JPS5821742A - 位置合わせ露光装置 - Google Patents
位置合わせ露光装置Info
- Publication number
- JPS5821742A JPS5821742A JP56121151A JP12115181A JPS5821742A JP S5821742 A JPS5821742 A JP S5821742A JP 56121151 A JP56121151 A JP 56121151A JP 12115181 A JP12115181 A JP 12115181A JP S5821742 A JPS5821742 A JP S5821742A
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- JP
- Japan
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- dust
- exposure
- exposure mask
- mask
- automatically
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１位置合わせ露光装置に係シ、特にホＦレジス
トを被覆した半導体基板上ＫＪＩ光像を転写する露ＪＩ
ｔマスク上の塵埃を自動的に検出し、その塵埃を自動的
に除去し、これら塵埃による露光曽Ｏ欠陥を事＃に除去
し、半導体基板上より得られる半導体素子の良品率の向
上をなし得る位置合わせ露光装置Ｋｌｌする。
トを被覆した半導体基板上ＫＪＩ光像を転写する露ＪＩ
ｔマスク上の塵埃を自動的に検出し、その塵埃を自動的
に除去し、これら塵埃による露光曽Ｏ欠陥を事＃に除去
し、半導体基板上より得られる半導体素子の良品率の向
上をなし得る位置合わせ露光装置Ｋｌｌする。
最近Ｏ超高集積度半導体デバイスの袈造工薯の如く高解
像力を要求される位置合わせ露光装置にお−で、露光マ
スタ像の欠−〇管層は非常に重要なものとなりており、
特に常時、付着Ｏ可能性のある塵埃による欠陥は半導体
基板上から得られる半導体素子の良品率を左右する重＊
＊＊嵩になりている。
像力を要求される位置合わせ露光装置にお−で、露光マ
スタ像の欠−〇管層は非常に重要なものとなりており、
特に常時、付着Ｏ可能性のある塵埃による欠陥は半導体
基板上から得られる半導体素子の良品率を左右する重＊
＊＊嵩になりている。
一従来の位置合わせ露光装置における塵埃による欠陥の
管部は、露光后に形ｗｔｔｋれる半導体基板上の本トレ
ジスト拳パターンにようての＋ｅｇｔｔ％これに要する
時間、労力は針〕しれなく、また。
管部は、露光后に形ｗｔｔｋれる半導体基板上の本トレ
ジスト拳パターンにようての＋ｅｇｔｔ％これに要する
時間、労力は針〕しれなく、また。
これに伴う欠陥の除去に要する時間、労力４ｔだ計）し
れない。
れない。
本発明は、上述の従来の方法の持つ問題点を除去し、塵
埃による欠陥の検出、除去を自動的に行なうことを可能
とし、これによる作業効率の向上を図ることを可能とし
、さらに塵埃の検出ｌＩｆとその確度の向上によ多、結
果として現われる半導体基板上から得られる半導体素子
の良品率の向上を図〕得る塵埃自動検出、自動除去機構
を具備した位置合わせ露光装置を提供することを目的と
する。
埃による欠陥の検出、除去を自動的に行なうことを可能
とし、これによる作業効率の向上を図ることを可能とし
、さらに塵埃の検出ｌＩｆとその確度の向上によ多、結
果として現われる半導体基板上から得られる半導体素子
の良品率の向上を図〕得る塵埃自動検出、自動除去機構
を具備した位置合わせ露光装置を提供することを目的と
する。
本発明は、前述の如＜４党マスクに描かれた像をホトレ
ジストを被接した半導体基板上に露光転写させる位置合
わせ露光装置において％露光マスク上のチリ、ホコリ等
の塵埃を例えばレーザー光線のスキャンニング等により
検出し、これをイオン化した気体＃ｌＫよ〕静電気を中
和して強固な付着を緩−させつつ、さらに高圧気体によ
るジェット噴ｍＫより除去すること￥ｒ：特徴とする謳
埃自動除去機構會具備する位置合わせ露光装置である。
ジストを被接した半導体基板上に露光転写させる位置合
わせ露光装置において％露光マスク上のチリ、ホコリ等
の塵埃を例えばレーザー光線のスキャンニング等により
検出し、これをイオン化した気体＃ｌＫよ〕静電気を中
和して強固な付着を緩−させつつ、さらに高圧気体によ
るジェット噴ｍＫより除去すること￥ｒ：特徴とする謳
埃自動除去機構會具備する位置合わせ露光装置である。
以下１本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図（ａ）、 Ｃｂ）は１本発明の詳細な説明図
であり％第１図（ａ）は謳埃自動検出、自動除去機構を
含む露光マスク自動搬送装置を示し、第１図（ロ）は塵
埃自動検出、自動除去機構例の説明図である０図中ｌｔ
／ｉ露光マスク・ローティング位ｔ。
る。第１図（ａ）、 Ｃｂ）は１本発明の詳細な説明図
であり％第１図（ａ）は謳埃自動検出、自動除去機構を
含む露光マスク自動搬送装置を示し、第１図（ロ）は塵
埃自動検出、自動除去機構例の説明図である０図中ｌｔ
／ｉ露光マスク・ローティング位ｔ。
２は露光マスク％３はベルト搬送機構、４は塵埃自動検
出、自動除去機構部％５は露光マスク・ステージ、６は
レーザー・ビーム、７は受光センサ。
出、自動除去機構部％５は露光マスク・ステージ、６は
レーザー・ビーム、７は受光センサ。
、８Ｆｉ塵埃、９はイオン化気体流ノズル、１０はイオ
ン化された気体ＩＩ、１１は気体噴流ノズル、１２は排
気ポー）１３は気体噴Ｒを各々示すものとする。
ン化された気体ＩＩ、１１は気体噴流ノズル、１２は排
気ポー）１３は気体噴Ｒを各々示すものとする。
亨位置合わせ無光装置に＆いて、 ｍ′ｙｔ、マスクの
鰻ｌＩＬに１区Ｏ躯序で行なわれる。まず、無光マスク
２を露光マスク・ローディング位置１にセットする０次
に何らかの指示により無光マスク２はベルト搬送機＄３
により、一定のコントロールされた早さで塵槍自論検出
、自論除去機構部４へ送られる。この１１埃自動検出も
自動除去Ｉ＃Ｉ４１１１１鄭４にνいて露光マスク２の
表裏２面はレーず−・ビーム６の無光マスタの搬送方向
と一瓢な方向へのスキャンとそれと追従して、そのマス
ク面からの反射ビームを検出する受光センナ７により全
一１走量され、露光マスク上のレーず−ビーム６の反射
点が塵埃８と重なる時の受光センサ７への入射元−〇叢
化より自動的Ｋａ［８ｔ−検出する。この層板８の検出
と同時にベルト搬送機構３Ｆｉ停止し、（−の塵埃に向
ってイオン化気体流ノズル９よシ、イオン化された気体
流ｌＯが供給され、塵埃８の静電付着１ｇ和させる。同
時にこのイオン化気体流ノズル９及び気体噴流ノズール
１１と対向して設けられ、その気体流動充分に吸入可能
な排気ポート１２．４開口される。１１埃８の静電付着
が充分に緩和された後、その塵埃に対し気体噴流ノズル
■より充分に加速された気体噴流１３が噴射され。
鰻ｌＩＬに１区Ｏ躯序で行なわれる。まず、無光マスク
２を露光マスク・ローディング位置１にセットする０次
に何らかの指示により無光マスク２はベルト搬送機＄３
により、一定のコントロールされた早さで塵槍自論検出
、自論除去機構部４へ送られる。この１１埃自動検出も
自動除去Ｉ＃Ｉ４１１１１鄭４にνいて露光マスク２の
表裏２面はレーず−・ビーム６の無光マスタの搬送方向
と一瓢な方向へのスキャンとそれと追従して、そのマス
ク面からの反射ビームを検出する受光センナ７により全
一１走量され、露光マスク上のレーず−ビーム６の反射
点が塵埃８と重なる時の受光センサ７への入射元−〇叢
化より自動的Ｋａ［８ｔ−検出する。この層板８の検出
と同時にベルト搬送機構３Ｆｉ停止し、（−の塵埃に向
ってイオン化気体流ノズル９よシ、イオン化された気体
流ｌＯが供給され、塵埃８の静電付着１ｇ和させる。同
時にこのイオン化気体流ノズル９及び気体噴流ノズール
１１と対向して設けられ、その気体流動充分に吸入可能
な排気ポート１２．４開口される。１１埃８の静電付着
が充分に緩和された後、その塵埃に対し気体噴流ノズル
■より充分に加速された気体噴流１３が噴射され。
その塵埃８を排気ポート内へ導び〈、一定時関着気体噴
流１３は停止し１ｇらに一定時間后、イオン化された気
体流１Ｇ、及び排気ポートも解除され、これと同時にベ
ルト搬送ａＳａは若干の逆転后搬送を再開し塵埃自動検
出も再開される。同様にして検出され九厘埃は除去され
、無光マスク２は無光マスク、・ステージ５へ導びかれ
る。この過程にお−て露光マスク・ローディング時に露
光マスクに付着していた塵埃は自動的に検出、除去され
、露光マスク・ステージに供給される。これにより、半
導体基板上のｍ元マスク像に対する塵埃による欠陥は除
去され得る。
流１３は停止し１ｇらに一定時間后、イオン化された気
体流１Ｇ、及び排気ポートも解除され、これと同時にベ
ルト搬送ａＳａは若干の逆転后搬送を再開し塵埃自動検
出も再開される。同様にして検出され九厘埃は除去され
、無光マスク２は無光マスク、・ステージ５へ導びかれ
る。この過程にお−て露光マスク・ローディング時に露
光マスクに付着していた塵埃は自動的に検出、除去され
、露光マスク・ステージに供給される。これにより、半
導体基板上のｍ元マスク像に対する塵埃による欠陥は除
去され得る。
以上の櫟に位置合せ露光装置の露光マスク儂の塵埃にあ
る欠陥ｔ−露光前の露光マスク装着時に防止することが
可能となり、ひいては、永トＹシスト被橿に形成される
露光ｉスフ像の品質を飛躍的に向上させ、半導体基板上
より得られる半導体素子の良品率を飛躍的に向上せしめ
ることが可能となる。従って１本発明の実用上の効果は
極めて大きい。
る欠陥ｔ−露光前の露光マスク装着時に防止することが
可能となり、ひいては、永トＹシスト被橿に形成される
露光ｉスフ像の品質を飛躍的に向上させ、半導体基板上
より得られる半導体素子の良品率を飛躍的に向上せしめ
ることが可能となる。従って１本発明の実用上の効果は
極めて大きい。
第１図（荀、（荀は１本発明の一実施例の説明！でおり
第１図（励は塵埃自動検出、自動除去機構を含む無光マ
スク自動搬送装置の説明図を示し、第１図（ｂ）は塵埃
自動検出、自動除去機構の説明図を示す。 尚１図中、１・・・露光マスク・ローディング位置。 ２・・・露光マスク％３・・・ベルト搬送機構、４・・
・１埃自動検出、自動除去機構部、５・・・露光マスク
・ステージ、６・・・レーザービーム、７・・・受光セ
ンサ、８・・・１埃、９・・・イオン化気体流ノズル、
１０・・・イオン化され九気体流、１１・・・気体噴流
ノズル、１２・・・排気ポート、１３・・・気体噴流、
である。 ｔ（ｌン Ｃ１） 箭 １ 回
第１図（励は塵埃自動検出、自動除去機構を含む無光マ
スク自動搬送装置の説明図を示し、第１図（ｂ）は塵埃
自動検出、自動除去機構の説明図を示す。 尚１図中、１・・・露光マスク・ローディング位置。 ２・・・露光マスク％３・・・ベルト搬送機構、４・・
・１埃自動検出、自動除去機構部、５・・・露光マスク
・ステージ、６・・・レーザービーム、７・・・受光セ
ンサ、８・・・１埃、９・・・イオン化気体流ノズル、
１０・・・イオン化され九気体流、１１・・・気体噴流
ノズル、１２・・・排気ポート、１３・・・気体噴流、
である。 ｔ（ｌン Ｃ１） 箭 １ 回
Claims (1)
- 露光マスクと本トレジストを被覆し比亭導体基板とを位
置合わせして露光等を施すための位置合わせ露光装置に
おいて、該露光マスク上のチリ、ホコリ等の塵埃を自動
的に検出し、さらに該塵埃を自動的に除去する手段を具
備したことを特徴とする位置合わせ露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121151A JPS5821742A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 位置合わせ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121151A JPS5821742A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 位置合わせ露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821742A true JPS5821742A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14804104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121151A Pending JPS5821742A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 位置合わせ露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821742A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01225125A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-09-08 | Perkin Elmer Corp:The | 表面から微粒子を掃除する方法 |
| JPH054468U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウエーハの脱水機 |
| WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121151A patent/JPS5821742A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01225125A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-09-08 | Perkin Elmer Corp:The | 表面から微粒子を掃除する方法 |
| JPH054468U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ウエーハの脱水機 |
| WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
| US6589354B2 (en) | 2001-01-04 | 2003-07-08 | Paul B. Reid | Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US8064038B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample |
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