JP2009206341A - マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009206341A JP2009206341A JP2008048063A JP2008048063A JP2009206341A JP 2009206341 A JP2009206341 A JP 2009206341A JP 2008048063 A JP2008048063 A JP 2008048063A JP 2008048063 A JP2008048063 A JP 2008048063A JP 2009206341 A JP2009206341 A JP 2009206341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- film
- plasma processing
- microwave plasma
- dielectric window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置を構成する誘電体窓部材をセラミック部材だけで構成するのではなく、当該セラミック部材の処理空間側の面上に、熱処理によって化学量論的にSiO2の組成を得ることができる平坦化塗布膜を塗布した後、熱処理することによって極めて平坦、且つ緻密な表面を有する平坦化塗布絶縁膜を形成する。当該平坦化塗布絶縁膜上に耐食性膜を形成する。
【選択図】図1
Description
10a 誘電体窓
12 セラミック部材
14 平坦化絶縁塗布膜
16 耐食性膜
20 処理容器
22 載置台
24 絶縁板
26 被処理基板
28 排気ポート
30 ガス導入口
32 ラジアルラインスロットアンテナ(RLSA)
34 シールド部材
40 高周波電源
42 導波管
44、46、49 導体板
48 導体リング
50 開口
52 スロット
Claims (26)
- マイクロ波を伝播させるアンテナと、前記アンテナを伝播したマイクロ波を透過する誘電体窓と、所定のガスを供給するガス供給部と、前記誘電体窓を透過したマイクロ波により前記所定のガスをプラズマ化して被処理体を処理する処理室と、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置であって、
前記誘電体窓はセラミック部材からなり、
前記セラミック部材は、その処理室側の面が平滑化塗布絶縁膜に覆われている
ことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - マイクロ波を伝播させるアンテナと、前記アンテナを伝播したマイクロ波を透過しかつ所定のガスを処理室へ供給するシャワープレートと、前記所定のガスを前記シャワープレートへ供給するガス供給部と、前記シャワープレートを透過したマイクロ波により前記所定のガスをプラズマ化して被処理体を処理する処理室と、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置であって、
前記シャワープレートはセラミック部材からなり、
前記セラミック部材は、その処理室側の面が平滑化塗布絶縁膜に覆われている
ことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記平滑化塗布絶縁膜は複数の膜からなることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記平滑化塗布絶縁膜は、前記セラミック部材の前記面に塗布され焼成されてSiO2となった膜を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記SiO2膜は、前記セラミック部材の前記面のピークトゥバレイ値で表現される粗さよりも厚いことを特徴とする請求項4に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記SiO2膜の厚さは1μm〜5μmであることを特徴とする請求項5に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記平滑化塗布絶縁膜の表面は、Y2O3膜で覆われていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記平滑化塗布絶縁膜の少なくとも前記プラズマに接する表面は、化学量論的組成(ストイキオメトリック)のSiO2であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記Y2O3膜は、少なくとも前記プラズマに接する表面が化学量論的組成(ストイキオメトリック)となっていることを特徴とする請求項7に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記被処理体を処理するためのガスを前記処理室へ供給する処理ガス供給部が前記セラミック部材と前記被処理体との間に設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記セラミック部材は、複数のタイル状部材を含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記セラミック部材は、前記所定のガスを処理室へ導入するための複数の開口を有することを特徴とする請求項2〜11のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記セラミック部材の前記複数の開口のそれぞれには、多孔質体および前記開口の径よりも小さい一つまたは複数のガス通過孔を有する部材のうちの少なくとも一方が挿入されていることを特徴とする請求項12に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記セラミック部材の前記開口の径は50μm以下であることを特徴とする請求項12または13に記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波の周波数は、2.45GHzまたは915MHzであることを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記平滑化塗布絶縁膜は、Si、C、及び、Oと、を原子比でO>Si>1/2Cとなるように含有したSiCO膜を焼成して得られたものであることを特徴とする請求項1〜15のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記SiCO膜はSiOの繰り返し単位が主骨格であり、その組成が((CH3)nSiO2−n/2)x(SiO2)1−x(但し、n=1〜3、x≦ 1)で表される一種又は2種以上の酸化物を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項16記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- マイクロ波を透過するためにマイクロ波プラズマ処理装置で用いられる誘電体窓部材において、セラミック部材と、当該セラミック部材の少なくともプラズマ処理空間側の表面に形成された平滑化塗布絶縁膜を有することを特徴とする誘電体窓部材。
- 前記平滑化塗布絶縁膜上には、更に、耐食性膜(Y2O3)膜が形成されていることを特徴とする請求項18記載の誘電体窓部材。
- 前記平滑化塗布絶縁膜は、Si、C、及び、Oと、を原子比でO>Si>1/2Cとなるように含有したSiCO膜を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項18又は19記載の誘電体窓部材。
- 前記SiCO膜はSiOの繰り返し単位が主骨格であり、その組成が一般式((CH3)nSiO2−n/2)x(SiO2)1−x(但し、n=1〜3、x≦1)で表される一種又は2種以上の酸化物を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項18〜20のいずれかに記載の誘電体窓部材。
- マイクロ波を透過するためにマイクロ波プラズマ処理装置で用いられる誘電体窓部材の製造方法において、セラミック部材を用意し、当該セラミック部材の一表面に、一般式((CH3)nSiO2−n/2)x(SiO2)1−x(但し、n=1〜3、x≦1)で表される一種又は2種以上の酸化物を含む液体状の材料を塗布し、当該塗布された膜を焼成してSiO2膜とすることを特徴とする誘電体窓部材の製造方法。
- 前記SiO2膜は、化学量論的組成(ストイキオメトリック)のSiO2であることを特徴とする誘電体窓部材の製造方法。
- 前記SiO2膜を耐食性膜で覆うことを特徴とする請求項22又は23記載の誘電体窓部材の製造方法。
- 前記耐食性膜は化学量論的組成を有するY2O3膜であることを特徴とする請求項24記載の誘電体窓部材の製造方法。
- 請求項1〜17のいずれかに記載されたマイクロ波プラズマ処理装置を使用して被処理体をプラズマ処理する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008048063A JP4524354B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 |
CN200910007679A CN101521147A (zh) | 2008-02-28 | 2009-02-20 | 微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法 |
US12/393,724 US8573151B2 (en) | 2008-02-28 | 2009-02-26 | Microwave plasma processing apparatus, dielectric window for use in the microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing the dielectric window |
KR1020090016960A KR101122108B1 (ko) | 2008-02-28 | 2009-02-27 | 마이크로파 플라즈마 처리 장치, 그것에 이용되는 유전체 창 부재 및, 유전체 창 부재의 제조 방법 |
TW098106266A TW201003747A (en) | 2008-02-28 | 2009-02-27 | Microwave plasma processing apparatus, dielectric window for use in the microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing the dielectric window |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008048063A JP4524354B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009206341A true JP2009206341A (ja) | 2009-09-10 |
JP4524354B2 JP4524354B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=41012268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008048063A Expired - Fee Related JP4524354B2 (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8573151B2 (ja) |
JP (1) | JP4524354B2 (ja) |
KR (1) | KR101122108B1 (ja) |
CN (1) | CN101521147A (ja) |
TW (1) | TW201003747A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011256946A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Tohoku Univ | 減圧処理装置 |
JP2012182166A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | プラズマ窒化装置用石英天板およびプラズマ窒化装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI522490B (zh) | 2012-05-10 | 2016-02-21 | 應用材料股份有限公司 | 利用微波電漿化學氣相沈積在基板上沈積膜的方法 |
CN103681410B (zh) * | 2012-08-31 | 2016-08-31 | 细美事有限公司 | 用于处理基板的装置 |
JP5633766B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-12-03 | Toto株式会社 | 静電チャック |
CN105088141A (zh) * | 2014-05-23 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法 |
KR20180072917A (ko) * | 2016-12-21 | 2018-07-02 | 삼성전자주식회사 | 유전체 윈도우, 그를 포함하는 플라즈마 장치, 및 그의 제조 방법 |
WO2020246523A1 (ja) * | 2019-06-05 | 2020-12-10 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN110650605A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-01-03 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体组件及其制备方法和电子设备 |
CN113611589B (zh) * | 2021-10-08 | 2021-12-24 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 零部件、等离子体装置、形成耐腐蚀涂层的方法及其装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5599624A (en) * | 1995-07-03 | 1997-02-04 | General Electric Company | Amorphous silicon oxycarbide coated silicon carbide or carbon fibers |
WO2004076711A1 (ja) * | 1995-10-03 | 2004-09-10 | Seigo Yamamoto | 耐ハロゲン系ガス腐食性及び耐ハロゲン系プラズマ腐食性に優れたコーティング膜、該コーティング膜を施した積層構造体並びにそれらの製造方法 |
US5645644A (en) * | 1995-10-20 | 1997-07-08 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
EP0967297A4 (en) * | 1997-12-04 | 2007-08-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | METHOD FOR THE PRODUCTION OF ARTICLES COATED WITH SILICATING COATINGS |
US6323132B1 (en) * | 1998-01-13 | 2001-11-27 | Applied Materials, Inc. | Etching methods for anisotropic platinum profile |
US6504233B1 (en) * | 1999-06-28 | 2003-01-07 | General Electric Company | Semiconductor processing component |
JP3574401B2 (ja) | 2000-12-13 | 2004-10-06 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
TWI262905B (en) * | 2001-11-13 | 2006-10-01 | Tosoh Corp | Quartz glass parts, ceramic parts and process of producing those |
JP2005097685A (ja) | 2002-11-27 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 耐食性部材およびその製造方法 |
JP3910145B2 (ja) * | 2003-01-06 | 2007-04-25 | 日本発条株式会社 | 溶射被膜およびその製造方法 |
JP4213482B2 (ja) | 2003-02-07 | 2009-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7229703B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-06-12 | Dai Nippon Printing Co. Ltd. | Gas barrier substrate |
CN100489149C (zh) * | 2003-06-03 | 2009-05-20 | 株式会社新柯隆 | 薄膜的形成方法及其形成装置 |
KR100618630B1 (ko) * | 2003-10-24 | 2006-09-13 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 내플라즈마 부재 및 그 제조방법 및 열분사막 형성방법 |
JP4532897B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-08-25 | 財団法人国際科学振興財団 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法 |
JP4364667B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射部材、電極、およびプラズマ処理装置 |
FR2870989B1 (fr) * | 2004-05-27 | 2006-08-04 | Commissariat Energie Atomique | Substrat pour application electronique, comprenant un support flexible et son procede de fabrication |
JP5013393B2 (ja) | 2005-03-30 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置と方法 |
JP4628900B2 (ja) | 2005-08-24 | 2011-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR100997839B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2010-12-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 천판 |
TW200802544A (en) * | 2006-04-25 | 2008-01-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Composite substrate and method for making the same |
-
2008
- 2008-02-28 JP JP2008048063A patent/JP4524354B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-20 CN CN200910007679A patent/CN101521147A/zh active Pending
- 2009-02-26 US US12/393,724 patent/US8573151B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-27 TW TW098106266A patent/TW201003747A/zh unknown
- 2009-02-27 KR KR1020090016960A patent/KR101122108B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011256946A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Tohoku Univ | 減圧処理装置 |
JP2012182166A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | プラズマ窒化装置用石英天板およびプラズマ窒化装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090218044A1 (en) | 2009-09-03 |
US8573151B2 (en) | 2013-11-05 |
KR101122108B1 (ko) | 2012-03-15 |
JP4524354B2 (ja) | 2010-08-18 |
KR20090093885A (ko) | 2009-09-02 |
TW201003747A (en) | 2010-01-16 |
CN101521147A (zh) | 2009-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4524354B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 | |
KR100416308B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5382677B2 (ja) | 金属部材の保護膜構造及び保護膜構造を用いた金属部品並びに保護膜構造を用いた半導体又は平板ディスプレイ製造装置 | |
KR101148442B1 (ko) | 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템 | |
US7138767B2 (en) | Surface wave plasma processing system and method of using | |
JP5242162B2 (ja) | 表面波プラズマソース | |
KR20170031239A (ko) | 반복가능한 에칭 및 증착 레이트들을 갖는 강화된 성능을 위한 원격 플라즈마 소스의 컨디셔닝 | |
JP4540926B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20070061799A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
TWI621732B (zh) | 密封膜之形成方法及密封膜製造裝置 | |
TWI406338B (zh) | 半導體之膜形成方法與設備 | |
TWI632716B (zh) | Manufacturing method of organic component, manufacturing device of organic component, and organic component | |
JP4209253B2 (ja) | フッ素添加カーボン膜の形成方法 | |
KR20090058000A (ko) | 플라즈마 산화 처리 방법, 플라즈마 처리 장치 및 기억 매체 | |
JP5479013B2 (ja) | プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板 | |
WO2012043250A1 (ja) | 絶縁膜形成装置及び方法 | |
JP2008243827A (ja) | プラズマ処理方法 | |
TWI828704B (zh) | 電漿處理方法與用於電漿處理腔室的腔室部件及其製造方法 | |
JP2009130154A (ja) | 真空処理装置 | |
KR100733440B1 (ko) | 불소 첨가 카본막의 형성 방법 | |
JP4689706B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2013033979A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090701 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100405 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |