JPS5821742A - 位置合わせ露光装置 - Google Patents
位置合わせ露光装置Info
- Publication number
- JPS5821742A JPS5821742A JP56121151A JP12115181A JPS5821742A JP S5821742 A JPS5821742 A JP S5821742A JP 56121151 A JP56121151 A JP 56121151A JP 12115181 A JP12115181 A JP 12115181A JP S5821742 A JPS5821742 A JP S5821742A
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- JP
- Japan
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- dust
- exposure
- exposure mask
- mask
- automatically
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1位置合わせ露光装置に係シ、特にホFレジス
トを被覆した半導体基板上KJI光像を転写する露JI
tマスク上の塵埃を自動的に検出し、その塵埃を自動的
に除去し、これら塵埃による露光曽O欠陥を事#に除去
し、半導体基板上より得られる半導体素子の良品率の向
上をなし得る位置合わせ露光装置Kllする。
トを被覆した半導体基板上KJI光像を転写する露JI
tマスク上の塵埃を自動的に検出し、その塵埃を自動的
に除去し、これら塵埃による露光曽O欠陥を事#に除去
し、半導体基板上より得られる半導体素子の良品率の向
上をなし得る位置合わせ露光装置Kllする。
最近O超高集積度半導体デバイスの袈造工薯の如く高解
像力を要求される位置合わせ露光装置にお−で、露光マ
スタ像の欠−〇管層は非常に重要なものとなりており、
特に常時、付着O可能性のある塵埃による欠陥は半導体
基板上から得られる半導体素子の良品率を左右する重*
**嵩になりている。
像力を要求される位置合わせ露光装置にお−で、露光マ
スタ像の欠−〇管層は非常に重要なものとなりており、
特に常時、付着O可能性のある塵埃による欠陥は半導体
基板上から得られる半導体素子の良品率を左右する重*
**嵩になりている。
一従来の位置合わせ露光装置における塵埃による欠陥の
管部は、露光后に形wttkれる半導体基板上の本トレ
ジスト拳パターンにようての+egtt%これに要する
時間、労力は針〕しれなく、また。
管部は、露光后に形wttkれる半導体基板上の本トレ
ジスト拳パターンにようての+egtt%これに要する
時間、労力は針〕しれなく、また。
これに伴う欠陥の除去に要する時間、労力4tだ計)し
れない。
れない。
本発明は、上述の従来の方法の持つ問題点を除去し、塵
埃による欠陥の検出、除去を自動的に行なうことを可能
とし、これによる作業効率の向上を図ることを可能とし
、さらに塵埃の検出lIfとその確度の向上によ多、結
果として現われる半導体基板上から得られる半導体素子
の良品率の向上を図〕得る塵埃自動検出、自動除去機構
を具備した位置合わせ露光装置を提供することを目的と
する。
埃による欠陥の検出、除去を自動的に行なうことを可能
とし、これによる作業効率の向上を図ることを可能とし
、さらに塵埃の検出lIfとその確度の向上によ多、結
果として現われる半導体基板上から得られる半導体素子
の良品率の向上を図〕得る塵埃自動検出、自動除去機構
を具備した位置合わせ露光装置を提供することを目的と
する。
本発明は、前述の如<4党マスクに描かれた像をホトレ
ジストを被接した半導体基板上に露光転写させる位置合
わせ露光装置において%露光マスク上のチリ、ホコリ等
の塵埃を例えばレーザー光線のスキャンニング等により
検出し、これをイオン化した気体#lKよ〕静電気を中
和して強固な付着を緩−させつつ、さらに高圧気体によ
るジェット噴mKより除去すること¥r:特徴とする謳
埃自動除去機構會具備する位置合わせ露光装置である。
ジストを被接した半導体基板上に露光転写させる位置合
わせ露光装置において%露光マスク上のチリ、ホコリ等
の塵埃を例えばレーザー光線のスキャンニング等により
検出し、これをイオン化した気体#lKよ〕静電気を中
和して強固な付着を緩−させつつ、さらに高圧気体によ
るジェット噴mKより除去すること¥r:特徴とする謳
埃自動除去機構會具備する位置合わせ露光装置である。
以下1本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第1図(a)、 Cb)は1本発明の詳細な説明図
であり%第1図(a)は謳埃自動検出、自動除去機構を
含む露光マスク自動搬送装置を示し、第1図(ロ)は塵
埃自動検出、自動除去機構例の説明図である0図中lt
/i露光マスク・ローティング位t。
る。第1図(a)、 Cb)は1本発明の詳細な説明図
であり%第1図(a)は謳埃自動検出、自動除去機構を
含む露光マスク自動搬送装置を示し、第1図(ロ)は塵
埃自動検出、自動除去機構例の説明図である0図中lt
/i露光マスク・ローティング位t。
2は露光マスク%3はベルト搬送機構、4は塵埃自動検
出、自動除去機構部%5は露光マスク・ステージ、6は
レーザー・ビーム、7は受光センサ。
出、自動除去機構部%5は露光マスク・ステージ、6は
レーザー・ビーム、7は受光センサ。
、8Fi塵埃、9はイオン化気体流ノズル、10はイオ
ン化された気体II、11は気体噴流ノズル、12は排
気ポー)13は気体噴Rを各々示すものとする。
ン化された気体II、11は気体噴流ノズル、12は排
気ポー)13は気体噴Rを各々示すものとする。
亨位置合わせ無光装置に&いて、 m′yt、マスクの
鰻lILに1区O躯序で行なわれる。まず、無光マスク
2を露光マスク・ローディング位置1にセットする0次
に何らかの指示により無光マスク2はベルト搬送機$3
により、一定のコントロールされた早さで塵槍自論検出
、自論除去機構部4へ送られる。この11埃自動検出も
自動除去I#I41111鄭4にνいて露光マスク2の
表裏2面はレーず−・ビーム6の無光マスタの搬送方向
と一瓢な方向へのスキャンとそれと追従して、そのマス
ク面からの反射ビームを検出する受光センナ7により全
一1走量され、露光マスク上のレーず−ビーム6の反射
点が塵埃8と重なる時の受光センサ7への入射元−〇叢
化より自動的Ka[8t−検出する。この層板8の検出
と同時にベルト搬送機構3Fi停止し、(−の塵埃に向
ってイオン化気体流ノズル9よシ、イオン化された気体
流lOが供給され、塵埃8の静電付着1g和させる。同
時にこのイオン化気体流ノズル9及び気体噴流ノズール
11と対向して設けられ、その気体流動充分に吸入可能
な排気ポート12.4開口される。11埃8の静電付着
が充分に緩和された後、その塵埃に対し気体噴流ノズル
■より充分に加速された気体噴流13が噴射され。
鰻lILに1区O躯序で行なわれる。まず、無光マスク
2を露光マスク・ローディング位置1にセットする0次
に何らかの指示により無光マスク2はベルト搬送機$3
により、一定のコントロールされた早さで塵槍自論検出
、自論除去機構部4へ送られる。この11埃自動検出も
自動除去I#I41111鄭4にνいて露光マスク2の
表裏2面はレーず−・ビーム6の無光マスタの搬送方向
と一瓢な方向へのスキャンとそれと追従して、そのマス
ク面からの反射ビームを検出する受光センナ7により全
一1走量され、露光マスク上のレーず−ビーム6の反射
点が塵埃8と重なる時の受光センサ7への入射元−〇叢
化より自動的Ka[8t−検出する。この層板8の検出
と同時にベルト搬送機構3Fi停止し、(−の塵埃に向
ってイオン化気体流ノズル9よシ、イオン化された気体
流lOが供給され、塵埃8の静電付着1g和させる。同
時にこのイオン化気体流ノズル9及び気体噴流ノズール
11と対向して設けられ、その気体流動充分に吸入可能
な排気ポート12.4開口される。11埃8の静電付着
が充分に緩和された後、その塵埃に対し気体噴流ノズル
■より充分に加速された気体噴流13が噴射され。
その塵埃8を排気ポート内へ導び〈、一定時関着気体噴
流13は停止し1gらに一定時間后、イオン化された気
体流1G、及び排気ポートも解除され、これと同時にベ
ルト搬送aSaは若干の逆転后搬送を再開し塵埃自動検
出も再開される。同様にして検出され九厘埃は除去され
、無光マスク2は無光マスク、・ステージ5へ導びかれ
る。この過程にお−て露光マスク・ローディング時に露
光マスクに付着していた塵埃は自動的に検出、除去され
、露光マスク・ステージに供給される。これにより、半
導体基板上のm元マスク像に対する塵埃による欠陥は除
去され得る。
流13は停止し1gらに一定時間后、イオン化された気
体流1G、及び排気ポートも解除され、これと同時にベ
ルト搬送aSaは若干の逆転后搬送を再開し塵埃自動検
出も再開される。同様にして検出され九厘埃は除去され
、無光マスク2は無光マスク、・ステージ5へ導びかれ
る。この過程にお−て露光マスク・ローディング時に露
光マスクに付着していた塵埃は自動的に検出、除去され
、露光マスク・ステージに供給される。これにより、半
導体基板上のm元マスク像に対する塵埃による欠陥は除
去され得る。
以上の櫟に位置合せ露光装置の露光マスク儂の塵埃にあ
る欠陥t−露光前の露光マスク装着時に防止することが
可能となり、ひいては、永トYシスト被橿に形成される
露光iスフ像の品質を飛躍的に向上させ、半導体基板上
より得られる半導体素子の良品率を飛躍的に向上せしめ
ることが可能となる。従って1本発明の実用上の効果は
極めて大きい。
る欠陥t−露光前の露光マスク装着時に防止することが
可能となり、ひいては、永トYシスト被橿に形成される
露光iスフ像の品質を飛躍的に向上させ、半導体基板上
より得られる半導体素子の良品率を飛躍的に向上せしめ
ることが可能となる。従って1本発明の実用上の効果は
極めて大きい。
第1図(荀、(荀は1本発明の一実施例の説明!でおり
第1図(励は塵埃自動検出、自動除去機構を含む無光マ
スク自動搬送装置の説明図を示し、第1図(b)は塵埃
自動検出、自動除去機構の説明図を示す。 尚1図中、1・・・露光マスク・ローディング位置。 2・・・露光マスク%3・・・ベルト搬送機構、4・・
・1埃自動検出、自動除去機構部、5・・・露光マスク
・ステージ、6・・・レーザービーム、7・・・受光セ
ンサ、8・・・1埃、9・・・イオン化気体流ノズル、
10・・・イオン化され九気体流、11・・・気体噴流
ノズル、12・・・排気ポート、13・・・気体噴流、
である。 t(lン C1) 箭 1 回
第1図(励は塵埃自動検出、自動除去機構を含む無光マ
スク自動搬送装置の説明図を示し、第1図(b)は塵埃
自動検出、自動除去機構の説明図を示す。 尚1図中、1・・・露光マスク・ローディング位置。 2・・・露光マスク%3・・・ベルト搬送機構、4・・
・1埃自動検出、自動除去機構部、5・・・露光マスク
・ステージ、6・・・レーザービーム、7・・・受光セ
ンサ、8・・・1埃、9・・・イオン化気体流ノズル、
10・・・イオン化され九気体流、11・・・気体噴流
ノズル、12・・・排気ポート、13・・・気体噴流、
である。 t(lン C1) 箭 1 回
Claims (1)
- 露光マスクと本トレジストを被覆し比亭導体基板とを位
置合わせして露光等を施すための位置合わせ露光装置に
おいて、該露光マスク上のチリ、ホコリ等の塵埃を自動
的に検出し、さらに該塵埃を自動的に除去する手段を具
備したことを特徴とする位置合わせ露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56121151A JPS5821742A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 位置合わせ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56121151A JPS5821742A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 位置合わせ露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821742A true JPS5821742A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14804104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56121151A Pending JPS5821742A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 位置合わせ露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821742A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225125A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-09-08 | Perkin Elmer Corp:The | 表面から微粒子を掃除する方法 |
JPH054468U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウエーハの脱水機 |
WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121151A patent/JPS5821742A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225125A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-09-08 | Perkin Elmer Corp:The | 表面から微粒子を掃除する方法 |
JPH054468U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウエーハの脱水機 |
WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
US6589354B2 (en) | 2001-01-04 | 2003-07-08 | Paul B. Reid | Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning |
US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8064038B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample |
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