TWI694894B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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TWI694894B
TWI694894B TW105130381A TW105130381A TWI694894B TW I694894 B TWI694894 B TW I694894B TW 105130381 A TW105130381 A TW 105130381A TW 105130381 A TW105130381 A TW 105130381A TW I694894 B TWI694894 B TW I694894B
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久保明廣
小玉輝彥
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題係提供一種技術，可以防止在圖案曝光時，基板曝光之位置偏離正常位置的情形。 解決前述課題之手段係提供本發明之基板處理方法，對於圖案曝光前的半導體晶圓亦即基板的背面，加以研磨，以對該背面施行粗面化處理。然後，對於研磨後的背面，不進行粗糙度緩和用的處理。由於藉由此粗面化處理，會減少基板背面相對於曝光時吸附該基板而提供載置之工件台的接觸面積，因此受到吸附之基板的背面可以在工件台上滑動，而可以消除基板在工件台上之變形。作為其結果，針對基板之曝光位置，可以對其偏離正常位置的情形加以抑制，而得以謀求曝光套合之改善。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係有關於基板處理方法及基板處理裝置，其包含對於圖案曝光前的半導體晶圓亦即基板所進行的處理。
半導體裝置具有多層配線結構。為了形成該多層配線結構，於半導體裝置之製程，會對作為基板之半導體晶圓(以下稱為晶圓)進行複數次光微影步驟以形成光阻圖案，該光阻圖案係用以形成配線之光罩圖案。在各光微影步驟間，會以對晶圓的相同區域進行照射(shot)的方式，進行曝光處理。由於前述之半導體裝置之配線的微細化日益精進，因此對於先進行的光微影步驟所照射之區域、以及後進行的光微影步驟所照射之區域間的對位精度，也就是套合(重疊；overlay)的精度，謀求提高。
走筆至此，且說晶圓在曝光處理時，會載置於設在曝光機的工件台，並藉由設在工件台的抽吸口而吸向該工件台之表面，並在該晶圓之位置固定在工件台上之狀態，進行曝光照射。然而，有時搬運至曝光機之晶圓並不平坦、產生了變形。若將這樣的晶圓載置於工件台上，則會有在變形之狀態下就吸附至該工件台而進行曝光照射之情況。在此情況，進行照射之區域就會偏離原本要照射之區域。因此，前述之套合精度之提高，就會受到侷限。於專利文獻1，記載著使用散射儀(scatterometer)以偵側套合之錯誤(error)，藉此控制用以進行曝光之掃瞄機的動作；然而並未著眼於前述之晶圓載置於工件台時的問題，無法解決該問題。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-171732號公報
[發明所欲解決的問題] 本發明係有鑑於此種情形而研創者，其目的係提供一種技術，可以防止在圖案曝光時，基板曝光之位置偏離正常位置的情形。 [解決問題之技術手段]
本發明之基板處理方法，係對於圖案曝光前的半導體晶圓亦即基板的背面， 加以研磨，以對該背面施行粗面化處理；而對於研磨後的背面，不進行粗糙度緩和用的處理。 本發明之基板處理裝置，對半導體晶圓亦即基板形成光阻膜，並將圖案曝光後之基板加以顯影；該基板處理裝置包括：研磨處理部，其為了對該圖案曝光前之基板的背面進行粗面化處理，而研磨該背面；對於研磨後之背面，不進行粗糙度緩和用的處理。 [發明之效果]
根據本發明，藉由研磨半導體晶圓亦即基板的背面以進行粗面化處理，來減少相對於「曝光時吸附該基板而提供載置之工件台」的接觸面積。藉此，可以使受到吸附之基板的背面在工件台上滑動，並使基板沿著工件台之表面進行矯正，以消除基板在該工件台上之變形。因此，針對基板受到曝光之位置，可以對其偏離正常位置的情形加以抑制。藉此，可以謀求曝光套合之改善。
使用圖1~圖3，針對實施本發明之基板處理方法的塗佈、顯影裝置1與曝光機D4所構成之基板處理系統，進行說明。圖1、圖2、圖3分別係該塗佈、顯影裝置1的俯視圖、立體圖、概略縱斷側視圖。此塗佈、顯影裝置1係將載運區塊D1、處理區塊D2、以及介面區塊D3直線狀連接而構成。介面區塊D3連接著曝光裝置D4。在下文的說明中，係將區塊D1~D3之排列方向視作前後方向。從塗佈、顯影裝置1的外部，會將載具C搬運至載運區塊D1，該載具C容納有係圓形基板之晶圓W；該載運區塊D1具備：載具C之載置台11、開閉部12、以及用以透過開閉部12而從載具C搬運晶圓W的移載機構13。
處理區塊D2由下至上依序層疊著對晶圓W進行液體處理之第1~第6單位區塊E1~E6。為便於說明，有時會分別將用以對晶圓W形成下層側之反射防止膜的處理稱為「BCT」、對晶圓W形成光阻膜的處理稱為「COT」、對曝光後的晶圓W形成光阻圖案的處理稱為「DEV」。於此例中，如圖2所示，係由下而上地層疊各2層之BCT層、COT層、DEV層。於相同的單位區塊，係彼此並行地進行晶圓W之搬運及處理。
在此，於單位區塊之中以第3單位區塊E3為代表，參照圖1進行說明。由載運區塊D1通往介面區塊D3的搬運區域14，其左右之中的一邊，係沿著前後方向配置有複數之層架單元U，而另一邊則沿著前後方向排列設置有2個光阻形成模組15。光阻膜形成模組15係對晶圓W的表面供給作為化學藥液之光阻液，以形成光阻膜。層架單元U具備許多加熱模組16。於前述搬運區域14，設有搬運臂F3以作為晶圓W的搬運機構。
針對單位區塊E1、E2、E5、E6不同於單位區塊E3、E4之處，說明如下：單位區塊E1、E2，具備反射防止膜形成模組以取代光阻膜形成模組15。於反射防止膜形成模組，係對晶圓W供給用以形成反射防止膜的化學藥液。單位區塊E5、E6，則具備顯影模組以取代光阻膜形成模組15。顯影模組係對晶圓W表面供給作為化學藥液的顯影液，並在曝光機D4沿著既定之圖案，以使曝光過的光阻膜顯影，形成光阻圖案。除了這樣的不同以外，單位區塊E1~E6係構成為彼此相同。於圖3中，對於各單位區塊E1~E6之搬運臂，係標示為F1~F6。
在處理區塊D2中靠近載運區塊D1的那一邊，設有含括各單位區塊E1~E6高度而在上下方向延伸的塔G1，以及用以對塔G1進行晶圓W的傳遞而昇降自如之作為傳遞機構的傳遞臂17。塔G1係由彼此積層之複數模組所構成；而設於單位區塊E1~E6的各自高度之模組，可以在其與該單位區塊E1~E6之各自的搬運臂F1~F6之間，傳遞晶圓W。這些模組包含：設於各單位區塊之高度位置的傳遞模組TRS、進行晶圓W之溫度調整的溫調模組CPL、暫時保管複數片晶圓W的暫存器模組、以及使晶圓W之表面疎水化的疎水化處理模組等。為了使說明簡潔，省略了前述疎水化處理模組、溫調模組、以及前述暫存器模組之圖示。
介面區塊D3具有：含括單位區塊E1~E6高度而在上下方向延伸的塔G2、G3、G4，以及作為搬運機構而對各個塔G2~G4進行晶圓W之搬運的介面臂21~23。 介面臂21係對塔G2與塔G3進行晶圓W之傳遞之昇降自如的搬運機構；介面臂22係對塔G2與塔G4進行晶圓W之傳遞之昇降自如的搬運機構。介面臂23係用以在塔G2與曝光裝置D4之間進行晶圓W之傳遞的搬運機構。
塔G2係使傳遞模組TRS、存放曝光處理前之複數片晶圓W而供其滯留的暫存器模組、存放曝光處理後之複數片晶圓W的暫存器模組、以及進行晶圓W之溫度調整的溫調模組等彼此積層而構成，但在此省略暫存器模組及溫調模組之圖示。塔G3具備後述之粗面化處理模組4。塔G4雖也設有模組，但在此處則省略說明。
接下來，針對曝光機D4進行說明。曝光機D4具備圓形之工件台31，圖4、圖5分別係該工件台31的縱斷側視圖、俯視圖。如圖5所示，晶圓W係以該晶圓W之中心與工件台31之中心一致的形態，載置於工件台31上。於工件台31之表面上，沿著以該工件台31之表面中心為圓心的同心圓，設有許多頂針32，該頂針32彼此隔著間隔而配置。作為突起部之頂針32的頂端，構成為水平之平坦面，並以此平坦面支撐晶圓W的背面。也就是說，晶圓W之背面，係以從工件台31的表面浮起的形態，受到支撑。
於工件台31之表面，在不會與頂針32重疊的位置上，分散而開口式地設置許多抽吸口34，各抽吸口34皆連接至未圖示之排氣源。此抽吸口34具有如下功能：在鉛直下方抽吸晶圓W的背面，以固定晶圓W在工件台31之位置。為使圖示易於判讀，故於圖5中，係將抽吸口34以灰階顯示。於圖中，35所示之3個孔(於圖4僅繪示2個)分別設有昇降頂針36；於圖4中，37係使昇降頂針36昇降之昇降機構。藉由昇降頂針36之昇降，介面臂23與頂針32之間，會進行晶圓W之傳遞。
接下來，針對作為研磨處理部之粗面化處理模組4，分別參照圖6的立體圖及圖7的縱斷側視圖，以進行說明。此粗面化處理模組4如後文之詳細說明所言，係為了將晶圓W正常地載置於曝光機D4的工件台31，而將搬入曝光機D4前的晶圓W之背面加以研磨，以進行粗面化處理之模組。此所謂以研磨進行之粗面化處理，更具體而言係用以使算術平均粗糙度Ra加大之處理，更詳而言之係在晶圓W背面形成緻密之凹凸的處理。
圖中，41係環繞晶圓W側周之縱長的水平環狀構件，於環狀構件41之內側面，係在圓圓周方向上，隔著間隔地設有複數之邊緣固持部42。邊緣固持部42藉由從受到環狀構件41環繞之晶圓W的外周端，分別朝向中心部推壓固持，而將該晶圓W水平地支撐。再者，此邊緣固持部42連接未圖示之驅動機構，藉由沿著環狀構件41之圓周移動，而可以使所支撐之晶圓W繞中心旋轉。
圖中之43係磨石亦即研磨體，於圖8繪示其平面。研磨體43形成為例如在俯視觀察下，在圓周方向上分割成8塊的水平之環狀。於圖8中以L1所示之研磨體43的環狀外形之寬度係例如30mm，以L2所示之研磨體43的環狀直徑方向之寬度係例如5mm。研磨體43係例如由金剛石所構成，粒度係例如8000度以上。圖中之Q1係研磨體43之中心，且位於由前述環狀構件41所支撐之晶圓W的直徑上。
再者，圖6、圖7所示之研磨體43係由垂直之支柱44A的頂端所支撐，而支柱44A之底端，則連接在水平方向上延伸之臂體44B之一端。臂體44B之另一端係連接移動機構44。藉由該移動機構44，研磨體43構成為在晶圓W之背面側昇降自如，且沿著晶圓W之直徑而在水平方向上移動自如。圖中之46係純水供給噴嘴，其對晶圓W之背面供給純水。圖中之47A係垂直之支柱，純水供給噴嘴46則由支柱47A之頂端所支撐。圖中之47B，係連接著支柱47A之底端的臂體。臂體47B連接未圖示之移動機構，而純水供給噴嘴46就藉由該移動機構移動，而使供給純水之位置，沿著晶圓W背面的直徑移動。圖中之48係藉由昇降機構49昇降、且在環狀構件41與介面臂21之間傳遞晶圓W之昇降頂針，其配置成不會妨礙正在處理當中的研磨體43之移動、及純水供給噴嘴46之移動。
針對以此粗面化處理模組4所進行之處理，參照圖8~圖10進行說明。圖8繪示在處理中旋轉之晶圓W；從晶圓W之中心P觀察下，直徑之中，順著研磨體43之移動方向的一端標示為+，另一端則標示為-。更進一步地，於圖8中，將後述各步驟S1~S6開始時之研磨體43位置標示為T1~T6，步驟S6結束時之研磨體43位置標示為T7。於圖9、圖10，則繪示粗面化處理模組4之各部位的動作。
首先，藉由環狀構件41而使晶圓W以2.0×A(A係大於0之任意數値)rpm旋轉，且研磨體43由晶圓W下方之既定位置上昇，在圖8中以T1所示位置(於圖9以實線所示位置)對晶圓W背面施加例如1N之力量，同時朝+方向開始移動(掃瞄)(步驟S1)。就前述之A的一例而言，例如係15，於該情況下，此步驟S1之晶圓W的轉速是30rpm。再者，於前述之位置T1，研磨體43之中心Q1，係自晶圓W之中心P往-方向偏離15.0mm。再者，朝研磨體43之+方向的移動速度，係例如6mm/秒。
如此這般，研磨體43藉由與旋轉之晶圓W的背面接觸，同時相對於該晶圓W移動，而使該晶圓W的背面受到研磨，並形成微小之無數的凹溝10，該凹溝10係描繪著阿基米德螺線般地延伸。研磨體43持續移動，該研磨體43之中心Q1會通過晶圓W之中心P，而朝向晶圓W之周緣部。然後研磨體43一旦移動到圖8中之位置T2，則晶圓W之轉速就上昇，變成2.2×A rpm(步驟S2)。於該位置T2，研磨體43之中心Q1，係自晶圓W中心P往+方向偏離11.0mm。
然後，研磨體43持續移動，一旦到達圖8中之位置T3，晶圓W之轉速就降低，變成1.9×A rpm(步驟S3)；一旦移動到位置T4，晶圓W之轉速就變成1.5×A rpm(步驟S4)；一旦移動到位置T5，晶圓W之轉速就變成1.3×A rpm(步驟S5)；一旦移動到圖8中之位置T6，晶圓W之轉速就變成A rpm(步驟S6)。其後，研磨體43就更進一步地移動，並到達在晶圓W之周緣部的位置T7(圖9中以鏈線所示之位置)，而在晶圓W的背面整面形成了凹溝10後，研磨體43就下降，離開晶圓W，結束凹溝10之形成。於位置T3、T4、T5、T6、T7，研磨體43之中心Q1，係分別自晶圓W之中心P往+方向偏離34.5mm、60.0mm、84.5mm、109.0mm、133.5mm。
圖11概略繪示藉由前述之步驟S1~S6而在晶圓W背面形成之凹溝10。雖然於於圖11，僅繪示了2條凹溝10，但實際上係以阿基米德螺旋狀形成了無數的凹溝10。也就是說，各凹溝10在距離晶圓W中心之半徑係彼此不同的位置上，沿著晶圓W的圓周方向形成。又，於圖11中，對於1個凹溝10，係繪示成在晶圓W之直徑方向上觀察下的間隔係等間隔；但如前文所述，由於在研磨處理當中會使晶圓W之轉速變化，因此實際上在直徑方向觀察時之間隔，係隨著在該直徑方向上之位置而不同。
如此這般藉由研磨而進行過粗面化處理後，晶圓W就以既定轉速旋轉，同時如圖10所示，由純水供給噴嘴46對晶圓W吐出純水L，開始洗淨處理。純水供給噴嘴46會進行移動，以使純水L之供給位置由晶圓W的背面中心部移動到背面周緣部，對晶圓W的背面整面供給純水，而由該晶圓W背面去除因研磨所產生的研削碎屑。此後，藉由停止供給純水來結束洗淨處理，而結束在此粗面化處理模組4之處理。
走筆至此，話說如前述般在各步驟S，當研磨體43所在位置越靠近晶圓W之中心，則使晶圓W之轉速越大。此係由於假使在各步驟S，晶圓W之轉速不變的情況下，則越靠近晶圓W中心，作用於研磨體43之晶圓W的旋轉離心力作用越小， 因此難以形成凹溝10。也就是說，在晶圓W之中心部，難以使背面變粗。有鑑於此，在前述之研磨處理，係如前文所述般，藉由控制晶圓W之轉速，而使在晶圓W背面各部對於研磨體43所作用之晶圓W的離心力一致，讓晶圓W背面整面都高度平均地變粗糙。如此這般在背面整面使粗糙度一致之理由，容待後述。
如前文所述，進行過研磨處理及洗淨處理之晶圓W，會被搬運至前述曝光機D4的工件台31。在以研磨處理形成凹溝10後、到搬運至曝光機D4為止，對於晶圓W背面，並未進行使粗糙度緩和用之處理。所謂粗糙度緩和用之處理，具體而言，可舉例如藉由供給氟酸等溶解晶圓W背面的化學藥液，而使該背面平坦化之處理。也就是，對於工件台31所搬運的是：在背面形成有凹溝10之狀態下的晶圓W。此晶圓W載置於工件台31之樣態，將參照圖12~圖14進行說明。於圖12~圖14，所繪示之晶圓W並非水平之板片，而有所變形。再者，圖13中之虛線拉出之箭頭所指之處，係繪示擴大後之頂針32與晶圓W。
藉由介面臂23而搬運至曝光機D4之工件台31上的晶圓W，在傳遞至已上昇之昇降頂針36後，昇降頂針36就下降(圖12)。於此昇降頂針36下降時，會由抽吸口34進行抽吸。然後，晶圓W背面的各部位就載置於頂針32，並藉由來自抽吸口34之抽吸，而使晶圓W之背面吸向工件台31(圖13)。此時由於在此晶圓W已形成有凹溝10，而使各頂針32之頂面與晶圓W之背面間的接觸面積相對較小。因此，由於作用在晶圓W背面與頂針32頂面之間的摩擦力小，所以受到抽吸之晶圓W的背面，可以相對於頂針32之頂面滑動。作為其結果，晶圓W如拉伸般地受到矯正，而消除變形、成為平坦狀態地載置於頂針32上(圖14)。再對如此這般地載置於工件台31上的晶圓W，進行曝光照射。
為進行比較，針對未形成凹溝10之晶圓(設其為W1)載置於工件台31之樣態， 進行說明。設定晶圓W1係以與晶圓W同樣變形之狀態，搬運至工件台31上。首先，晶圓W1由介面臂23傳遞至已上昇之昇降頂針36，該昇降頂針36下降，晶圓W1之背面載置於頂針32上。然而，由於並未形成凹溝10，因此晶圓W背面與頂針32頂面間的接觸面積相對較大，所以作用在晶圓W背面與頂針32頂面之間的摩擦力大。因此，晶圓W的背面無法在頂針32上滑動(圖15)。因此，晶圓W1不會在頂針32上調整形狀，而維持在圖15所示之變形狀態，接受曝光照射，其結果，進行照射之位置就會偏離正常的位置。如以上說明所言，藉由在晶圓W背面形成凹溝10，而使得在曝光時載置於工件台31之晶圓W的載置狀態，成為正常的水平狀態，藉此而可以在正常的位置進行曝光照射。
走筆至此，話說如圖4及圖5所進行過的說明，頂針32係在工件台31上，沿著同心圓而配置了許多個。然後在各頂針32間，如果對晶圓W背面之摩擦平均性高，則在晶圓W載置於頂針32時，可以抑制晶圓W背面各部位之移動性不均，易於消除晶圓W之變形。因此，於粗面化處理模組4，係如前文所述，在距離晶圓W中心之半徑不同的位置上，沿著圓周方向形成凹溝10，以提高晶圓W背面相對於各頂針32的摩擦平均性。更進一步地，為達到抑制晶圓W背面在該各頂針32上之摩擦不平均的目的，而如圖8之說明般，藉由配合研磨體43之位置以變化晶圓W之轉速，使得在晶圓W背面之各位置的粗糙度一致，以使得對於晶圓W背面之接觸面積，能在各頂針32間一致。
由「為了要能在各頂針32上如前文般地消除晶圓W之變形，而在晶圓W背面受到研磨的複數區域」，分別求得之相對於頂針32的動摩擦係數之平均値，較佳係盡可能地低。關於此受到研磨之複數區域，可以基於頂針32係配置成同心圓狀，而係例如沿著在圖16中以V1~V8所示之以晶圓W中心為中心的同心圓配置、並設定為彼此分離之區域；亦可係例如隨機選擇之既定大小的複數區域。
回到圖1，針對設於塗佈、顯影裝置1之控制部100，進行說明。控制部100係例如由電腦所構成，具備未圖示之程式儲存部。於此程式儲存部，儲存有程式，其編入了以下之命令(步驟群)，而得以進行在塗佈、顯影裝置1之各模組中之晶圓W的處理，以及晶圓W之搬運機構在各模組間之晶圓W的搬運。然後，藉由該程式而從控制部100對塗佈、顯影裝置1之各部位輸出控制信號，而控制該塗佈、顯影裝置1之各部位的動作。此程式係以儲存在例如硬碟、光碟、磁光碟或記憶卡等記錄媒體之狀態，而儲存在程式儲存部。
針對在此塗佈、顯影裝置1及曝光機D4所構成之系統中，晶圓W的搬運路徑及處理，進行說明。晶圓W係以移載機構13，而由載具C搬運至處理區塊D2中之塔G1的傳遞模組TRS0。晶圓W由此傳遞模組TRS0，分送搬運至單位區塊E1、E2。例如在將晶圓W傳遞至單位區塊E1的情況下，係將晶圓W由前述TRS0，傳遞至塔G1之傳遞模組TRS中對應單位區塊E1之傳遞模組TRS1(可以藉由搬運臂F1傳遞晶圓W的傳遞模組)。再者，在將晶圓W傳遞至單位區塊E2的情況下，係將晶圓W由前述TRS0，傳遞至塔G1之傳遞模組TRS中對應單位區塊E2之傳遞模組TRS2。此等晶圓W之傳遞，係由傳遞臂17所進行。
如此這般分送之晶圓W，係依TRS1(TRS2)→反射防止膜形成模組→加熱模組→TRS1(TRS2)的順序搬運，接著就藉由傳遞臂17而分送至對應單位區塊E3的傳遞模組TRS3、對應單位區塊E4的傳遞模組TRS4。
如此這般分送至TRS3、TRS4的晶圓W，會依TRS3(TRS4)→光阻膜形成模組15→加熱模組16→塔G2之傳遞模組TRS31(TRS41)的順序而搬運。然後，此晶圓W會藉由介面臂21而搬運至塔G3的粗面化處理模組4，再如圖8、圖9之說明般進行研磨處理而形成凹溝10後，如圖10之說明般進行洗淨處理。洗淨處理後，晶圓W就藉由介面臂21、23而搬入曝光機D4。也就是，晶圓W於研磨處理後，並不會接受背面之粗糙度緩和用之處理，就逕行搬運至曝光機D4；而在如圖12~圖14之說明般載置於工件台31後，進行曝光照射。也就是說，形成在晶圓W表面之光阻膜，會沿著既定之圖案曝光。
曝光後之晶圓W，會藉由介面臂22、23而在塔G2、G4間搬運，並分別搬運至對應單位區塊E5、E6之塔G2的傳遞模組TRS51、TRS61。之後，晶圓W會依加熱模組16→顯影模組的順序搬運，並且光阻膜會沿著以曝光機D4曝光過的圖案溶解，而在晶圓W上形成光阻圖案。然後，晶圓W在搬運至塔G1之傳遞模組TRS5(TRS6)後，就經由移載機構13而回到載具C。
若藉由此塗佈、顯影裝置1，會對搬入曝光機D4前之晶圓W的背面，以粗面化處理模組4進行粗面化處理，而不進行該背面之粗糙度緩和用處理，就將該晶圓W搬入曝光機D4。藉此而可以使晶圓W在工件台31上載置成使曝光機D4之工件台31的頂針32頂面與晶圓W背面之間的摩擦降低，並抑制變形。因此對於進行曝光照射之位置，可以抑制其由正常位置之偏移。因此，可以謀求曝光套合之改善。
就設置粗面化處理模組4的位置而言，並不限定於介面區塊D3；例如在處理區塊D2，亦可取代複數之反射防止膜形成模組中的一個、或取代複數光阻膜形成模組15中之一個而設置。再者，亦可在塗佈、顯影裝置1之外部設置粗面化處理模組4，而使形成有凹溝10之晶圓W藉由載具，搬運至塗佈、顯影裝置1。
在前述粗面化處理模組4所為之處理，係使研磨體43之移動速度為固定；但亦可配合研磨體43之位置，而變化該研磨體43之移動速度。例如，如前文所述，由於在晶圓W之中心部側，離心力係較周緣部側弱，而難以使晶圓W變粗；因而亦可在研磨體43位於周緣部側時，使該研磨體43以第1速度移動，並在研磨體43位於中心部側時，為了以較長的時間使研磨體43接觸晶圓而使之變粗糙，故使該研磨體43以小於第1速度的第2速度移動。再者，研磨處理中之晶圓W之轉速，亦可不論研磨體43在晶圓W直徑方向上的位置為何，皆為固定。更進一步地，亦可使研磨體43由晶圓W周緣部側移動至中心部側，而在晶圓W背面整面上形成凹溝10。
於前述之例，係形成螺旋狀之凹溝10；但就所形成之凹溝而言，亦可係同心圓狀。具體而言，例如在使研磨體43之位置固定之狀態下，旋轉晶圓W並進行研磨後，下降研磨體43而使研磨體43離開晶圓W，並使該研磨體43之位置沿著晶圓W的直徑方向位移。之後，上昇研磨體43而使其與晶圓W接觸，再度於固定研磨體43位置的狀態下使晶圓W旋轉以進行研磨。藉由重覆這樣的晶圓W之旋轉與研磨體43之移動，而可以使凹溝以同心圓狀形成。但是，如後述之評鑑測試所示，若在固定研磨體43之位置的狀態下，使晶圓W旋轉而進行研磨，則在經過研磨之區域內，粗糙度會沿著晶圓W之直徑方向產生不均；因此如圖8、圖9之說明般，一邊使晶圓W旋轉、一邊使研磨體43移動，而螺旋狀地形成凹溝10係較為有效。
接下來，針對粗面化處理模組之另一構成例的粗面化處理模組5，參照圖17的立體圖，以不同於粗面化處理模組4之處為主，進行說明。圖中，51係水平的環狀構件，具有缺角50。環狀構件51的內周側，設有在環狀構件51之圓周方向上彼此分離的4個抽吸部52，其形成為朝向環狀構件51之中心突出，並且藉著抽吸晶圓W背面的周緣部而將之水平固持。圖中之53係圓板，設置成在環狀構件51上方，並與該環狀構件51分離。圖中之54係支柱，將環狀構件51與圓板53彼此連接。圖中之55係連接圓板53的驅動機構，其可以透過圓板53而使環狀構件51昇降、以及繞圓周方向旋轉。
再者，圖中之56係用以吸附晶圓W之背面中央部的旋轉夾頭，其藉由旋轉機構57而構成為旋轉自如。旋轉機構57係透過臂體57A而連接移動機構44。此移動機構44，可以使支撐研磨體43的臂體44B、與前述之臂體57A彼此獨立地沿著晶圓W之直徑方向移動。藉由該臂體57A的移動，旋轉夾頭56可以在環狀構件51之外側、以及環狀構件51所固持之晶圓W的背面中央部下方之間移動。
再者，雖然省略了圖示，但粗面化處理模組5亦與粗面化處理模組4相同，具有使純水供給噴嘴46及該噴嘴46移動之移動機構；該純水供給噴嘴46，係以不干涉旋轉夾頭56及研磨體43的方式，在晶圓W之背面側移動。於此粗面化處理模組5，並未設置昇降頂針48；在環狀構件51與介面臂21之間的傳遞，係藉由環狀構件51之昇降而進行。前述環狀構件51的缺角50之形成，係為了在此傳遞時不會干涉到從環狀構件51之外方而朝向內方位移的介面臂21。
針對以粗面化處理模組5進行之研磨處理，參照圖18、圖19進行說明如下：首先，藉由環狀構件51而使周緣部所固持之晶圓W旋轉。然後在圖8說明過的位置T1(圖18中以實線所示之位置)，使研磨體43抵住晶圓W的背面開始研磨，同時該研磨體43沿著晶圓W之直徑而朝向晶圓W之周緣部移動。研磨體43為了不干涉抽吸部52，而停在較晶圓W周緣部更為內側之位置，例如停在圖18中以鏈線所示之位置而停止移動後，就下降並離開晶圓W。更進一步地，隨著晶圓W停止旋轉，環狀構件51也就同時上昇。
之後，旋轉夾頭56往晶圓W之中央部下方移動，環狀構件51下降，晶圓W之周緣部離開環狀構件51，並且由旋轉夾頭56固持晶圓W背面的中央部。然後，藉由旋轉夾頭56而使晶圓W旋轉，研磨體43移動至晶圓W周緣部的下方後，就上昇並抵住晶圓W背面，研磨晶圓W背面的周緣部(圖19)。然後，研磨體43下降並離開晶圓W，結束研磨處理。之後，就與粗面化處理模組4同樣地進行洗淨處理。
關於此粗面化處理模組5，由於藉由如此這般地進行研磨處理，而可以在晶圓W背面形成許多凹溝，因此可得與粗面化處理模組4所進行之研磨處理之情況下相同的效果。再者，前述各手法，可以互相組合。例如在粗面化處理模組5，亦可與粗面化處理模組4相同，配合研磨體43之位置而變更晶圓W之轉速。
(評鑑測試) 以下針對與本發明相關而進行之評鑑測試，進行說明。 ＜評鑑測試1＞ 使用與前述之粗面化處理模組4同樣結構之試驗裝置，對晶圓W的背面進行研磨。但是與前述處理不同，在晶圓W之旋轉當中，研磨體43並不移動，而限定於對晶圓的背面周緣部進行研磨。然後，沿著晶圓W之直徑方向而對於受到研磨之區域照射雷射光的同時，接收從晶圓散射之散射光，並量測霧度(Haze)，亦即相對於雷射光之強度的散射光強度比例。霧度値對應於粗糙度，此値越大就代表凹凸形成得更緻密。又，用於此試驗之研磨體43的形狀，係與在發明之實施形態所說明者相同。
圖20之曲線圖代表此評鑑測試1的結果，曲線圖之橫軸代表從晶圓W中心起算的距離(單位：mm)，曲線圖之縱軸代表霧度(單位：ppm)。再者，試驗當中配置了研磨體43的位置，係以對應曲線圖橫軸的方式繪示，所研磨的是圖中所示之自晶圓W中心起算，距離118mm~148mm之區域。如曲線圖所示，在研磨過之區域內，霧度大幅地不同了。若對於研磨體43，以晶圓W之中心部側為一端部、以晶圓W之周緣部側為另一端部，則以研磨體43之一端部所研磨過的、自晶圓W中心起算係距離120mm~125mm之區域，霧度係4000~6500ppm。而在以研磨體43的另一端部所研磨過的、自晶圓W中心起算係距離143mm~148mm之區域，霧度係2000~3500rpm。然後，在以研磨體43的一端部及另一端部以外之部位所研磨過的區域內之近乎所有的位置，霧度皆係1000rpm以下。
若對如此這般旋轉之晶圓W固定研磨體43而研磨，確認到會在晶圓W之直徑方向上，發生有較大的粗糙度不均。因此，為了消除此粗糙度之不均，認為如圖8的說明般，移動研磨體43以進行研磨較為有效。
＜評鑑測試2＞ 使用與前述之粗面化處理模組4同樣結構之試驗裝置，對複數之晶圓W進行研磨。於此評鑑測試2，係如圖8之說明般，使研磨體43沿著晶圓W之直徑移動，以研磨晶圓W的背面整面。但是，研磨處理當中之晶圓W的轉速，並不隨著研磨體43之位置而變，保持固定；而針對每一晶圓W，設定不同轉速以進行研磨處理。將轉速設定為15rpm、30rpm、300rpm的晶圓W，分別稱為晶圓61、晶圓62、晶圓63。
研磨處理後，對於晶圓61、62，和評鑑測試1同樣地，沿著晶圓之直徑方向，量測各部位的霧度。更進一步地，對於晶圓61、62，擷取顯示晶圓背面之面內霧度分佈的影像。然後，針對晶圓61~63，透過模擬求出在晶圓W背面的研磨體43中心Q1之軌道；更進一步地，取得一邊為90μm之正方形所圍出之區域(稱作檢査區域60)的算術平均粗糙度Ra(單位：nm)。更進一步地，針對晶圓61~63，取得相對於前述之曝光機D4的工件台31之頂針32的動摩擦係數。
於圖21、圖22、圖23，顯示晶圓61、晶圓62、晶圓63的各研磨體43中心Q1之軌跡。如這些圖各自所示，轉速越高則研磨體43中心Q1之軌跡的間隔就越密。圖24、圖25的曲線圖，繪示從晶圓61、晶圓62所分別取得之沿著晶圓的直徑方向之各部位的霧度。這些圖24、圖25之曲線的縱軸、橫軸，與圖20之曲線相同，係分別代表霧度値、以及從晶圓中心起算之距離。再者，圖26、圖27係顯示晶圓61、62之背面的面內霧度分佈的影像，並以影像中的濃淡來代表霧度之大小分佈。亦即，影像中的濃淡係代表晶圓W背面之凹凸。
從圖24、圖25的曲線圖可知，相較於晶圓61，晶圓62在各部位的霧度都比較大。再者，就圖26、圖27的影像而言，相較於晶圓61，晶圓62之濃淡係更加細微地顯現。從這些曲線圖及影像可知，相較於晶圓61，研磨處理時之轉速較高的晶圓62，所形成之凹凸係更加細微且緻密。
圖28、圖29、圖30分別顯示關於晶圓61、晶圓62、晶圓63之前述檢査區域60的影像。然後，由晶圓61、62、63之各檢査區域60所取得之算術平均粗糙度Ra，分別係3.8nm、5.7nm、27.8nm。再者，從晶圓61、62、63所求得之動摩擦係數，分別係0.422、0.382、0.004。由於未進行研磨處理之晶圓W的動摩擦係數係0.435，因此確認到藉由進行研磨處理，可以降低動摩擦係數。
由此評鑑測試2的結果，確認到藉由提高研磨處理時之晶圓W轉速，以使研磨體43之中心軌跡的間隔能細密地進行研磨，可以使在晶圓W各部位之霧度提高，提昇算術平均粗糙度Ra，並降低動摩擦係數。推測是由於動摩擦係數越低，晶圓W的背面就更容易相對頂針32而滑動，所以就前述之發明效果而言，能收效良好。
＜評鑑測試3＞　 準備了翹曲量係300μm、背面未形成膜層的晶圓601~604。就晶圓601而言，是在塗佈光阻後，並不研磨背面，就搬入曝光機D4。就晶圓602~604而言，則是在塗佈光阻後、曝光前，與評鑑測試2之晶圓61~63同樣地研磨了晶圓W的背面後，再搬入曝光機D4。就研磨處理時之晶圓602、603、604之轉速而言，係與評鑑測試2之晶圓61、62、63之轉速相同，分別設係15rpm、30rpm、300rpm。然後，針對晶圓601~604，量測了在曝光機D4的套合。以如下偏移量視作此測得之套合： 關於「設定成在各晶圓表面上彼此正交之X方向及Y方向」的偏移量。
圖31之各晶圓W的影像顯示此評鑑測試3之結果，具體而言，係將先進行曝光之圖案、與後進行曝光之圖案重疊顯示所得。於晶圓601，X方向、Y方向之套合分別係8.4nm、8.8nm。於晶圓602，X方向、Y方向之套合分別係9.3nm、9.7 nm。於晶圓603，X方向、Y方向之套合分別係9.8nm、9.9nm。於晶圓604，X方向、Y方向之套合分別係6.3nm、7.5nm。
為了量測「[有進行背面研磨之晶圓602~604]相對於[未進行背面研磨之晶圓601]改善套合的程度」，計算了套合改善率。此套合改善率係：｛1-(晶圓601~604之XY移動合成距離)/(晶圓601之XY移動合成距離)｝×100(%)，XY移動合成距離係：(X方向之套合)2 +(Y方向之套合)2 ｝1/2 。因此，此套合改善率越高，則越是抑制了曝光位置偏離正確位置之情形，而為理想。晶圓604之套合改善率係：1-｛｛(6.3)2 +(7.5)2 ｝+｛(8.4)2 +(8.8)2 ｝｝1/2 ×100=19.5%。晶圓601、602、603之套合改善率，分別係0.0%、-10.5%、-14.5%。
由此評鑑測試3之結果顯示，研磨處理時之轉速設為300rpm之晶圓604，其套合(OL；overlay)有所改善。由評鑑測試2的結果與評鑑測試3的結果確認到，於動摩擦係數在0.004以下之情況，可以改善套合。
1‧‧‧塗佈、顯影裝置100‧‧‧控制部10‧‧‧凹溝11‧‧‧載置台12‧‧‧開閉部13‧‧‧移載機構14‧‧‧搬運區域15‧‧‧光阻膜形成模組16‧‧‧加熱模組17‧‧‧傳遞臂21、22、23‧‧‧介面臂31‧‧‧工件台32‧‧‧頂針34‧‧‧抽吸口35‧‧‧孔36‧‧‧昇降頂針37‧‧‧昇降機構4‧‧‧粗面化處理模組41‧‧‧環狀構件42‧‧‧邊緣固持部43‧‧‧研磨體44‧‧‧移動機構44A‧‧‧支柱44B‧‧‧臂體46‧‧‧純水供給噴嘴47A‧‧‧支柱47B‧‧‧臂體48‧‧‧昇降頂針49‧‧‧昇降機構5‧‧‧粗面化處理模組50‧‧‧缺角51‧‧‧環狀構件52‧‧‧抽吸部53‧‧‧圓板54‧‧‧支柱55‧‧‧驅動機構56‧‧‧旋轉夾頭57‧‧‧旋轉機構57A‧‧‧臂體60‧‧‧檢査區域C‧‧‧載具D1‧‧‧載運區塊D2‧‧‧處理區塊D3‧‧‧介面區塊D4‧‧‧曝光機E1~E6‧‧‧第1~第6單位區塊F1~F6‧‧‧各單位區塊E1~E6之搬運臂G1、G2、G3、G4‧‧‧塔W、W1‧‧‧晶圓U‧‧‧層架單元V1~V8‧‧‧以晶圓W中心為中心的同心圓配置T1~T6‧‧‧各步驟S1~S6開始時之研磨體43位置T7‧‧‧步驟S6結束時之研磨體43位置Q1‧‧‧研磨體43之中心P‧‧‧晶圓W之中心L‧‧‧純水L1‧‧‧研磨體43的環狀外形之寬度L2‧‧‧研磨體43的環狀直徑方向之寬度TRS、TRS0~TRS6、TRS31、TRS41、TRS51、TRS61‧‧‧傳遞模組BCT‧‧‧對晶圓W形成下層側之反射防止膜的處理COT‧‧‧對晶圓W形成光阻膜的處理DEV‧‧‧曝光後的晶圓W形成光阻圖案的處理
【圖1】前述塗佈、顯影裝置的詳細俯視圖。 【圖2】前述塗佈、顯影裝置的立體圖。 【圖3】前述塗佈、顯影裝置的概略縱斷側視圖。 【圖4】前述曝光機所含有之工件台的縱斷側視圖。 【圖5】前述曝光機之工件台的俯視圖。 【圖6】繪示設於前述塗佈、顯影裝置之粗面化處理模組之結構的立體圖。 【圖7】前述粗面化處理模組的縱斷側視圖。 【圖8】說明設於前述粗面化處理模組之磨石之移動的說明圖。 【圖9】粗面化處理模組之動作的說明圖。 【圖10】粗面化處理模組之動作的說明圖。 【圖11】藉由前述粗面化處理模組而形成在晶圓背面之凹溝的概略圖。 【圖12】繪示形成有前述凹溝之晶圓，載置於前述曝光機之工件台之樣態的說明圖。 【圖13】繪示形成有前述凹溝之晶圓，載置於前述曝光機之工件台之樣態的說明圖。 【圖14】繪示形成有前述凹溝之晶圓，載置於前述曝光機之工件台之樣態的說明圖。 【圖15】繪示未形成前述凹溝之晶圓載置於前述曝光機之工件台之樣態的說明圖。 【圖16】繪示量測在晶圓之動摩擦係數之區域之一例的俯視圖。 【圖17】繪示另一結構之粗面化處理模組的立體圖。 【圖18】繪示前述粗面化處理模組之動作的說明圖。 【圖19】繪示前述粗面化處理模組之動作的說明圖。 【圖20】繪示評鑑測試結果的曲線圖。 【圖21】繪示模擬結果的說明圖。 【圖22】繪示模擬結果的說明圖。 【圖23】繪示模擬結果的說明圖。 【圖24】繪示評鑑測試結果的曲線圖。 【圖25】繪示評鑑測試結果的曲線圖。 【圖26】顯示評鑑測試所得影像的說明圖。 【圖27】顯示評鑑測試所得影像的說明圖。 【圖28】顯示評鑑測試所得影像的說明圖。 【圖29】顯示評鑑測試所得影像的說明圖。 【圖30】顯示評鑑測試所得影像的說明圖。 【圖31】顯示評鑑測試所得影像的說明圖。
W‧‧‧晶圓
10‧‧‧凹溝
31‧‧‧上件台
32‧‧‧頂針
34‧‧‧抽吸口

Claims (7)

  1. 一種基板處理方法，對於圖案曝光前的半導體晶圓亦即基板的背面，加以研磨，以對該背面施行粗面化處理；而對於研磨後的背面，不進行粗糙度緩和用的處理；在該粗面化處理中，藉由研磨該基板的背面，而在基板的背面，於距離基板中心之半徑各自不同的位置上，沿著圓周方向形成凹溝。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，該基板的背面之研磨，係為了降低以下摩擦而進行：將基板載置於圖案曝光機之基板工件台上並加以抽吸時，基板的背面、與設於基板工件台的複數之突起部的頂面之間的摩擦。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，於研磨該基板的背面後，以純水洗淨該背面。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該基板的背面之研磨，包括以下步驟：一邊使該基板旋轉，一邊使研磨體在基板背面的中央部、與周緣側之部位之間進行掃瞄。
  5. 一種基板處理裝置，對半導體晶圓亦即基板形成光阻膜，並將圖案曝光後之基板加以顯影；該基板處理裝置包括：研磨處理部，其為了對該圖案曝光前之基板的背面進行粗面化處理，而研磨該背面；對於研磨後之背面，不進行粗糙度緩和用的處理； 在該粗面化處理中，藉由研磨該基板的背面，而在基板的背面，於距離基板中心之半徑各自不同的位置上，沿著圓周方向形成凹溝。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該研磨處理部，包括：旋轉機構，固持基板的背面之周緣部、或基板的外周端，而使基板旋轉；研磨體，用以研磨基板的背面；以及移動機構，用以使該研磨體在基板的中央部與周緣側的部位之間移動。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，更包括以下機構：在以研磨體研磨該基板的背面之周緣部時使用，係吸附固持該基板的背面之中央部而使該基板旋轉的機構。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7164289B2 (ja) * 2016-09-05 2022-11-01 東京エレクトロン株式会社 半導体プロセッシング中のオーバレイを制御するための湾曲を制御する応力の位置特定チューニング
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP6867226B2 (ja) * 2017-05-01 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 真空吸着部材
US10636673B2 (en) * 2017-09-28 2020-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming semiconductor device structure
JP7022589B2 (ja) * 2018-01-05 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
CN108312080A (zh) * 2018-02-09 2018-07-24 江苏中博钻石科技有限公司 一种金属抛光盘及其制造方法
KR102594342B1 (ko) * 2018-03-12 2023-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 휨 수정 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 휨 수정 장치
US20210242027A1 (en) * 2018-06-12 2021-08-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, modification device and substrate processing system
EP3875808A4 (en) * 2018-10-31 2022-08-03 Nok Corporation METHOD OF SURFACE TREATMENT OF A DISC ELEMENT OF A SEALING DEVICE AND SEALING DEVICE
CN111696858B (zh) * 2019-03-13 2024-06-11 东京毅力科创株式会社 接合系统和接合方法
JP7365827B2 (ja) * 2019-03-13 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 接合システム、および接合方法
TW202116468A (zh) * 2019-07-18 2021-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
CN116941015A (zh) * 2021-03-15 2023-10-24 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP2022154714A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の研磨方法及び基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6226814A (ja) * 1985-07-26 1987-02-04 Toshiba Corp 露光装置
US20130217228A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
TW201526074A (zh) * 2013-08-09 2015-07-01 Tokyo Electron Ltd 基板背面變形加工
JP6226814B2 (ja) 2014-05-22 2017-11-08 株式会社神戸製鋼所 溶接構造物の製造方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54110783A (en) * 1978-02-20 1979-08-30 Hitachi Ltd Semiconductor substrate and its manufacture
JPS62238629A (ja) * 1986-04-09 1987-10-19 Nec Corp 半導体基板の製造方法
JP2763441B2 (ja) * 1992-02-06 1998-06-11 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2540268B2 (ja) * 1992-05-12 1996-10-02 日本碍子株式会社 磁気ヘッド用コア形成材の研磨方法
KR100227924B1 (ko) * 1995-07-28 1999-11-01 가이데 히사오 반도체 웨이퍼 제조방법, 그 방법에 사용되는 연삭방법 및 이에 사용되는 장치
US6159827A (en) * 1998-04-13 2000-12-12 Mitsui Chemicals, Inc. Preparation process of semiconductor wafer
DE10004578C1 (de) * 2000-02-03 2001-07-26 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante
JP4669162B2 (ja) * 2001-06-28 2011-04-13 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法
JP4171380B2 (ja) * 2003-09-05 2008-10-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング装置およびエッチング方法
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
JP5196709B2 (ja) * 2005-04-19 2013-05-15 株式会社荏原製作所 半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法
US7672110B2 (en) * 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
US7910157B2 (en) * 2005-12-27 2011-03-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and program
US7559825B2 (en) * 2006-12-21 2009-07-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method of polishing a semiconductor wafer
JP2008178886A (ja) * 2007-01-23 2008-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd 製品情報の刻印方法
JP2008182015A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP2008279515A (ja) * 2007-05-08 2008-11-20 Shinka Jitsugyo Kk スライダの研磨装置
JP2008288447A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009302338A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Sumco Corp ウェーハの研磨方法および該方法により製造されるウェーハ
KR101587226B1 (ko) * 2008-07-31 2016-01-20 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 웨이퍼의 연마 방법 및 양면 연마 장치
KR101006526B1 (ko) * 2008-10-22 2011-01-07 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 마운트 테이프, 이를 이용한 웨이퍼 가공 장치 및 방법
US7763577B1 (en) * 2009-02-27 2010-07-27 Uwiz Technology Co., Ltd. Acidic post-CMP cleaning composition
EP2392970A3 (en) 2010-02-19 2017-08-23 ASML Netherlands BV Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus
JP5460537B2 (ja) * 2010-06-17 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板裏面研磨装置、基板裏面研磨システム及び基板裏面研磨方法並びに基板裏面研磨プログラムを記録した記録媒体
JP2014050957A (ja) * 2010-06-17 2014-03-20 Tokyo Electron Ltd 基板研磨手段及び基板研磨装置並びに基板研磨システム
JP5619559B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-05 株式会社ディスコ 加工装置
JP2012156246A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Hitachi Cable Ltd 半導体ウェハ及び半導体デバイスウェハ
KR102061695B1 (ko) * 2012-10-17 2020-01-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공 방법
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
US9768089B2 (en) * 2013-03-13 2017-09-19 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Wafer stack protection seal
JP5904169B2 (ja) * 2013-07-23 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP6307022B2 (ja) * 2014-03-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6226814A (ja) * 1985-07-26 1987-02-04 Toshiba Corp 露光装置
US20130217228A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Masako Kodera Method for fabricating semiconductor device
TW201526074A (zh) * 2013-08-09 2015-07-01 Tokyo Electron Ltd 基板背面變形加工
JP6226814B2 (ja) 2014-05-22 2017-11-08 株式会社神戸製鋼所 溶接構造物の製造方法

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