JPS6226814A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6226814A JPS6226814A JP60165373A JP16537385A JPS6226814A JP S6226814 A JPS6226814 A JP S6226814A JP 60165373 A JP60165373 A JP 60165373A JP 16537385 A JP16537385 A JP 16537385A JP S6226814 A JPS6226814 A JP S6226814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- exposure
- exposed
- polishing
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は露光装置に関し、特にＩＣ等の半導体装置の製
造に際して半導体ウェハー表面にトランジスタ等の各種
パターンを転写するために用いる露光装置の改良に係る
。
造に際して半導体ウェハー表面にトランジスタ等の各種
パターンを転写するために用いる露光装置の改良に係る
。
ＩＣ等の半導体装置の製造に際しては選択エツチングに
より半導体ウェハーを所定のパターンに加工したり、ま
た所定の領域に選択的に不純物を拡散したりする工程が
多数繰返される。これらの選択的加工には一般に写真蝕
刻法が用いられ、半導体ウェハー表面に塗布された感光
性レジスト膜に所定のパターンを焼付ける露光工程が含
まれる。
より半導体ウェハーを所定のパターンに加工したり、ま
た所定の領域に選択的に不純物を拡散したりする工程が
多数繰返される。これらの選択的加工には一般に写真蝕
刻法が用いられ、半導体ウェハー表面に塗布された感光
性レジスト膜に所定のパターンを焼付ける露光工程が含
まれる。
上記の目的で用いられている従来の露光装置は、感光性
レジスト膜を塗布した半導体ウェハーをプリアラインメ
ント部に搬送し、プリアラインメントを施した上で該ウ
ェハーを真空チャック上に搬送し、ウェハーを真空吸着
して露光を行なう構成になっている。
レジスト膜を塗布した半導体ウェハーをプリアラインメ
ント部に搬送し、プリアラインメントを施した上で該ウ
ェハーを真空チャック上に搬送し、ウェハーを真空吸着
して露光を行なう構成になっている。
ところで、上記従来の露光装置では集積回路等の素子製
造の際に露光物上面でフォーカスが合され、その全面あ
るいは一部にパターンの焼付けが行なわれるが、その際
に次のような問題があった。
造の際に露光物上面でフォーカスが合され、その全面あ
るいは一部にパターンの焼付けが行なわれるが、その際
に次のような問題があった。
即ち、半導体ウェハーの裏面には感光性レジスト膜を表
面に塗布する段階でレジストが付着したり、またウェハ
ーの搬送やそれ以前の履歴工程におけるダストが付着し
ている。更に、履歴工程における裏面へのバキューム吸
着や搬送系との摩擦等によって、半導体ウェハーの裏面
自体に凹凸が生じている場合がある。
面に塗布する段階でレジストが付着したり、またウェハ
ーの搬送やそれ以前の履歴工程におけるダストが付着し
ている。更に、履歴工程における裏面へのバキューム吸
着や搬送系との摩擦等によって、半導体ウェハーの裏面
自体に凹凸が生じている場合がある。
このような場合には、被露光物面内においてフォーカス
の位置が垂直方向にずれるのみならず、被露光物上面の
感光性レジストの光源からの距離が変るため、転写パタ
ーンの解像度が低下し、また転写パターンの寸法が不均
一になるという問題があった。
の位置が垂直方向にずれるのみならず、被露光物上面の
感光性レジストの光源からの距離が変るため、転写パタ
ーンの解像度が低下し、また転写パターンの寸法が不均
一になるという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、被露光物の
裏面付着物による露光フォーカスのずれや露光の不均一
化を防止し、安定した解像度および転写パターンの寸法
精度を得ることができる露光装置を提供するものである
。
裏面付着物による露光フォーカスのずれや露光の不均一
化を防止し、安定した解像度および転写パターンの寸法
精度を得ることができる露光装置を提供するものである
。
本発明は、露光に先立って被露光物の裏面を研磨または
洗浄することにより平坦且つ均一にし、露光の際のフォ
ーカス合せ及び露光の面内均一化を達成したものである
。
洗浄することにより平坦且つ均一にし、露光の際のフォ
ーカス合せ及び露光の面内均一化を達成したものである
。
即ち、本発明による露光装置は、被露光物を載置するホ
ルダと、該ホルダ上の被露光物にパターンを露光する光
学系と、前記ホルダ上に被露光物を移送する移送機構と
を備える露光装置において、前記移送機構による被露光
物の移動路の一部に被露光物の裏面を洗浄または平坦化
する機構を設けたことを特徴とする。
ルダと、該ホルダ上の被露光物にパターンを露光する光
学系と、前記ホルダ上に被露光物を移送する移送機構と
を備える露光装置において、前記移送機構による被露光
物の移動路の一部に被露光物の裏面を洗浄または平坦化
する機構を設けたことを特徴とする。
第１図は本発明の一実施例になる露光装置の説明図であ
る。同図において、Ａは研磨部、Ｂは洗浄部、Ｃは移送
部、Ｄは露光部である。半導体ウェハー１はこの四つの
部分を次々に移動され、最終的に所定の露光が行なわれ
る。以下、各部の構成をその作用と共に説明する。
る。同図において、Ａは研磨部、Ｂは洗浄部、Ｃは移送
部、Ｄは露光部である。半導体ウェハー１はこの四つの
部分を次々に移動され、最終的に所定の露光が行なわれ
る。以下、各部の構成をその作用と共に説明する。
研磨部Ａにおいて、半導体ウェハー１は周縁部表面をバ
キュームチャック２で固定される。この状態で回転軸４
上の研磨機構部５が回転し、それに密着している砥石６
によってウェハー１の裏面は研磨される。その際、必要
に応じてキャニスタ−７に蓄えられたアルミナ水溶液を
平面上角度が９０度以上の自由度をもったノズル８によ
って研磨部に補充する。こうして裏面を研磨され、付着
物の除去および裏面の平坦化を施された半導体ウェハー
１は、続いて洗浄部Ｂに送られる。
キュームチャック２で固定される。この状態で回転軸４
上の研磨機構部５が回転し、それに密着している砥石６
によってウェハー１の裏面は研磨される。その際、必要
に応じてキャニスタ−７に蓄えられたアルミナ水溶液を
平面上角度が９０度以上の自由度をもったノズル８によ
って研磨部に補充する。こうして裏面を研磨され、付着
物の除去および裏面の平坦化を施された半導体ウェハー
１は、続いて洗浄部Ｂに送られる。
洗浄部Ｂにおいて、半導体ウェハー１はホルダ９により
外輪部をガイドして固定される。そして、キャニスタ１
０に蓄えられたリンス液（例えば純水）の一定量をノズ
ル１１により一定時間だけウェハー１の裏面に噴射し、
洗浄を行なう。洗浄を終了した半導体ウェハー１は移送
部Ｃに移される。
外輪部をガイドして固定される。そして、キャニスタ１
０に蓄えられたリンス液（例えば純水）の一定量をノズ
ル１１により一定時間だけウェハー１の裏面に噴射し、
洗浄を行なう。洗浄を終了した半導体ウェハー１は移送
部Ｃに移される。
搬送部Ｃにおいて、半導体ウェハー１は移送部内部を通
る通気孔１２及び１３によって車送される。通気孔１３
は進行方向に対して４５度前後にテーバが付されており
、該通気孔１３から圧縮ガスを噴出することによりウェ
ハー１の裏面を乾燥すると共に、被接触で搬送すること
ができる。こうして、裏面を平坦化処理された半導体ウ
ニ／Ｘ−１は露光部りに移送される。
る通気孔１２及び１３によって車送される。通気孔１３
は進行方向に対して４５度前後にテーバが付されており
、該通気孔１３から圧縮ガスを噴出することによりウェ
ハー１の裏面を乾燥すると共に、被接触で搬送すること
ができる。こうして、裏面を平坦化処理された半導体ウ
ニ／Ｘ−１は露光部りに移送される。
露光部りに搬送された半導体ウニ／＼−１はステージ１
４上に載置され、且つ該ステージの内部に設けられた通
気孔１５により吸引されることにより完全に密着チャッ
クされる。こうしてステージ１４上にチャックされた半
導体ウニ／Ｓ−１の表面に対し、縮小投影レンズ１６か
ら所定のパターンか投影され、ウェハー表面に塗布され
ている感光性レジスト膜の露光が行なわれる。
４上に載置され、且つ該ステージの内部に設けられた通
気孔１５により吸引されることにより完全に密着チャッ
クされる。こうしてステージ１４上にチャックされた半
導体ウニ／Ｓ−１の表面に対し、縮小投影レンズ１６か
ら所定のパターンか投影され、ウェハー表面に塗布され
ている感光性レジスト膜の露光が行なわれる。
上記実施例の露光装置を用いてＩＣ製造用の写真蝕刻を
実施し、形成されたレジストパターンにおける寸法のば
らつきを調べてこれを従来の露光装置を用いた場合と比
較したところ、夫々第２図および第３図に示す結果が得
られた。第２図は上記実施例の装置を用いたときの結果
であり、第３図は従来の装置を用いたときの結果である
。この結果から明らかなように、上記実施例の露光装置
では露光による転写パターンの寸法精度が大きく向上し
ている。これはウェハー裏面の平坦性が確保されたため
、被露光物面内におけるフォーカス位置の垂直方向のズ
レが防止され、また被露光物上面の感光性レジストと光
源との距離が一定に維持されたからである。
実施し、形成されたレジストパターンにおける寸法のば
らつきを調べてこれを従来の露光装置を用いた場合と比
較したところ、夫々第２図および第３図に示す結果が得
られた。第２図は上記実施例の装置を用いたときの結果
であり、第３図は従来の装置を用いたときの結果である
。この結果から明らかなように、上記実施例の露光装置
では露光による転写パターンの寸法精度が大きく向上し
ている。これはウェハー裏面の平坦性が確保されたため
、被露光物面内におけるフォーカス位置の垂直方向のズ
レが防止され、また被露光物上面の感光性レジストと光
源との距離が一定に維持されたからである。
更に、上記実施例の露光装置を用いることにより、ＩＣ
製造における歩留は第４図に示すように著しく向上した
。これはレジストパターン形成の際の解像度および寸法
安定性が向上したことによるものである。
製造における歩留は第４図に示すように著しく向上した
。これはレジストパターン形成の際の解像度および寸法
安定性が向上したことによるものである。
以上詳述したように、本発明の露光装置によれば被露光
物の裏面付着物による露光フォーカスのずれや露光の不
均一化を防止し、安定した解像度および転写パターンの
寸法精度を得ることができるため、これを半導体装置製
造の際の写真蝕刻に用いれば製造歩留を大幅に向上でき
る等、顕著な効果が得られるものである。
物の裏面付着物による露光フォーカスのずれや露光の不
均一化を防止し、安定した解像度および転写パターンの
寸法精度を得ることができるため、これを半導体装置製
造の際の写真蝕刻に用いれば製造歩留を大幅に向上でき
る等、顕著な効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例になる露光装置の説明図であ
り、第２図はこの実施例の露光装置を用いて形成された
レジストパターン寸法のバラツキを示す線図、第３図は
従来の露光装置を用いて形成されたレジストパターン寸
法のバラツキを示す線図、第４図は第１図の露光装置を
用いた場合と従来の露光装置を用いた場合のＩＣ製造歩
留を比較して示す線図である。 １・・・半導体ウェハー、２・・・バキュームチャック
、３・・・ホルダー、４・・・回転軸、５・・・研磨機
構部、６・・・砥石、７・・・キャニスタ−（アルミナ
水溶液）、８・・・ノズル、９・・・ホルダー、ｌθ・
・・キャニスタ−（リンス液）、１１・・・ノズル、１
２．１３・・・通気孔、１４・・・ステージ、１５・・
・通気孔、１６・・・縮小投影レンズ。
り、第２図はこの実施例の露光装置を用いて形成された
レジストパターン寸法のバラツキを示す線図、第３図は
従来の露光装置を用いて形成されたレジストパターン寸
法のバラツキを示す線図、第４図は第１図の露光装置を
用いた場合と従来の露光装置を用いた場合のＩＣ製造歩
留を比較して示す線図である。 １・・・半導体ウェハー、２・・・バキュームチャック
、３・・・ホルダー、４・・・回転軸、５・・・研磨機
構部、６・・・砥石、７・・・キャニスタ−（アルミナ
水溶液）、８・・・ノズル、９・・・ホルダー、ｌθ・
・・キャニスタ−（リンス液）、１１・・・ノズル、１
２．１３・・・通気孔、１４・・・ステージ、１５・・
・通気孔、１６・・・縮小投影レンズ。
Claims (4)
- （１）被露光物を載置するホルダと、該ホルダ上の被露
光物にパターンを露光する光学系と、前記ホルダ上に被
露光物を移送する移送機構とを備える露光装置において
、前記移送機構による被露光物の移動路の一部に被露光
物の裏面を洗浄または平坦化する機構を設けたことを特
徴とする露光装置。 - （２）被露光物の裏面に洗浄液を吹き付ける機構を前記
移動路に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の露光装置。 - （３）被露光物の裏面にブラシを接触回転させる機構を
前記移動路に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の露光装置。 - （４）被露光物の裏面に砥石または刃を接触し、回転さ
せる機構を前記移動路に設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165373A JPS6226814A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165373A JPS6226814A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226814A true JPS6226814A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15811140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165373A Pending JPS6226814A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226814A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363266A (en) * | 1992-06-18 | 1994-11-08 | Raychem Corporation | Electrical surge arrester |
| WO2011102278A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板裏面平坦化方法 |
| JP2012028697A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 洗浄装置、方法 |
| JP2017069271A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60165373A patent/JPS6226814A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363266A (en) * | 1992-06-18 | 1994-11-08 | Raychem Corporation | Electrical surge arrester |
| WO2011102278A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板裏面平坦化方法 |
| JP2011171487A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板裏面平坦化方法 |
| JP2012028697A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 洗浄装置、方法 |
| JP2017069271A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| TWI694894B (zh) * | 2015-09-28 | 2020-06-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
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