JPH02298270A - 成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、成膜方法に関する。

（従来の技術および発明が解決しようとする課題）近年
、ウルトラＬ　Ｓ　Ｉ　（Ｊａｒｇｅ　５ｃａＱｅｄ　
ｉｎｔｅ−ｇｒａｔｓｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）等の集積回
路の高集積化、高速化、高密度化に伴い、ゲート電極の
形成や、コンタクトホール及びスルーホール内への導電
性物質のデポジシミンのために、ボリクリスラインシリ
コンに比べ１０分の１以下の低い抵抗を有するＷ（ｔｕ
ｎｌｃｓｔｅｎ）等の高融点金属を選択的にデポジット
する技術が重要となっている。

このようなセレクティブデポジションにより薄膜金属フ
ィルムを形成する手段としては、その選択性の維持のた
め、被処理基板を赤外ｍ　（ｉｎｆｒａ−ｒｅｄ　ｒａ
ｙｓ）により急加熱し、フィルムホーミングガスを被処
理基板の被処理面上に成長させるＣＶＤ　（ｅｈｅｍｉ
ｃａＱｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置がある。

ＣＶＤ装置を用いて薄膜金属フィルムを形成する場合、
前の工程から被処理基板例えばシリコンウェハをＣＶＤ
装置に移送する時、シリコンウェハ表面に１例えば数１
ＯＡの膜厚の自然酸化膜（Ｓｉｎ、）が形成されてしま
う、　このような自然酸化膜が形成されたシリコンウェ
ハ上に薄膜金属フィルムを形成すると、シリコンウェハ
と薄膜金属フィルムとの間の接触抵抗が高くなり、かつ
薄膜金属フィルムがシリコンウェハから剥離してしまう
等、半導体装置の品質の低下を招いていた。

このようなことを防止し、半導体装置の品質を向上させ
るため、シリコンウェハ表面の自然酸化膜をドライエツ
チングにより除去し、その後、ＣＶＤプロセスを行なう
ことが考えられる。

しかし、上述のドライエツチングとＣＶＤプロセスとを
同一のチャンバ内で行なう場合には、次のような問題点
がある。

まず、ＣＶＤ装置内にエツチング用のプラズマ発生電極
を設ける必要があるが、エツチング中にプラズマ発生電
極からＦａ等の重金属が飛び出してしまう。この重金属
は、ゲート電極や拡散領域を汚染し、装置の性能を低下
させてしまう。

また、エツチングの際にプラズマ中のイオンがシリコン
ウェハ表面を衝撃することにより、シリコンウェハが損
傷することがある。これを防止するにはシリコンウェハ
がプラズマにさらされないようにすればよいが、そうす
るためにはチャンバの構造を改造する必要がある。

このようなチャンバの構造の改造に関する従来技術とし
て、特開昭６０−２２１５７２号、６０−２３８１３４
号。

６１−９５８８７号、６１−２３１１６６号、　６２−
２１３１１２号、６２−２５０６５２号等がある。これ
ら公報には、真空チャンバと他のチャンバとを組合わせ
たものが開示されているが、シリコンウェハ表面の自然
酸化膜をドライエツチングにより除去し、その後、ＣＶ
Ｄプロセスを行なうことについては何ら記載されていな
い。

本発明の目的は、電極からの重金属によるゲート電極や
拡散領域の汚染、及びイオン衝撃による基板の損傷を生
ずることなく、基板表面の自然酸化膜を効果的に除去し
、高性能の半導体装置の製造を可能とする導電層の形成
方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、電極からの重金属によるゲート電
極や拡散領域の汚染、及びイオン衝撃による基板の損傷
を生ずることなく、基板表面の自然酸化膜の効果的な除
去を可能とする、高性能のＭＯ８型半導体装置のゲート
電極の形成方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、電極からの重金属によるゲー
ト電極や拡散領域の汚染、及びイオン衝撃による基板の
損傷を生ずることなく、基板表面の自然酸化膜の効果的
な除去を可能とする、高性能の半導体装置の拡散領域へ
のコンタクトの形成方法を提供することにある。

本発明によると、非酸化性雰囲気に維持された第１のチ
ャンバ内で基板表面をドライエツチングにより処理して
基板表面の自然酸化膜を除去する工程、処理された基板
を第１のチャンバから第２のチャンバへ、非酸化性雰囲
気を維持しつつ搬送する工程、及び第２のチャンバ内で
減圧ＣＶＤにより基板表面に高融点金属フィルムを形成
する工程を具備する導電層の形成方法が提供される。

〔発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、第１の処理室で被処理基板の自然酸化膜を
除去し、上記被処理基板を第１の処理室から第２の処理
室に真空中で搬送し、第２の処理室で、被処理基板に高
融点金属膜を形成することを特徴とする。

（作用効果） 第１の処理室で被処理基板の自然酸化膜を除去し、上記
被処理基板を第１の処理室から第２の処理室に真空中で
搬送し、第２の処理室で、被処理基板に高融点金属を形
成することにより、被処理基板の自然酸化膜を除去でき
、重金属の汚染も防止し、良好な成膜を実行することが
できる効果が得られる。

（実施例） 以下、本発明を、半導体装置製造工程におけるシリコン
ウェハ上への高融点金属層の形成に適用した例につき説
明す°る。

第１図は、エツチングを行なう第１のチャンバ１とＣＶ
Ｄを行なう第２のチャンバ２と、第１のチャンバ１から
第２のチャンバ２へと基板を搬送する搬送チャンバ３と
、基板を収納する収納部４とから構成される。

第１のチャンバ１は、第２図に示すように、冷却水等に
より壁面が冷却可能で、かつ気密な円筒状体であり、ア
ルミニウム製である。第１のチャンバ１の上部には、半
導体ウェハ例えばシリコンウェハの被処理面が下向きに
なるように設置可能なウェハ支持電極６が設けられてい
る。このウェハ支持電極６は、メタルによる汚染を防止
するため、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニ
ウムからなる。ウェハ支持電極６は１例えば１３．５６
Ｍ１ｌｚのＲＦ源と電気的に接続されている。またウェ
ハ支持電極６には、第１のチャンバ１の壁面と同一の温
度に冷却可能なように、図示しない冷却機構が設けられ
ている。

ウェハ支持電極（３は、その外周縁部において円筒状の
サポートメンバ７により支持されている。

ウェハ支持電極６の近傍には、エアシリンダ等の昇降機
構８を備えたウェハ支持機構９が設けられており、この
ウェハ支持機構９により、ウェハ５の外周縁部が支持さ
れ、ウェハ支持電極６に固定されている。また、ウェハ
支持電極６の近傍には、第１のチャンバ１内を真空排気
するための、例えば２つの排気口１０ａ、　１０ｂが設
けられている。これら排気口１０ａ、　１Ｏｂは、第１
のチャンバ１内を所望の圧力に減圧及び反応ガス等を排
出可能なように、真空ポンプ例えばターボ分子ポンプ（
図示せず）等に接続されている。

第１のチャンバ１の下部には、有底円筒状の石英チャン
バ１１が設けられている。この石英チャンバ１１の底部
には、ガス導入パイプ１２ａ、　１２ｂが設けられてい
る。このガス導入バイブ１２ａ、　１２ｂは、図示しな
い流量制御機構を介してガス供給源に接続されている。

また、石英チャンバ１１の外側側面には、石英チャンバ
１１内に導入されたエツチングガスを励起してプラズマ
を形成するための一対のプラズマ発生電極１３ａ、　１
３ｂが対向して配置されている。これらプラズマ発生電
極１３ａ、　１３ｂは、第３図に示すように、互いに絶
縁された半円筒状であり、石英チャンバ１１を囲むよう
に設けられている。これらプラズマ発生電極１３ａ、　
１３ｂのうちプラズマ発生電極１３ａは例えば１３．５
６ＭＨｚのＲＦ源に接続されており、プラズマ発生電極
１３ｂは接地されている。

石英チャンバ１１の上部開口部とウェハ支持電極６との
間には、シリコンウェハがイオンの衝撃によりダメージ
を受けることを防止するため、メツシュ電極１４が設け
られている。このメツシュ電極１４は１例えばアルミニ
ウム合金からなるメツシュをアルマイト処理したもので
ある。このようにして、シリコンウェハ表面の自然酸化
膜を除去するための第１のチャンバ１が構成されている
。

次に、表面の自然酸化膜が除去されたシリコンウェハ表
面に、ＣＶＤにより高融点金属をデポジットするための
第２のチャンバ２について説明する。第２のす■シバ２
は、第４図に示すように、冷却水等により壁面が冷却可
能で、かつ気密な円筒状体であり、アルミニウム製であ
る。この第２のチャンバ２の１一部には、シリコンウェ
ハの被処理面がト向きになるように設置可能なウエノ）
支持リング１５が設けられている。このウェハ支持リン
グ１５は、その外周縁部において円筒状の支持部材１６
により支持されている。

ウェハ支持リング１５の近傍には、エアシリンダ等の昇
降機構１７を備えたウェハ支持部材１８が設けられてお
り、このウェハ支持部材１８により、ウェハ５の外周縁
部が支持され、ウェハ支持リング１５に固定されている
。また、ウェハ支持リング１５の上方には、ハロゲンラ
ンプ２０が設けられ、このハロゲンランプ２０により１
石英ガラス製の窓を通してウェハ５を、例えば３００〜
１ｏｏｏ℃に急加熱される。

更に、ウェハ支持リング１５の近傍の第２のチャンバ２
の上部には、第２のチャンバ２内を真空排気するための
、例えば２つの排気ＩＴ］２１ａ、　２１ｂが設けられ
ている。これら排気口２１ａ、　２１ｂは、第２のチャ
ンバ２内を所望の圧力に減圧及び反応ガス等を排出可能
なように、真空ポンプ例えばターボ分子ポンプ（図示せ
ず）等に接続されている。

第２のチャンバ２の底部には、デポジションガス、キャ
リアガス、エツチングガス等を導入するための多数の小
さいガス流入口からなるガス導入口２２ａ　、　’　２
２ｂが設けられている。このガス導入口２２ａ、　２２
ｂは、図示しない流量制御機構例えばマスフローコント
ローラを介してガス供給源に接続されている。

ウェハ支持リング１５とガス導入口２２ａ、　２２ｂと
の間には、ガス導入口２２ａ、　２２ｂから第２のチャ
ンバ２内に導入されたガスの流れを制御するための、例
えばステッピングモータ等の、直線移動する移動機構を
備えた円盤状制御板２４が設けられている。

このようにして第２のチャンバ２が構成されている。

第１図に示すように、第１のチャンバ１の側部にはゲー
トバルブ２５ａが、第２のチャンバ２の側部にはゲート
バルブ２５ｂがそれぞれ設けられている。これらゲート
バルブ２５ａ、　２５ｂの開閉は１図示しない手段によ
り自動制御可能である。これらゲートバルブ２５ａ　、
　２５ｂを介して第１のチャンバ１及び第２のチャンバ
２は、搬送チャンバ３に接続されている。

搬送チャンバ３には、ウェハ５を第１のチャンバ１及び
第２のチャンバ２内に搬入又は搬出するための、例えば
伸縮回転自在のハンドアーム２６ａ。

２６ｂが設けられている。搬送チャンバ３は、搬送チャ
ンバ３内を所望の圧力に減圧する真空ポンプ（図示せず
）に接続されている。また、搬送チャンバ３は、ゲート
バルブ２７ａ、　２７ｂを介して、シリコンウェハ５を
収納する収納部４に接続されている。

収納部４には、シリコンウェハ５を例えば２５枚、所定
の間隔で積載収納可能な載置台（図示せず）が内蔵され
ている。

以上のようにして、エツチング及びＣＶＤを真空中で連
続して行う装置が構成されている。なお。

この装置の動作は図示しない制御機構により制御される
。

次に、以上説明した・第１図に示す装置を用いた。

シリコンウェハ５に対するドライエツチング及びＣＶＤ
を説明する。

まず、ゲートバルブ２７ａを開とし、収納部４内のウェ
ハキャリア２８から所定のシリコンウェハ５を、予め減
圧例えば１Ｏ−３〜１０−’ｔｏｒｒに維持された搬送
チャンバ３のハンドアーム２６により取り出す。

この時、ゲートバルブ２５ａ、　２５ｂは閉じた状態で
あり、第１のチャンバ１及び第２のチャンバ２内は真空
ポンプにより所定の低圧に維持されている。

なお、ウェハ５の取り出しと同時にゲートバルブ２７ａ
は自動的に閉ざされる。

次に、第１のチャンバ１のゲートバルブ２５ａを開とし
、ハンドアーム２６によりウェハ５を第１のチャンバ１
内に搬入する。この時、ウェハ支持体９は昇降機構８に
より下降した状態にあり、ウェハ５の被処理面が下向き
になるようにウェハ５をウェハ支持体９上に載置する。

そして昇降機構８によりウェハ支持体９を上昇させ、ウ
ェハ５の周縁部をウェハ支持電極６とウェハ支持体９と
で挟持し、固定する。このウェハ５のマウンティングプ
レート６への固定が終了すると、ハンドアーム２６を搬
送チャンバ３内に収納し、ゲートバルブを閉じる。

次に、シリコンウェハ５の被処理面に形成された自然酸
化膜をドライエツチングにより除去するクリーニング処
理を行う。

まず、第１のチャンバ１内を所望の低圧状態、例えば２
００■ｔｏｒｒに維持するように、真空ポンプにより排
気する。そして、ガス導入パイプ１２ａ。

１２ｂから例えばガス導入パイプ１２ａからＮ２ガス、
ガス導入パイプ１２ｂからＮＦ、ガスを、図示しない流
量制御機構でこれらのガスの流量を調節しながら、石英
チャンバ１１内に導入する。これと同時に、電極１３ａ
に例えば数１０Ｗの電力を印加すると、電極１３ａ、　
１３ｂ間に放電が生じ、ガスプラズマが形成される。こ
れによって生じたエッチャントがウェハ５の表面に供給
されて、ウェハ５表面の自然酸化膜をエツチングする。

このエツチングを所定時間、例えば１０秒行い、ウェハ
５表面の自然酸化膜の正確な除去を行う、なお、Ｎ２ガ
スの変わりにＮ２ガスを用いてもよい。

その後、ガスの供給及び放電を停止し、ウェハ５の被処
理面上に、ＣＶＤにより高融点金属を形成するために、
ウェハ５を第１のチャンバ１から第２のチャンバ２に真
空中を搬送する。

まず、ゲートバルブ２５ａを開とし、ハンドアーム２６
によりウェハ５を第１のチャンバ１から搬送チャンバ３
に移す、そしてゲートバルブ２５ａを閉じ、ハンドアー
ム２６を所定角度回転させる。その後、第２のチャンバ
２のゲートバルブ２５ｂを開とする。そして、ウェハ５
をハンドアーム２６により第２のチャンバ２に搬入する
。

第２のチャンバ２内において、昇降機構１７によリウエ
ハ支持体１８は下降した状態にあり、ウェハ５は被処理
面を下向きにしてウェハ支持体１８上に載置される。次
いで、昇降機構１７によりウェハ支持体１８は−Ｆ昇し
、ウェハ５はその周縁部をウェハ支持リング１５とウェ
ハ支持体１８とで挟まれ、ウェハ支持リング１５に固定
されている。このウェハ支持リング１５への固定が終了
すると、ハンドアーム２６を搬送チャンバ３内に収納し
、ゲートバルブ２５ｂを閉じる。

その後、ウェハ５の被処理面にＣＶＤより高融点金属層
の形成を次のようにして行う、即ち、まず、第２のチャ
ンバ２内を所定の低圧状施、例えば１００〜２００膿ｔ
ｏｒｒに維持するように真空ポンプで排気する１次いで
、ハロゲンランプ２０により１石英ガラス製の窓を通し
てウェハ５の裏面を照射し、ウェハ５を急加熱する。こ
の時、ウェハ５から放射される赤外線をパイロメータを
用いて検出することにより、又は高感度熱電対を用いて
ウェハ５の温度を直接検出することにより、ウェハ５の
被処理面の温度を例えば４０〜５３０℃に制御する。そ
して、ガス導入パイプ２２ａ、　２２ｂから第２のチャ
ンバ２内に、デポジションガス例えばＷＦ、及びＳｉＨ
４と、キャリアガス例えばＨ２及びＡｒを流し、ＣＶＤ
を行う、その結果、ウェハ５の被処理面に形成さたホー
ル等にメタル例えばＷ　（ｔｕｎｇｓｔｅｎ）が選択的
にデポジットされる。デポジットされる金属としては、
Ｗ　（ｔ：ｕｎｇｓｔｅｎ）に限らず、ＷＳｉ　（ｔｕ
ｎｇｓｉ；ｅｎｓｉＱｉｅｉｄｅ）、ポリクリスタライ
ンシリコン等を用いることも可能である。

所望のメタル層の形成が終了すると１反応ガスの導入が
停止され、昇降機構１７によりウェハ支持体１８がウェ
ハ５を支持した状態で降下し、ゲートバルブ２５ｂが開
かれる。　そして伸縮回転自在なハンドアーム２６によ
りウェハ５が第２のチャンバ２から搬出されるとともに
、　ゲートバルブ２５ｂが閉ざされ、ＣＶＤプロセスが
完了する。

その後、キャリア２８内に未処理ウェハがないかどうか
を確認し、未処理ウェハがある場合、再び上述のドライ
エツチング及びＣＶＤを行い、未処理ウェハがない場合
すべての操作が終了する。

以上説明した方法により種々の寸法のコンタクトホール
内にＷを選択的にデポジットした場合のコンタクト抵抗
を、ドライエツチングを行なわない場合と比較したデー
タを第５図に示す、第５図において、カーブａは本発明
の方法に従いドライエツチングを施した場合、カーブｂ
はドライエツチングを行なわない場合を示す、第５図か
ら明らかなように、本発明の方法によると、コンタクト
ホールの径に関わり無く低いコンタクト抵抗が得られる
が、ドライエツチングを行なわない場合にはコンタクト
抵抗は高く、かつコンタクトホールの径に大きく影響さ
れる。

次に以上説明したドライエツチング及びＣＶＤの連続プ
ロセスをＭＯＳトランジスタのゲート電極の形成及びソ
ース・ドレイン電極の形成に適用した例につき説明する
。

第６図Ａ−Ｆは、ＭＯＳトランジスタの製造工程を示す
断面図である。なお、ゲート電極の形成のための装置と
しては、第７図に示す装置を用いた。この装置は、第１
図に示す装置に、第２のチャンバ２と同様の構造を有す
る第３のチャンバ２′をゲートバルブ２５ｂ′　　を介
して取り付けた構成を有する。

まず、第６図Ａに示すように、ｐ−タイプＳｉウェハ３
１の表面に、ゲート酸化膜となる熱酸化膜３２（厚さ８
１００人）を形成した後、第７図に示す装置の第３のチ
ャンバ２′内において第６図Ｂに示すように、ｎ−タイ
プボリクリスタラインシリコン３３（厚さ：　１５００
人）を形成する１次いで、Ｓｉウェハ３１を第３のチャ
ンバ２′から搬送チャンバ３に。

更に第１のチャンバ１に移動し、そこでドライエツチン
グを行ない、ポリグリスタラインシリコン３３表面の自
然酸化膜を除去する。

次に、Ｓｉウェハ３１を第１のチャンバ１から搬送チャ
ンバ３に、更に第２のチャンバ２に移動し、そこでＣＶ
Ｄにより、第６図″Ｃに示すようにタングステンシリサ
イド層３４を形成する。その後、第６図りに示すように
、ポリクリスタラインシリコン３３及びタングステンシ
リサイド層３４をパターニングして、ポリクリスタライ
ンシリコン３３及びタングステンシリサイド層３４から
なるゲート電極３５を形成する。

次いで、ゲート電極３５をマスクとして用いてＡｓをイ
ンブラントし、熱処理し、第６図Ｅに示すように、ソー
ス・ドレイン領域３６．３７を形成し、更に全面に層間
絶縁膜３８を形成した後、ソース・ドレイン領域３６．
３７上の熱酸化膜３２及び層間絶縁膜３８にコンタクト
ホールを形成した後、全面に導電性物質をデポジットし
、更にパターニングし、第６図Ｆに示すように、ソース
・ドレイン電極３９゜４０を形成する。このようにして
ＭＯＳトランジスタが製造される。

なお、第１図に示す装置を用い、第６図Ｆに示すソース
・ドレイン電極３９．４０の形成に本発明のエツチング
とデポジションの連続操作を適用することが可能である
。即ち、コンタクトホールを形成した後、第１のチャン
バ１丙でドライエツチングを施して、ソース・ドレイン
領域３６．３７の露出面の自然酸化膜を除去し、次いで
第２のチャンバ２内でＣＶＤにより導電性物質をデポジ
ットする。

この場合、コンタクトホール内のみに選択的にＷをデポ
ジットし、次いでＡＱからなるインターコネクション層
を施してもよい。

上述したようにこの実施例によれば、被処理基板例えば
半導体ウェハの自然酸化膜を除去し被処理基板上に高融
点金属を成膜するに際し、自然酸化膜の除去用の処理室
と、成膜用の処理室を夫々独立に設け、真空状態中でウ
ェハを搬送することにより、ウェハが大気にさらされる
ことがないため、自然酸化膜による悪影響を防止し成膜
処理を正確に行なえる。

また、夫々の処理を専用の処理室で行なえるため、重金
属の汚染対策を行なえ、より正確な処理を行なうことが
できる。

この発明は上記実施例に限定するものではなく、処理室
は、２つでなくとも３つ以上でも何れでも良い。

又、被処理基板は、半導体ウェハでなくとも液晶テレビ
などに用いられるＬＣＤ基板、アモルファスＳＬなどで
も何れでも良い。

さらに、被エツチング膜は、半導体ウェハに形成された
自然酸化膜（Ｓｉｎ、）でなくとも、人工的に形成した
Ｓｉｎ、膜でも良く、他の酸化膜に応用できることは言
うまでもない。

さらに又、エツチング処理はプラズマエツチングでなく
とも良く、エツチングガスを励起状態とするものなら何
れでも良い。

さらに又、エツチング処理後の成膜処理も何れでも良く
、例えばプラズマＣＶＤ処理で行なっても良いことは言
うまでもない。

さらに本発明によると、半導体基板の表面にゲート酸化
膜を形成する工程と、このゲート酸化膜上にポリクリス
タラインシリコン層を形成する工程、非酸化性雰囲気に
維持された第１のチャンバ内でポリクリスタラインシリ
コン層表面をドライエツチングにより処理してポリクリ
スタラインシリコン層表面の自然酸化膜を除去する工程
、処理された基板を第１のチャンバから第２のチャンバ
へ、非酸化性雰囲気を維持しつつ搬送する工程、及び第
２のチャンバ内で減圧ＣＶＤによりポリクリスタライン
シリコン層表面に高融点金属シリコン層を形成する工程
、及びポリクリスタラインシリコン層及び高融点金属シ
リコン層をパターニングしてポリクリスタラインシリコ
ン層及び高融点金属シリコン層からなるゲート電極を形
成する工程を具備するＭＯ８型半導体装置のゲート電極
の形成方法が提供される。

さらにまた本発明によると、半導体基板表面にゲート酸
化膜及びゲート電極を形成する工程、半導体基板に不純
物を導入してソース及びドレイン領域を形成する工程、
非酸化性雰囲気に維持された第１のチャンバ内でソース
及びドレイン領域表面をドライエツチングにより処理し
てソース及びドレイン領域表面の自然酸化膜を除去する
工程、処理された基板を第１のチャンバから第２のチャ
ンバへ、非酸化性雰囲気を維持しつつ搬送する工程、及
び第２のチャンバ内で減圧ＣＶＤによりソ−ス及びドレ
イン領域表面に高融点金属をデポジットする］−程を具
備するＭＯ３型半導体装置のソース・トレイン電極の形
成方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施例を説明するための装置の断
面図、第２図は第１図に示す装置の一部をなすエツチン
グチャンバを示す断面図、第３３図は第１図に示す装置
の一部をなすＣＶＤチャンバを示す断面図、第４図は第
２図に示すエツチングチャンバの電極の配置を示す図、
第５図は本発明方法により得られたコンタクトホールの
径によるコンタクト抵抗の変化を、ドライエツチングを
行なう場合と行なわない場合とを比較して示す特性曲線
図、第６図は本発明の方法を適用する、ＭｏＳトランジ
スタの製造工程を示す断面図、及び第７図は第１図に示
す装置の変形例を示す断面図である。 １・・・第１の処理室　　２・・・第２の処理室３・・
・搬送室　　　　　５・・・半導体ウェハ特許出願人　
東京エレクトロン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　第１の処理室で被処理基板の自然酸化膜を除去し、上
   記被処理基板を第１の処理室から第２の処理室に真空中
   で搬送し、第２の処理室で、被処理基板に高融点金属膜
   を形成することを特徴とする成膜方法。