KR20180072917A - 유전체 윈도우, 그를 포함하는 플라즈마 장치, 및 그의 제조 방법 - Google Patents

유전체 윈도우, 그를 포함하는 플라즈마 장치, 및 그의 제조 방법 Download PDF

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이은영
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Abstract

본 발명은 유전체 윈도우, 그를 포함하는 플라즈마 장치, 및 그의 제조 방법을 개시한다. 그의 윈도우는, 적어도 하나의 보이드를 갖는 유전체 디스크와, 상기 보이드 내에 충진되어 상기 유전체 디스크의 상부면을 평탄화시키는 필러와, 상기 필러 및 상기 유전체 디스크 상에 배치되는 보호 층을 포함한다.

Description

유전체 윈도우, 그를 포함하는 플라즈마 장치, 및 그의 제조 방법{dielectric window, plasma apparatus including the same, and method for manufacturing dielectric window}
본 발명은 플라즈마 장치에 관한 것으로, 플라즈마에 의한 공정 파티클들을 감소시킬 수 있는 유전체 윈도우, 그를 포함하는 플라즈마 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들에 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 증착(deposition) 공정, 확산(diffusion) 공정, 열처리(thermal) 공정, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정, 연마(polishing) 공정, 식각(etching) 공정, 이온주입 공정, 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 식각 공정은 건식 식각 공정과 습식 식각 공정을 포함할 수 있다. 건식 식각 공정은 대부분 플라즈마 에 의해 수행될 수 있다. 플라즈마에 의해 기판은 고온으로 처리될 수 있다. 플라즈마 장치는 플라즈마에 의해 손상될 수 있다.
본 발명의 해결 과제는, 공정 파티클들을 감소시킬 수 있는 유전체 윈도우 및 그를 포함하는 플라즈마 장치를 제공하는 데 있다.
또한 본 발명의 다른 해결 과제는 긴 수명의 링 부재를 갖는 플라즈마 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 유전체 윈도우를 개시한다. 그의 윈도우는, 적어도 하나의 보이드를 갖는 유전체 디스크; 상기 보이드 내에 충진되어 상기 유전체 디스크의 상부면을 평탄화시키는 필러; 및 상기 필러 및 상기 유전체 디스크 상에 배치되는 보호 층을 포함한다.
일 예에 따른 유전체 윈도우의 제조 방법은, 보이드를 갖는 유전체 디스크를 가공하는 단계; 상기 보이드 내에 필러를 형성하는 단계; 및 상기 필러 및 상기 유전체 디스크 상에 보호 층을 형성하는 단계를 포함한다.
일 예에 따른 플라즈마 장치는, 하부 하우징; 상기 하부 하우징 내에 배치되고, 기판을 수납하는 정전 척; 상기 정전 척과 상기 정전 척 상의 기판의 가장자리를 둘러싸는 링 부재; 상기 링 부재 및 상기 정전 척 상에 배치되고, 상기 하부 하우징을 덮는 상부 하우징; 상기 상부 하우징과 상기 하부 하우징 사이에 배치되는 유전체 윈도우를 포함한다. 여기서, 상기 유전체 윈도우는: 적어도 하나의 보이드를 갖는 유전체 디스크; 상기 보이드 내에 충진되어 상기 유전체 디스크의 상부면을 평탄화시키는 필러; 및 상기 필러 및 상기 유전체 디스크 상에 배치되는 보호 층을 포함할 수 있다.
본 발명 기술적 사상의 실시 예들에 따르면, 윈도우는 디스크의 보이드들 내의 필러들과 상기 필러들 및 디스크 상의 보호 층을 포함할 수 있다. 필러들은 보호 층의 요철들의 발생을 방지하여 공정 파티클들을 감소시킬 수 있다. 또한, 플라즈마 장치의 링 부재의 에지 링은 종래보다 작은 하이드로 옥사이드와 버블 결함을 가질 수 있다. 에지 링의 수명은 증가할 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념 예에 따른 플라즈마 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 링 부재의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 포커스 링의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 1의 윈도우의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 4의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 윈도우의 제조 방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 7 내지 도 10은 도 6의 윈도우의 제조 방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 1은 본 발명의 개념 예에 따른 플라즈마 장치(10)를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 장치(10)는 유도결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 장치를 포함할 수 있다. 이와 달리, 플라즈마 장치(10)는 축전 결합 플라즈마(CCP(Capacitively Coupled Plasma) 장치 또는 마이크로파 플라즈마(Microwave Plasma) 장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 플라즈마 장치(10)는 챔버(100), 가스 공급 부(200), 상부 고주파 파워 공급 부(300), 및 하부 고주파 파워 공급 부(400) 를 포함할 수 있다. 챔버(100)는 기판(W)에 대해 외부로부터 밀폐된 공간을 제공할 수 있다. 가스 공급 부(200)는 챔버(100) 내에 가스를 제공할 수 있다. 상부 고주파 파워 공급 부(300)는 챔버(100) 내의 기판(W)의 상부로 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)를 제공할 수 있다. 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)은 챔버(100) 내에 플라즈마(500)를 유도할 수 있다. 하부 고주파 파워 공급 부(400)는 챔버(100) 내의 기판(W)의 하부로 제 3 고주파 파워(530)를 제공할 수 있다. 제 3 고주파 파워(530)는 플라즈마(500)를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다.
일 예에 따르면, 챔버(100)는 하부 하우징(110), 상부 하우징(120), 정전 척(130), 월 라이너(140), 링 부재(150), 윈도우(160), 및 안테나 가이드(170)를 포함할 수 있다.
하부 하우징(110)은 정전 척(130), 월 라이너(140), 및 링 부재들(150)의 가장자리 및/또는 외곽을 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 하부 하우징(110)은 바울(bowl)의 모양을 가질 수 있다.
상부 하우징(120)은 하부 하우징(110) 상에 배치될 수 있다. 상부 하우징(120)은 하부 하우징(110)을 덮을 수 있다. 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)은 정전 척(130), 월 라이너(140), 링 부재(150), 윈도우(160), 안테나 가이드(170) 및 기판(W)을 둘러쌀 수 있다.
정전 척(130)은 하부 하우징(110) 내에 배치될 수 있다. 정전 척(130)은 기판(W)을 수납할 수 있다. 기판(W)은 정전압(미도시)에 의해 정전 척(130) 상에 고정될 수 있다.
월 라이너(140)는 하부 하우징(110)의 내 측벽 상에 배치될 수 있다. 월 라이너(140)는 하부 하우징(110)의 내 측벽을 보호할 수 있다. 월 라이너(140)는 알루미늄의 금속을 포함할 수 있다.
링 부재(150)는 정전 척(130) 외곽의 월 라이너(140) 내에 배치될 수 있다. 링 부재(150)는 정전 척(130) 및 기판(W)의 가장자리를 둘러쌀 수 있다. 링 부재(150)는 정전 척(130) 및 기판(W)의 측벽을 보호할 수 있다.
도 2는 도 1의 링 부재(150)의 일 예를 보여준다. 도 3은 도 2의 포커스 링(151)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 링 부재(150)는 에지 링(152)과 접지 링(154)을 포함할 수 있다. 에지 링(152)은 접지 링(154) 상에 배치될 수 있다. 에지 링(152)은 기판(W)을 둘러쌀 수 있다. 접지 링(154)은 정전 척(130)을 둘러쌀 수 있다. 일 예에 따르면, 에지 링(152)은 포커스 링(151)과 커버 링(153)을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 포커스 링(151)은 커버 링(153) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 포커스 링(151)은 플라즈마 퓨전(plasma fusion) 방법으로 형성된 퀄츠를 포함할 수 있다. 퀄츠는 천연 퀄츠일 수 있다. 일 예에 따르면, 포커스 링(151)은 하이드로 옥사이드(OH-)와 버블 결함(155)을 가질 수 있다. 하이드로 옥사이드(OH-)와 버블 결함(155)은 식각 가스의 불소 성분과 쉽게 결합하여 포커스 링(151)의 수명을 단축시킬 수 있다. 또한, 버블 결함(155)은 공정 파티클 소스로 작용할 수 있다. 일반적인 포커스 링은 약 50ppm 이상의 하이드로 옥사이드(OH-)를 가질 수 있다. 일반적인 포커스 링은 1cm3의 단위 부피 당 2개 이상의 버블 결함(155)을 가질 수 있다. 예를 들어, 플레임 퓨즈드(flame fused) 방법으로 형성된 퀄츠의 경우, 약 230ppm 이상의 하이드로 옥사이드와 1cm3의 단위 부피 당 3개 이상의 버블들을 가질 수 있다. 또한, 전기적 퓨젼(electric fusion) 방법으로 형성된 퀄츠의 경우, 1cm3의 단위 부피 당 1000개 이상의 버블들을 가질 수 있다.
포커스 링(151)은 플레임 퓨즈드 방법의 퀄츠 및/또는 전기적 퓨전 방법의 퀄츠보다 적은 하이드로 옥사이드(OH-)와 버블 결함(155)을 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 포커스 링(151)은 50ppm 미만의 하이드로 옥사이드(OH-)와, 1cm3의 단위 부피 당 2개 미만의 버블 결함(155)을 가질 수 있다. 예를 들어, 포커스 링(151)은 약 30ppm이하의 하이드로 옥사이드(OH-)와 1cm3의 단위 부피 당 1개 이하의 버블 결함(155)을 가질 수 있다. 따라서, 포커스 링(151)의 수명은 증가하고, 공정 파티클들의 발생은 감소할 수 있다.
커버 링(153)은 포커스 링(151)과 동일한 퀄츠를 포함할 수 있다. 커버 링(153)은 약 30ppm 이하의 하이드로 옥사이드(OH-)와 1cm3의 단위 부피 당 1개 이하의 버블 결함(155)을 가질 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 윈도우(160)는 하부 하우징(110) 및 상부 하우징(120) 사이에 배치될 수 있다. 윈도우(160)는 하부 하우징(110) 내의 월 라이너(140) 상에 배치될 수 있다. 플라즈마(500)는 윈도우(160)과 하부 하우징(110) 내에 유도될 수 있다. 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)은 윈도우(160)를 통과하여 기판(W) 상에 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 윈도우(160)는 유전체를 포함할 수 있다. 유전체의 윈도우(160)는 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)을 손실 없이 통과시킬 수 있다.
도 4는 도 1의 윈도우(160)의 일 예를 보여준다. 도 5는 도 4의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 윈도우(160)는 디스크(162), 필러들(164), 및 보호 층(166)을 포함할 수 있다.
디스크(162)는 유전체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스크(162)는 알루미늄 산화물(Al2O3)의 세라믹을 포함할 수 있다. 디스크(162)는 가스 홀(161)과 보이드들(163)을 가질 수 있다.
가스 홀(161)은 디스크(162)의 중심을 관통할 수 있다. 가스 홀(161)은 가스 공급 부(200)으로 연결될 수 있다. 가스는 가스 홀(161)을 통해 기판(W) 상으로 제공될 수 있다.
보이드들(163)은 디스크(162) 내에 형성될 수 있다. 이와 달리, 보이드들(163)은 디스크(162)의 상부 표면에 형성될 수 있다. 보이드들(163)은 약 1mm 내지 약 1nm까지 다양한 크기를 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 보이드들(163)은 상부(top) 보이드들(165)과 하부(lower) 보이드들(167)을 포함할 수 있다. 상부 보이드들(165)은 디스크(162)의 상부 표면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상부 보이드들(165)은 디스크(162)의 상부 표면 상의 요철(unevenness) 그루브(groove), 및/또는 홈(pit)일 수 있다. 하부 보이드들(167)은 디스크(162) 내에 배치될 수 있다. 하부 보이드들(167)은 디스크(162)의 결함으로 작용할 수 있다. 이하, 보이드(163)는 상부 보이드들(165)에 대한 것으로 설명될 수 있다.
필러들(164)은 디스크(162)의 상부 표면 상의 상부 보이드들(165) 내에 배치될 수 있다. 필러들(164)은 상부 보이드들(165) 내에 충진되어 디스크(162)의 상부 표면을 평탄화시킬 수 있다.
일 예에 따르면, 필러들(164)은 유전체를 포함할 수 있다. 유전체의 필러들(164)은 도 1의 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 필러들(164)은 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다. 필러들(164)은 실리콘 질화물(SiN)을 포함할 수 있다. 그리고, 필러들(164)은 이트륨 산화물(Y2O3), 알루미늄 산화물(Al2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2), 망간 산화물(MgO2), 칼슘 산화물(CaO3) 또는 YAG(Yttrium Aluminium garnet, Y3Al5O2)의 금속 산화물을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 필러들(164)는 반도체 층을 포함할 수 있다. 반도체 층의 필러들(164)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 손실을 감소시킬 수 있다. 필러들(164)은 실리콘을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 필러들(164)은 고분자(polymer) 층을 포함할 수 있다. 고분자 층의 필러들(164)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 필러들(164)은 페놀 수지 또는 요소 수지의 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 이와 달리, 필러들(164)는 테프론을 포함할 수 있다.
보호 층(166)은 필러들(164) 및 디스크(162)의 상부 표면 상에 배치될 수 있다. 보호 층(166)은 플라즈마(500)으로부터 필러들(164) 및 디스크(162)를 보호할 수 있다. 일 예에 따르면, 보호 층(166)은 유전체를 포함할 수 있다. 유전체의 보호 층(166)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 손실을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 보호 층(166)은 이트륨 산화물(Y2O3)을 포함할 수 있다.
보호 층(166)은 필러들(164) 및 디스크(162) 상에 평탄하게 형성될 수 있다. 예컨대, 보호 층(166)이 필러들(164) 없이 상부 보이드들(165) 상에 형성될 경우, 보호 층(166)의 상부 면은 요철들을 가질 수 있다. 요철들은 도 1의 플라즈마(500)에 의해 쉽게 손상될 수 있다. 즉, 플라즈마(500)에 의해 공정 파티클들(process particles)이 다량으로 발생될 수 있다. 따라서, 필러들(164)은 보호 층(166)의 요철들의 발생을 방지하여 공정 파티클들의 발생을 감소시킬 수 있다.
이와 같이 구성된 윈도우(160)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 6은 윈도우(160)의 제조 방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 6을 참조하면, 윈도우(160)의 제조 방법은 디스크(162)를 준비하는 단계(S10}, 디스크(162)를 텍스쳐링하는 단계(S20), 필러 층(168)을 형성하는 단계(S30), 필러 층(168)을 연마하는 단계(S40), 및 보호 층(166)을 형성하는 단계(S50)를 포함할 수 있다.
도 7 내지 도 10은 도 6의 윈도우(160)의 제조 방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 디스크(162)를 가공한다(S10). 예를 들어, 디스크(162)는 소결법(sintering)으로 형성된 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스크(162)는 고열을 통해 가공(fabricated)될 수 있다. 디스크(162)는 보이드들(163)을 가질 수 있다. 보이드들(163)의 상부 보이드들(165)과 하부 보이드들(167)은 세라믹의 형성 시의 고열에 의해 형성될 수 있다.
도 6 및 도 8을 참조하면, 디스크(162)의 표면을 처리 한다(S20). 일 예에 따르면, 디스크(162)의 표면을 처리하는 단계(S20)는 불산 용액 내에 디스크(162)를 침지하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스크(162)의 표면을 처리하는 단계(S20)는 상부 보이드들(165)의 크기를 감소시키는 단계일 수 있다. 이와 달리, 상부 보이드들(165)의 크기는 표면 처리(surface texturing)에 의해 증가될 수도 있다. 상부 보이드들(165)은 디스크(162)의 상부 면 상의 파티클 및/또는 분순물의 제거에 의해 형성될 수 있다.
도 6 및 도 9를 참조하면, 디스크(162) 상에 필러 층(168)을 형성한다(S30). 예를 들어, 필러 층(168)은 솔겔 방법, 도포(dropping) 방법, 용융(melting) 방법, 증착(deposition) 방법, 또는 전기 도금(electro plating) 방법에 의해 형성될 수 있다. 필러 층(168)은 유전체 또는 금속 성분을 포함할 수 있다. 필러 층(168)은 상부 보이드들(165)을 매립할 수 있다. 금속 성분의 필러 층(168)의 열처리 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이 경우, 필러 층(168)은 산화될 수 있다.
도 6 및 도 10을 참조하면, 필러 층(168)을 연마하여 상부 보이드들(165) 내에 필러들(164)을 형성한다(S40). 예를 들어, 필러 층(168)은 화학적 기계적 연마(CMP) 방법에 의해 연마될 수 있다. 디스크(162)의 상부 면의 일부는 필러들(164)로부터 노출될 수 있다. 필러들(164)은 상부 보이드들(165) 내에 충진될 수 있다. 디스크(162)는 평탄화될 수 있다. 이와 달리, 필러 층(168)을 형성하는 단계(S30)와, 필러 층(168)을 연마하는 단계(S40)는 필러들(164)을 형성하는 단계일 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 필러들(164) 및 디스크(162) 상에 보호 층(166)을 형성한다(S50). 예를 들어, 보호 층(166)은 에어로졸 방법으로 형성된 이트륨 산화물(Y2O3)를 포함할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 안테나 가이드(170)는 윈도우(160)와 상부 하우징(120) 사이에 배치될 수 있다. 안테나 가이드(170)는 상부 고주파 파워 공급 부(300)의 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)을 고정할 수 있다. 안테나 가이드(170)는 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)을 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 안테나 가이드(170)는 윈도우(160)와 동일한 유전체를 포함할 수 있다. 이와 달리, 안테나 가이드(170)는 플라스틱을 포함할 수 있다.
가스 공급 부(200)는 하부 하우징(110)과 윈도우(160) 사이의 챔버(100) 내에 가스(미도시)를 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 가스 공급 부(200)는 저장 탱크(210), 및 질량 유량 조절기(220)를 포함할 수 있다. 저장 탱크(210)는 가스를 저장할 수 있다. 가스는 퍼지 가스, 식각 가스, 증착 가스, 또는 반응 가스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 가스는 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스, 산소(O2) 가스, 불산(HF) 가스, 염소(Cl2) 가스, 육불화황(SF6) 가스, 매틸렌(CH3) 가스 또는 실란(SiH4) 가스를 포함할 수 있다. 질량 유량 조절기(220)는 저장 탱크(210)와 챔버(100) 사이에 연결될 수 있다. 질량 유량 조절기(220)는 가스의 공급 유량을 조절할 수 있다.
상부 고주파 파워 공급 부(300)는 제 1 및 제 2 고주파 파워 소스들(312, 314), 제 1 및 제 2 매쳐들(322, 324), 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334), 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344), 그리고 제 1 및 제 2 커패시터들(352, 354)을 포함할 수 있다.
제 1 및 제 2 고주파 파워 소스들(312, 314)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)을 각각 생성할 수 있다. 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)은 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)에 각각 제공될 수 있다. 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다.
제 1 및 제 2 매쳐들(322, 324)은 제1 및 제 2 고주파 파워 소스들(312, 314)에 각각 연결될 수 있다. 제 1 및 제 2 매쳐들(322, 324)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 임피던스들을 각각 매칭시킬 수 있다.
제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 윈도우(160)와 상부 하우징(120) 사이에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 안테나(332)는 기판(W)의 중심 상에 배치될 수 있다. 제 2 안테나(334)는 기판(W)의 가장자리 상에 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)을 기판(W) 상의 가스로 송신할 수 있다.
제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 서로 인접한 거리 내에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 서로 인접한 거리 내에 결합(coupled)될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 제 1 상호 인덕턴스(M1)를 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)은 동일한 방향으로 코일링 및/또는 감길(coiled and/or winded) 수 있다.
제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)은 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)을 제 1 및 제 2 매쳐들(322, 324)에 각각 연결할 수 있다. 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)은 서로 인접한 거리 내에 결합(coupled)될 수 있다. 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)은 제 2 상호 인덕턴스(M2)를 가질 수 있다. 제 2 상호 인덕턴스(M2)는 제 1 상호 인덕턴스(M1)를 상쇄시킬 수 있다. 예를 들어, 제 2 상호 인덕턴스(M2)는 제 1 상호 인덕턴스(M1)와 동일한 절대 값을 가질 수 있다. 제 2 상호 인덕턴스(M2)가 음의 값을 가질 경우, 제 1 상호 인덕턴스(M1)은 양의 값을 가질 수 있다. 반대로, 제 2 상호 인덕턴스(M2)가 양의 값을 가질 경우, 제 1 상호 인덕턴스(M1)은 음의 값을 가질 수 있다. 제 1 상호 인덕턴스(M1)는 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 간섭을 발생시킬 수 있다. 제 1 상호 인덕턴스(M1)가 제 2 상호 인덕턴스(M2)에 의해 상쇄될 경우, 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 간섭은 제거될 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 매쳐들(322, 324)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 임피던스를 안정적으로 매칭시킬 수 있다.
제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)의 코일된 및/또는 결합된 방향과 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)의 코일된 및/또는 결합된 방향과 다를 수 있다. 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)의 코일링 방향은 도 1의 포인트들로 표시될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)은 서로 다른 방향으로 코일링 및/또는 감길(coiled and/or winded) 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344) 각각의 턴 수(turned number)는 서로 동일할 수 있다. 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)의 턴 수는 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)의 턴 수와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 인덕터들(342, 344)의 각각은 약 4회의 턴 수들을 가질 수 있다.
제 1 및 제 2 커패시터들(352, 354)은 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)과 접지 사이에 각각 연결될 수 있다. 제 1 및 제 2 커패시터들(352, 354)은 제 1 및 제 2 안테나들(332, 334)의 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 임피던스를 조절할 수 있다. 이와 달리, 제 1 및 제 2 커패시터들(352, 354)은 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)의 노이즈를 제거할 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 커패시터들(352, 354)의 각각은 약 50pF 내지 약 2000pF 정도의 커패시턴스를 가질 수 있다. 이와 달리, 제 1 및 제 2 커패시터들(352, 354)은 플라즈마(500)의 이그니션을 제어할 수 있다.
하부 고주파 파워 공급 부(400)는 제 3 고주파 파워 소스(412), 및 제 3 매쳐(414)를 포함할 수 있다. 제 3 고주파 파워 소스(412)는 제 3 고주파 파워(530)를 생성할 수 있다. 제 3 매쳐(414)는 제 3 고주파 파워ㅑ530)의 임피던스를 매칭할 수 있다. 제 3 고주파 파워(530)는 제 1 및 제 2 고주파 파워들(510, 520)보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 제 3 고주파 파워(530)는 약 100W 내지 약 1000W를 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 보이드를 갖는 유전체 디스크;
    상기 보이드 내에 충진되어 상기 유전체 디스크의 상부면을 평탄화시키는 필러; 및
    상기 필러 및 상기 유전체 디스크 상에 배치되는 보호 층을 포함하는 유전체 윈도우.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 필러는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 유전체 윈도우.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 필러는 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 망간 산화물, 칼슘 산화물, 또는 YAG의 금속 산화물을 포함하는 유전체 윈도우.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 필러는 실리콘을 포함하는 유전체 윈도우.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 필러는 페놀 수지 또는 요소 수지의 열 경화성 고분자를 포함하는 유전체 윈도우.
  6. 보이드를 갖는 유전체 디스크를 가공하는 단계;
    상기 보이드 내에 필러를 형성하는 단계; 및
    상기 필러 및 상기 유전체 디스크 상에 보호 층을 형성하는 단계를 포함하는 유전체 윈도우의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 필러를 형성하는 단계는:
    상기 유전체 디스크 상에 필러 층을 형성하는 단계; 및
    상기 필러 층을 연마하여 상기 유전체 디스크의 상부 면의 일부를 노출시키는 단계를 포함하는 유전체 윈도우의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 필러 층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 유전체 윈도우의 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 유전체 디스크의 표면을 처리하여 상기 보이드의 크기를 감소시키는 단계를 더 포함하는 유전체 윈도우의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유전체 디스크의 표면을 처리하는 단계는 상기 유전체 디스크를 불산 용액 내에 침지하는 단계를 포함하는 유전체 윈도우의 제조 방법.
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