３
に連接するラビリンスシール３５によってモータ２２側
に発生するパーティクル等が処理室内に侵入しないよう
に構成されている（図１９参照）。なお、モータ２２
は、第１の固定壁３４に連設される固定筒体３６内に収
納されている。また、モータ２２は、予めＣＰＵ３０に
記憶されたプログラムに基づいて所定の高速回転例えば
１００〜３０００ｒｐｍと低速回転例えば１〜５００ｒ
ｐｍを選択的に繰り返し行い得るように制御されてい
る。したがって、モータ２２は高速回転と低速回転との
切り換えが何回も行われることによって過熱される虞が
あるので、モータ２２には、過熱を抑制するための冷却
手段３７（図１８参照）が設けられている。この冷却手
段３７は、図１８に示すように、モータ２２の周囲に配
管される循環式冷却パイプ３７ａと、この冷却パイプ３
７ａの一部と冷却水供給パイプ３７ｂの一部を配設し
て、冷却パイプ３７ａ内に封入される冷媒液を冷却する
熱交換器３７ｃとで構成されている。この場合、冷媒液
は、万一漏洩してもモータ２２が漏電しないような電気
絶縁性でかつ熱伝導性の良好な液、例えばエチレングリ
コールが使用されている。また、この冷却手段３７は、
図示しない温度センサによって検出された信号に基づい
て作動し得るように上記ＣＰＵ３０によって制御されて
いる。なお、冷却手段３７は必ずしも上記のような構造
である必要はなく、例えば空冷式あるいはペルチェ素子
を用いた電気式等任意のものを使用することができる。

【０１０１】一方、処理室例えば内チャンバ２３（第１
の処理室）は、第１の固定壁３４と、この第１の固定壁
３４と対峙する第２の固定壁３８と、これら第１の固定
壁３４及び第２の固定壁３８との間にそれぞれ第１及び
第２のシール部材４０ａ，４０ｂを介して係合する内筒
体２５とで形成されている。すなわち、内筒体２５は、
移動手段である第１のシリンダ２７（図１８参照）の伸
張動作によってロータ２１と共にウエハＷを包囲する位
置まで移動されて、第１の固定壁３４との間に第１のシ
ール部材４０ａを介してシールされると共に、第２の固
定壁３８との間に第２のシール部材４０ｂを介してシー
ルされた状態で内チャンバ２３（第１の処理室）を形成
する（図１９及び図２２参照）。また、内筒体２５は、
第１のシリンダ２７の収縮動作によって固定筒体３６の
外周側位置（待機位置）に移動されるように構成されて
いる（図２０、図２１及び図２３参照）。この場合、内
筒体２５の先端開口部は第１の固定壁３４との間に第１
のシール部材４０ａを介してシールされ、内筒体２５の
基端部は固定筒体３６の中間部に周設された第３のシー
ル部材４０ｃを介してシールされて、内チャンバ２３内
に残存する薬液の雰囲気が外部に漏洩するのを防止して
いる。

【０１０２】また、外チャンバ２４（第２の処理室）
は、待機位置に移動された内筒体２５との間にシール部
材４０ｂを介在する第１の固定壁３４と、第２の固定壁
３８と、第２の固定壁３８と内筒体２５との間にそれぞ
れ第４及び第５のシール部材４０ｄ，４０ｅを介して係
合する外筒体２６とで形成されている。すなわち、外筒
体２６は、移動手段である第２のシリンダ２８の伸張動
作によってロータ２１と共にウエハＷを包囲する位置ま
で移動されて、第２の固定壁３８との間に第４のシール
部材４０ｄを介してシールされると共に、内筒体２５の
先端部外方に位置する第５のシール部材４０ｅを介して
シールされた状態で外チャンバ２４（第２の処理室）を
形成する（図２３参照）。また、第２のシリンダ２８の
収縮動作によって固定筒体３６の外周側位置（待機位
置）に移動されるように構成されている（図２０及び図
２１参照）。この場合、外筒体２６と内筒体２５の基端
部間には第５のシール部材４０ｅが介在されて、シール
されている。したがって、内チャンバ２３の内側雰囲気
と、外チャンバ２４の内側雰囲気とは、互いに気水密な
状態に離隔されるので、両チャンバ２３，２４内の雰囲
気が混じることなく、異なる処理流体が反応して生じる
クロスコンタミネーションを防止することができる。

【０１０３】なお、上記第１ないし第５のシール部材４
０ａ〜４０ｅは、シールする対象物の一方に膨隆可能に
装着される例えば合成ゴム製の中空パッキン内に圧縮空
気を封入するシール機構にて形成されている。

【０１０４】上記のように構成される内筒体２５と外筒
体２６は共に先端に向かって拡開するテーパ状に形成さ
れており、同一水平線上に対峙する第１の固定壁３４、
第２の固定壁３８及び装置側壁３９に架設された互いに
平行な複数例えば３本のガイドレール（図示せず）に沿
って摺動可能に取り付けられており、上記第１及び第２
のシリンダ２７，２８の伸縮動作によって同心上に互い
に出没可能及び重合可能に形成されている。このように
内筒体２５及び外筒体２６を、一端に向かって拡開する
テーパ状に形成することにより、処理時に内筒体２５又
は外筒体２６内でロータ２１が回転されたときに発生す
る気流が拡開側へ渦巻き状に流れ、内部の薬液等が拡開
側へ排出し易くすることができる。また、内筒体２５と
外筒体２６とを同一軸線上に重合する構造とすることに
より、内筒体２５と外筒体２６及び内チャンバ２３及び
外チャンバ２４の設置スペースを少なくすることができ
ると共に、装置の小型化が図れる。

【０１０５】上記内筒体２５及び外筒体２６はステンレ
ス鋼にて形成されている。また、内筒体２５の外周面に
は例えばポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録
商標））等の断熱層が形成されており、この断熱層によ
って内チャンバ２３内で処理に供される薬液及び薬液の
蒸気が冷えるのを防止し得るように構成されている。

【０１０６】一方、上記処理流体供給手段のうち、薬液
例えばポリマ除去液の供給手段５０は、図１８、図１９
及び図２４に示すように、内筒体２５内に取り付けられ
る薬液供給ノズル５１と、薬液供給部５２と、この薬液
供給ノズル５１と薬液供給部５２とを接続する薬液供給
管路５３に介設されるポンプ５４、フィルタ５５、温度
コントローラ５６、開閉弁５７を具備してなる。この場
合、薬液供給部５２は、薬液供給源５８と、この薬液供
給源５８から供給される新規の薬液を貯留する薬液供給
タンク５２ａと、処理に供された薬液を貯留する循環供
給タンク５２ｂとで構成されており、両薬液供給タンク
５２ａ，５２ｂには、上記内チャンバ２３の拡開側部位
の下部に設けられた第１の排液ポート４１に第１の排液
管４２が接続され、第１の排液管４２には、図示しない
切換弁（切換手段）を介して循環管路９０が接続されて
いる。なお、内チャンバ２３の拡開側部位の上部には、
第１の排気ポート４３が設けられており、この第１の排
気ポート４３には、図示しない開閉弁を介設した第１の
排気管４４が接続されている。また、両供給タンク５２
ａ，５２ｂの外部には温度調整用ヒータ５２ｃが配設さ
れて、供給タンク５２ａ，５２ｂ内の薬液が所定の温度
に維持されるようになっている。また、薬液供給ノズル
５１は、ロータ２１にて保持された複数例えば２５枚の
ウエハＷ全体に均一に薬液を供給し得るように、最側端
のウエハＷの外方及び各ウエハＷ間に位置する２６個の
ノズル孔（図示せず）を有するシャワーノズルにて形成
されており、かつ各ノズル孔から薬液が略扇形状に噴射
されるように構成されている。したがって、薬液供給ノ
ズル５１のノズル孔から、ロータ２１と共に回転するウ
エハに向かって薬液を供給することにより、ロータ２１
に保持された複数例えば２５枚のウエハＷに均一に薬液
を供給することができる。なお、ウエハＷの表面側のみ
薬液を供給する場合は、２５個のノズル孔でもよい。

【０１０７】薬液の溶剤例えばＩＰＡの供給手段６０
は、図２４に示すように、内筒体２５内に取り付けられ
る上記薬液供給ノズルを兼用する供給ノズル５１（以下
に薬液供給ノズル５１で代表する）と、溶剤供給部６１
と、この供給ノズル５１と薬液供給部５２とを接続する
ＩＰＡ供給管路６２に介設されるポンプ５４Ａ、フィル
タ５５Ａ、ＩＰＡ供給弁６３を具備してなる。この場
合、溶剤供給部６１は、溶剤例えばＩＰＡの供給源６４
と、このＩＰＡ供給源６４から供給される新規のＩＰＡ
を貯留するＩＰＡ供給タンク６１ａと、処理に供された
ＩＰＡを貯留する循環供給タンク６１ｂとで構成されて
おり、両ＩＰＡ供給タンク６１ａ，６１ｂには、上記内
チャンバ２３の拡開側部位の下部に設けられた第１の排
液ポート４１に接続する第１の排液管４２に図示しない
切換弁（切換手段）を介して循環管路９０が接続されて
いる。

【０１０８】一方、リンス液例えば純水の供給手段７０
は、図１８，図１９及び図２４に示すように、第２の固
定壁３８に取り付けられる純水供給ノズル７１と、純水
供給源７２と、純水供給ノズル７１と純水供給源７２と
を接続する純水供給管路７３に介設される供給ポンプ７
４、純水供給弁７５とを具備してなる。この場合、純水
供給ノズル７１は、内チャンバ２３の外側に位置すると
共に、外チャンバ２４の内側に位置し得るように配設さ
れており、内筒体２５が待機位置に後退し、外筒体２６
がロータ２１とウエハＷを包囲する位置に移動して外チ
ャンバ２４を形成した際に、外チャンバ２４内に位置し
て、ウエハＷに対して純水を供給し得るように構成され
ている。

【０１０９】また、外チャンバ２４の拡開側部位の下部
には、第２の排液ポート４５が設けられており、この第
２の排液ポート４５には、図示しない開閉弁を介設した
第２の排液管４６が接続されている。なお、第２の排液
管４６には、純水の比抵抗値を検出する比抵抗計４７が
介設されており、この比抵抗計４７によってリンス処理
に供された純水の比抵抗値を検出し、その信号を上記Ｃ
ＰＵ３０に伝達するように構成されている。したがっ
て、この比抵抗計４７でリンス処理の状況を監視し、適
正なリンス処理が行われた後、リンス処理を終了するこ
とができる。

【０１１０】なお、上記外チャンバ２４の拡開側部位の
上部には、第２の排気ポート４８が設けられており、こ
の第２の排気ポート４８には、図示しない開閉弁を介設
した第２の排気管４９が接続されている。

【０１１１】また、乾燥流体供給手段８０は、図１８、
図１９及び図２４に示すように、第２の固定壁３８に取
り付けられる乾燥流体供給ノズル８１と、乾燥流体例え
ば窒素（Ｎ₂）供給源８２と、乾燥流体供給ノズル８１
とＮ₂供給源８２とを接続する乾燥流体供給管路８３に
介設される開閉弁８４、フィルタ８５、Ｎ₂温度コント
ローラ８６とを具備してなり、かつ乾燥流体供給管路８
３におけるＮ₂温度コントローラ８６の二次側に切換弁
８７を介して上記ＩＰＡ供給管路６２から分岐される分
岐管路８８を接続してなる。この場合、乾燥流体供給ノ
ズル８１は、上記純水供給ノズル７１と同様に内チャン
バ２３の外側に位置すると共に、外チャンバ２４の内側
に位置し得るように配設されており、内筒体２５が待機
位置に後退し、外筒体２６がロータ２１とウエハＷを包
囲する位置に移動して外チャンバ２４を形成した際に、
外チャンバ２４内に位置して、ウエハＷに対してＮ₂ガ
スとＩＰＡの混合流体を霧状に供給し得るように構成さ
れている。この場合、Ｎ₂ガスとＩＰＡの混合流体で乾
燥した後に、更にＮ₂ガスのみで乾燥する。なお、ここ
では、乾燥流体がＮ₂ガスとＩＰＡの混合流体である場
合について説明したが、この混合流体に代えてＮ₂ガス
のみを供給するようにしてもよい。

【０１１２】なお、上記薬液供給手段５０、ＩＰＡ供給
手段６０、純水供給手段７０及び乾燥流体供給手段８０
におけるポンプ５４，５４Ａ、温度コントローラ５６，
Ｎ₂温度コントローラ８６、開閉弁５７、ＩＰＡ供給弁
６３及び切換弁８７は、ＣＰＵ３０によって、上記第一
実施形態と同様に制御されている（図１８参照）。

【０１１３】なお、上記のように構成される処理装置２
０は、上方にフィルタユニット（図示せず）を有する処
理空間内に配設されて、常時清浄空気がダウンフローさ
れている。

【０１１４】次に、第七実施形態に係る洗浄・乾燥処理
装置の動作態様について説明する。まず、搬入・搬出部
２００のキャリア搬入部２０１に搬入された未処理のウ
エハＷを収納したキャリア１００を、キャリア搬送手段
８００によってキャリア載置台７００上に搬送する。次
に、ウエハ搬送チャック１０がキャリア載置台７００上
に移動して、キャリア１００内からウエハＷを搬出し、
受け取ったウエハＷを処理部３００の処理装置２０の上
方、すなわち、内筒体２５及び外筒体２６が待機位置に
後退した状態のロータ２１の上方位置まで搬送する。す
ると、図２０に示すように、ウエハ受渡ハンド２９が上
昇して、ウエハ搬送チャック１０にて搬送されたウエハ
Ｗを受け取り、その後、下降してウエハＷをロータ２１
の固定保持棒３１上に受け渡した後、ウエハ受渡ハンド
２９は元の位置に移動する。ロータ２１の固定保持棒３
１上にウエハＷを受け渡した後、図示しないロック手段
が作動してウエハ押え棒３２がウエハＷの上側縁部まで
移動してウエハＷの上部を保持する（図２１参照）。

【０１１５】上記のようにしてロータ２１にウエハＷが
セットされると、図１８，１９及び図２２に示すよう
に、内筒体２５及び外筒体２６がロータ２１及びウエハ
Ｗを包囲する位置まで移動して、内チャンバ２３内にウ
エハＷを収容する。この状態において、まず、ウエハＷ
に薬液を供給して薬液処理を行う。この薬液処理は、ロ
ータ２１及びウエハＷを低速回転例えば１〜５００ｒｐ
ｍで回転させた状態で所定時間例えば数十秒間薬液を供
給した後、薬液の供給を停止し、その後、ロータ２１及
びウエハＷを数秒間高速回転例えば１００〜３０００ｒ
ｐｍで回転させてウエハＷ表面に接触する反応層の薬液
を振り切って除去する。この場合、薬液除去の時間は、
薬液供給（接触）時間よりも短かくすることで、素早く
除去を行い、薬液供給時間は、除去時間よりも長くする
ことで、ウエハ表面に均一でかつ十分に接触させて反応
を促すことができる。また、薬液又は低速回転数と高速
回転数の設定値によっては、逆に、薬液除去時間を薬液
供給時間より長くすることで、処理効果を上げることが
できる。この薬液供給工程と薬液除去工程を数回ないし
数千回繰り返して薬液処理（薬液供給・薬液除去処理）
を完了する。なお、図２４に二点鎖線で示すように、内
筒体２５内にＮ₂ナイフノズル８９を配設して、薬液を
振り切る際に、Ｎ₂ナイフノズル８９からＮ₂ガスを吹き
付けるようにすれば、更に薬液の振り切りすなわち除去
を迅速に行うことができる。なおこの場合、Ｎ₂ナイフ
ノズル８９は、乾燥流体供給手段８０のＮ₂供給源８２
に開閉弁（図示せず）を介して接続すればよい。

【０１１６】なお、高温処理の薬液の場合、ウエハＷの
回転数を上げると、ウエハ表面に接触した薬液の温度が
低下してまずいので、温度調整した薬液を例えばスプレ
ー供給しながら、ウエハＷの温度低下を防止しつつ振り
切り処理する方が望ましい。

【０１１７】上記薬液処理工程において、最初に供給さ
れる薬液は、循環供給タンク５２ｂ内に貯留された薬液
が使用され、この最初に使用された薬液は第１の排液管
４２から廃棄され、以後の処理に供される薬液は供給タ
ンク５２ｂ内に貯留された薬液を循環供給する。そし
て、薬液処理の最後に、薬液供給源５８から供給タンク
５２ａ内に供給された新規の薬液が使用されて、薬液処
理が終了する。

【０１１８】なお、薬液処理工程の際には、薬液処理に
供された薬液は第１の排液ポート４１内に排出され、切
換弁（図示せず）の動作によって薬液供給部５２の循環
管路９０又は第１の排液管４２に排出される一方、薬液
から発生するガスは第１の排気ポート４３を介して第１
の排気管４４から排気される。

【０１１９】薬液処理を行った後、内チャンバ２３内に
ウエハＷを収容したままの状態で、ＩＰＡ供給手段６０
のＩＰＡの供給ノズルを兼用する薬液供給ノズル５１か
ら低速回転例えば１〜５００ｒｐｍで回転させた状態で
所定時間例えば数十秒間ＩＰＡを供給した後、ＩＰＡの
供給を停止し、その後、ロータ２１及びウエハＷを数秒
間高速回転例えば１００〜３０００ｒｐｍで回転させて
ウエハＷ表面に付着するＩＰＡを振り切って除去する。
このＩＰＡ供給工程とＩＰＡ除去工程を数回ないし数千
回繰り返して薬液除去処理（ＩＰＡ供給・ＩＰＡ除去処
理）を完了する。この薬液除去処理においても、上記薬
液処理工程と同様に、最初に供給されるＩＰＡは、循環
供給タンク６１ｂ内に貯留されたＩＰＡが使用され、こ
の最初に使用されたＩＰＡは第１の排液管４２から廃棄
され、以後の処理に供されるＩＰＡは供給タンク６１ｂ
内に貯留されたＩＰＡを循環供給する。そして、薬液除
去処理の最後に、ＩＰＡ供給源６４から供給タンク６１
ａ内に供給された新規のＩＰＡが使用されて、薬液除去
処理が終了する。

【０１２０】なお、薬液除去処理において、薬液除去処
理に供されたＩＰＡは第１の排液ポート４１に排出さ
れ、切換弁（図示せず）の動作によって溶剤供給部６１
の循環管路９０又は第１の排液管４２に排出される一
方、ＩＰＡガスは第１の排気ポート４３を介して第１の
排気管４４から排気される。

【０１２１】薬液処理及び薬液除去処理が終了した後、
図２３に示すように、内筒体２５が待機位置に後退し
て、ロータ２１及びウエハＷが外筒体２６によって包
囲、すなわち外チャンバ２４内にウエハＷが収容され
る。この状態において、まず、リンス液供給手段の純水
供給ノズル７１から回転するウエハＷに対してリンス液
例えば純水が供給されてリンス処理される。ここで、ロ
ータ２１及びウエハＷを低速回転例えば１〜５００ｒｐ
ｍで回転させた状態で、所定時間例えば数十秒間リンス
液を供給した後、リンス液の供給を停止し、その後、ロ
ータ２１及びウエハＷを数秒間高速回転例えば１００〜
３０００ｒｐｍで回転させてウエハＷ表面からリンス液
を振り切って除去する。このリンス処理に供された純水
と除去されたＩＰＡは第２の排液ポート４５を介して第
２の排液管４６から排出される。また、外チャンバ２４
内に発生するガスは第２の排気ポート４８を介して第２
の排気管４９から外部に排出される。

【０１２２】このようにしてリンス処理を所定時間行っ
た後、外チャンバ２４内にウエハＷを収容したままの状
態で、乾燥流体供給手段８０のＮ₂ガス供給源８２及び
ＩＰＡ供給源６４からＮ₂ガスとＩＰＡの混合流体を回
転するウエハＷに供給して、ウエハ表面に付着する純水
を除去することで、ウエハＷと外チャンバ２４内の乾燥
を行うことができる。また、Ｎ₂ガスとＩＰＡの混合流
体によって乾燥処理した後、Ｎ₂ガスのみをウエハＷに
供給することで、ウエハＷの乾燥と外チャンバ２４内の
乾燥をより一層効率よく行うことができる。

【０１２３】上記のようにして、ウエハＷの薬液処理、
薬液除去処理、リンス処理及び乾燥処理が終了した後、
外筒体２６が内筒体２５の外周側の待機位置に後退する
一方、図示しないロック解除手段が動作してウエハ押え
棒３２をウエハＷの押え位置から後退する。すると、ウ
エハ受渡ハンド２９が上昇してロータ２１の固定保持棒
３１にて保持されたウエハＷを受け取って処理装置２０
の上方へ移動する。処理装置の上方へ移動されたウエハ
Ｗはウエハ搬送チャック１０に受け取られてインターフ
ェース部４００に搬送され、キャリア載置台７００上の
キャリア１００内に搬入される。処理済みのウエハＷを
収納したキャリア１００はキャリア搬送手段８によって
キャリア搬出部２０２に搬送された後、装置外部に搬送
される。

【０１２４】なお、上記第七実施形態では、ロータ２
１、内筒体２５及び外筒体２６を水平軸線上に配設し、
ウエハＷの処理面を垂直方向に回転させて、薬液処理、
薬液除去処理、リンス処理及び乾燥処理を行う場合につ
いて説明したが、ロータ２１、内筒体２５及び外筒体２
６を垂直軸線上に配設し、ウエハＷの処理面を水平方向
に回転させて、薬液処理、薬液除去処理、リンス処理及
び乾燥処理を行うようにしてもよい。

【０１２５】また、上記第七実施形態では、処理室を内
チャンバ２３（第１の処理室）と外チャンバ２４（第２
の処理室）の２室で形成する場合について説明したが、
内筒体２５及び外筒体２６と同様の筒状体を３個以上用
いて３室以上の複数の処理室にて処理を行うことも可能
である。このような処理によれば、異なる種類の薬液を
用いた薬液処理を可能とすることができる。

【０１２６】また、上記第七実施形態では、薬液供給ノ
ズル５１（ＩＰＡ供給ノズルを兼用する）を内筒体２５
内に配設し、純水供給ノズル７１及び乾燥流体供給ノズ
ル８１を内筒体２５及び外筒体２６の外部の第２の固定
壁３８に取り付ける場合について説明したが、薬液供給
ノズル５１（ＩＰＡ供給ノズルを兼用する）を内筒体２
５及び外筒体２６の外部の第２の固定壁３８に取り付
け、純水供給ノズル７１及び乾燥流体供給ノズル８１を
外筒体２６内に配設してもよく、あるいは、薬液供給ノ
ズル５１（ＩＰＡ供給ノズルを兼用する）、純水供給ノ
ズル７１及び乾燥流体供給ノズル８１を内筒体２５内及
び外筒体２６内に配設してもよい。

【０１２７】また、上記実施形態では、内チャンバ２３
（第１の処理室）内で薬液処理と薬液除去処理を行い、
外チャンバ２４（第２の処理室）内でリンス処理と乾燥
処理を行う場合について説明したが、この発明の処理方
法は、必ずしもこのような処理方法に限定されるもので
はない。例えば、内チャンバ２３（第１の処理室）と外
チャンバ２４（第２の処理室）において、種類の異なる
薬液を用いた薬液処理を行うことも可能である。このよ
うに種類の異なる薬液を用いて異なる処理室すなわち内
チャンバ２３（第１の処理室）と外チャンバ２４（第２
の処理室）で別々に処理することで、異なる種類の薬液
が混じることで生じるクロスコンタミネーションを防止
することができる。

【０１２８】また、上記実施形態では、ロータ２１に収
容される最大数のウエハＷを処理する場合について説明
したが、必要に応じてロータ２１に収容される最大枚数
より少ない枚数、場合によっては１枚のウエハＷの処理
を行うことも可能である。

【０１２９】なお、上記実施形態では、この発明に係る
液処理方法及び液処理装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥
処理装置に適用した場合について説明したが、半導体ウ
エハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは
勿論である。

【０１３０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【０１３１】１）請求項１，２，８，１２，１５，１
７，１８，２０，２３，２６又は２８記載の発明によれ
ば、被処理体表面に接触して化学反応し反応性が弱くな
った（反応速度が遅くなった）処理済みの処理液を反応
性が強い新規な処理液に頻繁に置換することができるの
で、処理効率の向上が図れると共に、少ない処理液によ
って所望の液処理を行うことができる。

【０１３２】２）請求項３，１３，１６，２１，２４又
は２７記載の発明によれば、被処理体と該被処理体に接
触する処理液を除去する処理液除去手段とを相対的に移
動させて、被処理体の表面に接触する処理液を新規な処
理液に置換するので、上記１）に加えて更に処理効率の
向上が図れる。

【０１３３】３）請求項４記載の発明によれば、処理液
を接触させる工程の後、処理液の供給を停止させると共
に、被処理体の表面に接触する処理液を除去するので、
処理液の使用量を少なくすることができ、上記１）に加
えて更に処理液の有効利用が図れる。

【０１３４】４）請求項５記載の発明によれば、処理液
を接触させる工程と処理液を除去する工程を繰り返し行
う際に、同一の処理液を被処理体の表面に接触させるこ
とにより、同一の処理液の接触と除去の繰り返しがで
き、被処理体表面上での同一反応の反応速度を速くする
ことができる。したがって、上記１）に加えて更に処理
効率の向上が図れる。

【０１３５】５）請求項６記載の発明によれば、被処理
体を回転させながら被処理体に処理液を供給して、被処
理体の表面に処理液を接触させるので、被処理体の表面
に均一に処理液を接触させることができ、上記１）に加
えて更に処理効率の向上が図れる。

【０１３６】６）請求項７，１４，１９，２２又は２５
記載の発明によれば、処理液を所定温度に温度調整する
ことにより、処理中に処理液が、処理に最適な温度以下
になるのを防止することができる。また、処理液除去に
供される気体又は処理液の温度を所定温度に温度調整す
ることにより、処理液除去中に処理液が、処理に最適な
温度以下になるのを防止することができる。したがっ
て、上記１）に加えて更に処理効率の向上が図れる。

【０１３７】７）請求項９，２９記載の発明によれば、
被処理体表面上の処理液の除去を、被処理体の回転速度
を急激に減少させることによって行うことにより、被処
理体からの処理液の液切れを向上させることができるの
で、被処理体表面上の処理液を除去し易くすることがで
きる。

【０１３８】８）請求項１０，２９記載の発明によれ
ば、処理液を除去する際の被処理体の回転速度を、処理
液を被処理体に接触する際の被処理体の回転速度よりも
高速回転とすることにより、遠心力が大きくなり、更に
被処理体表面上の処理液を除去し易くするので、上記
１）に加えて処理効率の向上が図れる。この場合、高速
回転の際に、処理液の供給を停止させることにより、処
理液の使用量を少なくすることができるので、上記１）
に加えて更に処理液の有効利用が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第一実施形態に係る液処理装置を示
す概略構成図である。

【図２】第一実施形態における薬液供給工程及び薬液除
去工程を示す概略側面図である。

【図３】第一実施形態における薬液供給工程及び薬液除
去工程の手順を示すフローチャートである。

【図４】この発明の第一実施形態におけるＩＰＡ供給工
程及びＩＰＡ除去工程を示す概略側面図である。

【図５】上記ＩＰＡ供給工程及びＩＰＡ除去工程の手順
を示すフローチャートである。

【図６】第一実施形態における液処理の手順を示すフロ
ーチャートである。

【図７】この発明の第二実施形態に係る薬液供給工程及
び薬液除去工程を示す概略側面図である。

【図８】第二実施形態における薬液供給工程及び薬液除
去工程の手順を示すフローチャートである。

【図９】この発明の第三実施形態に係る薬液供給工程及
び薬液除去工程を示す概略側面図である。

【図１０】第三実施形態における薬液供給工程及び薬液
除去工程の手順を示すフローチャートである。

【図１１】この発明の第四実施形態に係る薬液供給工程
及び薬液除去工程を示す概略側面図である。

【図１２】第四実施形態における薬液供給工程及び薬液
除去工程の手順を示すフローチャートである。

【図１３】この発明の第五実施形態に係る薬液供給工程
及び薬液除去工程を示す概略側面図である。

【図１４】第五実施形態における薬液供給工程及び薬液
除去工程の手順を示すフローチャートである。

【図１５】この発明の第六実施形態に係る薬液供給部及
び薬液除去部を示す概略斜視図である。

【図１６】第六実施形態における薬液供給工程及び薬液
除去工程を示す概略側面図である。

【図１７】第六実施形態における薬液供給工程及び薬液
除去工程の手順を示すフローチャートである。

【図１８】この発明の第七実施形態に係る処理装置を示
す概略構成図である。

【図１９】第七実施形態の処理装置を示す要部断面図で
ある。

【図２０】第七実施形態におけるウエハの受け取り状態
を示す概略断面図である。

【図２１】第七実施形態におけるロータへのウエハの受
け渡し状態を示す概略断面図である。

【図２２】第七実施形態における内チャンバでの薬液処
理、薬液除去処理を示す概略断面図である。

【図２３】第七実施形態における外チャンバでのリンス
処理、乾燥処理を示す概略断面図である。

【図２４】第七実施形態における配管系統を示す概略配
管図である。

【図２５】第七実施形態に係る処理装置を適用した洗浄
・乾燥処理装置を示す概略平面図である。

【図２６】従来の洗浄処理方法における処理液の流速分
布を示す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理体）１スピンチャック（保持手段）２モータ（回転駆動手段）３処理液供給手段３Ａ薬液供給手段３ＢＩＰＡ供給手段３ａ薬液供給ノズル３ｂ薬液供給源３ｆ温度コントローラ（温度調整手段）３ｈ，３ｉＮ₂ガス噴射ノズル３ｊ薬液吸引ノズル４Ｎ₂ガス供給手段４ｇ温度コントローラ（温度調整手段）５ＣＰＵ（制御手段）９ａ移動機構２１ロータ（保持手段）２２モータ（回転駆動手段）３０ＣＰＵ（制御手段）５０薬液供給手段５１薬液供給ノズル（ＩＰＡ供給ノズル）５６温度コントローラ６０ＩＰＡ供給手段（溶剤供給手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ｇ６４８６４８Ｋ６５１Ｌ６５１ 21/30 ５６９Ｃ５７２Ｂ (72)発明者飯野正山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650番地東京エレクトロン九州株式会社プロセス開発センター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体に処理液を供給して、被処理体
の表面に処理液を接触させる工程と、上記被処理体の表面に接触する処理液を除去する工程
と、を有し、上記工程を順次繰り返し行うことを特徴と
する液処理方法。
【請求項２】被処理体に処理液を供給して、被処理体
の表面に処理液を接触させる工程と、上記被処理体の表面に処理液を噴射して、被処理体の表
面に接触する処理液を新規な処理液に置換する工程と、
を有し、上記工程を順次繰り返し行うことを特徴とする液処理方
法。
【請求項３】請求項２記載の液処理方法において、上記被処理体と該被処理体の表面に処理液を噴射する処
理液噴射手段とを相対的に移動させて、被処理体の表面
に接触する処理液を新規な処理液に置換することを特徴
とする液処理方法。
【請求項４】請求項１記載の液処理方法において、上記処理液を除去する工程は、上記処理液の供給を停止
させて行うことを特徴とする液処理方法。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の液
処理方法において、上記工程を順次繰り返し行う際に、同一の処理液を上記
被処理体の表面に接触させることを特徴とする液処理方
法。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の液
処理方法において、上記被処理体を回転させながら被処理体に処理液を供給
して、被処理体の表面に処理液を接触させることを特徴
とする液処理方法。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の液
処理方法おいて、上記処理液を所定温度に温度調整して供給することを特
徴とする液処理方法。
【請求項８】請求項１，４ないし７のいずれかに記載
の液処理方法において、上記被処理体を回転させながら該被処理体の表面に接触
している処理液を除去することを特徴とする液処理方
法。
【請求項９】請求項８記載の液処理方法において、上記被処理体表面上の処理液の除去は、上記被処理体の
回転速度を急激に減少させることによって行うことを特
徴とする液処理方法。
【請求項１０】請求項８記載の液処理方法において、上記処理液を除去する際の被処理体の回転速度が、処理
液を被処理体に接触する際の被処理体の回転速度よりも
高速回転であることを特徴とする液処理方法。
【請求項１１】請求項１０記載の液処理方法におい
て、上記高速回転の際に、処理液の供給を停止させることを
特徴とする液処理方法。
【請求項１２】請求項１，４ないし７のいずれかに記
載の液処理方法において、上記被処理体の表面に気体を噴射して、該被処理体の表
面に接触している処理液を除去することを特徴とする液
処理方法。
【請求項１３】請求項１２記載の液処理方法におい
て、上記被処理体と該被処理体の表面に気体を噴射する気体
噴射手段とを相対的に移動させて、被処理体の表面に接
触している処理液を除去することを特徴とする液処理方
法。
【請求項１４】請求項１２又は１３記載の液処理方法
において、上記気体を所定温度に温度調整して噴射することを特徴
とする被処理方法。
【請求項１５】請求項１，４ないし７のいずれかに記
載の液処理方法において、上記被処理体の表面に接触する処理液を吸引により除去
することを特徴とする液処理方法。
【請求項１６】請求項１５記載の液処理装置におい
て、上記被処理体と該被処理体の表面から処理液を吸引する
処理液吸引手段とを相対的に移動させて、被処理体の表
面に接触する処理液を除去することを特徴とする液処理
方法。
【請求項１７】被処理体保持手段と、上記被処理体に処理液を供給する処理液供給手段と、上記被処理体表面に接触する処理液を除去する処理液除
去手段と、少なくとも上記処理液を供給するタイミングと処理液を
除去するタイミングを順次繰り返し行うべく上記処理液
供給手段の供給タイミング及び上記処理液除去手段の除
去タイミングを制御する制御手段と、を具備することを
特徴とする液処理装置。
【請求項１８】請求項１７記載の液処理装置におい
て、上記被処理体保持手段が、被処理体を回転可能に保持す
る回転駆動手段を具備することを特徴とする液処理装
置。
【請求項１９】請求項１７又は１８記載の液処理装置
において、上記処理液供給手段から供給される処理液の温度調整手
段を更に具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項２０】請求項１７ないし１９のいずれかに記
載の液処理装置において、上記処理液除去手段が、被処理体に対して気体を噴射す
る気体噴射ノズルを具備することを特徴とする液処理装
置。
【請求項２１】請求項２０記載の液処理装置におい
て、被処理体保持手段と気体噴射ノズルとを相対的に移動可
能に形成したことを特徴とする液処理装置。
【請求項２２】請求項２０又は２１記載の液処理装置
において、上記処理液除去手段が、気体の温度調整手段を具備する
ことを特徴とする液処理装置。
【請求項２３】請求項１７記載の液処理装置におい
て、上記処理液除去手段が、被処理体に対して処理液を噴射
する処理液噴射ノズルを具備することを特徴とする液処
理装置。
【請求項２４】請求項２３記載の液処理装置におい
て、被処理体保持手段と処理液噴射ノズルとを相対的に移動
可能に形成したことを特徴とする液処理装置。
【請求項２５】請求項２３又は２４記載の液処理装置
において、上記処理液除去手段が、処理液の温度調整手段を具備す
ることを特徴とする液処理装置。
【請求項２６】請求項１７記載の液処理装置におい
て、上記処理液除去手段が、被処理体表面に接触する処理液
を吸引する処理液吸引ノズルを具備することを特徴とす
る液処理装置。
【請求項２７】請求項２６記載の液処理装置におい
て、被処理体保持手段と処理液吸引ノズルとを相対的に移動
可能に形成したことを特徴とする液処理装置。
【請求項２８】請求項１７、１８ないし２５のいずれ
かに記載の液処理装置において、上記処理液除去手段が、被処理体を回転可能に保持する
回転駆動手段を具備する被処理体保持手段を兼用するこ
とを特徴とする液処理装置。
【請求項２９】請求項１８、２０ないし２８のいずれ
かに記載の液処理装置において、制御手段により、回転駆動手段の回転速度を制御可能に
形成することを特徴とする液処理装置。