JP2004296460A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ処理反応室のチャンバの一部、つまり真空容器の一部を構成する下容器や蓋枠といった金属製部材をプラズマから保護し、汚染の少ない処理被処理基板を得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】少なくとも一部に金属製のチャンバ壁（下容器１、蓋枠７等）を有するチャンバ（真空容器１０）内で、被処理基板６へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、前記金属製のチャンバ壁（下容器１、蓋枠７等）と他のチャンバ壁（絶縁材の上容器２等）との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材８を設ける。
【選択図】 図１
【解決手段】少なくとも一部に金属製のチャンバ壁（下容器１、蓋枠７等）を有するチャンバ（真空容器１０）内で、被処理基板６へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、前記金属製のチャンバ壁（下容器１、蓋枠７等）と他のチャンバ壁（絶縁材の上容器２等）との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材８を設ける。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを利用して各種処理を行う装置、例えば被処理基板の表面に形成された膜をプラズマによってドライエッチングするプラズマエッチング装置や、プラズマによる気相反応を利用して被処理基板の表面に薄膜を作成するプラズマＣＶＤ（化学蒸着）装置に用いられるプラズマ処理装置に係り、特にその反応室を形成するチャンバ（真空容器）の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種半導体デバイスや液晶ディスプレイ、太陽電池等の製造工程においてプラズマを利用した処理が盛んに行われている。例えば、シリコン半導体上に形成した酸化シリコン膜のエッチングでは、ドライエッチングの手法の一つとして、プラズマ中で生成される活性種やイオンの作用を利用してエッチングをすることが行われている。また、半導体デバイスの高集積化に伴って配線も多層配線になり、配線と配線の間に絶縁膜（層間絶縁膜）を設けなければならない。プロセスを行う反応室の中に反応性ガスを導入し、熱を加えてガスを反応させ、基板表面に成膜する方法もあるが、この方法は、比較的に高い温度を必要とするのでデバイスに不具合も多く、最近は反応の活性化に必要なエネルギーはグロー放電を通じて生ずるプラズマによって与えられるプラズマＣＶＤ法が広く使われている。さらに、太陽電池などの成膜にもプラズマＣＶＤ法が使われている。
【０００３】
従来のプラズマ処理装置としては、反応室のチャンバを形成する真空容器の外に筒状の電極を配置した変形マグネトロン高周波放電型のプラズマ処理装置が注目されている。
【０００４】
図７はこの従来のプラズマ装置の断面を示す。反応室のチャンバを形成する真空容器１０は、金属製の下容器１と、絶縁材（ここではアルミナ）から成るドーム状の上容器２とから構成され、内部の部品交換や洗浄のため開閉できる構造となっている。通常、この開閉される上容器２の下部と下容器１との間には、シール部材としてＯリングが介設され、これにより真空容器１０が密閉されて内部が真空に保持可能とされ、真空容器１０の内部にプラズマ処理領域（反応室）２０が形成される。
【０００５】
図７の場合には、上容器２がアルミナ製であり開閉時に損傷を受け易いことを考慮し、上容器２の下面に金属製の蓋枠７が設けられている。すなわち、反応室内部の部品交換などの際、上容器２はその下面の金属製の蓋枠７と共に開閉される。そして真空容器１０の内部を真空保持可能とするため、上容器２と蓋枠７の間、蓋枠７と下容器１との間には、いずれもＯリング９ａ、９ｂが設けられている。
【０００６】
上容器２は上部に反応ガスをシャワー状に供給するシャワー板１１を備えており、この上容器２の上にＯリング９ｃを介して、金属製の上蓋４が設置される。この上蓋４は電極としても使用でき、高周波が供給できるようになっている。２種類以上のガスを使用する場合は、上容器２のシャワー板１１と上蓋４の間に形成されるガス分散室１２でガスが混合できる。
【０００７】
真空容器１０の外側壁には、マグネトロン放電用の高周波電界を形成して、真空容器１０内に給気されるガスを放電させる、例えば円筒状の放電用電極３が設けられる。この放電用電極３は高周波電源に接続されており、電極に高周波が供給されるようになっている。
【０００８】
同じく真空容器１０の外側壁にはリング状に形成された上下一対の永久磁石１３が設けられる。この永久磁石１３は、円筒状放電用電極３を囲むようにリング状に配設される。一対の永久磁石１３は、その径方向に着磁され、互いに逆向きに着磁されている。これにより、円筒状の放電用電極３の軸方向にほぼ平行な成分の磁界を有するような磁力線を、円筒状放電用電極３内面に沿って円筒軸方向に形成するようになっている。
【０００９】
上記構成の装置により、チャンバ内真空状態で所定のガスを導入し円筒状の電極３に高周波を印加することで、ドーム状の上容器２内部にプラズマができる。下容器１内にはサセプタ５が配置され、この上にシリコンウェハなどの被処理基板６が設置されている。上容器２内部に生成されたプラズマは拡散され、被処理基板６上においてほぼ均一なプラズマ密度となり、均一な処理が可能となる。
【００１０】
次に基板処理の流れについて説明する。
図示しない基板搬送手段によって、反応室内のサセプタ５上に被処理基板６を搬送し、図示しない排気手段を用い反応室内を真空にする。
次に被処理基板６をその処理に適した温度に加熱する。被処理基板６の加熱は、ここではサセプタ内に埋め込んだ抵抗加熱ヒータによるが、ランプを使用し赤外線で被処理基板を加熱したり、不活性ガスを使用してプラズマをたてそのエネルギーを利用して被処理基板を加熱する方法などもある。
【００１１】
被処理基板６を所定の温度に加熱した後、処理ガス供給ラインからシャワー板１１を備えた上容器２に処理ガスを投入し、下容器１内に供給する。同時に、高周波電源から高周波を円筒状の放電用電極３に印加し、上容器２内にプラズマを発生させ、処理を行う。ガスの供給から停止、高周波の供給から停止までの一連の処理の間、排気手段によって真空容器１０内は所定の圧力に保たれている。
処理が終わった被処理基板６は搬送手段を用いて反応室外へ搬送される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のプラズマ処理装置に見られるように、一般にプラズマ処理装置の反応室としてのチャンバを形成する真空容器は、その全てが絶縁性ではなく、少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバとして構成される。
【００１３】
従って、従来のプラズマ処理装置の場合、上記の基板処理時において、プラズマ化したガスの一部は被処理基板に向かうが、その他は金属製の蓋枠７や下容器１、上蓋４などに向かう。そして、プラズマ化したガスが金属製の蓋枠７や下容器１に向かうことによって、金属製の蓋枠７や下容器１が粒子からダメージを受けることになる。ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板６に付着して金属汚染をもたらすことがある。
【００１４】
例えば、寸法精度上の問題から部材と部材の間に微少な隙間ができるが、その隙間からプラズマ化した粒子が金属製の下容器等にダメージを与えてしまう。さらに悪いことに粒子は電気的にみて抵抗の少ない部分を通ろうとするので、金属のエッジ部分は粒子が集中しやすく、ダメージも受けやすい。
【００１５】
また、上容器２の下に、金属製の蓋枠７との間のＯリング９ａ、９ｂがあるが、Ｏリング９ａ、９ｂも粒子からダメージを受けてしまうという問題もある。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、プラズマ処理反応室のチャンバの一部、つまり真空容器の一部を構成する下容器や蓋枠といった金属製部材をプラズマから保護し、汚染の少ない処理被処理基板を得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバ内で、被処理基板へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、前記金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁（金属製、誘電体、絶縁体のいずれでも良い）との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材を設けたことを特徴とする。
【００１７】
本発明のプラズマ処理装置において問題とするのは、チャンバが金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁（金属製、誘電体、絶縁体のいずれでも良い）とで構成される場合における、その両者間で行われるシール部分であり、本発明は、少なくとも、当該シール部分のチャンバ内面の側方、つまり真空シール面側方に、絶縁性保護部材を設けるものである。
【００１８】
このように構成すると、金属製の下容器の内面やエッジ部分、更には金属製の蓋枠の内面やエッジ部分へ向かうプラズマの流れが絶縁性保護部材で阻止され、これらの金属製部分が粒子からダメージを受けなくなる。従って、ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板に付着して金属汚染をもたらす、という不都合を避けることができる。
【００１９】
また、絶縁性保護部材によって同時にシール部分のＯリングも保護されるため、Ｏリングも粒子からダメージを受けなくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のプラズマ処理装置の実施の形態を説明する。
【００２１】
［実施形態１］
本発明の実施形態１の構成を、図１に示す。
図１はプラズマ装置の概略断面を示す。反応室のチャンバを形成する真空容器１０は、金属製の下容器１と、絶縁材（ここではアルミナ）から成るドーム状の上容器２とから構成され、内部の部品交換や洗浄のため開閉できる構造となっている。このアルミナ製の上容器２が開閉時に損傷を受けないように、上容器２の下面には、金属製の蓋枠７が設けられている。従って、反応室内部の部品交換などの際、上容器２はその下面の金属製の蓋枠７と共に開閉される。
【００２２】
このように、チャンバ壁は、その一部を構成するドーム状の上容器２が絶縁材から構成され、他の一部が蓋枠７と下容器１が金属材料から構成される。なおドーム状の上容器２の材質は、ここでは誘電体であるアルミナであるが、石英や、セラミックなどの誘電体から構成することもできる。
【００２３】
チャンバの内部を真空保持可能とするため、上容器２と蓋枠７の間にはＯリング９ａが、また蓋枠７と下容器１との間にはＯリング９ｂが設けられている。これにより真空容器１０が密閉されてチャンバ内部が真空に保持可能とされ、チャンバ（真空容器１０）の内部にプラズマ処理領域（反応室）２０が形成される。
【００２４】
チャンバ（真空容器１０）の下容器１内には、抵抗加熱ヒータを内蔵したサセプタ５が設けてあり、これに被処理基板６を載置するようになっている。この実施形態の場合、サセプタ５は静止タイプのものであり、下容器１との間がＯリング９ｄによりシールされる。しかし、本発明は回転式のサセプタを持つプラズマ処理装置に適用することもできる。また被処理基板６の加熱手段として、ここではサセプタ内に埋め込んだ抵抗加熱ヒータによるが、ランプを使用し赤外線で被処理基板を加熱したり、不活性ガスを使用してプラズマをたてそのエネルギーを利用して被処理基板を加熱する方法などでもよい。
【００２５】
上容器２は、その上部に、反応ガスをシャワー状に供給し、被処理基板６へのプラズマ処理均一性を向上するシャワー板１１を備えている。この上容器２の上には、Ｏリング９ｃを介して、ガス給気手段としてのガス給気口１４を中央に有する金属製の上蓋４が設置される。この上蓋４は電極としても使用でき、高周波が供給できるようになっている。上容器２のシャワー板１１と上蓋４の間に形成されるガス分散室１２は、２種類以上のガスを使用する場合に、ガスを混合する役目も兼ねている。
【００２６】
真空容器１０の外側壁には、マグネトロン放電用の高周波電界を形成して、真空容器１０内に給気されるガスを放電させる、例えば円筒状の放電用電極３が設けられる。この放電用電極３は高周波電源に接続されており、電極に高周波が供給されるようになっている。
【００２７】
同じく真空容器１０の外側壁にはリング状に形成された上下一対の永久磁石１３が設けられる。この永久磁石１３は、円筒状放電用電極３を囲むようにリング状に配設される。一対の永久磁石１３は、その径方向に着磁され、互いに逆向きに着磁されている。これにより、円筒状の放電用電極３の軸方向にほぼ平行な成分の磁界を有するような磁力線を、円筒状放電用電極３内面に沿って円筒軸方向に形成するようになっている。
【００２８】
上記構成の装置により、チャンバ内真空状態で所定のガスを導入し円筒状の電極３に高周波を印加することで、ドーム状の上容器２内部にプラズマができる。下容器１内にはサセプタ５が配置され、この上にシリコンウェハなどの被処理基板６が設置されている。上容器２内部に生成されたプラズマは拡散され、被処理基板６上においてほぼ均一なプラズマ密度となり、均一な処理が可能となる。
【００２９】
上記チャンバ（真空容器１０）の内壁には、下容器１から蓋枠７の内壁にかけて、金属製の蓋枠７及び下容器１の表面をプラズマから保護するための絶縁性保護部材８が設けられている。この絶縁性保護部材８は絶縁材である石英やセラミック等から成り、チャンバの内面に保護層の形で設けられる。この保護層の形をした絶縁性保護部材８は、正確には、金属製の下容器１の底面からその内周面全面を覆い、さらに金属製のチャンバ壁である蓋枠７の内周面を覆うように、チャンバの内面に接着により張設され、しかも張設された後の絶縁性保護部材８の内側面が上容器２の内側面と同じ面一になるように設けられる。
【００３０】
この絶縁性保護部材８から成る保護層を、その内側面が上容器２と同じ面一になるように設ける目的で、金属製のチャンバ壁である蓋枠７及び下容器１と、他の絶縁材のチャンバ壁である上容器２との間には、図２に示すように、チャンバの半径方向に段差Δが形成されている。すなわち、金属製のチャンバ壁である蓋枠７及び下容器１の内径の方が、上容器２の内径よりも大きくなっており、その段差Δによって形成される段差凹部１５内に、絶縁性保護部材８の肉厚が丁度収まる関係になっている。
【００３１】
上記のように、下容器１及び蓋枠７の内側に、チャンバ表面をプラズマから保護するための絶縁性保護部材８を設けることにより、それら金属製の部材及びＯリング９ａ、９ｂが絶縁性保護部材８で覆われて、プラズマ粒子に晒されることから保護される。
【００３２】
［実施形態２］
上記実施形態１では、絶縁性保護部材８をチャンバの真空シール面側方に位置させる形態の一つとして、金属製の蓋枠７の上面と上容器２とのシール面の側方と、蓋枠７の下面と下容器１とのシール面の側方とに存在するように絶縁性保護部材８を設けた。
【００３３】
しかし、上記構成の場合、絶縁性保護部材８は絶縁材である石英やセラミックからなどから製作されるので、寸法精度上の問題から部材と部材の間に微少な隙間ができる。従って、その隙間からプラズマ化した粒子が下容器等にダメージを与えてしまう。さらに悪いことに、粒子は電気的にみて抵抗の少ない部分を通ろうとするので、金属のエッジ部分は粒子が集中しやすく、ダメージも受けやすい。また、上容器２の下に金属製の蓋枠７との間のＯリング９ａがあるが、このＯリング９ａが粒子からダメージを受けてしまうという問題もある。
【００３４】
図３は、上記問題点を解消した実施形態の一つ（実施形態２）を示す。
この実施形態２は、上記実施形態１におけるアルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、Ｏリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、この垂下部２ａにより、金属製の蓋枠７のエッジ部分１６を保護するようにしたものである。
【００３５】
また、この下に伸ばした垂下部２ａの長さに対応して、保護部材８の高さ寸法を図２の場合よりも低くしている。すなわち、この実施形態の絶縁性保護部材８は、金属製の下容器１の底面からその内周面全面を覆い、さらに金属製のチャンバ壁である蓋枠７の内周面の途中までを覆うように、チャンバの内面に接着により張設され、残りの蓋枠７の上位部分は、アルミナ製の上容器２の垂下部２ａにより覆われている。張設された後の絶縁性保護部材８の内側面は、上容器２の内側面及び垂下部２ａと同じ面一になるように設けられる。
【００３６】
上記のように構成することにより、金属製の蓋枠７のエッジ部分１６は垂下部２ａにより覆われると共に、このエッジ部分１６を、垂下部２ａと絶縁性保護部材８の間の隙間１７から遠ざけることができる。この結果、図３は、上容器２と絶縁性保護部材８の隙間近くには金属のエッジがない構成となる。
【００３７】
つまり、この実施形態２では、上容器２と絶縁性保護部材８との隙間１７が、金属製の蓋枠７のエッジ部１６に遠いため、粒子の集中を防ぐことができ、金属部材からの汚染が少なくなる。またプラズマ発生源であるドーム内部からＯリング９ａ、９ｂが直線的に見えないので、つまり粒子が迷路状になった隙間通路を通過することになって粒子が通過しにくくなるので、Ｏリング９ａ、９ｂの劣化も少なくなる。
【００３８】
［実施形態３］
図４に、金属のエッジ部分を隙間から遠ざけた別の実施の形態（実施形態３）を示す。
この実施形態３では、アルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、金属製の蓋枠７のエッジ部分１６を保護するようにＯリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、また、この垂下部２ａに対応して、保護部材８の寸法を下容器１の内面領域だけを保護するような高さ寸法としている。
【００３９】
さらに、上容器２と保護部材８との隙間１７の外側には、粒子が直線的に金属製の蓋枠７や下容器１に向かわないように、絶縁性保護部材８と同じ材質の第二の絶縁性保護部材１８がリング状に設けられている。この第二の絶縁性保護部材１８も、その表面を下容器１及び蓋枠７の内周面と同じ面一にするため、下容器１及び蓋枠７の内周面に設けた環状溝から成る凹部１９内に設けられている。
【００４０】
この実施形態３では、実施形態２と同様に、上容器２と絶縁性保護部材８の隙間１７が金属製の蓋枠７のエッジ部分１６に遠くなりことから、粒子の集中を防ぐことができる。また、プラズマ発生源であるドーム内部からＯリング９ａ、９ｂが直線的に見えないので、つまり粒子が迷路状になった隙間通路を通過することとなって、粒子が通過しにくくなるので、金属部材からの汚染が少なくなる。またプラズマ発生源であるドーム内部からＯリング９ａ、９ｂが直線的に見えないので、つまり粒子が迷路状になった隙間通路を通過することとなって、粒子が通過しにくくなるので、Ｏリング９ａ、９ｂの劣化も少なくなる。
【００４１】
［実施形態４、５］
上記実施形態では、上容器２の下面に金属製の蓋枠７を具備する形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上容器２の下面に金属製の蓋枠７を具備しない形態についても適用することができる。
図５及び図６に、この場合の実施形態を示す。このうち図５は、上記図３の実施形態に対応した態様（実施形態４）を示すもので、アルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、Ｏリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、この垂下部２ａにより、金属製の下容器１のエッジ部分２１及びＯリング９ａを保護するようにしたものである。
【００４２】
図６は、上記図４の実施形態に対応した態様（実施形態５）を示すもので、アルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、Ｏリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、この垂下部２ａにより、金属製の下容器１のエッジ部分２１及びＯリング９ａを保護する。
【００４３】
さらに、上容器２と保護部材８との隙間１７の外側には、粒子が直線的に金属製の下容器１に向かわないように、絶縁性保護部材８と同じ材質の第二の絶縁性保護部材１８がリング状に設けられる。そして、この第二の絶縁性保護部材１８も、その表面を下容器１の内周面と同じ面一にするため、下容器１の内周面に設けた環状溝から成る凹部２２内に設けられる。
【００４４】
【実施例】
次に、上記実施形態１〜３（図２〜図４）の実施例について述べる。
金属製の下容器１、蓋枠７及び上蓋４は、全てアルミ合金製とした。またＯリング９ａ〜９ｄの材質には、〔ＪＩＳ Ｂ ２４０１ ４種Ｄフッ素ゴム〕（Ｖｉｔｏｎ：ヴィトン（登録商標））、〔パーフロロエラストマー〕（Ｋａｌｒｅｚ：カーレッツ（登録商標））などを用いた。
【００４５】
そして、絶縁性保護部材８は石英又はセラミック製とし、次のようにして取り付けた。すなわち、絶縁性保護部材８は、リング形状として形成し、かつ、絶縁性保護部材８の外側でチャンバ壁の内側に丁度位置するような寸法のものとして作製した。そして、これをチャンバ（真空容器１０）に設けてある段差凹部１５に収まるように載せることにより、チャンバ内面に絶縁性保護部材８を取り付けた。
【００４６】
上記構成のプラズマ処理装置を用い、次のような条件でプラズマ処理を行った。
＜プラズマ処理条件１＞
膜種：基板表面窒化（Ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）Ｓｉ３Ｎ４
処理ガス：Ｎ２ ５００ｓｃｃｍ
円筒電極印加用高周波電源：ＲＦ２５０Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
反応室内圧力：１０〜５０Ｐａ
基板温度：４００℃
【００４７】
＜プラズマ処理条件２＞
膜種：基板表面酸化
処理ガス：Ｏ２ ２００ｓｃｃｍ
円筒電極印加用高周波電源：ＲＦ１００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
反応室内圧力：１０Ｐａ
基板温度：４００℃
【００４８】
＜プラズマ処理条件３＞
膜種：基板表面酸化
処理ガス：Ｋｒ ３７５ｓｃｃｍ、Ｏ２ １５ｓｃｃｍ
円筒電極印加用高周波電源：ＲＦ１００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
反応室内圧力：９５Ｐａ
基板温度：４００℃
【００４９】
この結果、いずれのプラズマ処理の場合でも、金属製の蓋枠や下容器が粒子からダメージを受けなくなり、従来における、ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板に付着して金属汚染をもたらす、という不都合を防止することができた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバ内で、被処理基板へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、前記金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材を設けた構成としたので、例えば金属製の下容器の内面やエッジ部分、更には金属製の蓋枠の内面やエッジ部分などの金属製部分へ向かうプラズマの流れが絶縁性保護部材で阻止され、これらの金属製部分が粒子からダメージを受けなくなる。従って、ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板に付着して金属汚染をもたらす、という不都合を避けることができる。
【００５１】
また、絶縁性保護部材によって同時にシール部分のＯリングも保護されるため、Ｏリングも粒子からダメージを受けなくなる。
【００５２】
すなわち、本発明によれば、プラズマ処理装置における反応室のチャンバ壁を構成する金属部材又はＯリングをプラズマから保護し、汚染の少ない処理被処理基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】図１のチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図３】本発明の第二の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図４】本発明の第三の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図５】本発明の第四の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図６】本発明の第五の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図７】従来のプラズマ処理装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 下容器（金属製）
２ 上容器（絶縁材）
２ａ 垂下部
３ 放電用電極
４ 上蓋（金属製）
５ サセプタ
６ 被処理基板
７ 蓋枠（金属製）
８ 絶縁性保護部材
９ａ〜９ｄ Ｏリング
１０ 真空容器（チャンバ）
１３ 永久磁石
１５ 段差凹部
１６、２１ エッジ部分
１７ 隙間
１８ 第二の絶縁性保護部材
１９、２２ 環状溝から成る凹部
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを利用して各種処理を行う装置、例えば被処理基板の表面に形成された膜をプラズマによってドライエッチングするプラズマエッチング装置や、プラズマによる気相反応を利用して被処理基板の表面に薄膜を作成するプラズマＣＶＤ（化学蒸着）装置に用いられるプラズマ処理装置に係り、特にその反応室を形成するチャンバ（真空容器）の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種半導体デバイスや液晶ディスプレイ、太陽電池等の製造工程においてプラズマを利用した処理が盛んに行われている。例えば、シリコン半導体上に形成した酸化シリコン膜のエッチングでは、ドライエッチングの手法の一つとして、プラズマ中で生成される活性種やイオンの作用を利用してエッチングをすることが行われている。また、半導体デバイスの高集積化に伴って配線も多層配線になり、配線と配線の間に絶縁膜（層間絶縁膜）を設けなければならない。プロセスを行う反応室の中に反応性ガスを導入し、熱を加えてガスを反応させ、基板表面に成膜する方法もあるが、この方法は、比較的に高い温度を必要とするのでデバイスに不具合も多く、最近は反応の活性化に必要なエネルギーはグロー放電を通じて生ずるプラズマによって与えられるプラズマＣＶＤ法が広く使われている。さらに、太陽電池などの成膜にもプラズマＣＶＤ法が使われている。
【０００３】
従来のプラズマ処理装置としては、反応室のチャンバを形成する真空容器の外に筒状の電極を配置した変形マグネトロン高周波放電型のプラズマ処理装置が注目されている。
【０００４】
図７はこの従来のプラズマ装置の断面を示す。反応室のチャンバを形成する真空容器１０は、金属製の下容器１と、絶縁材（ここではアルミナ）から成るドーム状の上容器２とから構成され、内部の部品交換や洗浄のため開閉できる構造となっている。通常、この開閉される上容器２の下部と下容器１との間には、シール部材としてＯリングが介設され、これにより真空容器１０が密閉されて内部が真空に保持可能とされ、真空容器１０の内部にプラズマ処理領域（反応室）２０が形成される。
【０００５】
図７の場合には、上容器２がアルミナ製であり開閉時に損傷を受け易いことを考慮し、上容器２の下面に金属製の蓋枠７が設けられている。すなわち、反応室内部の部品交換などの際、上容器２はその下面の金属製の蓋枠７と共に開閉される。そして真空容器１０の内部を真空保持可能とするため、上容器２と蓋枠７の間、蓋枠７と下容器１との間には、いずれもＯリング９ａ、９ｂが設けられている。
【０００６】
上容器２は上部に反応ガスをシャワー状に供給するシャワー板１１を備えており、この上容器２の上にＯリング９ｃを介して、金属製の上蓋４が設置される。この上蓋４は電極としても使用でき、高周波が供給できるようになっている。２種類以上のガスを使用する場合は、上容器２のシャワー板１１と上蓋４の間に形成されるガス分散室１２でガスが混合できる。
【０００７】
真空容器１０の外側壁には、マグネトロン放電用の高周波電界を形成して、真空容器１０内に給気されるガスを放電させる、例えば円筒状の放電用電極３が設けられる。この放電用電極３は高周波電源に接続されており、電極に高周波が供給されるようになっている。
【０００８】
同じく真空容器１０の外側壁にはリング状に形成された上下一対の永久磁石１３が設けられる。この永久磁石１３は、円筒状放電用電極３を囲むようにリング状に配設される。一対の永久磁石１３は、その径方向に着磁され、互いに逆向きに着磁されている。これにより、円筒状の放電用電極３の軸方向にほぼ平行な成分の磁界を有するような磁力線を、円筒状放電用電極３内面に沿って円筒軸方向に形成するようになっている。
【０００９】
上記構成の装置により、チャンバ内真空状態で所定のガスを導入し円筒状の電極３に高周波を印加することで、ドーム状の上容器２内部にプラズマができる。下容器１内にはサセプタ５が配置され、この上にシリコンウェハなどの被処理基板６が設置されている。上容器２内部に生成されたプラズマは拡散され、被処理基板６上においてほぼ均一なプラズマ密度となり、均一な処理が可能となる。
【００１０】
次に基板処理の流れについて説明する。
図示しない基板搬送手段によって、反応室内のサセプタ５上に被処理基板６を搬送し、図示しない排気手段を用い反応室内を真空にする。
次に被処理基板６をその処理に適した温度に加熱する。被処理基板６の加熱は、ここではサセプタ内に埋め込んだ抵抗加熱ヒータによるが、ランプを使用し赤外線で被処理基板を加熱したり、不活性ガスを使用してプラズマをたてそのエネルギーを利用して被処理基板を加熱する方法などもある。
【００１１】
被処理基板６を所定の温度に加熱した後、処理ガス供給ラインからシャワー板１１を備えた上容器２に処理ガスを投入し、下容器１内に供給する。同時に、高周波電源から高周波を円筒状の放電用電極３に印加し、上容器２内にプラズマを発生させ、処理を行う。ガスの供給から停止、高周波の供給から停止までの一連の処理の間、排気手段によって真空容器１０内は所定の圧力に保たれている。
処理が終わった被処理基板６は搬送手段を用いて反応室外へ搬送される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のプラズマ処理装置に見られるように、一般にプラズマ処理装置の反応室としてのチャンバを形成する真空容器は、その全てが絶縁性ではなく、少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバとして構成される。
【００１３】
従って、従来のプラズマ処理装置の場合、上記の基板処理時において、プラズマ化したガスの一部は被処理基板に向かうが、その他は金属製の蓋枠７や下容器１、上蓋４などに向かう。そして、プラズマ化したガスが金属製の蓋枠７や下容器１に向かうことによって、金属製の蓋枠７や下容器１が粒子からダメージを受けることになる。ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板６に付着して金属汚染をもたらすことがある。
【００１４】
例えば、寸法精度上の問題から部材と部材の間に微少な隙間ができるが、その隙間からプラズマ化した粒子が金属製の下容器等にダメージを与えてしまう。さらに悪いことに粒子は電気的にみて抵抗の少ない部分を通ろうとするので、金属のエッジ部分は粒子が集中しやすく、ダメージも受けやすい。
【００１５】
また、上容器２の下に、金属製の蓋枠７との間のＯリング９ａ、９ｂがあるが、Ｏリング９ａ、９ｂも粒子からダメージを受けてしまうという問題もある。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、プラズマ処理反応室のチャンバの一部、つまり真空容器の一部を構成する下容器や蓋枠といった金属製部材をプラズマから保護し、汚染の少ない処理被処理基板を得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバ内で、被処理基板へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、前記金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁（金属製、誘電体、絶縁体のいずれでも良い）との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材を設けたことを特徴とする。
【００１７】
本発明のプラズマ処理装置において問題とするのは、チャンバが金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁（金属製、誘電体、絶縁体のいずれでも良い）とで構成される場合における、その両者間で行われるシール部分であり、本発明は、少なくとも、当該シール部分のチャンバ内面の側方、つまり真空シール面側方に、絶縁性保護部材を設けるものである。
【００１８】
このように構成すると、金属製の下容器の内面やエッジ部分、更には金属製の蓋枠の内面やエッジ部分へ向かうプラズマの流れが絶縁性保護部材で阻止され、これらの金属製部分が粒子からダメージを受けなくなる。従って、ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板に付着して金属汚染をもたらす、という不都合を避けることができる。
【００１９】
また、絶縁性保護部材によって同時にシール部分のＯリングも保護されるため、Ｏリングも粒子からダメージを受けなくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のプラズマ処理装置の実施の形態を説明する。
【００２１】
［実施形態１］
本発明の実施形態１の構成を、図１に示す。
図１はプラズマ装置の概略断面を示す。反応室のチャンバを形成する真空容器１０は、金属製の下容器１と、絶縁材（ここではアルミナ）から成るドーム状の上容器２とから構成され、内部の部品交換や洗浄のため開閉できる構造となっている。このアルミナ製の上容器２が開閉時に損傷を受けないように、上容器２の下面には、金属製の蓋枠７が設けられている。従って、反応室内部の部品交換などの際、上容器２はその下面の金属製の蓋枠７と共に開閉される。
【００２２】
このように、チャンバ壁は、その一部を構成するドーム状の上容器２が絶縁材から構成され、他の一部が蓋枠７と下容器１が金属材料から構成される。なおドーム状の上容器２の材質は、ここでは誘電体であるアルミナであるが、石英や、セラミックなどの誘電体から構成することもできる。
【００２３】
チャンバの内部を真空保持可能とするため、上容器２と蓋枠７の間にはＯリング９ａが、また蓋枠７と下容器１との間にはＯリング９ｂが設けられている。これにより真空容器１０が密閉されてチャンバ内部が真空に保持可能とされ、チャンバ（真空容器１０）の内部にプラズマ処理領域（反応室）２０が形成される。
【００２４】
チャンバ（真空容器１０）の下容器１内には、抵抗加熱ヒータを内蔵したサセプタ５が設けてあり、これに被処理基板６を載置するようになっている。この実施形態の場合、サセプタ５は静止タイプのものであり、下容器１との間がＯリング９ｄによりシールされる。しかし、本発明は回転式のサセプタを持つプラズマ処理装置に適用することもできる。また被処理基板６の加熱手段として、ここではサセプタ内に埋め込んだ抵抗加熱ヒータによるが、ランプを使用し赤外線で被処理基板を加熱したり、不活性ガスを使用してプラズマをたてそのエネルギーを利用して被処理基板を加熱する方法などでもよい。
【００２５】
上容器２は、その上部に、反応ガスをシャワー状に供給し、被処理基板６へのプラズマ処理均一性を向上するシャワー板１１を備えている。この上容器２の上には、Ｏリング９ｃを介して、ガス給気手段としてのガス給気口１４を中央に有する金属製の上蓋４が設置される。この上蓋４は電極としても使用でき、高周波が供給できるようになっている。上容器２のシャワー板１１と上蓋４の間に形成されるガス分散室１２は、２種類以上のガスを使用する場合に、ガスを混合する役目も兼ねている。
【００２６】
真空容器１０の外側壁には、マグネトロン放電用の高周波電界を形成して、真空容器１０内に給気されるガスを放電させる、例えば円筒状の放電用電極３が設けられる。この放電用電極３は高周波電源に接続されており、電極に高周波が供給されるようになっている。
【００２７】
同じく真空容器１０の外側壁にはリング状に形成された上下一対の永久磁石１３が設けられる。この永久磁石１３は、円筒状放電用電極３を囲むようにリング状に配設される。一対の永久磁石１３は、その径方向に着磁され、互いに逆向きに着磁されている。これにより、円筒状の放電用電極３の軸方向にほぼ平行な成分の磁界を有するような磁力線を、円筒状放電用電極３内面に沿って円筒軸方向に形成するようになっている。
【００２８】
上記構成の装置により、チャンバ内真空状態で所定のガスを導入し円筒状の電極３に高周波を印加することで、ドーム状の上容器２内部にプラズマができる。下容器１内にはサセプタ５が配置され、この上にシリコンウェハなどの被処理基板６が設置されている。上容器２内部に生成されたプラズマは拡散され、被処理基板６上においてほぼ均一なプラズマ密度となり、均一な処理が可能となる。
【００２９】
上記チャンバ（真空容器１０）の内壁には、下容器１から蓋枠７の内壁にかけて、金属製の蓋枠７及び下容器１の表面をプラズマから保護するための絶縁性保護部材８が設けられている。この絶縁性保護部材８は絶縁材である石英やセラミック等から成り、チャンバの内面に保護層の形で設けられる。この保護層の形をした絶縁性保護部材８は、正確には、金属製の下容器１の底面からその内周面全面を覆い、さらに金属製のチャンバ壁である蓋枠７の内周面を覆うように、チャンバの内面に接着により張設され、しかも張設された後の絶縁性保護部材８の内側面が上容器２の内側面と同じ面一になるように設けられる。
【００３０】
この絶縁性保護部材８から成る保護層を、その内側面が上容器２と同じ面一になるように設ける目的で、金属製のチャンバ壁である蓋枠７及び下容器１と、他の絶縁材のチャンバ壁である上容器２との間には、図２に示すように、チャンバの半径方向に段差Δが形成されている。すなわち、金属製のチャンバ壁である蓋枠７及び下容器１の内径の方が、上容器２の内径よりも大きくなっており、その段差Δによって形成される段差凹部１５内に、絶縁性保護部材８の肉厚が丁度収まる関係になっている。
【００３１】
上記のように、下容器１及び蓋枠７の内側に、チャンバ表面をプラズマから保護するための絶縁性保護部材８を設けることにより、それら金属製の部材及びＯリング９ａ、９ｂが絶縁性保護部材８で覆われて、プラズマ粒子に晒されることから保護される。
【００３２】
［実施形態２］
上記実施形態１では、絶縁性保護部材８をチャンバの真空シール面側方に位置させる形態の一つとして、金属製の蓋枠７の上面と上容器２とのシール面の側方と、蓋枠７の下面と下容器１とのシール面の側方とに存在するように絶縁性保護部材８を設けた。
【００３３】
しかし、上記構成の場合、絶縁性保護部材８は絶縁材である石英やセラミックからなどから製作されるので、寸法精度上の問題から部材と部材の間に微少な隙間ができる。従って、その隙間からプラズマ化した粒子が下容器等にダメージを与えてしまう。さらに悪いことに、粒子は電気的にみて抵抗の少ない部分を通ろうとするので、金属のエッジ部分は粒子が集中しやすく、ダメージも受けやすい。また、上容器２の下に金属製の蓋枠７との間のＯリング９ａがあるが、このＯリング９ａが粒子からダメージを受けてしまうという問題もある。
【００３４】
図３は、上記問題点を解消した実施形態の一つ（実施形態２）を示す。
この実施形態２は、上記実施形態１におけるアルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、Ｏリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、この垂下部２ａにより、金属製の蓋枠７のエッジ部分１６を保護するようにしたものである。
【００３５】
また、この下に伸ばした垂下部２ａの長さに対応して、保護部材８の高さ寸法を図２の場合よりも低くしている。すなわち、この実施形態の絶縁性保護部材８は、金属製の下容器１の底面からその内周面全面を覆い、さらに金属製のチャンバ壁である蓋枠７の内周面の途中までを覆うように、チャンバの内面に接着により張設され、残りの蓋枠７の上位部分は、アルミナ製の上容器２の垂下部２ａにより覆われている。張設された後の絶縁性保護部材８の内側面は、上容器２の内側面及び垂下部２ａと同じ面一になるように設けられる。
【００３６】
上記のように構成することにより、金属製の蓋枠７のエッジ部分１６は垂下部２ａにより覆われると共に、このエッジ部分１６を、垂下部２ａと絶縁性保護部材８の間の隙間１７から遠ざけることができる。この結果、図３は、上容器２と絶縁性保護部材８の隙間近くには金属のエッジがない構成となる。
【００３７】
つまり、この実施形態２では、上容器２と絶縁性保護部材８との隙間１７が、金属製の蓋枠７のエッジ部１６に遠いため、粒子の集中を防ぐことができ、金属部材からの汚染が少なくなる。またプラズマ発生源であるドーム内部からＯリング９ａ、９ｂが直線的に見えないので、つまり粒子が迷路状になった隙間通路を通過することになって粒子が通過しにくくなるので、Ｏリング９ａ、９ｂの劣化も少なくなる。
【００３８】
［実施形態３］
図４に、金属のエッジ部分を隙間から遠ざけた別の実施の形態（実施形態３）を示す。
この実施形態３では、アルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、金属製の蓋枠７のエッジ部分１６を保護するようにＯリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、また、この垂下部２ａに対応して、保護部材８の寸法を下容器１の内面領域だけを保護するような高さ寸法としている。
【００３９】
さらに、上容器２と保護部材８との隙間１７の外側には、粒子が直線的に金属製の蓋枠７や下容器１に向かわないように、絶縁性保護部材８と同じ材質の第二の絶縁性保護部材１８がリング状に設けられている。この第二の絶縁性保護部材１８も、その表面を下容器１及び蓋枠７の内周面と同じ面一にするため、下容器１及び蓋枠７の内周面に設けた環状溝から成る凹部１９内に設けられている。
【００４０】
この実施形態３では、実施形態２と同様に、上容器２と絶縁性保護部材８の隙間１７が金属製の蓋枠７のエッジ部分１６に遠くなりことから、粒子の集中を防ぐことができる。また、プラズマ発生源であるドーム内部からＯリング９ａ、９ｂが直線的に見えないので、つまり粒子が迷路状になった隙間通路を通過することとなって、粒子が通過しにくくなるので、金属部材からの汚染が少なくなる。またプラズマ発生源であるドーム内部からＯリング９ａ、９ｂが直線的に見えないので、つまり粒子が迷路状になった隙間通路を通過することとなって、粒子が通過しにくくなるので、Ｏリング９ａ、９ｂの劣化も少なくなる。
【００４１】
［実施形態４、５］
上記実施形態では、上容器２の下面に金属製の蓋枠７を具備する形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上容器２の下面に金属製の蓋枠７を具備しない形態についても適用することができる。
図５及び図６に、この場合の実施形態を示す。このうち図５は、上記図３の実施形態に対応した態様（実施形態４）を示すもので、アルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、Ｏリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、この垂下部２ａにより、金属製の下容器１のエッジ部分２１及びＯリング９ａを保護するようにしたものである。
【００４２】
図６は、上記図４の実施形態に対応した態様（実施形態５）を示すもので、アルミナ製の上容器２の下面における段差凹部１５に面した下部を、Ｏリング９ａのシール面より下に伸ばした形の垂下部２ａ（円筒垂下部分）として形成し、この垂下部２ａにより、金属製の下容器１のエッジ部分２１及びＯリング９ａを保護する。
【００４３】
さらに、上容器２と保護部材８との隙間１７の外側には、粒子が直線的に金属製の下容器１に向かわないように、絶縁性保護部材８と同じ材質の第二の絶縁性保護部材１８がリング状に設けられる。そして、この第二の絶縁性保護部材１８も、その表面を下容器１の内周面と同じ面一にするため、下容器１の内周面に設けた環状溝から成る凹部２２内に設けられる。
【００４４】
【実施例】
次に、上記実施形態１〜３（図２〜図４）の実施例について述べる。
金属製の下容器１、蓋枠７及び上蓋４は、全てアルミ合金製とした。またＯリング９ａ〜９ｄの材質には、〔ＪＩＳ Ｂ ２４０１ ４種Ｄフッ素ゴム〕（Ｖｉｔｏｎ：ヴィトン（登録商標））、〔パーフロロエラストマー〕（Ｋａｌｒｅｚ：カーレッツ（登録商標））などを用いた。
【００４５】
そして、絶縁性保護部材８は石英又はセラミック製とし、次のようにして取り付けた。すなわち、絶縁性保護部材８は、リング形状として形成し、かつ、絶縁性保護部材８の外側でチャンバ壁の内側に丁度位置するような寸法のものとして作製した。そして、これをチャンバ（真空容器１０）に設けてある段差凹部１５に収まるように載せることにより、チャンバ内面に絶縁性保護部材８を取り付けた。
【００４６】
上記構成のプラズマ処理装置を用い、次のような条件でプラズマ処理を行った。
＜プラズマ処理条件１＞
膜種：基板表面窒化（Ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）Ｓｉ３Ｎ４
処理ガス：Ｎ２ ５００ｓｃｃｍ
円筒電極印加用高周波電源：ＲＦ２５０Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
反応室内圧力：１０〜５０Ｐａ
基板温度：４００℃
【００４７】
＜プラズマ処理条件２＞
膜種：基板表面酸化
処理ガス：Ｏ２ ２００ｓｃｃｍ
円筒電極印加用高周波電源：ＲＦ１００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
反応室内圧力：１０Ｐａ
基板温度：４００℃
【００４８】
＜プラズマ処理条件３＞
膜種：基板表面酸化
処理ガス：Ｋｒ ３７５ｓｃｃｍ、Ｏ２ １５ｓｃｃｍ
円筒電極印加用高周波電源：ＲＦ１００Ｗ、１３．５６ＭＨｚ
反応室内圧力：９５Ｐａ
基板温度：４００℃
【００４９】
この結果、いずれのプラズマ処理の場合でも、金属製の蓋枠や下容器が粒子からダメージを受けなくなり、従来における、ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板に付着して金属汚染をもたらす、という不都合を防止することができた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバ内で、被処理基板へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、前記金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材を設けた構成としたので、例えば金属製の下容器の内面やエッジ部分、更には金属製の蓋枠の内面やエッジ部分などの金属製部分へ向かうプラズマの流れが絶縁性保護部材で阻止され、これらの金属製部分が粒子からダメージを受けなくなる。従って、ダメージを受けた金属が反応室内で被処理基板に付着して金属汚染をもたらす、という不都合を避けることができる。
【００５１】
また、絶縁性保護部材によって同時にシール部分のＯリングも保護されるため、Ｏリングも粒子からダメージを受けなくなる。
【００５２】
すなわち、本発明によれば、プラズマ処理装置における反応室のチャンバ壁を構成する金属部材又はＯリングをプラズマから保護し、汚染の少ない処理被処理基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】図１のチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図３】本発明の第二の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図４】本発明の第三の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図５】本発明の第四の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図６】本発明の第五の実施形態に係るチャンバの上容器及び下容器のシール部の構造を示す拡大図である。
【図７】従来のプラズマ処理装置の断面図である。
【符号の説明】
１ 下容器（金属製）
２ 上容器（絶縁材）
２ａ 垂下部
３ 放電用電極
４ 上蓋（金属製）
５ サセプタ
６ 被処理基板
７ 蓋枠（金属製）
８ 絶縁性保護部材
９ａ〜９ｄ Ｏリング
１０ 真空容器（チャンバ）
１３ 永久磁石
１５ 段差凹部
１６、２１ エッジ部分
１７ 隙間
１８ 第二の絶縁性保護部材
１９、２２ 環状溝から成る凹部
Claims (1)
- 少なくとも一部に金属製のチャンバ壁を有するチャンバ内で、被処理基板へプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、
前記金属製のチャンバ壁と他のチャンバ壁との真空シール面側方に、少なくとも絶縁性保護部材を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
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|---|---|---|---|---|
| JP2006332087A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2010505265A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | ラム リサーチ コーポレーション | フォトレジスト剥離および金属エッチング後パッシベーション用の高チャンバ温度プロセスおよびチャンバ設計 |
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2003
- 2003-03-25 JP JP2003082596A patent/JP2004296460A/ja active Pending
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