JPH108269A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH108269A JPH108269A JP8155167A JP15516796A JPH108269A JP H108269 A JPH108269 A JP H108269A JP 8155167 A JP8155167 A JP 8155167A JP 15516796 A JP15516796 A JP 15516796A JP H108269 A JPH108269 A JP H108269A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposition
- deposition preventive
- preventive plates
- dry etching
- processing chamber
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングによる反応生成物を防着版に付着
させることにより、処理室内の汚れを保護できるが、防
着版で保護されていない処理室の排気口周辺部には、反
応生成物が集中して付着し、素子の歩留りを低下させて
いた。 【解決手段】 上部電極を兼ねた処理室１を設け、これ
をカバーするように防着板６、７を設ける。また処理室
底面の角部や排気口周辺部にも防着板５を設ける。また
処理室１とは電気的に絶縁された下部電極４を設け、高
周波電源９から下部電極４と上部電極を兼ねる処理室１
との間に電圧を印加し、ガスプラズマを発生させる。こ
のガスプラズマにより、下部電極の上に置かれた基板８
をドライエッチングし、エッチング中に発生したデポジ
ション物質は、防着板５、６、７に付着させる。その結
果、防着板に付着した反応生成物は容易に除去できるよ
うになり、防着板の清浄度向上によって素子の高歩留り
が期待できる。
させることにより、処理室内の汚れを保護できるが、防
着版で保護されていない処理室の排気口周辺部には、反
応生成物が集中して付着し、素子の歩留りを低下させて
いた。 【解決手段】 上部電極を兼ねた処理室１を設け、これ
をカバーするように防着板６、７を設ける。また処理室
底面の角部や排気口周辺部にも防着板５を設ける。また
処理室１とは電気的に絶縁された下部電極４を設け、高
周波電源９から下部電極４と上部電極を兼ねる処理室１
との間に電圧を印加し、ガスプラズマを発生させる。こ
のガスプラズマにより、下部電極の上に置かれた基板８
をドライエッチングし、エッチング中に発生したデポジ
ション物質は、防着板５、６、７に付着させる。その結
果、防着板に付着した反応生成物は容易に除去できるよ
うになり、防着板の清浄度向上によって素子の高歩留り
が期待できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体、絶縁物、金
属薄膜等をガスプラズマによりエッチングするドライエ
ッチング装置に関するものである。
属薄膜等をガスプラズマによりエッチングするドライエ
ッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のドライエッチング装置を
示す断面図である。図２において、１はドライエッチを
行う処理室、２は処理室１を真空排気するための排気
口、３はエッチング時に処理室内へエッチングガスを導
入するガス導入口、４は電圧印加用の下部電極、９はエ
ッチングプラズマを発生する高周波電源、８はエッチン
グされる基板で、下部電極４上に置かれる。６、７はそ
れぞれ反応生成物を付着させる防着板で処理室の底面か
らスペーサー１０を介して設置される。
示す断面図である。図２において、１はドライエッチを
行う処理室、２は処理室１を真空排気するための排気
口、３はエッチング時に処理室内へエッチングガスを導
入するガス導入口、４は電圧印加用の下部電極、９はエ
ッチングプラズマを発生する高周波電源、８はエッチン
グされる基板で、下部電極４上に置かれる。６、７はそ
れぞれ反応生成物を付着させる防着板で処理室の底面か
らスペーサー１０を介して設置される。
【０００３】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、以下その動作について説明する。
装置について、以下その動作について説明する。
【０００４】搬送機により基板８を下部電極４の上に搬
送し設置する。次に処理室１の内部を所定の真空度に到
達するまで、排気口２から真空排気し、ガス導入口３か
らエッチングに必要な反応性ガスを導入する。ガスの流
量と圧力が安定化してから、高周波電源９より下部電極
４と上部電極を兼ねる処理室１との間に電圧を印加して
ガスプラズマを発生させる。このガスプラズマを用い
て、下部電極４上に設置された基板８がエッチングされ
る。エッチング中に発生する反応生成物は、防着板６、
７に付着する。
送し設置する。次に処理室１の内部を所定の真空度に到
達するまで、排気口２から真空排気し、ガス導入口３か
らエッチングに必要な反応性ガスを導入する。ガスの流
量と圧力が安定化してから、高周波電源９より下部電極
４と上部電極を兼ねる処理室１との間に電圧を印加して
ガスプラズマを発生させる。このガスプラズマを用い
て、下部電極４上に設置された基板８がエッチングされ
る。エッチング中に発生する反応生成物は、防着板６、
７に付着する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うなドライエッチング装置の構成では、図２に示すよう
に、防着板底面のガス抜き部分６ａを通って処理室１内
を真空排気する際に、デポジション物質が処理室１の底
面角部１ａや、排気口の周辺部１ｂに集中して堆積する
という問題があった。そのため、デポジション物質を除
去するクリーニングに、多大の時間を要し、装置の稼働
率を落とす重大な原因となっていた。さらに、防着板６
の角部６ｂに堆積したデポジション物質は、クリーニン
グで除去されにくく、クリーニング後でもデポジション
物質が付着した状態にあるため、エッチング中に剥がれ
た異物が基板８上へ付着し、素子の歩留りを低下させる
要因となっていた。また、防着板６の角部６ｂは薄板構
造であるため、取り外して洗浄する際に加わる応力集中
によって、破損しやすい構造になっていた。
うなドライエッチング装置の構成では、図２に示すよう
に、防着板底面のガス抜き部分６ａを通って処理室１内
を真空排気する際に、デポジション物質が処理室１の底
面角部１ａや、排気口の周辺部１ｂに集中して堆積する
という問題があった。そのため、デポジション物質を除
去するクリーニングに、多大の時間を要し、装置の稼働
率を落とす重大な原因となっていた。さらに、防着板６
の角部６ｂに堆積したデポジション物質は、クリーニン
グで除去されにくく、クリーニング後でもデポジション
物質が付着した状態にあるため、エッチング中に剥がれ
た異物が基板８上へ付着し、素子の歩留りを低下させる
要因となっていた。また、防着板６の角部６ｂは薄板構
造であるため、取り外して洗浄する際に加わる応力集中
によって、破損しやすい構造になっていた。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、従来のドライ
エッチング装置の欠点を除去するためになされたもの
で、デポジション物質を極力、防着板へ付着させ、さら
に防着板に堆積したデポジション物質を、クリーニング
で容易に除去できる構造を提供するものである。
エッチング装置の欠点を除去するためになされたもの
で、デポジション物質を極力、防着板へ付着させ、さら
に防着板に堆積したデポジション物質を、クリーニング
で容易に除去できる構造を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のドライエッチング装置は、反応生成物が
処理室内へ付着することを極力防止するため、処理室の
上部と側面に加えて、底面部や排気口周辺部にも防着板
を設ける。これにより、防着板を取り外しての洗浄クリ
ーニングを可能とした。さらに各防着板の角部をＲ形状
にすることで、取れにくい角部の付着物を容易にクリー
ニングでき、洗浄時に加わる応力を分散できる構造とし
た。
めに、本発明のドライエッチング装置は、反応生成物が
処理室内へ付着することを極力防止するため、処理室の
上部と側面に加えて、底面部や排気口周辺部にも防着板
を設ける。これにより、防着板を取り外しての洗浄クリ
ーニングを可能とした。さらに各防着板の角部をＲ形状
にすることで、取れにくい角部の付着物を容易にクリー
ニングでき、洗浄時に加わる応力を分散できる構造とし
た。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態のドライ
エッチング装置について、図面を参照しながら説明す
る。
エッチング装置について、図面を参照しながら説明す
る。
【０００９】図１は本実施形態におけるドライエッチン
グ装置の断面図を示すものである。図１において、１は
上部電極を兼ねたドライエッチを行う処理室、２は処理
室１から真空排気を行う排気口、３はエッチングガスを
処理室１に導入するガス導入口、４は処理室１と電気的
に絶縁された下部電極、６、７はそれぞれ反応生成物を
付着させるための防着板である。５は従来のエッチング
装置において、処理室底面の角部や排気口２の周辺部に
付着していたデポジション物質の付着を防止するもの
で、本発明により新たに追加した防着板である。８はエ
ッチング対象物である基板で、９は高周波電源である。
グ装置の断面図を示すものである。図１において、１は
上部電極を兼ねたドライエッチを行う処理室、２は処理
室１から真空排気を行う排気口、３はエッチングガスを
処理室１に導入するガス導入口、４は処理室１と電気的
に絶縁された下部電極、６、７はそれぞれ反応生成物を
付着させるための防着板である。５は従来のエッチング
装置において、処理室底面の角部や排気口２の周辺部に
付着していたデポジション物質の付着を防止するもの
で、本発明により新たに追加した防着板である。８はエ
ッチング対象物である基板で、９は高周波電源である。
【００１０】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、以下、その動作を説明する。
装置について、以下、その動作を説明する。
【００１１】搬送機により基板８を下部電極４の上に設
置し、処理室１の内部を所定の真空度に到達するまで、
排気口２から真空引きする。処理室内が所定の真空度に
到達した時点で、エッチングガスをガス導入口３から導
入し、流量と圧力が安定化してから、電源９より下部電
極４と上部電極を兼ねる処理室１との間に電圧を印加し
てガスプラズマを発生させ、下部電極４上の基板８のド
ライエッチングを行う。エッチング中に発生する反応生
成物は、ほとんど防着板５、６、７に付着させるため、
防着板５、６、７を定期的に取り外してクリーニングす
る事により、処理室１内のほとんどすべてのデポジショ
ン物質を除去することが可能となる。従って、従来、処
理室底面の角部や排気口周辺に堆積していたデポジショ
ン物質が減少し、処理室１のクリーニング時間が約２分
の１に短縮される。
置し、処理室１の内部を所定の真空度に到達するまで、
排気口２から真空引きする。処理室内が所定の真空度に
到達した時点で、エッチングガスをガス導入口３から導
入し、流量と圧力が安定化してから、電源９より下部電
極４と上部電極を兼ねる処理室１との間に電圧を印加し
てガスプラズマを発生させ、下部電極４上の基板８のド
ライエッチングを行う。エッチング中に発生する反応生
成物は、ほとんど防着板５、６、７に付着させるため、
防着板５、６、７を定期的に取り外してクリーニングす
る事により、処理室１内のほとんどすべてのデポジショ
ン物質を除去することが可能となる。従って、従来、処
理室底面の角部や排気口周辺に堆積していたデポジショ
ン物質が減少し、処理室１のクリーニング時間が約２分
の１に短縮される。
【００１２】次に本発明の別の実施形態について図１を
参照しながら説明する。本実施形態の前記した実施形態
と異なる点は、防着板５、６の角部５ａ、６ｂにＲ加工
を施した点である。特にＲ５以上の曲率を持たせた場合
は、防着板５、６に付いたデポジション物質が水洗で容
易に落ちるので、超音波洗浄等の特殊な洗浄が必要なく
なり、防着板５、６のクリーニング時間の短縮ができ
る。さらに、防着板の角部の清浄度が向上するために、
洗浄後に残存した異物がエッチング中に基板８の上に付
着することが無くなり、歩留まりを向上できる。また、
クリーニング時に防着板５、６に加わる応力を分散でき
るので、破損が無くなり、寿命を約２倍伸ばすことが可
能となる。
参照しながら説明する。本実施形態の前記した実施形態
と異なる点は、防着板５、６の角部５ａ、６ｂにＲ加工
を施した点である。特にＲ５以上の曲率を持たせた場合
は、防着板５、６に付いたデポジション物質が水洗で容
易に落ちるので、超音波洗浄等の特殊な洗浄が必要なく
なり、防着板５、６のクリーニング時間の短縮ができ
る。さらに、防着板の角部の清浄度が向上するために、
洗浄後に残存した異物がエッチング中に基板８の上に付
着することが無くなり、歩留まりを向上できる。また、
クリーニング時に防着板５、６に加わる応力を分散でき
るので、破損が無くなり、寿命を約２倍伸ばすことが可
能となる。
【００１３】第一、第二のデポジションを伴うドライエ
ッチング装置の実施例としては、例えばＢＣｌ3＋Ｃｌ2
＋ＣＨＣｌ3＋Ｎ2によるエッチングで、Ｃ，Ｈ，Ｃｌ，
Ｎ，Ｏなどの化合物がデポジションするＡｌエッチング
などがある。
ッチング装置の実施例としては、例えばＢＣｌ3＋Ｃｌ2
＋ＣＨＣｌ3＋Ｎ2によるエッチングで、Ｃ，Ｈ，Ｃｌ，
Ｎ，Ｏなどの化合物がデポジションするＡｌエッチング
などがある。
【００１４】なお上記実施例では、高周波電源９は処理
室１側に接続し、下部電極４を接地しても良い。またガ
ス導入口３は処理室１の上面に設けたが、処理室１の側
面や下部電極４の中央に設けても良い。以上はドライエ
ッチングを例にして説明したが、本発明はプラズマＣＶ
Ｄにおいても同様に実施できる。
室１側に接続し、下部電極４を接地しても良い。またガ
ス導入口３は処理室１の上面に設けたが、処理室１の側
面や下部電極４の中央に設けても良い。以上はドライエ
ッチングを例にして説明したが、本発明はプラズマＣＶ
Ｄにおいても同様に実施できる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は処理室内の処理室
底面角部や排気口周辺部にも防着板でカバーする事によ
り、防着板を取り外してクリーニングできるため、クリ
ーニング時間を短縮できる。また、各防着板の角部にＲ
加工を施したことにより、防着板のクリーニングが容易
になり時間短縮が行えるので、設備の稼働率も向上でき
る。さらに、防着板に付着したデポジション物質の洗い
残しを抑えることが出来るので、基板上に異物が付着す
ることを抑え、高い歩留まりが得られる効果がある。さ
らに、防着板のＲ加工により洗浄時に加わる応力を分散
できるので、防着板の消耗や破損も削減できる。
底面角部や排気口周辺部にも防着板でカバーする事によ
り、防着板を取り外してクリーニングできるため、クリ
ーニング時間を短縮できる。また、各防着板の角部にＲ
加工を施したことにより、防着板のクリーニングが容易
になり時間短縮が行えるので、設備の稼働率も向上でき
る。さらに、防着板に付着したデポジション物質の洗い
残しを抑えることが出来るので、基板上に異物が付着す
ることを抑え、高い歩留まりが得られる効果がある。さ
らに、防着板のＲ加工により洗浄時に加わる応力を分散
できるので、防着板の消耗や破損も削減できる。
【図１】本発明の一実施形態におけるドライエッチング
装置を示す図
装置を示す図
【図２】従来のドライエッチング装置を示す図
１ 処理室 ２ 排気口 ３ ガス導入口 ４ 下部電極 ５ 防着板 ６ 防着板 ７ 防着板 ８ 基板 ９ 高周波電源 １０ スペーサー
Claims (2)
- 【請求項１】 デポジション物質を伴う場合のドライエ
ッチング装置に於いて、処理室の上面と側面の防着板に
加えて、処理室の底面角部や排気口周辺部まで、カバー
できる形状の防着板を備えたことを特徴とするドライエ
ッチング装置。 - 【請求項２】 上記、防着板内部の接合部及び角部にで
きる凹部分をＲ加工の曲面形状としたことを特徴とする
請求項１記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155167A JPH108269A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155167A JPH108269A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108269A true JPH108269A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=15599983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8155167A Pending JPH108269A (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108269A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297165B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etching and cleaning methods |
| WO2002007197A1 (fr) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Applied Materials Inc. | Adaptateur, chambre et dispositif de traitement au plasma |
| JP2005332985A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体製造装置およびそれを用いて製造した光起電力装置 |
| JP2012178285A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP2013045799A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2015032819A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
| JP2015037139A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
| JP2018181966A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | サムコ株式会社 | 防着板及びこれを備えるプラズマ処理装置 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP8155167A patent/JPH108269A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297165B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Etching and cleaning methods |
| WO2002007197A1 (fr) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Applied Materials Inc. | Adaptateur, chambre et dispositif de traitement au plasma |
| JP2005332985A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体製造装置およびそれを用いて製造した光起電力装置 |
| JP2012178285A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| JP2013045799A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2015032819A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
| JP2015037139A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
| JP2018181966A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | サムコ株式会社 | 防着板及びこれを備えるプラズマ処理装置 |
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