KR0139793B1 - 막형성 방법 - Google Patents
막형성 방법Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 97
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y10S148/006—Apparatus
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
내용 없음
Description
제 1 도는, 본 발명의 방법을 실시하기 위한장치의 단면도,
제 2 도는, 제 1 도에 나타낸 장치의 일부를 구성하는 에칭용기를 나타낸 단면도,
제 3 도는, 제 1 도에 나타낸 장치의 일부를 구성하는 CVD 용기를 나타낸 단면도,
제 4 도는, 제 2 도에 나타낸 에칭용기의 전극의 배치를 나타낸 도면,
제 5 도는, 접촉구멍의 지름에 의한 접촉저항의 변화를 드라이에칭을 행하는 경우와 행하지 않는 경우와를 비교하여 나타낸 그래프,
제 6 도 a 내지 제 6 도 f 는, 본 발명의 방법을 적용하는 MOS 트랜지스터의 제조 공정을 나타낸 단면도,
제 7 도는, 제 1 도에 나타낸 장치의 변형예를 나타낸 단면도 이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 제 1 처리실 2 : 제 2 처리실
3 : 반송실 4 : 수납부
5 : 웨이퍼 6 : 웨이퍼 설치판
7 : 유지부재 8 : 승강기구
9 : 웨이퍼 유지부재 10a, 10b : 배기구
11 : 석영(石英)실 12a, 12b : 가스 도입관
13a, 13b : 플라즈마 발생전극 14 : 메쉬판
15 : 웨이퍼 설치링 16 :유지부재
17 : 승강기구 18 : 웨이퍼 유지부재
20 : 할로겐 램프 21a, 21b : 배기구
22a, 22b : 가스도입관 24 : 원반 형상 제어판
25a, 25b : 게이트 밸브 26a, 26b : 핸드아암
27a, 27b : 게이트 밸브 28 : 캐리어(Carrier)
31 : P 형 실리콘 웨이퍼 32 : 열산화막
33 : n 형 다결정 실리콘 34 : 텅스텐 규화물층
35 : 게이트 전극 36 : 소오스 영역
37 : 드레인 영역 38 : 층간 절연막
39 : 소오스 전극 40 : 드레인 전극
본 발명은 금속등의 도전층의 형성방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마를 사용한 선택적인 퇴적(堆積)방법에 관한 것이다.
근년, 초 LSI(largo scaled integrated ciruit)등의 직접회로의 고직접화, 고속화, 고정밀도화에 따라, 게이트 전극의 형성이나, 접촉구멍 및 통과구멍내에로의 도전성재료의 퇴적을 위하여, 다결정 실리콘에 비해 10 분의 1 이하의 낮은 저항을 가지는 W(텅스텐)등의 고융점 금속을 선택적으로 용착하는 기술이 중요하게 되었다.
이와 같은 선택적인 용착작용에 의하여 금속박막을 형성하는 수단으로서는, 그 선택성의 유지를 위하여 피처리기판을 적외선에 의하여 급가열하고, 막 성장용 가스를 피처리기판의 피처리기면 위에서 성장 시키는 CVD(Chemical vapor deposition)장치가 있다.
CVD장치를 사용하여 금속박막을 형성하는 경우, 앞의 공정으로부터 피처릭기판 예를들면 실리콘 웨이퍼틀 CVD장치로 이송할 때, 실리콘 웨이퍼 표면에, 예를들면 수십옹구스트롬(Å)의 막두께의 자연 산화막(Sio2)이 형성되어 버린다.
이와같은 자연산화막이 형성된 실리콘 웨이퍼 위에 금속박막을 형성하면, 실리콘웨이퍼와 금속박막과의 사이의 접촉저항이 높게되고, 또한 금속박막이 실리콘 웨이퍼로부터 박리(剝離)하여 버리는 등, 반도체 장치의 품질의 저하를 초래하고 있었다.
이와같은 것을 방지하고, 반도체 장치의 품질을 향상시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 표면의 자연산화막을 드라이 에칭(Dry etching)에 의하여 제거하고, 그후, CVD 공정을 행하는 것이 고려되고 있다.
그러나, 상술의 드라이에칭과 CVD 공정과를 동일의 용기내에서 행하는 경우에는, 다음과 같은 문제점이 있다.
먼저, CVD 장치내에 에칭용의 플라즈마 발생전극을 형성할 필요가 있으나, 에칭중에 플라즈마 발생전극으로부터 Fe 등의 중금속이 발생해 버린다.
이 중금속은, 게이트 전극이나 확산 영역을 오염하고, 장치의 성능을 저하시켜 버린다.
또한, 에칭때에 플라즈마 중의 이온의 실리콘 웨이퍼 표면에로의 충격에 의하여 실리콘 웨이퍼가 손상하는 일이 있다.
이들을 방지하려면, 실리콘 웨이퍼가 플라즈마에 휩쓸리지 않도록 하면 좋으나, 그렇게 하기 위하여는 용기의 구조를 개조 할 필요가 있다.
이와같은 용기의 구조의 개조에 관한 종래의 기술로서, 일본국 특개소 60-221572 호, 60-238134 호, 61-95887 호, 61-231166 호 62-2131112 호, 62-250652 호 등이 있다.
이들 공보에는, 진공 처리실과 다른 처리실과를 조합한 것이 개시되어 있으나, 실리콘 웨이퍼 표면의 자연산화막을 드라이에칭에 의하여 제거하고, 그후 CVD 공정을 행하는 일에 대하여는 아무것도 기재되어 있지 않다.
본 발명의 목적은, 전극으로 부터의 중금속에 의한 게이트 전극이나 확산 영역의 오염, 및 이온충격에 의한 기판의 손상을 발생하는 일 없고, 기판표면의 자연산화막을 효과적으로 제거할 수 있고, 고성능의 반도체 장치의 제조를 가능하게 하는 도전층의 막형성방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 전극으로 부터의 중금속에 의한 게이트 전극이나 확산 영역의 오염, 및 이온 충격에 의한 기판의 손상을 발생하는 일 없고, 기판 표면의 자연산화막의 효과적인 제거를 가능하게 하는, 고성능의 MOS 형 반도체 장치의 게이트 전극의 형성방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 전극으로 부터의 중금속에 의한 게이트 전극이나 확산 영역의 오염, 및 이온 충격에 의한 기판의 손상을 발생하는 일 없고, 기판 표면의 자연산화막의 효과적인 제거를 가능하게 하는, 고성능의 반도체 장치의 확산 영역에로의 접촉구멍의 형성방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의하면, 비산화성 분위기로 유지된 제 1 처리실 내에서 기판 표면을 드라이에칭에 의하여 처리하여 기판 표면의 자연산화막을 제거하는 공정, 처리된 기판을 제 1 처리실으로부터 제 2 처리실에로, 비산화성 분위기를 유지하면서 반송하는 공정, 및 제 2 처리실 내에서 감압 CVD 에 의하여 기판 표면에 고융점 금속막을 형성하는 공정을 구비하는 도전성층의 막형성 방법이 제공된다.
또한 본 발명에 의하면, 반도체 기판의 표면에 게이트 산화막을 형성하는 공정, 이 게이트 산화막위에 다결정 실리콘층을 형성하는 공정, 비산화성분위기로 유지된 제 1 처리실 내에서 다결정 실리콘층 표면을 드라이 에칭에 의해 처리하여 다결정 실리콘층 표면의 자연산화막을 제거하는 공정, 처리된 기판을 제 1 처리실로부터 제 2 처리실에로, 비산화성 분위기를 유지하면서 반송하는 공정, 및 제 2 처리실 내에서 감압 CVD 에 의하여 다결정 실리콘층 표면에 고융점 금속 규화물층을 형성하는 공정, 및 다결정 실리콘층 및 고융점금속 규화물층을 패턴형성하여 다결정 실리콘층 및 고융점금속 규화물층으로 이루어진 게이트 전극을 형성하는 공정을 구비하는 MOS형 반도체 장치의 게이트 전극의 형성방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 기판 표면에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성하는 공정, 반도체 기판에 불순물을 도입하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 공정, 비산화성 분위기를 유지된 제 1 처리실 내에서 소오스 및 드레인 영역 표면을 드라이 에칭에 의해 처리하여 소오스 및 드레인 영역표면의 자연 산화막을 제거하는 공정, 처리된 기판을 제 1 처리실로부터 제 2 처리실에로, 비산화성 분위기를 유지하면서 반송하는 공정, 및 제 2 처리실내에서 감압 CVD 에 의하여 소오스 및 드레인 영역 표면에 고융점 금속을 퇴적하는 공정을 구비하는 MOS 형 반도체 장치의 소오스 및 드레인 전극의 형성방법이 제공된다.
[실시예]
이하, 본 발명을, 반도체 장치 제조공정에 있어서 실리콘 웨이퍼 상에로의 고융점 금속층의 형성에 적용한 예에 관하여 설명한다.
제 1 도는, 본 실시예에 사용되는 장치를 나타낸다.
이 장치는, 에칭을 행하는 제 1 처리실 (1) 과, CVD 를 행하는 제 2 처리실(2)과, 제 1 연소실(1)으로부터 제 2 연소실(2)에로 기판을 반송하는 반송실(3)과, 기판을 수납하는 수납부(4)로 구성된다.
제 1 처리실(1)은, 제 2 도에 나타낸 바와같이, 냉각수동에 의하여 벽면이 냉각가능하고, 또한 기밀한 원통형상체로서, 알루미늄제 이다.
이 제 1 처리실(1)의 상부에는, 반도체 웨이퍼 예를들면 실리콘 웨이퍼의 피처리면이 아래쪽으로 되도록 설치가능한 웨이퍼 설치판(6)이 형성되어 있다.
이 웨이퍼 설치판(6)은, 금속에 의한 오염을 방지하기 위하여, 예를들면 표면이 전기분해된 알루미늄으로 된다.
웨이퍼 설치판(6)은, 예를들면 13.56MHZ의 RF 전원과 전기적으로 접촉되어 있다.
또한, 웨이퍼 설치판(6)에는, 제 1 처리실(1)의 벽면과 동일의 온도로 냉각가능하도록 도시하지 않은 냉각기구가 형성되어 있다. 웨이퍼 설치판(6)은, 그 바깥둘레 가장자리부에서 원통형상의 유지부재(7)에 의해 유지되어 있다.
웨이퍼 설치판(6)의 근방에는, 공기 실린더 등의 승상기구(8)를 구비한 웨이퍼 유지부재(9)가 형성되어 있고, 이 웨이퍼 유지부재(9)에 의하여, 웨이퍼(5)의 바깥둘레 가장자리부가 유지되고 웨이퍼 설치판(6)에 고정되어 있다.
또한, 웨이퍼 설치판(6)의 근방에는 제 1 처리실(1)내를 진공배기하기 위한, 예를들면 2 개의 배기구(10a),(10b)가 형성되어 있다.
이들 배기구(10a),(10b)는, 제 1 처리실(1)내를 소망의 압력으로 감압 및 반응가스등을 배출가능하도록, 진공펌프 예를들면 티어보분자 펌프(도시않됨)등에 접속되어 있다.
제 1 처리실(1)의 하부에는, 바닥이 있는 원통형상의 석영실(11)이 형성되어 있다.
이 석영실(11)의 바닥부에는, 가스도입관(12a),(12b)이 형성되어 있다.
이 가스도입관(12a),(12b)은, 도시하지 않은 유량제어기구를 통하여 가습공급원에 접속 되어 있다.
또한, 석영실(11)의 바깥쪽면에는, 석영실(11)내로 도입된 에칭 가스를 여기하여 플라즈마를 형성하기 위한 한쌍의 플라즈마 발생전극(13a),(13b)이 대항하여 배치되어 있다.
이들 플라즈마 발생전극(13a),(13b)은 제 3 도에 나타낸 바와같이, 서로 절연된 반원통 형상으로, 석영실(11)을 둘러싸도록 형성되어 있다.
이들 플라즈마 발생전극(13a),(13b)중 플라즈마 발생전극(13a)은 예를들면 13.56 HZ 의 RF 전원에 접속되어 있고, 플라즈마 발생전극(13b)은 접지되어 있다.
석영실(11)의 상부개구부와 웨이퍼 설치핀(6)과의 사이에는, 실리콘 웨이퍼가 이온 충격에 의하여 손상을 받는 것을 방지하기 위하여, 메쉬(Mesh)판(14)이 형성되어 있다.
이 메쉬판(14)은, 예를들면 알루미늄 합금으로된 메쉬를 전기분해한 것이다.
이와같이하여, 실리콘 웨이퍼 표면의 자연산화막을 제제거하기 위한 제 1 처리실(1)이 형성되어 있다.
다음에, 표면의 자연산화막이 제거된 실리콘웨이퍼 표면에, CVD 에 의하여 고융점금속을 퇴적하기 위한 제 2 처리실에 대하여 설명한다. 제 2 처리실(2)은, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 냉각수등에 의하여 벽면이 냉각가능하며, 또한 긴밀한 원통형상체로서, 알루미늄제이다.
이 제 2 처리실(2)의 상부에는, 실리콘웨이퍼의 피처리면이 아래쪽으로 향하도록 설치가능한 웨이퍼 설치링(15)이 형성되어 있다. 이 웨이퍼 설치링(15)은 그의 바깥둘레부에 있어서 원통형상의 유지부재(16)에 의하여 유지된다.
웨이퍼 설치링(15)의 근방에는, 공기실린더등의 승강기구(17)를 갖춘 웨이퍼 유지부재(18)가 형성되어 있고, 이 웨이퍼 유지부재(18)에 의하여, 웨이퍼(5)의 바깥둘레부가 지지되고, 웨이퍼설치링(15)에 고정된다.
또한, 웨이퍼 설치링(15)의 위쪽에는, 할로겐 램프(20)가 형성되어, 이 할로겐 램프(20)에 의하여 석영유리제의 창을 통하여 웨이퍼(5)를 예를들면 섭씨 300 내지 1000 도로 급가열 된다.
또한, 웨이퍼 설치링(15)의 근방의 제 2 처리실(2)의 상부에는, 제 2 처리실(2)내를 진공배기하기 위한 예를들면 2 개의 배기구(21a),(21b)가 형성된다.
이들 배기구(21a),(21b)는 제 2 처리실(2)내를 소망의 압력으로 감압 및 반응가스등을 배출 가능하도록, 진공펌프 예를들면 터어보분자 펌프(도시않됨)등에 접속된다.
제 2 처리실(2)의 바닥부에는, 막성장용 가스, 캐리어 가스, 에칭가스등을 도입하기 위한 다수의 작은 가스도입구(22a),(22b)가 형성된다.
이 가스 도입구(22a),(22b)는, 도시하지 않은 유량 제어기구 예를들면 매스플로우콘트롤러(Mass Flow Controller)를 통하여 가스공급원에 접속된다.
웨이퍼 설치링(15)과 가스도입구(22a),(22b)의 사이에는, 가스도입구(22a),(22b)에서 제 2 처리실(2)내로 도입된 가스의 흐름을 제어하기 위한, 예를들면 스텝핑 모우터등의, 직선이동하는 이동기구를 갖춘 원반형상 제어판(24)이 형성된다.
이와같이하여 제 2 처리실(2)이 구성된다.
제 1 도에 나타낸 바와같이, 제 1 처리실(1)의 옆에는 게이트 밸브(25a)가, 제 2 처리실(2)의 측부에는 게이트 밸브(25b)가 각각 형성된다.
이들 게이트 벨브(25a),(25b)의 개폐는, 도시하지 않은 수단에 의하여 자동제어가능하다.
이들 게이트 밸브(25a),(25b)를 통하여 제 1 처리실(1)및 제 2 처리실(2)은, 반송실(3)에 접속된다.
반송실(3)에는, 웨이퍼(5)를 제 1 처리실(1)및 제 2 처리실(2)내로 반입 또는 반출하기 위한, 예를들면 신축회전이 자유로운 헨드아암(26a),(26b)이 형성된다.
반송실(3)은, 반송실(3)내를 원하는 압력으로 감압하는 진공펌프(도시않됨)에 접속된다.
또한, 반송실(3)은, 게이트 밸브(27a),(27b)를 통하여, 실리콘웨이퍼(5)를 수납하는 수납부(4)에 접속된다.
수납부(4)에는, 실리콘 웨이퍼(5)를 예를 들면 25 매, 소정의 간격으로 적재수납 가능한 얹어놓는대(도시않됨)가 내장되어 있다. 이상과 같이하여, 에칭 및 CVD를 진공중에서 연속하여 행하는 장치가 구성되어 있다.
또한, 이 장치의 동작은 도시하지 않은 제어 기구에 의하여 제어된다. 다음에, 이상 설명한 제 1 도에 나타낸 장치를 이용한, 실리콘 웨이퍼(5)에 대한 드라이에칭 및 CVD를 설명한다.
먼저, 게이트 밸브(27a)를 열고, 수납부(4)내의 캐리어(28)로부터 소정의 실리콘 웨이퍼(5)를, 미리 감압, 예를들면 10-3내지 10-4Torr 로 유지된 반송실(3)의 핸드아암(26)에 의하여 꺼낸다.
이때, 게이트 밸브(25a),(25b)는, 닫은 상태이며, 제 1 처리실(1)및 제 2 처리실(2)내는 진공펌프에 의하여 소정의 저압으로 유지되어 있다.
또한, 웨이퍼(5)의 꺼냄과 동시에 게이트 밸브(27a)는 자동적으로 닫힌다.
다음에, 제 1 처리실(1)의 게이트 밸브(25a)를 열고, 핸드아암(26)에 의하여(5)를 제 1 처리실(1)내로 반입한다.
이때, 웨이퍼 유지부재(9)는 승강기구(8)에 의하여 하강한 상태이며, 웨이퍼(5)피처리면이 아래쪽으로 향하도록 웨이퍼(5)를 웨이퍼 유지부재(9)상에 얹어놓는다.
그리고 승강기구(8)에 의하여 웨이퍼 유지부재(9)를 승강시켜, 웨이퍼(5)의 둘레부를 웨이퍼 설치판(6)과 웨이퍼 유지부재(9)로 끼워, 고정한다.
이 웨이퍼(5)의 설치판(6)으로의 고정이 종료하면, 핸드아암(26)을 반송실(3)내로 수납하고, 게이트 밸브를 닫는다. 다음에, 실리콘 웨이퍼(5)의 피처리면에 형성된 자연산화막을 드라이 에칭에 의하여 제거하는 세정처리를 행한다.
먼저, 제 1 처리실(1)내를 소망의 감압상태, 예를들면 200mmTorr로 유지하도록, 진공펌프에 의하여 배기한다.
그리고 가스 도입관(12a),(12b)로부터 예를들면 가스도입관(12a)에서는 H2가스, 가스도입관(12b)에서는 NF3가스를 도시하지 않은 유량제어 기구에서 이들 가스의 유량을 조절하면서, 석영실(11)내로 도입한다.
이와 동시에, 전극(13a)에 예를들면 수십 W 의 전력을 인가하면, 전극(13a),(13b)사이에 방전이 생기게 되고, 가스 플라즈마가 형성된다.
이에 의하여 형성된 플라즈마화된 처리가스가 웨이퍼(5)의 표면에 공급되어, 웨이퍼(5)표면의 자연 산화막을 에칭한다.
이 애칭을 소정시간, 예를들면 10 초간 행하고, 웨이퍼(5)표면의 자연 산화막의 정확한 제거를 행한다.
또한, H2가스 대신 N2가스를 사용하여도 좋다.
그후, 이들가스의 공급 및 방전을 정지하고, 웨이퍼(5)의 피처리면 상에, CVD 에 의하여 고융점 금속을 형성하기 위하여, 웨이퍼(5)를 제 1 처리실부터 제 2 처리실(2)로 진공증에 반송한다. 먼저, 게이트 밸브(25a)를 열고, 핸드아암(26)에 의하여 웨이퍼(5)를 제 1 처리실로부터 반송실(3)로 옮긴다.
그리고 게이트 밸브(25a)를 닫고, 핸드아암(26)을 소정각도 회전시킨다.
그후, 제 2 처리실(2)의 게이트 밸브(25b)를 연다.
그리고, 웨이퍼(5)를 핸드아암(26)에 의하여 제 2 처리실(2)로 반입한다.
제 2 처리실(2)에 있어서, 승강기구(17)에 의하여 웨이퍼 유지부재(18)는 하강한 상태이고, 웨이퍼(5)는 피처리면을 아래로 향하여 웨이퍼 유지부재(18)상에 얹어 놓는다.
다음에, 승강기구(17)에 의하여 웨이퍼 유지부재(18)가 상승하고, 웨이퍼(5)는 그 둘레부를 웨이퍼 설치링(15)과 웨이퍼 유지부재(18)사이에 끼워 웨이퍼 설치링(15)에 고정된다.
이 웨이퍼 설치링(15)에로의 고정이 종료하면, 핸드아암(26)은 반송실(3)내에 수납하고, 게이트 밸브(25b)를 닫는다.
그후, 웨이퍼(5)의 피처리면에 CVD 에 의하여 고융점 금속층의 형성을 다음과 같이 행한다.
즉, 먼저, 제 2 처리실(2)내를 소정의 감압상태, 예를들면 100 내지 200 mmTorr로 유지하도록 진공펌프로 배기한다.
다음에, 할로겐램프(20)에 의하여, 석영유리제의 창을 통하여 웨이퍼(5)의 뒷면을 조사하여 웨이퍼(5)를 급가열한다.
이때, 웨이퍼(5)로부터 방사되는 적외선을 파이로미터(Pyrometer)를 사용하여 검출함으로써, 또는 고감도 열전대를 사용하여 웨이퍼(5)의 온도를 직접 검출함으로써, 웨이퍼(5)의 피처리면의 온도를 예를들면 40 내지 530℃ 로 제어한다.
그리고 가스 도입구(22a),(22b)로부터 제 2 처리실(2)내로, 막성장 가스 예를들면 WF6및 SiH4와, 캐리어 가스 예를들면 H2및 Ar을 흘리고, CVD를 행한다.
그 결과, 웨이퍼(5)의 피처리면에 형성된 구멍등에 금속 예를들면 W(텅스텐)가 선택적으로 퇴적된다.
퇴적되는 금속으로서는 W(텅스텐)에 한하지 않고, WSi(규화 텅스텐), 다결정 실리콘 등을 이용하는 것도 가능하다.
소망의 금속층의 형성이 종료하면, 반응가스의 도입이 정지되고, 승강기구(17)에 의하여 웨이퍼 유지부재(18)가 웨이퍼(5)를 유지한 상태에서 하강하고, 게이트 밸브(25b)가 열린다.
그리고 신축회전이 자유로운 핸드아암(26)에 의하여 웨이퍼(5)가 제 2 처리실(2)에서 반출됨과 함께, 게이트 밸브(25b)가 닫히고, CVD 공정이 완료한다.
그후, 캐리어(28)내로 미처리웨이퍼가 있는지의 여부를 확인하고, 미처리웨이퍼가 있는 경우, 다시 상술한 드라이에칭 및 CVD를 행하고, 미처리 웨이퍼가 없을 때 모든 조작이 종료한다.
이상 설명한 방법에 따라 여러 가지의 크기의 접촉구멍내로 텅스텐을 선택적으로 퇴적한 경우의 접촉저항을, 드라이에칭을 행하지 않는 경우와 비교한 데이터를 제 5 도에 나타낸다.
제 5 도에 있어서 곡선(a)은 본 발명의 방법에 따라 드라이 에칭을 실시한 경우, 곡선(b)은 드라이 에칭을 행하지 않은 경우를 나타낸다.
제 5 도로부터 분명한 바와 같이, 본 발명의 방법에 의하면, 접촉 구멍의 직경에 관계없이 낮은 접촉저항이 얻어지지만, 드라이 에칭을 행하지 않은 경우에는 접촉저항이 높고, 또한 접촉구멍의 지름에 크게 영향을 받는다.
다음에 이상 설명한 드라이 에칭 및 CVD 의 연속 공정을 MOS 트랜지스터의 게이트 전극의 형성 및 소오스 및 드레인 전극의 형성에 적용한 예에 대해 설명한다.
제 6a 도 내지 제 6f 도는, MOS 트랜지스터의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
또한, 게이트 전극의 형성을 위한 장치로서는, 제 7 도에 나타낸 장치를 사용한다.
이 장치는, 제 1 도에 나타낸 장치에, 제 2 처리실(2)과 동일한 구조를 갖는 게 3 처리실(2)을 게이트 밸브(25b)를 통하여 착설한 구성을 가진다.
먼저, 제 6a 도에 나타낸 바와같이, P형 실리콘 웨이퍼(31)의 표면에, 게이트 절연막으로 되는 열 산화막(32)(두께 : 100Å)을 형성한후, 제 7 도에 나타낸 장치의 제 3 처리실(2)내에서 제 6b 도에 나타낸 바와같이, n 형 다결정질 실리콘(33)(두께 : 1500Å)을 형성한다.
다음에, 실리콘 웨이퍼(31)를 제 3 처리실(2)에서 반송실(3)로, 또한 제 1 처리실(1)로 이동하고 여기서 드라이에칭을 행하여, 다결정질 실리콘(33)표면의 자연산화막을 제거한다.
다음에, 실리콘 웨이퍼(31)를 제 1 처리실(1)에서 반송실(3)로, 다시 제 2 처리실(2)로 이동하고, 여기서 CVD 에 의하여 제 6c 도에 나타낸 바와같이 텅스텐 규화물층(34)을 형성한다. 그후, 제 6d 도에 나타낸 바와같이, 다결정질 실리콘(33)및 텅스텐 규화물층(34)을 패턴형성하여, 다결정질 실리콘(33)및 텅스텐 규화물층(34)으로 되는 게이트 전극(35)을 형성한다.
다음에, 게이트 전극(35)을 마스크로서 사용하여 As를 찍고, 열처리하여, 제 6e 도에 나타낸 바와같이, 소오스 및 드레인 영역(36),(37)을 형성하고, 다시 전체면에 층간 절연막(38)을 형성한 후, 소오스 및 드레인영역(36),(37)상의 열산화막(32)및 층간절연막(38)에 접촉구멍을 형성한후, 전체면에 도전물질을 퇴적하고, 다시 패턴형성하여, 제 6f 도에 나타낸 바와같이 소오스 및 드레인 전극(39),(40)을 형성한다.
이와같이 하여 MOS 트랜지스터가 제조된다.
또한 제 1 도에 나타낸 장치를 사용하여 제 6f 도에 나타낸 소오스 및 드레인 전극(39),(40)의 형성에 본 발명의 에칭과 퇴적의 연속조작을 적용함이 가능하다.
즉, 접촉구멍을 형성한 후, 제 1 처리실(1)내에서 드라이에칭을 실시하고, 소오스 및 드레인 영역(36),(37)의 노출면의 자연산화막을 제거하고, 다음에 제 2 처리실(2)내에서 CVD 에 의하여 도전물질을 퇴적하며, 다음에 알루미늄으로 되는 상호접속층을 실시하여도 좋다.
상술한 바와같이 이 실시예에 의하면, 피처리기판 예를들면 반도체 웨이퍼의 자연산화막을 제거하여 피처리기판상에 고융점금속을 막형성할 때, 자연산화막의 제거용의 처리실과, 막형성용의 처리실을 각각 독립하여 형성하고, 진공상태중에서 웨이퍼를 반송함으로써, 웨이퍼가 대기에 휩쓸리지 않기 때문에, 자연 산화막에 의한 악영향을 방지하고 막형성처리를 정확하게 행할 수 있다.
또한, 각각의 처리를 전용의 처리실에서 행하므로, 중금속의 오염대책을 행하여 보다 정확한 처리를 행할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정하는 것은 아니고, 처리실은, 2 개가 아니고 3 개 이상이어도 상관없다.
또한, 피처리기판은, 반도체 웨이퍼가 아니고 액정 텔리비젼등에 사용되는 LCD 기판등이라도 좋다.
또한, 피에칭막은, 반도체 웨이퍼에 형성된 자연산화막(SiO2)이 아니고, 인공적으로 형성한 SiO2막이어도 좋으며, 다른 산화막에도 응용가능하다.
또한, 에칭처리는 플라즈마 에칭이 아니어도 좋고, 에칭가스를 여기상태로 하는 것이라면 어떤 것이라도 좋다.
또한, 에칭처리후의 막형성 처리도 어떠한 것도 좋고, 예를들면 플라즈마 CVD 처리로 행하여도 좋다.
Claims (17)
- 비산화성 분위기로 유지된 제 1 처리실(1)내에서 기판 표면을 드라이 에칭에 의하여 처리하여 기판 표면의 자연 산화막을 제거하는 공정; 처리된 기판을 상기 제 1 처리실(1)로부터 제 2 처리실(2)로, 비산화성분위기를 유지하면서 반송하는 공정; 및 상기 제 2 처리실(2)내에서 감압 CVD 에 의하여 기판 표면에 고융점금속 또는 고융점금속화합물로 이루어지는 도전층을 형성하는 공정을 구비하는 도전층의 막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 드라이에칭은, 플라즈마를 사용한 화학적 드라이 에칭인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 드라이 에칭은, H2가스와 NF3가스를 상기 제 1 처리실(1)로 도입하고, 고주파전원을 인가함으로써 행해지는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 드라이 에칭은, N2가스와 NF3가스를 상기 제 1 처리실(1)로 도입하고, 고주파전원을 인가함으로써 행해지는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고융점금속은 텅스텐인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고융점 금속 화합물은 텅스텐 규화물인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 감압 CVD 는, 상기 기판을 가열하고, 상기 제 2 처리실(2)내로 WF6가스 및 SiH4가스를 도입함으로써 행해지는 방법.
- 반도체 기판 표면에 게이트 산화막을 형성하는 공정; 이 게이트 산화막상에 다결정 실리콘층을 형성하는 공정; 비산화성 분위기에 유지된 제 1 처리실(1)내에서 다결정 실리콘층 표면을 드라이 에칭에 의하여 처리하여 다결정 실리콘층 표면의 자연산화막을 제거하는 공정; 처리된 기판을 상기 제 1 처리실(1)로부터 제 2 처리실(2)로 비산화성 분위기를 유지하면서 반송하는 공정;상기 제 2 처리실(2)내에서 감압 CVD 에 의하여 다결정 실리콘층 표면에 고융점 금속규화물층을 형성하는 공정; 및 다결정 실리콘층 및 고융점 금속 규화물층을 패턴형성하여 다결정 실리콘 층 및 고융점 금속 규화물층으로 이루어지는 게이트 전극을 형성하는 공정을 구비하는 MOS 형 반도체 장치의 게이트 전극의 형성방법
- 제 8 항에 있어서, 상기 드라이에칭은 플라즈마를 사용한 화학적 드라이 에칭인 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 드라이에칭은 H2가스와 NF3가스를 상기 제 1 처리실(1)내로 도입하고, 고주파 전원을 인가함으로써 행해지는 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 드라이에칭은 N2가스와 NF3가스를 상기 제 1 처리실(1)내로 도입하고, 고주파 전원을 인가함으로써 행해지는 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 고융점 금속규화물은, 텅스텐 규화물인 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 감압 CVD 는, 상기 기판을 가열하고, 상기 제 2 처리실 내로 WF6가스 및 SiH4가스를 도입함으로써 행해지는 방법.
- 반도체 기판 표면에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성하는 공정; 반도체 기판에 불순물을 도입하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 공정; 비산화성 분위기로 유지된 제 1 처리실(1)내에서 소오스 및 드레인 영역 표면을 드라이 에칭에 의하여 처리하여 소오스 및 드레인 영역 표면의 자연산화막을 제거하는 공정; 처리된 기판을 제 1 처리실(1)로부터 제 2 처리실(2)로, 비산화성 분위기를 유지하면서 반송하는 공정; 및 제 2 처리실(2)내에서 감압 CVD 에 의하여 소오스 및 드레인 영역 표면에 고용점금속을 퇴적하는 공정을 구비하는 MOS 형 반도체 장치의 소오스 및 드레인 전극의 형성방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 드라이에칭은, 플라즈마를 사용한 화학적 드라이 에칭인 방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 드라이 에칭은, H2가스와 NF3가스를 상기 제 1 처리실(1)내로 도입하고, 고주파 전원을 인가함으로써 행해지는 방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 드라이에칭은, N2가스와 NF3가스를 상기 제 1 처리실(1)내로 도입하고, 고주파 전원을 인가함으로써 행해지는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-37717 | 1989-02-17 | ||
| JP37717 | 1989-02-17 | ||
| JP3771789 | 1989-02-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900013588A KR900013588A (ko) | 1990-09-06 |
| KR0139793B1 true KR0139793B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=12505267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900001950A KR0139793B1 (ko) | 1989-02-17 | 1990-02-17 | 막형성 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4985372A (ko) |
| KR (1) | KR0139793B1 (ko) |
Families Citing this family (182)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2508851B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1996-06-19 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法 |
| US5478780A (en) * | 1990-03-30 | 1995-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for producing conductive layers or structures for VLSI circuits |
| JPH0719777B2 (ja) * | 1990-08-10 | 1995-03-06 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3023853B2 (ja) * | 1990-08-23 | 2000-03-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5130266A (en) * | 1990-08-28 | 1992-07-14 | United Microelectronics Corporation | Polycide gate MOSFET process for integrated circuits |
| JP3163687B2 (ja) * | 1991-11-12 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法 |
| DE4304849C2 (de) * | 1992-02-21 | 2000-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| JP3084497B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2000-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ＳｉＯ２膜のエッチング方法 |
| EP0572704B1 (en) * | 1992-06-05 | 2000-04-19 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including method of reforming an insulating film formed by low temperature CVD |
| US5622595A (en) * | 1992-06-16 | 1997-04-22 | Applied Materials, Inc | Reducing particulate contamination during semiconductor device processing |
| KR960002061B1 (ko) * | 1992-10-05 | 1996-02-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 배선층 형성방법 |
| JP3134137B2 (ja) * | 1993-01-13 | 2001-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
| US5380677A (en) * | 1993-06-23 | 1995-01-10 | Vlsi Technology, Inc. | Method for reducing resistance at interface of single crystal silicon and deposited silicon |
| JPH07115130A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3326974B2 (ja) * | 1994-07-28 | 2002-09-24 | ソニー株式会社 | 多層配線の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| US6155198A (en) * | 1994-11-14 | 2000-12-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for constructing an oxidized film on a semiconductor wafer |
| US6699530B2 (en) * | 1995-07-06 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method for constructing a film on a semiconductor wafer |
| US6465043B1 (en) | 1996-02-09 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle contamination in a substrate processing chamber |
| US5902494A (en) * | 1996-02-09 | 1999-05-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike |
| US6121163A (en) | 1996-02-09 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving the film quality of plasma enhanced CVD films at the interface |
| US6335280B1 (en) * | 1997-01-13 | 2002-01-01 | Asm America, Inc. | Tungsten silicide deposition process |
| US5968279A (en) * | 1997-06-13 | 1999-10-19 | Mattson Technology, Inc. | Method of cleaning wafer substrates |
| US6395192B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-05-28 | Steag C.V.D. Systems Ltd. | Method and apparatus for removing native oxide layers from silicon wafers |
| US20090004850A1 (en) * | 2001-07-25 | 2009-01-01 | Seshadri Ganguli | Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications |
| JP4344320B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2009-10-14 | 東レエンジニアリング株式会社 | 接合装置 |
| JP2004152862A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20060051966A1 (en) * | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
| US7780793B2 (en) * | 2004-02-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth |
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US7494545B2 (en) * | 2006-02-03 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial deposition process and apparatus |
| US8052799B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-11-08 | International Business Machines Corporation | By-product collecting processes for cleaning processes |
| US20080242108A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US7867900B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | Aluminum contact integration on cobalt silicide junction |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1138795A (en) * | 1980-02-19 | 1983-01-04 | Goodrich (B.F.) Company (The) | Escape slide and life raft |
| US4622735A (en) * | 1980-12-12 | 1986-11-18 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned silicide regions |
| US4517225A (en) * | 1983-05-02 | 1985-05-14 | Signetics Corporation | Method for manufacturing an electrical interconnection by selective tungsten deposition |
| US4629635A (en) * | 1984-03-16 | 1986-12-16 | Genus, Inc. | Process for depositing a low resistivity tungsten silicon composite film on a substrate |
| EP0157502A1 (en) * | 1984-03-20 | 1985-10-09 | WESTLAND plc | Helicopter rotor |
| US4585517A (en) * | 1985-01-31 | 1986-04-29 | Motorola, Inc. | Reactive sputter cleaning of semiconductor wafer |
| US4605479A (en) * | 1985-06-24 | 1986-08-12 | Rca Corporation | In-situ cleaned ohmic contacts |
| US4619038A (en) * | 1985-08-15 | 1986-10-28 | Motorola, Inc. | Selective titanium silicide formation |
| US4647361A (en) * | 1985-09-03 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Sputtering apparatus |
| US4617087A (en) * | 1985-09-27 | 1986-10-14 | International Business Machines Corporation | Method for differential selective deposition of metal for fabricating metal contacts in integrated semiconductor circuits |
| EP0322466A1 (en) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Ibm Deutschland Gmbh | PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) method for deposition of tungsten or layers containing tungsten by in situ formation of tungsten fluorides |
-
1990
- 1990-02-09 US US07/477,506 patent/US4985372A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-17 KR KR1019900001950A patent/KR0139793B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900013588A (ko) | 1990-09-06 |
| US4985372A (en) | 1991-01-15 |
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