TW201003747A - Microwave plasma processing apparatus, dielectric window for use in the microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing the dielectric window - Google Patents

Description

201003747 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種藉由穿透介電體板及/或襄射 板之微波而產生電裝’並針對被處理體進行電將_、 微波電漿處理裝置’尤係關於構成介電體板及/戈^_、 極板之陶瓷組件以及其製造方法。 3姨射 【先前技術】 一般而言，此一習知類蛰之微波電漿處理裴置包八 一處理室，可利用電漿來針對玻璃基板、半導^武 被處理體進行成膜、敍刻、灰化等處理，藉由將 入至該處理室内部之同時，利用放射狀槽孔天線(尺础^ Line Slot Antenna) (RLSA)(以下簡稱為槽孔天線&)= 之導入微波手段，使得微波穿透介電體板而供给至斤= 室，以於處理室内部產生電漿。此等微波電漿處理： 中，於處理室内部之介電體板之對向處設置—载置二 用以承载玻璃基板、半導體基板等被處理體。〇， 2 ’介電體板係保持處理空間内部之氣密效果， ' 用以使微波導入至該處理空間内之窗。 作為Si，:波電聚處理裝置係有僅使:介電體板 構。自之、，構以及具有簇射極板作為介電窗之結 曰本專利公開» 2_-265919號公報（專利文獻〇 3 201003747 之，屬於前者’於處理室中與槽孔天線對向 =:!電體板’藉由該介電體板來保持進行電聚處 中，二：Γ之軋狯效果。此類型之微波電漿處理裝置 I微ϊΐΐΓ/板所構成之介電窗，將來自槽孔天線 ===空Γ部。此時，氩氣等電漿氣體， 又至# ”載H’亦即’介電體板之下方導 入至该處理空間内部。 文獻=匕日本專利公開第2006-310794號公報（專利 法中，將可 只⑼⑽ 電體板舖設形成瓦狀，自該等瓦 至声理—^以產生電漿之處理氣體（域氣等）供給 之;電:元文獻2彻 已知之微波—處理裝置， 之簇射極板(且有可使乂夂孔天線以及一圓形形狀 洞），並且該蔟射極板t4電漿氣體通過之複數之孔 漿裝置。此外，亦提出1由介電體組件所構成的微波電 的微波電漿裝置。 /、有上下兩層式構成之簇射極板 使用介電體元件以及作棚極板 等陶究係以氧化銘陶兗(一一s ) 於本發明說明書中，八 蔟射極板之介電窗 ；|電體板、介電體元件與包含 ’糸由介電體所構成之零件，以下皆 201003747 統稱為介電窗組件。 此外，已知於此類型之微波電漿處理裝置中，相較 於使用氬氣（Ar)作為產生電漿之氣體，使用氪氣（Kr) 作為產生電槳之氣體，可形成特性優良之膜（如氧化 膜）。 專利文獻1:日本專利公開第2004-265919號公報。 專利文獻2:日本專利公開第2006-310794號公報。 但實際上，已知於不同之微波電漿處理裝置，即便 使用氪氣作為產生電漿之氣體，有時亦只能獲得與使用 氬氣所形成之相同特性之膜（如氧化膜）。具體言之， 此類型之微波電漿處理裝置於進行氧化反應時，通常係 供給氬氣與氧氣（Ar/02)作為產生電漿之氣體，即便 將產生電漿之氣體替換為氪氣與氧氣（Kr/02)，於不 同之微波電漿處理裝置，有時亦無法獲得有效之差異 性。使用Kr/NH3替換Ar/NH3而形成氮化膜時，亦 有相同之問題。 【發明内容】 因此，本發明之目的係研究藉由微波電漿處理裝置 所形成之膜（尤其是氧化膜與氮化膜）之特性劣化的原 因，並提出排除該原因之方法的同時，排除該原因而改 善所產生之膜的特性。 使用Kr電漿時，相較於Ar電漿在理論上應可形成 201003747 特性較佳的氧化臈，佝實 能形成特性絲用Δ 卩便改用以電漿，卻只 人研：ίΓ Γ電漿時程度相同之氧化膜。發明 由==電:::原，一係由於繼生之氧自 費。具體說明’由於Kr電聚 生同进度之電漿，產生之電漿 2 外，—？:Γί 窗組件之表面的影響。另 彳丨电自組件之表面雖然係經研磨而平坦 測微儀觀察該氧化_变之介電窗組件之表面，確辦其 具有峰谷粗财(Peak魯Valley)(Ρ_V)約2㈣程度= ::,係由於該表面之凹凸過大’使得電漿離；再結 δ而導致電漿消失。 :者，已知另一原因係由於氧化鋁陶究的表面經研 僧而處於缺氧狀態，氧自由基於該表面發生 而非用於最重要之電漿處理。 虱匕反應， ★本案之發明人等根據前述發現，致力於改善該介兩 固組件並獲得優越之成果。 包 本發明係於與電漿接觸之介電窗組件 =(處理室一側之表面)塗佈一平滑化塗 可=:=組成(完全氧化物)之構成， 舉例說明’依照本發明，於使用2,4 5 G Η ζ或915 Μ Η ，微波之微波電漿裝置中，係可獲得具有於陶Ζ 列如氧化鋁等）之表面覆蓋有平坦化塗 板之微波電装處理裝置。 ㈣之族射極 201003747 再者，本發明非僅限於具有作為介電窗組件之簇射 極板的裝置，也可適用於具有其他形式之介電窗組件的 微波電漿處理裝置。 但是，因為Si02對於CF膜之化學氣相沉積（CVD) 或電漿蝕刻時所使用之氟化碳氣體的化學耐性較差，此 時宜覆蓋丫2〇3等之抗腐蝕性絕緣膜。 依照本發明，於陶瓷組件之表面與電漿接觸之面覆 蓋一平坦化塗佈膜，而形成微波電漿處理裝置用之介電 窗組件的同時，由於平坦化塗佈膜之表面係為一完全氧 化膜，可防止自由基之耗損，藉以改善使用Kr(氪氣） 作為產生電漿之氣體時之特性。 【實施方式】 參考第1圖，本發明之一實施例之微波電漿處理裝 置用之介電窗組件10，係由氧化鋁（A1203)所形成之 陶瓷組件12、於該陶瓷組件12之一侧（圖中顯示為處 理空間之一側）表面所塗佈之平坦化塗佈絕緣膜14以 及塗佈於該平坦化塗佈絕緣膜14上之抗腐蝕膜16 (於 本例中為Y2〇3薄膜）所構成。於此構成中，如圖中所 顯示，該抗腐蝕膜16係於激發電漿的空間之一側，換 言之，即為面對處理空間之一側。 圖中顯示之介電窗組件10中，至少於切削研磨加 工後之氧化鋁陶瓷組件12之處理空間一侧的表面，具 有峰谷粗糙度（PV值）1.78//m、平均粗糙度（Ra值） 201003747 0.232/z m之粗輪度。 陶瓷組件12於處理空間一側之表面處，形成一平 坦化塗佈絕緣膜14。作為形成平坦化塗佈絕緣膜14之 材料宜使用含有Si、C及〇、且原子數比為0>Si>1 /2C之SiCO塗佈膜所形成者。 具體說明’該SiCO塗佈膜係以si〇之重複單元為 主骨架’且宜為以通式（（CH3) nSi02_n/2) x (Si02) ^ (其中，n=1至3，xg 1 )所表示之一種或2種以上之 氧化物所形成者。塗佈含有前述通式表示之氧化物的液 態材料（SiCO) ’並藉由使其乾燥燒製，而可獲得一化 學計量組成（stoichiometric)之Si02膜。 說明由SiCO材料獲得81〇2膜之方法之一實施例， 首先，將陶瓷組件10以600rpm旋轉並塗佈siC〇材料 30秒。接著’於20%〇2/8〇%N2i氣體中，於13(rc 之溫度下預烤5分鐘’再以5它/min之升溫速率加熱 至400°C後’於氮氣中以yc/之升溫速率加熱至9〇〇 °C ’並於900°C之溫度下、；i〇%h20/90%02之氣體中 放置1個小時’SiCO材料係可形成具有化學計量之&〇2 組成的秒氧化膜。 如前述所獲得之具有化學計量組成之Si〇2膜的表 面具有PV值、Ra值〇 139#m2表面粗糙度， 相較於陶究組件10之表面粗糙度係具有更加平坦的表 面。 第1圖顯示之介電窗組件10係於前述之Si02膜表 8 201003747 钱膜】6之切3膜表面具有比舞、作為抗腐 粗链度’同時係超緻密且無缺陷。2歸面更小之表面 10之有效表面積 能轉換效率並獲得高密度之電^因此，可達成高電 只際上，已確認當圖 _ 微波電漿處理裝置之介:、貝不之介電窗組件10作為 極板等組件使用時板、瓦狀介電體元件或簇射 臈。尤其於使用Kr電裝時，特性優良之氧化膜或氮化 或氮化膜。 ，可形成特性優良之氧化膜 下列敘述係說明有關 的微波電漿處理裝置。 用圖中顯示之介電窗組件 桌處理I置包含—有 ^置。圖中顯示之微波電 於該處理容器20中央之=之處理容器20以及設置 藉由〜絕緣板24而與設置^台22。該處理容器20係 台η相互絕緣。載置台2置2於處理容器20之底部之載置 之半導體或麵等之美 方面載置有作為被處理體 外緣部，設置使處進，容心之底面 處理容器2。之側壁處二&之排氣口撕 20内之氣體導入口 3〇，由二置—將氣體導入處理容器 由該氣體導入口 30將Ar、Kr 9 201003747 等用以產生電漿之氣體導入。 另外，具有開口之處理容器20之上部，設置介電 體板l〇a作為第1圖顯示之介電窗組件10，藉由該介 電體板l〇a將處理容器20内部之空間，區分為圖下方 的處理空間以及上方的微波施加區域。又，介電體板 10a與處理容器20之間，設置一密封元件31 (如Ο型 環等），藉此維持處理容器20與介電體板10a所圍成之 密閉處理空間的氣密性。 再者，介電窗組件10所構成之介電體板l〇a上， 設置一槽孔天線（RLSA) 32用以供給微波至處理容器 20内部。槽孔天線32係藉由介電窗組件10所構成之 介電體板l〇a而與處理容器20内部之處理空間相互隔 離。其結果可藉由介電體板l〇a來保護槽孔天線不與電 敷接觸。 介電體板l〇a與槽孔天線32之外緣處，於處理容 器20的側壁上方設置一配置成環狀之遮蔽元件34。藉 由該結構可防止槽孔天線32供給至處理容器20内部之 南頻電磁场成漏至外部。 槽孔天線32係透過導波管42而與可產生例如 2.45GHz之局頻電磁場之南頻電源40相互連接。 再者，圖中顯示之槽孔天線32係具有兩片互相平 行之圓形導體板44、46以及與該導體板44、46之外緣 部接觸並用以遮蔽之導體環48。其中，導體板44、46 係於兩導體板44、46之間規範有放射狀導波通路。 10 201003747 、於敌射狀導波通路上部之導體板44的中心 ， f連接至導波管42之開口 50,來自高頻電形 ::電磁場係自該開口 50導入至放射狀導波通路二, ^ ，位於放射狀導波通路下部之導體板46，& /、 = 用狀導波通路之高頻電I: 寬體板10a而供給至處理容器2〇内部。 孔天線32係由該等槽孔52所構成’形成有槽^槽 導體板％稱作氣天線32之天線表面。^ 52之 I述結構中，為防止處理容器2Q内部所產 ί來：=卜部，藉由介電體板服可將其封閉，如此 $可保濩槽孔天線32不與電漿p接觸 ^介電體板10a係由第丨圖所顯示之介窗θ 所構成。但桃膜(亦即，氧化減”6則^ 根據實驗’使用以〇2來產生電漿時， Γ 〇2電襞時’可形成特性優良之氧化膜。 參考第3圖，其係顯示一使用本發明之介 10作為蔟射極板60使用之微波處理裝置'3 波Λ漿處理裝置中，透過導波管42與言u 給微波4i 之放射狀槽孔天線（RLSA) 32，供 " 处里至20内部。具體說明，RLSA32之下 ^設置-蓋板62及—蔟射極板6Q，該簇 = 置於相對該蓋板62而間隔一定距離處，來自RLSAr2 之微波可透過蓋板62與蔟射極板60而放射至處理室内 部之電漿產生區域。 處理至内 201003747 與第1圖具有同樣社槿 簇射極板6G，係具有所形成之 數之孔洞（孔徑約5〇 1 、槳之氣體可通過之複 m J 58。子|、'囡 ^ 塗佈平坦化塗佈膜。 /ίΊ 58之内側面，宜 另外，經由氣體導人口 3 激發用氣體導入至簇射極板60内：,:電浆之電漿 激發用氣體之Kr氣體（或产吟，作為電漿 惰性氣體，自蔟射極板6 =體、Xe氣體）等 域，再藉由放射出之微波激發^^出至電梁產生區 於本實施例中，簇射極板⑽僅具有⑽ 坦化塗佈膜，而省略Y 〇膜。 2膜作為平 極板6〇之孔洞％導入Kr/〇2氣自體具有^述結構之鎮射 表面沉積-特性改善之叫膜。—、石夕基板26之 參考第4圖，說明另一使用本發明 裝置之輪錢罐處理 置供給處理氣體之簇射極：7之〇==广並追加設 上段蔟 -處;;顯示之微波電漿處理裝置係包含 处埋各盗（製程室）20鱼— 由熱等靜壓法（mp)成形之二置二22，載置台22宜 置於處理容器20内部並以靜持所構成’設 基板26，於處理容器、2G^的/式固定被處理 ^ #圍繞s亥載置台22之空間 201003747 處，没置最少二處（建議應為三處以上）等間隔且與 置台22上的被處理基板26略成軸對稱之排氣口 2s。

處理容器2〇係藉由螺旋泵等襄置透過排氣口 Μ而 排氣、減壓。 T 餍理答器20宜使用 、 、 ……句土风分之Α1合金所構 内壁表面係使用有機化合之電解質溶液並經過陽 氧化處理後形成無缺陷之氧化鋁皮膜作為第丨皮腺 層。又，於該氧化皮膜的表面，使用電㈣鑛法形: 氧化釔膜作為第2皮膜層。 夕' 又，於處理容器20之内部與被處理基板％相 處，具有複數之喷嘴開口部58之上段蘿射極板二 ^窗組件H)所構成。圖中所顯示之竊射極板6〇係: =理容HO、㈣的—部份，由第】圖中盤狀介 、、且件所構成，並設置有複數之噴嘴開口。 於上段簇射極板60上，隔著密封環設置— 蔟射極板⑼與蓋板62接觸之—側處，ΐί ，口。㈣各別連通而形成電漿氣體流路％ = =59係被形成於簇射極板6()與蓋板62之^3 =體:晴與連接至處理容器2〇之外壁所= W乳體導人口 3G之電漿氣體流路58Α連通。 ，中所顯示之上段蔟射極板6〇係 成之Λ緣部而支撐，該凸緣部中，： 現象。之^如球形構成，可抑顧常之放電 13 201003747 於前述結構中’自電漿氣體導入口 3g供 或Kr等電漿氣體，依序通過上段蔟射極板⑹ 請與=59後’經由開口部^供給至箱射極 板60正下方的空間。 今 蓋板62上方係設置—與蓋板幻 數之槽孔之盤狀導體板46，並構成槽孔天線％的一= :體之放射狀槽孔天線32包含有形成天線 Ϊ rf 及夾於導體板46與導體板49之 或Si3N4等低耗損介電_ 放射狀槽孔天線32隔著密封環而被安裝於 上H導波管4 2將外部之微波_中未_ 天線32。戶斤^^、==波供給至放射狀槽孔 之镟波係自導體板46之槽孔，锈禍苗 =與4段簇射極板6〇而放射至處理容晴：： :之=3 6〇正下方之空間内，於開口部58所供 、、’口之包漿乳體中激發電漿。 極為it所上段鎮射極板6〇表面無高低起伏且 -係作為-而效率之微波穿透窗而發揮效用。 哭20再中者，f 4圖所顯示之微波處理裝置中，於處理容 ίΓ2Γ蔟射極板6G與載置台22上方的被處i 暴板26之間，呈右一 ~傲〜埋 之外壁所沪罟二严射極板70，自處理容器20 段簇射極板7〇呈右…… I、給處理氣體。下 有自禝數之處理氣體噴嘴開口部放射 14 201003747 出之柵攔狀之處理氣體通路70a。 於下段簇射極板7〇與被處理基板26之間的空間 中，進行所期望之均勻之基板處理。該基板處理之内容 包含電漿氧化處理、電錢化處理、錢氮氧化處理以 及電漿CVD處理等。又，作為下段蔟射極板7〇所供給 間之氣體’係為C4F8、奶或c4F6等容易解離之 氟碳化合氣體（FlnoroCompound)、F系或C1系等蝕刻 用氣體。藉由高頻電源72於載置台22施加高頻電壓X， 可針對被處理基板26進行反應式離子蝕刻。 圖中所顯示之實施例中，經由導入管66將具有通 式CxFy (例如cercj8等）氣體等之處理氣&喷出 至簇射極板70之下方所形成之擴散電漿區域。如此， 藉由供給處理氣體至擴散電漿區域，便可於矽基板26 上形成氟碳化合物膜等。 參考第4圖’下段竊射極板（處理氣體供給構造） 70與處理容器内壁同樣係於使用A1為主要成份之合金 母村上藉由如同前述一般藉由陽極氧化形成作為第i 皮獏層之氧化鋁保護膜，並於其上方形成作為第2皮膜 層之氧化釔膜。柵欄狀處理氣體通路70a係於處理氣體 供給口 31R處與處理氣體注入口 66連結，自下表面所 形成的複數之氣體噴嘴開口部（圖中未顯示）處將處理 虱體均勻地釋放至空間中。又，下段簇射極板7〇中， 相鄰之處理氣體通道70a之間，亦形成可容許電漿或電 漿中所包含之處理氣體通過之開口部（圖中未顯示）。 15 201003747 圖中顯示之上段族射極板60係由如第1圖所顯 示，覆蓋有平坦化塗佈膜與抗腐蝕膜（Υ2〇3)，具有極 為平坦之表面。 於前述實施例中，雖針對微波電漿處理裝置之介電 體板、上段簇射極板係藉由如第〗圖所顯示之介電窗組 件10所構成加以說明，但本發明並不限於該等實施 例，舉例來說，本發明亦可適用於具有用以使微波穿透 的複數之介電體元件（亦即複數之瓦狀元件）之微波 漿處理裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示介電窗組件之—實施例的剖面圖。 第2圖係顯示使用第i圖之介電窗組件的微波電漿 处理裝置之一實施例的概略示意圖。 卢田f 3圖係顯不使用第1圖之介電窗組件的微波電漿 处理裝置之另一實施例的概略示意圖。 声理5:圖係顯不使用第1圖之介電窗組件的微波電漿 處理裝置之又另-實施例的概略示意圖。 【主要元件符號說明】 10 介電窗組件 10a 介電體板 12 陶瓷組件 16 201003747 14 平坦化絕緣塗佈膜 16 抗腐蝕膜 20 處理容器 22 載置台 24 絕緣板 26 基板 28 排氣口 30 氣體導入口 32 放射狀槽孔天線 34 遮蔽元件 40 局頻電源 42 導波管 44 導體 46 導體 49 導體 48 環狀導體 50 開口部 52 槽孔 17

Claims (1)

1. 201003747 七、申請專利範圍： 1. 一種微波電漿處理裝置，包含： 一天線，使微波傳播； 一介電窗，使該天線所傳播之微波得以穿透； 一氣體供給部，供給一特定氣體；以及 一處理室，藉由穿透該介電窗之微波，使該特定氣體 電漿化，用以處理一被處理體； 其特徵在於，該介電窗係由一陶瓷組件所構成；且 該陶瓷組件係於該處理室一側之表面覆蓋有一平坦 化塗佈絕緣膜。 2. 一種微波電漿處理裝置，包含： 一天線，使微波傳播； 一藥射極板（shower plate )，使該天線所傳播之微波 得以穿透，並將一特定氣體供給至處理室； 一氣體供給部，將該特定氣體供給至該簇射極板；以 及 一處理室，藉由穿透該鎮射極板之微波，使該特定氣 體電漿化，用以處理一被處理體； 其特徵在於，該誤射極板係由一陶竞組件所構成；且 該陶瓷組件係於該處理室一側之表面覆蓋有一平坦 化塗佈絕緣膜。 3. 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 18 201003747 在於該平坦化塗佈絕緣膜係由複數層之膜所構成。 4. 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於，該平坦化塗佈絕緣膜係包含有於該陶瓷組件之 該表面上所塗佈或燒製而形成之Si02膜。 5. 如申請專利範圍第4項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該Si02膜厚度係大於該陶瓷組件之該表面的表 面粗糖度，該表面粗糙:度係以峰谷值(Peak-to-Valley) 表示。 6. 如申請專利範圍第5項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該Si〇2膜之厚度係為l//m至5/zm。 7. 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該平坦化塗佈絕緣膜之表面係覆蓋Y2〇3膜。 8. 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於至少於該平坦化塗佈絕緣膜與該電漿接觸之表 面為化學計量組成（stoichiometric)之Si02。 9. 如申請專利範圍第7項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該Y203膜至少於與該電漿接觸之表面係以化學 計量組成（stoichiometric )所形成。 10. 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於將用以處理該被處理體之氣體供給至該處理室 之處理氣體供給部，係設置於該陶瓷組件與該被處理 19 201003747 11. 12. 13. 14. 15. 16. 體之間。 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該陶瓷組件係包含複數之瓦狀組件。 如申請專利範圍第2項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該陶瓷組件係具有用以將該特定氣體導入至處 理室之複數的開口。 如申請專利範圍第12項之微波電漿處理裝置，其特 徵在於該陶瓷組件之該複數的開口，係分別至少插入 一多孔質體或一具有口徑小於該開口之單—個或複 數個氣體通過孔的組件。 如申請專利範圍第12項之微波電漿處理裝置，其特 徵在於該陶瓷組件之該開口之口徑係5〇 μιη以下。 如申請專利範圍第i項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於§亥微波之頻率為2.45 GHz或915 MHz。 如申請專利範圍第1項之微波電漿處理裝置，其特徵 在於該平坦化塗佈絕緣膜係使用含有Si、c及〇、且 原子數比為0>Si>l/2C之SiCO膜所燒製而成者。 如申請專利範圍第16項之微波電漿處理裝置，其特 徵在於該SiCO膜係使用以SiO之重複單元為主骨 架，且以通式（(CH3)nSi02-n/2)x(Si02)〗_x(其中，n=1 1 3，xgl)所表示之一種或2種以上之氧化物所形成 20 17. 201003747 者 I8. 窗組件’其係於微波電漿處理裝置中用以使 侧之表面： 工至少於電漿處理空間- 惻之表面的平坦化塗佈絕緣獏。 R如申請專利範圍第18項之介電窗組件， 該平坦化塗佈絕緣膜上係進 ：、=於 (丫2〇3)膜。 成抗腐蝕臈 夏如申請專利範圍冑18項之介電窗組件， 該平坦化塗佈絕_做用Si、c及◦之原^數比 為〇>Si>l/2C之SiCO膜所形成者。 ” 21. 如申請專利範圍第2〇項之介電窗組件 該沉〇膜係使用以Si0之重複單元 通式((CH3)nSi〇2-n/2)x(Si〇2)i-x(其中，㈣至 3、， 所表示之一種或2種以上之氧化物所形成者。— 22. —種介電窗組件之製造方法，其係於微波 置中用以使微波穿透之介電窗組件的製=理展 徵在於包含下列步驟： /去’其特 提供一陶瓷組件； 於该陶究組件之一表面，塗佈含、 ((CHDnSiC^-r^j^SiC^h-x(其中，η=ι 至 3， 乂 通式 示之一種或2種以上之氧化物的液體狀材所表 將所塗佈之膜燒製而形成Si〇2膜。 ’以及 21 201003747 23. 如申請專利範圍第22項之介電窗組件之製造方法， 其特徵在於該Si〇2膜.係為化學計量組成 (stoichiometric)之 Si〇2。 24. 如申請專利範圍第22項之介電窗組件之製造方法， 其特徵在於該Si02膜係被一抗腐蝕膜所覆蓋。 25. 如申請專利範圍第24項之介電窗組件之製造方法， 其特徵在於該抗腐蝕膜係為具有化學計量組成 (stoichiometric)之 Y2〇3 膜。 26. —種電子裝置之製造方法，其特徵在於包含使用申請 專利範圍第1項所記載之微波電漿處理裝置而對被 處理體進行電漿處理之步驟。 22