JP7401266B2 - 基板載置台、及び、基板処理装置 - Google Patents

基板載置台、及び、基板処理装置 Download PDF

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Description

本開示の例示的実施形態は、基板載置台、及び、基板処理装置に関する。
載置台の上に載置された基板（ウエハ）は、静電チャックによって保持され得る。静電チャックは、静電気力によってウエハを載置台に静電吸着する。特許文献１に開示されている載置装置は、載置体と静電チャックとを備える。載置体は、被処理体が載置される。静電チャックは、絶縁層と、絶縁層に埋設された電極層とを備える。静電チャックでは、電極層に電圧が印加されることにより電極層と被処理体との間で静電気力が生じて、絶縁層の表面に被処理体が静電吸着される。電極層の表面側の絶縁層である静電チャック層は、プラズマ溶射により形成された200～280μmの厚さの酸化イットリウム溶射層である。静電チャック層の表面は、溶射される酸化イットリウムの粒径に依存した表面粗度に形成されている。
特開２００８－１１７９８２号公報
本開示は、基板載置台と基板との間における放電を抑制する技術を提供する。
例示的実施形態において、基板載置台が提供される。基板載置台は、基台と基台の上に設けられた静電チャックとを備える。静電チャックは、積層部、中間層、被覆層を備える。積層部は、基台の上に設けられる。中間層は、積層部の上に設けられる。被覆層は、中間層の上に設けられる。積層部は、第１の層、電極層、第２の層を備える。第１の層は、基台の上に設けられる。電極層は、第１の層上に設けられる。第２の層は、電極層上に設けられる。中間層は、第２の層と被覆層との間に設けられ、第２の層と被覆層とに密着している。第２の層は、樹脂層である。被覆層は、セラミックスである。
一つの例示的実施形態によれば、基板載置台と基板との間における放電を抑制する技術を提供できる。
例示的実施形態に係る基板載置台の構成の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の一部の構成の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図２～５の各々に示す被覆層の形成方法を説明するための図である。 図１に示す基板載置台が設けられた基板処理装置の構成の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。 図１に示す基板載置台の端部の構成の他の一例を示す図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。例示的実施形態において、基板載置台が提供される。基板載置台は、基台と基台の上に設けられた静電チャックとを備える。静電チャックは、積層部、中間層、被覆層を備える。積層部は、基台の上に設けられる。中間層は、積層部の上に設けられる。被覆層は、中間層の上に設けられる。積層部は、第１の層、電極層、第２の層を備える。第１の層は、基台の上に設けられる。電極層は、第１の層上に設けられる。第２の層は、電極層上に設けられる。中間層は、第２の層と被覆層との間に設けられ、第２の層と被覆層とに密着している。第２の層は、樹脂層である。被覆層は、セラミックスである。このように、静電チャックの電極層上に設けられた第２の層は樹脂として比較的に高い絶縁耐性を有することが知られているので、所定の絶縁耐性を維持しつつ第２の層の厚みを十分に低減し得る。従って、静電チャックの合成静電容量が増大されて基板載置台に載置される基板と基台との間の電位が低減され得る。このため、比較的に低い周波数で基板載置台に電圧が印加された際に、電圧位相差が低減されることにより基板載置台と基板との間の放電の発生が抑制され得る。
例示的実施形態において、第１の層は、樹脂層である。
例示的実施形態において、基台は、本体部と基台の側面に設けられた側壁部とを備える。静電チャックは、本体部及び側壁部の上に配置される。第１の層及び第２の層の各々の径は、本体部の径よりも大きい。第１の層及び第２の層は、側壁部とオーバーラップするように基台の上に延在している。
例示的実施形態において、中間層は、積層部の側面を覆う端部領域を備える。端部領域は、基台に接しており、積層部から離隔する方向に先細るテーパ形状を有する。
例示的実施形態において、端部領域のテーパ角は、45°以下である。
例示的実施形態において、第１の層の材料及び第２の層の材料は、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂の何れかである。
例示的実施形態において、基板載置台は、端部領域を更に備える。端部領域は、積層部の側面を覆う。端部領域の材料は、樹脂又は絶縁物である。第１の層は、絶縁層又は樹脂層である。
例示的実施形態において、第１の層が絶縁層の場合における第１の層の材料は、セラミックである。第１の層が樹脂層の場合における第１の層の材料は、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂の何れかである。第２の層の材料は、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂の何れかである。
例示的実施形態において、樹脂の端部領域は、積層部から離隔する方向に先細るテーパ形状を有する。
例示的実施形態において、基台は、基台の表面に絶縁領域を有する。絶縁領域は、積層部の側面に沿って延びている箇所を有している。樹脂の端部領域は、積層部の側面と絶縁領域の当該箇所との間に設けられている。
例示的実施形態において、基台は、本体部と基台の側面に設けられた側壁部とを備える。静電チャックは、本体部及び側壁部の上に配置される。第１の層及び第２の層の各々の内径は、本体部の内径よりも小さい。第１の層及び第２の層は、側壁部とオーバーラップするように基台の上に延在している。側壁部の表面は、積層部の側面に沿って延びている箇所を有する。樹脂の端部領域は、積層部の側面と側壁部の表面の当該箇所との間に設けられている。
例示的実施形態において、電極層の径は、第１の層及び第２の層の各々の径よりも小さい。
例示的実施形態において、中間層は、基台に設けられている積層部の全表面を被覆する。
例示的実施形態において、中間層は、側壁部の一部を覆う。
例示的実施形態において、被覆層は、下地層と複数の凸部とを備える。下地層は、中間層に密着している。複数の凸部は、下地層の上面に設けられる。
例示的実施形態において、下地層の上面の表面粗さは、0.05～0.5μmである。
例示的実施形態において、中間層は、基体と基体中に分散した複数の粒状体とを含む。複数の粒状体は、基体から露出している露出部分を含み、この露出部分は、第２の層及び被覆層に接する。
例示的実施形態において、基体の材料は、樹脂又はシラン系剤を含有し、粒状体の材料は、セラミックである。シラン系剤とは、例えば、シリコン原子と酸素原子を含有する無機材料である。
例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、上記した基板載置台の何れかを備える。
例示的実施形態に係る基板処理装置は高周波電源を備え、高周波電源は基板載置台に接続され3MHz以下の高周波電力を基板載置台に供給する。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。まず、図１を参照して、基板載置台２の構成の一実施形態を説明する。
基板載置台２は、基板処理装置１に設けられる。基板処理装置１は、例えば、平行平板型のプラズマ処理装置であり得るが、これに限られない。基板処理装置１は、基板載置台２に載置される基板（以下、ウエハという場合がある）に対するプラズマ処理に必要な装備を十分に備えるが、図１には基板処理装置１の構成の詳細は示されていない。基板処理装置１の構成の詳細については、図７を参照しつつ後述する。
基板載置台２は、中心軸ＡＸに交差するように延在する略円板形状を有する。基板載置台２は、静電チャック３、基台４を備える。静電チャック３は、基台４の上に設けられる。静電チャック３は、積層部３ａ、中間層３ｂ、被覆層３ｃを備える。積層部３ａは、基台４の上に設けられる。中間層３ｂは、積層部３ａの上に設けられる。被覆層３ｃは、中間層３ｂの上に設けられる。
積層部３ａは、層３ａ１（第１の層）、電極層３ａ２、層３ａ３（第２の層）を備える。層３ａ１は、基台４の上に設けられる。電極層３ａ２は、層３ａ１上に設けられる。層３ａ３は、電極層３ａ２上に設けられる。層３ａ３は、樹脂層である。
ここで、図２に示すように、中間層３ｂは基体３ｂ１と複数の粒状体３ｂ２とを含み、複数の粒状体３ｂ２は基体３ｂ１中に分散している。複数の粒状体３ｂ２の一部は、基体３ｂ１から、基体３ｂ１に接する層３ａ３及び被覆層３ｃ（より具体的に、下地層３ｃ１）の側に露出している。複数の粒状体３ｂ２は、このように基体３ｂ１から露出している露出部分を含む。この露出部分は、層３ａ３及び被覆層３ｃに接する。このため、中間層３ｂと層３ａ３、及び、中間層３ｂと被覆層３ｃ（より具体的に、下地層３ｃ１）は、それぞれ強い結合力で密着されるので、接着度が向上される。被覆層３ｃは、下地層３ｃ１と複数の凸部３ｃ２とを備える。複数の凸部３ｃ２は、下地層３ｃ１の上面３１に設けられる。基板が基板載置台２に載置されている場合、この基板は複数の凸部３ｃ２に接している。
図１に戻って説明する。中間層３ｂは、基台４に設けられている積層部３ａの全表面（積層部３ａの側面ＳＦ２及び積層部３ａの上面ＳＦ３を含む）を被覆する。被覆層３ｃは、基台４に設けられている中間層３ｂの全表面を被覆する。
中間層３ｂは、層３ａ３と被覆層３ｃ（特に下地層３ｃ１）との間に設けられる。中間層３ｂは、層３ａ３と下地層３ｃ１とに密着している。基体３ｂ１及び粒状体３ｂ２は、下地層３ｃ１に接すると共に、層３ａ３に接する。
厚みＴＨ１は、積層部３ａの厚みと中間層３ｂの厚みの合計に相当する。厚みＴＨ２は、積層部３ａの厚みに相当する。厚みＴＨ３は、被覆層３ｃの厚みに相当する。
基台４は、本体部４ａと側壁部４ｂ１及び側壁部４ｂ２とを備える。側壁部４ｂ１及び側壁部４ｂ２は、本体部４ａの側面ＳＦ１に設けられる。静電チャック３は、本体部４ａと、側壁部４ｂ１及び側壁部４ｂ２との上に配置される。
側壁部４ｂ１は、基台４の外壁に該当する。側壁部４ｂ２は、静電チャック３及び基台４を貫通する孔ＧＴを基台４内において画定するスリーブに該当する。孔ＧＴは、ガスが流通する孔、または、ウエハＷを基板載置台２に載置する際にピンを上下に移動させるために設けられた孔であり得る。
また、図３にも示されているように、基台４にはコンタクトピン４ｄが設けられている。コンタクトピン４ｄは、電極層３ａ２に電気的に接続される。基台４内において、コンタクトピン４ｄは、スリーブ４ｃによって被覆されている。図３に示す構成は、図１に示す領域ＥＲ２に含まれる構成である。
図２を参照して、基板載置台２の端部の構成を説明する。図２に示す基板載置台２の端部は、図１に示す領域ＥＲ１に含まれる構成である。基板載置台２の端部は、基台４の外壁部に該当する側壁部４ｂ１を含む部分、及び、孔ＧＴを画定するスリーブに該当する側壁部４ｂ２を含む部分である。
基板載置台２の端部において、中間層３ｂは、端部領域３ｂｂを備える。端部領域３ｂｂは、積層部３ａの側面ＳＦ２を覆う。端部領域３ｂｂは、基台４に接しており、より具体的には、側壁部４ｂ１及び側壁部４ｂ２に接している。
端部領域３ｂｂは、積層部３ａから離隔する方向に先細るテーパ形状を有する。換言すれば、端部領域３ｂｂは、積層部３ａから離隔する方向に減少する厚みを有する。端部領域３ｂｂの厚みは、積層部３ａから離隔する方向に略線型に減少し、厚みＴＨ４に収束する。
より具体的に、端部領域３ｂｂの厚みは、概ね長さＬＴ３だけ積層部３ａから離隔した箇所において、厚みＴＨ４に収束する。長さＬＴ３は、端部領域３ｂｂと側壁部４ｂ１及び側壁部４ｂ２との接合部の幅に相当する。
なお、端部領域３ｂｂのテーパ形状は、図２に示すように略線型に先細る形状に限られない。例えば、端部領域３ｂｂのテーパ形状は、図４に示す端部領域３ｂｂのように凹型に（負の曲率で）先細る形状、又は、図５に示す端部領域３ｂｂのように凸型に（正の曲率で）先細る形状、の何れかであり得る。
電極層３ａ２の径は、層３ａ１及び層３ａ３の各々の径よりも小さい。長さＬＴ１は、層３ａ１及び層３ａ３の各々の径と電極層３ａ２の径との差の１／２に相当する。
層３ａ１及び層３ａ３の各々の径は、本体部４ａの径よりも大きい。長さＬＴ２は、層３ａ１及び層３ａ３の各々の径と本体部４ａの径との差の１／２に相当する。このように、層３ａ１及び層３ａ３は、側壁部４ｂ１及び側壁部４ｂ２とオーバーラップするように基台４の上に延在している。中間層３ｂは、側壁部４ｂ１の一部、及び、側壁部４ｂ２の一部を覆う。
上記構成の基板載置台２によれば、静電チャック３の電極層３ａ２を挟む層３ａ１及び層３ａ３は高い絶縁耐性を有するので、所定の絶縁耐性を維持しつつ層３ａ１及び層３ａ３の厚みを十分に低減し得る。従って、静電チャック３の合成静電容量が増大されて基板載置台２に載置される基板と基台４との間の電位が低減され得る。このため、比較的に低い周波数、例えば、3MHz以下の周波数で基板載置台２に電圧が印加された際に、電圧位相差が低減されることにより基板載置台と基板との間の放電の発生が抑制され得る。
静電チャック３の静電容量（合成静電容量）は、10～21pF/cm2程度に構成される。静電容量が10pF/cm2より小さい場合、3MHz以下の高周波電力を基板載置台に印加すると基板載置台と基板との間の放電が発生し易くなる。また、現状可能な静電容量の上限値は21pF/cm2である。
電極層３ａ２の厚みは、5μm程度である。層３ａ１の厚みは、25～50μm程度である。層３ａ１の比誘電率は、3.2程度である。層３ａ３の厚みは、25～50μm程度である。層３ａ３の比誘電率は、3.2程度である。
接着層３ａ４の厚みは、10～20μm程度である。接着層３ａ４の比誘電率は、3.0程度である。接着層３ａ５の厚みは、10～20μm程度である。接着層３ａ５の比誘電率は、3.0程度である。
中間層３ｂの厚みは、20～100μm程度である。中間層３ｂの比誘電率は、2.7程度である。被覆層３ｃの厚み（図１～５に示す厚みＴＨ３）は、65μm程度である。
下地層３ｃ１の厚みは、50μm程度である。下地層３ｃ１の比誘電率は、7.1程度である。凸部３ｃ２の厚みは、15μm程度である。凸部３ｃ２の比誘電率は、7.1程度である。
下地層３ｃ１の上面３１の表面粗さ（算術平均粗さ：Ｒａ）は、0.05～0.5μmである。凸部３ｃ２の端面３２の表面粗さ（算術平均粗さ：Ｒａ）は、0.05～0.5μmである。
複数の凸部３ｃ２は、例えば、基板の約20%程度が接触するように設けられている。
図２，４，５に示す長さＬＴ１は、1.2～2.2mm程度である。図２，４，５に示す長さＬＴ２は、0.7～1mm程度である。長さＬＴ２が0.7mmより短い場合、セラミックスと層３ａ１との界面でリーク電流が増大して基板載置台２と基板との間で放電が起き易くなる。一方、基台４に接する積層部３ａの面積は吸着力を得るために最大になっている。このため、長さＬＴ２が1mmより長い場合には、本体部４ａの直径が小さくなりセラミックスの直径が大きくなるので基台４の抜熱面積が減り局所的に基板の温度が上昇し、基板の温度面内均一性が低下する。
図２に示す端部領域３ｂｂのテーパ角θは、例えば、45°以下である。
図２～図６のそれぞれに示す層３ａ１は、例えば樹脂層である。この場合、層３ａ１の材料及び層３ａ３の材料は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂であり得る。層３ａ１及び層３ａ３の材料は、互いに異なっていてもよい。被覆層３ｃは、セラミックスである。側壁部４ｂ１の材料及び側壁部４ｂ２の材料は、セラミックである。
中間層３ｂの基体３ｂ１の材料は、樹脂又はシラン系剤を含有する。粒状体３ｂ２の材料は、セラミックである。
図６を参照して被覆層３Ｃの形成方法の一例について説明する。被覆層３Ｃの形成方法は、被覆層３ｃの凸部３ｃ２の形成が好適に実現できれば図６に示す方法に限られない。
図６に示す方法の実行には、セラミックスの被覆層３ｃを溶射によって形成するプラズマ溶射装置が用いられる。まず、生産物ＰＤ１がプラズマ溶射装置に設置される。生産物ＰＤ１は、基台４、積層部３ａ、中間層３ｂを備える。積層部３ａは基台４の上に設けられ、中間層３ｂは積層部３ａの上に設けられている。積層部３ａは、層３ａ１、電極層３ａ２、層３ａ３を備える。
次いで、生産物ＰＤ１の中間層３ｂの上にセラミック溶射が行われ、生産物ＰＤ２が形成される。セラミック溶射は、例えば、15μm以下の粒子径を有する溶射材料の粉末を、プラズマ生成ガスとともにノズルの先端部からノズルと軸芯が共通するプラズマ生成部に噴射する。次いで、プラズマ生成部にて50kW以下の電力によりプラズマ生成ガスからプラズマを生成し、噴射した溶射材料の粉末をプラズマにより液状にし、中間層３ｂの表面を覆うように溶射する。溶射材料の粉末の粒子径は小さく、溶射材料の粉末を溶融するための電力量を小さくできるため、溶射時に中間層３ｂが焼損することなく、被覆層３ｄを成膜することができる。生産物ＰＤ２では、被覆層３ｄが中間層３ｂ上にセラミック溶射によって形成されている。図１～５に示す被覆層３ｃは、被覆層３ｄが加工されることによって形成される。
生産物ＰＤ２では、更に、被覆層３ｄの表面が研磨される。この研磨によって、被覆層３ｄの表面の表面粗さは、図１～５に示す下地層３ｃ１の上面３１の表面粗さと同程度となる。
次いで、生産物ＰＤ２の被覆層３ｄの上に複数の開口部を有する、例えば、樹脂製のマスクＭＫ１が配置されることによって、生産物ＰＤ３が形成される。マスクＭＫ１の開口部は、図１～５に示す被覆層３ｃにおいて凸部３ｃ２が設けられる箇所に該当する。
次いで、生産物ＰＤ３に対し、マスクＭＫ１及び被覆層３ｄの上からセラミック溶射が更に行われ、生産物ＰＤ４が形成される。生産物ＰＤ４の形成に用いられるセラミックスの材料は、被覆層３ｄの形成に用いられたセラミックスの材料と同様である。生産物ＰＤ４では、複数のマスクＭＫ１の開口部にセラミックが充填されると共に、マスクＭＫ１の上にもセラミックスのマスクＭＫ２が形成される。生産物ＰＤ４においてマスクＭＫ１の複数の開口部にセラミックが充填された箇所は、図１～５に示す凸部３ｃ２に対応している。
次いで、生産物ＰＤ４からマスクＭＫ１及びマスクＭＫ２が除去され、生産物ＰＤ５が形成される。生産物ＰＤ５において、被覆層３ｄの表面には、マスクＭＫ１及びマスクＭＫ２の除去によって形成された凹凸（凸部は、図１～５に示す凸部３ｃ２に対応）が設けられている。
次いで、生産物ＰＤ５の被覆層３ｄの凸部の端面が研磨されて被覆層３ｄから被覆層３ｃが形成され、基板載置台２が形成される。この研磨によって、生産物ＰＤ５の被覆層３ｄの凸部の端面の表面粗さは、図１～５に示す凸部３ｃ２の端面３２の表面粗さと同程度となる。
以上のように下地層３ｃ１及び凸部３ｃ２が形成されることによって、凸部３ｃ２の端面３２だけでなく、下地層３ｃ１の上面３１の表面粗さも低減される。このため、例えば、基板を載置しないでプラズマクリーニングを実施した際に、プラズマで表面が破砕されにくくなるため、下地層から発生するパーティクルが十分に低減される。なお、凸部３ｃ２は、マスクを用いた形成方法に限らず、例えば、生産物ＰＤ２の被覆層３ｄの表面が研磨された後、マスクを用いずに凸部３ｃ２を形成してもよい。
例示的実施形態に係る基板処理装置の一例について、図７を参照しながら説明する。基板処理装置１は、平行平板型の容量結合プラズマ処理装置であり、略円筒形の処理容器ＰＣ（チャンバ）を有している。処理容器ＰＣの内面には、酸化イットリウム膜が溶射され、または、アルマイト処理（陽極酸化処理）が施されている。処理容器ＰＣの内部は、プラズマによりエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。基板処理装置１には、図１～５に示す基板載置台２が設けられている。
基板載置台２は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、「ウエハＷ」という。）を載置する。基板載置台２は、下部電極としても機能する。
直流電源３０は、コンタクトピン４ｄ（図１及び図３を参照。）を介して電極層３ａ２に電気的に接続されている。スイッチ３０ａの開閉により直流電源３０から電極層３ａ２に直流電圧が印加されると、静電気力によってウエハＷが静電チャック３に吸着される。
静電チャック３の外周側には、ウエハＷの外縁部を囲うように円環状のフォーカスリング１１が載置される。フォーカスリング１１の材料は、例えば、シリコンであり得る。フォーカスリング１１は、処理容器ＰＣにおいてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束してプラズマ処理の効率を向上させるように機能する。
基台４の内部には、冷媒流路１２ａが形成されている。チラー３６から出力された例えば冷却水やブライン等の冷却媒体（以下、「冷媒」ともいう。）は、冷媒入口配管１２ｂ、冷媒流路１２ａ、冷媒出口配管１２ｃと流れ、循環する。このようにして循環する冷媒によって、金属から構成される基板載置台２は、抜熱されて冷却される。
伝熱ガス供給源３７は、伝熱ガス供給ライン１６を介して静電チャック３の表面とウエハＷの裏面との間に、Ｈｅガス等の伝熱ガスを供給する。かかる構成によって、静電チャック３は、冷媒流路１２ａに循環させる冷媒と、ウエハＷの裏面に供給する伝熱ガスとによって温度制御される。これによって、ウエハＷは、所定の温度に制御される。
基板載置台２には、第１周波数のプラズマ生成用の高周波電力ＨＦを供給する第１高周波電源３３が第１整合器３３ａを介して接続されている。また、基板載置台２には、第２周波数のバイアス電圧発生用の高周波電力ＬＦを供給する第２高周波電源３４が第２整合器３４ａを介して接続されている。第１周波数は、例えば、40MHzの高周波であり、第１高周波電源３３は第１周波数の高周波電力ＨＦを基板載置台２に供給し得る。第２周波数は、3MHz以下の高周波である。本実施形態では、高周波電力ＨＦは、基板載置台２に印加されるが、ガスシャワーヘッド２０に印加されてもよい。
第１整合器３３ａは、処理容器ＰＣ内にプラズマが生成されているときに第１高周波電源３３の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。第２整合器３４ａは、処理容器ＰＣ内にプラズマが生成されているときに第２高周波電源３４の内部インピーダンスと負荷インピーダンスとが見かけ上一致するように機能する。
ガスシャワーヘッド２０は、その外縁部を被覆するシールドリング２１を介して処理容器ＰＣの天井部の開口を閉塞するように取り付けられている。ガスシャワーヘッド２０には、可変直流電源２６が接続され、可変直流電源２６から負の直流電圧（DC）が出力される。ガスシャワーヘッド２０は、シリコンにより形成されていてもよい。ガスシャワーヘッド２０は、基板載置台２（下部電極）に対向する対向電極（上部電極）としても機能する。
ガスシャワーヘッド２０には、ガスを導入するガス導入口２２が形成されている。ガスシャワーヘッド２０の内部にはガス導入口２２から分岐したセンター側のガス拡散室２４ａ及びエッジ側のガス拡散室２４ｂが設けられている。ガス供給源２３から出力されたガスは、ガス導入口２２を介してガス拡散室２４ａ及びガス拡散室２４ｂに供給され、ガス拡散室２４ａ及びガス拡散室２４ｂにて拡散されて複数のガス供給孔２５から基板載置台２に向けて導入される。
処理容器ＰＣの底面には排気口１８が形成されており、排気口１８に接続された排気装置３８によって処理容器ＰＣ内が排気される。これにより、処理容器ＰＣ内は所定の真空度に維持される。処理容器ＰＣの側壁にはゲートバルブ１７が設けられている。ゲートバルブ１７は、ウエハＷを処理容器ＰＣへ搬入したり、処理容器ＰＣから搬出したりする際に開閉する。
基板処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御装置１００が設けられている。制御装置１００は、ＣＰＵ１０５（Central Processing Unit）、ＲＯＭ１１０（Read Only Memory）及びＲＡＭ１１５（Random Access Memory）を有している。ＣＰＵ１０５は、ＲＡＭ１１５等の記憶領域に格納されたレシピに従って、エッチング等の所望のプラズマ処理を実行する。レシピには、プロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力及び電圧、各種ガス流量、処理容器ＰＣ内の温度（上部電極の温度、処理容器ＰＣの側壁温度、ウエハＷの温度、静電チャック３の温度等）、チラー３６からの冷媒の温度、等が設定されている。
エッチングや成膜等のプラズマ処理が実行される際には、ゲートバルブ１７の開閉が制御され、ウエハＷが処理容器ＰＣに搬入され、基板載置台２に載置される。直流電源３０から電極層３ａ２に正又は負の極性の直流電圧が印加されると、ウエハＷが静電チャック３に静電吸着され、保持される。
プロセス時には、ガス供給源２３から処理容器ＰＣ内に所望のガスが供給され、第１高周波電源３３から基板載置台２に高周波電力ＨＦが印加される。第２高周波電源３４から基板載置台２に高周波電力ＬＦが印加されてもよい。可変直流電源２６から負の直流電圧がガスシャワーヘッド２０に印加されてもよい。これにより、ウエハＷの上方にてガスが乖離してプラズマが生成され、プラズマの作用によりウエハＷにプラズマ処理が施される。
プラズマ処理後、直流電源３０から電極層３ａ２に静電吸着時とは正負の極性が逆の直流電圧が印加され、ウエハＷの電荷が除電される。除電後、ウエハＷは、静電チャック３から剥がされ、ゲートバルブ１７から処理容器ＰＣの外に搬出される。
（変形例）図８～図２４のそれぞれには、基板載置台２の変形例が示されている。なお、図８～図２４に示す変形例に係る各構成の材料は、以下で特に明記されない場合には、上記した材料が採用され得る。
図８に示す変形例を説明する。図８は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は端部領域としての樹脂領域３ｅを有し、基台４は本体部４ａ及び絶縁領域４ｅを有する。絶縁領域４ｅは、図１に示す領域ＥＲ１における側壁部４ｂ１に相当する。樹脂領域３ｅは、絶縁領域４ｅ上に設けられ、積層部３ａから離隔する方向に先細るテーパ形状を有する。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と絶縁領域４ｅとに接し、側面ＳＦ２を覆う。絶縁領域４ｅは、本体部４ａの表面に設けられる。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、絶縁領域４ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、絶縁領域４ｅに接する。層３ａ１は樹脂層であり、層３ａ１の材料は例えばポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂の何れかである（図９～図１１、図１４～図１６のそれぞれに記載の層３ａ１の材料も同様）。層３ａ３は樹脂層であり、層３ａ３の材料は例えばポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂の何れかである（図９～図２４のそれぞれに記載の層３ａ３の材料も同様）。本体部４ａの材料は、例えばＳｉＣである（図９～図２４に示す本体部４ａの材料も同様）。
図８に示す構成において、電極層３ａ２の径は層３ａ１及び層３ａ３の各々の径よりも小さく、中間層３ｂは基台４に設けられている積層部３ａの全表面を被覆し、中間層３ｂは側壁部４ｂ２の一部を覆う（図９～図２４のそれぞれの構成においても同様）。また、図８に示す構成において、被覆層３ｃは下地層３ｃ１と複数の凸部３ｃ２とを備え、下地層３ｃ１は中間層３ｂに密着しており、複数の凸部３ｃ２は下地層３ｃ１の上面３１に設けられる（図９～図２４のそれぞれの構成においても同様）。また、図８に示す構成において、下地層３ｃ１の上面３１の表面粗さは0.05～0.5μmであり、中間層３ｂは基体３ｂ１と基体３ｂ１中に分散した複数の粒状体３ｂ２とを含む（図９～図２４のそれぞれの構成においても同様）。また、図８に示す構成において、複数の粒状体３ｂ２は基体３ｂ１から露出している露出部分を含み、この露出部分は層３ａ３及び被覆層３ｃに接する（図９～図２４のそれぞれの構成においても同様）。また、図８に示す構成において、基体３ｂ１の材料は樹脂又はシラン系剤を含有し、粒状体３ｂ２の材料は、セラミックである（図９～図２４のそれぞれの構成においても同様）。
図９に示す変形例について説明する。図９は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｅと、絶縁領域３ｆとを有する。基台４は、本体部４ａ及び絶縁領域４ｅを有する。絶縁領域４ｅは、図１に示す領域ＥＲ１における側壁部４ｂ１に相当する。樹脂領域３ｅは、絶縁領域４ｅ上において、絶縁領域３ｆと積層部３ａとの間に配置される。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と絶縁領域３ｆと絶縁領域４ｅとに接し、側面ＳＦ２を覆う。絶縁領域３ｆは、絶縁領域４ｅに接する。絶縁領域４ｅは、本体部４ａの表面に設けられる。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、絶縁領域３ｆ、絶縁領域４ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、絶縁領域３ｆ、絶縁領域４ｅに接する。絶縁領域３ｆの材料は、例えば酸化アルミニウム等の絶縁性の材料である（図１１、図１５、図１７のそれぞれに記載の絶縁領域３ｆの材料も同様）。
図１０に示す変形例について説明する。図１０は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は端部領域としての樹脂領域３ｅを有し、基台４は本体部４ａ及び絶縁領域４ｅを有する。絶縁領域４ｅは、図１に示す領域ＥＲ１における側壁部４ｂ１に相当する。樹脂領域３ｅは、絶縁領域４ｅ上に設けられ、積層部３ａの側面ＳＦ２と絶縁領域４ｅとに接し、側面ＳＦ２を覆う。絶縁領域４ｅは、本体部４ａの表面に設けられる。絶縁領域４ｅは、静電チャック３の側面ＳＦ２に沿って延びている箇所（凸部４ｅ１）を有する。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と絶縁領域４ｅの凸部４ｅ１との間に設けられている。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、絶縁領域４ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、絶縁領域４ｅに接する。
図１１に示す変形例を説明する。図１１は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は端部領域としての絶縁領域３ｆを有し、基台４は本体部４ａ及び絶縁領域４ｅを有する。絶縁領域４ｅは、図１に示す領域ＥＲ１における側壁部４ｂ１に相当する。絶縁領域３ｆは、絶縁領域４ｅ上に設けられ、積層部３ａの側面ＳＦ２と絶縁領域４ｅとに接し、側面ＳＦ２を覆う。絶縁領域４ｅは、本体部４ａの表面に設けられる。中間層３ｂは、層３ａ３、絶縁領域３ｆ、絶縁領域４ｅを覆い、層３ａ３、絶縁領域３ｆ、絶縁領域４ｅに接する。
図１２に示す変形例を説明する。図１２は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は端部領域としての樹脂領域３ｅを有し、基台４は本体部４ａを有する。図１２に示す積層部３ａは、層３ａ１と、層３ａ１上に設けられた接着層３ａ５及び電極層３ａ２と、接着層３ａ５及び電極層３ａ２上に設けられた層３ａ３とを有する。図１２に示す積層部３ａは、図８等に示す接着層３ａ４を有さない。層３ａ１は、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａの表面を覆う。樹脂領域３ｅは、層３ａ１上に設けられ、積層部３ａの側面ＳＦ２と層３ａ１とに接し、側面ＳＦ２を覆い、積層部３ａから離隔する方向に先細るテーパ形状を有する。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、層３ａ１を覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、層３ａ１に接する。層３ａ１は絶縁層又は樹脂層である（図１３、図１７～図２４のそれぞれに記載の層３ａ１も同様）。層３ａ１が絶縁膜の場合における層３ａ１の材料は、セラミックであり、層３ａ１が樹脂層の場合における層３ａ１の材料は、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂の何れかである。このような層３ａ１の材料は、図１３、図１７～図２４のそれぞれに記載の層３ａ１の材料についても同様である。
図１３に示す変形例を説明する。図１３は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。図１３に示す基板載置台２の基台４は導電領域４ｆを有しており、図１３に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆが設けられている点で図１２に示す基板載置台２の構成とは異なる。導電領域４ｆは、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａに接する。層３ａ１は、導電領域４ｆ上に設けられ、導電領域４ｆに接する。導電領域４ｆの材料は、アルミニウム、銅等の導電性の材料である（図１４、図２１～図２４のそれぞれに記載の導電領域４ｆの材料も同様）。
図１４に示す変形例を説明する。図１４は、図１に示す領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。図１４に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆを有しており、図１４に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆが設けられている点で図８に示す基板載置台２の構成とは異なる。導電領域４ｆは、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａに接する。絶縁領域４ｅは、導電領域４ｆ上に設けられ、導電領域４ｆに接する。絶縁領域４ｅは、図１に示す領域ＥＲ１における側壁部４ｂ１に相当する。
なお、導電領域４ｆが設けられる図１４に示す構成は、図９～図１１においても同様である。
図１５に示す変形例を説明する。図１５は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｅ及び絶縁領域３ｆと、樹脂領域３ｇとを有する。基台４は、本体部４ａと基台４の側面に設けられた側壁部４ｂ２とを備える。静電チャック３は、本体部４ａ及び側壁部４ｂ２の上に配置される。層３ａ１及び層３ａ３の各々の内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ２によって画成される領域の径）は、本体部４ａの内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ１によって画成される領域の径）よりも小さい。層３ａ１及び層３ａ３は、側壁部４ｂ２とオーバーラップするように基台４の上に延在している。樹脂領域３ｇは、本体部４ａと側壁部４ｂ２との間に設けられ、接着層３ａ４に接する。樹脂領域３ｇは、積層部３ａの近傍において、積層部３ａに向けて広がるように延びている。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と側壁部４ｂ２とに接し、側面ＳＦ２を覆う。絶縁領域３ｆは、側壁部４ｂ２に接する。樹脂領域３ｅは、側壁部４ｂ２上において、絶縁領域３ｆと積層部３ａとの間に配置され、絶縁領域３ｆ及び積層部３ａに接する。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅに接する。
図１６に示す変形例を説明する。図１６は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｅと、樹脂領域３ｇとを有する。基台４は、本体部４ａと基台４の側面に設けられた側壁部４ｂ２とを備える。静電チャック３は、本体部４ａ及び側壁部４ｂ２の上に配置される。層３ａ１及び層３ａ３の各々の内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ２によって画成される領域の径）は、本体部４ａの内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ１によって画成される領域の径）よりも小さい。層３ａ１及び層３ａ３は、側壁部４ｂ２とオーバーラップするように基台４の上に延在している。樹脂領域３ｇは、本体部４ａと側壁部４ｂ２との間に設けられ、接着層３ａ４に接する。樹脂領域３ｇは、積層部３ａの近傍において、積層部３ａに向けて広がるように延びている。側壁部４ｂ２の表面は、積層部３ａに接している箇所と、積層部３ａの側面ＳＦ２に沿って延びている箇所（側壁部４ｂ２に含まれる凸部４ｂ２１の表面の一部）とを有する。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と側壁部４ｂ２の表面の当該箇所（凸部４ｂ２１の表面の一部）との間に設けられている。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と側壁部４ｂ２（特に凸部４ｂ２１）とに接し、側面ＳＦ２を覆う。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅに接する。
図１７に示す変形例を説明する。図１７は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｅ及び絶縁領域３ｆと、樹脂領域３ｇとを有する。図１７に示す積層部３ａは、層３ａ１と、層３ａ１上に設けられた接着層３ａ５及び電極層３ａ２と、接着層３ａ５及び電極層３ａ２上に設けられた層３ａ３とを有する。図１７に示す積層部３ａは、図８等に示す接着層３ａ４を有さない。層３ａ１は、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａの表面を覆う。基台４は、本体部４ａと基台４の側面に設けられた側壁部４ｂ２とを備える。静電チャック３は、本体部４ａ及び側壁部４ｂ２の上に配置される。層３ａ３の内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ２によって画成される領域の径）は、本体部４ａの内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ１によって画成される領域の径）よりも小さい。層３ａ３は、側壁部４ｂ２とオーバーラップするように基台４の上に延在している。樹脂領域３ｇは、本体部４ａと側壁部４ｂ２との間に設けられ、接着層３ａ５に接する。樹脂領域３ｇは、積層部３ａの近傍において、積層部３ａに向けて広がるように延びている。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と側壁部４ｂ２とに接し、側面ＳＦ２を覆う。絶縁領域３ｆは、側壁部４ｂ２に接する。樹脂領域３ｅは、側壁部４ｂ２上において、絶縁領域３ｆと積層部３ａとの間に配置され、絶縁領域３ｆ及び積層部３ａに接する。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅに接する。
図１８に示す変形例を説明する。図１８は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｅと、樹脂領域３ｇとを有する。図１８に示す積層部３ａは、層３ａ１と、層３ａ１上に設けられた接着層３ａ５及び電極層３ａ２と、接着層３ａ５及び電極層３ａ２上に設けられた層３ａ３とを有する。図１８に示す積層部３ａは、図８等に示す接着層３ａ４を有さない。層３ａ１は、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａの表面を覆う。基台４は、本体部４ａと基台４の側面に設けられた側壁部４ｂ２とを備える。静電チャック３は、本体部４ａ及び側壁部４ｂ２の上に配置される。層３ａ３の内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ２によって画成される領域の径）は、本体部４ａの内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ１によって画成される領域の径）よりも小さい。層３ａ３は、側壁部４ｂ２とオーバーラップするように基台４の上に延在している。樹脂領域３ｇは、本体部４ａと側壁部４ｂ２との間に設けられ、接着層３ａ５に接する。樹脂領域３ｇは、積層部３ａの近傍において、積層部３ａに向けて広がるように延びている。側壁部４ｂ２の表面は、積層部３ａに接している箇所と、積層部３ａの側面ＳＦ２に沿って延びている箇所（側壁部４ｂ２に含まれる凸部４ｂ２１の表面の一部）とを有する。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と側壁部４ｂ２の表面の当該箇所（凸部４ｂ２１の表面の一部）との間に設けられている。樹脂領域３ｅは、積層部３ａの側面ＳＦ２と側壁部４ｂ２（特に凸部４ｂ２１）とに接し、側面ＳＦ２を覆う。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅに接する。
図１９に示す変形例を説明する。図１９は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｇを有する。図１９に示す積層部３ａは、層３ａ１と、層３ａ１上に設けられた接着層３ａ５及び電極層３ａ２と、接着層３ａ５及び電極層３ａ２上に設けられた層３ａ３とを有する。図１９に示す積層部３ａは、図８等に示す接着層３ａ４を有さない。層３ａ１は、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａの表面を覆う。基台４は、本体部４ａと基台４の側面に設けられた側壁部４ｂ２とを備える。静電チャック３は、本体部４ａ及び側壁部４ｂ２の上に配置される。層３ａ３の内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ２によって画成される領域の径）は、本体部４ａの内径（孔ＧＴを含み側面ＳＦ１によって画成される領域の径）よりも大きい。層３ａ３は、側壁部４ｂ２とはオーバーラップせず、本体部４ａの上にのみ延在している。樹脂領域３ｇは、本体部４ａと側壁部４ｂ２との間に設けられ、中間層３ｂと積層部３ａの側面ＳＦ２とに接し、側面ＳＦ２を覆う。樹脂領域３ｇは、中間層３ｂの近傍において、中間層３ｂに向けて広がるように延びている。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｇ、側壁部４ｂ２を覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｇ、側壁部４ｂ２に接する。
図２０に示す変形例を説明する。図２０は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。基板載置台２は、端部領域としての樹脂領域３ｇを有する。樹脂領域３ｇは、本体部４ａと側壁部４ｂ２との間に設けられ、中間層３ｂに接する。本体部４ａと側壁部４ｂ２との間の距離（樹脂領域３ｇの幅）は、中間層３ｂに向けて段階的に長くなっている。このような本体部４ａと側壁部４ｂ２との間の距離（樹脂領域３ｇの幅）の点で、図２０に示す基板載置台２の構成は、図１９に示す基板載置台２の構成とは異なっている。
図２１に示す変形例を説明する。図２１は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。図２１に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆを有しており、図２１に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆが設けられている点で図１９に示す基板載置台２の構成とは異なる。導電領域４ｆは、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａに接する。層３ａ１は、導電領域４ｆ上に設けられ、導電領域４ｆに接する。
図２２に示す変形例を説明する。図２２は、孔ＧＴに面した領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。図２２に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆを有しており、図２２に示す基板載置台２の構成は導電領域４ｆが設けられている点で図２０に示す基板載置台２の構成とは異なる。導電領域４ｆは、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａに接する。層３ａ１は、導電領域４ｆ上に設けられ、本体部４ａ及び導電領域４ｆに接する。
なお、導電領域４ｆが設けられる図２１及び図２２のそれぞれに示す構成は、図１５～図１８においても同様である。
図２３に示す変形例を説明する。図２３は、領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。図２３に示す基板載置台２の構成では、本体部４ａの表面に凹部４ａ１が設けられる。凹部４ａ１内において、導電領域４ｆ、積層部３ａ、樹脂領域３ｅが設けられる。図２３に示す積層部３ａは、層３ａ１と、層３ａ１上に設けられた接着層３ａ５及び電極層３ａ２と、接着層３ａ５及び電極層３ａ２上に設けられた層３ａ３とを有する。図２３に示す積層部３ａは、図８等に示す接着層３ａ４を有さない。層３ａ１は、導電領域４ｆ上に設けられる。電極層３ａ２、接着層３ａ５、及び層３ａ３と、樹脂領域３ｅとは、層３ａ１上に設けられる。樹脂領域３ｅは、層３ａ１と積層部３ａの側面ＳＦ２とに接し、側面ＳＦ２を覆う。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、本体部４ａを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、本体部４ａに接する。
図２４に示す変形例を説明する。図２４は、領域ＥＲ１における基板載置台２の構成の変形例である。図２４に示す基板載置台２の構成では、本体部４ａ上に導電領域４ｆが設けられ、導電領域４ｆ上に積層部３ａが設けられる。図２４に示す積層部３ａは、層３ａ１と、層３ａ１上に設けられた接着層３ａ５及び電極層３ａ２と、接着層３ａ５及び電極層３ａ２上に設けられた層３ａ３とを有する。図２４に示す積層部３ａは、図８等に示す接着層３ａ４を有さない。層３ａ１は、導電領域４ｆ上に設けられる。樹脂領域３ｅは、本体部４ａ上に設けられ、本体部４ａと、積層部３ａの側面ＳＦ２及び導電領域４ｆの側面とに接し、側面ＳＦ２と導電領域４ｆの側面とを覆い、積層部３ａから離隔する方向に先細るテーパ形状を有する。中間層３ｂは、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、本体部４ａを覆い、層３ａ３、樹脂領域３ｅ、本体部４ａに接する。
以上説明した図８～図２４のそれぞれに示す構成の基板載置台２では、静電チャック３の側面ＳＦ２は比較的に粘度の高い材料の樹脂領域３ｅで覆われると共に樹脂領域３ｅは硬化される、又は静電チャック３の側面ＳＦ２は絶縁領域３ｆによって覆われる。従って、形状が維持された樹脂領域３ｅ又は絶縁領域３ｆを覆う中間層３ｂ及び被覆層３ｃにひび割れ等の発生が抑制され、静電チャック３の側面ＳＦ２の構成（樹脂領域３ｅ又は絶縁領域３ｆ）と共に中間層３ｂ及び被覆層３ｃは何れも良好な形状に形成され得る。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる例示的実施形態における要素を組み合わせて他の例示的実施形態を形成することが可能である。
以上の説明から、本開示の種々の例示的実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の例示的実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…基板処理装置、１００…制御装置、１０５…ＣＰＵ、１１…フォーカスリング、１１０…ＲＯＭ、１１５…ＲＡＭ、１２ａ…冷媒流路、１２ｂ…冷媒入口配管、１２ｃ…冷媒出口配管、１６…伝熱ガス供給ライン、１７…ゲートバルブ、１８…排気口、２…基板載置台、２０…ガスシャワーヘッド、２１…シールドリング、２２…ガス導入口、２３…ガス供給源、２４ａ…ガス拡散室、２４ｂ…ガス拡散室、２５…ガス供給孔、２６…可変直流電源、３…静電チャック、３ｅ…樹脂領域、３ｆ…絶縁領域、３ｇ…樹脂領域、３０…直流電源、３０ａ…スイッチ、３１…上面、３２…端面、３３…第１高周波電源、３３ａ…第１整合器、３４…第２高周波電源、３４ａ…第２整合器、３６…チラー、３７…伝熱ガス供給源、３８…排気装置、３ａ…積層部、３ａ１…層、３ａ２…電極層、３ａ３…層、３ａ４…接着層、３ａ５…接着層、３ｂ…中間層、３ｂ１…基体、３ｂ２…粒状体、３ｂｂ…端部領域、３ｃ…被覆層、３ｃ１…下地層、３ｃ２…凸部、３ｄ…被覆層、４…基台、４ａ…本体部、４ａ１…凹部、４ｂ１…側壁部、４ｂ２…側壁部、４ｂ２１…凸部、４ｃ…スリーブ、４ｄ…コンタクトピン、４ｅ…絶縁領域、４ｅ１…凸部、４ｆ…導電領域、ＡＸ…中心軸、ＥＲ１…領域、ＥＲ２…領域、ＧＴ…孔、ＬＴ１…長さ、ＬＴ２…長さ、ＬＴ３…長さ、ＭＫ１…マスク、ＭＫ２…マスク、ＰＣ…処理容器、ＰＤ１…生産物、ＰＤ２…生産物、ＰＤ３…生産物、ＰＤ４…生産物、ＰＤ５…生産物、ＳＦ１…側面、ＳＦ２…側面、ＳＦ３…上面、ＴＨ１…厚み、ＴＨ２…厚み、ＴＨ３…厚み、ＴＨ４…厚み、Ｗ…ウエハ、θ…テーパ角。

Claims (9)

  1. 基台と、
    前記基台の上に配置された静電チャックとを備え、
    前記静電チャックは、
    前記基台上に配置された積層体と、
    前記積層体を覆う第１の被覆層と、
    前記第１の被覆層を覆うセラミック製の第２の被覆層とを含み、
    前記積層体は、
    第１の絶縁層と、
    第２の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置された電極層であって、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の一方又は双方により覆われる、前記電極層とを含み、
    前記基台は、上面及び側面を有する導電性部材と、前記導電性部材の側面を覆う絶縁壁とを含み、
    前記第１の絶縁層は、前記導電性部材の上面に渡って配置され、前記絶縁壁まで延在し、
    前記第１の被覆層は、前記積層体の側面から外方に延在する延長端部を含み、
    前記延長端部は、下面及び傾斜上面を有し、
    前記下面は、前記絶縁壁に接しており、
    前記傾斜上面は、前記第２の被覆層に接している、
    基板支持体。
  2. 前記傾斜上面は、前記下面に対して45°以下で傾斜している、
    請求項１に記載の基板支持体。
  3. 前記積層体を取り囲む絶縁環をさらに備える、
    請求項１に記載の基板支持体。
  4. 前記基台の上部に配置される追加絶縁層をさらに備え、
    前記絶縁環は、前記積層体の側面と前記追加絶縁層に接している、
    請求項３に記載の基板支持体。
  5. 前記第１の絶縁層は、セラミック、またはポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂からなる群から選ばれたいずれかの樹脂である、
    請求項１に記載の基板支持体。
  6. 前記第２の絶縁層は、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂からなる群から選ばれたいずれかの樹脂である、
    請求項１に記載の基板支持体。
  7. 基台と、
    前記基台の上に配置された静電チャックとを備え、
    前記静電チャックは、
    前記基台上に配置された積層体と、
    前記積層体を覆う第１の被覆層と、
    前記第１の被覆層を覆うセラミック製の第２の被覆層とを含み、
    前記積層体は、
    第１の絶縁層と、
    第２の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置された電極層であって、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の一方又は双方により覆われる、前記電極層とを含み、
    前記第１の被覆層は、基材と該基材中に分散した粒状材料とを含み、
    前記粒状材料の少なくとも一部は、前記第２の絶縁層及び前記第２の被覆層に接している、
    基板支持体。
  8. 前記基材は、シリコーン樹脂を含有し、
    前記粒状材料は、セラミックを含有する、
    請求項７に記載の基板支持体。
  9. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバ内に配置された基板支持部であって、
    基台と、
    前記基台の上に配置された静電チャックとを備え、
    前記静電チャックは、
    前記基台上に配置された積層体と、
    前記積層体を覆う第１の被覆層と、
    前記第１の被覆層を覆うセラミック製の第２の被覆層とを含み、
    前記積層体は、
    第１の絶縁層と、
    第２の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置された電極層であって、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の一方又は双方により覆われる、前記電極層とを含む、前記基板支持部と、
    前記基台に電気的に接続され、3MHz以下の周波数を有する高周波電力を生成するように構成された高周波電源とを備え、
    前記基台は、上面及び側面を有する導電性部材と、前記導電性部材の側面を覆う絶縁壁とを含み、
    前記第１の絶縁層は、前記導電性部材の上面に渡って配置され、前記絶縁壁まで延在し、
    前記第１の被覆層は、前記積層体の側面から外方に延在する延長端部を含み、
    前記延長端部は、下面及び傾斜上面を有し、
    前記下面は、前記絶縁壁に接しており、
    前記傾斜上面は、前記第２の被覆層に接している、
    プラズマ処理装置。
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