JP2003234323A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な構成でありながら、有機物の除去処理
を短時間に完了することが可能な基板処理装置を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置の洗浄媒体供給機構５０
は、基板Ｗに向けて洗浄媒体としての温水を吐出するた
めの吐出ノズル５１を備える。この吐出ノズル５１は、
スピンチャック７０に保持されて回転する基板Ｗの回転
中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位
置との間を往復移動可能となっている。また、吐出ノズ
ル５１は、電磁弁５６およびヒータ４２を介して純水の
供給部４１と接続されている。純水の供給部４１から供
給された純水はヒータにより加熱されて温水となり、吐
出ノズル５１から基板Ｗ上に供給される。
を短時間に完了することが可能な基板処理装置を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置の洗浄媒体供給機構５０
は、基板Ｗに向けて洗浄媒体としての温水を吐出するた
めの吐出ノズル５１を備える。この吐出ノズル５１は、
スピンチャック７０に保持されて回転する基板Ｗの回転
中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位
置との間を往復移動可能となっている。また、吐出ノズ
ル５１は、電磁弁５６およびヒータ４２を介して純水の
供給部４１と接続されている。純水の供給部４１から供
給された純水はヒータにより加熱されて温水となり、吐
出ノズル５１から基板Ｗ上に供給される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板に存在する
反応生成物等の有機物を、有機物の除去液で除去する基
板処理装置に関する。
反応生成物等の有機物を、有機物の除去液で除去する基
板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程においては、例え
ば半導体ウエハ等の基板の表面に形成されたアルミニウ
ムや銅などの金属の薄膜を、レジスト膜をマスクとして
エッチングすることによりパターン化するエッチング工
程が実行される。そして、このエッチング工程におい
て、微細な回路パターンを形成する場合には、ＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性
イオンエッチング）等の、ドライエッチングが採用され
る。
ば半導体ウエハ等の基板の表面に形成されたアルミニウ
ムや銅などの金属の薄膜を、レジスト膜をマスクとして
エッチングすることによりパターン化するエッチング工
程が実行される。そして、このエッチング工程におい
て、微細な回路パターンを形成する場合には、ＲＩＥ
（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性
イオンエッチング）等の、ドライエッチングが採用され
る。
【０００３】このようなドライエッチングで使用される
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で消滅し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続するレジスト除去工程では除去されないことから、レ
ジスト除去工程を実行する前に、この反応生成物を除去
する必要がある。
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で消滅し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続するレジスト除去工程では除去されないことから、レ
ジスト除去工程を実行する前に、この反応生成物を除去
する必要がある。
【０００４】このため、従来、ドライエッチング工程の
後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基
板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積し
た反応生成物を除去した後、この基板を純水で洗浄し、
さらにこの純水を振り切り乾燥する反応生成物の除去処
理を行っている。
後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基
板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積し
た反応生成物を除去した後、この基板を純水で洗浄し、
さらにこの純水を振り切り乾燥する反応生成物の除去処
理を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年のパターンの微細
化や前工程の変化等に伴い、上述した反応生成物をはじ
めとする基板に付着している有機物の性質が多様化し、
従来の有機物の除去工程では有機物を除去するために長
い時間を要するという問題が生じてきた。このため、こ
のような基板処理装置においては、純水による洗浄以外
に、ブラシや超音波振動を利用した物理的な洗浄機構を
付加して洗浄を行うようにしている。
化や前工程の変化等に伴い、上述した反応生成物をはじ
めとする基板に付着している有機物の性質が多様化し、
従来の有機物の除去工程では有機物を除去するために長
い時間を要するという問題が生じてきた。このため、こ
のような基板処理装置においては、純水による洗浄以外
に、ブラシや超音波振動を利用した物理的な洗浄機構を
付加して洗浄を行うようにしている。
【０００６】しかしながら、純水による洗浄以外に物理
的な洗浄機構を付加した場合においては、洗浄機構を余
分に付加することにより、装置の大型化およびコストア
ップが生ずる。また、純水による洗浄工程とは別に物理
的な洗浄工程を付加する必要があることから、基板の処
理に要する時間が長くなるという問題も生ずる。
的な洗浄機構を付加した場合においては、洗浄機構を余
分に付加することにより、装置の大型化およびコストア
ップが生ずる。また、純水による洗浄工程とは別に物理
的な洗浄工程を付加する必要があることから、基板の処
理に要する時間が長くなるという問題も生ずる。
【０００７】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、簡易な構成でありながら、有機物の除
去処理を短時間に完了することが可能な基板処理装置を
提供することを目的とする。
れたものであり、簡易な構成でありながら、有機物の除
去処理を短時間に完了することが可能な基板処理装置を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板の表面に存在する有機物を除去液により除去す
る基板処理装置であって、基板を回転可能に保持する回
転保持手段と、前記回転保持手段に保持された基板の表
面に向けて除去液を供給する除去液供給機構と、前記回
転保持手段に保持され、前記除去液供給機構により除去
液が供給された基板の表面に向けてを温水供給する温水
供給機構と、を備えたことを特徴とする。
は、基板の表面に存在する有機物を除去液により除去す
る基板処理装置であって、基板を回転可能に保持する回
転保持手段と、前記回転保持手段に保持された基板の表
面に向けて除去液を供給する除去液供給機構と、前記回
転保持手段に保持され、前記除去液供給機構により除去
液が供給された基板の表面に向けてを温水供給する温水
供給機構と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、基板の表面に存
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、を
備えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、を
備えたことを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、基板の表面に存
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて気体を供給する気体供給機構と、を備え
たことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて気体を供給する気体供給機構と、を備え
たことを特徴とする。
【００１１】請求項４に記載の発明は、基板の表面に存
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて氷の小片を供給する氷供給機構と、を備
えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて氷の小片を供給する氷供給機構と、を備
えたことを特徴とする。
【００１２】請求項５に記載の発明は、基板の表面に存
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けてドライアイスの小片を供給するドライア
イス供給機構と、を備えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けてドライアイスの小片を供給するドライア
イス供給機構と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】請求項６に記載の発明は、基板の表面に存
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて水素水を供給する水素水供給機構と、を
備えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて水素水を供給する水素水供給機構と、を
備えたことを特徴とする。
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至請
求項６のいずれかにに記載の発明において、前記有機物
はレジストが変質して生じた反応生成物である。
求項６のいずれかにに記載の発明において、前記有機物
はレジストが変質して生じた反応生成物である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態に係
る基板処理装置の構成について説明する。なお、この基
板処理装置は、その表面に薄膜が形成された基板として
のシリコン製半導体ウエハの表面から、反応生成物とし
てのポリマーを除去処理するためのものである。
る基板処理装置の構成について説明する。なお、この基
板処理装置は、その表面に薄膜が形成された基板として
のシリコン製半導体ウエハの表面から、反応生成物とし
てのポリマーを除去処理するためのものである。
【００１６】ここで、上記薄膜は、例えば、銅やアルミ
ニウム、チタン、タングステンおよび、これらの混合物
などの金属膜、またはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
有機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜などの絶縁膜から構成
される。なお、ここでいう薄膜とは、薄膜が形成された
基板の主面に対して垂直方向の断面において高さ寸法が
底部の長さ寸法より短いものはもちろん、高さ寸法が底
部の長さ寸法より長いものも含む。従って、基板上で部
分的に形成されている膜や配線など、基板主面に向った
とき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれる。
ニウム、チタン、タングステンおよび、これらの混合物
などの金属膜、またはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
有機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜などの絶縁膜から構成
される。なお、ここでいう薄膜とは、薄膜が形成された
基板の主面に対して垂直方向の断面において高さ寸法が
底部の長さ寸法より短いものはもちろん、高さ寸法が底
部の長さ寸法より長いものも含む。従って、基板上で部
分的に形成されている膜や配線など、基板主面に向った
とき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれる。
【００１７】また、この基板処理装置で使用する除去液
としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ
（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンなどの
有機アルカリ液を含む液体、有機アミンを含む液体、フ
ッ酸、燐酸などの無機酸を含む液体、フッ化アンモン系
物質を含む液体等を使用することができる。また、その
他の除去液として、１−メチル−２ピロリドン、テトラ
ヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノー
ルアミン、モノエタノールアミン、２−（２アミノエト
キシ）エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリド
ン、アロマテイックジオール、パークレン、フェノール
を含む液体などがあり、より具体的には、１−メチル−
２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキ
シドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルス
ルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、２−
（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタ
ノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノ
ールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、
パークレンとフェノールとの混合液等を使用するように
してもよい。
としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ
（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンなどの
有機アルカリ液を含む液体、有機アミンを含む液体、フ
ッ酸、燐酸などの無機酸を含む液体、フッ化アンモン系
物質を含む液体等を使用することができる。また、その
他の除去液として、１−メチル−２ピロリドン、テトラ
ヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノー
ルアミン、モノエタノールアミン、２−（２アミノエト
キシ）エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリド
ン、アロマテイックジオール、パークレン、フェノール
を含む液体などがあり、より具体的には、１−メチル−
２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキ
シドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルス
ルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、２−
（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタ
ノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノ
ールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、
パークレンとフェノールとの混合液等を使用するように
してもよい。
【００１８】なお、有機アミンを含む液体（有機アミン
系除去液という。）にはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。
系除去液という。）にはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。
【００１９】また、フッ化アンモン系物質を含む液体
（フッ化アンモン系除去液という。）には、有機アルカ
リと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有
機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキ
ルアミドと水と弗化アンモンとの混合溶液、ジメチルス
ルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶
液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシ
ドと弗化アンモンと水との混合溶液、弗化アンモンとト
リエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミ
ンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸ア
ルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと
有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩
と有機酸と無機塩との混合溶液がある。
（フッ化アンモン系除去液という。）には、有機アルカ
リと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有
機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキ
ルアミドと水と弗化アンモンとの混合溶液、ジメチルス
ルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶
液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシ
ドと弗化アンモンと水との混合溶液、弗化アンモンとト
リエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミ
ンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸ア
ルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと
有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩
と有機酸と無機塩との混合溶液がある。
【００２０】また、無機物を含む無機系除去液としては
水と燐酸誘導体との混合溶液がある。
水と燐酸誘導体との混合溶液がある。
【００２１】図１はこの発明に係る基板処理装置の平面
概要図である。また、図２および図３は、各々、この発
明に係る基板処理装置を側方から見た概要図である。な
お、図２は除去液供給機構３０とスピンチャック７０と
飛散防止用カップ７３との関係を、また、図３は洗浄媒
体供給機構５０とスピンチャック７０と飛散防止用カッ
プ７３との関係を示しており、また、これらの図におい
ては飛散防止用カップ７３および裏面洗浄ノズル７４を
断面で示している。
概要図である。また、図２および図３は、各々、この発
明に係る基板処理装置を側方から見た概要図である。な
お、図２は除去液供給機構３０とスピンチャック７０と
飛散防止用カップ７３との関係を、また、図３は洗浄媒
体供給機構５０とスピンチャック７０と飛散防止用カッ
プ７３との関係を示しており、また、これらの図におい
ては飛散防止用カップ７３および裏面洗浄ノズル７４を
断面で示している。
【００２２】この基板処理装置は、基板Ｗを回転可能に
保持するスピンチャック７０と、スピンチャック７０に
保持された基板Ｗの表面に向けて除去液を供給する除去
液供給機構３０と、スピンチャック７０に保持された基
板Ｗの表面に向けて洗浄媒体としての温水を供給する洗
浄媒体供給機構５０とを備える。
保持するスピンチャック７０と、スピンチャック７０に
保持された基板Ｗの表面に向けて除去液を供給する除去
液供給機構３０と、スピンチャック７０に保持された基
板Ｗの表面に向けて洗浄媒体としての温水を供給する洗
浄媒体供給機構５０とを備える。
【００２３】スピンチャック７０は、図２および図３に
示すように、その上面に基板Ｗを吸着保持した状態で、
モータ７１の駆動により鉛直方向を向く支軸７２を中心
に回転する。このため、基板Ｗは、スピンチャック７０
と共に、その主面と平行な面内において回転する。
示すように、その上面に基板Ｗを吸着保持した状態で、
モータ７１の駆動により鉛直方向を向く支軸７２を中心
に回転する。このため、基板Ｗは、スピンチャック７０
と共に、その主面と平行な面内において回転する。
【００２４】このスピンチャック７０の外周部には、飛
散防止用カップ７３が配設されている。飛散防止用カッ
プ７３は、断面が略コの字状で、平面視では中央部分に
開口を有する略リング状の形状を有する。そして、この
飛散防止用カップ７３の底面には、図示しないドレイン
と連結する開口部７５が形成されている。
散防止用カップ７３が配設されている。飛散防止用カッ
プ７３は、断面が略コの字状で、平面視では中央部分に
開口を有する略リング状の形状を有する。そして、この
飛散防止用カップ７３の底面には、図示しないドレイン
と連結する開口部７５が形成されている。
【００２５】また、この飛散防止用カップ７３における
基板Ｗの裏面と対向する位置には、基板Ｗの裏面に対し
て温水や純水等の裏面洗浄液を供給することにより基板
Ｗの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル７４が配設さ
れている。この裏面洗浄ノズル７４は、電磁弁７６を介
して裏面洗浄液の供給部５７と接続されている。この裏
面洗浄液の供給部５７は、温水や純水等の裏面洗浄液を
圧送可能な構成となっている。
基板Ｗの裏面と対向する位置には、基板Ｗの裏面に対し
て温水や純水等の裏面洗浄液を供給することにより基板
Ｗの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル７４が配設さ
れている。この裏面洗浄ノズル７４は、電磁弁７６を介
して裏面洗浄液の供給部５７と接続されている。この裏
面洗浄液の供給部５７は、温水や純水等の裏面洗浄液を
圧送可能な構成となっている。
【００２６】除去液供給機構３０は、図２に示すよう
に、基板Ｗに向けて除去液を吐出するための吐出ノズル
３１を備える。この吐出ノズル３１は、ノズル移動機構
３２の駆動により鉛直方向を向く軸３３を中心として揺
動するアーム３４の先端に配設されている。このため、
吐出ノズル３１は、スピンチャック７０に保持されて回
転する基板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗ
の端縁と対向する位置との間を往復移動可能となってい
る。なお、ノズル移動機構３２は、アーム３４を上下方
向にも移動させ得る構成となっている。
に、基板Ｗに向けて除去液を吐出するための吐出ノズル
３１を備える。この吐出ノズル３１は、ノズル移動機構
３２の駆動により鉛直方向を向く軸３３を中心として揺
動するアーム３４の先端に配設されている。このため、
吐出ノズル３１は、スピンチャック７０に保持されて回
転する基板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗ
の端縁と対向する位置との間を往復移動可能となってい
る。なお、ノズル移動機構３２は、アーム３４を上下方
向にも移動させ得る構成となっている。
【００２７】また、吐出ノズル３１は、電磁弁３６を介
して除去液の供給部３７と接続されている。この除去液
の供給部３７は、所定温度まで加熱された除去液を圧送
可能な構成となっている。なお、符号３５は除去液供給
用のチューブを示している。
して除去液の供給部３７と接続されている。この除去液
の供給部３７は、所定温度まで加熱された除去液を圧送
可能な構成となっている。なお、符号３５は除去液供給
用のチューブを示している。
【００２８】洗浄媒体供給機構５０は、図３に示すよう
に、基板Ｗに向けて洗浄媒体としての温水を吐出するた
めの吐出ノズル５１を備える。この吐出ノズル５１は、
ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸５３
を中心として揺動するアーム５４の先端に配設されてい
る。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック７０
に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する位置
と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復移動
可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、アー
ム５４を上下方向にも移動させ得る構成となっている。
に、基板Ｗに向けて洗浄媒体としての温水を吐出するた
めの吐出ノズル５１を備える。この吐出ノズル５１は、
ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸５３
を中心として揺動するアーム５４の先端に配設されてい
る。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック７０
に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する位置
と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復移動
可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、アー
ム５４を上下方向にも移動させ得る構成となっている。
【００２９】また、吐出ノズル５１は、電磁弁５６およ
びヒータ４２を介して純水の供給部４１と接続されてい
る。純水の供給部４１から供給された純水はヒータによ
り加熱されて温水となり、吐出ノズル５１から基板Ｗ上
に供給される。なお、符号５５は温水供給用のチューブ
を示している。
びヒータ４２を介して純水の供給部４１と接続されてい
る。純水の供給部４１から供給された純水はヒータによ
り加熱されて温水となり、吐出ノズル５１から基板Ｗ上
に供給される。なお、符号５５は温水供給用のチューブ
を示している。
【００３０】次に上述した基板処理装置による、基板Ｗ
から反応生成物を除去するための処理動作について説明
する。図４は、この発明に係る基板処理装置による基板
Ｗの処理動作を示すフローチャートである。
から反応生成物を除去するための処理動作について説明
する。図４は、この発明に係る基板処理装置による基板
Ｗの処理動作を示すフローチャートである。
【００３１】この基板処理装置を使用して、レジスト膜
をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成
された薄膜をパターン化した基板Ｗに対し、その表面に
生成された反応生成物を除去する場合には、最初に除去
液供給工程（ステップＳ１）が実行される。この除去液
供給工程においては、基板Ｗをスピンチャック７０によ
り保持して低速で回転させる。そして、除去液供給機構
３０におけるノズル移動機構３２の駆動により、吐出ノ
ズル３１を、スピンチャック７０に保持されて回転する
基板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁
と対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁
弁３６を開放して吐出ノズル３１から除去液を吐出させ
る。これにより、スピンチャック７０に保持されて回転
する基板Ｗの表面全域に除去液が供給される。この除去
液供給工程により、基板Ｗの表面に生成された反応生成
物が除去される。
をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成
された薄膜をパターン化した基板Ｗに対し、その表面に
生成された反応生成物を除去する場合には、最初に除去
液供給工程（ステップＳ１）が実行される。この除去液
供給工程においては、基板Ｗをスピンチャック７０によ
り保持して低速で回転させる。そして、除去液供給機構
３０におけるノズル移動機構３２の駆動により、吐出ノ
ズル３１を、スピンチャック７０に保持されて回転する
基板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁
と対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁
弁３６を開放して吐出ノズル３１から除去液を吐出させ
る。これにより、スピンチャック７０に保持されて回転
する基板Ｗの表面全域に除去液が供給される。この除去
液供給工程により、基板Ｗの表面に生成された反応生成
物が除去される。
【００３２】次に、基板Ｗを高速回転させることによ
り、基板Ｗに付着した除去液を振り切り除去する除去液
振り切り工程が実行される（ステップＳ２）。この除去
液振り切り工程においては、スピンチャック７０によ
り、基板Ｗを５００ｒｐｍ以上、好ましくは１０００ｒ
ｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転速度で回転させる。
り、基板Ｗに付着した除去液を振り切り除去する除去液
振り切り工程が実行される（ステップＳ２）。この除去
液振り切り工程においては、スピンチャック７０によ
り、基板Ｗを５００ｒｐｍ以上、好ましくは１０００ｒ
ｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転速度で回転させる。
【００３３】なお、除去液供給工程に続いて除去液振り
切り工程を実行するのは、次のような理由による。すな
わち、除去液として特に有機アルカリ液を含んだものを
使用した場合等においては、基板Ｗ上に残存した除去液
が温水（純水）と混合されると、強アルカリが生成され
る「ペーハーショック」と呼称される現象が生じ、金属
配線に損傷を与える。従って、上述した除去液供給工程
と後述する純水を使用した洗浄媒体供給工程とを連続し
て実行することは不可能であり、除去液供給工程完了後
に大量の中間リンス液を使用して基板Ｗ上から一旦除去
液を除去し、その上で基板Ｗに純水を供給して洗浄媒体
供給工程を実行する必要がある。このため、中間リンス
液供給工程に時間がかかり、また、多くの中間リンス液
を使用することからコストがかさむという問題を生ず
る。
切り工程を実行するのは、次のような理由による。すな
わち、除去液として特に有機アルカリ液を含んだものを
使用した場合等においては、基板Ｗ上に残存した除去液
が温水（純水）と混合されると、強アルカリが生成され
る「ペーハーショック」と呼称される現象が生じ、金属
配線に損傷を与える。従って、上述した除去液供給工程
と後述する純水を使用した洗浄媒体供給工程とを連続し
て実行することは不可能であり、除去液供給工程完了後
に大量の中間リンス液を使用して基板Ｗ上から一旦除去
液を除去し、その上で基板Ｗに純水を供給して洗浄媒体
供給工程を実行する必要がある。このため、中間リンス
液供給工程に時間がかかり、また、多くの中間リンス液
を使用することからコストがかさむという問題を生ず
る。
【００３４】しかしながら、この実施形態においては、
除去液供給工程に引き続いて除去液振り切り工程を実行
することから、上述した中間リンス工程を省略すること
が可能となり、また、中間リンス工程を実行する場合に
おいても、この中間リンス液供給工程を少量の中間リン
ス液のみを使用して短時間に完了させることが可能とな
る。
除去液供給工程に引き続いて除去液振り切り工程を実行
することから、上述した中間リンス工程を省略すること
が可能となり、また、中間リンス工程を実行する場合に
おいても、この中間リンス液供給工程を少量の中間リン
ス液のみを使用して短時間に完了させることが可能とな
る。
【００３５】除去液振り切り工程が完了すれば、洗浄媒
体供給工程が実行される（ステップＳ３）。この洗浄媒
体供給工程においては、基板Ｗをスピンチャック７０に
より保持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給
機構５０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐
出ノズル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転
する基板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの
端縁と対向する位置との間で往復移動させるとともに、
電磁弁５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体とし
ての温水を吐出させる。これにより、スピンチャック７
０に保持されて回転する基板Ｗの表面全域に温水が供給
され、基板Ｗの表面が洗浄される。
体供給工程が実行される（ステップＳ３）。この洗浄媒
体供給工程においては、基板Ｗをスピンチャック７０に
より保持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給
機構５０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐
出ノズル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転
する基板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの
端縁と対向する位置との間で往復移動させるとともに、
電磁弁５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体とし
ての温水を吐出させる。これにより、スピンチャック７
０に保持されて回転する基板Ｗの表面全域に温水が供給
され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００３６】この洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒
体として活性能力の高い温水を利用することから、有機
物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応
生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可
能となる。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得
ることから、装置の低コスト化と処理の迅速化を図るこ
とが可能となる。なお、このときの温水の温度は、摂氏
６０度乃至摂氏８０度とすることが好ましい。
体として活性能力の高い温水を利用することから、有機
物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応
生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可
能となる。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得
ることから、装置の低コスト化と処理の迅速化を図るこ
とが可能となる。なお、このときの温水の温度は、摂氏
６０度乃至摂氏８０度とすることが好ましい。
【００３７】なお、上述した除去液供給工程（ステップ
Ｓ１）および洗浄媒体供給工程（ステップＳ３）におい
ては、電磁弁７６が開放され、裏面洗浄ノズル７４より
スピンチャック７０に保持されて回転する基板Ｗの裏面
に温水や純水等の裏面洗浄液が供給される。これによ
り、基板Ｗの裏面側に、基板Ｗの表面から除去された反
応生成物等が回り込むことを防止することが可能とな
る。
Ｓ１）および洗浄媒体供給工程（ステップＳ３）におい
ては、電磁弁７６が開放され、裏面洗浄ノズル７４より
スピンチャック７０に保持されて回転する基板Ｗの裏面
に温水や純水等の裏面洗浄液が供給される。これによ
り、基板Ｗの裏面側に、基板Ｗの表面から除去された反
応生成物等が回り込むことを防止することが可能とな
る。
【００３８】そして、基板Ｗを高速回転させることによ
り、基板Ｗに付着した温水等を振り切り除去する洗浄媒
体振り切り工程が実行される（ステップＳ４）。この洗
浄媒体振り切り工程においては、スピンチャック７０に
より、基板Ｗを５００ｒｐｍ以上、好ましくは１０００
ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転速度で回転させる。
り、基板Ｗに付着した温水等を振り切り除去する洗浄媒
体振り切り工程が実行される（ステップＳ４）。この洗
浄媒体振り切り工程においては、スピンチャック７０に
より、基板Ｗを５００ｒｐｍ以上、好ましくは１０００
ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転速度で回転させる。
【００３９】以上の工程が完了すれば、基板Ｗの処理を
終了する。
終了する。
【００４０】次に、この発明の他の実施形態について説
明する。図５は、この発明の第２実施形態に係る基板処
理装置を側方から見た概要図である。なお、図５は、上
述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピンチャ
ック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示してい
る。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の構成
は第１実施形態の場合と同様である。
明する。図５は、この発明の第２実施形態に係る基板処
理装置を側方から見た概要図である。なお、図５は、上
述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピンチャ
ック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示してい
る。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の構成
は第１実施形態の場合と同様である。
【００４１】この第２実施形態に係る基板処理装置にお
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して水蒸気を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第１実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して水蒸気を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第１実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
【００４２】この第２実施形態に係る洗浄媒体供給機構
５０は、図５に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての水蒸気を吐出するための吐出ノズル５１を備え
る。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸
５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック
７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する
位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、
アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
５０は、図５に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての水蒸気を吐出するための吐出ノズル５１を備え
る。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸
５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック
７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する
位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、
アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
【００４３】また、吐出ノズル５１は、電磁弁５６およ
びスチーマー４３を介して純水の供給部４１と接続され
ている。純水の供給部４１から供給された純水はスチー
マーにより急速に加熱されて水蒸気となり、吐出ノズル
５１から基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は水蒸
気供給用のチューブを示している。
びスチーマー４３を介して純水の供給部４１と接続され
ている。純水の供給部４１から供給された純水はスチー
マーにより急速に加熱されて水蒸気となり、吐出ノズル
５１から基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は水蒸
気供給用のチューブを示している。
【００４４】この第２実施形態に係る基板処理装置によ
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての水
蒸気を噴出させる。これにより、スピンチャック７０に
保持されて回転する基板Ｗの表面全域に水蒸気が供給さ
れ、基板Ｗの表面が洗浄される。
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての水
蒸気を噴出させる。これにより、スピンチャック７０に
保持されて回転する基板Ｗの表面全域に水蒸気が供給さ
れ、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００４５】この第２実施形態に係る基板処理装置を利
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
活性能力の高い水蒸気を利用することから、有機物の洗
浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応生成物
の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可能とな
る。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得ること
から、装置の低コスト化と処理の迅速化を図ることが可
能となる。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
活性能力の高い水蒸気を利用することから、有機物の洗
浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応生成物
の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可能とな
る。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得ること
から、装置の低コスト化と処理の迅速化を図ることが可
能となる。
【００４６】なお、ここでいう水蒸気は純水を熱して得
られた、気体の状態になっている水であるが、前記水蒸
気には水の細かい液滴も含む。該水の細かい液滴は気体
の状態になっている水が凝結したものや液体の純水に超
音波を付与して発生させたものが含まれる。
られた、気体の状態になっている水であるが、前記水蒸
気には水の細かい液滴も含む。該水の細かい液滴は気体
の状態になっている水が凝結したものや液体の純水に超
音波を付与して発生させたものが含まれる。
【００４７】次に、この発明のさらに他の実施形態につ
いて説明する。図６は、この発明の第３実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図６
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
いて説明する。図６は、この発明の第３実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図６
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
【００４８】この第３実施形態に係る基板処理装置にお
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して高圧の二酸化炭素を供給するようにして
いる。なお、以下の説明においては、上述した第１実施
形態と同一の部材については同一の符号を付して、詳細
な説明を省略する。
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して高圧の二酸化炭素を供給するようにして
いる。なお、以下の説明においては、上述した第１実施
形態と同一の部材については同一の符号を付して、詳細
な説明を省略する。
【００４９】この第３実施形態に係る洗浄媒体供給機構
５０は、図６に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての高圧の二酸化炭素を吐出するための吐出ノズル５
１を備える。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場
合と同様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を
向く軸５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配
設されている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチ
ャック７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対
向する位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間
を往復移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５
２は、アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成とな
っている。
５０は、図６に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての高圧の二酸化炭素を吐出するための吐出ノズル５
１を備える。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場
合と同様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を
向く軸５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配
設されている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチ
ャック７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対
向する位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間
を往復移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５
２は、アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成とな
っている。
【００５０】また、吐出ノズル５１は、電磁弁５６を介
して二酸化炭素の供給部４４と接続されている。二酸化
炭素の供給部４４から供給された二酸化炭素は、吐出ノ
ズル５１から基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は
二酸化炭素供給用のチューブを示している。
して二酸化炭素の供給部４４と接続されている。二酸化
炭素の供給部４４から供給された二酸化炭素は、吐出ノ
ズル５１から基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は
二酸化炭素供給用のチューブを示している。
【００５１】この第３実施形態に係る基板処理装置によ
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての高
圧の二酸化炭素を噴出させる。これにより、スピンチャ
ック７０に保持されて回転する基板Ｗの表面全域に高圧
の二酸化炭素が供給され、基板Ｗの表面が洗浄される。
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての高
圧の二酸化炭素を噴出させる。これにより、スピンチャ
ック７０に保持されて回転する基板Ｗの表面全域に高圧
の二酸化炭素が供給され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００５２】この第３実施形態に係る基板処理装置を利
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
基板Ｗにダメージを与えることなく基板Ｗの洗浄能力を
向上させることか可能な高圧の二酸化炭素を利用するこ
とから、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で
膨潤した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄
することが可能となる。また、従来の純水による洗浄行
程を省略し得ることから、装置の低コスト化と処理の迅
速化を図ることが可能となる。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
基板Ｗにダメージを与えることなく基板Ｗの洗浄能力を
向上させることか可能な高圧の二酸化炭素を利用するこ
とから、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で
膨潤した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄
することが可能となる。また、従来の純水による洗浄行
程を省略し得ることから、装置の低コスト化と処理の迅
速化を図ることが可能となる。
【００５３】なお、二酸化炭素に代えて、窒素ガス等の
他の気体を使用するようにしてもよい。
他の気体を使用するようにしてもよい。
【００５４】次に、この発明のさらに他の実施形態につ
いて説明する。図７は、この発明の第４実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図７
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
いて説明する。図７は、この発明の第４実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図７
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
【００５５】この第４実施形態に係る基板処理装置にお
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して氷の小片を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第１実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して氷の小片を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第１実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
【００５６】この第２実施形態に係る洗浄媒体供給機構
５０は、図７に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての氷の小片を吐出するための吐出ノズル５１を備え
る。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸
５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック
７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する
位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、
アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
５０は、図７に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての氷の小片を吐出するための吐出ノズル５１を備え
る。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸
５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック
７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する
位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、
アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
【００５７】また、吐出ノズル５１は、電磁弁５６およ
び粉砕混合部４５を介して氷の供給部４６と接続されて
いる。氷の供給部４６から供給された氷は、粉砕混合部
４５により小片状に粉砕される。そして、粉砕後の氷の
小片は、粉砕混合部４５からそこに供給された窒素ガス
をキャリアガスとして搬送され、吐出ノズル５１から基
板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は氷の小片供給用
のチューブを示している。
び粉砕混合部４５を介して氷の供給部４６と接続されて
いる。氷の供給部４６から供給された氷は、粉砕混合部
４５により小片状に粉砕される。そして、粉砕後の氷の
小片は、粉砕混合部４５からそこに供給された窒素ガス
をキャリアガスとして搬送され、吐出ノズル５１から基
板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は氷の小片供給用
のチューブを示している。
【００５８】この第４実施形態に係る基板処理装置によ
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての氷
の小片を窒素ガスをキャリアガスとして噴出させる。こ
れにより、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの表面全域に氷の小片が供給され、基板Ｗの表面が
洗浄される。
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての氷
の小片を窒素ガスをキャリアガスとして噴出させる。こ
れにより、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの表面全域に氷の小片が供給され、基板Ｗの表面が
洗浄される。
【００５９】この第４実施形態に係る基板処理装置を利
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
物理的な力で基板を洗浄する氷の小片を利用することか
ら、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤
した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄する
ことが可能となる。また、従来の純水による洗浄行程を
省略し得ることから、装置の低コスト化と処理の迅速化
を図ることが可能となる。なお、このときの氷の小片の
大きさは、数十ミクロン程度とすることが好ましい。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
物理的な力で基板を洗浄する氷の小片を利用することか
ら、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤
した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄する
ことが可能となる。また、従来の純水による洗浄行程を
省略し得ることから、装置の低コスト化と処理の迅速化
を図ることが可能となる。なお、このときの氷の小片の
大きさは、数十ミクロン程度とすることが好ましい。
【００６０】次に、この発明のさらに他の実施形態につ
いて説明する。図８は、この発明の第５実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図８
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
いて説明する。図８は、この発明の第５実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図８
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
【００６１】この第５実施形態に係る基板処理装置にお
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対してドライアイス（固形状二酸化炭素）の小
片を供給するようにしている。なお、以下の説明におい
ては、上述した第１実施形態と同一の部材については同
一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対してドライアイス（固形状二酸化炭素）の小
片を供給するようにしている。なお、以下の説明におい
ては、上述した第１実施形態と同一の部材については同
一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００６２】この第５実施形態に係る洗浄媒体供給機構
５０は、図８に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
してのドライアイスの小片を吐出するための吐出ノズル
５１を備える。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の
場合と同様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向
を向く軸５３を中心として揺動するアーム５４の先端に
配設されている。このため、吐出ノズル５１は、スピン
チャック７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と
対向する位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との
間を往復移動可能となっている。なお、ノズル移動機構
５２は、アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成と
なっている。
５０は、図８に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
してのドライアイスの小片を吐出するための吐出ノズル
５１を備える。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の
場合と同様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向
を向く軸５３を中心として揺動するアーム５４の先端に
配設されている。このため、吐出ノズル５１は、スピン
チャック７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と
対向する位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との
間を往復移動可能となっている。なお、ノズル移動機構
５２は、アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成と
なっている。
【００６３】また、吐出ノズル５１は、電磁弁５６およ
び第４実施形態と同様の粉砕混合部４５を介してドライ
アイスの供給部４７と接続されている。ドライアイスの
供給部４７から供給されたドライアイスは、粉砕混合部
４５により小片状に粉砕される。そして、粉砕後のドラ
イアイスの小片は、粉砕混合部４５からそこに供給され
た窒素ガスをキャリアガスとして搬送され、吐出ノズル
５１から基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５はドラ
イアイスの小片供給用のチューブを示している。
び第４実施形態と同様の粉砕混合部４５を介してドライ
アイスの供給部４７と接続されている。ドライアイスの
供給部４７から供給されたドライアイスは、粉砕混合部
４５により小片状に粉砕される。そして、粉砕後のドラ
イアイスの小片は、粉砕混合部４５からそこに供給され
た窒素ガスをキャリアガスとして搬送され、吐出ノズル
５１から基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５はドラ
イアイスの小片供給用のチューブを示している。
【００６４】この第５実施形態に係る基板処理装置によ
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としてのド
ライアイスの小片を窒素ガスをキャリアガスとして噴出
させる。これにより、スピンチャック７０に保持されて
回転する基板Ｗの表面全域にドライアイスの小片が供給
され、基板Ｗの表面が洗浄される。
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としてのド
ライアイスの小片を窒素ガスをキャリアガスとして噴出
させる。これにより、スピンチャック７０に保持されて
回転する基板Ｗの表面全域にドライアイスの小片が供給
され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００６５】この第５実施形態に係る基板処理装置を利
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
物理的な力で基板を洗浄するドライアイスの小片を利用
することから、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給
工程で膨潤した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥
離洗浄することが可能となる。また、従来の純水による
洗浄行程を省略し得ることから、装置の低コスト化と処
理の迅速化を図ることが可能となる。なお、このときの
ドライアイスの小片の大きさは、数十ミクロン程度とす
ることが好ましい。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
物理的な力で基板を洗浄するドライアイスの小片を利用
することから、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給
工程で膨潤した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥
離洗浄することが可能となる。また、従来の純水による
洗浄行程を省略し得ることから、装置の低コスト化と処
理の迅速化を図ることが可能となる。なお、このときの
ドライアイスの小片の大きさは、数十ミクロン程度とす
ることが好ましい。
【００６６】次に、この発明のさらに他の実施形態につ
いて説明する。図９は、この発明の第６実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図９
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
いて説明する。図９は、この発明の第６実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図９
は、上述した図３と同様、洗浄媒体供給機構５０とスピ
ンチャック７０と飛散防止用カップ７３との関係を示し
ている。図１および図２に示す除去液供給機構３０等の
構成は第１実施形態の場合と同様である。
【００６７】この第６実施形態に係る基板処理装置にお
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して水素水を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第１実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
いては、上述した第１実施形態に係る温水の代わりに、
基板Ｗに対して水素水を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第１実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
【００６８】この第６実施形態に係る洗浄媒体供給機構
５０は、図９に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての水素水を吐出するための吐出ノズル５１を備え
る。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸
５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック
７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する
位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、
アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
５０は、図９に示すように、基板Ｗに向けて洗浄媒体と
しての水素水を吐出するための吐出ノズル５１を備え
る。この吐出ノズル５１は、第１実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構５２の駆動により鉛直方向を向く軸
５３を中心として揺動するアーム５４の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル５１は、スピンチャック
７０に保持されて回転する基板Ｗの回転中心と対向する
位置と、この基板Ｗの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構５２は、
アーム５４を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
【００６９】また、吐出ノズル５１は、電磁弁５６を介
して水素水の供給部４８と接続されている。水素水の供
給部４８から供給された水素水は、吐出ノズル５１から
基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は水素水供給用
のチューブを示している。
して水素水の供給部４８と接続されている。水素水の供
給部４８から供給された水素水は、吐出ノズル５１から
基板Ｗ上に噴出される。なお、符号５５は水素水供給用
のチューブを示している。
【００７０】この第６実施形態に係る基板処理装置によ
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての水
素水を噴出させる。これにより、スピンチャック７０に
保持されて回転する基板Ｗの表面全域に水素水が供給さ
れ、基板Ｗの表面が洗浄される。
り、図４における洗浄媒体供給工程（ステップＳ４）を
実行する際には、基板Ｗをスピンチャック７０により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構５
０におけるノズル移動機構５２の駆動により、吐出ノズ
ル５１を、スピンチャック７０に保持されて回転する基
板Ｗの回転中心と対向する位置と、この基板Ｗの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
５６を開放して吐出ノズル５１から洗浄媒体としての水
素水を噴出させる。これにより、スピンチャック７０に
保持されて回転する基板Ｗの表面全域に水素水が供給さ
れ、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００７１】この第６実施形態に係る基板処理装置を利
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
活性能力の高い水素水を利用することから、有機物の洗
浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応生成物
の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可能とな
る。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得ること
から、装置の低コスト化と処理の迅速化を図ることが可
能となる。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
活性能力の高い水素水を利用することから、有機物の洗
浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応生成物
の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可能とな
る。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得ること
から、装置の低コスト化と処理の迅速化を図ることが可
能となる。
【００７２】なお、この明細書で述べる水素水とは、水
（純水）中に水素が溶解された液体をいう。
（純水）中に水素が溶解された液体をいう。
【００７３】上述した第１乃至第６実施形態において
は、ドライエッチング工程を経た基板Ｗに対して、ドラ
イエッチング時に生成されたポリマーを除去する基板処
理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、
この発明はドライエッチング時に生成されたポリマーが
存在する基板Ｗからポリマーを除去することに限定され
るものではない。
は、ドライエッチング工程を経た基板Ｗに対して、ドラ
イエッチング時に生成されたポリマーを除去する基板処
理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、
この発明はドライエッチング時に生成されたポリマーが
存在する基板Ｗからポリマーを除去することに限定され
るものではない。
【００７４】例えば、この発明は、プラズマアッシング
の際に生成されたポリマーを基板から除去する場合にも
適用可能である。すなわち、この発明は、ドライエッチ
ング以外の各種処理において、レジストに起因して生成
されたポリマーを基板から除去する基板処理装置に適用
することも可能である。
の際に生成されたポリマーを基板から除去する場合にも
適用可能である。すなわち、この発明は、ドライエッチ
ング以外の各種処理において、レジストに起因して生成
されたポリマーを基板から除去する基板処理装置に適用
することも可能である。
【００７５】また、この発明は、ドライエッチングや、
プラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーを
除去することに限定されるものではなく、レジストに由
来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含む。
プラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーを
除去することに限定されるものではなく、レジストに由
来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含む。
【００７６】例えば、レジスト膜をマスクとして、レジ
スト膜で覆われていない部分の前記薄膜に不純物拡散処
理を行った基板を処理する場合にこの発明を適用しても
よい。すなわち、このような不純物拡散処理には、例え
ば、イオンインプランテーションがあるが、このような
処理を経た基板ではレジスト膜の下方に存在しレジスト
膜で覆われていない部分の薄膜にはもちろん、レジスト
膜にもイオンが入り込む。これにより、レジストの一部
もしくは全部が変質し、この明細書で述べる「レジスト
が変質して生じた反応生成物」となっている。このよう
な反応生成物も有機物であり、この発明に係る基板処理
装置の除去対象となっている。
スト膜で覆われていない部分の前記薄膜に不純物拡散処
理を行った基板を処理する場合にこの発明を適用しても
よい。すなわち、このような不純物拡散処理には、例え
ば、イオンインプランテーションがあるが、このような
処理を経た基板ではレジスト膜の下方に存在しレジスト
膜で覆われていない部分の薄膜にはもちろん、レジスト
膜にもイオンが入り込む。これにより、レジストの一部
もしくは全部が変質し、この明細書で述べる「レジスト
が変質して生じた反応生成物」となっている。このよう
な反応生成物も有機物であり、この発明に係る基板処理
装置の除去対象となっている。
【００７７】また、この発明ではレジストに由来する反
応生成物を基板から除去することに限らず、レジストそ
のものを基板から除去する場合も含む。
応生成物を基板から除去することに限らず、レジストそ
のものを基板から除去する場合も含む。
【００７８】例えば、レジストが塗布され、該レジスト
に模様（配線パターン等）が露光され、該レジスト膜が
現像され、該レジストの下方に存在する下層に対して下
層処理が施された基板を対象とし、下層処理が終了して
不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。
に模様（配線パターン等）が露光され、該レジスト膜が
現像され、該レジストの下方に存在する下層に対して下
層処理が施された基板を対象とし、下層処理が終了して
不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。
【００７９】より具体的に言うと、レジスト膜が現像さ
れた後、下層としての薄膜に対して例えばエッチング処
理を行った場合が含まれる。このときのエッチング処理
が、エッチング液を供給して行うウエットエッチングで
あるか、ＲＩＥなどのドライエッチングであるかを問わ
ず、エッチング処理後においてはレジスト膜は不要にな
るので、これを除去する必要がある。このようなエッチ
ング処理後のレジスト除去処理も、この発明に係る基板
処理装置の対象となる。
れた後、下層としての薄膜に対して例えばエッチング処
理を行った場合が含まれる。このときのエッチング処理
が、エッチング液を供給して行うウエットエッチングで
あるか、ＲＩＥなどのドライエッチングであるかを問わ
ず、エッチング処理後においてはレジスト膜は不要にな
るので、これを除去する必要がある。このようなエッチ
ング処理後のレジスト除去処理も、この発明に係る基板
処理装置の対象となる。
【００８０】また、その他には、レジスト膜が現像され
た後、下層としての薄膜に下層処理として不純物拡散を
行った場合、不純物拡散処理後はレジスト膜は不要にな
るのでこれを除去する必要があるが、このときのレジス
ト除去処理も、この発明に係る基板処理装置の対象とな
る。
た後、下層としての薄膜に下層処理として不純物拡散を
行った場合、不純物拡散処理後はレジスト膜は不要にな
るのでこれを除去する必要があるが、このときのレジス
ト除去処理も、この発明に係る基板処理装置の対象とな
る。
【００８１】なお、これらの場合、不要になったレジス
ト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じ
た反応生成物があればこれも同時に除去できるので、ス
ループットが向上するとともに、コストを削減できる。
ト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じ
た反応生成物があればこれも同時に除去できるので、ス
ループットが向上するとともに、コストを削減できる。
【００８２】例えば、前記エッチング処理において、下
層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は
レジストに由来する反応生成物も生成される。よって、
ドライエッチング時に下層である薄膜をマスクすること
に供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が
変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。また、
下層である薄膜に対して不純物拡散処理（特にイオンイ
ンプランテーション）を行った場合にもレジストに由来
する反応生成物が生成される。よって、不純物拡散処理
時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜そのも
の、および、レジスト膜が変質して生じた反応生成物も
同時に除去できる。
層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は
レジストに由来する反応生成物も生成される。よって、
ドライエッチング時に下層である薄膜をマスクすること
に供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が
変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。また、
下層である薄膜に対して不純物拡散処理（特にイオンイ
ンプランテーション）を行った場合にもレジストに由来
する反応生成物が生成される。よって、不純物拡散処理
時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜そのも
の、および、レジスト膜が変質して生じた反応生成物も
同時に除去できる。
【００８３】さらには、この発明に係る基板処理装置に
よれば、レジストに由来する反応生成物やレジストその
ものを基板から除去することに限らず、レジストに由来
しない有機物、例えば人体から発塵した微細な汚染物質
などを基板から除去することも可能となる。
よれば、レジストに由来する反応生成物やレジストその
ものを基板から除去することに限らず、レジストに由来
しない有機物、例えば人体から発塵した微細な汚染物質
などを基板から除去することも可能となる。
【００８４】また、上述した第１乃至第６実施形態にお
いては、除去液供給機構３０を使用して基板Ｗに除去液
を供給した後、洗浄媒体供給機構５０を利用して基板Ｗ
に各種の洗浄媒体を供給することで有機物の除去処理を
完了させているが、洗浄媒体供給機構５０を利用して基
板Ｗにさらに純水を供給して、基板Ｗを再度純水により
洗浄するようにしてもよい。
いては、除去液供給機構３０を使用して基板Ｗに除去液
を供給した後、洗浄媒体供給機構５０を利用して基板Ｗ
に各種の洗浄媒体を供給することで有機物の除去処理を
完了させているが、洗浄媒体供給機構５０を利用して基
板Ｗにさらに純水を供給して、基板Ｗを再度純水により
洗浄するようにしてもよい。
【００８５】
【発明の効果】請求項１乃至請求項７に記載の発明によ
れば、簡易な構成でありながら、有機物の除去処理を短
時間に完了することが可能となる。
れば、簡易な構成でありながら、有機物の除去処理を短
時間に完了することが可能となる。
【図１】この発明に係る基板処理装置の平面概要図であ
る。
る。
【図２】この発明に係る基板処理装置を側方から見た概
要図である。
要図である。
【図３】この発明に係る基板処理装置を側方から見た概
要図である。
要図である。
【図４】この発明に係る基板処理装置による基板Ｗの処
理動作を示すフローチャートである。
理動作を示すフローチャートである。
【図５】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置を
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
【図６】この発明の第３実施形態に係る基板処理装置を
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
【図７】この発明の第４実施形態に係る基板処理装置を
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
【図８】この発明の第５実施形態に係る基板処理装置を
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
【図９】この発明の第６実施形態に係る基板処理装置を
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
３０ 除去液供給機構
３１ 吐出ノズル
３７ 除去液の供給部
４１ 純水の供給部
４２ ヒータ
４３ スチーマー
４４ 二酸化炭素の供給部
４５ 粉砕混合部
４６ 氷の供給部
４７ ドライアイスの供給部
４８ 水素水の供給部
５０ 洗浄媒体供給機構
５１ 吐出ノズル
７０ スピンチャック
７３ 飛散防止用カップ
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 奥田 誠一郎
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 黒田 拓也
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB48 BA06 BA38 BB22
BB44 BB82
3B201 AA03 AB48 BA06 BA38 BB13
BB22 BB44 BB82 BB92 BB98
CB25
Claims (7)
- 【請求項１】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて温水を供給す
る温水供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて水蒸気を供給
する水蒸気供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて気体を供給す
る気体供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて氷の小片を供
給する氷供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けてドライアイス
の小片を供給するドライアイス供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて水素水を供給
する水素水供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかにに記
載の基板処理装置において、 前記有機物はレジストが変質して生じた反応生成物であ
る基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210598A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| US20100319210A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Disc drying device and disc drying method |
| WO2011125990A1 (ja) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2013055292A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Tdk Corp | 洗浄乾燥装置 |
| JP2016029705A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| KR20160097501A (ko) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 주식회사 아이엠티 | 초순수 워터막과 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 |
| JP2017152600A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20210124391A (ko) | 2019-03-22 | 2021-10-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236083A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20090153216A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | International Business Machines Corporation | Io driver circuit with output stage configurable as a thevenin terminator |
| US8707974B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-04-29 | United Microelectronics Corp. | Wafer cleaning device |
| CN104624545A (zh) * | 2009-12-24 | 2015-05-20 | 联华电子股份有限公司 | 晶片清洗装置及晶片清洗方式 |
| JP2012064300A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-29 | Showa Denko Kk | 引き上げ乾燥装置、これを用いた磁気記録媒体用基板又は磁気記録媒体の製造方法 |
| KR20170134925A (ko) * | 2016-05-27 | 2017-12-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| TW202129072A (zh) * | 2019-10-02 | 2021-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板液處理裝置及基板液處理方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04253331A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-09-09 | Xerox Corp | 基板の清浄化方法及び該方法に使用する装置 |
| JPH0750246A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH08162425A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 |
| JPH1041263A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 |
| JP2001070861A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2001156156A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 物体検出装置および基板処理装置 |
| JP2001185520A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | M Fsi Kk | 半導体素子形成用基板表面処理方法 |
| JP2001255671A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009240A (en) * | 1989-07-07 | 1991-04-23 | United States Of America | Wafer cleaning method |
| JPH04363022A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Enya Syst:Kk | 貼付板洗浄装置 |
| JP3337870B2 (ja) * | 1995-05-11 | 2002-10-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板洗浄装置 |
| TW386235B (en) * | 1995-05-23 | 2000-04-01 | Tokyo Electron Ltd | Method for spin rinsing |
| KR970018240A (ko) * | 1995-09-08 | 1997-04-30 | 모리시다 요이치 | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 |
| KR100187445B1 (ko) * | 1996-06-05 | 1999-04-15 | 김광호 | 웨이퍼 세정 방법 및 장치 |
| US6247479B1 (en) * | 1997-05-27 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Washing/drying process apparatus and washing/drying process method |
| US5980647A (en) * | 1997-07-15 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Metal removal cleaning process and apparatus |
| TW470785B (en) * | 1998-02-03 | 2002-01-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for preliminary treatment of copper surfaces |
| DE19807917A1 (de) * | 1998-02-25 | 1999-08-26 | Air Liquide Gmbh | Verfahren und Einrichtung zur Erzeugung eines zweiphasigen Gas-Partikel-Strahls, insbesondere mit CO¶2¶-Trockeneispartikeln |
| JP3563605B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2004-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3626610B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP3979750B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置 |
| JP3990073B2 (ja) * | 1999-06-17 | 2007-10-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| US6309981B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-10-30 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US6743301B2 (en) * | 1999-12-24 | 2004-06-01 | mFSI Ltd. | Substrate treatment process and apparatus |
| JP2001237208A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置 |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6805769B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-10-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6692903B2 (en) * | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6730176B2 (en) * | 2001-07-09 | 2004-05-04 | Birol Kuyel | Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus |
-
2002
- 2002-10-21 JP JP2002305200A patent/JP4101609B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-27 US US10/307,152 patent/US20030109205A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-01-18 US US11/037,521 patent/US20050124518A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04253331A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-09-09 | Xerox Corp | 基板の清浄化方法及び該方法に使用する装置 |
| JPH0750246A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH08162425A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置 |
| JPH1041263A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置 |
| JP2001070861A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-03-21 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
| JP2001156156A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 物体検出装置および基板処理装置 |
| JP2001185520A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | M Fsi Kk | 半導体素子形成用基板表面処理方法 |
| JP2001255671A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210598A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| US20100319210A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Disc drying device and disc drying method |
| US8220179B2 (en) * | 2009-06-19 | 2012-07-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Disc drying device and disc drying method |
| WO2011125990A1 (ja) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011222062A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2013055292A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Tdk Corp | 洗浄乾燥装置 |
| JP2016029705A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| KR20160097501A (ko) * | 2015-02-09 | 2016-08-18 | 주식회사 아이엠티 | 초순수 워터막과 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 |
| KR101659683B1 (ko) * | 2015-02-09 | 2016-09-23 | 주식회사 아이엠티 | 초순수 워터막과 드라이아이스를 이용한 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 |
| JP2017152600A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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