JP7126431B2 - シャワーヘッドおよびガス処理装置 - Google Patents
シャワーヘッドおよびガス処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7126431B2 JP7126431B2 JP2018224855A JP2018224855A JP7126431B2 JP 7126431 B2 JP7126431 B2 JP 7126431B2 JP 2018224855 A JP2018224855 A JP 2018224855A JP 2018224855 A JP2018224855 A JP 2018224855A JP 7126431 B2 JP7126431 B2 JP 7126431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- corrosion
- shower plate
- diffusion space
- resistant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
<プラズマ処理装置>
最初に、一実施形態に係るシャワーヘッドが適用されたプラズマ処理装置について説明する。図1は、一実施形態に係るシャワーヘッドが適用されたプラズマ処理装置の一例を示す断面図である。
次に、一実施形態に係るシャワーヘッド2についてさらに詳細に説明する。
誘導結合プラズマは、高周波アンテナに高周波電流が流れることにより、その周囲に磁界が発生し、その磁界により誘起される誘導電界を利用して高周波放電を起こし、それにより生成するプラズマである。チャンバー4の天壁として1枚の金属窓を用いる場合、面内で周方向に周回されるように設けられた高周波アンテナ13では、渦電流および磁界が金属窓の裏面側、すなわちチャンバー4側に到達しないため、プラズマが生成されない。このため、本実施形態では、高周波アンテナ13に流れる高周波電流によって生じる磁界および渦電流がチャンバー4側に到達するように、金属窓として機能するシャワーヘッド2を、絶縁部材7で複数に分割された構造とする。
以下にシャワーヘッド2(分割部50)のいくつかの具体例について説明する。
図2は、シャワーヘッド2(分割部50)の第1の例を示す断面図である。本例では、ベース部材52の基材61およびシャワープレート53の基材71はいずれもアルミニウム製である。アルミニウム材としては表面が陽極酸化処理したものを用いることが好ましい。
図3は、シャワーヘッド2(分割部50)の第2の例を示す断面図である。本例においては、基本構造は第1の例と同じである。本例では、シール部材81がカバー部材62ではなくリング状をなす耐食性固定部材83で保持・固定されている点が第1の例とは異なっている。耐食性固定部材83はPTFE(polytetrafluoroethylene)のような絶縁性の耐食性樹脂からなり、固定部材84で固定されている。固定部材84は、カバー部材62とともに取り付け部材82によって基材61に取り付けられている。取り付け部材82とカバー部材62との間にはシール部材89が設けられ、腐食性の処理ガスが基材61へ到達することが阻止される。また、本例でもシール部材81は、カバー部材62および耐食性皮膜73に接触している。このため、本例も第1の例と同様の効果を得ることができる。また、ベース部材52とシャワープレート53の間に設けたシール部材81を絶縁性の耐食性樹脂からなる耐食性固定部材83にて保持しているので、耐食性固定部材83とシャワープレート53との間で放電が発生することを防ぐことができる。
図4は、シャワーヘッド2(分割部50)の第3の例を示す断面図である。本例では、シャワープレート53は、第1の例と同様、基材71と、複数のスリーブ72と、耐食性皮膜73と、耐プラズマ性皮膜74とを有している。
図5は、シャワーヘッド2(分割部50)の第4の例を示す断面図である。本例においては、基本構造は第3の例と同じであるが、基材61のガス拡散空間51上面側の面に、第3の例の耐食性皮膜63の代わりに、カバー部材62と同様の、耐食性金属からなるカバー部材65を設けた点が異なる。カバー部材65は、取り付け部材82で基材61に取り付けられている。取り付け部材82とカバー部材65との間にはシール部材89が設けられ、腐食性の処理ガスが基材61へ到達することが阻止される。
図6は、シャワーヘッド2(分割部50)の第5の例を示す断面図である。本例においては、第4の例のカバー部材65とリング状部材64とを一体にした一体部材66を設けたものであり、他は第4の例と同様である。一体部材66は、図4の例と同様、取り付け部材82で基材61に取り付けられている。取り付け部材82と一体部材66との間にはシール部材89が設けられ、腐食性の処理ガスが基材61へ到達することが阻止される。
図7は、シャワーヘッド2(分割部50)の第6の例を示す断面図である。本例では、シャワープレート53は、第1の例と同様、基材71と、複数のスリーブ72と、耐食性皮膜73と、耐プラズマ性皮膜74とを有している。
図8は、シャワーヘッド2(分割部50)の第7の例を示す断面図である。本例では、ベース部材52は、第6の例と同様、基材61のガス拡散空間51に面した部分の全面に耐食性皮膜67を有している。耐食性皮膜67は、基材61の下面に沿ってガス拡散空間51の外方に延びている。ただし、ガス拡散空間51の周縁部に傾斜が設けられている点、およびリング状の溝が形成されていない点が第6の例とは異なっている。
図9は、シャワーヘッド2(分割部50)の第8の例を示す断面図である。本例においては、基本構造は第7の例と同じである。本例では、ベース部材52において、基材61のガス拡散空間51に面した部分の全面に、耐食性皮膜67の代わりに、耐食性金属からなるカバー部材68を設けた点のみが第7の例と異なっている。耐食性金属としては、ステンレス鋼やハステロイ等のニッケル基合金等、ニッケル含有金属が好適である。チタン等の他の耐食性金属を用いることもできる。なお、カバー部材68は、取り付け部材82により基材61に取り付けられている。取り付け部材82とカバー部材68との間にはシール部材89が設けられ、腐食性の処理ガスが基材61へ到達することが阻止される。
次に、以上のように構成される誘導結合プラズマ処理装置を用いて基板Gに対してプラズマ処理、例えばプラズマエッチング処理を施す際の処理動作について説明する。
<他の適用>
2;シャワーヘッド
3;アンテナ容器
4;チャンバー
5;支持棚
6;支持梁
7;絶縁部材
13;高周波アンテナ
18;第1の高周波電源
20;処理ガス供給機構
50;分割部
51;ガス拡散空間
52;ベース部材
53;シャワープレート
54;ガス吐出孔
61;基材
62,65,68;カバー部材
66;一体部材
63,67;耐食性皮膜
64;リング状部材
71,75;基材
72;スリーブ
73;耐食性皮膜
74;耐プラズマ性皮膜
81,85,86,87,88,89;シール部材
G;基板
Claims (15)
- 基板にガス処理を施すガス処理装置において、基板が配置されるチャンバー内に、腐食性の処理ガスを供給するシャワーヘッドであって、
ベース部材と、
処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有するシャワープレートと、
前記ベース部材と前記シャワープレートの間の一部に設けられ、前記処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、
を備え、
前記シャワープレートは、基材が金属で構成され、前記シャワープレートの前記ガス拡散空間および前記ガス吐出孔に面した部分は、耐食性金属材または耐食性皮膜で覆われており、
前記ベース部材は、アルミニウムまたはアルミニウム含有合金で構成された基材と、前記ガス拡散空間に面した部分に前記基材を覆うように設けられた、耐食性金属材で構成されたカバー部材とを有し、
前記ベース部材および前記シャワープレートの、前記ガス拡散空間よりも外側の部分が接触し、シール部材でシールされた状態で固定されており、前記カバー部材の端部には、前記シャワープレートの表面に接触しない状態で折り曲げられた折り曲げ部が形成され、前記シール部材は、前記シャワープレートの前記耐食性金属材または耐食性皮膜に接触し、かつ前記折り曲げ部により押し付けられた状態で保持される、シャワーヘッド。 - 基板にガス処理を施すガス処理装置において、基板が配置されるチャンバー内に、腐食性の処理ガスを供給するシャワーヘッドであって、
ベース部材と、
処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有するシャワープレートと、
前記ベース部材と前記シャワープレートの間の一部に設けられ、前記処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、
を備え、
前記シャワープレートは、基材が金属で構成され、前記シャワープレートの前記ガス拡散空間および前記ガス吐出孔に面した部分は、耐食性金属材または耐食性皮膜で覆われており、
前記ベース部材は、アルミニウムまたはアルミニウム含有合金で構成された基材と、前記ガス拡散空間に面した部分に前記基材を覆うように設けられた、耐食性金属材で構成された構成されたカバー部材とを有し、
前記ベース部材および前記シャワープレートの、前記ガス拡散空間よりも外側の部分が接触し、シール部材でシールされた状態で固定されており、前記シール部材は、前記カバー部材および前記シャワープレートの前記耐食性金属材または耐食性皮膜に接触し、かつ前記ガス拡散空間の端部に設けられたリング状の耐食性樹脂により保持されている、シャワーヘッド。 - 基板にガス処理を施すガス処理装置において、基板が配置されるチャンバー内に、腐食性の処理ガスを供給するシャワーヘッドであって、
ベース部材と、
処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有するシャワープレートと、
前記ベース部材と前記シャワープレートの間の一部に設けられ、前記処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、
を備え、
前記シャワープレートは、基材が金属で構成され、前記シャワープレートの前記ガス拡散空間および前記ガス吐出孔に面した部分は、耐食性金属材または耐食性皮膜で覆われており、
前記ベース部材は、アルミニウムまたはアルミニウム含有合金で構成され、前記ガス拡散空間に対応する凹部を有する基材と、前記基材の前記ガス拡散空間の上面側の面を覆うように形成された耐食性皮膜と、前記基材の前記ガス拡散空間の側面側の面を覆うように設けられた、耐食性金属材で構成されたリング状部材とを有する、シャワーヘッド。 - 基板にガス処理を施すガス処理装置において、基板が配置されるチャンバー内に、腐食性の処理ガスを供給するシャワーヘッドであって、
ベース部材と、
処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有するシャワープレートと、
前記ベース部材と前記シャワープレートの間の一部に設けられ、前記処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、
を備え、
前記シャワープレートは、基材が金属で構成され、前記シャワープレートの前記ガス拡散空間および前記ガス吐出孔に面した部分は、耐食性金属材または耐食性皮膜で覆われており、
前記ベース部材は、アルミニウムまたはアルミニウム含有合金で構成され、前記ガス拡散空間に対応する凹部を有する基材と、前記基材の前記ガス拡散空間の上面側の面を覆うように形成された耐食性金属材で構成されたカバー部材と、前記基材の前記ガス拡散空間の側面側の面を覆うように設けられた、耐食性金属で構成されたリング状部材とを有する、シャワーヘッド。 - 前記カバー部材と前記リング状部材は一体に形成されている、請求項4に記載のシャワーヘッド。
- 前記リング状部材と前記ベース部材との間、および前記リング状部材と前記シャワープレートとの間に設けられた、シール部材をさらに有する、請求項3から請求項5のいずれか1項に記載のシャワーヘッド。
- 基板にガス処理を施すガス処理装置において、基板が配置されるチャンバー内に、腐食性の処理ガスを供給するシャワーヘッドであって、
ベース部材と、
処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有するシャワープレートと、
前記ベース部材と前記シャワープレートの間の一部に設けられ、前記処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、
を備え、
前記ベース部材および前記シャワープレートは、基材が金属で構成され、
前記ベース部材の前記ガス拡散空間に面した部分は、耐食性皮膜で覆われており、
前記シャワープレートの、前記ガス拡散空間に面した部分は、耐食性皮膜で覆われており、前記ガス吐出孔に面した部分は、耐食性金属材または耐食性被膜で覆われており、
前記ベース部材側の前記耐食性皮膜と、前記シャワープレート側の耐食性皮膜は、前記ガス拡散空間よりも外側の部分に延びて、これらが互いに接触しない状態であり、前記ガス拡散空間よりも外側の部分に、前記ベース部材側の前記耐食性皮膜と前記シャワープレート側の耐食性皮膜との間に形成されたシール部材を有する、シャワーヘッド。 - 前記耐食性金属材は、ニッケル含有金属で構成されている、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のシャワーヘッド。
- 前記ニッケル含有金属は、ステンレス鋼またはニッケル基合金である、請求項8に記載のシャワーヘッド。
- 前記耐食性皮膜は、セラミックス溶射皮膜である、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のシャワーヘッド。
- 前記セラミックス溶射皮膜は、アルミナ溶射皮膜である、請求項10に記載のシャワーヘッド。
- 前記セラミックス溶射皮膜は、合成樹脂からなる封孔材で封孔されている、請求項10または請求項11に記載のシャワーヘッド。
- 前記シャワープレートは、アルミニウムまたはアルミニウム含有合金で構成された基材と、前記ガス拡散空間に面した部分に前記基材を覆うように設けられた耐食性皮膜と、前記基材に嵌め込まれ、前記複数のガス吐出孔を覆うように設けられた複数のスリーブとを有する、請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のシャワーヘッド。
- 前記ガス処理装置は、前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを生成してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であり、前記シャワープレートは、前記プラズマが接触する面に形成された、耐プラズマ性皮膜を有する、請求項1から請求項13のいずれか1項に記載のシャワーヘッド。
- 基板にガス処理を施すガス処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で基板を載置する載置台と、
前記チャンバー内に、前記載置台と対向するように設けられ、プラズマを生成するための腐食性の処理ガスを前記チャンバー内に供給する、請求項1から請求項14のいずれか1項に記載のシャワーヘッドと、
を具備する、ガス処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224855A JP7126431B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | シャワーヘッドおよびガス処理装置 |
TW108141737A TWI840450B (zh) | 2018-11-30 | 2019-11-18 | 噴淋頭及氣體處理裝置 |
KR1020190155563A KR102279535B1 (ko) | 2018-11-30 | 2019-11-28 | 샤워 헤드 및 가스 처리 장치 |
CN201911201792.8A CN111261485B (zh) | 2018-11-30 | 2019-11-29 | 喷头和气体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224855A JP7126431B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | シャワーヘッドおよびガス処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020088317A JP2020088317A (ja) | 2020-06-04 |
JP7126431B2 true JP7126431B2 (ja) | 2022-08-26 |
Family
ID=70909022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018224855A Active JP7126431B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | シャワーヘッドおよびガス処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7126431B2 (ja) |
KR (1) | KR102279535B1 (ja) |
CN (1) | CN111261485B (ja) |
TW (1) | TWI840450B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022060615A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | Lam Research Corporation | Hybrid showerhead with separate faceplate for high temperature process |
TW202232564A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-08-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 緊固構造、電漿處理裝置以及緊固方法 |
JP7507663B2 (ja) | 2020-11-17 | 2024-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 締結構造と締結方法、及びプラズマ処理装置 |
US20220254660A1 (en) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | Linco Technology Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
KR102676987B1 (ko) * | 2021-03-17 | 2024-06-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가스 처리 장치 |
JP7494244B2 (ja) | 2021-06-02 | 2024-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド、電極ユニット、ガス供給ユニット、基板処理装置及び基板処理システム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059567A (ja) | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008010579A (ja) | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置製造装置 |
JP2011228343A (ja) | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | ガス供給電極の製造方法 |
JP2012238656A (ja) | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ生成用電極およびプラズマ処理装置 |
JP2017022356A (ja) | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びシャワーヘッド |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3761040B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2006-03-29 | 株式会社アルバック | 真空装置用構造材料および真空装置用構造部材 |
JP3378126B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2003-02-17 | 三菱電機株式会社 | 真空処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP3559920B2 (ja) * | 1996-07-29 | 2004-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5983906A (en) | 1997-01-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment |
CN103524044A (zh) * | 2012-07-05 | 2014-01-22 | 周业投资股份有限公司 | 蚀刻设备的反应槽装置的上电极 |
JP2014157944A (ja) | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
JP6228400B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2017-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
US9583369B2 (en) * | 2013-07-20 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles |
JP6305314B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2018-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置およびシャワーヘッド |
JP2016225018A (ja) | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置およびそれに用いる多分割シャワーヘッド |
CN106340434B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-12-14 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和喷淋头 |
-
2018
- 2018-11-30 JP JP2018224855A patent/JP7126431B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-18 TW TW108141737A patent/TWI840450B/zh active
- 2019-11-28 KR KR1020190155563A patent/KR102279535B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-29 CN CN201911201792.8A patent/CN111261485B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007059567A (ja) | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2008010579A (ja) | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置製造装置 |
JP2011228343A (ja) | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | ガス供給電極の製造方法 |
JP2012238656A (ja) | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ生成用電極およびプラズマ処理装置 |
JP2017022356A (ja) | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びシャワーヘッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202034364A (zh) | 2020-09-16 |
TWI840450B (zh) | 2024-05-01 |
KR102279535B1 (ko) | 2021-07-19 |
CN111261485A (zh) | 2020-06-09 |
JP2020088317A (ja) | 2020-06-04 |
KR20200066217A (ko) | 2020-06-09 |
CN111261485B (zh) | 2022-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7126431B2 (ja) | シャワーヘッドおよびガス処理装置 | |
KR101406524B1 (ko) | 플라즈마 생성용 전극 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP5612300B2 (ja) | 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置 | |
JP7401266B2 (ja) | 基板載置台、及び、基板処理装置 | |
TWI813699B (zh) | 噴氣頭及電漿處理裝置 | |
KR20200103556A (ko) | 거치대 및 기판 처리 장치 | |
JP7182916B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102203551B1 (ko) | 기판 적재 구조체 및 플라스마 처리 장치 | |
JP7519893B2 (ja) | シャワーヘッドの製造方法およびシャワーヘッド、ならびにプラズマ処理装置 | |
TWI837393B (zh) | 第一導電性構件與第二導電性構件之接合構造與接合方法及基板處理裝置 | |
JP7537846B2 (ja) | 処理容器とプラズマ処理装置、及び処理容器の製造方法 | |
KR102638030B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치와 그 제조 방법, 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP7507663B2 (ja) | 締結構造と締結方法、及びプラズマ処理装置 | |
TW202217908A (zh) | 用於氫與氨電漿應用的具有保護性陶瓷塗層的處理套件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220719 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220816 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7126431 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |