JP2022154714A - 基板載置台の研磨方法及び基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims description 10
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 10
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
- B24B55/03—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant designed as a complete equipment for feeding or clarifying coolant
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
Description
本開示は、基板載置台の研磨方法及び基板処理装置に関する。
特許文献1には、絶縁膜によって形成された基板載置面に粗化部とその周囲に設けられた平滑部とを有する基板載置台やその製造方法が開示されている。かかる基板載置台では、基板に傷をつけることなく、エッチング斑の発生を効果的に抑制できる。
本開示にかかる技術は、基板載置台の加工時に切削負荷の影響で加工ツールが傾くことで生じる加工ミスマッチに伴う段差の発生を抑え、エッチング斑の発生を抑制する。
本開示の一態様は、基材と、前記基材上に設けられた下層溶射膜と電極層上に設けられた上層溶射膜と、を備えた基板載置台の上面である基板載置面を研磨する研磨方法であって、前記溶射膜に対し含浸剤による含浸処理を施す工程と、前記基板載置面に対し研削加工による平坦化処理を施す工程と、前記基板載置面の周縁部をマスクし、前記基板載置面の周縁部を除く中央部に対し粗面化処理を施す工程と、を有する。
本開示によれば、基板載置台の加工時に切削負荷の影響で加工ツールが傾くことで生じる加工ミスマッチに伴う段差の発生を抑え、エッチング斑の発生を抑制することができる。
プラズマパネルディスプレイ(FPD)の製造工程では、被処理体である基板に対してプラズマエッチング処理が行われる。プラズマエッチング処理では、例えば一対の平行平板電極(上部電極及び下部電極)を配置した処理容器内で、下部電極として機能する基板載置台に基板を載置し、電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して電極間に高周波電界を形成する。この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成し、プラズマによって基板上の材料膜をエッチング処理する。プラズマエッチング処理を繰り返し行うと、エッチング生成物が生じ、これが基板載置台の表面に付着して蓄積する場合がある。その場合、基板載置台表面において、付着物の存在により、基板裏面と基板載置台表面との間に付着物が介在する領域が生じ、付着物が存在しない領域との間で熱伝導性や導電性に差異が生じる。これにより、基板の面内でエッチングレートの高い部分と低い部分とが形成され、エッチング斑と呼ばれるムラが生じる。
近年、FPDの製造装置において、フレキシブル向けのパネル生産が増え、パネルの表示斑に関する顧客要求が厳しくなっている。そのため、基板載置台(下部電極)の表面に溶射された溶射膜(絶縁膜)の表面をより好適な形状(例えばマクロでは平坦且つミクロでは粗面)に加工や研磨する必要がある。特許文献1には、基板載置台の表面に形成された絶縁膜に対し、当該絶縁膜を平滑化処理し、その後、当該絶縁膜の内側部分のみにブラスト処理を施して粗化部を形成し、周囲を平滑部とする構成が開示されている。
従来技術において、基板載置台表面の溶射膜の加工方法としては、加工ツールを用いたマシニング加工が知られている。マシニング加工では、加工時に切削負荷の影響で加工ツールが傾き、表面に段差が形成されてしまう、いわゆる加工ミスマッチが懸念される。図1は加工ミスマッチに関する説明図である。図1(a)に示すように、加工ツール200による切削時には、切削抵抗によって加工ツールが傾き、それにより基板載置台202の表面に微細な段差203が形成されてしまう。そして、図1(b)に示すように、エッチング生成物204が、基板載置台202の表面に段差203が形成された状態で付着すると、段差に起因する基板の位置に応じた熱伝達の違い(図中の大小の矢印参照)により、温度差(温度ムラ)が発生し、エッチング斑が生じる恐れがある。
そこで、本開示にかかる技術は、基板載置台の表面研磨において、加工ツールを用いたマシニング加工に伴う加工ミスマッチの発生を抑制させ、エッチング斑の発生を効果的に防止することが可能な基板載置台を実現する。
以下、本実施形態にかかる基板載置台を備えたプラズマ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<プラズマ処理装置>
図2及び図3はそれぞれ、本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
図2及び図3はそれぞれ、本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。
図2のプラズマ処理装置1は、基板としての、矩形のガラス基板G(以下、「基板G」という)に対し、処理ガスのプラズマを用いた基板処理、即ち、プラズマ処理を行う。プラズマ処理装置1が行うプラズマ処理は、例えばFPD用の成膜処理、エッチング処理、アッシング処理等である。これらの処理により、基板G上に、発光素子や発光素子の駆動回路などの電子デバイスが形成される。
プラズマ処理装置1は、有底の角筒形状の容器本体10を備える。容器本体10は、導電性材料、例えばアルミニウムから形成され、電気的に接地されている。プラズマ処理にはしばしば腐食性のガスが用いられるため、容器本体10の内壁面は、耐腐食性を向上させる目的で、陽極酸化処理等の耐腐食コーティング処理が施されている。また、容器本体10の上面には開口が形成されている。この開口は、容器本体10と絶縁されて設けられた矩形状の金属窓20によって気密に塞がれ、具体的には、金属窓20及び後述の金属枠14によって気密に塞がれる。容器本体10及び金属窓20によって囲まれた空間は、プラズマ処理の処理対象の基板Gがプラズマ処理時に位置する処理空間S1となり、金属窓20の上方側の空間は、後述の高周波アンテナ(プラズマアンテナ)90が配置されるアンテナ室S2となる。容器本体10のX方向負側(図2の左側)の側壁には、処理空間S1内に基板Gを搬入出するための搬入出口11及び搬入出口11を開閉するゲートバルブ12が設けられている。
容器本体10の底壁10a上には、金属窓20と対向するように、基板Gが載置される基板載置台(以下、単に載置台とも記載)30が設けられている。載置台30は例えば平面視矩形状に形成されている。載置台30は、その上面が基板Gの載置面となる台本体31を有する。台本体31の下部には導電性材料、例えばアルミニウムもしくはアルミニウム合金から形成される基材36が設けられている。基材36は、絶縁材料からなる絶縁部材32上に載置されており、台本体31が基材36及び絶縁部材32を介して容器本体10の底壁10a上に設置されている。
基材36の下面には、給電部材44が接続されている。給電部材44は、整合器40を介して、バイアス電源である高周波電源41が接続されている。高周波電源41は、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が3.2MHzの高周波電力を台本体31に供給する。これにより、RFバイアスが発生し、処理空間S1内に生成されたプラズマ中のイオンを基板Gに引き込むことができる。このように、載置台30は、RFバイアスを発生させるバイアス電極を形成する。
図2に示すように、台本体31、基材36の外周部と、絶縁部材32の上部により段部が形成され、その段部上には矩形状のフォーカスリング37が形成されている。フォーカスリング37は、アルミナ等のセラミックスから形成される。台本体31の上面に基板Gが載置される状態において、フォーカスリング36の上面の載置台側の端部は、基板Gの外周縁部に覆われる。
基材36には、平面の全領域をカバーするように蛇行した温調媒体流路47aが設けられている。温調媒体流路47aの両端には、温調媒体流路47aに対して温調媒体が供給される送り配管47bと、温調媒体流路47aを流通して昇温された温調媒体が排出される戻り配管47cとが連通している。図2に示すように、送り配管47bと戻り配管47cにはそれぞれ、送り流路51と戻り流路52が連通しており、送り流路51と戻り流路52はチラー50に連通している。チラー50は、温調媒体の温度や吐出流量を制御する本体部と、温調媒体を圧送するポンプとを有する(いずれも図示せず)。尚、温調媒体としては冷媒が適用され、この冷媒には、ガルデン(登録商標)やフロリナート(登録商標)等が適用される。図示例の温調形態は、基材36に温調媒体を流通させる形態であるが、基材36がヒータ等を内蔵し、ヒータにより温調する形態であってもよいし、温調媒体とヒータの双方により温調する形態であってもよい。また、ヒータの代わりに、高温の温調媒体を流通させることにより加熱を伴う温調を行ってもよい。尚、抵抗体であるヒータは、タングステンやモリブデン、もしくはこれらの金属のいずれか一種とアルミナやチタン等との化合物から形成される。また、図示例は、基材36に温調媒体流路47aが形成されているが、例えば台本体31が温調媒体流路を有していてもよい。
台本体31は、誘電体材料、例えばアルミナ等のセラミックスから形成される下層溶射膜33と、下層溶射膜33の上に設けられた上層溶射膜34とを備えている。上層溶射膜34は、例えばアルミナ等のセラミックスや金属-セラミックス複合体を溶射する溶射法によって形成される。上層溶射膜34の上面は、基板Gを載置する基板載置面35となっている。基板載置面35は、例えば表面粗さRaが1μm以上6μm以下の粗い表面を有する粗化部35aと、粗化部35aの周囲を囲む表面粗さRaが2μm未満の平滑部35bとを有している。即ち、基板載置面35は中央部としての粗化部35a(以下、中央部とも記載)と、周縁部としての平滑部35b(以下、周縁部とも記載)から構成される。
粗化部35aは微細な凹凸を有しており、その凸部において基板Gと多点で接触することで、基板Gの裏面に傷をつけることなく支持する構成となっている。さらに、粗化部35a上にエッチング生成物が付着する場合においても、表面の凹部内にエッチング生成物をトラップすることができる構成となっている。平滑部35bは、載置台30に基板Gを載置した際に、基板Gの周縁部の裏面が平滑部35bの表面に密着することで、安定して載置台30に基板Gを載置させておくことができる。このような構成により、基板Gと上層溶射膜34の粗化部35aとの間には密閉空間を形成することが可能となり、特に伝熱ガスを基板Gの裏面に供給して温度制御を行う場合に、伝熱ガスを基板Gの裏面側に閉じ込めることができるため、伝熱効率の向上が図られる。
なお、表面粗さRaは、JIS B0601-1994に規定されている算術平均粗さを意味し、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さを決め、この基準長さ内で平均線から測定された粗さ曲線までの偏差の絶対値を合計し、平均した値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう。
また、台本体31には、基板Gを吸着保持する静電チャックを構成する電極層31aが設けられている。この電極層31aには、給電線45を介して直流電源46が接続されている。直流電源46から電極層31aに直流電圧が印加されることによりクーロン力が発生し、このクーロン力により、基板Gが台本体31に載置された状態で保持される。
また、容器本体10の底壁10aには、排気口13が形成されている。排気口13は、平面視矩形状の載置台30の各辺に、当該辺に沿って複数設けられている。排気口13には、図2に示すように、真空ポンプ等を有する排気部60が接続されている。処理空間S1は、この排気部60によって減圧される。排気部60は、複数の排気口13のそれぞれに設けられてもよいし、複数の排気口13に共通に設けられてもよい。
容器本体10の側壁の上面側には、アルミニウム等の金属材料から形成された矩形状の枠体である金属枠14が設けられている。容器本体10と金属枠14との間には、処理空間S1を気密に保つためのシール部材15が設けられている。また、容器本体10と金属枠14と金属窓20とが、載置台30が内部に設けられた処理容器を構成する。
金属窓20は、複数の部分窓21に分割され、これらの部分窓21が金属枠14の内側に配置され、全体として矩形状の金属窓20を構成している。
部分窓21はそれぞれ、処理空間S1に処理ガスを供給するシャワーヘッドとして機能する。例えば、各部分窓21には、処理ガスを下方に吐出する多数のガス吐出孔21aと、処理ガスを拡散させる拡散室21bが形成されており、ガス吐出孔21aと拡散室21bとが連通している。
各部分窓21の拡散室21bは、ガス供給管70を介して処理ガス供給部71に接続されている。処理ガス供給部71は、流量調整弁(図示せず)や開閉弁(図示せず)等を備え、成膜処理、エッチング処理、アッシング処理等に必要な処理ガスを拡散室21bに供給する。なお、図示の便宜上、図2には、1つの部分窓21に処理ガス供給部71が接続された状態を示しているが、実際には各部分窓21の拡散室21bに処理ガス供給部71が接続される。
また、部分窓21は、絶縁部材22によって金属枠14から電気的に絶縁されると共に、隣り合う部分窓21同士も絶縁部材22によって互いに電気的に絶縁されている。
絶縁部材22には、当該絶縁部材22を保護するため、当該絶縁部材22の処理空間S1側の面を覆う絶縁部材カバー23が設けられている。
絶縁部材22には、当該絶縁部材22を保護するため、当該絶縁部材22の処理空間S1側の面を覆う絶縁部材カバー23が設けられている。
さらに、金属窓20の上方側には天板部80が配置されている。天板部80は、金属枠14上に設けられた側壁部81によって支持されている。
なお、金属窓20を構成する部分窓21は、吊り下げ部材(図示せず)を介して天板部80から吊り下げられている。
なお、金属窓20を構成する部分窓21は、吊り下げ部材(図示せず)を介して天板部80から吊り下げられている。
上述の金属窓20、側壁部81及び天板部80にて囲まれた空間はアンテナ室S2を構成し、アンテナ室S2の内部には、部分窓21に面するように高周波アンテナ90が配置されている。
高周波アンテナ90は、例えば、絶縁材料から形成されるスペーサ(図示せず)を介して部分窓21から離間して配置される。高周波アンテナ90は、各部分窓21に対応する面に沿い、矩形状の金属窓20の周方向に沿って周回するように、例えば渦巻状に、同心状に複数形成され多環状のアンテナを構成する。
各高周波アンテナ90には、整合器42を介して高周波電源43が接続されている。各高周波アンテナ90には、高周波電源43から整合器42を介して、例えば13.56MHzの高周波電力が供給される。これにより、プラズマ処理の間、部分窓21それぞれの表面に渦電流が誘起され、この渦電流によって処理空間S1の内部に誘導電界が形成される。ガス吐出孔21aから吐出された処理ガスは、誘導電界によって処理空間S1の内部においてプラズマ化される。
さらに、プラズマ処理装置1には制御部Uが設けられている。制御部Uは、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置1における基板Gの処理を制御するプログラムが格納されている。上述のプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部Uにインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア(回路基板)で実現してもよい。また、上記記憶媒体は、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
<基板処理>
次に、プラズマ処理装置1における基板処理について説明する。なお、以下の基板処理は、制御部Uの制御の下、行われる。
まず、ゲートバルブ12が開かれ、基板Gが、搬入出口11を介して処理空間S1内に搬入され、載置台30上に載置される。その後、ゲートバルブ12が閉じられる。
次に、プラズマ処理装置1における基板処理について説明する。なお、以下の基板処理は、制御部Uの制御の下、行われる。
まず、ゲートバルブ12が開かれ、基板Gが、搬入出口11を介して処理空間S1内に搬入され、載置台30上に載置される。その後、ゲートバルブ12が閉じられる。
続いて、処理ガス供給部71から、各部分窓21の拡散室21bを介して処理空間S1内に処理ガスが供給される。また、排気部60による処理空間S1の排気が行われ、処理空間S1内が所望の圧力に調節される。
次いで、高周波電源43から高周波アンテナ90に高周波電力が供給され、これにより金属窓20を介して処理空間S1内に均一な誘導電界が生じる。その結果、誘導電界により、処理空間S1内の処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。そして、高周波電源41から載置台30の台本体31に供給されたバイアス用の高周波電力により、プラズマ中のイオンが基板Gに引き込まれ、基板Gに対しプラズマ処理が行われる。
プラズマ処理の終了後、高周波電源41、43からの電力供給、処理ガス供給部71からの処理ガス供給が停止され、搬入時とは逆の順序で基板Gが搬出される。
これにより一連の基板処理が終了する。
これにより一連の基板処理が終了する。
<基板載置台の研磨方法>
次に、載置台30の研磨方法について図面を参照して説明する。図4は本実施形態にかかる載置台(基板載置面)の研磨方法についての説明図である。先ず、図4(a)に示すように、下層溶射膜33と電極層31aとその上面に上層として溶射により形成された上層溶射膜34からなる構造体A1が用意される。そして、下層溶射膜33、電極層31a、上層溶射膜34に対し次工程での研削液の染み込みを防止するために、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで含浸剤としては、例えばフッ素樹脂、シリコーン、シリケート等の低充填率である第1の含浸剤を用いても良く、あるいは、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤を用いても良い。
次に、載置台30の研磨方法について図面を参照して説明する。図4は本実施形態にかかる載置台(基板載置面)の研磨方法についての説明図である。先ず、図4(a)に示すように、下層溶射膜33と電極層31aとその上面に上層として溶射により形成された上層溶射膜34からなる構造体A1が用意される。そして、下層溶射膜33、電極層31a、上層溶射膜34に対し次工程での研削液の染み込みを防止するために、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで含浸剤としては、例えばフッ素樹脂、シリコーン、シリケート等の低充填率である第1の含浸剤を用いても良く、あるいは、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤を用いても良い。
そして、図4(b)に示すように、例えば平面研削盤100を有する研削装置(図示せず)を用いて、基板載置面35全面に対し平坦化処理としての研削加工が行われる。これにより基板載置面35の全面が均一に平滑化され、上層溶射膜34の上面の表面粗さRaが2μm未満とされる。
次いで、図4(c)に示すように、基板載置面35の周縁部35bがマスク103によって保護された状態で、中央部35aに対し粗面化処理が行われる。粗面化処理は例えばブラスト装置105によるブラスト加工として行われる。このブラスト加工においては、中央部35aにおける上層溶射膜34を掘り込む処理が行われても良い。この掘り込み処理による上層溶射膜の掘り込み量は、例えば30~50μmである。この粗面化処理により、基板載置面35における中央部35aのみが表面粗さRaが1μm以上6μm以下とされる。ブラスト加工において用いられるブラスト材としては、アルミナ、シリコンカーバイト、ジルコニアが挙げられる。
以上の工程により、基板載置面35の中央部35aが所定の表面粗さを有する粗化部35aとして構成され、マスク103によって保護されていた周縁部35bが粗化部35aに比べ平坦な平滑部35bとして構成される。
<本開示技術の作用効果>
本実施形態に係る研磨方法によれば、基板載置面35には所定の表面粗さを有する粗化部35aと、その周縁に平滑部35bが構成される。研磨時に加工ツールを用いたマシニング加工を用いていないため、加工時に切削負荷の影響で加工ツールが傾き、表面に段差が形成されてしまう、いわゆる加工ミスマッチが起こる心配がない。即ち、加工ミスマッチに伴うエッチング斑の発生を抑えることが可能となる。
本実施形態に係る研磨方法によれば、基板載置面35には所定の表面粗さを有する粗化部35aと、その周縁に平滑部35bが構成される。研磨時に加工ツールを用いたマシニング加工を用いていないため、加工時に切削負荷の影響で加工ツールが傾き、表面に段差が形成されてしまう、いわゆる加工ミスマッチが起こる心配がない。即ち、加工ミスマッチに伴うエッチング斑の発生を抑えることが可能となる。
また、基板載置面35に基板Gを載置した際に、平滑部35bに基板Gが密着し、且つ、粗化部35aに凸部が形成されていることで、基板Gと上層溶射膜34の粗化部35aとの間に密閉空間が形成される。これにより、伝熱ガスを基板Gの裏面に供給して温度制御を行う場合に、伝熱ガスを基板Gの裏面側に閉じ込めることができるため、伝熱効率の向上が図られる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。以下、本開示の他実施形態について図面等を参照して説明する。なお、以下の他実施形態において、上記実施形態と同じ機能構成を有する構成要素については同一の符号を付して図示し、その説明は省略する。
<本開示の第1の他実施形態>
次に、図5を参照して本開示の第1の他実施形態について説明する。図5は第1の他実施形態にかかる載置台(基板載置面)の研磨方法についての説明図である。先ず、図5(a)に示すように、下層溶射膜33と電極層31aとその上面に上層として溶射により形成された上層溶射膜34からなる構造体A2が用意される。そして、下層溶射膜33、電極層31a、上層溶射膜34に対し、次工程での研削液の染み込みを防止するため、また、後述する土手溶射膜120との界面密着性向上のため、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤はフッ素樹脂、シリコーン、シリケート等の低充填率である第1の含浸剤である。
次に、図5を参照して本開示の第1の他実施形態について説明する。図5は第1の他実施形態にかかる載置台(基板載置面)の研磨方法についての説明図である。先ず、図5(a)に示すように、下層溶射膜33と電極層31aとその上面に上層として溶射により形成された上層溶射膜34からなる構造体A2が用意される。そして、下層溶射膜33、電極層31a、上層溶射膜34に対し、次工程での研削液の染み込みを防止するため、また、後述する土手溶射膜120との界面密着性向上のため、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤はフッ素樹脂、シリコーン、シリケート等の低充填率である第1の含浸剤である。
そして、図5(b)に示すように、例えば平面研削盤100を有する研削装置(図示せず)を用いて、基板載置面35全面に対し平坦化処理としての研削加工が行われる。続いて、図5(c)に示すように、中央部35aがマスク110によって保護された状態で、周縁部35bに対しアルミナ等のセラミックスや金属-セラミックス複合体を溶射することで、土手溶射膜120が形成される。この土手溶射膜120を含めた全面に対して、次工程での研削液の染み込みを防止するため、また、土手溶射膜120の剥離を防止するため、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤は、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤である。
そして、図5(d)に示すように、平面研削盤100を有する研削装置(図示せず)を用いて、土手溶射膜120の表面に対し平坦化処理としての研削加工が行われる。続いて、図5(e)に示すように、平坦化された土手溶射膜120がマスク125によって保護された状態で、中央部35aに対し粗面化処理が行われる。粗面化処理は例えば溶射装置130を用い、面内粗し溶射と呼ばれる溶射方式で行われる。粗面化処理後には、形成された気孔を封孔し耐食性及び耐電圧性能を確保するために含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤は、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤である。
以上の工程により、基板載置面35の中央部35aが所定の表面粗さを有する粗化部35aとして構成され、平坦化処理後にマスク125によって保護されていた周縁部35bが粗化部35aに比べ平坦な平滑部35bとして構成される。
第1の他実施形態にかかる研磨方法によれば、図5(a)、(b)に示す研磨の前段工程では、上層溶射膜34と土手溶射膜120の界面密着性向上のためフッ素樹脂、シリコーン、シリケート等の低充填率である第1の含浸剤を用いた含浸処理を行っている。また、図5(c)~(e)に示す研磨の後段工程では、基板載置台30の耐食性や耐電圧性能向上のためアクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤を用いた含浸処理を行っている。これにより、上記実施の形態で説明した作用効果に加え、より耐食性や耐電圧性能に優れた基板載置面を備えた載置台30が実現される。
<本開示の第2の他実施形態>
次に、図6を参照して本開示の第2の他実施形態について説明する。図6は第2の他実施形態にかかる載置台(基板載置面)の研磨方法についての説明図である。先ず、図6(a)に示すように、下層溶射膜33と電極層31aとその上面に上層として溶射により形成された上層溶射膜34からなる構造体A3が用意される。そして、下層溶射膜33、電極層31a、上層溶射膜34に対し、次工程での研削液の染み込みを防止するため、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤は、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤である。
次に、図6を参照して本開示の第2の他実施形態について説明する。図6は第2の他実施形態にかかる載置台(基板載置面)の研磨方法についての説明図である。先ず、図6(a)に示すように、下層溶射膜33と電極層31aとその上面に上層として溶射により形成された上層溶射膜34からなる構造体A3が用意される。そして、下層溶射膜33、電極層31a、上層溶射膜34に対し、次工程での研削液の染み込みを防止するため、含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤は、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤である。
そして、図6(b)に示すように、例えば平面研削盤100を有する研削装置(図示せず)を用いて、基板載置面35全面に対し平坦化処理としての研削加工が行われる。続いて、図6(c)に示すように、基板載置面35の中央部35aに対しブラスト装置105を用いたブラスト加工により、中央部35aにおいて上層溶射膜34を掘り込む処理(プール掘り込み加工)が行われる。
そして、図6(d)に示すように、周縁部35bがマスク135によって保護された状態で、中央部35aに対し粗面化処理が行われる。粗面化処理は例えば溶射装置130を用い、面内粗し溶射と呼ばれる溶射方式で行われる。粗面化処理後には、形成された気孔を封孔し耐食性及び耐電圧性能を確保するために含浸剤による含浸処理が行われる。ここで用いられる含浸剤は、アクリル、エポキシ、ウレタン等の高充填率である第2の含浸剤である。
以上の工程により、基板載置面35の中央部35aが所定の表面粗さを有する粗化部35aとして構成され、周縁部35bが粗化部35aに比べ平坦な平滑部35bとして構成される。
第2の他実施形態にかかる研磨方法によれば、上記実施の形態で説明した作用効果に加え、より耐食性や耐電圧性能に優れた基板載置面を備えた載置台30が実現される。
1 プラズマ処理装置
30 基板載置台
31a 電極層
33 下層溶射膜
34 上層溶射膜
35 基板載置面
35a 中央部(粗化部)
35b 周縁部(平滑部)
36 基材
103 マスク
G 基板
30 基板載置台
31a 電極層
33 下層溶射膜
34 上層溶射膜
35 基板載置面
35a 中央部(粗化部)
35b 周縁部(平滑部)
36 基材
103 マスク
G 基板
Claims (9)
- 基材と、前記基材上に設けられた下層溶射膜と電極層上に設けられた上層溶射膜と、を備えた基板載置台の上面である基板載置面を研磨する研磨方法であって、
前記溶射膜に対し含浸剤による含浸処理を施す工程と、
前記基板載置面に対し研削加工による平坦化処理を施す工程と、
前記基板載置面の周縁部をマスクし、前記基板載置面の周縁部を除く中央部に対し粗面化処理を施す工程と、を有する、基板載置台の研磨方法。 - 前記含浸処理は、前記溶射膜に対し、第1の含浸剤と、前記第1の含浸剤とは充填率の異なる第2の含浸剤のうち少なくとも一つを選択して行われる、請求項1に記載の基板載置台の研磨方法。
- 前記第2の含浸剤の充填率は前記第1の含浸剤の充填率より高く、
前記平坦化処理は、前記第2の含浸剤による含浸処理が行われた後、前記基板載置面の全面に対し行われる、請求項2に記載の基板載置台の研磨方法。 - 前記第2の含浸剤の充填率は前記第1の含浸剤の充填率より高く、
前記平坦化処理は、前記第1の含浸剤による含浸処理が行われた後、前記基板載置面の周縁部のみに形成させた土手溶射膜に対し行われる、請求項2に記載の基板載置台の研磨方法。 - 前記土手溶射膜に対する平坦化処理の後、当該土手溶射膜を含めた全面に対し前記第2の含浸剤による含浸処理が更に行われる、請求項4に記載の基板載置台の研磨方法。
- 前記粗面化処理は、ブラスト加工によって行われる、請求項3に記載の基板載置台の研磨方法。
- 前記粗面化処理においては、前記ブラスト加工により前記溶射膜を掘り込む処理が行われる、請求項6に記載の基板載置台の研磨方法。
- 前記粗面化処理は、溶射によって行われる、請求項5に記載の基板載置台の研磨方法。
- 基板載置台を備えた基板処理装置であって、
前記基板載置台は、基材と、前記基材上に設けられた下層溶射膜と電極層上に設けられた上層溶射膜と、を有し、その上面が基板載置面として構成され、
前記溶射膜に対し含浸剤による含浸処理を施す工程と、
前記基板載置面に対し研削加工による平坦化処理を施す工程と、
前記基板載置面の周縁部をマスクし、前記基板載置面の周縁部を除く中央部に対し粗面化処理を施す工程と、により前記基板載置面が研磨された、基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021057884A JP2022154714A (ja) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 基板載置台の研磨方法及び基板処理装置 |
KR1020220032471A KR20220136123A (ko) | 2021-03-30 | 2022-03-16 | 기판 적재대의 연마 방법 및 기판 처리 장치 |
TW111110284A TW202303830A (zh) | 2021-03-30 | 2022-03-21 | 基板載置台的研磨方法及基板處理裝置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022154714A true JP2022154714A (ja) | 2022-10-13 |
Family
ID=83557871
Family Applications (1)
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JP2021057884A Pending JP2022154714A (ja) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 基板載置台の研磨方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
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KR (1) | KR20220136123A (ja) |
CN (1) | CN115213808A (ja) |
TW (1) | TW202303830A (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5612300B2 (ja) | 2009-12-01 | 2014-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置 |
JP6321579B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2018-05-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム |
JP6540430B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2017147278A (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
DE102018214337A1 (de) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats |
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2021
- 2021-03-30 JP JP2021057884A patent/JP2022154714A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-16 KR KR1020220032471A patent/KR20220136123A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-03-21 TW TW111110284A patent/TW202303830A/zh unknown
- 2022-03-23 CN CN202210293100.2A patent/CN115213808A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220136123A (ko) | 2022-10-07 |
TW202303830A (zh) | 2023-01-16 |
CN115213808A (zh) | 2022-10-21 |
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