JPH0750246A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0750246A JPH0750246A JP5195040A JP19504093A JPH0750246A JP H0750246 A JPH0750246 A JP H0750246A JP 5195040 A JP5195040 A JP 5195040A JP 19504093 A JP19504093 A JP 19504093A JP H0750246 A JPH0750246 A JP H0750246A
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- Japan
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- foreign matter
- semiconductor wafer
- manufacturing apparatus
- semiconductor manufacturing
- semiconductor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 裏面に異物が付着した半導体ウエハが露光ス
テージに載置されることを排除し、露光ステージ上の半
導体ウエハの平坦性を確保できる半導体製造装置を提供
する。 【構成】 露光処理前の半導体ウエハ１を収納する第１
の治具２と露光ステージ４との間に、半導体ウエハ１の
裏面を走査するレーザ光１０を照射する照射部７ａと、
裏面に付着した異物により散乱されたレーザ光１０を検
出するセンサ部７ｂとからなる異物検知手段７と、この
異物検知手段７によって検知された異物を除去する高圧
気体噴射装置（異物除去手段）８とを設ける。
テージに載置されることを排除し、露光ステージ上の半
導体ウエハの平坦性を確保できる半導体製造装置を提供
する。 【構成】 露光処理前の半導体ウエハ１を収納する第１
の治具２と露光ステージ４との間に、半導体ウエハ１の
裏面を走査するレーザ光１０を照射する照射部７ａと、
裏面に付着した異物により散乱されたレーザ光１０を検
出するセンサ部７ｂとからなる異物検知手段７と、この
異物検知手段７によって検知された異物を除去する高圧
気体噴射装置（異物除去手段）８とを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に、半導体ウエハに転写された設計パターンの欠
陥防止に適用して有効な技術に関する。
し、特に、半導体ウエハに転写された設計パターンの欠
陥防止に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ホトレジストが塗布された半導体ウエハ
にホトマスクを用いて設計パターンを露光する半導体製
造装置である露光装置においては、治具にセットされた
半導体ウエハが、オリフラ合わせ機構でオリフラを所定
の位置に合わされた後に、露光ステージ上に載置されて
露光されている。
にホトマスクを用いて設計パターンを露光する半導体製
造装置である露光装置においては、治具にセットされた
半導体ウエハが、オリフラ合わせ機構でオリフラを所定
の位置に合わされた後に、露光ステージ上に載置されて
露光されている。
【０００３】このとき、半導体ウエハの表面やパターン
が形成されたホトマスクからは異物が除去され、また、
露光ステージ上の半導体ウエハは裏面を真空吸着される
ことによって平坦化されて、転写される設計パターンの
パターン欠陥の発生を未然に防止している。
が形成されたホトマスクからは異物が除去され、また、
露光ステージ上の半導体ウエハは裏面を真空吸着される
ことによって平坦化されて、転写される設計パターンの
パターン欠陥の発生を未然に防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなパ
ターン欠陥の防止策にも拘らず、依然として転写される
マスクパターンに不良が発生することがあり、本発明者
によってその原因が明らかにされた。
ターン欠陥の防止策にも拘らず、依然として転写される
マスクパターンに不良が発生することがあり、本発明者
によってその原因が明らかにされた。
【０００５】それは、すなわち、半導体ウエハが露光ス
テージに移送されるまでの間において裏面に異物が付着
し、この付着した異物が露光ステージ上に真空吸着され
た半導体ウエハの平坦性を阻害する結果、マスクパター
ンに不良が発生するというものである。
テージに移送されるまでの間において裏面に異物が付着
し、この付着した異物が露光ステージ上に真空吸着され
た半導体ウエハの平坦性を阻害する結果、マスクパター
ンに不良が発生するというものである。
【０００６】さらに、一旦露光ステージ上に異物が付着
すると、その異物がその場所に留まって、その後に処理
される異物の付着していない半導体ウエハの平坦性をも
阻害しているのである。
すると、その異物がその場所に留まって、その後に処理
される異物の付着していない半導体ウエハの平坦性をも
阻害しているのである。
【０００７】そこで、本発明の目的は、裏面に異物が付
着した半導体ウエハが露光ステージに載置されることを
排除し、露光ステージ上の半導体ウエハの平坦性を確保
することのできる半導体製造装置に関する技術を提供す
ることにある。
着した半導体ウエハが露光ステージに載置されることを
排除し、露光ステージ上の半導体ウエハの平坦性を確保
することのできる半導体製造装置に関する技術を提供す
ることにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１０】すなわち、本発明の半導体製造装置は、ホ
トマスクに形成された所定の設計パターンを半導体ウエ
ハに対してアライメントして縮小投影することにより半
導体ウエハ上にレジストパターンを形成するものであっ
て、露光処理前の前記半導体ウエハを収納する第１の治
具と露光ステージとの間に、半導体ウエハの裏面に付着
した異物の有無を検知する異物検知手段を設けたもので
ある。
トマスクに形成された所定の設計パターンを半導体ウエ
ハに対してアライメントして縮小投影することにより半
導体ウエハ上にレジストパターンを形成するものであっ
て、露光処理前の前記半導体ウエハを収納する第１の治
具と露光ステージとの間に、半導体ウエハの裏面に付着
した異物の有無を検知する異物検知手段を設けたもので
ある。
【００１１】また、本発明の半導体製造装置は、ホトマ
スクに形成された所定の設計パターンを半導体ウエハに
対してアライメントして縮小投影することにより半導体
ウエハ上にレジストパターンを形成するものであって、
露光処理前の前記半導体ウエハを収納する第１の治具と
露光ステージとの間に、半導体ウエハの裏面に付着した
異物の有無を検知する異物検知手段と、この異物検知手
段によって検知された異物を除去する異物除去手段とを
設けたものである。
スクに形成された所定の設計パターンを半導体ウエハに
対してアライメントして縮小投影することにより半導体
ウエハ上にレジストパターンを形成するものであって、
露光処理前の前記半導体ウエハを収納する第１の治具と
露光ステージとの間に、半導体ウエハの裏面に付着した
異物の有無を検知する異物検知手段と、この異物検知手
段によって検知された異物を除去する異物除去手段とを
設けたものである。
【００１２】これらの場合において、前記の異物検知手
段は、半導体ウエハの裏面を走査するレーザ光を照射す
る照射部と、異物により散乱されたレーザ光を検出する
センサ部とからなるものとすることができる。
段は、半導体ウエハの裏面を走査するレーザ光を照射す
る照射部と、異物により散乱されたレーザ光を検出する
センサ部とからなるものとすることができる。
【００１３】また、前記の異物除去手段は、気体の圧力
で異物を除去する高圧気体噴射装置、あるいは、液体洗
浄で異物を除去する液体洗浄装置とすることができる。
で異物を除去する高圧気体噴射装置、あるいは、液体洗
浄で異物を除去する液体洗浄装置とすることができる。
【００１４】
【作用】上記のような構成の半導体製造装置によれば、
裏面に異物が付着した半導体ウエハは露光ステージに載
置されることがないので、露光ステージ上に真空吸着さ
れた半導体ウエハの平坦性が阻害されることがなく、転
写されたマスクパターンの欠陥発生を未然に防止するこ
とができる。
裏面に異物が付着した半導体ウエハは露光ステージに載
置されることがないので、露光ステージ上に真空吸着さ
れた半導体ウエハの平坦性が阻害されることがなく、転
写されたマスクパターンの欠陥発生を未然に防止するこ
とができる。
【００１５】また、露光ステージ上に異物が存在しなく
なるので、その後に処理される異物の付着していない半
導体ウエハが、異物によって連鎖的に平坦性を阻害され
ることもない。
なるので、その後に処理される異物の付着していない半
導体ウエハが、異物によって連鎖的に平坦性を阻害され
ることもない。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１７】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る半導体製造装置を示す概略的説明図である。
る半導体製造装置を示す概略的説明図である。
【００１８】先ず、本実施例による半導体製造装置の構
成について説明する。
成について説明する。
【００１９】本実施例の半導体製造装置は、ホトレジス
トが塗布された半導体ウエハ１にホトマスクを用いて設
計パターンを露光する半導体製造装置であって、露光処
理前の半導体ウエハ１を収納する第１の治具２と、この
第１の治具２から搬送された半導体ウエハ１のオリエン
テーションフラットを所定の位置に合わせるオリフラ合
わせ機構３と、オリフラ合わせ後の半導体ウエハ１を露
光位置に微動して位置決めする露光ステージ４と、位置
決めされた半導体ウエハ１にホトマスクの設計パターン
を転写するレンズ５ａ等の縮小投影露光装置５と、パタ
ーン転写後の半導体ウエハ１を収納する第２の治具６と
から構成されている。
トが塗布された半導体ウエハ１にホトマスクを用いて設
計パターンを露光する半導体製造装置であって、露光処
理前の半導体ウエハ１を収納する第１の治具２と、この
第１の治具２から搬送された半導体ウエハ１のオリエン
テーションフラットを所定の位置に合わせるオリフラ合
わせ機構３と、オリフラ合わせ後の半導体ウエハ１を露
光位置に微動して位置決めする露光ステージ４と、位置
決めされた半導体ウエハ１にホトマスクの設計パターン
を転写するレンズ５ａ等の縮小投影露光装置５と、パタ
ーン転写後の半導体ウエハ１を収納する第２の治具６と
から構成されている。
【００２０】さらに、第１の治具２とオリフラ合わせ機
構３との間には、半導体ウエハ１の裏面の異物の有無を
検知する異物検知手段７と、異物が検出された半導体ウ
エハ１の裏面に高圧気体を噴射して気体の圧力でこれを
除去する高圧気体噴射装置（異物除去手段）８とが設け
られている。
構３との間には、半導体ウエハ１の裏面の異物の有無を
検知する異物検知手段７と、異物が検出された半導体ウ
エハ１の裏面に高圧気体を噴射して気体の圧力でこれを
除去する高圧気体噴射装置（異物除去手段）８とが設け
られている。
【００２１】また、各工程間には、半導体ウエハ１を搬
送するための搬送系９が設けられている。
送するための搬送系９が設けられている。
【００２２】ここで、本実施例に設けられた異物検知手
段７は、レーザ光１０を照射する照射部７ａと、散乱し
たレーザ光１０を検出するセンサ部７ｂとからなるもの
である。すなわち、照射部７ａから発せられたレーザ光
１０を半導体ウエハ１の裏面に走査し、異物があった場
合に散乱するこのレーザ光１０をセンサ部７ｂが検出す
るものである。
段７は、レーザ光１０を照射する照射部７ａと、散乱し
たレーザ光１０を検出するセンサ部７ｂとからなるもの
である。すなわち、照射部７ａから発せられたレーザ光
１０を半導体ウエハ１の裏面に走査し、異物があった場
合に散乱するこのレーザ光１０をセンサ部７ｂが検出す
るものである。
【００２３】次に、本実施例の半導体製造装置の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】ホトレジストが塗布され、第１の治具２に
収納された半導体ウエハ１は、搬送系９によって１枚ず
つオリフラ合わせ機構３に搬送される。
収納された半導体ウエハ１は、搬送系９によって１枚ず
つオリフラ合わせ機構３に搬送される。
【００２５】このオリフラ合わせ機構３への搬送中に、
半導体ウエハ１の裏面に対して異物検知手段７の照射部
７ａからレーザ光１０が照射され、異物があった場合に
散乱するレーザ光１０をセンサ部７ｂが検出することで
異物の有無が検知される。
半導体ウエハ１の裏面に対して異物検知手段７の照射部
７ａからレーザ光１０が照射され、異物があった場合に
散乱するレーザ光１０をセンサ部７ｂが検出することで
異物の有無が検知される。
【００２６】ここで、半導体ウエハ１の裏面から異物が
検出されなかった場合にはそのままオリフラ合わせ機構
３へ搬送されるが、異物が検出された場合には、半導体
ウエハ１は高圧気体噴射装置８へ送られる。そして、半
導体ウエハ１の裏面に高圧気体が噴射されて異物が除去
され、再び異物検知手段７によって異物の有無がチェッ
クされるようになっている。
検出されなかった場合にはそのままオリフラ合わせ機構
３へ搬送されるが、異物が検出された場合には、半導体
ウエハ１は高圧気体噴射装置８へ送られる。そして、半
導体ウエハ１の裏面に高圧気体が噴射されて異物が除去
され、再び異物検知手段７によって異物の有無がチェッ
クされるようになっている。
【００２７】オリフラ合わせ機構３へ搬送された半導体
ウエハ１は、外周に設けられたオリエンテーションフラ
ットが所定の位置に合わされ、次に、露光ステージ４に
載置されて露光位置に調整される。
ウエハ１は、外周に設けられたオリエンテーションフラ
ットが所定の位置に合わされ、次に、露光ステージ４に
載置されて露光位置に調整される。
【００２８】そして、縮小投影露光装置５によってホト
マスクの設計パターンが半導体ウエハ１上に転写され、
最後に第２の治具６に収納される。
マスクの設計パターンが半導体ウエハ１上に転写され、
最後に第２の治具６に収納される。
【００２９】このように、本実施例の半導体製造装置に
おいては、異物検知手段７によって半導体ウエハ１の裏
面に付着した異物の有無が検知され、そして、異物が検
出された場合には、高圧気体噴射装置８によってその異
物が除去されるので、裏面に異物が付着した半導体ウエ
ハ１が露光ステージ４に載置されることはない。
おいては、異物検知手段７によって半導体ウエハ１の裏
面に付着した異物の有無が検知され、そして、異物が検
出された場合には、高圧気体噴射装置８によってその異
物が除去されるので、裏面に異物が付着した半導体ウエ
ハ１が露光ステージ４に載置されることはない。
【００３０】したがって、露光ステージ４上に真空吸着
された半導体ウエハ１の平坦性を確保することができ、
転写されたマスクパターンの欠陥発生を未然に防止する
ことが可能となる。
された半導体ウエハ１の平坦性を確保することができ、
転写されたマスクパターンの欠陥発生を未然に防止する
ことが可能となる。
【００３１】また、露光ステージ４上には異物が存在し
なくなるので、その後に処理される異物の付着していな
い半導体ウエハ１が、異物によって連鎖的に平坦性を阻
害されるおそれもない。
なくなるので、その後に処理される異物の付着していな
い半導体ウエハ１が、異物によって連鎖的に平坦性を阻
害されるおそれもない。
【００３２】（実施例２）図２は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置を示す概略的説明図である。
ある半導体製造装置を示す概略的説明図である。
【００３３】本実施例の半導体製造装置は、半導体ウエ
ハの裏面に検出された異物を除去する装置として、前記
実施例１の高圧気体噴射装置に代えて、たとえばポンプ
と噴射ノズルよりなる液体洗浄装置（異物除去手段）１
８が設けられたものである。
ハの裏面に検出された異物を除去する装置として、前記
実施例１の高圧気体噴射装置に代えて、たとえばポンプ
と噴射ノズルよりなる液体洗浄装置（異物除去手段）１
８が設けられたものである。
【００３４】本実施例の半導体製造装置によっても、異
物検知手段７によって半導体ウエハ１の裏面に付着した
異物が検知され、この検知された異物は液体洗浄装置１
８によって除去されるので、裏面に異物が付着した半導
体ウエハ１が露光ステージ４に載置されることはない。
物検知手段７によって半導体ウエハ１の裏面に付着した
異物が検知され、この検知された異物は液体洗浄装置１
８によって除去されるので、裏面に異物が付着した半導
体ウエハ１が露光ステージ４に載置されることはない。
【００３５】したがって、露光ステージ４上に真空吸着
された半導体ウエハ１の平坦性を確保することができ、
また、異物の付着していない半導体ウエハ１が、露光ス
テージ４上に存在する異物によって連鎖的に平坦性を阻
害されるおそれもない。
された半導体ウエハ１の平坦性を確保することができ、
また、異物の付着していない半導体ウエハ１が、露光ス
テージ４上に存在する異物によって連鎖的に平坦性を阻
害されるおそれもない。
【００３６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３７】たとえば、本実施例においては、異物検知
手段は第１の治具とオリフラ合わせ機構との間に設けら
れているが、この位置に限定されるものではなく、露光
ステージとオリフラ合わせ機構との間であってもよい。
すなわち、露光ステージに半導体ウエハの裏面に付着し
た異物を持ち込まないようにするのであるから、第１の
治具と露光ステージとの間の任意の位置に設けることが
可能である。
手段は第１の治具とオリフラ合わせ機構との間に設けら
れているが、この位置に限定されるものではなく、露光
ステージとオリフラ合わせ機構との間であってもよい。
すなわち、露光ステージに半導体ウエハの裏面に付着し
た異物を持ち込まないようにするのであるから、第１の
治具と露光ステージとの間の任意の位置に設けることが
可能である。
【００３８】また、本実施例の半導体製造装置では、異
物除去手段が一体的に設けられているが、これは別体と
することも可能である。
物除去手段が一体的に設けられているが、これは別体と
することも可能である。
【００３９】さらに、異物検知手段および異物除去手段
は前記した実施例以外のものとすることが可能であるこ
とはもちろんである。
は前記した実施例以外のものとすることが可能であるこ
とはもちろんである。
【００４０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００４１】(1).すなわち、本発明の半導体製造装置に
よれば、異物検知手段によって半導体ウエハの裏面に付
着した異物の有無が検知され、裏面に異物が付着した半
導体ウエハが露光ステージに載置されることはない。し
たがって、露光ステージ上に真空吸着された半導体ウエ
ハの平坦性を確保することができ、転写されたマスクパ
ターンの欠陥発生を未然に防止することが可能になる。
よれば、異物検知手段によって半導体ウエハの裏面に付
着した異物の有無が検知され、裏面に異物が付着した半
導体ウエハが露光ステージに載置されることはない。し
たがって、露光ステージ上に真空吸着された半導体ウエ
ハの平坦性を確保することができ、転写されたマスクパ
ターンの欠陥発生を未然に防止することが可能になる。
【００４２】(2).また、露光ステージ上には異物が存在
しなくなるので、その後に処理される異物の付着してい
ない半導体ウエハが、異物によって連鎖的に平坦性を阻
害されるおそれもない。
しなくなるので、その後に処理される異物の付着してい
ない半導体ウエハが、異物によって連鎖的に平坦性を阻
害されるおそれもない。
【図１】本発明の実施例１による半導体製造装置を示す
概略的説明図である。
概略的説明図である。
【図２】本発明の実施例２による半導体製造装置を示す
概略的説明図である。
概略的説明図である。
１ 半導体ウエハ ２ 第１の治具 ３ オリフラ合わせ機構 ４ 露光ステージ ５ 縮小投影露光装置 ５ａ レンズ ６ 第２の治具 ７ 異物検知手段 ７ａ 照射部 ７ｂ センサ部 ８ 高圧気体噴射装置（異物除去手段） ９ 搬送系 １０ レーザ光 １８ 液体洗浄装置（異物除去手段）
Claims (5)
- 【請求項１】 ホトマスクに形成された所定の設計パタ
ーンを半導体ウエハに対してアライメントして縮小投影
することにより前記半導体ウエハ上にレジストパターン
を形成する半導体製造装置であって、露光処理前の前記
半導体ウエハを収納する第１の治具と露光ステージとの
間に、前記半導体ウエハの裏面に付着した異物の有無を
検知する異物検知手段を設けたことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】 ホトマスクに形成された所定の設計パタ
ーンを半導体ウエハに対してアライメントして縮小投影
することにより前記半導体ウエハ上にレジストパターン
を形成する半導体製造装置であって、露光処理前の前記
半導体ウエハを収納する第１の治具と露光ステージとの
間に、前記半導体ウエハの裏面に付着した異物の有無を
検知する異物検知手段と、前記異物検知手段によって検
知された異物を除去する異物除去手段とを設けたことを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記異物検知手段は、半導体ウエハの裏
面を走査するレーザ光を照射する照射部と、異物により
散乱された前記レーザ光を検出するセンサ部とからなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装
置。 - 【請求項４】 前記異物除去手段は、気体の圧力で前記
異物を除去する高圧気体噴射装置からなることを特徴と
する請求項１、２または３記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記異物除去手段は、液体洗浄で前記異
物を除去する液体洗浄装置からなることを特徴とする請
求項１、２または３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5195040A JPH0750246A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5195040A JPH0750246A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750246A true JPH0750246A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16334547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5195040A Pending JPH0750246A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750246A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104553A (en) * | 1998-04-14 | 2000-08-15 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Image-forming lens |
| JP2002246300A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Seiko Instruments Inc | 半導体製造装置 |
| US6577456B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-06-10 | Fuji Photo Optical Co., Ltd. | Single focus lens |
| JP2003234323A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-08-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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