JP3378126B2 - 真空処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハの
エッチング処理に好適な真空処理装置およびこの真空処
理装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、装
置の腐食にともなう発塵に起因する半導体ウェハなどの
処理対象物の汚染を防止するための改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９は従来の真空処理装置の正面断面図
である。この真空処理装置は、半導体ウェハへエッチン
グ処理を行うための装置である。また、図１０は図９の
真空処理装置に用いられる電極板の正面断面図である。

【０００３】これらの図において、１はガス拡散板とし
ても機能する電極板、１ａはアルミニウムで構成される
電極板母材、１ｂは電極板母材１ａの表面に導電面を除
いて溶射された耐食性を有する保護膜、１ｃはガスが通
過するガス通過孔、１ｄは導電面、２は電極板１を保護
するガラス板、３は電極板１を装着し電極本体として機
能する蓋、３ａは蓋３の電極板１と当接して電気的に接
触する導電面を除いた内側壁面に溶射された耐食性を有
する保護膜、４は蓋３とともに内部に真空室を形成する
下部チャンバー、５は蓋３と下部チャンバー４の間を密
閉するためのＯリングシール、６は電極ステージ、７は
電極ステージ６上に載置された処理対象としてのシリコ
ンウエハ、８は真空室にガスを導入するためのガス導入
口、９は真空室を排気するための真空排気口、１２は電
極ステージに高周波電圧を印加する高周波電源、そし
て、５１は下部チャンバー４と蓋３とで内部に形成され
る真空室である。

【０００４】蓋３と下部チャンバー４とは、内部に真空
室５１を形成する容器を構成している。そして、蓋３の
底面すなわち内側壁面の中央部には窪み部３ｂが形成さ
れており、この窪み部３ｂにガス導入口８が開口してい
る。また、電極板１は窪み部３ｂの周縁に沿って設けら
れた環状の台座部３ｃにおいて蓋３と当接している。電
極板１のガス通過孔１ｃは、この窪み部３ｂに開口して
いる。また、電極ステージ６は、ガス通過孔１ｃから噴
出するガスがシリコンウエハ７へと向かうように、ガス
通過孔１ｃに対向する位置に設置されている。

【０００５】この真空処理装置はつぎのように動作す
る。すなわち、処理対象となるシリコンウエハ７を電極
ステージ６の上に載置した後、真空排気口９に連結する
図示しない真空ポンプを駆動することによって、真空排
気口９を通じて真空室５１を真空引きする。

【０００６】真空室５１が所定の真空に達した後、ガス
導入口８に連結する図示しないガス導入装置を動作させ
ることによって、ガス導入口８を通じてエッチングガス
を真空室５１へと導入する。ガス導入口８を通過したエ
ッチングガスは、蓋３の底面中央部の窪み部３ｂへと一
旦導入され、さらに、ガス通過孔１ｃを通過することに
よって真空室５１へと導入される。そして、導入された
エッチングガスはシリコンウエハ７の表面へと向かう。

【０００７】ガス導入口８からエッチングガスを導入し
つつ、高周波電源１２を駆動することによって、電極ス
テージ６と蓋３との間に高周波を印加する。その結果、
シリコンウエハ７の表面にエッチング処理が進行する。

【０００８】上述したように、蓋３の内側表面、および
電極板１の表面などのエッチングガスに触れる部分は、
保護膜３ａおよび保護膜１ｂでそれぞれ覆われている。
そうすることによって、腐食性の強い気体であるエッチ
ングガスによる蓋３および電極板１の腐食を抑えてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、電極板１は
電極本体として機能する蓋３とは電気的に接続されてい
なければならない。このため、図１０に示すように、電
極板１の表面を覆う保護膜１ｂは、蓋３と当接する面で
ある導電面１ｄには形成されない。同じく、蓋３の表面
を覆う保護膜３ａは、導電面１ｄと接触する台座部３ｃ
の導電面には形成されない。しかしながら、エッチング
ガスはこれらの導電面へも侵入するので、この部分で腐
食が進行するという問題点があった。

【００１０】さらに、エッチングガスが通過するガス通
過孔１ｃの内壁へ保護膜１ｂのもとになる材料を溶射し
て、内壁に保護膜１ｂを均一に形成するのは容易ではな
いために、この部分の耐食性が劣るという問題点があっ
た。

【００１１】これらの部分での腐食の進行は、電極板１
および蓋３の寿命を短縮するだけでなく、真空室におけ
る発塵の原因ともなっていた。そして、発塵のためにシ
リコンウエハ７が汚染され、半導体装置の歩留まりが低
下するという問題点があった。同時に、真空室の除染を
行う必要から、真空処理装置の稼動率が低下するという
問題点があった。

【００１２】この発明は、従来の技術における上記した
問題点を解消するためになされたもので、電極板および
蓋の腐食を抑えて、寿命の短縮を抑えるとともに、発塵
による処理対象物の汚染を抑えることを可能にする真空
処理装置を得ることを目的とする。さらに、半導体ウエ
ハの汚染を抑えて半導体装置を高い歩留まりで製造する
ことを可能にする半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】第１の発明の装置は、真
空室を内部に形成する容器の一部をなす電極本体の内側
壁面に、ガス導入口が開口する窪み部とその周縁に沿っ
た台座部とが設けられており、前記窪み部を覆うととも
に前記台座部と電気的に接続されるように当該台座部に
電極板が固定され、当該電極板には前記窪み部に一端が
開口するガス通過孔が設けられており、前記ガス通過孔
の他端に対向する前記真空室内の位置に、処理対象物を
設置する電極ステージがさらに設けられており、前記電
極本体と前記電極ステージとの間に高周波を印加しつつ
前記ガス導入口から処理ガスを前記真空室へ導入するこ
とによって、前記処理対象物に処理を施す真空処理装置
において、相互に当接して電気的に接続される環状の導
電面を除いて、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の
表面とが、耐食性材料から成っており、前記環状の導電
面の内側と外側とに隣接して当該導電面を前記窪み部と
前記真空室とからそれぞれ遮蔽するリングシールすなわ
ち環状のシールが配設されていることを特徴とする。

【００１４】第２の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記ガス通過孔が複数個であって、当
該複数個のガス通過孔のそれぞれの内壁が、個別に圧入
された耐食性材料の筒状体で形成されており、前記電極
板の表面が、前記導電面と前記ガス通過孔の内壁面とを
除いて、耐食性材料を溶射することによって形成された
保護膜で覆われていることを特徴とする。

【００１５】第３の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記電極板が、前記導電面を有する環
状部材と、耐食性材料で構成され前記環状部材の開口部
に挿入固定されたガス通過孔ブロックと、を有してお
り、前記ガス通過孔が複数個であって、当該複数個のガ
ス通過孔は、前記ガス通過孔ブロックに形成されている
ことを特徴とする。

【００１６】第４の発明の装置は、第３の発明の真空処
理装置において、前記ガス通過孔ブロックは、前記環状
部材の前記開口部に着脱可能に挿入固定されていること
を特徴とする。

【００１７】第５の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記電極板の表面が、前記導電面を除
いて、成型後に焼成されたセラミックで覆われているこ
とを特徴とする。

【００１８】第６の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記電極板の表面が、前記導電面を除
いて、注形された樹脂で覆われていることを特徴とす
る。

【００１９】第７の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガス導
入口の開口部と前記ガス通過孔の開口部とを囲むよう
に、前記窪み部に装着されており、当該筒状の遮蔽体の
一端面は別のリングシールを挟んで前記窪み部の表面に
密着し、他端面はさらに別のリングシールを挟んで前記
電極板の表面に密着していることを特徴とする。

【００２０】第８の発明の装置は、真空室を内部に形成
する容器の一部をなす電極本体の内側壁面に、ガス導入
口が開口する窪み部とその周縁に沿った台座部とが設け
られており、前記窪み部を覆うとともに前記台座部と電
気的に接続されるように当該台座部に電極板が固定さ
れ、当該電極板には前記窪み部に一端が開口するガス通
過孔が設けられており、前記ガス通過孔の他端に対向す
る前記真空室内の位置に処理対象物を設置する電極ステ
ージがさらに設けられており、前記電極本体と前記電極
ステージとの間に高周波を印加しつつ前記ガス導入口か
ら処理ガスを前記真空室へ導入することによって、前記
処理対象物に処理を施す真空処理装置において、相互に
当接して電気的に接続される環状の導電面を除いて、前
記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、耐食性
材料から成っており、筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガ
ス導入口の開口部と前記ガス通過孔の開口部とを囲むよ
うに、前記窪み部に装着されており、当該筒状の遮蔽体
の一端面はリングシールを挟んで前記窪み部の表面に密
着し、他端面は別のリングシールを挟んで前記電極板の
表面に密着していることを特徴とする。

【００２１】第９の発明の製造方法は、第１ないし第８
のいずれかの発明の真空処理装置を準備する工程と、半
導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハを前記
電極ステージに設置する工程と、前記真空室内を真空引
きする工程と、前記ガス導入口を通じて前記真空室内へ
処理ガスを供給する工程と、前記処理ガスを供給する工
程と同時に前記電極本体と前記電極ステージの間に高周
波を印加することによって、前記半導体ウェハに処理を
施す工程と、を備えることを特徴とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】

＜実施の形態１＞図２は実施の形態１の真空処理装置の
正面断面図である。この真空処理装置は、半導体ウェハ
へエッチング処理を行うための装置である。また、図３
は、図２の装置の電極板の平面図である。そして、図１
は、図３の電極板のＡ−Ａ切断線に沿った断面図であ
る。なお、図９および図１０に示した従来装置と同一部
分には同一符号を付して、その詳細な説明を略する。

【００２３】図１〜図３において、１０は電極板、１１
は耐食性の樹脂などで構成されるＯリングシール（リン
グシール）、１４はガスが通過する複数のガス通過孔、
１５はアルミニウムなどの導電性金属で構成される電極
板母材、１６は電極板母材１５の表面に導電面１９を除
いて溶射された耐食性を有する保護膜、１７は電極板母
材１５とは別体品でガス通過孔１４の内壁を形成してい
る複数の筒状体、１８は環状の導電面１９の内側と外側
に環状に形成されＯリング１１を配設するための環状溝
である。

【００２４】電極板１０は、導電面１９が蓋（電極本
体）３の台座部３ｃに当接し、ガス通過孔１４が窪み部
３ｂに開口するような位置関係をもって、蓋３へと固定
されている。そして、導電面１９とこれに当接する台座
部３ｃの導電面とには、保護膜１６，３ａは形成されて
いないために、それらは直接に当接することによって、
互いに電気的に接続されている。

【００２５】また、環状の導電面１９の内側と外側にそ
れぞれ隣接して環状溝１８が形成されており、しかもこ
の環状溝１８にはＯリングシール１１が配設されている
ので、保護膜１６，３ａで覆われない導電面１９とこれ
に当接する台座部３ｃの導電面への腐食性のエッチング
ガスの侵入が阻止される。すなわち、電極板１０および
蓋３において、電気的接続を保障するために保護膜で覆
うことのできない環状の領域は、Ｏリングシール１１で
密閉されることによって、真空室５１内のエッチングガ
スから遮蔽されている。このため、この保護膜で覆われ
ない領域においても、腐食性ガスの作用による腐食の進
行が抑えられる。

【００２６】また、図１に示すように、筒状体１７は、
外方に張出すフランジ状部を一端に有し、ガス通過孔１
４を内部に有しており、例えば耐食性のセラミック材
（一例として、アルミナ「ＡＬ２０３」）などで構成さ
れている。そして、複数の筒状体１７は、電極板母材１
５の中央領域に形成された複数の貫通孔に個別に圧入さ
れさらに接着されることによって、電極板母材１５と一
体化される。この圧入接着の後に、電極板母材１５の表
面に保護膜１６が形成される。図１に示すように、保護
膜１６は、電極板母材１５と保護膜１６との接続部をも
覆うように形成される。

【００２７】このように、ガス通過孔１４の内壁が、耐
食性の筒状体１７で形成されているので、ガス通過孔１
４の内壁に保護膜１６を形成する必要がない。このた
め、ガス通過孔１４の内壁においても、良好な耐食性が
保障される。

【００２８】以上のように、この実施の形態の装置で
は、蓋３および電極板１０において、保護膜で保護し得
ない部分への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止され
るとともに、エッチングガスに触れる部分では良好な耐
食性が保障される。このため、蓋３および電極板１０の
寿命が高まるとともに、腐食の進行にともなう発塵に起
因するシリコンウエハ７等の処理対象物の汚染が抑えら
れる。

【００２９】したがって、従来装置を用いた方法と同様
の手順で、この実施の形態の装置を用いてシリコンウエ
ハ７などの半導体ウェハの処理を行うことによって、高
い歩留まりで半導体装置を製造することが可能である。
また、装置の除染に要する時間を短縮できるので、多数
の半導体ウェハの処理を能率よく行い得る。

【００３０】＜実施の形態２＞図４は、実施の形態２の
電極板の縦断面図である。また、図５は、この電極板の
構成部品であるガス通過孔ブロックの斜視分解図であ
る。図４および図５において、２０は電極板、２５はア
ルミニウムなどの導電性金属で構成され、中央に円形の
開口部を有する環状の電極板母材、２６は電極板母材２
５の表面に導電面２９を除いて溶射された耐食性を有す
る保護膜、２８は環状の導電面２９の内側と外側に環状
に形成されＯリング１１を配設するための環状溝であ
る。電極板母材２５と保護膜２６とで環状部材２７が構
成されている。

【００３１】また、２１は環状部材２７の開口部に取り
付けられたガス通過孔ブロックであり、開口部に挿入さ
れるガス通過孔ブロック本体２２と、この本体２２を環
状部材２７に固定するためのリング２３とを有してい
る。ガス通過孔ブロック本体２２は、外方に張出すフラ
ンジ状部を一端に有する円柱状であり、しかも、複数の
ガス通過孔２４がその一端と他端との間を貫通してい
る。

【００３２】環状部材２７の開口部に挿入されたガス通
過孔ブロック本体２２は、その一端がフランジ状部によ
って係止される。さらに、ガス通過孔ブロック本体２２
の外側面とリング２３の内側面とには、互いに螺合可能
なネジが形成されている。ガス通過孔ブロック本体２２
の他端にリング２３をねじ込むことによって、ガス通過
孔ブロック２１が環状部材２７へと着脱自在に固定され
ている。

【００３３】ガス通過孔ブロック本体２２およびリング
２３は、例えば、筒状体１７と同様の耐食性のセラミッ
ク材（一例として、アルミナ「ＡＬ２０３」）などで構
成される。すなわち、複数のガス通過孔１４ごとに筒状
体１７が個別に挿入されていた電極板１０に対して、こ
の実施の形態の電極板２０では、すべてのガス通過孔２
４が一体のガス通過孔ブロック本体２２で形成されてい
る点が特徴的に異なっている。

【００３４】電極板２０は、電極板１０と同様に、導電
面２９が蓋３の台座部３ｃに当接し、ガス通過孔２４が
窪み部３ｂに開口するような位置関係をもって、蓋３へ
と固定される。環状溝２８にはＯリングシール１１が配
設されているので、保護膜２６，３ａで覆われない導電
面２９とこれに当接する台座部３ｃの導電面への腐食性
のエッチングガスの侵入が阻止される点も、実施の形態
１と同様である。

【００３５】また、ガス通過孔２４の内壁が、耐食性の
ガス通過孔ブロック本体２２で形成されているので、ガ
ス通過孔２４の内壁に保護膜を形成する必要がない。こ
のため、ガス通過孔２４の内壁においても、良好な耐食
性が保障される。このように、この実施の形態の装置に
おいても、蓋３および電極板２０の保護膜で保護し得な
い部分への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止される
とともに、エッチングガスに触れる部分では良好な耐食
性が保障されるので、蓋３および電極板２０の寿命が高
まるとともに、腐食の進行にともなう発塵に起因するシ
リコンウエハ７等の処理対象物の汚染が抑えられる。

【００３６】さらに、複数のガス通過孔２４ごとに複数
の耐食性の部材を準備する必要がないのに加えて、圧入
接着を行う必要もないので、装置の組立てが安価かつ容
易に行われるという利点がある。

【００３７】＜実施の形態３＞図６は、実施の形態３の
電極板の縦断面図である。図６において、３０は電極
板、３５はアルミニウムなどの導電性金属で構成され、
中央部に複数の貫通孔を有する電極板母材、３６は電極
板母材３５の表面に導電面３９を除いて形成された耐食
性を有する保護膜、３８は環状の導電面２９の内側と外
側に環状に形成されＯリング１１を配設するための環状
溝である。

【００３８】保護膜３６は、例えば樹脂を型に流し込む
ことで、電極板母材３５の表面を所定の厚さで覆うよう
にし、その後、硬化させることによって形成される。す
なわち、注形処理によって電極板母材３５と一体的に形
成される。このとき、電極板母材３５の中央部の貫通孔
ごとに、ガス通過孔３４がそれぞれ形成される。そし
て、各ガス通過孔３４の内壁は保護膜３６によって覆わ
れる。また、保護膜３６は、樹脂の代わりに、例えばア
ルミナなどのセラミックの粉末を所定の形状に成型した
後、焼成することによって、電極板母材３５と一体的に
形成してもよい。

【００３９】電極板３０は、電極板１０，２０と同様
に、導電面３９が蓋３の台座部３ｃに当接し、ガス通過
孔３４が窪み部３ｂに開口するような位置関係をもっ
て、蓋３へと固定される。環状溝３８にはＯリングシー
ル１１が配設されているので、保護膜３６，３ａで覆わ
れない導電面３９とこれに当接する台座部３ｃの導電面
への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止される点も、
実施の形態１，２と同様である。

【００４０】また、電極板母材３５の中央部に形成され
る複数の貫通孔は、径を十分に大きくしておき、保護膜
３６の厚さを調節することでガス通過孔３４を所望の径
に形成することができる。すなわち、ガス通過孔３４の
内壁に保護膜３６を形成するのに困難をともなわない。
このため、ガス通過孔３４の内壁においても、良好な耐
食性が保障される。

【００４１】このように、この実施の形態の装置におい
ても、蓋３および電極板３０の保護膜で保護し得ない部
分への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止されるとと
もに、エッチングガスに触れる部分では良好な耐食性が
保障されるので、蓋３および電極板３０の寿命が高まる
とともに、腐食の進行にともなう発塵に起因するシリコ
ンウエハ７等の処理対象物の汚染が抑えられる。

【００４２】また、溶射によって形成された電極板１０
の保護膜１６に比べて、この実施の形態の保護膜３６で
は、膜厚を容易に大きくすることができるのに加えて、
ガス通過孔３４においても電極板母材３５と一体的に形
成されるので、電極板３０の寿命がさらに向上する。さ
らに、複数のガス通過孔３４ごとに複数の耐食性の部材
を準備する必要がないのに加えて、圧入接着を行う必要
もないので、装置の組立てが安価かつ容易に行われると
いう利点がある。

【００４３】＜実施の形態４＞図７は実施の形態４の真
空処理装置の正面断面図である。この真空処理装置は、
半導体ウェハへエッチング処理を行うための装置であ
る。また、図８は、図７の装置の遮蔽体の平面図であ
る。

【００４４】この実施の形態では、エッチングガスの導
電面１９への侵入を阻止する円筒状の遮蔽体４０が、蓋
３の窪み部３ｂに設置されている点が、実施の形態１の
真空処理装置とは特徴的に異なっている。円筒状の遮蔽
体４０は、電気絶縁性で耐食性の高い材料、例えばフッ
素樹脂で構成されている。そして、その両端面には環状
溝４８が形成されており、これらの環状溝４８にはＯリ
ングシール４３が配設されている。

【００４５】そして、遮蔽体４０の一端面は窪み部３ｂ
の天井部に当接し、他端面は電極板１０の上面に当接す
る。しかも、遮蔽体４０は、ガス導入口８の開口部およ
びガス通過孔１４を囲むように、言い替えると、遮蔽体
４０の内側空洞部にガス導入口８とガス通過孔１４とが
開口するような位置に設置される。

【００４６】ガス導入口８から窪み部３ｂへと導入され
たばかりのエッチングガス、すなわち環状の導電面１９
の内側に存在するエッチングガスは、導電面１９の外側
に存在するガスに比べて濃度が高く、しかも未反応であ
るために、腐食性が特に高くなっている。しかしなが
ら、窪み部３ｂへ導入された腐食性の高いエッチングガ
スは、遮蔽体４０およびＯリングシール４３に阻止され
て、導電面１９へ直接には侵入し得ない。

【００４７】Ｏリングシール１１によっても、導電面１
９へのガスの侵入は阻止されるが、遮蔽体４０を設ける
ことによって、二重に遮蔽がなされることとなり、導電
面１９およびこれに当接する台座部３ｃの部分の腐食が
一層効果的に抑制される。その結果、電極板１０および
蓋３の寿命がさらに向上する。また、電極板１０の代わ
りに、従来の電極板１を用いたときにも、遮蔽体４０を
設置することで、導電面１ｄおよびこれに当接する台座
部３ｃの部分の腐食を抑制する効果が得られる。

【００４８】

【発明の効果】第１の発明の装置では、環状の導電面が
内側と外側とに隣接するリングシールすなわち環状のシ
ールによって窪み部と真空室とからそれぞれ遮蔽されて
いるので、導電面への処理ガスの侵入が阻止される。し
かも、真空室に露出する部分すなわち処理ガスに曝され
る部分の表面は耐食性材料から成っている。このため、
電極本体および電極板の腐食が抑えられ、これらの寿命
が向上する。また、腐食にともなう発塵が抑えられるの
で、処理対象物の汚染も低減される。

【００４９】第２の発明の装置では、電極板に複数個の
ガス通過孔が設けられているので、処理対象物へ供給さ
れる未反応の処理ガスの濃度の均一性が向上する。そし
て、電極板の表面を形成する耐食性材料が、溶射によっ
て保護膜として形成されたものであるために、電極板の
製造が容易である。また、複数個のガス通過孔のそれぞ
れの内壁には溶射が行われず、その代わりに、これらの
内壁が、個別に圧入された耐食性材料の筒状体で形成さ
れているので、溶射による保護膜の形成が困難なこれら
の内壁においても良好な耐食性が保障される。

【００５０】第３の発明の装置では、電極板に複数個の
ガス通過孔が設けられているので、処理対象物へ供給さ
れる未反応の処理ガスの濃度の均一性が向上する。そし
て、これらのガス通過孔が、耐食性材料で構成されたガ
ス通過孔ブロックに形成されており、各ガス通過孔ごと
にその内壁を耐食性材料で個別に形成する必要がないの
で、電極板の製造が容易である。

【００５１】第４の発明の装置では、ガス通過孔ブロッ
クが環状部材の開口部に着脱可能に挿入固定されている
ので、電極板の製造がさらに容易である。

【００５２】第５の発明の装置では、導電面を除いた電
極板の表面が、成型後に焼成されたセラミックで覆われ
ている。すなわち、ガス通過孔をも含めて、通常条件下
の溶射によって形成される保護膜に比べて、厚い耐食性
材料で覆われる。このため、電極板の高い寿命が実現す
る。

【００５３】第６の発明の装置では、導電面を除いた電
極板の表面が、注形された樹脂で覆われている。すなわ
ち、ガス通過孔をも含めて、通常条件下の溶射によって
形成される保護膜に比べて、厚い耐食性材料で覆われ
る。このため、電極板の高い寿命が実現する。

【００５４】第７の発明の装置では、電極本体の内壁の
窪み部に装着された遮蔽体によって、ガス導入口から導
入される処理ガスが電極板および電極本体の導電面へと
内側から直接に侵入することが阻止される。すなわち、
導電面が処理ガスの侵入から二重に遮蔽されている。こ
のため、導電面における腐食がさらに効果的に抑制され
る。

【００５５】第８の発明の装置では、電極本体の内壁の
窪み部に装着された遮蔽体によって、ガス導入口から導
入される処理ガスが電極板および電極本体の導電面へと
内側から直接に侵入することが阻止される。しかも、真
空室に露出する部分すなわち処理ガスに曝される部分の
表面は耐食性材料から成っている。このため、電極本体
および電極板の腐食が抑えられ、これらの寿命が向上す
る。また、腐食にともなう発塵が抑えられるので、処理
対象物の汚染も低減される。

【００５６】第９の発明の製造方法では、第１ないし第
８の発明の装置を用いて半導体ウェハへの処理が行われ
るので、装置の腐食にともなう発塵に起因する半導体ウ
ェハの汚染が抑えられ、半導体装置の歩留まりが向上す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１の電極板の縦断面図である。

【図２】 実施の形態１の真空処理装置の正面断面図で
ある。

【図３】 実施の形態１の電極板の平面図である。

【図４】 実施の形態２の電極板の縦断面図である。

【図５】 実施の形態２の電極板の斜視分解図である。

【図６】 実施の形態３の電極板の縦断面図である。

【図７】 実施の形態４の真空処理装置の正面断面図で
ある。

【図８】 実施の形態４の遮蔽体の平面図である。

【図９】 従来の真空処理装置の正面断面図である。

【図１０】 従来の電極板の縦断面図である。

【符号の説明】

３ 蓋（電極本体）、３ｂ 窪み部、３ｃ 台座部、６
電極ステージ、７シリコンウエハ（処理対象物）、８
ガス導入口、１０，２０，３０ 電極板、１１，４３
Ｏリングシール（リングシール）、１４，２４，３４
ガス通過孔、１６，２６ 保護膜、１７ 筒状体、１
９，２９，３９ 導電面、２１ ガス通過孔ブロック、
２７ 環状部材、４０ 遮蔽体、５１ 真空室。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23F 4/00

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空室を内部に形成する容器の一部をな
   す電極本体の内側壁面に、ガス導入口が開口する窪み部
   とその周縁に沿った台座部とが設けられており、前記窪
   み部を覆うとともに前記台座部と電気的に接続されるよ
   うに当該台座部に電極板が固定され、当該電極板には前
   記窪み部に一端が開口するガス通過孔が設けられてお
   り、前記ガス通過孔の他端に対向する前記真空室内の位
   置に、処理対象物を設置する電極ステージがさらに設け
   られており、前記電極本体と前記電極ステージとの間に
   高周波を印加しつつ前記ガス導入口から処理ガスを前記
   真空室へ導入することによって、前記処理対象物に処理
   を施す真空処理装置において、 相互に当接して電気的に接続される環状の導電面を除い
   て、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、
   耐食性材料から成っており、前記環状の導電面の内側と
   外側とに隣接して当該導電面を前記窪み部と前記真空室
   とからそれぞれ遮蔽するリングシールが配設されている
   ことを特徴とする真空処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の真空処理装置におい
   て、 前記ガス通過孔が複数個であって、当該複数個のガス通
   過孔のそれぞれの内壁が、個別に圧入された耐食性材料
   の筒状体で形成されており、 前記電極板の表面が、前記導電面と前記ガス通過孔の内
   壁面とを除いて、耐食性材料を溶射することによって形
   成された保護膜で覆われていることを特徴とする真空処
   理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の真空処理装置におい
   て、 前記電極板が、前記導電面を有する環状部材と、耐食性
   材料で構成され前記環状部材の開口部に挿入固定された
   ガス通過孔ブロックと、を有しており、 前記ガス通過孔が複数個であって、当該複数個のガス通
   過孔は、前記ガス通過孔ブロックに形成されていること
   を特徴とする真空処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の真空処理装置におい
   て、 前記ガス通過孔ブロックは、前記環状部材の前記開口部
   に着脱可能に挿入固定されていることを特徴とする真空
   処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の真空処理装置におい
   て、 前記電極板の表面が、前記導電面を除いて、成型後に焼
   成されたセラミックで覆われていることを特徴とする真
   空処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載の真空処理装置におい
   て、 前記電極板の表面が、前記導電面を除いて、注形された
   樹脂で覆われていることを特徴とする真空処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の真空処理装置におい
   て、 筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガス導入口の開口部と前
   記ガス通過孔の開口部とを囲むように、前記窪み部に装
   着されており、当該筒状の遮蔽体の一端面は別のリング
   シールを挟んで前記窪み部の表面に密着し、他端面はさ
   らに別のリングシールを挟んで前記電極板の表面に密着
   していることを特徴とする真空処理装置。
8. 【請求項８】 真空室を内部に形成する容器の一部をな
   す電極本体の内側壁面に、ガス導入口が開口する窪み部
   とその周縁に沿った台座部とが設けられており、前記窪
   み部を覆うとともに前記台座部と電気的に接続されるよ
   うに当該台座部に電極板が固定され、当該電極板には前
   記窪み部に一端が開口するガス通過孔が設けられてお
   り、前記ガス通過孔の他端に対向する前記真空室内の位
   置に、処理対象物を設置する電極ステージがさらに設け
   られており、前記電極本体と前記電極ステージとの間に
   高周波を印加しつつ前記ガス導入口から処理ガスを前記
   真空室へ導入することによって、前記処理対象物に処理
   を施す真空処理装置において、 相互に当接して電気的に接続される環状の導電面を除い
   て、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、
   耐食性材料から成っており、 筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガス導入口の開口部と前
   記ガス通過孔の開口部とを囲むように、前記窪み部に装
   着されており、当該筒状の遮蔽体の一端面はリングシー
   ルを挟んで前記窪み部の表面に密着し、他端面は別のリ
   ングシールを挟んで前記電極板の表面に密着しているこ
   とを特徴とする真空処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項８のいずれかに記
   載の真空処理装置を準備する工程と、 半導体ウェハを準備する工程と、 前記半導体ウェハを前記電極ステージに設置する工程
   と、 前記真空室内を真空引きする工程と、 前記ガス導入口を通じて前記真空室内へ処理ガスを供給
   する工程と、 前記処理ガスを供給する工程と同時に前記電極本体と前
   記電極ステージの間に高周波を印加することによって、
   前記半導体ウェハに処理を施す工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。