KR100960978B1 - 플라즈마 제조 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 제조 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100960978B1
KR100960978B1 KR1020047004415A KR20047004415A KR100960978B1 KR 100960978 B1 KR100960978 B1 KR 100960978B1 KR 1020047004415 A KR1020047004415 A KR 1020047004415A KR 20047004415 A KR20047004415 A KR 20047004415A KR 100960978 B1 KR100960978 B1 KR 100960978B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
vacuum chamber
direct current
induction coil
substrate
Prior art date
Application number
KR1020047004415A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040050898A (ko
Inventor
위르겐바이차트
도미니크비모암만
지그프리드크라스니쩌
Original Assignee
오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트
Publication of KR20040050898A publication Critical patent/KR20040050898A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100960978B1 publication Critical patent/KR100960978B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마가 교류를 수반하는 적어도 하나의 유도 코일(2)을 구비한 플라즈마 처리에 적합한 장치의 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a)에서 적어도 공동 생산되고, 플라즈마를 생산하는데 사용되는 가스가 적어도 하나의 주입구(3)를 통해 진공 챔버(1a)로 공급되고 진공 챔버(1a)는 적어도 하나의 펌프 장치(4)의 펌핑 작용으로 처리되며, 또한 플라즈마 밀도에 영향을 주기 위해서 가능한 펄스된 직류가 유도 코일(2)에 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 제조 방법에 관한 것이다.

Description

플라즈마 제조 방법 및 장치 {Method and Device for Producing a Plasma}
본 발명은 진공 용기(vacuum recipient)의 진공 챔버(vacuum chamber)에서 유도 코일에 의해 생성되는 플라즈마의 제조 방법 및 본 발명에 따른 방법을 수행하기에 적합한 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 가능한 반응성 코팅을 기판에 제공하거나, 또는 이와 같은 기판 표면에서 가능한 반응성 에칭(etching)을 수행하기 위한 본 발명에 따른 방법의 용도에 관한 것이다.
예컨대 반도체 제조의 경우와 같이 기판들이 진공하에서 반응성으로 처리되는 경우, 다수의 처리단계, 기판의 가능한 반응성 코팅 또는 가능한 반응성 에칭과 관련된 경우를 위해 진공 용기의 진공 챔버에서 제조된 플라즈마를 사용하는 것이 일반적이다.
이와 관련하여, 플라즈마가 유도성(inductive) 및/또는 용량성(capacitative) 수단에 의해 제조될 수 있다는 것은 알려져 있다.
예컨대, 유럽 공개 제 0 271 341 A1호는 플라즈마 제조용 유도 코일을 포함하는 반도체 디스크의 건조 에칭 장치 및 기판상의 플라즈마로부터 이온화된 입자를 추출하는 전극 장치를 기술하고 있다. 미국 특허 제 6,068,784호에 기술된 장치에 있어서, 플라즈마 제조에 사용되는 에너지는 코일형태의 안테나를 통하여 진공 용기의 진공 챔버에 유도적으로 결합되며, 이와 같은 경우에서의 상기 진공 챔버는 반응기 역할을 한다. 기판은 기판 수용체 역할을 하는 전극표면에 위치하고, 기판에 인가된 소위 RF(라디오 주파수; radio frequency) 바이어스(bias) 또는 편광 전위(polarizing potential)가 존재한다.
미국 특허 제 5,460,707호에는 또한 코팅 목적으로 사용될 수 있는 용량성 플라즈마 제조 장치가 기술되어 있다. 이와 같은 경우, 플라즈마 밀도 분포를 조절하거나 또는 국부적으로 보다 높은 플라즈마 밀도를 생성하기 위하여 추가의 영구자석 또는 전자석에 의해 생성되는 자기장이 제공될 수 있다.
기판이 진공 처리될 경우, 예컨대, 반도체 제조시, 기판을 적절히 균일하게 처리하기 위하여 기판의 전체 표면에 걸쳐 상당히 균일한 플라즈마 밀도 분포를 갖는 것이 매우 중요하다. 결국, 모든 외부 교란성 영향들, 특히 외부장(external field)을 스크리닝하거나 상쇄시키는 것이 필수적이다.
예컨대, 진공 용기를 스크리닝하기 위하여 강자성 쉘(ferromagnetic shell) 을 사용하는 것이 이론적으로는 가능하지만, 이와 같은 쉘이 진공 용기의 중량을 현저히 증가시키기 때문에 실질적인 관점에서 오히려 불리하다. 또한, 유지 또는 보수 작업이 수행되어져야 할 때마다 진공 용기에 접근하기가 보다 어렵게 된다.
유럽 특허 제 0 413 283호에는 전기 전도성 평면 팬케이크 코일(pancake coil)에 의해 평면 플라즈마가 수득될 수 있으며, 고주파수 전압원(voltage source)을 팬케이크 코일에 연결하여 유도장(induction field)이 생성되고, 유전체 스크리닝(dielectric screening)을 통하여 유도장이 커플링된다는 것이 교시되어 있다.
미국 특허 제 6,022,460호에는 한 쌍의 헬름홀쯔 코일(Helmholtz coil)에 의해 생성된 추가의 자기장이 플라즈마 상에 작용되도록 허락되어져야 하며, 상기 자기장이 예컨대, 고주파수 교류 전압(alternating voltage)이 인가된 팬케이크 코일 또는 진공 벨(bell) 형태의 코일에 의해 유도적으로 생성(또는 적어도 공동생성)될 수 있다는 것이 제안되어 있다. 한 쌍의 헬름홀쯔 코일에 인가된 것은 교류(alternating current) 성분에 의해 조절되는 약한 자기장을 생성시키기 위한 것과 같은 직류 및 교류 조합이고, 상기 조절은 “자기장 진동(shaking of the magnetic field)"으로 기술된다. 상기 특허의 해결 과제에 따르면, 이와 같은 것은 플라즈마 밀도의 증가 및 플라즈마 균일성의 향상을 위하여 필수적인 역할을 한다.
미국 특허 제 6,022,460호에 기술된 플라즈마 제조 장치의 한 가지 결점은 추가 쌍의 헬름홀쯔 코일에 의해 간결한 디자인을 갖기 어렵게 되고, 또한 장치의 비용도 증가된다는 것이다. 고주파수 기술은 헬름홀쯔 코일쌍으로부터 결합이 해제되는 유도 코일을 요구하기 때문에 필수적으로 유도 코일이 헬름홀쯔 코일로부터 공간적으로 분리되어져야 한다.
따라서, 본 발명은 상기 기술한 공지 기술들의 결점을 회피하거나, 결점에 의한 영향을 최소화시키는 이용 가능한 고밀도 플라즈마 제조 방법 및 장치를 제시하고자 한다. 본 발명의 추가의 과제는 하기에 기술된 상세한 설명을 통하여 기술될 것이다.
발명의 간단한 설명
본 발명은 교류를 수반하는 적어도 하나의 유도 코일(2)에 의해 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a)에서 적어도 공동 생산되는 플라즈마 제조 방법에 관한 것으로, 상기 플라즈마를 제조하기 위하여 사용되는 기체는 적어도 하나의 주입구(3)를 통하여 진공 챔버(1)에 주입될 수 있고 진공 챔버(1a)는 적어도 하나의 펌프 장치(4)의 펌프 작용을 받게 되고, 플라즈마 밀도에 영향을 주기 위하여 가능한 조절되고 바람직하게는 펄스(pulse)된 직류가 유도 코일(2)을 통과한다.
또한, 본 발명은 기판(9)의 가능한 반응성 코딩 및/또는 가능한 반응성 에칭을 위한 본 발명에 따른 방법의 용도에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a)에서 플라즈마를 적어도 공동제조하기 위한 적어도 하나의 유도 코일(2)을 포함하는 플라즈마 처리에 적합한 장치에 관한 것으로, 상기 진공 챔버(1a)는 플라즈마 제조에 사용되는 기체의 주입을 위한 적어도 하나의 주입구(3) 및 펌프 장치(4)를 구비하고, 상기 유도 코일(2)은 교류 및 단극 또는 양극 방식으로 펄스 가능한 직류를 유도 코일에 공급하는 하나 이상의 전압 생성기에 연결되어 있다.
도 1은 플라즈마 처리에 적합한 본 발명에 따른 장치의 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)의 대각선을 따라 표준화된 에칭의 깊이를 도시하고 있으며, 에칭에 사용된 플라즈마는 직류 및 교류(곡선 I)이거나 단순히 교류(곡선 II)를 수반하는 유도 코일에 의해 적어도 공동-생산되었다.
플라즈마 제조에 적합한 본 발명에 따른 장치는 하나 이상의 펌프 장치(4)에 의해 진공화될 수 있는 진공 챔버(1a)를 구비한 진공 용기(1)를 포함한다.
바람직한 실시예에 있어서, 진공 용기(1)는 진공 용기의 양호한 봉인을 제공하고, 특히 벗어난 외부장을 스크리닝하기 위하여 예컨대 스테인리스 스틸(stainless steel) 또는 알루미늄과 같은 금속 재질의 외부 케이싱(casing)(20)을 포함한다. 진공면 상에서, 진공 용기(1)의 금속 케이싱(10)은 예컨대 자기-지지되거나 또는 외부 케이싱(10) 내부에 코팅으로 증착될 수 있는 유전체 내부 케이싱(7)을 구비하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 유전 물질은 바람직하게는 반응성 코팅 및 에칭 처리에 사용되고 염소 및 불소와 같은 원소를 포함할 수 있는 기체에 대하여 가능한 불활성일 뿐만 아니라, 연결된 동력이 미치는 데까지 가능한 투과성인 것들로부터 선택된다. 바람직한 유전 물질은 다른 것들중에서 중합체 물질, 특히 세라믹 물질, 석영 및 산화 알루미늄을 포함한다. 그러나, 예컨대, 전부 또는 부분적으로 유전 물질로 라이닝되거나 코팅되거나, 유전 물질로 이루어진 진공 용기(1)의 측벽에만도 가능한 반면에, 상부면 및 하부면들은 국제특허공개 제 WO 00/19,483호에 기술된 것과 같은 금속성 연결장치(커플링장치)가 구비된다. 유럽 특허 제 0 413 283호에 기술된 진공 용기(1)에는 예컨대 진공 용기(1)의 상부 덮개벽에 포함될 수 있는 유전 스크리닝이 구비된다.
진공 용기(1)에 대한 앞선 기술들은 단순한 예로 이해되어져야 하며, 본 발명을 설명하기 위한 의도일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.
진공 챔버(1a)는 플라즈마 제조에 사용되는 기체를 주입하게 하는 하나 이상의 기체 주입구(3)를 포함한다. 단일의 기체 화합물 또는 여러 기체 화합물의 혼합물로 이루어질 수 있는 기체는 처리될 기판(9)의 화학 조성 및 물리적 변수들 및 제조될 기판 표면의 변형을 고려하여 선택된다. 만일 기판 표면이 깨끗하게(스퍼터 에칭(sputter etching)) 될 경우, 기체는 예컨대 아르곤 또는 일부의 기타 불활성 기체를 포함할 수 있고, 반면에 반응성 에칭 처리에 사용되는 기체는 예컨대, 염소(Cl2), 사염화실리콘(SiCl4), 삼염화붕소(BCl3), 사염화불소(CF 4), 트리플루오로메탄(CHF3), 설퍼 헥사플루오라이드(SF6) 및/또는 산소(O2)를 포함할 수 있다. 기판이 (예컨대, 화학 증기 증착(CVD) 또는 플라즈마 향상 화학 증기 증착(PECVD)에 의하여) 얇은 막으로 코팅되어져야 할 경우, 유기금속성 화합물, 메탄(CH4), 실리콘 수화물(SiH4), 암모니아(NH3), 질소(N2) 또는 수소(H2)를 사용하는 것이 가능하다. 앞서 기술된 기체 화합물 및 기판(9) 처리 방법은 실시예를 통하여 다시 한번 이해될 것이며, 이는 본 발명을 설명하기 위한 의도이므로, 이에 제한되지 않는다.
기체 흐름 및 펌핑 장치(4)의 전력은 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a) 압력이 0.01 내지 10 Pa, 바람직하게 0.05 내지 0.2 Pa가 되는 방식으로 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 장치는 적어도 하나의 유도 코일(2)을 포함하며, 유도코일에 의해 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a)에서 제조되는 플라즈마가 적어도 공동 생산된다. 유도 코일(2)은 플라즈마에 노출되지 않아서 예컨대 유도 코일(2)상의 전기 전도성 간섭 코팅 또는 기타 코팅의 증착 또는 플라즈마 유발 유도 코일(2) 손상을 방지할 수 있는 방식으로 진공 용기(1) 및/또는 진공 챔버(1a)에 배치되는 것이 바람직하다. 유도 코일(2)은 플라즈마가 제조되는 진공 챔버(1a)의 적어도 일부로부터 유전 스크리닝(예컨대 유전체 내부 케이싱(7))에 의해 분리되는 것이 바람직하다. 또한, 유도 코일(2)은 진공 챔버(1a) 외부에 배치되는 것이 바람직할 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 하나 이상의 유도 코일(2), 바람직하게는 하나 또는 두 개의 유도 코일(2), 및 특히 하나의 유도 코일(2)을 포함한다.
유도 코일(2) 형태는 다양할 수 있으며, 심지어 직류가 유도 코일(2)을 통과하지 않더라도 유도장(field)이 발생될 수 있을 정도로 가능한 균일한 방식으로 선택되는 것이 바람직하다.
유도 코일(2)의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 코일은 진공 챔버(1a) 상에 및/또는 바람직하게는 챔버 내부에 위치한 유전체 내부 케이싱(7)상에 직접 감겨진 와인딩(winding)을 포함한다. 도 1에 도시된 본 발명에 따른 장치에 있어서, 코일 와인딩은 예컨대 유전체 내부 케이싱(7)의 측벽상에 감겨져 있다. 이와 같은 경 우, 유도장의 균일성은 유도 코일(2)의 와인딩 수 및 배치 및 유전체 내부 케이싱(7)의 기하학적 차원에 의해 영향을 받을 수 있다.
또 다른 실시예에 있어서, 유도 코일(2)은 예컨대 유럽 특허 제 0 413 282호에 기술된 바와 같이 다수의 나선형 와인딩 또는 동심원에 배치된 일련의 와인딩으로 구성될 수 있는 평평한(flat)(팬케이크) 또는 평면(planar) 코일 형태로 추정된다. 평평한 코일은 예컨대, 바람직하게는 원형 또는 타원형을 가질 수 있다. “평평한” 또는 “평면”이라는 개념은 두께에 대한 오른쪽 각도에서 두 개의 다른 방향으로 측정된 코일 두께와 코일 넓이간의 비율이 0.3 보다 작은, 바람직하게는 0.2보다 작은 것을 의미한다. 유럽 특허 제 0 413 282호에는 팬케이크 코일이 진공 용기의 외부 케이싱(10)에 위치한 유전 스크리닝에 근접하게 배치되는 것이 바람직하고, 상기 스크린은 유전체 윈도우(window) 역할을 하며 유도장(field) 결합을 허용한다는 것이 개시되어 있다. 물론, 평평한 코일을 유전체 내부 케이싱(7)에 근접하게 배치시키는 것도 가능하다.
다른 바람직한 실시예에 있어서, 유도 코일(2)은 미국 특허 제 6,022,460호에 개시되어 있는 진공 벨의 형태를 갖는다.
유도 코일(2)에 의해 적어도 공동 생산되는 플라즈마의 밀도는 영향을 받을 수 있고, 특히 유도 코일(2)로 교류 뿐만 아니라 동시에 직류가 인가되는 경우 플 라즈마의 균일성이 증가될 수 있다는 것이 밝혀졌다.
유도 코일(2)로 교류의 인가는 고주파 전력을 플라즈마의 적어도 공동 생산을 위한 진공 용기로 결합하는 역할을 한다. 상기 목적을 위하여 유도 코일(2)은 바람직하게 어댑터 네트워크(13)를 통해 고주파 전압 생성기(6)에 연결된다. 어댑터 네트워크(13)는 고주파 전압 생성기(6)의 저항 및 유도 코일(2)과 진공 챔버(1a)의 임피던스 및/또는 그 내에서 생성되는 플라즈마를 연결시키는 역할을 하고, 따라서 고주파 전력의 매우 효율적인 결합을 얻는 것이 가능해진다.
본 발명과 관련하여 "고주파수"는 10 kHz 내지 3 GHz의 주파수를 갖는 전자기 진동 또는 파동을 의미한다. 고주파 전압 생성기(6)는 바람직하게 100 kHz 내지 100 MHz, 더욱 바람직하게 100 kHz 내지 14 MHz 및 더욱더 바람직하게 400 kHz 내지 2 MHz의 넓은 고주파 스펙트럼에서 작동할 수 있다.
또한 바람직한 주파수의 선택은 유도 코일(2)의 기하학적 배열에 의존한다. 따라서, 예컨대 코일이 유전체 내부 케이싱(7) 주위를 감고 있는 경우 얻어질 수 있고 고주파 에너지가 상기 코일의 와인딩 내의 공간을 통해 진공 챔버(1a)로 연결된 비평면의 3차원 유도 코일(2)인 경우에 있어서, 선택된 주파수는 바람직하게 100 kHz 내지 2 MHz 및 특히 200 kHz 내지 1 MHz 사이일 것이다. 반면, 고주파 에너지가 코일 구역을 통해 진공 챔버(1a)로 연결되어 있는 2차원의 팬케이크 코일인 경우, 선택된 주파수는 보다 높을 것이고, 바람직하게 2 MHz 내지 14 MHz일 것이다. 상기 주파수 범위의 바람직한 상한치는 산업에서 가장 널리 사용되는 고주파 전압 생성기의 표준 주파수가 13.56 MHz라는 사실에 기인한다. 상기 주파수는 산업적 사용에 대하여 국제 정보통신 협약에 의해 승인된다.
직류가 유도 코일(2)에 추가적으로 인가되는 경우 플라즈마의 밀도 분포가 영향을 받을 수 있고, 바람직하게 그에 의해 플라즈마의 균일성이 예컨대 기판(9)의 표면 상에서 개선될 수 있음이 밝혀졌다. 상기 목적을 위하여 또한 유도 코일(2)은 바람직하게 저역 통과 필터(12)를 통해 직류 전압 생성기(6')에 연결된다. 바람직하게, 예컨대 코일 및 그와 병렬로 연결된 커패시터를 포함할 수 있는 저역 통과 필터(12)는 직류가 유도 코일(1)로 접근 가능한 반면 고주파 전류는 차단되어 직류원으로의 경로가 존재하지 않도록 하는 방식으로 설계된다.
직류는 일정하거나 조절될 수 있고, 예컨대 단극 또는 양극 방식으로 펄스될 수 있다. 유도 코일(2)의 와인딩수를 고려하여, 와인딩수 및 직류의 곱이 평균치 및 절대치로서 10 내지 1000 암페어 와인딩 및 바람직하게 100 내지 400 암페어 와인딩수에 달하도록 하는 방식으로 직류가 선택될 것이다. 유도 코일(2)의 와인딩수는 적어도 7인 것이 바람직하지만, 플라즈마의 밀도 분포를 일정하게 하는데 필요한 전류는 와인딩수가 감소함에 따라 증가할 것이고 따라서 직류 발생기(6') 및 저역 통과 필터(12)에 대한 사양이 보다 증가하는 경향일 것이므로 최소 10이 더욱 바람직하고, 최소 12가 더욱더 바람직하다.
플라즈마 밀도 분포는 예컨대, 랑뮈에 프로브(Langmuir probe)를 사용함으로써 측정될 수 있다. 스퍼터 에칭 및 반응성 에칭 방법의 경우에 있어서, 또한 반응성 코팅 방법의 경우에 있어서, 기판(9) 구역 상의 플라즈마 밀도 분포가 예컨대 기판의 구획을 따라 에칭 깊이 분포 및/또는 코팅 두께 분포의 균일성에 영향을 주기 때문에, 플라즈마 밀도 분포의 균일성은 에칭 깊이 및/또는 코팅 두께의 분포를 측정함으로써 측정될 수도 있다.
열적으로 산화된 실리콘 웨이퍼의 경우에 있어서, 예컨대 에칭 깊이는 에칭 이전에 예컨대, 실리콘 웨이퍼의 전체 표면을 덮는 래스터(raster)에서 또는 실리콘 웨이퍼의 직경을 따라 실리콘 옥사이드 층의 두께를 측정하는 엘립소미터(ellipsometer)를 사용함으로써 결정될 수 있다. 이후 잔여 실리콘 옥사이드 층의 두께는 에칭 공정이 종료된 후에 측정된다. 에칭 깊이는 에칭 공정 전후의 실리콘 층 두께 차이로부터 알 수 있다.
상기 방법은 코팅 두께를 측정하는 유사한 방법에 적용될 수 있다.
예컨대, 기판(9) 전체에 걸친 구획에 따라, 예컨대, 에칭 깊이 분포 또한 플라즈마 밀도 또는 코팅 두께의 균일성 또는 균등성은 하기와 같이 정의되는 소위 균등성 지수에 의해 특징화될 수 있다:
균일성 지수 = (최대치 - 최소치) / (최대치 + 최소치)
상기에서, 최대치 및 최소치는 각각 기판(9)의 전체 표면적 상의 또는 기판 전체에 걸친 구획에 따른 특징적인 분포의 최대값 또는 최소값이다. 일반적으로 균일성 지수는 퍼센티지로 표시된다.
유도 코일(2)로 인가되는 직류는 예컨대, 기판(9)의 전체 표면 중 특정 구역 상의 예컨대, 기판(9)에 걸쳐 임의로 선택된 구획을 따라 플라즈마 밀도 분포, 에칭 깊이 또는 코팅 깊이의 균일성 지수가 10%, 바람직하게 7.5% 및 더욱 바람직하게 5% 이하가 되도록 하는 방식으로 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 장치의 또 다른 바람직한 실시예에 있어서, 상기 장치는 일정한 거리로 분리되어 있는 적어도 한 쌍의 전극(5a, 5b)을 포함한다. WO 00/19,483에 개시되어 있는 진공 처리 챔버의 특정 설계에 있어서, 전극(5a, 5b)은 예컨대, 유전체 물질로 제조된 측벽에 의해 서로 갈바닉전기적으로 분리되어 있는 진공 용기(1)의 상부 덮개벽 및 하부 덮개벽 내에서 금속 연결에 의해 형성될 수 있다. 미국 특허 제 6,068,784호는 기판 테이블(8)이 음극 역할을 하고 진공 용기의 측벽이 양극 역할을 하며, 진공 용기의 상부 돔 형태의 돌기의 덮개벽이 3차 전 극을 이루는 3개의 전극 배열을 개시하고 있다.
특히 바람직한 실시예에서, 전극 쌍(5a, 5b)의 한 전극(5a)은 일반적으로 사용되는 정전기 또는 기계적 홀딩 및/또는 센터링 장치에 의해 부착되는 기판 테이블(8)에 의해 형성된다(웨이퍼 기판의 경우 때때로 웨이퍼 척(wafer chuck)이라고 함). 일반적으로 기판 테이블 자체는 진공 챔버의 케이싱(10)으로부터 전기적으로 절연될 것이다. 상대 전극(5b)은 예컨대, 하기 전기적 연결이 존재하는 경우 진공 챔버의 상단 덮개 벽 또는 말단면 내에서 전기적 연결에 의해 구성될 수 있다. 특히 바람직한 변형예에 있어서, 원형 기판 테이블(8)은 상대 전극의 역할을 하고 일반적으로 암흑부 스크리닝으로 기술되는 링에 의해 둘러싸여진다. 암흑부 스크리닝 상부에서 기판 테이블(8) 및 암흑부 스크리닝 간의 절연은 진공 챔버(1a)에서 진공에 의해 제공된다. 암흑부 스크리닝의 하부에서 암흑부 스크리닝은 비록 갈바니전기적으로 분리되어 있다고 할지라도 링 형태의 세라믹 절연체의 중심에 오도록 조절되는 방식으로 기판 테이블(8)에 고정된다.
바람직하게 전극 쌍(5a, 5b)은 예컨대 단극 또는 양극 방식으로 펄스되는 직류 전압원 또는 교류 전압원에 연결되거나, 직류 및 교류 전압원에 동시에 연결될 수 있다. 플라즈마는 바이어스로도 기술되는 전극 쌍(5a, 5b)에 인가되는 전압에 의해 용량성으로 여기된다.
바람직하게 전극 쌍(5a, 5b)으로 인가되는 것은 직류 전압 또는 교류 전압, 특히 100 kHz 내지 100 MHz의 주파수를 갖는 고주파 교류 전압이다. 교류 전압의 적절한 주파수를 선택하는 경우, 바람직하게 미국 특허 제 6,068,784호, 칼럼 4, 23-52줄에 개시되어 있는 기판(9) 및/또는 진공 챔버(1a)에 대한 영향이 고려되어야 한다. 기판 테이블(8)이 전극(5a)으로서 사용되고 암흑부 스크리닝이 상대 전극(5b)으로 사용되는 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 기판 테이블(8)은 바람직하게 3 MHz 이상, 보다 바람직하게 10 MHz 이상의 주파수를 갖는 고주파 전압 생성기(11)에 연결되고, 암흑부 스크리닝은 접지된다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 진공 용기(1)는 예컨대 스테인리스 합금으로 제조되고 진공화 될 수 있는 탱크(10)를 포함하고, 상기 탱크(10)는 진공 챔버(1a)를 감싸고 있고 예컨대 석영 또는 산화알루미늄으로 제조되는 유전체 내부 케이싱(7)을 포함한다. 유도 코일(2)은 상기 유전체 내부 케이싱 주변에 감겨져 있고, 어댑터 네트워크(13)를 통해 교류 전압 발생기(6)에 연결되어 있고, 또한 저역 통과 필터(12)를 통해 직류 전압 발생기(6')에 연결되어 있으며, 회로는 접지에 의해 완성된다. 기판(9)을 지지하는 기판 테이블(8)은 전극(5a)으로서의 역할을 하고, 중심 위치에 배열되고 상대 전극(5b)의 역할을 하는 원형 암흑부 스크리닝에 의해 둘러싸여 있다. 진공 챔버(1a)는 펌프 장치(4)의 펌핑 작용으로 처리된다. 진공 용기(1)의 상부 덮개벽의 중앙에는 가스 주입구(3)가 제공된다.
200 mm의 직경을 갖는 웨이퍼를 처리하도록 설계된 도 1에 의해 대략적으로 도시된 장치의 구체적인 실시예에 있어서, 유전체 내부 케이싱의 직경은 275 mm였다. 기판 테이블(8)과 진공 용기(1)의 상부 덮개벽 간의 거리는 180 mm였다. 유전체 내부 케이싱(7) 주위를 감고 있는 유도 코일(2)의 직경은 304 mm이었고 15번 감겨 있었다. 스퍼터 에칭용의 아르곤이 가스 주입구(3)를 통해 챔버 내로 공급되어, 10-3 mbar의 작동 압력이 달성되었다. 전극(5a)으로 작용하는 기판 테이블(8)에 인가되는 바이어스 전압은 13.56 MHz의 주파수를 갖고 있었고, 상대 전극으로 작용하는 암흑부 스크리닝은 접지되었다. 유도 코일(2)은 2개의 커패시터로 이루어진 어댑터 네트워크(13)를 통해 400 MHz에서 작동하는 교류 전압 생성기(6)에 연결되었다. 유도 코일(2)의 내부공간에서 상기 장치에 의해 유도되는 자기장은 약 5 가우스에 달하였다. 또한 유도 코일(2)은 커패시터 및 그에 병렬로 연결된 코일로 이루어진 저역 통과 필터(12)를 통해 직류 전압 생성기에 연결되었다. 기판(9)의 역할을 하는 웨이프의 직경을 따라 스퍼터 에칭 깊이 분포가 ±3% 이하의 균일성 지수를 갖도록 하는 방식으로 선택된 직류는 약 10A에 달하였고 약 12 가우스의 자기장을 생성하였다.
도 2는 이전에 열 산화 처리를 한 300 mm의 직경을 갖는 원형 실리콘 웨이퍼 의 직경을 따라 표준화된 스퍼터 에칭 깊이 분포를 도시한 것이다. 측정은 도 1과 관련하여 개시된 작동 조건 하에서 300 mm 웨이퍼를 수용하는데 필요한 기하학적 크기를 갖는 유사한 장치에서 수행되었다. 도 2에 도시되어 있는 곡선 I은 10A의 교류 및 추가적인 직류를 유도 코일(2)에 인가한 본 발명에 따른 방법에 의해 얻어졌다. 비교를 위해서, 곡선 II는 단지 교류만이 유도 코일에 인가되는 경우에 얻어지는 스퍼터 에칭 깊이 분포를 도시한 것이다. 곡선 II로부터, 단지 교류만이 유도 코일에 인가되는 경우 스퍼터 에칭 깊이는 웨이퍼 기판(9)의 가장자리로 접근함에 따라 감소하고, 스퍼터 에칭 깊이 분포가 대칭적이지 않음을 알 수 있다. 곡선 I은 부가적인 직류가 유도 코일(2)에 인가되는 경우 스퍼터 에칭 깊이 분포의 균일성이 명확하게 향상함을 보여 준다. 모든 의도와 목적을 위하여 스퍼터 에칭 깊이 분포는 더 이상 어떠한 비대칭에도 관계되지 않는다. 특히, 곡선 II에서 관찰되던 웨이퍼 가장자리로 갈수록 스퍼터 에칭 깊이가 감소하는 현상이 이제는 보정된다. 직류에 의해 생성되는 추가로 인가된 자기장에 의하여 달성되는 플라즈마 밀도 분포의 균일화는 ±3% 이하의 균일성 지수를 나타낸다. 원한다면, 또한 직류의 암페어수는 곡선 II의 과도보정을 얻음으로써 웨이퍼의 중심 보다 가장자리의 에칭 깊이가 더 크도록 선택될 수 있고; 이 경우 볼록 굴곡을 갖는 미보정 곡선 II는 오목 굴곡을 갖는 과도보정된 곡선을 생산하기 위해 보정된 상태의 곡선 I에 대하여 어떤 의미로 "역전"된다.
처리 스테이션(processing station)의 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 장치는 소위 클러스터(cluster)의 부품일 수 있다. 본 명세서에서의 클러스터는 통상적인 운반 장치, 예컨대 운반 로봇에 의해 제공되는 다수의 종종 상이한 처리 스테이션의 조합을 일컫는 것으로 이해된다. 본 명세서에서 PVD(물리적 기상 증착법) 설비가 추가적인 처리 스테이션의 예로서 지명될 수 있다. 바람직하게 다양한 처리 스테이션은 적절한 슬루스게이트(sluicegate)에 의해 운반 공간으로부터 분리된다.
상기 클러스터에서 운반 장치는 운반 슬루스게이트(도 1에서 미도시)를 통해 기판(9)을 본 발명에 따른 장치로 도입하는데 사용될 것이다. 전달 장치는 기판(9)을 기판 테이블(8) 상에 증착하고, 거기서 (필요한 경우) 중심에 놓여지고 적절히 유지될 것이다. 슬루스게이트의 진공 압축 폐쇄 이후에, 진공 챔버는 펌핑 장치(4)에 의해 진공화되고; 그와 병행하여 또는 그 직후에 기판(9)은 기판 테이블(8)에 포함되어 있는 템퍼링 장치에 의해 원하는 처리 온도로 이르게 된다. 이후 플라즈마를 생산하는데 필요한 가스는 가스 주입구(3)를 통해 챔버로 공급된다. 이후 고주파 전압을 유도 코일(2)에 인가하고 고주파 바이어스를 기판 테이블(8)에 인가함으로써 플라즈마는 점화된다. 그와 병행하여 직류가 유도 코일(2)에 인가된다. 바람직한 처리의 종결 이후에, 기판(9)은 슬루스게이트를 통해 진공 용기(1)로부터 제거된다.

Claims (29)

  1. 플라즈마가 교류를 수반하는 적어도 하나의 유도 코일(2)을 구비한 플라즈마 처리 장치의 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a)에서 적어도 공동 생산되고, 상기 플라즈마를 생산하는데 사용되는 가스가 적어도 하나의 주입구(3)를 통해 진공 챔버(1a)로 공급되고 진공 챔버(1a)는 적어도 하나의 펌프 장치(4)의 펌핑 작용으로 처리되며, 플라즈마 밀도에 영향을 주기 위해서 직류가 유도 코일(2)에 인가되고,
    상기 플라즈마가 일정한 거리로 분리된 적어도 한 쌍의 전극(5a, 5b)으로 인가되는 전압에 의해 공동 생산되거나 공동 여기되고, 상기 진공 챔버(1a)가 기판(9)용의 기판 테이블(8)을 포함하며, 상기 기판 테이블(8)이 전극(5a)에 의해 형성되고, 암흑부 스크리닝이 상대 전극(5b)으로 사용되고,
    상기 유도 코일(2)이 유전체 내부 케이싱(7) 또는 유전체 윈도우에 의해 플라즈마가 생산되는 진공 용기(1a)의 적어도 일부로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 직류가 변조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 교류가 고주파수 생성기(6)에 의해 생산되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 고주파수 생성기(6)가 100 내지 14,000 kHz의 주파수에서 작동하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 직류 및 유도 코일(2)의 와인딩수가 와인딩수와 직류의 곱이 평균치 및 절대치로 10 내지 1,000 암페어 와인딩이 되는 방식으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 직류가 저역 통과 필터(12)를 통해 유도 코일(2)로 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 진공 챔버(1a) 내의 압력이 0.01 내지 10 Pa인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서, 상기 전압이 교류 전압 또는 가능한 단극 또는 양극 방식으로 펄스되는 직류 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 교류 전압이 적어도 1 MHz의 주파수를 갖는 고주파수 교류 전압인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 1항에 있어서, 교류 및 직류가 기판 평면 또는 그에 평행한 평면에서의 플라즈마 밀도의 균일성 지수가 10% 이하가 되는 방식으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 진공 용기(1)의 진공 챔버(1a)에서 플라즈마를 적어도 공동 생산하기 위한 적어도 하나의 유도 코일(2)을 포함하고, 상기 진공 챔버(1a)가 플라즈마 생산을 위한 가스가 주입되는 적어도 하나의 주입구(3)를 구비하고 적어도 하나의 펌프 장치(4)를 구비하고, 유도 코일(2)이 상기 유도 코일로 교류 또는 가능한 변조된 직류를 인가하는 하나 이상의 전압 생성기에 연결되고, 상기 변조된 직류가 단극 또는 양극 방식으로 펄스되며,
    특정 거리로 분리된 적어도 한 쌍의 전극(5a, 5b)을 구비하고, 진공 챔버(1a)가 기판(9)용 기판 테이블(8)을 포함하며, 상기 기판 테이블(8)이 전극(5a)에 의해 형성되고, 암흑부 스크리닝이 상대 전극(5b)으로 사용되며, 유도 코일(2)이 유전체 내부 케이싱(7) 또는 유전체 윈도우에 의해 플라즈마가 생산되는 진공 용기(1a)의 적어도 일부로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 유도 코일(2)이 어댑터 필터(12)를 통해 교류 전압 생성기(6)에 연결되고 저역 통과 필터(13)를 통해 직류 전압 생성기(6')에 연결되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 운반 슬루스게이트에 의해 운반 장치에 연결된 다수의 처리 스테이션을 포함하는 클러스터 장치에 있어서, 적어도 하나의 상기 처리 스테이션이 제 18항 또는 제 19항에 따른 장치인 것을 특징으로 하는 클러스터 장치.
  26. 제 3항에 있어서, 상기 고주파수 생성기(6)가 400 내지 2,000 kHz의 주파수에서 작동하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 1항에 있어서, 상기 직류 및 유도 코일(2)의 와인딩수가 와인딩수와 직류의 곱이 평균치 및 절대치로 100 내지 400 암페어 와인딩이 되는 방식으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 1항에 있어서, 상기 진공 챔버(1a) 내의 압력이 0.05 내지 0.2 Pa인 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 1항에 있어서, 교류 및 직류가 기판 평면 또는 그에 평행한 평면에서의 플라즈마 밀도의 균일성 지수가 5% 이하가 되는 방식으로 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020047004415A 2001-09-28 2002-09-26 플라즈마 제조 방법 및 장치 KR100960978B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10147998A DE10147998A1 (de) 2001-09-28 2001-09-28 Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas
DE10147998.0 2001-09-28
PCT/EP2002/010811 WO2003030207A1 (de) 2001-09-28 2002-09-26 Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines plasmas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040050898A KR20040050898A (ko) 2004-06-17
KR100960978B1 true KR100960978B1 (ko) 2010-06-03

Family

ID=7700714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047004415A KR100960978B1 (ko) 2001-09-28 2002-09-26 플라즈마 제조 방법 및 장치

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7476301B2 (ko)
EP (1) EP1433192A1 (ko)
JP (1) JP4610191B2 (ko)
KR (1) KR100960978B1 (ko)
CN (1) CN100364035C (ko)
DE (1) DE10147998A1 (ko)
HK (1) HK1069674A1 (ko)
TW (1) TWI290809B (ko)
WO (1) WO2003030207A1 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6831021B2 (en) * 2002-06-12 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Plasma method and apparatus for processing a substrate
DE102004002243A1 (de) * 2003-02-07 2004-09-16 Trikon Technologies Limited, Newport Elektrostatische Klemmhalterung für dünne Wafer in einer Vakuumkammer zur Plasmabearbeitung
KR20050004995A (ko) * 2003-07-01 2005-01-13 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용하는 기판 가공 장치
KR100741916B1 (ko) 2004-12-29 2007-07-24 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마 처리장치 및 그 세정방법
JP4982893B2 (ja) * 2007-06-28 2012-07-25 独立行政法人産業技術総合研究所 高周波加熱式吸着塔
DE102007039758B4 (de) * 2007-08-22 2012-10-31 Johann Wolfgang Goethe-Universität Frankfurt am Main Einrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas durch niederfrequente induktive Anregung
DE102008022181B4 (de) 2008-05-05 2019-05-02 Arianegroup Gmbh Ionentriebwerk
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
WO2009146439A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
WO2011123125A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
JP2011522381A (ja) 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマに基づく化学源装置およびその使用方法
JP5347345B2 (ja) * 2008-06-16 2013-11-20 旭硝子株式会社 導電性マイエナイト型化合物の製造方法
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
AU2010349784B2 (en) 2010-03-31 2015-01-15 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US9111728B2 (en) 2011-04-11 2015-08-18 Lam Research Corporation E-beam enhanced decoupled source for semiconductor processing
US9177756B2 (en) * 2011-04-11 2015-11-03 Lam Research Corporation E-beam enhanced decoupled source for semiconductor processing
US8900403B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
JP5510437B2 (ja) 2011-12-07 2014-06-04 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
CN103606508A (zh) * 2013-11-27 2014-02-26 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种颗粒材料表面等离子体处理装置
GB201603581D0 (en) * 2016-03-01 2016-04-13 Spts Technologies Ltd Plasma processing apparatus
JP2019160714A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN110729165B (zh) * 2018-07-17 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 电感耦合装置、工艺腔室和半导体处理设备
CN111192812B (zh) * 2020-01-07 2022-11-25 北京北方华创微电子装备有限公司 电感耦合装置和半导体处理设备
KR20230108221A (ko) * 2020-11-20 2023-07-18 램 리써치 코포레이션 펄스 자기장을 사용한 플라즈마 균일성 제어

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1098033A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Anelva Corp 絶縁膜用プラズマ成膜装置

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4233109A (en) * 1976-01-16 1980-11-11 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Dry etching method
JPS6475690A (en) * 1987-09-18 1989-03-22 Anelva Corp Vacuum chemical reaction apparatus
JPH02253617A (ja) * 1989-03-28 1990-10-12 Matsushita Electron Corp プラズマ処理装置
JPH0312924A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Mitsubishi Electric Corp プラズマ加工装置
US5556501A (en) * 1989-10-03 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor
KR100255703B1 (ko) * 1991-06-27 2000-05-01 조셉 제이. 스위니 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
FR2693770B1 (fr) * 1992-07-15 1994-10-14 Europ Propulsion Moteur à plasma à dérive fermée d'électrons.
US6290824B1 (en) * 1992-10-28 2001-09-18 Hitachi, Ltd. Magnetic film forming system
JPH0794431A (ja) * 1993-04-23 1995-04-07 Canon Inc アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
JPH0737697A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Hitachi Ltd プラズマ発生装置
US5551959A (en) * 1994-08-24 1996-09-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article having a diamond-like coating layer and method for making same
JP3805808B2 (ja) * 1995-03-20 2006-08-09 株式会社東芝 高周波放電処理装置
JP3119172B2 (ja) * 1995-09-13 2000-12-18 日新電機株式会社 プラズマｃｖｄ法及び装置
KR970064327A (ko) * 1996-02-27 1997-09-12 모리시다 요이치 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
DE19643841A1 (de) * 1996-10-30 1998-05-07 Balzers Prozess Systeme Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Substraten, insbesondere mit magnetisierbaren Werkstoffen
TW358964B (en) * 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
TW376547B (en) * 1997-03-27 1999-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for plasma processing
JPH10284298A (ja) * 1997-04-01 1998-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
US6300720B1 (en) * 1997-04-28 2001-10-09 Daniel Birx Plasma gun and methods for the use thereof
JP3630982B2 (ja) * 1997-05-22 2005-03-23 キヤノン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US6375810B2 (en) * 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
JP3131594B2 (ja) * 1997-09-22 2001-02-05 科学技術庁金属材料技術研究所長 反応性イオンエッチング装置
US6039836A (en) * 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
CN1161820C (zh) * 1998-07-31 2004-08-11 佳能株式会社 半导体层制造方法和制造设备、光生伏打电池的制造方法
WO2000019483A1 (de) * 1998-09-30 2000-04-06 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Vakuumbehandlungskammer und verfahren zur oberflächenbehandlung
US6238528B1 (en) * 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
US6497796B1 (en) * 1999-01-05 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity across a substrate
KR100311234B1 (ko) * 1999-01-18 2001-11-02 학교법인 인하학원 고품위 유도결합 플라즈마 리액터
WO2001005020A1 (en) * 1999-07-13 2001-01-18 Tokyo Electron Limited Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
DE19933841A1 (de) * 1999-07-20 2001-02-01 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas
DE19933842A1 (de) * 1999-07-20 2001-02-01 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Substrates mittels eines induktiv gekoppelten Plasmas
US6409890B1 (en) * 1999-07-27 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a uniform layer on a workpiece during sputtering
US6232236B1 (en) * 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
US6432260B1 (en) * 1999-08-06 2002-08-13 Advanced Energy Industries, Inc. Inductively coupled ring-plasma source apparatus for processing gases and materials and method thereof
US20030116427A1 (en) * 2001-08-30 2003-06-26 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6341574B1 (en) * 1999-11-15 2002-01-29 Lam Research Corporation Plasma processing systems
CN100568461C (zh) * 2000-09-01 2009-12-09 信越化学工业株式会社 产生磁等离子体的磁场发生装置
US6824658B2 (en) * 2001-08-30 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Partial turn coil for generating a plasma
JP2003323997A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Lam Research Kk プラズマ安定化方法およびプラズマ装置
US6841943B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1098033A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Anelva Corp 絶縁膜用プラズマ成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE10147998A1 (de) 2003-04-10
CN1559077A (zh) 2004-12-29
TWI290809B (en) 2007-12-01
HK1069674A1 (en) 2005-05-27
CN100364035C (zh) 2008-01-23
JP2005505130A (ja) 2005-02-17
EP1433192A1 (de) 2004-06-30
JP4610191B2 (ja) 2011-01-12
US7476301B2 (en) 2009-01-13
WO2003030207A1 (de) 2003-04-10
US8613828B2 (en) 2013-12-24
KR20040050898A (ko) 2004-06-17
US20090145554A1 (en) 2009-06-11
US20030075522A1 (en) 2003-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100960978B1 (ko) 플라즈마 제조 방법 및 장치
JP6539113B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3691528B2 (ja) 高密度プラズマｃｖｄ及びエッチングリアクタ
US5554223A (en) Plasma processing apparatus with a rotating electromagnetic field
JP3653524B2 (ja) プラズマ発生方法、および誘導結合されたプラズマ発生源を含むプラズマ発生装置
US5622635A (en) Method for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination
US6887341B2 (en) Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization
KR102502273B1 (ko) 리모트 플라즈마 막 증착시 웨이퍼 레벨 균일도 제어
TW201508806A (zh) 等離子體處理裝置
CN101080133B (zh) 感应耦合等离子体反应器
KR100842947B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR20000057263A (ko) 기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치
JP4686867B2 (ja) プラズマ処理装置
TW408358B (en) Improved inductively coupled plasma source
KR20170102808A (ko) 기판 처리 장치
TWI828704B (zh) 電漿處理方法與用於電漿處理腔室的腔室部件及其製造方法
JP6808782B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6435197B2 (en) Method of cleaning a semiconductor fabricating apparatus
TWI723406B (zh) 電漿處理裝置
US6462483B1 (en) Induction plasma processing chamber
JP5893260B2 (ja) プラズマ処理装置および処理方法
US20220157602A1 (en) Silicon oxide gap fill using capacitively coupled plasmas
JPH1140544A (ja) 反応性イオンエッチング装置
CN115398602A (zh) 等离子处理装置以及等离子处理方法
KR101040541B1 (ko) 플라즈마 발생용 하이브리드 안테나

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130502

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140508

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160427

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170504

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180427

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 10