JP2015032819A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 63
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】プラズマ捕捉リング部材でプラズマを確実に捕捉してガスだけを排気させること。【解決手段】本発明のプラズマエッチング装置（１）は、ハウジング（２）内に配置された下部電極ユニット（４）と上部電極ユニット（５）との間に電圧を印加して、プラズマ発生用ガスで満たされたプラズマ発生領域（３１）で下部電極ユニット上の被加工物（Ｗ）をプラズマエッチングする。また、プラズマエッチング装置には、下部電極ユニットの周囲を覆うようにチャンバー室（３）を上下に仕切るプラズマ捕捉リング部材（６１）が設けられており、プラズマ捕捉リング部材を上部電極ユニットと下部電極ユニットとの間の電界の方向に対して交差する斜め方向にスリット（６４）が貫通する構成にした。【選択図】図１
Description
本発明は、半導体ウェーハ等をガスプラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置に関する。
半導体デバイスの製造工程では、研削加工によって薄化された半導体ウェーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、デバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。半導体ウェーハが研削されると、半導体ウェーハの被研削面に研削歪が残存し、分割後の各デバイスの抗折強度が低下するという問題がある。この問題を解決するために、半導体ウェーハの被研削面にプラズマエッチングを施すことによって、半導体ウェーハの被研削面の研削歪を除去してデバイスの抗折強度を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のプラズマエッチング装置には、ハウジング内に上部電極ユニットと下部電極ユニットとが配置されており、ハウジング内にプラズマ発生用ガスが導入される。そして、上部電極ユニットと下部電極ユニットとの間で電圧が印加されることでプラズマが発生して、下部電極ユニットに保持された半導体ウェーハがエッチングされて研削歪が除去される。ハウジング内には、エッチング空間にプラズマを閉じ込めるようにプラズマ捕捉リング部材（confinement ring）が設けられている。プラズマ捕捉部にはスリットや孔が形成され、プラズマを捕捉してガスだけを排出口から排気させている。
しかしながら、特許文献１に記載のプラズマエッチング装置では、プラズマ捕捉リング部材にスリットや孔を形成することによってプラズマを捕捉しているが、スリットや孔の向きによってはプラズマを完全に遮断することができないという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、プラズマ捕捉リング部材でプラズマを確実に捕捉してガスだけを排気させることができるプラズマエッチング装置を提供することを目的とする。
本発明のプラズマエッチング装置は、ハウジングと、該ハウジング内に配設され上面に被加工物を保持する保持面を有する被加工物保持テーブルを備えた下部電極ユニットと、該下部電極ユニットの該被加工物保持テーブルと対向して配設され該被加工物保持テーブルに向けてプラズマ発生用ガスを噴出する噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極ユニットと、該ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、該ハウジング内を減圧する減圧手段と、を具備するプラズマエッチング装置において、該ハウジングには、該被加工物保持テーブルよりも下方に開口し該減圧手段に連通した排出口を有し、該ハウジング内には、該被加工物保持テーブルの該保持面よりも下方で且つ該排出口よりも上方の位置に該被加工物保持テーブル外周及び該ハウジング内壁の間に配設され該ハウジング内の該被加工物保持テーブルの該保持面から上方のプラズマが発生するプラズマ発生領域と該被加工物保持テーブルの下方のガス排出領域とを仕切る円環形状に形成されたプラズマを捕捉しガスのみを通過させるプラズマ捕捉リング部材が配設されており、該プラズマ捕捉リング部材は、薄板の円環形状に形成され該円環形状の内周から外周側に向かって同心円状に複数のスリットが該薄板の上面から下面に貫通し且つ該薄板の該上面から該下面に向けて傾斜して形成され、上方から鉛直方向下向きに発生するプラズマを該スリット内で捕捉しガスのみを該排出口側へ通過させること、を特徴とする。
この構成によれば、上部電極ユニットから下部電極ユニットに電界が発生して、鉛直方向下向きに発生するプラズマによって被加工物保持テーブル上の被加工物がエッチングされる。また、ハウジング内にはプラズマ発生領域とガス排出領域とを仕切るようにプラズマ捕捉リング部材が設けられており、プラズマ捕捉リング部材によってプラズマ発生領域にプラズマが閉じ込められている。この場合、プラズマ捕捉リング部材には、薄板の上面から下面に向かって斜めに貫通したスリットが形成されており、鉛直方向下向きに発生するプラズマはこのスリットの傾斜面によって確実に捕捉され、ハウジング内のガスだけをスリットを通過させて排出口から排出させることができる。
本発明によれば、プラズマ捕捉リング部材の薄板を斜めに貫通するようにスリットを形成することで、プラズマを確実に捕捉してガスだけを排気させることができる。
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置について説明する。図１は、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置の全体模式図である。なお、本実施の形態では、容量結合型プラズマ（CCP: Capacitive Coupled Plasma）のプラズマエッチング装置に本発明を適用した例について説明するが、誘導結合型プラズマ（ICP: Inductive Coupled Plasma）のプラズマエッチング装置やその他各種プラズマエッチング装置にも適用可能である。
図１に示すように、プラズマエッチング装置１は、ハウジング２内のプラズマ発生用ガスをプラズマ化させて、研削後の被加工物Ｗに残存した研削歪をプラズマエッチングによって除去するように構成されている。被加工物Ｗは、略円板状に形成されたシリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体ウェーハであり、研削加工によって裏面７１側が研削された後にプラズマエッチング装置１に搬入される。なお、本実施の形態では、被加工物Ｗとして半導体ウェーハを例示するが、被加工物Ｗは、半導体ウェーハに限らず、プラズマエッチングの対象になれば、どのようなものでもよい。
プラズマエッチング装置１は、ハウジング２によってチャンバー室３が形成されている。ハウジング２の側壁２２には、被加工物Ｗが搬入及び搬出される被加工物搬入搬出用開口２３が形成されており、側壁２２の外壁面には被加工物搬入搬出用開口２３を開閉するゲート２４が取り付けられている。ゲート２４は、エアシリンダ等で構成された不図示のゲート作動手段に連結されており、ゲート作動手段によって上下方向に移動されることで被加工物搬入搬出用開口２３を開閉する。被加工物搬入搬出用開口２３がゲート２４によって閉じられることで、チャンバー室３内が気密に密閉される。
チャンバー室３内には、鉛直方向下方に向かう電界を形成する下部電極ユニット４と上部電極ユニット５とが上下方向で対向して配設されている。下部電極ユニット４は、ハウジング２の底壁２５に設けられた円筒状の支持部材４１に支持されており、チャンバー室３内で所定の高さに位置付けられている。下部電極ユニット４は、導電性材料で形成された被加工物保持テーブル４２の上面に、セラミック材で形成された円板状のテーブル板材４３を取り付けて構成されている。被加工物保持テーブル４２には、下部電極ユニット４と上部電極ユニット５との間に高周波電圧を印加する高周波電源４４が電気的に接続されている。
被加工物保持テーブル４２の上面には円形凹部４５が形成されており、この円形凹部４５にテーブル板材４３が嵌め込まれている。テーブル板材４３の上面には、被加工物Ｗを保持する静電チャック式の保持面４６が形成されている。保持面４６はテーブル板材４３内に埋設された不図示の内部電極に電圧が印加されることで、保持面４６に生じる静電気によって被加工物Ｗが吸着保持される。なお、内部電極は単極構造の双極構造のいずれでもよい。また、被加工物保持テーブル４２は、静電チャックによる吸着の前に、真空チャックによって被加工物Ｗを仮止めする構成としてもよい。
また、被加工物保持テーブル４２内には、冷媒が通る冷却通路４７が形成されている。冷却通路４７は冷却手段４８に接続されており、冷却手段４８から冷却通路４７に冷媒が供給される。エッチング時には、被加工物保持テーブル４２に発生する熱が冷媒に伝達されて、被加工物保持テーブル４２の異常な温度上昇が抑えられている。
上部電極ユニット５は、ハウジング２を貫通する導電性の支柱部５１の下端に設けられている。支柱部５１の上端側は、ハウジング２から上方に突出しており、ハウジング２の上壁２６に設けられた昇降駆動手段５２に連結されている。この昇降駆動手段５２が駆動されることで、上部電極ユニット５が下部電極ユニット４に対して離反又は接近される。上部電極ユニット５は、導電性材料で形成されたガス噴出テーブル５３の下面に、セラミック材で形成された円板状の拡散板材（ガス噴出部）５４を取り付けて構成される。また、ガス噴出テーブル５３は、支柱部５１を介して接地されている。
ガス噴出テーブル５３の下面には円形凹部５５が形成されており、この円形凹部５５に拡散板材５４が嵌め込まれている。この拡散板材５４は、ガス噴出テーブル５３及び支柱部５１内の流路を通じてガス供給手段５６に接続されている。拡散板材５４には、プラズマ発生用ガスを被加工物保持テーブル４２に向けて噴出する多数の噴出口（不図示）が形成されている。ガス供給手段５６から拡散板材５４にプラズマ発生用ガスが供給されることで、拡散板材５４から被加工物保持テーブル４２上の被加工物Ｗに対して全体的にプラズマ発生用ガスが噴射される。
なお、プラズマ発生用ガスとしては、フッ素系ガスを主体とする混合ガスが使用される。例えば、プラズマ発生用ガスとして、六フッ化イオウ（ＳＦ６）、ヘリウム（Ｈｅ）、酸素（Ｏ２）からなる混合ガスを用いてもよいし、六フッ化イオン（ＳＦ６）、三フッ化メチル（ＣＨＦ３）、酸素（Ｏ２）からなる混合ガスを用いてもよいし、六フッ化イオウ（ＳＦ６）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）からなる混合ガスを用いてもよい。
ハウジング２には、被加工物保持テーブル４２の下方に排出口２７が形成されており、排出口２７にはホース２８を介して減圧手段２９が接続されている。減圧手段２９は、いわゆるターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）であり、減圧手段２９によってエアやプラズマ発生用ガスが吸引されることでチャンバー室３内が減圧される。また、ハウジング２の側壁２２は、プラズマエッチング中の反応生成物の付着を防止するための反応物カバー６で覆われている。反応物カバー６の底板は、被加工物保持テーブル４２の周囲でプラズマを捕捉する円環形状のプラズマ捕捉リング部材６１になっている。
反応物カバー６は、アルミニウム等のプラズマに反応しない材質で形成されており、ハウジング２に対して着脱可能に設けられている。プラズマエッチング中の反応性物質は、反応物カバー６に堆積するため、反応物カバー６を取り外すことでハウジング２内のクリーニングを容易にしている。プラズマ捕捉リング部材６１は、チャンバー室３内を、被加工物保持テーブル４２の保持面４６の上方でプラズマが発生するプラズマ発生領域３１と被加工物保持テーブル４２の下方のガス排出領域３２とに仕切るように薄板の円環形状に形成されている。
プラズマ捕捉リング部材６１は、被加工物保持テーブル４２の保持面４６よりも下方で、且つ排出口２７よりも上方の位置において、被加工物保持テーブル４２の外周とハウジング２の側壁２２の内壁面の間を埋めるように配設されており、プラズマ発生領域３１にプラズマを閉じ込めている。また、プラズマ捕捉リング部材６１には、上面から下面に向かって斜めに貫通するスリット６４が形成されており、スリット６４を介してプラズマ発生領域３１とガス排出領域３２とが連通されている。このため、プラズマ発生領域３１において鉛直方向下向きに発生するプラズマはスリット６４の傾斜面で捕捉され、プラズマ発生ガスだけがガス排出領域３２側に通過する。なお、プラズマ捕捉リング部材６１の詳細については後述する。
このように構成されたプラズマエッチング装置１では、ゲート２４からチャンバー室３内に研削加工後の被加工物Ｗが投入され、裏面７１を上方に向けた状態で被加工物Ｗが被加工物保持テーブル４２に保持される。ゲート２４が閉じられて密閉空間が形成されると共に、上部電極ユニット５が下部電極ユニット４に近づけられ、プラズマエッチングに適した電極間距離に調整される。そして、チャンバー室３内が真空排気されて、上部電極ユニット５から被加工物Ｗに向けてプラズマ発生用ガスが噴射される。このプラズマ発生用ガスが噴射された状態で、上部電極ユニット５と下部電極ユニット４との間で高周波電圧が印加される。
この結果、下部電極ユニット４と上部電極ユニット５との間でプラズマが発生し、被加工物Ｗの裏面７１にプラズマが作用して被加工物Ｗの裏面７１がプラズマエッチングされる。これにより、被加工物Ｗの裏面７１に残存した研削歪が除去され、被加工物Ｗの抗折強度が向上される。プラズマ発生領域３１で発生したプラズマがプラズマ捕捉リング部材６１によって遮断されるため、プラズマがプラズマ発生領域３１内に閉じ込められて、プラズマ発生用ガスだけが排出口２７から排気される。よって、減圧手段２９に向かう途中で、ホース２８等にプラズマが反応して不具合が生じることがない。
図２を参照して、反応物カバーについて詳細に説明する。図２Ａは、本実施の形態に係る反応物カバーの斜視図であり、図２Ｂは、本実施の形態に係る反応物カバーの部分断面斜視図である。なお、図２は、反応物カバーの一例を示すものであり、この構成に限定されない。反応物カバーは、プラズマを捕捉してガスだけを通過させるプラズマ捕捉リング部材を備えていれば、どのように構成されていてもよい。
図２Ａに示すように、反応物カバー６においては、プラズマ捕捉リング部材６１が環状の底板になっており、プラズマ捕捉リング部材６１の外縁部に筒状の側板６２が立設されている。側板６２はハウジング２の側壁２２を覆うように形成されており（図１参照）、プラズマエッチング中に側板６２に反応生成物が付着することで、側壁２２に対する反応生成物の付着を防止している。また、側板６２の外径は、ハウジング２内から反応物カバー６を取り外し易いように、側板６２の外面とハウジング２の側壁２２の内壁面との間に僅かな隙間が空くように設計されている（図１参照）。
プラズマ捕捉リング部材６１は、被加工物保持テーブル４２（図１参照）の外周に沿うように、中央に開口部分６５を設けた薄板の円環形状に形成されている。プラズマ捕捉リング部材６１の開口縁部は下方に突出しており、被加工物保持テーブル４２の外周面に当接する当接板６３になっている。また、プラズマ捕捉リング部材６１には、上面視円弧状の複数のスリット６４が径方向に並んでおり、開口部分６５の周囲にはスリット６４の複数の列が作られている。すなわち、プラズマ捕捉リング部材６１には、内周側から外周側に向かって同心円状に複数のスリット６４が配置されている。
図２Ｂに示すように、プラズマ捕捉リング部材６１の複数のスリット６４は、薄板の上面から下面に向けて傾斜して貫通形成されている。各スリット６４は、上面から下面に向かう鉛直方向下向きにおいて、内周側から外周側に向かうように傾斜している。すなわち、スリット６４は、上部電極ユニット５と下部電極ユニット４とによって発生される電界方向である鉛直方向下向きに対して交差する方向に傾斜している。このスリット６４の傾斜によって、プラズマエッチング時にガスの通過を許容する一方で、鉛直方向下向きのプラズマを捕捉する傾斜面６６が形成される。
ここで、図３を参照して、プラズマ捕捉リング部材によるプラズマ捕捉について説明する。図３は、本実施の形態に係るプラズマ捕捉リング部材によるプラズマ捕捉の説明図である。
図３に示すように、ハウジング２内に反応物カバー６が取り付けられ、ハウジング２の側壁２２と被加工物保持テーブル４２との間がプラズマ捕捉リング部材６１に覆われている。このプラズマ捕捉リング部材６１によってチャンバー室３内が上下に仕切られてプラズマ発生領域３１とガス排出領域３２に分けられている。また、プラズマ捕捉リング部材６１には、上記したように上面から下面に向かって斜めに貫通する複数のスリット６４が形成されており、この複数のスリット６４によってプラズマ発生領域３１からガス排出領域３２に向かうガスの流路が形成されている。
この場合、複数のスリット６４において、ガスの流入口となる上面側の開口６７が、ガスの流出口となる下面側の開口６８に対して鉛直方向において重ならないように形成されている。すなわち、各スリット６４の上面側の開口６７の真下には傾斜面６６が位置付けられ、下面側の開口６８が位置付けられることがない。よって、プラズマ発生領域３１からガス排出領域３２に向かう場合には、各スリット６４を鉛直方向に通過することはできず、各スリット６４を傾斜面６６に沿って斜め方向に通過しなければならない。このように、プラズマ捕捉リング部材６１のスリット６４は、傾斜面６６に沿って流れるガスだけを通過させている。
そして、チャンバー室３内にプラズマ発生用ガスが供給され、上部電極ユニット５（図１参照）と下部電極ユニット４との間に高周波電圧が印加される。プラズマ発生領域３１において、鉛直方向下向きに電界が発生し、プラズマ発生用ガスがプラズマ化されて被加工物Ｗの裏面７１に垂直に入射される。これにより、被加工物Ｗの裏面７１がプラズマエッチングされ、プラズマエッチングによって発生した反応生成物が反応物カバー６に付着する。また、プラズマエッチング時には、減圧手段２９（図１参照）によってプラズマ発生領域３１からガス排出領域３２に向かうガスの流れが形成されている。
プラズマ発生領域３１で発生したプラズマＰは、電界の影響を受けて鉛直方向下向きに移動する。このため、被加工物保持テーブル４２の周囲では、プラズマ捕捉リング部材６１にプラズマＰが捕捉される。具体的には、プラズマ捕捉リング部材６１のスリット６４の傾斜面６６は電界の方向に対して交差する方向となるため、このスリット６４の傾斜面６６によってプラズマＰの移動が遮断される。よって、プラズマＰがスリット６４を通過することがなく、プラズマ発生領域３１内にプラズマＰが閉じ込められる。
一方で、プラズマ発生領域３１内のプラズマ発生用ガスは、スリット６４の傾斜面６６に阻害されることなく、矢印Ａに示すように、スリット６４を通ってガス排出領域３２側に流出する。このように、プラズマ捕捉リング部材６１では、プラズマ発生用ガスからプラズマＰが捕捉されて、ガスだけが減圧手段２９（図１参照）に向かって排気される。よって、プラズマＰのガス排出領域３２側への流出が抑えられ、装置各部に反応して不具合が生じることがない。
以上のように、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置１によれば、上部電極ユニット５から下部電極ユニット４に電界が発生して、鉛直方向下向きに発生するプラズマＰによって被加工物保持テーブル４２上の被加工物Ｗがエッチングされる。また、ハウジング２内にはプラズマ発生領域３１とガス排出領域３２とを仕切るようにプラズマ捕捉リング部材６１が設けられており、プラズマ捕捉リング部材６１によってプラズマ発生領域３１にプラズマＰが閉じ込められている。この場合、プラズマ捕捉リング部材６１には、薄板の上面から下面に向かって斜めに貫通したスリット６４が形成されており、鉛直方向下向きに発生するプラズマＰはこのスリット６４の傾斜面６６によって確実に捕捉され、ハウジング２内のガスだけをスリット６４を通過させて排出口２７から排出させることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記した実施の形態において、反応物カバー６とプラズマ捕捉リング部材６１とが一体成形される構成としたが、この構成に限定されない。プラズマ捕捉リング部材６１は、反応物カバー６と別体に形成されていてもよい。
また、上記した実施の形態において、プラズマエッチング装置１は、プラズマ捕捉リング部材６１に側板６２を設けた反応物カバー６を備える構成としたが、この構成に限定されない。プラズマエッチング装置１は、プラズマ捕捉リング部材６１だけを備える構成としてもよい。
また、上記した実施の形態において、プラズマ捕捉リング部材６１のスリット６４が傾斜する構成としたが、この構成に限定されない。スリット６４は、上部電極ユニット５と下部電極ユニット４の間に形成される電界の方向に対して交差するように形成されていればよい。
また、上記した実施の形態において、プラズマ捕捉リング部材６１のスリット６４の開口形状が上面視円弧状に形成されたが、この構成に限定されない。スリット６４の開口形状は、円環形状のプラズマ捕捉リング部材６１に対して同心円状に配置される構成であれば、どのような開口形状でもよい。
以上説明したように、本発明は、プラズマ捕捉リング部材でプラズマを確実に捕捉してガスだけを排気させることができるという効果を有し、特に、半導体ウェーハをプラズマエッチングするプラズマエッチング装置に有用である。
１ プラズマエッチング装置
２ ハウジング
３ チャンバー室
４ 下部電極ユニット
５ 上部電極ユニット
６ 反応物カバー
２３ 被加工物搬入搬出用開口
２４ ゲート
２７ 排出口
２９ 減圧手段
３１ プラズマ発生領域
３２ ガス排出領域
４２ 被加工物保持テーブル
４４ 高周波電源
４６ 保持面
５３ ガス噴出テーブル
５４ 拡散板材（ガス噴出部）
６１ プラズマ捕捉リング部材
６４ スリット
Ｐ プラズマ
Ｗ 被加工物
２ ハウジング
３ チャンバー室
４ 下部電極ユニット
５ 上部電極ユニット
６ 反応物カバー
２３ 被加工物搬入搬出用開口
２４ ゲート
２７ 排出口
２９ 減圧手段
３１ プラズマ発生領域
３２ ガス排出領域
４２ 被加工物保持テーブル
４４ 高周波電源
４６ 保持面
５３ ガス噴出テーブル
５４ 拡散板材（ガス噴出部）
６１ プラズマ捕捉リング部材
６４ スリット
Ｐ プラズマ
Ｗ 被加工物
Claims (1)
- ハウジングと、該ハウジング内に配設され上面に被加工物を保持する保持面を有する被加工物保持テーブルを備えた下部電極ユニットと、該下部電極ユニットの該被加工物保持テーブルと対向して配設され該被加工物保持テーブルに向けてプラズマ発生用ガスを噴出する噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極ユニットと、該ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、該ハウジング内を減圧する減圧手段と、を具備するプラズマエッチング装置において、
該ハウジングには、該被加工物保持テーブルよりも下方に開口し該減圧手段に連通した排出口を有し、
該ハウジング内には、該被加工物保持テーブルの該保持面よりも下方で且つ該排出口よりも上方の位置に該被加工物保持テーブル外周及び該ハウジング内壁の間に配設され該ハウジング内の該被加工物保持テーブルの該保持面から上方のプラズマが発生するプラズマ発生領域と該被加工物保持テーブルの下方のガス排出領域とを仕切る円環形状に形成されたプラズマを捕捉しガスのみを通過させるプラズマ捕捉リング部材が配設されており、
該プラズマ捕捉リング部材は、薄板の円環形状に形成され該円環形状の内周から外周側に向かって同心円状に複数のスリットが該薄板の上面から下面に貫通し且つ該薄板の該上面から該下面に向けて傾斜して形成され、上方から鉛直方向下向きに発生するプラズマを該スリット内で捕捉しガスのみを該排出口側へ通過させること、
を特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013164114A JP6220183B2 (ja) | 2013-08-07 | 2013-08-07 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2013164114A JP6220183B2 (ja) | 2013-08-07 | 2013-08-07 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2015032819A true JP2015032819A (ja) | 2015-02-16 |
| JP6220183B2 JP6220183B2 (ja) | 2017-10-25 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334593A (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种约束环和等离子体处理装置及其排气方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH108269A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-13 | Matsushita Electron Corp | ドライエッチング装置 |
| JP2002151471A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2002533949A (ja) * | 1998-12-28 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング |
| JP2006303309A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2008251744A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009253263A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Tes Co Ltd | プラズマ処理装置 |
-
2013
- 2013-08-07 JP JP2013164114A patent/JP6220183B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH108269A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-13 | Matsushita Electron Corp | ドライエッチング装置 |
| JP2002533949A (ja) * | 1998-12-28 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング |
| JP2002151471A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006303309A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2008251744A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009253263A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Tes Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334593A (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种约束环和等离子体处理装置及其排气方法 |
| CN114334593B (zh) * | 2020-09-29 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种约束环和等离子体处理装置及其排气方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP6220183B2 (ja) | 2017-10-25 |
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