JPH01241821A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH01241821A JPH01241821A JP63068131A JP6813188A JPH01241821A JP H01241821 A JPH01241821 A JP H01241821A JP 63068131 A JP63068131 A JP 63068131A JP 6813188 A JP6813188 A JP 6813188A JP H01241821 A JPH01241821 A JP H01241821A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- semiconductor wafer
- exposed
- ionized gas
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は露光装置に関するもので特にＩＣ等の半導体装
置の製造に際して、半導体ウェハー表面にトランジスタ
等の各種パターンを転写するために用いる露光装置の改
良に係る。
置の製造に際して、半導体ウェハー表面にトランジスタ
等の各種パターンを転写するために用いる露光装置の改
良に係る。
（従来の技術）
ＩＣ等の半導体装置の製造に際しては、選択エツチング
により半導体ウェハーを所定のパターンに加工したり、
また所定の領域に選択的に不純物を拡散したりする工程
が多数繰り返される。これらの選択的加工には一般に写
真蝕刻法が用いられ、半導体ウェハー表面に塗布された
感光性レシス１〜膜に所定のパターンを焼き付ける露光
工程が含まれる。
により半導体ウェハーを所定のパターンに加工したり、
また所定の領域に選択的に不純物を拡散したりする工程
が多数繰り返される。これらの選択的加工には一般に写
真蝕刻法が用いられ、半導体ウェハー表面に塗布された
感光性レシス１〜膜に所定のパターンを焼き付ける露光
工程が含まれる。
上記の目的で用いられている従来の露光装置は感光性レ
ジスト膜を塗布した半導体ウェハーをプリアライメント
を施した上で該ウェハーを真空チキック上に搬送し、ウ
ェハーを真空吸着して露光を行なう構成になっている。
ジスト膜を塗布した半導体ウェハーをプリアライメント
を施した上で該ウェハーを真空チキック上に搬送し、ウ
ェハーを真空吸着して露光を行なう構成になっている。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来の露光装置では集積回路等の素子製造の際に露
光物上面ではフォーカスが合され、その全面あるいは一
部にパターンの焼付けが行なわれるが、その際に次のよ
うな問題があった。即ち、半導体ウェハーの裏面には感
光性レジスト膜を表面に塗布する段階でレジストが付着
したり、またウェハーの搬送やそれ以前の履歴工程にお
けるダス１へが付着している。これらはウェハーを固着
するウェハーホルダーにもあてはまることである。
光物上面ではフォーカスが合され、その全面あるいは一
部にパターンの焼付けが行なわれるが、その際に次のよ
うな問題があった。即ち、半導体ウェハーの裏面には感
光性レジスト膜を表面に塗布する段階でレジストが付着
したり、またウェハーの搬送やそれ以前の履歴工程にお
けるダス１へが付着している。これらはウェハーを固着
するウェハーホルダーにもあてはまることである。
このような場合には、被露光物面内においてフォーカス
の位置が垂直方向にずれるのみならず被露光物上面の感
光性レジストの光源からの距離が変るため転写パターン
の解像度が低下し、また転写パターンの寸法が不均一に
なるという問題があった。 本発明は上記事情に鑑みて
なされたもので、被露光物の裏面付着物による露光フォ
ーカスのずれや霧光の不均一化を防止し、安定した解像
度および転写パターンの寸法精度を得ることができる露
光装置を提供するものである。
の位置が垂直方向にずれるのみならず被露光物上面の感
光性レジストの光源からの距離が変るため転写パターン
の解像度が低下し、また転写パターンの寸法が不均一に
なるという問題があった。 本発明は上記事情に鑑みて
なされたもので、被露光物の裏面付着物による露光フォ
ーカスのずれや霧光の不均一化を防止し、安定した解像
度および転写パターンの寸法精度を得ることができる露
光装置を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明による露光装置は、被露光物を載置するホルダと
該ホルダ上の被露光物にパターンを露光する光学系と、
前記ホルダ上に被露光物を移送する移送機構とを備える
露光装置において、前記ホルダ周辺に被露光物の裏面と
被露光物を設置するホルダ表面にガスを吹き付けること
により洗浄する機構を設けたことを特徴とする。
該ホルダ上の被露光物にパターンを露光する光学系と、
前記ホルダ上に被露光物を移送する移送機構とを備える
露光装置において、前記ホルダ周辺に被露光物の裏面と
被露光物を設置するホルダ表面にガスを吹き付けること
により洗浄する機構を設けたことを特徴とする。
（作 用）
本発明によれば、ガスを被露光物の裏面、被露光物を設
置するホルダ表面に吹き付けて洗浄することにより平担
且つ均一にし露光の際のフォーカス合せ及び露光の面内
均一化を達成したものである。
置するホルダ表面に吹き付けて洗浄することにより平担
且つ均一にし露光の際のフォーカス合せ及び露光の面内
均一化を達成したものである。
（実施例）
第１図は本発明の実施例による露光装置の説明図である
。同図においてａは半導体ウェハー１がホルダ２」二に
搬送される図、ｂは半導体ウェハー１がセンターテーブ
ル３にバキューム固着される図、Ｃは半導体ウェハー１
がホルダー２にバキューム固着され露光される図である
。
。同図においてａは半導体ウェハー１がホルダ２」二に
搬送される図、ｂは半導体ウェハー１がセンターテーブ
ル３にバキューム固着される図、Ｃは半導体ウェハー１
がホルダー２にバキューム固着され露光される図である
。
半導体ウェハー１はｄ １ ｂ ｙ Ｃの順序を経て、
最終的に所定の露光が行われる。以下、各部の構成をそ
の作用と共に説明する。
最終的に所定の露光が行われる。以下、各部の構成をそ
の作用と共に説明する。
第１図、ｌにおいて半導体ウェハー１は搬送アーム４に
よってホルダ２」二に搬送される。同時にイオン化ガス
噴出ノズル５よりイオン化空気が噴出される。吸気口６
はイオン化ガスを吸気し外気として逃し、フィルター７
へと流れる。
よってホルダ２」二に搬送される。同時にイオン化ガス
噴出ノズル５よりイオン化空気が噴出される。吸気口６
はイオン化ガスを吸気し外気として逃し、フィルター７
へと流れる。
次に第１図すにおいてホルダ−２中心部のセンターテー
ブル３に搬送アーム４より受は渡される。
ブル３に搬送アーム４より受は渡される。
センタ−テーブル３内部に設けられた吸引孔８により吸
引される。この場合もイオン化ガス噴出ノズル５よりイ
オン化ガスが噴出し、半導体ウェハ−１裏面とホルダー
２表面のダストを吹き飛ばし洗浄する。こうして半導体
ウェハ−１裏面と、ホルダー２表面は平坦化処理されホ
ルダー２．ステ一ジ９上に載置され且つ該ステージの内
部に設けられた吸引孔８により吸引され、第１図Ｃのよ
うに露光処理される。
引される。この場合もイオン化ガス噴出ノズル５よりイ
オン化ガスが噴出し、半導体ウェハ−１裏面とホルダー
２表面のダストを吹き飛ばし洗浄する。こうして半導体
ウェハ−１裏面と、ホルダー２表面は平坦化処理されホ
ルダー２．ステ一ジ９上に載置され且つ該ステージの内
部に設けられた吸引孔８により吸引され、第１図Ｃのよ
うに露光処理される。
以上詳述したように、本発明の露光装置によれば、被露
光物の裏面付着物による露光フォーカスのずれが露光の
不均一化を防止し安定した解像度および転写パターンの
寸法精度を得ることができるため、これを半導体装置製
造の際の写真蝕刻に用いれば製造歩留を大幅に向上でき
る。
光物の裏面付着物による露光フォーカスのずれが露光の
不均一化を防止し安定した解像度および転写パターンの
寸法精度を得ることができるため、これを半導体装置製
造の際の写真蝕刻に用いれば製造歩留を大幅に向上でき
る。
第１図は本発明の実施例による露光装置の説明図である
。 １・半導体ウェハー ２・・ホルダー３・・・センタ
ーテーブル ４・・・搬送アーム５・・・イオン化空気
噴出ノズル ６・・・吸気口 ７・・・フィルター８・・
・吸引孔 ９・・ステージ１０・イオン化ガ
ス流体
。 １・半導体ウェハー ２・・ホルダー３・・・センタ
ーテーブル ４・・・搬送アーム５・・・イオン化空気
噴出ノズル ６・・・吸気口 ７・・・フィルター８・・
・吸引孔 ９・・ステージ１０・イオン化ガ
ス流体
Claims (4)
- （１）被露光物を載置するホルダと該ホルダ上の被露光
物にパターンを露光する光学系と前記ホルダ上に被露光
物を移送する移送機構とを備える露光装置において前記
ホルダ周辺に被露光物の裏面と被露光物を設置するホル
ダの表面を洗浄する機構を設けたことを特徴とする露光
装置。 - （２）被露光物の裏面と被露光物を設置するホルダの表
面にガスを吹き付ける機構をホルダ周辺に設けたことを
特徴とする請求項１記載の露光装置。 - （３）前記第２項記載のガスを吹き付ける機構の正面に
ガスを回収する機構をホルダ周辺に設けたことを特徴と
する請求項１記載の露光装置。 - （４）前記第２項記載のガスは窒素、アルゴンの不活性
ガスであること、又、この不活性ガスをイオン化するこ
とを特徴とする請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068131A JPH01241821A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068131A JPH01241821A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241821A true JPH01241821A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13364879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068131A Pending JPH01241821A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194801A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| US7047984B2 (en) * | 2000-06-27 | 2006-05-23 | Brooks Automation, Inc. | Device and method for cleaning articles used in the production of semiconductor components |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63068131A patent/JPH01241821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194801A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toshiba Corp | 露光装置 |
| US7047984B2 (en) * | 2000-06-27 | 2006-05-23 | Brooks Automation, Inc. | Device and method for cleaning articles used in the production of semiconductor components |
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