JPH0855903A - 耐腐食性静電チャック - Google Patents
耐腐食性静電チャックInfo
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- JPH0855903A JPH0855903A JP3387795A JP3387795A JPH0855903A JP H0855903 A JPH0855903 A JP H0855903A JP 3387795 A JP3387795 A JP 3387795A JP 3387795 A JP3387795 A JP 3387795A JP H0855903 A JPH0855903 A JP H0855903A
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- chuck
- mask
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- electrode
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
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- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペデスタル端部を越えて延びた静電積層スト
ラップ領域を除去することにより、プラズマに晒される
静電積層領域を減少すること。 【構成】 静電チャックは、半導体基板（８）を処理チ
ャンバ内の所定位置に固定するために設けられる。無反
応性ガスはペデスタルを通じてチャックの誘電部分の端
部近傍領域に接続され(ported)、誘電部分の端部を処理
領域により生じる腐食から保護する。
ラップ領域を除去することにより、プラズマに晒される
静電積層領域を減少すること。 【構成】 静電チャックは、半導体基板（８）を処理チ
ャンバ内の所定位置に固定するために設けられる。無反
応性ガスはペデスタルを通じてチャックの誘電部分の端
部近傍領域に接続され(ported)、誘電部分の端部を処理
領域により生じる腐食から保護する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板処理操作中に処理
チャンバ内で半導体基板を保持、位置決めする技術分野
に関する(is directed) 。特に、本発明は、半導体基板
を処理チャンバ内に保持し、位置決めする為に用いられ
る静電チャックの構造における改良に関する。
チャンバ内で半導体基板を保持、位置決めする技術分野
に関する(is directed) 。特に、本発明は、半導体基板
を処理チャンバ内に保持し、位置決めする為に用いられ
る静電チャックの構造における改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電チャックは、半導体処理チャンバで
用いられ、ペデスタル等のチャンバ構造部材上に個々の
半導体基板を保持する。静電チャックは通常、少なくと
も、誘電体層および電極を含み、これらはチャンバペデ
スタル上に配置してもよいし、あるいはチャンバペデス
タルの一体部品として形成してもよい。半導体基板は誘
電体層と接触して配置され、直流電圧が電極に印加され
てチャック上に基板を把持する為の静電吸引力を形成す
る。静電チャックは特に真空処理環境内で有用であり、
そこでは低圧チャンバとチャックの面との間で確立され
得る最大差圧はしっかりと基板をチャック上に把持する
には不十分であるか、またはチャックに基板を機械的に
クランプする場合には望ましくない。
用いられ、ペデスタル等のチャンバ構造部材上に個々の
半導体基板を保持する。静電チャックは通常、少なくと
も、誘電体層および電極を含み、これらはチャンバペデ
スタル上に配置してもよいし、あるいはチャンバペデス
タルの一体部品として形成してもよい。半導体基板は誘
電体層と接触して配置され、直流電圧が電極に印加され
てチャック上に基板を把持する為の静電吸引力を形成す
る。静電チャックは特に真空処理環境内で有用であり、
そこでは低圧チャンバとチャックの面との間で確立され
得る最大差圧はしっかりと基板をチャック上に把持する
には不十分であるか、またはチャックに基板を機械的に
クランプする場合には望ましくない。
【０００３】静電チャックは単一の誘電体層及び電極と
同様に小さく形成してもよいが、ある典型的な実施形態
は、基板を受容し支持する為のチャンバペデスタル上に
支持される薄い積層部材である。積層部材は、電極コ
ア、好ましくは薄い銅部材であってポリイミドのような
有機材の上部誘電体層および下部誘電体層(lower diele
ctric layers) の間に挟まれたもの、を含むのが好まし
い。ポリイミドのような接着剤は、ポリイミド層を電極
コアに付着する為に用いてもよい。積層部材の下部誘電
体層は、通常はポリアミドのような接着剤を用いて、直
接チャンバペデスタルの上面に付着され、上部誘電体層
は基板が受容される平面を形成する。電極がチャンバ雰
囲気に晒されないようにする為、上部および下部誘電体
層と付着層は電極コアの端部を越えて延びており、電極
コア及びチャンバ雰囲気間に誘電体障壁を形成する為
に、その位置で相互に接続されている。高電位を電極に
供給する為、積層部材の一体拡張部として形成されたス
トラップはペデスタル端部の周囲に延び、ペデスタルの
下側の高電圧コネクタに接続している。
同様に小さく形成してもよいが、ある典型的な実施形態
は、基板を受容し支持する為のチャンバペデスタル上に
支持される薄い積層部材である。積層部材は、電極コ
ア、好ましくは薄い銅部材であってポリイミドのような
有機材の上部誘電体層および下部誘電体層(lower diele
ctric layers) の間に挟まれたもの、を含むのが好まし
い。ポリイミドのような接着剤は、ポリイミド層を電極
コアに付着する為に用いてもよい。積層部材の下部誘電
体層は、通常はポリアミドのような接着剤を用いて、直
接チャンバペデスタルの上面に付着され、上部誘電体層
は基板が受容される平面を形成する。電極がチャンバ雰
囲気に晒されないようにする為、上部および下部誘電体
層と付着層は電極コアの端部を越えて延びており、電極
コア及びチャンバ雰囲気間に誘電体障壁を形成する為
に、その位置で相互に接続されている。高電位を電極に
供給する為、積層部材の一体拡張部として形成されたス
トラップはペデスタル端部の周囲に延び、ペデスタルの
下側の高電圧コネクタに接続している。
【０００４】ポリイミドを含む有機材は、特に酸素や酸
素主成分プラズマに対し、多くの処理ガスやプラズマの
比較的に低いバラツキを有するので、静電チャックの誘
電体層として有機材を使用することにより、チャックの
有用寿命における固有の限界(inherent limitation) が
形成される。誘電体チャックの誘電体部分の表面の大部
分は基板によりプラズマから保護されているが、誘電体
材料は導電性ストラップの表面に沿ってチャンバプラズ
マに晒されており、そこでは（誘電体材料は）ペデスタ
ルの端部を越えて、基板下方の静電チャックの端部に沿
って、延びている。多くの処理およびクリーンサイクル
にわたり、プラズマは誘電体領域をついに電極とプラズ
マ間で放電が生じてチャックの効率を破壊する位置にま
で腐食する。ＣＨＦ3 またはＣＦ4 はプラズマガスとし
て使用され、誘電体材料がポリイミドのような有機材で
ある、酸素エッチングチャンバにおいて、有機誘電体層
の最小の腐食は、処理プラズマに帰することができる。
素主成分プラズマに対し、多くの処理ガスやプラズマの
比較的に低いバラツキを有するので、静電チャックの誘
電体層として有機材を使用することにより、チャックの
有用寿命における固有の限界(inherent limitation) が
形成される。誘電体チャックの誘電体部分の表面の大部
分は基板によりプラズマから保護されているが、誘電体
材料は導電性ストラップの表面に沿ってチャンバプラズ
マに晒されており、そこでは（誘電体材料は）ペデスタ
ルの端部を越えて、基板下方の静電チャックの端部に沿
って、延びている。多くの処理およびクリーンサイクル
にわたり、プラズマは誘電体領域をついに電極とプラズ
マ間で放電が生じてチャックの効率を破壊する位置にま
で腐食する。ＣＨＦ3 またはＣＦ4 はプラズマガスとし
て使用され、誘電体材料がポリイミドのような有機材で
ある、酸素エッチングチャンバにおいて、有機誘電体層
の最小の腐食は、処理プラズマに帰することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ポリマー汚染
を包含する炭素またはフッ素のチャンバを清浄する為に
用いられる酸素プラズマは、主に、有機誘電体層の腐食
およびプラズマに対する電極コアの最後の露出(ulitmat
e exposure) に貢献するものである。この露出は、薄い
ポリイミド材料がチャックの誘電体層として使用される
場合、およそ千回の処理及びクリーンサイクル毎の後に
生じる。特に上述したもの以外の誘電体材料は、処理、
洗浄ガス及びプラズマ(process and cleaning gasses a
nd plasmas) に露出することにより、逆に影響されるか
もしれない。例えば、石英および二酸化珪素は、ＣＨＦ
3 及びＣＦ4 プラズマ環境により腐食される。同様に、
積層部材構造を用いるもの以外のチャック形態(configu
rations)は、電極及びプラズマ間で放電を形成する位置
まで誘電体層が腐食されるように、処理、洗浄ガス及び
プラズマによる逆影響があってもよい(may be adversel
y affected) 。
を包含する炭素またはフッ素のチャンバを清浄する為に
用いられる酸素プラズマは、主に、有機誘電体層の腐食
およびプラズマに対する電極コアの最後の露出(ulitmat
e exposure) に貢献するものである。この露出は、薄い
ポリイミド材料がチャックの誘電体層として使用される
場合、およそ千回の処理及びクリーンサイクル毎の後に
生じる。特に上述したもの以外の誘電体材料は、処理、
洗浄ガス及びプラズマ(process and cleaning gasses a
nd plasmas) に露出することにより、逆に影響されるか
もしれない。例えば、石英および二酸化珪素は、ＣＨＦ
3 及びＣＦ4 プラズマ環境により腐食される。同様に、
積層部材構造を用いるもの以外のチャック形態(configu
rations)は、電極及びプラズマ間で放電を形成する位置
まで誘電体層が腐食されるように、処理、洗浄ガス及び
プラズマによる逆影響があってもよい(may be adversel
y affected) 。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、好
ましくは半導体処理チャンバ内で使用される静電チャッ
クである。静電チャックは、上部に誘電体のような絶縁
層を有する電極と、チャンバ又はプラズマに露出する絶
縁層の表面とチャンバガス又はプラズマとの接触を限定
する手段とを含む。一実施例において、マスクガス導入
部材は、マスクガス、好ましくはヘリウム又はアルゴン
のような無反応性ガス、を絶縁層の周辺部近傍の領域に
放出する。ガスは絶縁層の周辺付近に配置された複数の
穴によってチャックの絶縁層の周辺に導入されるのが好
ましい。好適実施例では、絶縁層及び穴の周辺部付近で
第２のチャンネルが受容され、絶縁層の端部付近の円形
マニホールドを形成する。マニホールドは、エッチング
チャンバのエッチングおよび／または浄化サイクル中の
ガスと共に供給され、絶縁層近傍のプラズマ又はガスの
濃度を減少させ、もって、各浄化サイクル中に生じる絶
縁層腐食量を減少してもよい。また、複数の穴を介する
ガスの導入は、チャンバ内の条件に露出される絶縁層の
領域近傍のプラズマ形成を防止あるいは抑制する為に、
あるいはチャンバ内の条件に露出される絶縁層の領域近
傍の汚染の発生あるいはマイグレーションを防止あるい
は抑制してもよい。
ましくは半導体処理チャンバ内で使用される静電チャッ
クである。静電チャックは、上部に誘電体のような絶縁
層を有する電極と、チャンバ又はプラズマに露出する絶
縁層の表面とチャンバガス又はプラズマとの接触を限定
する手段とを含む。一実施例において、マスクガス導入
部材は、マスクガス、好ましくはヘリウム又はアルゴン
のような無反応性ガス、を絶縁層の周辺部近傍の領域に
放出する。ガスは絶縁層の周辺付近に配置された複数の
穴によってチャックの絶縁層の周辺に導入されるのが好
ましい。好適実施例では、絶縁層及び穴の周辺部付近で
第２のチャンネルが受容され、絶縁層の端部付近の円形
マニホールドを形成する。マニホールドは、エッチング
チャンバのエッチングおよび／または浄化サイクル中の
ガスと共に供給され、絶縁層近傍のプラズマ又はガスの
濃度を減少させ、もって、各浄化サイクル中に生じる絶
縁層腐食量を減少してもよい。また、複数の穴を介する
ガスの導入は、チャンバ内の条件に露出される絶縁層の
領域近傍のプラズマ形成を防止あるいは抑制する為に、
あるいはチャンバ内の条件に露出される絶縁層の領域近
傍の汚染の発生あるいはマイグレーションを防止あるい
は抑制してもよい。
【０００７】
【実施例】本発明によると、静電チャックは、プラズマ
やガスに晒される誘電体若しくは絶縁体部分における腐
食率を減らす手段と共に用いられる。その為、チャック
電極がプラズマに晒される前に、静電チャックを用いて
なされる清浄サイクルと処理数とを増やすことになる。
好適実施例では、静電チャックは酸素主成分清浄プラズ
マがチャックの誘電体部分の腐食に主として寄与する、
酸化物プラズマエッチングチャンバにおける使用が説明
されている。そして、チャックの構造は、誘電材料の層
間に置かれた電気的に導電性の心材(core)を有している
薄い積層部材３２を含んでいる。しかしながら、ＣＶ
Ｄ、ＰＶＤ、金属エッチング、珪素酸化物(silicon oxi
cide) 、ポリシリコン、ｗーエッチング、珪素エッチン
グ等の他の基板処理と共に、さらに、他の静電チャック
の形態と共に、発明の範囲を外れることなく、本発明が
使用されてもよい。
やガスに晒される誘電体若しくは絶縁体部分における腐
食率を減らす手段と共に用いられる。その為、チャック
電極がプラズマに晒される前に、静電チャックを用いて
なされる清浄サイクルと処理数とを増やすことになる。
好適実施例では、静電チャックは酸素主成分清浄プラズ
マがチャックの誘電体部分の腐食に主として寄与する、
酸化物プラズマエッチングチャンバにおける使用が説明
されている。そして、チャックの構造は、誘電材料の層
間に置かれた電気的に導電性の心材(core)を有している
薄い積層部材３２を含んでいる。しかしながら、ＣＶ
Ｄ、ＰＶＤ、金属エッチング、珪素酸化物(silicon oxi
cide) 、ポリシリコン、ｗーエッチング、珪素エッチン
グ等の他の基板処理と共に、さらに、他の静電チャック
の形態と共に、発明の範囲を外れることなく、本発明が
使用されてもよい。
【０００８】図１には、エッチング処理用の包囲体(enc
losure) １６を形成している基部１４の上方で受容され
たハウジングを含んでいる。処理中に、この包囲体１６
は真空引きされ、大気圧未満の所定気圧に保持されてい
る。ハウジング１２は、ガス種を形成するプラズマを包
囲体１６に導入する、ガス入口２２を含んでいる。そし
て、基部１４は、反応プラズマや包囲体１６からのガス
の生成物を排出する為のスロットル排気(thorottled ex
haust)２４を内部に含んでいる。陰極１５は導電性ペデ
スタル３０を最上部の層として備えており、基部１４の
孔の上方で受容されている。そして、絶縁体フランジ１
８は、陰極１５をハウジング１２と基部１４から電気的
に隔離する為に、基部１４と陰極１５の間に置かれてい
る。好適実施例において、静電チャックはペデスタル３
０上に取付けられた積層部材３２として構成されてい
る。そして、積層部材３２を備えたペデスタル３０は陰
極１５上にボルトで留められている。積層部材３２は、
基板８をチャックに静電的に把持する為に高電圧電源に
接続された、電気的に隔離された導電部分を含んでい
る。ＲＦ電源２６は、陰極１５に接続されている。ま
た、エネルギーが与えられると、真空引きされた包囲体
１６に導入されたガスをプラズマに変える為に、陰極１
５と接地された包囲体の壁の間にＲＦ電界を確立する。
高電圧電源２８は、積層部材３２にエネルギーを与え、
基板８を積層部材３２に把持させる為の静電吸引力を生
成する為に供給されている。
losure) １６を形成している基部１４の上方で受容され
たハウジングを含んでいる。処理中に、この包囲体１６
は真空引きされ、大気圧未満の所定気圧に保持されてい
る。ハウジング１２は、ガス種を形成するプラズマを包
囲体１６に導入する、ガス入口２２を含んでいる。そし
て、基部１４は、反応プラズマや包囲体１６からのガス
の生成物を排出する為のスロットル排気(thorottled ex
haust)２４を内部に含んでいる。陰極１５は導電性ペデ
スタル３０を最上部の層として備えており、基部１４の
孔の上方で受容されている。そして、絶縁体フランジ１
８は、陰極１５をハウジング１２と基部１４から電気的
に隔離する為に、基部１４と陰極１５の間に置かれてい
る。好適実施例において、静電チャックはペデスタル３
０上に取付けられた積層部材３２として構成されてい
る。そして、積層部材３２を備えたペデスタル３０は陰
極１５上にボルトで留められている。積層部材３２は、
基板８をチャックに静電的に把持する為に高電圧電源に
接続された、電気的に隔離された導電部分を含んでい
る。ＲＦ電源２６は、陰極１５に接続されている。ま
た、エネルギーが与えられると、真空引きされた包囲体
１６に導入されたガスをプラズマに変える為に、陰極１
５と接地された包囲体の壁の間にＲＦ電界を確立する。
高電圧電源２８は、積層部材３２にエネルギーを与え、
基板８を積層部材３２に把持させる為の静電吸引力を生
成する為に供給されている。
【０００９】チャンバ１０において、基板を処理する為
に、基板８はスリットバルブ（図示せず）を通じて真空
引きされたチャンバ１０の中に、また、静電積層部材３
２の上面上に置かれている。その後、処理ガスは包囲体
の入口２２を通じて導入され、ＲＦ源２６はエネルギー
を受けて基板８をエッチングする為にガスをプラズマに
変える。また、酸素のような清浄化ガスは包囲体１６へ
導入され、チャンバ１０を浄化する為にエネルギーを受
けて浄化プラズマに変わる。エッチング及び浄化(clean
ing)サイクルの間、高電圧電源２８は積層部材３２の導
電部分を印加し静電的に基板８を積層部材３２に対して
保持する。エッチング又は浄化サイクルが完了すると、
ＲＦ電源２６の印加が停止し、ガスはチャンバから排出
される。
に、基板８はスリットバルブ（図示せず）を通じて真空
引きされたチャンバ１０の中に、また、静電積層部材３
２の上面上に置かれている。その後、処理ガスは包囲体
の入口２２を通じて導入され、ＲＦ源２６はエネルギー
を受けて基板８をエッチングする為にガスをプラズマに
変える。また、酸素のような清浄化ガスは包囲体１６へ
導入され、チャンバ１０を浄化する為にエネルギーを受
けて浄化プラズマに変わる。エッチング及び浄化(clean
ing)サイクルの間、高電圧電源２８は積層部材３２の導
電部分を印加し静電的に基板８を積層部材３２に対して
保持する。エッチング又は浄化サイクルが完了すると、
ＲＦ電源２６の印加が停止し、ガスはチャンバから排出
される。
【００１０】好適実施例において、マスクガス(masking
gas) は、チャックの露出した誘電体部分を処理ガスと
プラズマから保護する為に供給される。処理又は浄化サ
イクル中、積層部材３２上に配置された基板８は、処理
ガスとプラズマが積層部材３２の絶縁部分の大部分の表
面に接近するのを阻止する。しかしながら、積層部材３
２の周辺部４５、端部４５に沿った絶縁材料は浄化およ
びエッチングサイクル中、チャンバの雰囲気に晒され
る。マスクガスは、処理ガスとプラズマが端部に接近す
るのを阻止する為に、周辺部４５近傍部に導入される。
マスクガスの保護効果を増大させる為に、円周状のチャ
ンネル６０が積層部材３２の周辺部４５の近傍に、放出
されて間隙を保持する為に積層部材３２の外側円周状周
辺部４５から隙間を開けて設けられてもよい。チャンバ
１０の処理又は、浄化サイクル中、アルゴンやヘリウム
のような不活性種が好ましいマスクガスは、積層周辺部
４５の近傍の反応性プラズマ種の濃度を下げる為に、隙
間に導入される。その結果、積層部材４５に沿った絶縁
材料の腐食率は激減し、積層部材３２の有効寿命は増加
する。
gas) は、チャックの露出した誘電体部分を処理ガスと
プラズマから保護する為に供給される。処理又は浄化サ
イクル中、積層部材３２上に配置された基板８は、処理
ガスとプラズマが積層部材３２の絶縁部分の大部分の表
面に接近するのを阻止する。しかしながら、積層部材３
２の周辺部４５、端部４５に沿った絶縁材料は浄化およ
びエッチングサイクル中、チャンバの雰囲気に晒され
る。マスクガスは、処理ガスとプラズマが端部に接近す
るのを阻止する為に、周辺部４５近傍部に導入される。
マスクガスの保護効果を増大させる為に、円周状のチャ
ンネル６０が積層部材３２の周辺部４５の近傍に、放出
されて間隙を保持する為に積層部材３２の外側円周状周
辺部４５から隙間を開けて設けられてもよい。チャンバ
１０の処理又は、浄化サイクル中、アルゴンやヘリウム
のような不活性種が好ましいマスクガスは、積層周辺部
４５の近傍の反応性プラズマ種の濃度を下げる為に、隙
間に導入される。その結果、積層部材４５に沿った絶縁
材料の腐食率は激減し、積層部材３２の有効寿命は増加
する。
【００１１】図２、３、４には、マスクガスが保持され
ている隙間を形成する為に用いられる、ペデスタル３
０、積層部材３２およびマスクガスのチャンネル６０の
好ましい形態が示されている。ペデスタル３０は、円周
積層部材受容部４８を形成する中央隆起部と、ペデスタ
ル３０の低位部（reduced hight portion ）であって、
隆起した積層部材受容部４８の近くで円周状に延びチャ
ンネル６０を受容する為に構成された、外周に延びた環
状カラーレッジ(collar ledge)５２と、を有する略真円
部材(generally right circular member) である。カラ
ーレッジ５２の内側の放射状境界は、カラーレッジ５２
から上方に伸び、隆起した積層受容部４８の外端で終結
する円周状の壁または面５０で終了している。積層部材
３２は、図４で最も良く示されているように、積層部材
３２の円周状外周部４５が、円周面５０と隆起積層受容
部４８との交点に一致するように、積層受容部４８に付
着されている。レッジ５２は複数の端ぐり穴(counter-b
ored holes) ５６をも有し、それらはペデスタル３０を
陰極１５に取り付けるボルトを受容し、複数の直流ピッ
クアップピン５８はそこから上方に包囲体１６へ向かっ
て延びている。ピックアップピン５８は包囲体１６内で
プラズマ発生の為の伝導路を形成する（図２、図３参
照）。
ている隙間を形成する為に用いられる、ペデスタル３
０、積層部材３２およびマスクガスのチャンネル６０の
好ましい形態が示されている。ペデスタル３０は、円周
積層部材受容部４８を形成する中央隆起部と、ペデスタ
ル３０の低位部（reduced hight portion ）であって、
隆起した積層部材受容部４８の近くで円周状に延びチャ
ンネル６０を受容する為に構成された、外周に延びた環
状カラーレッジ(collar ledge)５２と、を有する略真円
部材(generally right circular member) である。カラ
ーレッジ５２の内側の放射状境界は、カラーレッジ５２
から上方に伸び、隆起した積層受容部４８の外端で終結
する円周状の壁または面５０で終了している。積層部材
３２は、図４で最も良く示されているように、積層部材
３２の円周状外周部４５が、円周面５０と隆起積層受容
部４８との交点に一致するように、積層受容部４８に付
着されている。レッジ５２は複数の端ぐり穴(counter-b
ored holes) ５６をも有し、それらはペデスタル３０を
陰極１５に取り付けるボルトを受容し、複数の直流ピッ
クアップピン５８はそこから上方に包囲体１６へ向かっ
て延びている。ピックアップピン５８は包囲体１６内で
プラズマ発生の為の伝導路を形成する（図２、図３参
照）。
【００１２】図２によると、積層部材３２は中心に略平
面状の電極３４を含んでおり、これは好ましくは銅でで
きており、好ましくはポリイミドや他の有機材である誘
電体材料の上層および下層間に挟まれている。上部、下
部の誘電体層３６、３８は、ポリイミドのようなエポキ
シ粘着層を用いて電極３４に付着されるのが好ましい。
好適実施例では、図２に最も良く示されているように、
積層部材３２は複数の放射状スロット８７を有する円形
部材である。これらのスロットは、エッチング中、基板
８を冷却する為に、ヘリウムのようなガスと共に供給さ
れてもよい。電極３４をそれに沿って、外側端部に沿っ
て絶縁する為に、誘電体層３６、３８は電極３４の端部
を越えて延び、周辺部４５を形成している。誘電体層３
６、３８のこれらの延長部は、好ましくは、電極３２を
層３６、３８に接続する粘着層の接続層の拡張部によっ
て、互いに接続されている。この誘電体層３６、３８の
相互接続は、スロット８７、積層周辺部４５、および積
層部材３２を貫通する他の全ての孔において、保護障壁
(protective barrier)を形成する。
面状の電極３４を含んでおり、これは好ましくは銅でで
きており、好ましくはポリイミドや他の有機材である誘
電体材料の上層および下層間に挟まれている。上部、下
部の誘電体層３６、３８は、ポリイミドのようなエポキ
シ粘着層を用いて電極３４に付着されるのが好ましい。
好適実施例では、図２に最も良く示されているように、
積層部材３２は複数の放射状スロット８７を有する円形
部材である。これらのスロットは、エッチング中、基板
８を冷却する為に、ヘリウムのようなガスと共に供給さ
れてもよい。電極３４をそれに沿って、外側端部に沿っ
て絶縁する為に、誘電体層３６、３８は電極３４の端部
を越えて延び、周辺部４５を形成している。誘電体層３
６、３８のこれらの延長部は、好ましくは、電極３２を
層３６、３８に接続する粘着層の接続層の拡張部によっ
て、互いに接続されている。この誘電体層３６、３８の
相互接続は、スロット８７、積層周辺部４５、および積
層部材３２を貫通する他の全ての孔において、保護障壁
(protective barrier)を形成する。
【００１３】図４によると、誘電体チャックの露出した
外端面、特に誘電体層の露出周辺部４５にわたり、マス
クガスを向けるマスクガス保護システムが示されてい
る。マスクガス保護システムとの関係で使用されるマス
クガスは、アルゴンやヘリウムのような無反応性ガス(n
on-reactive gas)であるのが好ましいが、マスクガスは
反応性ガスを含む幾らかの他のガス(some fraction of
other gases)を含んでもよく、それでも実質的な利点が
ある。マスクガス保護システムは、ペデスタル３０のカ
ラーレッジ５２上に配置されたカラー６０を含むことが
好ましく、これはカラーレッジ５２内の複数のガス噴射
孔６２と共に、プラズマエッチングおよび／またはチャ
ンバ浄化操作中に積層部材３２の周辺部４５の付近で無
反応性ガスの連続した流れを提供する。
外端面、特に誘電体層の露出周辺部４５にわたり、マス
クガスを向けるマスクガス保護システムが示されてい
る。マスクガス保護システムとの関係で使用されるマス
クガスは、アルゴンやヘリウムのような無反応性ガス(n
on-reactive gas)であるのが好ましいが、マスクガスは
反応性ガスを含む幾らかの他のガス(some fraction of
other gases)を含んでもよく、それでも実質的な利点が
ある。マスクガス保護システムは、ペデスタル３０のカ
ラーレッジ５２上に配置されたカラー６０を含むことが
好ましく、これはカラーレッジ５２内の複数のガス噴射
孔６２と共に、プラズマエッチングおよび／またはチャ
ンバ浄化操作中に積層部材３２の周辺部４５の付近で無
反応性ガスの連続した流れを提供する。
【００１４】カラー６０は、チャックの誘電体部分と接
触したマスクガスを放射して維持するように構成された
真環状部材(right annular member)であることが好まし
い。カラー６０は、ペデスタル３０のカラーレッジ５２
上で受容されるように構成された環状ベース６６と、外
形頂部(contour top) ６８とを含む。頂部６８は、上部
外側環状面(upper outer annular face)７０、ベース６
６からカラー６０の全高の一部を配置させた内側環状面
７２、および外側環状面７０と内側環状面７２との間に
延びた環状円錐台面(frusto-conical face) ７８を含
む。カラー６０はまた、ベース６６及びその内側環状面
７２間に延びた内側円周面７４を含む。カラー６０は、
石英、セラミックまたは最小の腐食及び粒子発生のチャ
ンバ環境に耐え得る他の材料から形成されてもよい。
触したマスクガスを放射して維持するように構成された
真環状部材(right annular member)であることが好まし
い。カラー６０は、ペデスタル３０のカラーレッジ５２
上で受容されるように構成された環状ベース６６と、外
形頂部(contour top) ６８とを含む。頂部６８は、上部
外側環状面(upper outer annular face)７０、ベース６
６からカラー６０の全高の一部を配置させた内側環状面
７２、および外側環状面７０と内側環状面７２との間に
延びた環状円錐台面(frusto-conical face) ７８を含
む。カラー６０はまた、ベース６６及びその内側環状面
７２間に延びた内側円周面７４を含む。カラー６０は、
石英、セラミックまたは最小の腐食及び粒子発生のチャ
ンバ環境に耐え得る他の材料から形成されてもよい。
【００１５】効率良く、一様な、円周状に連続した保護
マスクガスの障壁カーテンが向けられ、積層部材３２の
誘電体層の周辺、特に周辺部４５の近傍の所定位置に連
続して維持されることを保証するように機能する、円周
状ガスマニホールドを、マスクガス保護システム、特に
カラー６０、ペデスタル３０、積層部材３２の配置、さ
らに、積層部材３２に保持された基板８とのそれらの関
係が画成する。本発明の好適実施例において、周辺部４
５をマスクする為に、積層部材３２の端部４５付近のガ
ス噴射孔６２を出ていく(exiting) マスクガスの一部を
向けるように、カラー６０とペデスタル３０は十分な構
造を提供しているが、基板８はペデスタル３０及びチャ
ンネル６０と協働し、ガスマニホールドを提供する。図
４に示されるように、基板８は積層部材３２上に受容さ
れるが、わずかに積層部材３２およびペデスタル３０の
積層受容部(laminate receiving portion)４８より大き
くなっている。そのため、外周端８２および基板８の下
側部分８４は、積層部材３２より外側に延びている。基
板８の張出し部８４は張り出しているが、ガス噴射孔６
２からのガス流を阻止するものではない。そのため、ガ
ス噴射孔６２、カラー６０、円周壁５０、積層周辺部４
５、基板張出し部８４および端部８２と共に、好ましい
ガスマニホールド装置８６を画成するものとみなすこと
ができる。マニホールド装置８６の好ましい構造は、基
板８の個別の部分間に形成された一連の円周状間隙を提
供し、それは、通常はカラー６０の内側円周面７４およ
びペデスタルの面５０との間に配置された第１間隙８
８、カラー６０の内側環状面７２および基板８の張出し
部８４の間に配置された第２間隙９０、さらに、基板８
の外側端部８２およびカラー６０の円錐台面７８の間に
配置された第３間隙９２を含む。ヘリウムまたはアルゴ
ンのような無反応性ガスは、穴６２を通ってマニホール
ド装置８６に入り、その後、間隙８８ー９２を通って、
基板端部８２近傍のマニホールド装置８６を出る(exit
the manifold arrangement) 。間隙８８ー９２の形状(c
onfiguration) は、最上の間隙９２を通じての放出の前
に、穴６２を放出するガスが実質的にマニホールド装置
８６を充填すること、さらに、無反応性ガスの連続した
流れ、またはカーテンが間隙９２を出て積層周辺部４５
に対する処理プラズマおよび／またはプラズマ浄化媒体
の接近を限定すること、を確実にするものである。
マスクガスの障壁カーテンが向けられ、積層部材３２の
誘電体層の周辺、特に周辺部４５の近傍の所定位置に連
続して維持されることを保証するように機能する、円周
状ガスマニホールドを、マスクガス保護システム、特に
カラー６０、ペデスタル３０、積層部材３２の配置、さ
らに、積層部材３２に保持された基板８とのそれらの関
係が画成する。本発明の好適実施例において、周辺部４
５をマスクする為に、積層部材３２の端部４５付近のガ
ス噴射孔６２を出ていく(exiting) マスクガスの一部を
向けるように、カラー６０とペデスタル３０は十分な構
造を提供しているが、基板８はペデスタル３０及びチャ
ンネル６０と協働し、ガスマニホールドを提供する。図
４に示されるように、基板８は積層部材３２上に受容さ
れるが、わずかに積層部材３２およびペデスタル３０の
積層受容部(laminate receiving portion)４８より大き
くなっている。そのため、外周端８２および基板８の下
側部分８４は、積層部材３２より外側に延びている。基
板８の張出し部８４は張り出しているが、ガス噴射孔６
２からのガス流を阻止するものではない。そのため、ガ
ス噴射孔６２、カラー６０、円周壁５０、積層周辺部４
５、基板張出し部８４および端部８２と共に、好ましい
ガスマニホールド装置８６を画成するものとみなすこと
ができる。マニホールド装置８６の好ましい構造は、基
板８の個別の部分間に形成された一連の円周状間隙を提
供し、それは、通常はカラー６０の内側円周面７４およ
びペデスタルの面５０との間に配置された第１間隙８
８、カラー６０の内側環状面７２および基板８の張出し
部８４の間に配置された第２間隙９０、さらに、基板８
の外側端部８２およびカラー６０の円錐台面７８の間に
配置された第３間隙９２を含む。ヘリウムまたはアルゴ
ンのような無反応性ガスは、穴６２を通ってマニホール
ド装置８６に入り、その後、間隙８８ー９２を通って、
基板端部８２近傍のマニホールド装置８６を出る(exit
the manifold arrangement) 。間隙８８ー９２の形状(c
onfiguration) は、最上の間隙９２を通じての放出の前
に、穴６２を放出するガスが実質的にマニホールド装置
８６を充填すること、さらに、無反応性ガスの連続した
流れ、またはカーテンが間隙９２を出て積層周辺部４５
に対する処理プラズマおよび／またはプラズマ浄化媒体
の接近を限定すること、を確実にするものである。
【００１６】マニホールド装置８６の効率を最大にする
ため、間隙９２に対する間隙８８の大きさは、円周壁５
０、積層周辺部４５、基板張出し部８４および端部８２
に関する内側円周面７４、内側環状面７２および円錐台
面７８の位置を調整することにより、さらに、穴６２を
通るガス流速を調整することにより、調整してもよい。
例えば、１００sccmのアルゴンのマニホールド装置を通
る全ガス流速を有する酸素プラズマ浄化サイクル中で、
チャンバ圧が７００ミリトール、酸素流速を形成する浄
化プラズマが３００sccm、および間隙８８ー９２が０．
２ｃｍの幅である場合、周辺部４５での理論酸素濃度
は、保護されていない周辺部４５で存在するものの３９
％になる。もし間隙９０、９２が更に減少するなら、周
辺部４５の近傍の理論プラズマ量は減少する。しかし、
もし間隙８８が減少するなら、周辺部４５近傍の酸素又
はプラズマの理論的な量は増加する。間隙８８から９２
を通じてガス流速、及び高拡散係数ガスをマニホールド
装置８６内で使用することにより、周辺部４５付近の反
応性プラズマ種の濃度は増加するであろう。本発明によ
り実現されるガス流は、実質的に、周辺部４５をプラズ
マガスから保護し、そのため、実質的に、従来技術にお
いて発見された周辺部４５の腐食を減少させる。この位
置での無反応性ガスの噴射により生じる周辺部４５近傍
の反応性ガスの量の減少により、マニホールド装置内に
残る反応性ガスが周辺部４５近傍のプラズマを形成する
ことも防止できる。
ため、間隙９２に対する間隙８８の大きさは、円周壁５
０、積層周辺部４５、基板張出し部８４および端部８２
に関する内側円周面７４、内側環状面７２および円錐台
面７８の位置を調整することにより、さらに、穴６２を
通るガス流速を調整することにより、調整してもよい。
例えば、１００sccmのアルゴンのマニホールド装置を通
る全ガス流速を有する酸素プラズマ浄化サイクル中で、
チャンバ圧が７００ミリトール、酸素流速を形成する浄
化プラズマが３００sccm、および間隙８８ー９２が０．
２ｃｍの幅である場合、周辺部４５での理論酸素濃度
は、保護されていない周辺部４５で存在するものの３９
％になる。もし間隙９０、９２が更に減少するなら、周
辺部４５の近傍の理論プラズマ量は減少する。しかし、
もし間隙８８が減少するなら、周辺部４５近傍の酸素又
はプラズマの理論的な量は増加する。間隙８８から９２
を通じてガス流速、及び高拡散係数ガスをマニホールド
装置８６内で使用することにより、周辺部４５付近の反
応性プラズマ種の濃度は増加するであろう。本発明によ
り実現されるガス流は、実質的に、周辺部４５をプラズ
マガスから保護し、そのため、実質的に、従来技術にお
いて発見された周辺部４５の腐食を減少させる。この位
置での無反応性ガスの噴射により生じる周辺部４５近傍
の反応性ガスの量の減少により、マニホールド装置内に
残る反応性ガスが周辺部４５近傍のプラズマを形成する
ことも防止できる。
【００１７】マニホールド装置８６のマスク効果に加え
て、積層部材３２の腐食率および積層部材３２近傍のプ
ラズマ形成の発生率を減少することにより、さらに、エ
ッチング形成ポリマー、及び他の粒子汚染が積層部材３
２の周辺部４５近傍領域に進入することを防止する為に
マニホールド装置８６を出るガスの連続したカーテン形
式の障壁を維持することにより、ポリマー形成、さら
に、周辺部４５近傍およびマニホールド装置８６内およ
びその近傍の他面における汚染物質堆積の発生率を減少
するために、そこを通過する無反応性ガスを使用しても
よい。ポリマー、又は他の汚染物質が基板に接触し付着
すると、基板８を汚染し、それによるダイ歩留り(die y
ield) を減少させる。積層部材３２の積層周辺部４５付
近にある連続して上方に流れるガス障壁を維持すること
により、そうしなければ、その位置で集まるであろうポ
リマー或いは他の汚染物質は、その位置でチャンバ出口
２４の中からほとばしる(flushed out of the chamber)
であろうチャンバ１０へと移動するであろう。積層部材
３２の周辺部４５近傍領域内のポリマー又は他の汚染物
質の減少あるいは除去は、基板８の汚染の発生率を減少
させるであろう。というのは、より少ないポリマー粒子
又は他の汚染物質が基板８に付着する為に利用されるか
らである。さらに、マニホールド装置８６を通るガスが
間隙８８ー９２の領域内でプラズマを形成しない場合、
ポリマーはマニホールド装置８６内で形成されない。
て、積層部材３２の腐食率および積層部材３２近傍のプ
ラズマ形成の発生率を減少することにより、さらに、エ
ッチング形成ポリマー、及び他の粒子汚染が積層部材３
２の周辺部４５近傍領域に進入することを防止する為に
マニホールド装置８６を出るガスの連続したカーテン形
式の障壁を維持することにより、ポリマー形成、さら
に、周辺部４５近傍およびマニホールド装置８６内およ
びその近傍の他面における汚染物質堆積の発生率を減少
するために、そこを通過する無反応性ガスを使用しても
よい。ポリマー、又は他の汚染物質が基板に接触し付着
すると、基板８を汚染し、それによるダイ歩留り(die y
ield) を減少させる。積層部材３２の積層周辺部４５付
近にある連続して上方に流れるガス障壁を維持すること
により、そうしなければ、その位置で集まるであろうポ
リマー或いは他の汚染物質は、その位置でチャンバ出口
２４の中からほとばしる(flushed out of the chamber)
であろうチャンバ１０へと移動するであろう。積層部材
３２の周辺部４５近傍領域内のポリマー又は他の汚染物
質の減少あるいは除去は、基板８の汚染の発生率を減少
させるであろう。というのは、より少ないポリマー粒子
又は他の汚染物質が基板８に付着する為に利用されるか
らである。さらに、マニホールド装置８６を通るガスが
間隙８８ー９２の領域内でプラズマを形成しない場合、
ポリマーはマニホールド装置８６内で形成されない。
【００１８】図３、図４によると、無反応性ガスをマニ
ホールド装置８６に供給する好ましい手段が示されてい
る。ペデスタル３０は環状ガスチャンネルを具備し、こ
れはガス噴射穴６２の下方のペデスタル３０の本体内で
円周状に延びている。チャンネル９１は、ペデスタル３
０の下側の円周溝９３を切断すること、および溶接、圧
入または溝９３の底部におけるカバー９５を取付けるこ
とにより、形成するのが好ましい。複数の穴６２の各々
は、溝９３の内側ターミナスから、壁５０近傍のカラー
レッジ５２を通じて上方に延び、掃気ガスをマニホール
ド装置８６に供給する。さらに、図４に示されるよう
に、各穴６２は、コアレッジ５２を通って延びる高精度
ボア部９７、およびチャンネル９１から高精度ボア９７
に延び高精度ボア部９７の中に連続したガス源を供給す
ることを確実にする拡張カウンターボア９９を含むこと
が好ましい。図３によると、チャンネル９１にガスを提
供する為に、クロスボア１１１は、ペデスタル３０の内
側で終結する為に、チャンネル９１を通じてペデスタル
外径(outer diameter)５４から形成されることが好まし
い。サプライボア１１３は、ペデスタル３０内でクロス
ボア１１１の内側端部に形成されている。また、ガス供
給ライン１１５はクロスボア１１１からガスサプライに
延びている。ペデスタル３０の外径５４を通って延びて
いるクロスボア１１１の端部は、プラグ１１７が埋め込
まれている。
ホールド装置８６に供給する好ましい手段が示されてい
る。ペデスタル３０は環状ガスチャンネルを具備し、こ
れはガス噴射穴６２の下方のペデスタル３０の本体内で
円周状に延びている。チャンネル９１は、ペデスタル３
０の下側の円周溝９３を切断すること、および溶接、圧
入または溝９３の底部におけるカバー９５を取付けるこ
とにより、形成するのが好ましい。複数の穴６２の各々
は、溝９３の内側ターミナスから、壁５０近傍のカラー
レッジ５２を通じて上方に延び、掃気ガスをマニホール
ド装置８６に供給する。さらに、図４に示されるよう
に、各穴６２は、コアレッジ５２を通って延びる高精度
ボア部９７、およびチャンネル９１から高精度ボア９７
に延び高精度ボア部９７の中に連続したガス源を供給す
ることを確実にする拡張カウンターボア９９を含むこと
が好ましい。図３によると、チャンネル９１にガスを提
供する為に、クロスボア１１１は、ペデスタル３０の内
側で終結する為に、チャンネル９１を通じてペデスタル
外径(outer diameter)５４から形成されることが好まし
い。サプライボア１１３は、ペデスタル３０内でクロス
ボア１１１の内側端部に形成されている。また、ガス供
給ライン１１５はクロスボア１１１からガスサプライに
延びている。ペデスタル３０の外径５４を通って延びて
いるクロスボア１１１の端部は、プラグ１１７が埋め込
まれている。
【００１９】記述された好ましい実施例はペデスタル３
０を有するマスクガス保護システムの多くを組込んでい
るが、これは本質的なことではない。例えば、ガス噴出
穴６２はどこか他の場所、例えば、チャンバ壁に取り付
けられ、ペデスタルの周辺部の付近に配置された別のガ
スマニホールド部材内の孔として、設けることができる
であろう。そのような別のマニホールド部材は、積層部
材３２の露出周辺部にわたり噴出ガスに流路を開く為の
マニホールド流路間隙を画成することもできるであろ
う。さらに、好適実施例は積層シートに形成される有機
誘電体材料について説明されてきたが、マニホールド装
置８６の利点は、石英や二酸化珪素のような有機材を含
み、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 のようなプラズマ環境で腐食され
る、他の絶縁性又は誘電体の形態および異なる型の絶縁
体及び誘電体材料を保護するのに非常に適している。
０を有するマスクガス保護システムの多くを組込んでい
るが、これは本質的なことではない。例えば、ガス噴出
穴６２はどこか他の場所、例えば、チャンバ壁に取り付
けられ、ペデスタルの周辺部の付近に配置された別のガ
スマニホールド部材内の孔として、設けることができる
であろう。そのような別のマニホールド部材は、積層部
材３２の露出周辺部にわたり噴出ガスに流路を開く為の
マニホールド流路間隙を画成することもできるであろ
う。さらに、好適実施例は積層シートに形成される有機
誘電体材料について説明されてきたが、マニホールド装
置８６の利点は、石英や二酸化珪素のような有機材を含
み、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 のようなプラズマ環境で腐食され
る、他の絶縁性又は誘電体の形態および異なる型の絶縁
体及び誘電体材料を保護するのに非常に適している。
【００２０】ガスマニホールド８６により提供された保
護に加えて、伝導ストラップ(conducting strap)４０の
腐食は、ペデスタル端部にわたってではなく、ストラッ
プ４０を直接にペデスタル３０を通じて延長することに
より除去される。図２、図５によると、導電ストラップ
４０は、その中の孔４４を通りペデスタル３０の上面で
スロット８７の一つのターミナスから延び、ペデスタル
３０の下側で高電圧ピックアップ４６に接続するストラ
ップ端部１２２内で終結する。ストラップ４０は積層部
材３２の連続体であり、積層部材３２の電極３４の延長
部として形成され、積層部材３２の上部及び下部誘電体
層３６、３８の延長部として形成された第１及び第２の
誘電体層４１、４３の間に挟まれた中央導電コア３９を
含む。ペデスタル３２内の孔４４は、ペデスタル３０の
積層受容部４８を通って延びているスロット部１００、
およびペデスタル３０の下側から上方に延びてペデスタ
ルの上面の下方でスロット部と交差する拡張カウンター
ボア１０２を含む。ストラップ４０は、積層部材３２か
らスロット１００及びボア１０２を通って延び、高電圧
ピックアップ４６に接触して終結する。スロット１００
は最小の間隙をもってストラップ４０を受容する大きさ
になっており、スロット１００を通じてのガス漏れを限
定する。ストラップ４０はペデスタル３０の下側に沿っ
て延び、ピックアップ４６と接触する。ピックアップ４
６は高電圧を積層電極３４に供給するために備えらてい
る。
護に加えて、伝導ストラップ(conducting strap)４０の
腐食は、ペデスタル端部にわたってではなく、ストラッ
プ４０を直接にペデスタル３０を通じて延長することに
より除去される。図２、図５によると、導電ストラップ
４０は、その中の孔４４を通りペデスタル３０の上面で
スロット８７の一つのターミナスから延び、ペデスタル
３０の下側で高電圧ピックアップ４６に接続するストラ
ップ端部１２２内で終結する。ストラップ４０は積層部
材３２の連続体であり、積層部材３２の電極３４の延長
部として形成され、積層部材３２の上部及び下部誘電体
層３６、３８の延長部として形成された第１及び第２の
誘電体層４１、４３の間に挟まれた中央導電コア３９を
含む。ペデスタル３２内の孔４４は、ペデスタル３０の
積層受容部４８を通って延びているスロット部１００、
およびペデスタル３０の下側から上方に延びてペデスタ
ルの上面の下方でスロット部と交差する拡張カウンター
ボア１０２を含む。ストラップ４０は、積層部材３２か
らスロット１００及びボア１０２を通って延び、高電圧
ピックアップ４６に接触して終結する。スロット１００
は最小の間隙をもってストラップ４０を受容する大きさ
になっており、スロット１００を通じてのガス漏れを限
定する。ストラップ４０はペデスタル３０の下側に沿っ
て延び、ピックアップ４６と接触する。ピックアップ４
６は高電圧を積層電極３４に供給するために備えらてい
る。
【００２１】ピックアップ４６は陰極１５とペデスタル
３０との接合面で受容され、ストラップ４０との電気的
接触が形成されるように構成されている。ピックアップ
４６は、陰極１５で受容された絶縁結合部品(an insula
ted fitting)に配置されているピックアップボア１０８
内で受容されたバネ附勢ピン部材(spring-loaded pinme
mber)、および凹部１０１内のペデスタル３０の下側に
設けられたコンタクトアセンブリ１１０を含む。ピン部
材１０６は略真円絶縁部材になっており、これは第１の
大径部(major diameter portion)１１４、および上方に
突出して導電性端子１１８で終結する、好ましくは金メ
ッキされた銅の第２の小径部(minor diameter portion)
１１６を含む。リード１２０は、切換え自在の高電圧電
源２８（図１）に接続され、ピン部材１０６を通して延
び、端子１１８に接続している。バネ１２３はボア１０
８内に受容され、ピン部材１０６の下側で係合し、ピン
部材１０６を上方にコンタクトアセンブリ１１０と接触
するように附勢する。
３０との接合面で受容され、ストラップ４０との電気的
接触が形成されるように構成されている。ピックアップ
４６は、陰極１５で受容された絶縁結合部品(an insula
ted fitting)に配置されているピックアップボア１０８
内で受容されたバネ附勢ピン部材(spring-loaded pinme
mber)、および凹部１０１内のペデスタル３０の下側に
設けられたコンタクトアセンブリ１１０を含む。ピン部
材１０６は略真円絶縁部材になっており、これは第１の
大径部(major diameter portion)１１４、および上方に
突出して導電性端子１１８で終結する、好ましくは金メ
ッキされた銅の第２の小径部(minor diameter portion)
１１６を含む。リード１２０は、切換え自在の高電圧電
源２８（図１）に接続され、ピン部材１０６を通して延
び、端子１１８に接続している。バネ１２３はボア１０
８内に受容され、ピン部材１０６の下側で係合し、ピン
部材１０６を上方にコンタクトアセンブリ１１０と接触
するように附勢する。
【００２２】コンタクトアセンブリ１１０はその中でス
トラップ４０の端部１２２を受容するように構成され、
ストラップ４０に対するピン部材１０６からの電気回路
通路を形成している。ストラップ４０はボア１０２を貫
通し凹部１０１の中に延び、ストラップ４０の第２誘電
体層４３はストラップ４０の端部１２２の内部へと除去
され(removed inwardly)、導電コア３９を露出する。ス
トラップ４０の導電コア３９の露出部はコンタクトアセ
ンブリ１１０内で受容され、それは導電デスク１２４を
有する積層部材、上部絶縁デスク１２６、スロットデス
ク１２５および中央孔１３０を備えた下部ワッシャー１
２８である。ストラップ４０の端部１２２近傍で露出さ
れたコア３９の部分は、残りの絶縁層４１と共に、スロ
ットデスク１２５内のスロットに挿入されており、コア
３９の露出部およびスロットデスク１２５は導電性接着
剤のようなものと共に、導電性デスク１２４に接続され
ている。導電性デスク１２４は外側絶縁性環状部を含ん
でもよく、あるいは固体導電性デスクでもよい。導電性
デスク１２４、ストラップ端部１２２およびスロットデ
スク１２５のアセンブリは絶縁性デスク１２６とワッシ
ャー１２８との間に積層されている。積層されたコンタ
クトアセンブリ１１０の絶縁性デスク１２６は、凹部１
０１内でペデスタル３０の下側に取り付けられている。
ペデスタル３０が陰極１５の上方で配置されるとき、バ
ネ附勢ピン１０６は附勢され下部ワッシャー１２８内の
中央孔１３０を通じてデスク１２４に接触しており、直
流源２８（図１）からの高電圧を電極３４に供給する。
ペデスタル３０及び陰極１５の接合面は封止され、スロ
ット８７から孔４４を通過するかもしれない冷却ガスの
漏れがペデスタル３０及び陰極１５の間を通過して包囲
体１６内に入ることを防止する。図５、６に示されるよ
うに、卵形態シールリング溝１３６は、ペデスタル３０
の下側のコンタクトアセンブリ１１０及びボア１０２の
両方の周辺部付近に設けられており、シール１３８がそ
の中に受容されている。図５のみで示されるように、シ
ール溝１４０は下部ワッシャー１２８の主要部(body)に
一致し、陰極１５内に設けられ、シール１４２がその中
に受容されて下部ワッシャー１２８に接触している。シ
ール１３８、１４２はＯリングシールであることが好ま
しい。
トラップ４０の端部１２２を受容するように構成され、
ストラップ４０に対するピン部材１０６からの電気回路
通路を形成している。ストラップ４０はボア１０２を貫
通し凹部１０１の中に延び、ストラップ４０の第２誘電
体層４３はストラップ４０の端部１２２の内部へと除去
され(removed inwardly)、導電コア３９を露出する。ス
トラップ４０の導電コア３９の露出部はコンタクトアセ
ンブリ１１０内で受容され、それは導電デスク１２４を
有する積層部材、上部絶縁デスク１２６、スロットデス
ク１２５および中央孔１３０を備えた下部ワッシャー１
２８である。ストラップ４０の端部１２２近傍で露出さ
れたコア３９の部分は、残りの絶縁層４１と共に、スロ
ットデスク１２５内のスロットに挿入されており、コア
３９の露出部およびスロットデスク１２５は導電性接着
剤のようなものと共に、導電性デスク１２４に接続され
ている。導電性デスク１２４は外側絶縁性環状部を含ん
でもよく、あるいは固体導電性デスクでもよい。導電性
デスク１２４、ストラップ端部１２２およびスロットデ
スク１２５のアセンブリは絶縁性デスク１２６とワッシ
ャー１２８との間に積層されている。積層されたコンタ
クトアセンブリ１１０の絶縁性デスク１２６は、凹部１
０１内でペデスタル３０の下側に取り付けられている。
ペデスタル３０が陰極１５の上方で配置されるとき、バ
ネ附勢ピン１０６は附勢され下部ワッシャー１２８内の
中央孔１３０を通じてデスク１２４に接触しており、直
流源２８（図１）からの高電圧を電極３４に供給する。
ペデスタル３０及び陰極１５の接合面は封止され、スロ
ット８７から孔４４を通過するかもしれない冷却ガスの
漏れがペデスタル３０及び陰極１５の間を通過して包囲
体１６内に入ることを防止する。図５、６に示されるよ
うに、卵形態シールリング溝１３６は、ペデスタル３０
の下側のコンタクトアセンブリ１１０及びボア１０２の
両方の周辺部付近に設けられており、シール１３８がそ
の中に受容されている。図５のみで示されるように、シ
ール溝１４０は下部ワッシャー１２８の主要部(body)に
一致し、陰極１５内に設けられ、シール１４２がその中
に受容されて下部ワッシャー１２８に接触している。シ
ール１３８、１４２はＯリングシールであることが好ま
しい。
【００２３】電極３４のリードをペデスタル３０の主要
部を介して拡張することにより、ストラップがペデスタ
ル端の周りに延びてプラズマに露出している場合に生じ
る、ストラップ腐食の発生率は完全に除去され、積層部
材３２の有用寿命の実質的な増加をもたらす。
部を介して拡張することにより、ストラップがペデスタ
ル端の周りに延びてプラズマに露出している場合に生じ
る、ストラップ腐食の発生率は完全に除去され、積層部
材３２の有用寿命の実質的な増加をもたらす。
【００２４】図７には、本発明の静電チャックアセンブ
リの他の実施例が示され、そこにはストラップ４０が完
全に除去され、ペデスタルは変形され、それを通じて導
電性プラグアセンブリ２００を受容する。変形ペデスタ
ル２０１は、円形頂部(circular top)２０４、円形基部
(circular base) および頂部２０４から基部２０６まで
貫通して延びた中央ボアを有する略真円導電部材であ
る。ボア２０８は、基部２０６の内側に延びて変形ペデ
スタル２０１内で終結する低い大径部２１０と、変形ペ
デスタル２０１内の大径部２０８のターミナスから頂部
２０４まで延びている高い小径部を含む。環状レッジ２
１４は、変形ペデスタル内の大径部２１０と小径部２１
２の交差部に配置されている。誘電体／電極積層部材３
２は、接着剤でペデスタル頂部２０４に接着され、その
中央部はボア２０８の中心と一致している。導電プラグ
アセンブリ２００は、ボア２０８を通って延び、直流電
圧を積層部材３２に供給し、処理中に基板をその上に静
電的に接着する。積層部材３２は、グルー層によって電
極３４に接着される上部及び下部誘電体層３６、３８内
に収容された、中央電極３４を含む。
リの他の実施例が示され、そこにはストラップ４０が完
全に除去され、ペデスタルは変形され、それを通じて導
電性プラグアセンブリ２００を受容する。変形ペデスタ
ル２０１は、円形頂部(circular top)２０４、円形基部
(circular base) および頂部２０４から基部２０６まで
貫通して延びた中央ボアを有する略真円導電部材であ
る。ボア２０８は、基部２０６の内側に延びて変形ペデ
スタル２０１内で終結する低い大径部２１０と、変形ペ
デスタル２０１内の大径部２０８のターミナスから頂部
２０４まで延びている高い小径部を含む。環状レッジ２
１４は、変形ペデスタル内の大径部２１０と小径部２１
２の交差部に配置されている。誘電体／電極積層部材３
２は、接着剤でペデスタル頂部２０４に接着され、その
中央部はボア２０８の中心と一致している。導電プラグ
アセンブリ２００は、ボア２０８を通って延び、直流電
圧を積層部材３２に供給し、処理中に基板をその上に静
電的に接着する。積層部材３２は、グルー層によって電
極３４に接着される上部及び下部誘電体層３６、３８内
に収容された、中央電極３４を含む。
【００２５】導電プラグアセンブリ２００は、ボア２０
８内に受容され、内部の銅導電体２１６(inner copper
conductor)を含んでおり、それ（銅導電体２１６）は絶
縁性のスリーブ２１８内に受容されている。導電体２１
６は、固体の銅部材であることが好ましく、外部に突出
したフランジ２２４で交差する、低い大径部２２０と高
い小径部２２２を含む。絶縁性スリーブ２１８は、デユ
ポンインコーポレーテッド(DuPont Corporation)から入
手できるベスペル(Vespel)（登録商標）のようなポリイ
ミド材で形成することが好ましく、同様に、低い大径部
２２６と高い小径部２２８、内部に突出したラジアル整
列レッジ(radial alignment ledge)２３０を含み、それ
に対して導電体２１６のフランジ２２４が受容される。
細い(fine)螺旋溝２３２はスリーブの小径部２２８の外
径部上に設けられている。このスリーブ２１８は、中央
ボア２０８に圧入されるのが好ましく、エポキシ或いは
他の接着剤はスリーブの小径部２２８とボアの小径部２
１２との接合面に配置されるのが好ましい。細い螺旋溝
２３２は、エポキシと接触する表面積を増加させ、スリ
ーブ２１８とボア２０８間の効果的なエポキシシールを
確実にしている。導電体２１６は、レッジ２３０に対し
配置されたフランジ２２４をもって、スリーブ２１８に
圧入されるのが好ましい。スリーブ２１８及び導電体２
１６が変形ペデスタル２０１に圧入され、エポキシが硬
化した後、清浄な、平滑面を供給する為に、ペデスタル
の頂部２０４は平坦に研削されて積層部材３２を受容す
る。
８内に受容され、内部の銅導電体２１６(inner copper
conductor)を含んでおり、それ（銅導電体２１６）は絶
縁性のスリーブ２１８内に受容されている。導電体２１
６は、固体の銅部材であることが好ましく、外部に突出
したフランジ２２４で交差する、低い大径部２２０と高
い小径部２２２を含む。絶縁性スリーブ２１８は、デユ
ポンインコーポレーテッド(DuPont Corporation)から入
手できるベスペル(Vespel)（登録商標）のようなポリイ
ミド材で形成することが好ましく、同様に、低い大径部
２２６と高い小径部２２８、内部に突出したラジアル整
列レッジ(radial alignment ledge)２３０を含み、それ
に対して導電体２１６のフランジ２２４が受容される。
細い(fine)螺旋溝２３２はスリーブの小径部２２８の外
径部上に設けられている。このスリーブ２１８は、中央
ボア２０８に圧入されるのが好ましく、エポキシ或いは
他の接着剤はスリーブの小径部２２８とボアの小径部２
１２との接合面に配置されるのが好ましい。細い螺旋溝
２３２は、エポキシと接触する表面積を増加させ、スリ
ーブ２１８とボア２０８間の効果的なエポキシシールを
確実にしている。導電体２１６は、レッジ２３０に対し
配置されたフランジ２２４をもって、スリーブ２１８に
圧入されるのが好ましい。スリーブ２１８及び導電体２
１６が変形ペデスタル２０１に圧入され、エポキシが硬
化した後、清浄な、平滑面を供給する為に、ペデスタル
の頂部２０４は平坦に研削されて積層部材３２を受容す
る。
【００２６】積層部材３２を高電圧源に接続するため
に、積層部材３２の下部誘電体層３８の中心は移動し、
大きさが導体小径部２２２に対応した導体孔２３４を形
成する。導電性接着デスク２３６（好ましくは、亜鉛誘
電性導電性接着デスク(a z-dielectric conductive adh
esive disk）は孔２３４に配置され、導体２１６から電
極３４への電流路を与える。ペデスタル基部２０８上に
露出した導体２１６の下端部は、図６に示されるよう
に、バネ附勢ピン１０６のような導体アセンブリあるい
は他の手段を通じて、直流電源に接続されている。
に、積層部材３２の下部誘電体層３８の中心は移動し、
大きさが導体小径部２２２に対応した導体孔２３４を形
成する。導電性接着デスク２３６（好ましくは、亜鉛誘
電性導電性接着デスク(a z-dielectric conductive adh
esive disk）は孔２３４に配置され、導体２１６から電
極３４への電流路を与える。ペデスタル基部２０８上に
露出した導体２１６の下端部は、図６に示されるよう
に、バネ附勢ピン１０６のような導体アセンブリあるい
は他の手段を通じて、直流電源に接続されている。
【００２７】導電性プラグアセンブリ２００は、積層部
材に対する高電圧電源に耐漏洩電流路を提供するが、同
時に、非プラズマに露出した通路をも提供する。導電性
プラグアセンブリ２００はマスクガス導入部材と共に用
い、積層部材３２の端部の付近に減少したプラズマやガ
ス濃度を提供してもよい。
材に対する高電圧電源に耐漏洩電流路を提供するが、同
時に、非プラズマに露出した通路をも提供する。導電性
プラグアセンブリ２００はマスクガス導入部材と共に用
い、積層部材３２の端部の付近に減少したプラズマやガ
ス濃度を提供してもよい。
【００２８】本発明はプラズマ酸素エッチングチャンバ
との関係で説明されているが、本発明の利点は誘電体層
の腐食を介して静電チャックの有用寿命を処理環境が限
定する他のチャンバ或いは処理環境で、使用してもよ
い。さらに、露出した誘電体層端部の近傍でプラズマ濃
度を減少する為に、無反応性ガスをペデスタルを通る導
電性通路の配置と同時に、或いは別個に、用いてもよ
い。また、この好適実施例は誘電体／電極積層部材につ
いて説明されてきたが、他の構造を本発明の実施に使用
してもよい。例えば、チャックの上層が電極保護の為の
絶縁体或いは誘電体であり、プラズマ環境内の腐食に晒
される場合、マスクガス導入部材の使用は静電チャック
と共に有用である。これには、陰極から隔離され、電極
を形成するペデスタルを含み、その上に基板受容の為の
絶縁性あるいは誘電性の層を含むであろう。
との関係で説明されているが、本発明の利点は誘電体層
の腐食を介して静電チャックの有用寿命を処理環境が限
定する他のチャンバ或いは処理環境で、使用してもよ
い。さらに、露出した誘電体層端部の近傍でプラズマ濃
度を減少する為に、無反応性ガスをペデスタルを通る導
電性通路の配置と同時に、或いは別個に、用いてもよ
い。また、この好適実施例は誘電体／電極積層部材につ
いて説明されてきたが、他の構造を本発明の実施に使用
してもよい。例えば、チャックの上層が電極保護の為の
絶縁体或いは誘電体であり、プラズマ環境内の腐食に晒
される場合、マスクガス導入部材の使用は静電チャック
と共に有用である。これには、陰極から隔離され、電極
を形成するペデスタルを含み、その上に基板受容の為の
絶縁性あるいは誘電性の層を含むであろう。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、ペデスタル端部を越えて延び
た静電積層ストラップ領域を除去することにより、プラ
ズマに晒される静電積層領域を減少することができ、チ
ャックのストラップ部を処理環境により生じる腐食から
保護することができる。
た静電積層ストラップ領域を除去することにより、プラ
ズマに晒される静電積層領域を減少することができ、チ
ャックのストラップ部を処理環境により生じる腐食から
保護することができる。
【図１】図１は、内部に静電チャックを含むプラズマエ
ッチングチャンバの簡略図。
ッチングチャンバの簡略図。
【図２】静電チャックとペデスタルの平面図。
【図３】ペデスタルと陰極上に受容された、図２の断面
３ー３の静電チャックの断面図。
３ー３の静電チャックの断面図。
【図４】上部の基板を更に含む、図３の断面４ー４の静
電チャック及びペデスタルの拡大部分断面図。
電チャック及びペデスタルの拡大部分断面図。
【図５】陰極を上方で受容され、静電積層に対する高電
圧電源の相互接続を示す、図２の断面５ー５の静電チャ
ック及びペデスタルの部分断面図。
圧電源の相互接続を示す、図２の断面５ー５の静電チャ
ック及びペデスタルの部分断面図。
【図６】図２の静電チャック及びペデスタルの底面図。
【図７】チャンバペデスタル上に配置された本発明の静
電チャックの他の実施例の側面図。
電チャックの他の実施例の側面図。
８…基板、１０…チャンバ、１２…ハウジング、１４…
基部、１５…陰極、１６…包囲体、２２…ガス入口、２
４…スロットル排気口、２６…ＲＦ電源、２８…高電圧
源、３０…ペデスタル、３２…積層部材、３４…略平坦
電極、３６…上部誘電体層、３８…下部誘電体層、３９
…中央導電性コア、４０…ストラップ、４１…第１誘電
体層、４２…上面、４３…第２誘電体層、４４…孔、４
５…周辺部、４６…高電圧ピックアップ、４８…積層部
材受容部、５０…円周面、５２…レッジ、５４…ペデス
タル外径部、６０…カラー、６２…穴、７２…内側環状
面、７４…内側円周面、７８…円錐台面、８２…外端
部、８４…基板張出し部、８６…マニホールド装置、８
７…スロット、８８、９０、９２…間隙、９１…チャン
ネル、９３…円周溝、９７…ボア部、９９…カウンター
ボア、１００…スロット部、１０２…カウンターボア、
１０６…ピン部材、１０８…ピックアップボア、１１０
…コンタクトアセンブリ、１１１…クロスボア、１１３
…供給ボア、１１４…第１大径部、１１５…ガス供給ラ
イン、１１６…小径部、１１７…プラグ、１１８…端
子、１２２…ストラップ端部、１２３…バネ、１２４…
導電性デスク、１２５…スロットデスク、１２６…絶縁
性デスク、１２８…ワッシャー、１３０…中央孔、１３
８…卵形態シールリング溝、１４０…シール溝、１４２
…シール、２００…導電性プラグアセンブリ、２０１…
変形ペデスタル、２０４…円周上部、２０６…円周基
部、２０８…ボア、２１０…大径部、２１２…小径部、
２１６…内側銅導体、２１８…絶縁性スリーブ、２２
０、２２６…大径部、２２２、２２４…フランジ、２２
８…小径部、２３０…ラジアル整列レッジ、２３２…螺
旋溝、２３４…導電性孔、２３６…導電性接着デスク。
基部、１５…陰極、１６…包囲体、２２…ガス入口、２
４…スロットル排気口、２６…ＲＦ電源、２８…高電圧
源、３０…ペデスタル、３２…積層部材、３４…略平坦
電極、３６…上部誘電体層、３８…下部誘電体層、３９
…中央導電性コア、４０…ストラップ、４１…第１誘電
体層、４２…上面、４３…第２誘電体層、４４…孔、４
５…周辺部、４６…高電圧ピックアップ、４８…積層部
材受容部、５０…円周面、５２…レッジ、５４…ペデス
タル外径部、６０…カラー、６２…穴、７２…内側環状
面、７４…内側円周面、７８…円錐台面、８２…外端
部、８４…基板張出し部、８６…マニホールド装置、８
７…スロット、８８、９０、９２…間隙、９１…チャン
ネル、９３…円周溝、９７…ボア部、９９…カウンター
ボア、１００…スロット部、１０２…カウンターボア、
１０６…ピン部材、１０８…ピックアップボア、１１０
…コンタクトアセンブリ、１１１…クロスボア、１１３
…供給ボア、１１４…第１大径部、１１５…ガス供給ラ
イン、１１６…小径部、１１７…プラグ、１１８…端
子、１２２…ストラップ端部、１２３…バネ、１２４…
導電性デスク、１２５…スロットデスク、１２６…絶縁
性デスク、１２８…ワッシャー、１３０…中央孔、１３
８…卵形態シールリング溝、１４０…シール溝、１４２
…シール、２００…導電性プラグアセンブリ、２０１…
変形ペデスタル、２０４…円周上部、２０６…円周基
部、２０８…ボア、２１０…大径部、２１２…小径部、
２１６…内側銅導体、２１８…絶縁性スリーブ、２２
０、２２６…大径部、２２２、２２４…フランジ、２２
８…小径部、２３０…ラジアル整列レッジ、２３２…螺
旋溝、２３４…導電性孔、２３６…導電性接着デスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２３Ｑ 3/15 Ｄ (72)発明者 マヌーチャー ビラング アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95030， ロス ガトス， ファブレ リ ッジ ロード 18836 (72)発明者 セミョン シャースティンスキー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94121， サン フランシスコ， 742−32 番 アヴェニュー (72)発明者 サッソン ソメクー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94022， ロス アルトス ヒルズ， ム ーディ ロード 25625
Claims (30)
- 【請求項１】 電極と、 前記電極上に配置され、その上に基板を受容し、かつ、
処理チャンバに露出する露出部分を有する第１電気絶縁
体と、 前記露出部分にマスクガスを供給するマスクガス手段
と、を備える静電チャック。 - 【請求項２】 前記電極に接触し、処理チャンバに露出
する露出部分を有する第２電気絶縁体と、導電支持部材
とを更に含み、前記第２電気絶縁体は前記導電支持部材
に取り付けられている請求項１記載のチャック。 - 【請求項３】 前記絶縁体は有機誘電材料(organic die
lectric material)である請求項１記載のチャック。 - 【請求項４】 前記マスクガス手段は、前記導電支持部
材に配置され、前記マスクガスを前記絶縁体の露出部分
に与える請求項３記載のチャック。 - 【請求項５】 前記チャックを支持する導電部材を更に
含み、前記導電部材は前記第１電極から絶縁された第２
電極を形成し、高周波エネルギー源によりエネルギーが
与えられるようになっている請求項１記載のチャック。 - 【請求項６】 処理ガスが確立され前記第２電極の電圧
印加によってプラズマに変換される真空チャンバ内で前
記チャックが受容され、前記マスクガス手段は連続して
前記第１および第２絶縁体の露出部分にマスクガスを供
給して前記露出部分を上記処理プラズマからマスクする
請求項５記載のチャック。 - 【請求項７】 前記マスクガス手段は、前記第１絶縁体
の露出部分を横切って、ほぼ近傍に流す為に、上記マス
クガスを放出する(directs) 、請求項１記載のチャッ
ク。 - 【請求項８】 前記マスクガス手段は、前記ガスが閉じ
込められる前記露出部分の付近の狭い周辺チャンネルを
画成する請求項１記載のチャック。 - 【請求項９】 基板を処理する真空チャンバであって、 誘電層と電極を有する静電チャックであって、前記電極
は電圧によってエネルギーが与えられて基板を前記チャ
ックの面に保持する静電吸引力を形成し、前記チャック
は周辺部を画成する前記静電チャックと、 前記誘電層に比較的無反応性のマスクガスを導入し、前
記周辺部をチャンバ処理ガスから保護するようにマスク
する、ガス供給手段とを備える真空チャンバ。 - 【請求項１０】 導電性支持部材と、前記支持部材上に
配置された絶縁部材を更に含み、前記電極は前記絶縁部
材上に受容される、請求項９記載の真空チャンバ。 - 【請求項１１】 前記支持部材は、前記支持部材と共
に、少なくとも一部に、一体化されている請求項１０記
載の真空チャンバ。 - 【請求項１２】 前記支持部材は高周波エネルギー源に
よりエネルギーが与えられるように構成された第２の電
極である、請求項１０記載の真空チャンバ。 - 【請求項１３】 前記誘電層は有機材料である請求項９
記載の真空チャンバ。 - 【請求項１４】 前記誘電層はポリイミドである請求項
９記載の真空チャンバ。 - 【請求項１５】 前記ガス供給手段は前記周辺部近傍の
前記支持部材内に画成された複数のガス出口を含む、請
求項１０記載の真空チャンバ。 - 【請求項１６】 前記ガス供給手段は、前記周辺部に前
記ガスをほぼ横切って流している間、前記周辺部近傍に
前記マスクガスを閉じ込める為に、前記周辺部付近にマ
ニホールドを形成するチャンネル手段を含む、請求項９
記載の真空チャンバ。 - 【請求項１７】 前記ガス供給手段は、 前記チャックの前記誘電層近傍で開口した環状出口、前
記出口の近傍で間隔を開けて配置された閉鎖部分(close
d portion)を有する環状チャンネルを前記周辺部の付近
に画成する手段と、 前記周辺部の付近に配置され、前記チャンネル内の前記
閉鎖部分の中へと開く複数のガス入口と、を含み、 前記マスクガスは前記周辺部のほぼ近傍に横切って流れ
る、請求項９記載の真空チャンバ。 - 【請求項１８】 前記マスクガスは無反応性ガスである
請求項９記載の真空チャンバ。 - 【請求項１９】 静電チャックの電気的絶縁部分の端部
を保護する方法であって、無反応性ガスを上記端部近傍
に放射するステップを備える方法。 - 【請求項２０】 上記電気的絶縁部分の上記端部付近に
マスクガスマニホールドを形成するステップと、上記マ
ニホールドを介して無反応性ガスを放出するステップ
と、を更に含む請求項１９記載の方法。 - 【請求項２１】 上記マニホールドは、上記端部の付近
で間隔を開けて配置されたカラーを含む、請求項２０記
載の方法。 - 【請求項２２】 上記カラーおよび少なくとも上記電気
的絶縁部材の一部はペデスタル上に受容されている請求
項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 上記ペデスタルは、その中に複数のマ
スクガス穴を含む、請求項２２記載の方法。 - 【請求項２４】 前記ガスを通じてマスクガスを導入す
るステップと、前記マニホールドを介して前記ガスを通
過させるステップと、を更に含む請求項２３記載の方
法。 - 【請求項２５】 上記マニホールド内に無反応性ガスを
導入するステップと、上記端部を横切って上記無反応性
ガスを放出するステップと、上記マニホールドの中から
処理チャンバ内に上記無反応性ガスを排気するステップ
と、を更に含む請求項２３記載の方法。 - 【請求項２６】 基板が静電チャック上で受容される半
導体処理チャンバ内でのポリマー形成の発生率を減少さ
せる方法であって、上記チャックの電気的絶縁部分の露
出領域の周辺付近にマニホールドを備えるステップと、 上記電気絶縁部分近傍にポリマーが付着することを妨げ
る、マニホールド内の条件を維持するステップと、を含
む方法。 - 【請求項２７】 前記電気的絶縁部分は有機ポリマー(o
rganic polymer) である請求項２６記載の方法。 - 【請求項２８】 上記電気絶縁部分の端部近傍に、上記
マニホールドを介して無反応性ガスを流すステップとを
更に含む、請求項２６記載の方法。 - 【請求項２９】 上記マニホールドを通る無反応性ガス
の流れが、上記チャックの上記電気絶縁部分の上記周辺
部近傍に入る汚染量を減少させる、請求項２８記載の方
法。 - 【請求項３０】 上記マニホールドを通る無反応性ガス
の流れが、上記電気絶縁部分近傍のプラズマ形成を防止
する、請求項２８記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US19940294A | 1994-02-22 | 1994-02-22 | |
| US08/199402 | 1994-02-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855903A true JPH0855903A (ja) | 1996-02-27 |
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ID=22737349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3387795A Pending JPH0855903A (ja) | 1994-02-22 | 1995-02-22 | 耐腐食性静電チャック |
Country Status (3)
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|---|---|
| EP (1) | EP0668607A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0855903A (ja) |
| KR (1) | KR950034654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539913A (ja) * | 2010-09-17 | 2013-10-28 | ラム リサーチ コーポレーション | リフトピンを用いた静電デチャックのための極性領域 |
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| US6087778A (en) * | 1996-06-28 | 2000-07-11 | Lam Research Corporation | Scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber having a serpentine antenna |
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| US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
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| US5275683A (en) * | 1991-10-24 | 1994-01-04 | Tokyo Electron Limited | Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same |
-
1995
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- 1995-02-22 KR KR1019950003423A patent/KR950034654A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-02-22 JP JP3387795A patent/JPH0855903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539913A (ja) * | 2010-09-17 | 2013-10-28 | ラム リサーチ コーポレーション | リフトピンを用いた静電デチャックのための極性領域 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950034654A (ko) | 1995-12-28 |
| EP0668607A1 (en) | 1995-08-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040928 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050307 |